JPH09217191A - 電鋳による貴金属の精密加工方法 - Google Patents
電鋳による貴金属の精密加工方法Info
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- JPH09217191A JPH09217191A JP2745096A JP2745096A JPH09217191A JP H09217191 A JPH09217191 A JP H09217191A JP 2745096 A JP2745096 A JP 2745096A JP 2745096 A JP2745096 A JP 2745096A JP H09217191 A JPH09217191 A JP H09217191A
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 母材金属基板上にレジストパターニングを行
い、その後、貴金属の厚付け電気めっきを行って精密金
属加工製品を得る電鋳の製造方法で、変形、ひずみなど
のない電鋳膜を精度良く製造し、また厚付け電気めっき
中にレジスト剥離などが起こらない方法を提供する。 【解決手段】 電鋳膜から母材を除去するとき、母材基
板を薬品により溶解して除去する。また、厚付け電気め
っきに先立って、レジストを保護するためのめっきを、
中性乃至酸性のめっき液を用いて予め施しておく。
い、その後、貴金属の厚付け電気めっきを行って精密金
属加工製品を得る電鋳の製造方法で、変形、ひずみなど
のない電鋳膜を精度良く製造し、また厚付け電気めっき
中にレジスト剥離などが起こらない方法を提供する。 【解決手段】 電鋳膜から母材を除去するとき、母材基
板を薬品により溶解して除去する。また、厚付け電気め
っきに先立って、レジストを保護するためのめっきを、
中性乃至酸性のめっき液を用いて予め施しておく。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は金属からなる母材基
板へ貴金属の厚付け電気めっきを施し、精密形状の貴金
属の電鋳膜を得る貴金属の精密加工方法に関する。
板へ貴金属の厚付け電気めっきを施し、精密形状の貴金
属の電鋳膜を得る貴金属の精密加工方法に関する。
【0002】
【従来の技術】電鋳技術は装飾品の製造、レコード母型
の製造、電気かみそりの網刃、インクジェットプリンタ
ー用ノズル、超音波噴霧振動板などの製造に広く用いら
れている。この中でも母材基板上にパターニングを行っ
た後厚付け電気めっきを行い、析出した電鋳膜を製品と
する電気かみそりの網刃、超音波噴霧振動板などは電鋳
の精密加工性を生かしたものとして電鋳技術が好ましく
用いられている。
の製造、電気かみそりの網刃、インクジェットプリンタ
ー用ノズル、超音波噴霧振動板などの製造に広く用いら
れている。この中でも母材基板上にパターニングを行っ
た後厚付け電気めっきを行い、析出した電鋳膜を製品と
する電気かみそりの網刃、超音波噴霧振動板などは電鋳
の精密加工性を生かしたものとして電鋳技術が好ましく
用いられている。
【0003】その一例として電気かみそりの網刃の製造
方法を図5(a)〜(e)をもとに説明する。図5は母
材金属基板上へ厚付け電気めっきを行い電気かみそりの
網刃を得る工程の断面図である。まず母材金属基板1上
に微小な円形のレジスト2によるパターニングを行った
後、ニッケルの厚付け電気めっきを施して電鋳膜3を析
出させる。電鋳膜3は当初は母材金属基板1のレジスト
2に覆われていない部分に析出し、母材金属基板の面に
対して直角な方向(縦方向)のみに成長するが、電鋳膜
3の厚さがレジスト2の厚さ以上に達すると、電鋳膜3
は母材金属基板1の面に対し、平行な方向(横方向)に
も成長する。その後、レジスト2が電鋳膜3で完全に覆
われてしまう手前で厚付け電気めっきを中止すると、図
5(c)に示すような電鋳膜3が得られる。その後、図
5(d)のように母材金属板1を剥離し、さらにレジス
ト2を剥離除去すると、図5(e)に示すような微細円
孔4の明いた電鋳膜3が得られる。
方法を図5(a)〜(e)をもとに説明する。図5は母
材金属基板上へ厚付け電気めっきを行い電気かみそりの
網刃を得る工程の断面図である。まず母材金属基板1上
に微小な円形のレジスト2によるパターニングを行った
後、ニッケルの厚付け電気めっきを施して電鋳膜3を析
出させる。電鋳膜3は当初は母材金属基板1のレジスト
2に覆われていない部分に析出し、母材金属基板の面に
対して直角な方向(縦方向)のみに成長するが、電鋳膜
3の厚さがレジスト2の厚さ以上に達すると、電鋳膜3
は母材金属基板1の面に対し、平行な方向(横方向)に
も成長する。その後、レジスト2が電鋳膜3で完全に覆
われてしまう手前で厚付け電気めっきを中止すると、図
5(c)に示すような電鋳膜3が得られる。その後、図
5(d)のように母材金属板1を剥離し、さらにレジス
ト2を剥離除去すると、図5(e)に示すような微細円
孔4の明いた電鋳膜3が得られる。
【0004】このような製法を用いることにより微細孔
を精度良く作製することができ、またレジストの形を円
形ばかりでなく各種異形とすることにより、そのような
異形の孔も作製できるものである。ところがこのような
従来の製法の問題点として、従来は電鋳をした後の母材
金属基板の除去を剥離により行っていたが、母材金属基
板上に予め離型被覆を施す手間が必要であり、また剥離
時に電鋳膜へ力が加わり、電鋳膜自体の機械的性能を損
ねてしまったり、さらにひどい場合はクラック等が発生
してしまうことがあった。
を精度良く作製することができ、またレジストの形を円
形ばかりでなく各種異形とすることにより、そのような
異形の孔も作製できるものである。ところがこのような
従来の製法の問題点として、従来は電鋳をした後の母材
金属基板の除去を剥離により行っていたが、母材金属基
板上に予め離型被覆を施す手間が必要であり、また剥離
時に電鋳膜へ力が加わり、電鋳膜自体の機械的性能を損
ねてしまったり、さらにひどい場合はクラック等が発生
してしまうことがあった。
【0005】またさらに電鋳製品を得るにはかなり長い
時間電気めっきする必要があり、その間レジストが常に
厚付け電気めっき液と接触しているという点があげられ
る。厚付け電気めっき液には強アルカリ性や強酸性のも
のが多く、また析出速度を速くするため加熱することも
多く、有機物であるレジストはそのような厚付け電気め
っき液特に強アルカリ性のものに高温で長時間接触して
いると、レジストが膨潤、溶解等起こし、レジストの剥
離という問題が起こることがあった。このように厚付け
電気めっきの途中でレジストの剥離が起こると微細孔の
加工がうまくゆかず、完全な不良となってしまった。
時間電気めっきする必要があり、その間レジストが常に
厚付け電気めっき液と接触しているという点があげられ
る。厚付け電気めっき液には強アルカリ性や強酸性のも
のが多く、また析出速度を速くするため加熱することも
多く、有機物であるレジストはそのような厚付け電気め
っき液特に強アルカリ性のものに高温で長時間接触して
いると、レジストが膨潤、溶解等起こし、レジストの剥
離という問題が起こることがあった。このように厚付け
電気めっきの途中でレジストの剥離が起こると微細孔の
加工がうまくゆかず、完全な不良となってしまった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点を
解決し、母材金属基板上にレジストパターニングを行
い、その後該母材金属基板に厚付け電気めっきを行い、
金属表面上に析出成長する電鋳により精密金属加工製品
を得る電鋳膜の製造方法において、最終製品である電鋳
に機械的なひずみ、クラックなどの発生することがな
く、また厚付け電気めっき途中でレジストの剥離が起こ
らない電鋳による貴金属の精密加工方法を提供すること
を目的とする。
解決し、母材金属基板上にレジストパターニングを行
い、その後該母材金属基板に厚付け電気めっきを行い、
金属表面上に析出成長する電鋳により精密金属加工製品
を得る電鋳膜の製造方法において、最終製品である電鋳
に機械的なひずみ、クラックなどの発生することがな
く、また厚付け電気めっき途中でレジストの剥離が起こ
らない電鋳による貴金属の精密加工方法を提供すること
を目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の電鋳による貴金属の精密加工方法は、電鋳に
より精密加工製品を得る電鋳の製造方法において、母材
金属として電鋳の金属より卑な金属を用い、該母材金属
基板上にレジストパターニングを行い、その後貴金属の
厚付け電気めっきを施し、さらに母材を薬品で溶解除去
して電鋳を得ることを特徴とするものである。
の本発明の電鋳による貴金属の精密加工方法は、電鋳に
より精密加工製品を得る電鋳の製造方法において、母材
金属として電鋳の金属より卑な金属を用い、該母材金属
基板上にレジストパターニングを行い、その後貴金属の
厚付け電気めっきを施し、さらに母材を薬品で溶解除去
して電鋳を得ることを特徴とするものである。
【0008】さらに本発明の電鋳による貴金属の精密加
工方法は上記用いるレジストのパターンの形状を円形、
矩形若しくは異形のスポット又はスリット状パターンと
し、得られる電鋳を膜としその電鋳膜に開口形状が円
形、矩形若しくは異形のスポット又はスリット状で、該
開口面積が電鋳膜の一面から他の面にかけてすり鉢状に
広がった開口を形成することを特徴とするものである。
なお、ここでいう異形とは、三角形、星形等円形又は矩
形以外の形状のことをいう。
工方法は上記用いるレジストのパターンの形状を円形、
矩形若しくは異形のスポット又はスリット状パターンと
し、得られる電鋳を膜としその電鋳膜に開口形状が円
形、矩形若しくは異形のスポット又はスリット状で、該
開口面積が電鋳膜の一面から他の面にかけてすり鉢状に
広がった開口を形成することを特徴とするものである。
なお、ここでいう異形とは、三角形、星形等円形又は矩
形以外の形状のことをいう。
【0009】また上記貴金属の厚付け電気めっきに先立
ち、予め中性乃至酸性のめっき液によりめっきを行うこ
とが好ましく、上記厚付け電気めっきに先立ち行うめっ
きの厚さをtとし、レジストの厚さをRとした場合、R
(μm)≦t(μm)≦(R+10)(μm)であること
が望ましい。さらに本発明の電鋳による貴金属の精密加
工方法は、用いる厚付け電気めっき液が強アルカリ性で
あることを特徴とするものである。
ち、予め中性乃至酸性のめっき液によりめっきを行うこ
とが好ましく、上記厚付け電気めっきに先立ち行うめっ
きの厚さをtとし、レジストの厚さをRとした場合、R
(μm)≦t(μm)≦(R+10)(μm)であること
が望ましい。さらに本発明の電鋳による貴金属の精密加
工方法は、用いる厚付け電気めっき液が強アルカリ性で
あることを特徴とするものである。
【0010】上記のように本発明の電鋳による貴金属の
精密加工方法では、厚付け電気めっき後の母材金属基板
の除去を薬品による溶解で行うことにより、剥離で除去
する時のように無駄な力が電鋳にかからず、品質の安定
した電鋳が得られる。特に精密加工製品を得る場合、そ
の微細孔や微細なスリット等の形状に何らの影響も及ぼ
さない。用いる薬品は電鋳金属を侵さず母材金属を溶解
する薬品なら何でもよく、本発明では電鋳金属に貴金属
を用いているため、用いる薬品の選択範囲が非常に広く
なる。例えば母材金属がCuで、電鋳膜がPtの場合、
硝酸、熱濃硫酸などが用いられる。さらに、本発明の電
鋳による貴金属の精密加工方法では、厚付け電気めっき
に先立ち、予め中性乃至酸性のめっき液によりめっきを
行い、レジスト端部を被覆すると、その後の厚付け電気
めっき液によるレジストへの浸食を防ぐことができる。
レジスト剥離の原因となるのは一般的にレジスト端部が
薬液に侵されやすく、またレジストと母材金属基板の境
界に薬液が浸透することにより起こるものであり、めっ
きの厚さはレジストの厚さより厚くすることが望ましい
が、一番弱いレジストと母材金属基板の境界がめっきで
覆われるだけでも効果はあるものである。
精密加工方法では、厚付け電気めっき後の母材金属基板
の除去を薬品による溶解で行うことにより、剥離で除去
する時のように無駄な力が電鋳にかからず、品質の安定
した電鋳が得られる。特に精密加工製品を得る場合、そ
の微細孔や微細なスリット等の形状に何らの影響も及ぼ
さない。用いる薬品は電鋳金属を侵さず母材金属を溶解
する薬品なら何でもよく、本発明では電鋳金属に貴金属
を用いているため、用いる薬品の選択範囲が非常に広く
なる。例えば母材金属がCuで、電鋳膜がPtの場合、
硝酸、熱濃硫酸などが用いられる。さらに、本発明の電
鋳による貴金属の精密加工方法では、厚付け電気めっき
に先立ち、予め中性乃至酸性のめっき液によりめっきを
行い、レジスト端部を被覆すると、その後の厚付け電気
めっき液によるレジストへの浸食を防ぐことができる。
レジスト剥離の原因となるのは一般的にレジスト端部が
薬液に侵されやすく、またレジストと母材金属基板の境
界に薬液が浸透することにより起こるものであり、めっ
きの厚さはレジストの厚さより厚くすることが望ましい
が、一番弱いレジストと母材金属基板の境界がめっきで
覆われるだけでも効果はあるものである。
【0011】この厚付け電気めっきに先立ち予め行う、
中性乃至酸性のめっき液によるめっきの厚さをtμm、
レジストの厚さをRμmとしたとき、R(μm)≦t
(μm)≦(R+10)(μm)が特に好ましいのは、先
に記載した通り、t(μm)<R(μm)はレジストの
端部がめっきで完全に保護されないためであり、(R+
10)(μm)<t(μm)となるとめっきの厚みが厚く
なりすぎ、異常析出、クラック等が発生するためであ
る。厚付け電気めっきに先立ち予め行う、中性乃至酸性
のめっき液によるめっき5の厚みがレジスト2の厚みよ
りわずかに厚い場合の断面図を図3に、めっき5の厚み
がレジスト2の厚みよりはるかに厚い場合の断面図を図
4にそれぞれ示す。
中性乃至酸性のめっき液によるめっきの厚さをtμm、
レジストの厚さをRμmとしたとき、R(μm)≦t
(μm)≦(R+10)(μm)が特に好ましいのは、先
に記載した通り、t(μm)<R(μm)はレジストの
端部がめっきで完全に保護されないためであり、(R+
10)(μm)<t(μm)となるとめっきの厚みが厚く
なりすぎ、異常析出、クラック等が発生するためであ
る。厚付け電気めっきに先立ち予め行う、中性乃至酸性
のめっき液によるめっき5の厚みがレジスト2の厚みよ
りわずかに厚い場合の断面図を図3に、めっき5の厚み
がレジスト2の厚みよりはるかに厚い場合の断面図を図
4にそれぞれ示す。
【0012】厚付け電気めっきに先立ち予め行う、中性
乃至酸性のめっき液でめっきする金属としては、電鋳の
金属と同一の金属や電鋳の金属より卑な金属が用いられ
る。これは電鋳の金属と同一の金属の場合は電鋳製品の
一部として用いられ、また後ほど母材金属基板とめっき
膜を除去するときは、薬品による溶解で電鋳にダメージ
を与えずに溶解することができるためである。めっき液
の液性としてはレジストが全般的にアルカリに弱いた
め、極力レジストにダメージを与えないよう中性から酸
性のめっき液が用いられる。具体的な一例としては弱酸
性であるNiのワット浴、酸性ながら低温で処理のでき
る硫酸銅めっき浴などが用いられる。
乃至酸性のめっき液でめっきする金属としては、電鋳の
金属と同一の金属や電鋳の金属より卑な金属が用いられ
る。これは電鋳の金属と同一の金属の場合は電鋳製品の
一部として用いられ、また後ほど母材金属基板とめっき
膜を除去するときは、薬品による溶解で電鋳にダメージ
を与えずに溶解することができるためである。めっき液
の液性としてはレジストが全般的にアルカリに弱いた
め、極力レジストにダメージを与えないよう中性から酸
性のめっき液が用いられる。具体的な一例としては弱酸
性であるNiのワット浴、酸性ながら低温で処理のでき
る硫酸銅めっき浴などが用いられる。
【0013】上記の厚付け電気めっきに先立ち予め行
う、中性乃至酸性のめっき液でのめっきによる保護膜を
施すことにより、その後も厚付け電気めっき液として強
アルカリ性の液を用い長時間電気めっき作業を行っても
レジストへの浸食を完全に防ぐことができ、特に液が強
アルカリ性で高温で処理を行うPt電鋳などには最適で
ある。
う、中性乃至酸性のめっき液でのめっきによる保護膜を
施すことにより、その後も厚付け電気めっき液として強
アルカリ性の液を用い長時間電気めっき作業を行っても
レジストへの浸食を完全に防ぐことができ、特に液が強
アルカリ性で高温で処理を行うPt電鋳などには最適で
ある。
【0014】さらに母材金属基板の片面のみに厚付け電
気めっきを施すと、電鋳膜に発生する応力により母材金
属基板が反り、その反りにより電鋳膜がより反ってしま
うという問題があったが、両面に厚付け電気めっきを行
うことによりこの問題も解決する。
気めっきを施すと、電鋳膜に発生する応力により母材金
属基板が反り、その反りにより電鋳膜がより反ってしま
うという問題があったが、両面に厚付け電気めっきを行
うことによりこの問題も解決する。
【0015】
【発明の実施の形態】本発明では電鋳金属より卑な金属
母型が用いられ、これらの母型を電解脱脂、浸漬脱脂等
により表面洗浄を行った後、レジストコートを行う。レ
ジストの種類はネガタイプ、ポジタイプどちらでも良い
が、用いる厚付け電気めっき液の液性に合せ、耐アルカ
リ用レジスト、耐酸用レジストをそれぞれ選択した方が
良い。このレジストを母材金属基板上にコートした後、
露光、現像処理により電鋳作成に必要なパターンを作製
する。その後厚付け電気めっきを行うが、厚付け電気め
っきに先立って保護膜としての下地めっきを行うとさら
に好ましい。下地めっきのめっき厚はレジストの厚さ以
上、レジストの厚さ+10μm以下施すのが好ましい。下
地めっきのめっき液の種類は電鋳金属と同一の金属又は
主成分の金属が電鋳する金属より卑で、液性が中性乃至
酸性であればよく、例えばNiのワット浴、硫酸銅めっ
き浴、酸性白金めっき浴等が用いられる。その後、厚付
け電気めっきを施すが、レジストを保護する下地めっき
を施した場合は、どのような液性、液種の電鋳液を用い
ることも可能である。特に高温、強アルカリ性である白
金厚付け電気めっき液の使用も何ら問題なく行える。
母型が用いられ、これらの母型を電解脱脂、浸漬脱脂等
により表面洗浄を行った後、レジストコートを行う。レ
ジストの種類はネガタイプ、ポジタイプどちらでも良い
が、用いる厚付け電気めっき液の液性に合せ、耐アルカ
リ用レジスト、耐酸用レジストをそれぞれ選択した方が
良い。このレジストを母材金属基板上にコートした後、
露光、現像処理により電鋳作成に必要なパターンを作製
する。その後厚付け電気めっきを行うが、厚付け電気め
っきに先立って保護膜としての下地めっきを行うとさら
に好ましい。下地めっきのめっき厚はレジストの厚さ以
上、レジストの厚さ+10μm以下施すのが好ましい。下
地めっきのめっき液の種類は電鋳金属と同一の金属又は
主成分の金属が電鋳する金属より卑で、液性が中性乃至
酸性であればよく、例えばNiのワット浴、硫酸銅めっ
き浴、酸性白金めっき浴等が用いられる。その後、厚付
け電気めっきを施すが、レジストを保護する下地めっき
を施した場合は、どのような液性、液種の電鋳液を用い
ることも可能である。特に高温、強アルカリ性である白
金厚付け電気めっき液の使用も何ら問題なく行える。
【0016】厚付け電気めっきを行った後、母材金属基
板を薬品により溶解除去する。用いる薬品としては硝
酸、熱濃硫酸等溶解する金属に合わせて適宜選択する。
その後、適当なレジスト剥離液によりレジストを剥離
し、目的とする電鋳を得ることができる。
板を薬品により溶解除去する。用いる薬品としては硝
酸、熱濃硫酸等溶解する金属に合わせて適宜選択する。
その後、適当なレジスト剥離液によりレジストを剥離
し、目的とする電鋳を得ることができる。
【0017】
【実施例1】本発明の実施例をその製造工程の断面図、
図1をもとに説明する。無酸素銅の母材基板1( 100mm
× 100mm×0.3mmt)を電解脱脂液(日本エレクトロプレ
イティング・エンジニヤース社製イートレックス♯12)
を用いて60℃、3A/dm2 にて1分間脱脂を行った後良く
水洗し、10容量%H2 SO4 溶液に30秒間浸漬、さらに
水洗を行った後、80℃にて30分間乾燥した。その後、母
材基板両面にネガタイプ耐アルカリ用レジストをスピン
コーターを用いて両面に1μmコートし、 100℃にて2
分間乾燥し、その後両面露光、現像を行った。露光は10
mWで3秒間行い、現像はネガレジスト専用現像液に1分
間浸漬搖動して行った。このときのレジスト2のパター
ンは、外形10mm×20mmの電鋳膜が配列し、各電鋳膜中に
は幅 120μm長さ 200μmのスリット状パターンを幅方
向 150μmピッチ、長さ方向 250μmピッチでマトリッ
クス状に整列させるようにした。図1(b)〜図1
(e)はスリット状レジスト2を切断する線で見た断面
図である。
図1をもとに説明する。無酸素銅の母材基板1( 100mm
× 100mm×0.3mmt)を電解脱脂液(日本エレクトロプレ
イティング・エンジニヤース社製イートレックス♯12)
を用いて60℃、3A/dm2 にて1分間脱脂を行った後良く
水洗し、10容量%H2 SO4 溶液に30秒間浸漬、さらに
水洗を行った後、80℃にて30分間乾燥した。その後、母
材基板両面にネガタイプ耐アルカリ用レジストをスピン
コーターを用いて両面に1μmコートし、 100℃にて2
分間乾燥し、その後両面露光、現像を行った。露光は10
mWで3秒間行い、現像はネガレジスト専用現像液に1分
間浸漬搖動して行った。このときのレジスト2のパター
ンは、外形10mm×20mmの電鋳膜が配列し、各電鋳膜中に
は幅 120μm長さ 200μmのスリット状パターンを幅方
向 150μmピッチ、長さ方向 250μmピッチでマトリッ
クス状に整列させるようにした。図1(b)〜図1
(e)はスリット状レジスト2を切断する線で見た断面
図である。
【0018】その後、該母材基板を、酸洗(5容量%H
2 SO4 使用、室温、60秒間)、水洗、純水洗した後、
Auの厚付け電気めっきにより電鋳膜3を50μm施した
(図1(c))。(日本エレクトロプレイティング・エ
ンジニヤース社製ミクロファブAu100 を使用、pH
9、60℃にて 0.5A/dm2 にて80分間めっきを行った。)
2 SO4 使用、室温、60秒間)、水洗、純水洗した後、
Auの厚付け電気めっきにより電鋳膜3を50μm施した
(図1(c))。(日本エレクトロプレイティング・エ
ンジニヤース社製ミクロファブAu100 を使用、pH
9、60℃にて 0.5A/dm2 にて80分間めっきを行った。)
【0019】その後水洗、乾燥し、その後50容量%希硝
酸に1晩浸漬し、Cuの母材基板1を溶解除去した(図
1(d))。その後水洗、乾燥し、レジスト剥離剤によ
りレジスト2を剥離し、アルコール洗浄、水洗を経た
後、電解脱脂を再度行い、水洗、乾燥をしてAu製電鋳
膜3を作製した。
酸に1晩浸漬し、Cuの母材基板1を溶解除去した(図
1(d))。その後水洗、乾燥し、レジスト剥離剤によ
りレジスト2を剥離し、アルコール洗浄、水洗を経た
後、電解脱脂を再度行い、水洗、乾燥をしてAu製電鋳
膜3を作製した。
【0020】得られた電鋳膜3には狭い方のスリット状
間口形状 100μm×20μmで他方に向かって、開口部が
すり鉢状に広がったスリット4がきれいに形成されてい
た。特にCuの母材基板1を酸により溶解したため、母
材基板1を剥離により除去したときのように電鋳膜3に
ひずみや変形を与えることがなく、精密なスリット加工
ができた。
間口形状 100μm×20μmで他方に向かって、開口部が
すり鉢状に広がったスリット4がきれいに形成されてい
た。特にCuの母材基板1を酸により溶解したため、母
材基板1を剥離により除去したときのように電鋳膜3に
ひずみや変形を与えることがなく、精密なスリット加工
ができた。
【0021】
【実施例2】本発明の他の実施例をその製造工程の断面
図、図2をもとに説明する。無酸素銅の母材基板1( 1
00mm× 100mm×0.3mmt)を電解脱脂液(日本エレクトロ
プレイティング・エンジニヤース社製イートレックス♯
12)を用いて60℃、3A/dm2 にて1分間脱脂を行った後
良く水洗し、10容量%H2 SO4 溶液に30秒間浸漬、さ
らに水洗を行った後、80℃にて30分間乾燥した。その
後、母材基板両面にネガタイプ耐アルカリ用レジストを
スピンコーターを用いて両面に1μmコートし、 100℃
にて2分間乾燥し、その後両面露光、現像を行った。露
光は10mwで3秒間行い、現像はネガレジスト専用現像液
に1分間浸漬搖動して行った。このときのレジスト2の
パターンは、外形10mm×20mmの電鋳膜が配列し、各電鋳
膜中には幅 120μm長さ 200μmのスリット状パターン
を幅方向 150μmピッチ、長さ方向 250μmピッチでマ
トリックス状に整列させるようにした。図2(b)〜図
2(f)はスリット状レジスト2を切断する線で見た断
面図である。
図、図2をもとに説明する。無酸素銅の母材基板1( 1
00mm× 100mm×0.3mmt)を電解脱脂液(日本エレクトロ
プレイティング・エンジニヤース社製イートレックス♯
12)を用いて60℃、3A/dm2 にて1分間脱脂を行った後
良く水洗し、10容量%H2 SO4 溶液に30秒間浸漬、さ
らに水洗を行った後、80℃にて30分間乾燥した。その
後、母材基板両面にネガタイプ耐アルカリ用レジストを
スピンコーターを用いて両面に1μmコートし、 100℃
にて2分間乾燥し、その後両面露光、現像を行った。露
光は10mwで3秒間行い、現像はネガレジスト専用現像液
に1分間浸漬搖動して行った。このときのレジスト2の
パターンは、外形10mm×20mmの電鋳膜が配列し、各電鋳
膜中には幅 120μm長さ 200μmのスリット状パターン
を幅方向 150μmピッチ、長さ方向 250μmピッチでマ
トリックス状に整列させるようにした。図2(b)〜図
2(f)はスリット状レジスト2を切断する線で見た断
面図である。
【0022】その後、該母材基板を、酸洗(5容量%H
2 SO4 使用、RT℃、60秒間)、水洗、純水洗した
後、レジスト保護のCuめっき5を5μm、図2(c)
の通り、施した。(日本エレクトロプレイティング・エ
ンジニヤース社製硫酸銅めっき浴ミクロファブCu 200
使用、30℃、3A/dm2 にて10分間めっき)その後水洗
し、Ptの厚付け電気めっきにより電鋳膜3を50μm施
した。(図2(d))。(日本エレクトロプレイティン
グ・エンジニヤース社製プラチナート 100を使用、pH
13.4以上、90℃にて 2.5A/dm2 にて 120分間めっきを行
った。)
2 SO4 使用、RT℃、60秒間)、水洗、純水洗した
後、レジスト保護のCuめっき5を5μm、図2(c)
の通り、施した。(日本エレクトロプレイティング・エ
ンジニヤース社製硫酸銅めっき浴ミクロファブCu 200
使用、30℃、3A/dm2 にて10分間めっき)その後水洗
し、Ptの厚付け電気めっきにより電鋳膜3を50μm施
した。(図2(d))。(日本エレクトロプレイティン
グ・エンジニヤース社製プラチナート 100を使用、pH
13.4以上、90℃にて 2.5A/dm2 にて 120分間めっきを行
った。)
【0023】その後水洗、乾燥し、その後室温にて50容
量%硝酸に一晩浸漬し、Cuの母材基板1を溶解除去し
た(図2(d))。その後水洗、乾燥し、レジスト剥離
剤によりレジスト2を剥離し、アルコール洗浄、水洗を
経た後、電解脱脂を再度行い、水洗、乾燥をしてPt製
電鋳膜3を作製した。
量%硝酸に一晩浸漬し、Cuの母材基板1を溶解除去し
た(図2(d))。その後水洗、乾燥し、レジスト剥離
剤によりレジスト2を剥離し、アルコール洗浄、水洗を
経た後、電解脱脂を再度行い、水洗、乾燥をしてPt製
電鋳膜3を作製した。
【0024】上記工程において、厚付け電気めっき時に
もレジスト2のフクレ、剥離等は全く起こらず、電鋳膜
3には狭い方のスリット状間口形状 100μm×20μmで
他方に向かって、開口部がすり鉢状に広がったスリット
4がきれいに形成されていた。また、Cuの母材基板1
を硝酸により溶解したため、母材基板1を剥離により除
去したときのように電鋳膜3にひずみや変形を与えるこ
とがなく、母材基板の両面に厚付け電気めっきを行った
ことと相俟って得られた電鋳膜3の反りは非常に小さ
く、母材を溶解させた後、 500℃にて30分間の熱処理に
より外形サイズ10mm×20mm×0.05mmt に対し、反りは
0.3mm以下であった。
もレジスト2のフクレ、剥離等は全く起こらず、電鋳膜
3には狭い方のスリット状間口形状 100μm×20μmで
他方に向かって、開口部がすり鉢状に広がったスリット
4がきれいに形成されていた。また、Cuの母材基板1
を硝酸により溶解したため、母材基板1を剥離により除
去したときのように電鋳膜3にひずみや変形を与えるこ
とがなく、母材基板の両面に厚付け電気めっきを行った
ことと相俟って得られた電鋳膜3の反りは非常に小さ
く、母材を溶解させた後、 500℃にて30分間の熱処理に
より外形サイズ10mm×20mm×0.05mmt に対し、反りは
0.3mm以下であった。
【0025】
【実施例3】実施例2において、Ptの厚付け電気めっ
きに先立ち、予め行うめっきをCuめっきからPtめっ
きに変更した。(日本エレクトロプレイティング・エン
ジニヤース社製白金めっき浴プラタネックスIII LS使
用、pH=1、70℃、にて1A/dm2 で30分間めっきし5
μm施す) またその後のPt厚付け電気めっきを実施例2と同種の
液を用いて 108分間めっきし、電鋳膜を45μm施した。
その後、実施例2と同様に処理し、Cuの母材基板を溶
解除去し、Pt電鋳膜を作製した。上記工程において、
厚付け電気めっきに先立ち行うPtめっきは酸性のた
め、レジストのふくれ、剥離等は全く起こらず、電鋳膜
には狭い方のスリット状間口形状 100μm×20μmで他
方に向かって、開口部がすり鉢状に広がったスリットが
きれいに形成されていた。またCuの母材基板を硝酸に
より溶解したため、母材基板を剥離により除去したとき
のように電鋳膜にひずみや変形を与えることがなく、母
材基板を剥離により除去したときのように電鋳膜にひず
みや変形を与えることがなく、母材基板の両面に厚付け
電気めっきを行ったことと相俟って得られた電鋳膜の反
りは非常に小さく、母材を溶解させた後、 500℃にて30
分間の熱処理により外形サイズ10mm×20mm×0.05mmt に
対し、反りは 0.3mm以下であった。
きに先立ち、予め行うめっきをCuめっきからPtめっ
きに変更した。(日本エレクトロプレイティング・エン
ジニヤース社製白金めっき浴プラタネックスIII LS使
用、pH=1、70℃、にて1A/dm2 で30分間めっきし5
μm施す) またその後のPt厚付け電気めっきを実施例2と同種の
液を用いて 108分間めっきし、電鋳膜を45μm施した。
その後、実施例2と同様に処理し、Cuの母材基板を溶
解除去し、Pt電鋳膜を作製した。上記工程において、
厚付け電気めっきに先立ち行うPtめっきは酸性のた
め、レジストのふくれ、剥離等は全く起こらず、電鋳膜
には狭い方のスリット状間口形状 100μm×20μmで他
方に向かって、開口部がすり鉢状に広がったスリットが
きれいに形成されていた。またCuの母材基板を硝酸に
より溶解したため、母材基板を剥離により除去したとき
のように電鋳膜にひずみや変形を与えることがなく、母
材基板を剥離により除去したときのように電鋳膜にひず
みや変形を与えることがなく、母材基板の両面に厚付け
電気めっきを行ったことと相俟って得られた電鋳膜の反
りは非常に小さく、母材を溶解させた後、 500℃にて30
分間の熱処理により外形サイズ10mm×20mm×0.05mmt に
対し、反りは 0.3mm以下であった。
【0026】
【実施例4】実施例2において、母材基板上で電鋳膜中
に整列させるレジスト2のパターンを幅 120μm、長さ
200μmのスリットから、直径 120μmの円形パターン
とし、ピッチ 150μmで格子状に整列させた以外は実施
例2と同様に処理した。その結果、狭い方の開口部が直
径20μmで多方に向かって開口部がすり鉢状に広がった
円形の孔4がきれいに形成されていた。また反りも少な
く、実施例1と同様熱処理後外形10mm×20mm×0.05mmt
に対し、反りは 0.3mm以下であった。
に整列させるレジスト2のパターンを幅 120μm、長さ
200μmのスリットから、直径 120μmの円形パターン
とし、ピッチ 150μmで格子状に整列させた以外は実施
例2と同様に処理した。その結果、狭い方の開口部が直
径20μmで多方に向かって開口部がすり鉢状に広がった
円形の孔4がきれいに形成されていた。また反りも少な
く、実施例1と同様熱処理後外形10mm×20mm×0.05mmt
に対し、反りは 0.3mm以下であった。
【0027】
【比較例】実施例2にてPt厚付け電気めっきに先立っ
て行われたCuめっきを省いた以外はすべて実施例2と
同様に処理した。その結果、Ptの厚付け電気めっき途
中でレジストが一部剥離してしまい、最終的に得られた
電鋳膜のスリットの一部はつぶれてしまっていた。
て行われたCuめっきを省いた以外はすべて実施例2と
同様に処理した。その結果、Ptの厚付け電気めっき途
中でレジストが一部剥離してしまい、最終的に得られた
電鋳膜のスリットの一部はつぶれてしまっていた。
【0028】
【従来例】実施例2にてPt電鋳をする前に、Cuめっ
きを施した母材基板1を前記電解脱脂液中に5分間放置
し、剥離用の皮膜の形成を行った。その後実施例2と同
様にPt厚付け電気めっきを施し、その後できた電鋳膜
3から母材基板1を手で引き剥がして剥離した。その結
果引き剥がした時の外力によりPt電鋳膜3が曲がって
しまうとともに、多数のスリットにクラックが発生して
しまった。熱処理後も得られた電鋳膜3は外形10mm×20
mmに対し、2〜3mm曲がってしまい、ひずみ等も発生し
ているものと思われる。
きを施した母材基板1を前記電解脱脂液中に5分間放置
し、剥離用の皮膜の形成を行った。その後実施例2と同
様にPt厚付け電気めっきを施し、その後できた電鋳膜
3から母材基板1を手で引き剥がして剥離した。その結
果引き剥がした時の外力によりPt電鋳膜3が曲がって
しまうとともに、多数のスリットにクラックが発生して
しまった。熱処理後も得られた電鋳膜3は外形10mm×20
mmに対し、2〜3mm曲がってしまい、ひずみ等も発生し
ているものと思われる。
【0029】
【発明の効果】以上の通り本発明の電鋳による貴金属の
精密加工方法によれば、母材金属基板上にレジストパタ
ーニングを行い、その後該母材金属基板に貴金属の厚付
け電気めっきを施し、金属表面上に析出成長する電鋳膜
を母材の薬品による溶解除去で得るため、貴金属の精密
金属加工製品が得られ、精度良く貴金属の精密加工を行
えるとともに、また得られる精密加工製品に変形、ひず
みなどが起きることもなく、どのような電鋳液を用いて
もレジストが剥離することもないため、そのような精密
加工時の不良低減、品質向上に大きく寄与するものであ
る。
精密加工方法によれば、母材金属基板上にレジストパタ
ーニングを行い、その後該母材金属基板に貴金属の厚付
け電気めっきを施し、金属表面上に析出成長する電鋳膜
を母材の薬品による溶解除去で得るため、貴金属の精密
金属加工製品が得られ、精度良く貴金属の精密加工を行
えるとともに、また得られる精密加工製品に変形、ひず
みなどが起きることもなく、どのような電鋳液を用いて
もレジストが剥離することもないため、そのような精密
加工時の不良低減、品質向上に大きく寄与するものであ
る。
【図1】本発明の実施例の製造工程を示す、断面図であ
る。
る。
【図2】本発明の実施例の製造工程を示す、断面図であ
る。
る。
【図3】本発明で行うレジスト保護めっきの実施形態の
一例を示す断面図である。
一例を示す断面図である。
【図4】本発明で行うレジスト保護めっきの実施形態の
他の一例を示す断面図である。
他の一例を示す断面図である。
【図5】従来の製造工程を示す断面図である。
1 母材金属基板 2 レジスト 3 電鋳膜 4 微細孔 5 めっきによる保護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 原 範明 神奈川県平塚市長瀞2番14号 田中貴金属 工業株式会社平塚第二工場内 (72)発明者 鎗田 聡明 神奈川県津久井郡城山町町家1丁目20番38 号
Claims (6)
- 【請求項1】 電鋳により精密加工製品を得る電鋳の製
造方法において、母材金属として電鋳の金属より卑な金
属を用い、該母材金属基板上にレジストパターニングを
行い、その後貴金属の厚付け電気めっきを施し、さらに
母材を薬品で溶解除去して精密形状の貴金属電鋳を得る
ことを特徴とする電鋳による貴金属の精密加工方法。 - 【請求項2】 上記用いるレジストパターンの形状が円
形、矩形若しくは異形のスポット又はスリット状パター
ンであり、得られる貴金属電鋳が膜であり、その電鋳膜
に開口形状が円形、矩形若しくは異形のスポット又はス
リット状で、該開口面積が電鋳膜の一面から他の面へか
けてすり鉢状に広がった開口を形成することを特徴とす
る請求項1記載の電鋳による貴金属の精密加工方法。 - 【請求項3】 上記母材金属基板上にレジストパターニ
ングを行った後、貴金属の厚付け電気めっきを施す前に
予め、中性乃至酸性のめっき液によりめっきを行うこと
を特徴とする請求項1又は2に記載の電鋳による貴金属
の精密加工方法。 - 【請求項4】 上記貴金属の厚付け電気めっきに先立ち
行う中性乃至酸性めっき液によるめっきの厚さをtと
し、レジストの厚さをRとした場合、R(μm)≦t
(μm)≦(R+10)(μm)となるようにめっきする
ことを特徴とする請求項1、2又は3記載の電鋳による
貴金属の精密加工方法。 - 【請求項5】 上記用いる貴金属の厚付け電気めっき液
が強アルカリ性の厚付け電気めっきであることを特徴と
する請求項1、2、3又は4に記載の電鋳による貴金属
の精密加工方法。 - 【請求項6】 上記用いる貴金属の厚付け電気めっき液
がPtの厚付け電気めっき液であることを特徴とする請
求項1、2、3、4又は5に記載の電鋳による貴金属の
精密加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2745096A JPH09217191A (ja) | 1996-02-15 | 1996-02-15 | 電鋳による貴金属の精密加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2745096A JPH09217191A (ja) | 1996-02-15 | 1996-02-15 | 電鋳による貴金属の精密加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09217191A true JPH09217191A (ja) | 1997-08-19 |
Family
ID=12221464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2745096A Pending JPH09217191A (ja) | 1996-02-15 | 1996-02-15 | 電鋳による貴金属の精密加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09217191A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005200765A (ja) * | 2003-12-16 | 2005-07-28 | Seiko Epson Corp | 装飾部品、装飾部品の製造方法、時計、および被装飾部品 |
| CN1313646C (zh) * | 2002-02-20 | 2007-05-02 | 住友电气工业株式会社 | 微细电铸用模具及其制造方法 |
| WO2013054786A1 (ja) * | 2011-10-14 | 2013-04-18 | 日立化成株式会社 | 金属フィルターの製造方法 |
| JP2013199684A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Bonmaaku:Kk | 電着レジストを用いたメタルマスクの製造方法及びそれにより作製されたメタルマスク |
| WO2014115771A1 (ja) | 2013-01-24 | 2014-07-31 | 田中貴金属工業株式会社 | 噴霧器用メッシュおよびその製造方法 |
| JP2015030881A (ja) * | 2013-08-02 | 2015-02-16 | 株式会社オプトニクス精密 | 開口プレート |
| JP2015096235A (ja) * | 2015-01-28 | 2015-05-21 | 田中貴金属工業株式会社 | 噴霧機用メッシュおよびその製造方法 |
| WO2026063339A1 (ja) * | 2024-09-20 | 2026-03-26 | 富士フイルム株式会社 | 電鋳用原盤、金属成形物の製造方法及び金属成形物 |
-
1996
- 1996-02-15 JP JP2745096A patent/JPH09217191A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1313646C (zh) * | 2002-02-20 | 2007-05-02 | 住友电气工业株式会社 | 微细电铸用模具及其制造方法 |
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| JP2005200765A (ja) * | 2003-12-16 | 2005-07-28 | Seiko Epson Corp | 装飾部品、装飾部品の製造方法、時計、および被装飾部品 |
| JPWO2013054786A1 (ja) * | 2011-10-14 | 2015-03-30 | 日立化成株式会社 | 金属フィルターの製造方法 |
| WO2013054786A1 (ja) * | 2011-10-14 | 2013-04-18 | 日立化成株式会社 | 金属フィルターの製造方法 |
| CN103874788A (zh) * | 2011-10-14 | 2014-06-18 | 日立化成株式会社 | 金属过滤器的制造方法 |
| US10258906B2 (en) | 2011-10-14 | 2019-04-16 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Metal filter and method for concentrating cancer cells |
| CN103874788B (zh) * | 2011-10-14 | 2018-08-21 | 日立化成株式会社 | 金属过滤器的制造方法 |
| JP2013199684A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Bonmaaku:Kk | 電着レジストを用いたメタルマスクの製造方法及びそれにより作製されたメタルマスク |
| US9889261B2 (en) | 2013-01-24 | 2018-02-13 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Nebulizer mesh and production method thereof |
| US9700685B2 (en) | 2013-01-24 | 2017-07-11 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Nebulizer mesh and production method thereof |
| JP2014140524A (ja) * | 2013-01-24 | 2014-08-07 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 噴霧機用メッシュおよびその製造方法 |
| WO2014115771A1 (ja) | 2013-01-24 | 2014-07-31 | 田中貴金属工業株式会社 | 噴霧器用メッシュおよびその製造方法 |
| JP2015030881A (ja) * | 2013-08-02 | 2015-02-16 | 株式会社オプトニクス精密 | 開口プレート |
| JP2015096235A (ja) * | 2015-01-28 | 2015-05-21 | 田中貴金属工業株式会社 | 噴霧機用メッシュおよびその製造方法 |
| WO2026063339A1 (ja) * | 2024-09-20 | 2026-03-26 | 富士フイルム株式会社 | 電鋳用原盤、金属成形物の製造方法及び金属成形物 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20040401 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040426 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040819 |