JPH09218508A - 感光性ペースト - Google Patents
感光性ペーストInfo
- Publication number
- JPH09218508A JPH09218508A JP2279496A JP2279496A JPH09218508A JP H09218508 A JPH09218508 A JP H09218508A JP 2279496 A JP2279496 A JP 2279496A JP 2279496 A JP2279496 A JP 2279496A JP H09218508 A JPH09218508 A JP H09218508A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- photosensitive paste
- fine particles
- glass
- acrylate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】高アスペクト比かつ高精度のパターン加工を可
能にする感光性ペーストを安定して提供する。 【解決手段】無機微粒子と感光性有機成分とアゾール構
造を持つ化合物を含むことを特徴とする感光性ペース
ト。
能にする感光性ペーストを安定して提供する。 【解決手段】無機微粒子と感光性有機成分とアゾール構
造を持つ化合物を含むことを特徴とする感光性ペース
ト。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は新規な感光性ペース
トに関する。
トに関する。
【0002】本発明の感光性ペーストは、ディスプレ
イ、回路材料等のパターン加工に用いられる。
イ、回路材料等のパターン加工に用いられる。
【0003】
【従来の技術】近年、回路材料やディスプレイにおい
て、小型・高精細化が進んでおり、それに伴って、パタ
ーン加工技術も技術向上が望まれている。特に、コンピ
ューターのCPU等に用いるグリーンシートやプラズマ
ディスプレイパネルの隔壁形成には、高精度であること
と共に、高アスペクト比のパターン加工が可能な材料が
望まれている。
て、小型・高精細化が進んでおり、それに伴って、パタ
ーン加工技術も技術向上が望まれている。特に、コンピ
ューターのCPU等に用いるグリーンシートやプラズマ
ディスプレイパネルの隔壁形成には、高精度であること
と共に、高アスペクト比のパターン加工が可能な材料が
望まれている。
【0004】従来、無機材料のパターン加工を行う場
合、無機粉末と有機バインダーからなるペーストによる
スクリーン印刷が多く用いられている。しかしながらス
クリーン印刷は精度の高いパターンが形成できないとい
う欠点があった。
合、無機粉末と有機バインダーからなるペーストによる
スクリーン印刷が多く用いられている。しかしながらス
クリーン印刷は精度の高いパターンが形成できないとい
う欠点があった。
【0005】この問題を改良する方法として、特開平1
−296534号公報、特開平2−165538号公
報、特開平5−342992号公報では、感光性ペース
トを用いてフォトリソグラフィ技術に形成する方法が提
案されている。しかしながら、感光性ペーストの感度や
解像度が低いために高アスペクト比、高精細の隔壁が得
られないために、例えば80μmを越えるような厚みの
ものをパターン加工する場合、複数回の加工工程(スク
リーン印刷・露光・現像)を必要とするため、工程が長
くなる欠点があった。
−296534号公報、特開平2−165538号公
報、特開平5−342992号公報では、感光性ペース
トを用いてフォトリソグラフィ技術に形成する方法が提
案されている。しかしながら、感光性ペーストの感度や
解像度が低いために高アスペクト比、高精細の隔壁が得
られないために、例えば80μmを越えるような厚みの
ものをパターン加工する場合、複数回の加工工程(スク
リーン印刷・露光・現像)を必要とするため、工程が長
くなる欠点があった。
【0006】また、特開平2−165538号公報で
は、感光性ペーストを転写紙上にコーティングした後、
転写フィルムをガラス基板上に転写して隔壁を形成する
方法が、特開平3−57138号公報では、フォトレジ
スト層の溝に誘電体ペーストを充填して隔壁を形成する
方法がそれぞれ提案されている。また特開平4−109
536号公報では、感光性有機フィルムを用いて隔壁を
形成する方法が提案されている。しかしながら、これら
の方法では、転写フィルムやフォトレジストあるいは有
機フィルムを必要とするために工程が増えるという問題
点があった。また、高精細度や高アスペクト比を有する
隔壁を得るには至っていない。
は、感光性ペーストを転写紙上にコーティングした後、
転写フィルムをガラス基板上に転写して隔壁を形成する
方法が、特開平3−57138号公報では、フォトレジ
スト層の溝に誘電体ペーストを充填して隔壁を形成する
方法がそれぞれ提案されている。また特開平4−109
536号公報では、感光性有機フィルムを用いて隔壁を
形成する方法が提案されている。しかしながら、これら
の方法では、転写フィルムやフォトレジストあるいは有
機フィルムを必要とするために工程が増えるという問題
点があった。また、高精細度や高アスペクト比を有する
隔壁を得るには至っていない。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは高アスペ
クト比かつ高精度のパターン加工性を可能にする感光性
ペーストを鋭意検討したが、用いる無機微粒子の種類に
よっては有機成分と反応することによって、ゲル化が進
行し、ペーストが増粘によって使用できなくなる場合が
ある。
クト比かつ高精度のパターン加工性を可能にする感光性
ペーストを鋭意検討したが、用いる無機微粒子の種類に
よっては有機成分と反応することによって、ゲル化が進
行し、ペーストが増粘によって使用できなくなる場合が
ある。
【0008】本発明は、このような感光性ペーストのゲ
ル化を抑制し、安定に使用でき、高アスペクト比かつ高
精度のパターン加工性を可能にする感光性ペーストを得
ることにある。
ル化を抑制し、安定に使用でき、高アスペクト比かつ高
精度のパターン加工性を可能にする感光性ペーストを得
ることにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、無機微
粒子と感光性化合物を含む有機成分を必須成分とする感
光性ペースト中にベンゾトリアゾール構造を持つ化合物
を導入することを特徴とする感光性ペーストにより達成
される。
粒子と感光性化合物を含む有機成分を必須成分とする感
光性ペースト中にベンゾトリアゾール構造を持つ化合物
を導入することを特徴とする感光性ペーストにより達成
される。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明に用いるアゾール構造を持
つ化合物とは、ピロール構造、イミダゾール構造、ピラ
ゾール構造、トリアゾール構造等のアゾール構造を有す
る化合物で、具体的には、ベンゾトリアゾール、ナフト
トリアゾール、インダゾール、イミダゾール、ベンズイ
ミダゾール、インドール、もしくはこれらのベンゼン環
部分にメチル基、カルボキシル基、クロロ基などの置換
基を有する化合物、また1,2,4−トリアゾールなど
があるが、特にベンゾトリアゾールを用いることが好ま
しい。
つ化合物とは、ピロール構造、イミダゾール構造、ピラ
ゾール構造、トリアゾール構造等のアゾール構造を有す
る化合物で、具体的には、ベンゾトリアゾール、ナフト
トリアゾール、インダゾール、イミダゾール、ベンズイ
ミダゾール、インドール、もしくはこれらのベンゼン環
部分にメチル基、カルボキシル基、クロロ基などの置換
基を有する化合物、また1,2,4−トリアゾールなど
があるが、特にベンゾトリアゾールを用いることが好ま
しい。
【0011】これらの化合物を用いる場合、ガラス微粒
子の0.01〜5重量%程度用いることが好ましい。よ
り好ましくは、ガラス微粒子の0.05〜1重量%であ
る。
子の0.01〜5重量%程度用いることが好ましい。よ
り好ましくは、ガラス微粒子の0.05〜1重量%であ
る。
【0012】さらに、ゲル化防止剤の混入の仕方につい
ては、ペースト作成時に添加しても効果があるが、予め
ガラス微粒子表面上にコーティングしておくと、より一
層の効果が認められる。コーティングは、ゲル化防止剤
溶液にガラス微粒子を浸漬させ、溶媒をとばすことで得
られる。溶媒としては酢酸メチル、酢酸エチル、メタノ
ール、エタノールを用い、20〜30℃で風乾すること
が望ましい。この後70〜90℃で12時間以上加熱処
理を施すとより好ましい。
ては、ペースト作成時に添加しても効果があるが、予め
ガラス微粒子表面上にコーティングしておくと、より一
層の効果が認められる。コーティングは、ゲル化防止剤
溶液にガラス微粒子を浸漬させ、溶媒をとばすことで得
られる。溶媒としては酢酸メチル、酢酸エチル、メタノ
ール、エタノールを用い、20〜30℃で風乾すること
が望ましい。この後70〜90℃で12時間以上加熱処
理を施すとより好ましい。
【0013】本発明の隔壁形成用感光性ペーストは上記
のゲル化防止剤で表面処理したガラス粉末を50重量%
以上含むことが好ましい。
のゲル化防止剤で表面処理したガラス粉末を50重量%
以上含むことが好ましい。
【0014】本発明に用いる無機微粒子とは、一般的に
電子材料に用いられる、ガラスや金属(金、白金、銀、
銅、ニッケル、アルミ、パラジウム、タングステン、酸
化ルテニウム等)の微粒子であり、本発明において特に
有用となるのは、ガラス微粒子である。無機微粒子の5
0重量%以上にガラス微粒子を用いることが好ましい。
電子材料に用いられる、ガラスや金属(金、白金、銀、
銅、ニッケル、アルミ、パラジウム、タングステン、酸
化ルテニウム等)の微粒子であり、本発明において特に
有用となるのは、ガラス微粒子である。無機微粒子の5
0重量%以上にガラス微粒子を用いることが好ましい。
【0015】ガラス微粒子としては、公知のものであれ
ば、特に限定はないが、酸化ビスマスもしくは酸化鉛を
5〜50重量%含むガラス微粒子の場合、加工性に優れ
る。
ば、特に限定はないが、酸化ビスマスもしくは酸化鉛を
5〜50重量%含むガラス微粒子の場合、加工性に優れ
る。
【0016】酸化ビスマスを含むガラス組成として、酸
化物換算表記で SiO2 3〜60重量% BaO 0〜25重量% Al2 O3 0〜10重量% B2 O3 5〜40重量% Bi2 O3 5〜50重量% ZnO 2〜40重量% の組成範囲からなるものを90重量%以上含有すること
が好ましい。
化物換算表記で SiO2 3〜60重量% BaO 0〜25重量% Al2 O3 0〜10重量% B2 O3 5〜40重量% Bi2 O3 5〜50重量% ZnO 2〜40重量% の組成範囲からなるものを90重量%以上含有すること
が好ましい。
【0017】また、ガラス粉末中に、Li2 O,Ca
O,TiO2 ,ZrO2 などを含有することができる
が、その量は0〜20重量%であることが好ましい。ま
た、Na2 O,K2 O,Y2 O3 などの酸化物金属をあ
まり含まないことが好ましい。微量含有した場合にも5
重量%以下であることが好ましい。
O,TiO2 ,ZrO2 などを含有することができる
が、その量は0〜20重量%であることが好ましい。ま
た、Na2 O,K2 O,Y2 O3 などの酸化物金属をあ
まり含まないことが好ましい。微量含有した場合にも5
重量%以下であることが好ましい。
【0018】ガラス粉末中の組成としては、SiO2 は
3〜60重量%の範囲で配合することが好ましく、3重
量%未満の場合はガラス層の緻密性、強度や安定性が低
下し、またガラス基板と熱膨張係数のミスマッチが起こ
り、所望の値から外れる。また60重量%以下にするこ
とによって、熱軟化点が低くなり、ガラス基板への焼き
付けが可能になるなどの利点がある。
3〜60重量%の範囲で配合することが好ましく、3重
量%未満の場合はガラス層の緻密性、強度や安定性が低
下し、またガラス基板と熱膨張係数のミスマッチが起こ
り、所望の値から外れる。また60重量%以下にするこ
とによって、熱軟化点が低くなり、ガラス基板への焼き
付けが可能になるなどの利点がある。
【0019】B2 O3 は5〜40重量%の範囲で配合す
ることによって、電気絶縁性、強度、熱膨張係数、絶縁
層の緻密性などの電気、機械および熱的特性を向上する
ことができる。また、40重量%を越えるとガラスの安
定性が低下する。
ることによって、電気絶縁性、強度、熱膨張係数、絶縁
層の緻密性などの電気、機械および熱的特性を向上する
ことができる。また、40重量%を越えるとガラスの安
定性が低下する。
【0020】Bi2 O3 もしくはPbO5〜50重量
%、さらには10〜50重量%の範囲で配合することが
好ましい。10重量%未満ではガラスペーストをガラス
基板上に焼付けする時に、焼付け温度を制御するのに効
果が少ない。50重量%を越えるとガラスの耐熱温度が
低くなり過ぎてガラス基板上への焼き付けが難しくな
る。
%、さらには10〜50重量%の範囲で配合することが
好ましい。10重量%未満ではガラスペーストをガラス
基板上に焼付けする時に、焼付け温度を制御するのに効
果が少ない。50重量%を越えるとガラスの耐熱温度が
低くなり過ぎてガラス基板上への焼き付けが難しくな
る。
【0021】ZnOは2〜40重量%の範囲で配合する
ことが好ましい。40重量%を越えると、ガラス基板上
に焼付けする温度が低くなり過ぎて制御できなくなり、
また絶縁抵抗が低くなるので好ましくない。
ことが好ましい。40重量%を越えると、ガラス基板上
に焼付けする温度が低くなり過ぎて制御できなくなり、
また絶縁抵抗が低くなるので好ましくない。
【0022】上記において使用されるガラス粉末粒子径
は、作製しようとするパターンの形状を考慮して選ばれ
るが、50重量%粒子径が0.1〜10μmが好まし
い。
は、作製しようとするパターンの形状を考慮して選ばれ
るが、50重量%粒子径が0.1〜10μmが好まし
い。
【0023】また、発明者らは、ガラス微粒子として、
形状が球状であるガラス微粒子を用いることによって、
高アスペクト比のパターンニングが可能であることを見
いだした。
形状が球状であるガラス微粒子を用いることによって、
高アスペクト比のパターンニングが可能であることを見
いだした。
【0024】この場合に用いるガラス微粒子としては、
50重量%粒子径が1.0〜7μm、10重量%粒子径
が0.4〜2μm、90重量%粒子径が4〜10μm、
比表面積0.2〜3.0m2 /gのガラス微粒子が適し
ている。さらに、球形率80個数%以上のガラス微粒子
を50重量%以上用いることが好ましい。
50重量%粒子径が1.0〜7μm、10重量%粒子径
が0.4〜2μm、90重量%粒子径が4〜10μm、
比表面積0.2〜3.0m2 /gのガラス微粒子が適し
ている。さらに、球形率80個数%以上のガラス微粒子
を50重量%以上用いることが好ましい。
【0025】ガラス基板上にパターン加工を行う場合に
用いるガラス微粒子のガラス転移温度(Tg)は、35
0〜470℃であるのが好ましい。
用いるガラス微粒子のガラス転移温度(Tg)は、35
0〜470℃であるのが好ましい。
【0026】本発明において使用される感光性有機成分
とは、ペースト中の感光性を有する化合物を含む有機成
分(ペーストから無機成分を除いた部分)のことであ
る。
とは、ペースト中の感光性を有する化合物を含む有機成
分(ペーストから無機成分を除いた部分)のことであ
る。
【0027】感光性有機成分には、感光性モノマー、感
光性オリゴマー、感光性ポリマーのうち少なくとも1種
類から選ばれる反応性成分、および、バインダー、光重
合開始剤、紫外線吸光剤、増感剤、増感助剤、重合禁止
剤、可塑剤、増粘剤、有機溶媒、酸化防止剤、分散剤、
有機あるいは無機の沈殿防止剤などの添加剤成分を加え
ることも行われる。
光性オリゴマー、感光性ポリマーのうち少なくとも1種
類から選ばれる反応性成分、および、バインダー、光重
合開始剤、紫外線吸光剤、増感剤、増感助剤、重合禁止
剤、可塑剤、増粘剤、有機溶媒、酸化防止剤、分散剤、
有機あるいは無機の沈殿防止剤などの添加剤成分を加え
ることも行われる。
【0028】本発明に用いる感光性ペーストに関して
は、反応性成分の含有率が感光性有機成分中の10重量
%以上であることが光に対する感度の点で好ましい。さ
らには、30重量%以上であることが好ましい。
は、反応性成分の含有率が感光性有機成分中の10重量
%以上であることが光に対する感度の点で好ましい。さ
らには、30重量%以上であることが好ましい。
【0029】反応性成分としては、光不溶化型のものと
光可溶化型のものがあり、光不溶化型のものとして、 (1)分子内に不飽和基などを1つ以上有する官能性の
モノマー、オリゴマー、ポリマーを含有するもの (2)芳香族ジアゾ化合物、芳香族アジド化合物、有機
ハロゲン化合物などの感光性化合物を含有するもの (3)ジアゾ系アミンとホルムアルデヒドとの縮合物な
どいわゆるジアゾ樹脂といわれるもの 等がある。また、光可溶型のものとしては、 (1)ジアゾ化合物の無機塩や有機酸とのコンプレック
ス、キノンジアゾ類を含有するもの (2)キノンジアゾ類を適当なポリマーバインダーと結
合させた、例えばフェノール、ノボラック樹脂のナフト
キノン1、2−ジアジド−5−スルフォン酸エステル 等がある。
光可溶化型のものがあり、光不溶化型のものとして、 (1)分子内に不飽和基などを1つ以上有する官能性の
モノマー、オリゴマー、ポリマーを含有するもの (2)芳香族ジアゾ化合物、芳香族アジド化合物、有機
ハロゲン化合物などの感光性化合物を含有するもの (3)ジアゾ系アミンとホルムアルデヒドとの縮合物な
どいわゆるジアゾ樹脂といわれるもの 等がある。また、光可溶型のものとしては、 (1)ジアゾ化合物の無機塩や有機酸とのコンプレック
ス、キノンジアゾ類を含有するもの (2)キノンジアゾ類を適当なポリマーバインダーと結
合させた、例えばフェノール、ノボラック樹脂のナフト
キノン1、2−ジアジド−5−スルフォン酸エステル 等がある。
【0030】本発明において用いる反応性成分は、上記
のすべてのものを用いることができるものの、(1)が
最も簡便な感光性ペーストである。
のすべてのものを用いることができるものの、(1)が
最も簡便な感光性ペーストである。
【0031】この場合用いる反応性モノマーとしては、
炭素−炭素不飽和結合を持つ化合物で、その具体的な例
として、メチルアクリレート、エチルアクリレート、n
−プロピルアクリレート、イソプロピルアクリレート、
n−ブチルアクリレート、sec−ブチルアクリレー
ト、sec−ブチルアクリレート、イソ−ブチルアクリ
レート、tert−ブチルアクリレート、n−ペンチル
アクリレート、アリルアクリレート、ベンジルアクリレ
ート、ブトキシエチルアクリレート、ブトキシトリエチ
レングリコールアクリレート、シクロヘキシルアクリレ
ート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペン
テニルアクリレート、2−エチルヘキシルアクリレー
ト、グリセロールアクリレート、グリシジルアクリレー
ト、ヘプタデカフロロデシルアクリレート、2−ヒドロ
キシエチルアクリレート、イソボニルアクリレート、2
−ヒドロキシプロピルアクリレート、イソデキシルアク
リレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリ
レート、2−メトキシエチルアクリレート、メトキシエ
チレングリコールアクリレート、メトキシジエチレング
リコールアクリレート、オクタフロロペンチルアクリレ
ート、フェノキシエチルアクリレート、ステアリルアク
リレート、トリフロロエチルアクリレート、アリル化シ
クロヘキシルジアクリレート、1,4−ブタンジオール
ジアクリレート、1,3−ブチレングリコールジアクリ
レート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレ
ングリコールジアクリレート、トリエチレングリコール
ジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレー
ト、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペ
ンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレー
ト、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、グ
リセロールジアクリレート、メトキシ化シクロヘキシル
ジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレー
ト、プロピレングリコールジアクリレート、ポリプロピ
レングリコールジアクリレート、トリグリセロールジア
クリレート、トリメチロールプロパントリアクリレー
ト、アクリルアミド、アミノエチルアクリレートおよび
上記化合物の分子内のアクリレートを一部もしくはすべ
てをメタクリレートに変えたもの、γ−メタクリロキシ
プロピルトリメトキシシラン、1−ビニル−2−ピロリ
ドンなどが挙げられる。
炭素−炭素不飽和結合を持つ化合物で、その具体的な例
として、メチルアクリレート、エチルアクリレート、n
−プロピルアクリレート、イソプロピルアクリレート、
n−ブチルアクリレート、sec−ブチルアクリレー
ト、sec−ブチルアクリレート、イソ−ブチルアクリ
レート、tert−ブチルアクリレート、n−ペンチル
アクリレート、アリルアクリレート、ベンジルアクリレ
ート、ブトキシエチルアクリレート、ブトキシトリエチ
レングリコールアクリレート、シクロヘキシルアクリレ
ート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペン
テニルアクリレート、2−エチルヘキシルアクリレー
ト、グリセロールアクリレート、グリシジルアクリレー
ト、ヘプタデカフロロデシルアクリレート、2−ヒドロ
キシエチルアクリレート、イソボニルアクリレート、2
−ヒドロキシプロピルアクリレート、イソデキシルアク
リレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリ
レート、2−メトキシエチルアクリレート、メトキシエ
チレングリコールアクリレート、メトキシジエチレング
リコールアクリレート、オクタフロロペンチルアクリレ
ート、フェノキシエチルアクリレート、ステアリルアク
リレート、トリフロロエチルアクリレート、アリル化シ
クロヘキシルジアクリレート、1,4−ブタンジオール
ジアクリレート、1,3−ブチレングリコールジアクリ
レート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレ
ングリコールジアクリレート、トリエチレングリコール
ジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレー
ト、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペ
ンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレー
ト、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、グ
リセロールジアクリレート、メトキシ化シクロヘキシル
ジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレー
ト、プロピレングリコールジアクリレート、ポリプロピ
レングリコールジアクリレート、トリグリセロールジア
クリレート、トリメチロールプロパントリアクリレー
ト、アクリルアミド、アミノエチルアクリレートおよび
上記化合物の分子内のアクリレートを一部もしくはすべ
てをメタクリレートに変えたもの、γ−メタクリロキシ
プロピルトリメトキシシラン、1−ビニル−2−ピロリ
ドンなどが挙げられる。
【0032】本発明ではこれらを1種または2種以上使
用することができる。これら以外に、不飽和カルボン酸
を加えることによって、感光後の現像性を向上すること
ができる。不飽和カルボン酸の具体的な例としては、ア
クリル酸、メタアクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、
マレイン酸、フマル酸、ビニル酢酸、またはこれらの酸
無水物などがあげられる。
用することができる。これら以外に、不飽和カルボン酸
を加えることによって、感光後の現像性を向上すること
ができる。不飽和カルボン酸の具体的な例としては、ア
クリル酸、メタアクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、
マレイン酸、フマル酸、ビニル酢酸、またはこれらの酸
無水物などがあげられる。
【0033】一方、感光性オリゴマーや感光性ポリマー
としては、前述の反応性モノマーや、ベンゼン環、ナフ
タレン環などの芳香環を有するメタクリレートモノマー
もしくはアクリレートモノマー、具体的には、フェニル
(メタ)アクリレート、フェノキシエチル(メタ)アク
リレート、ベンジル(メタ)アクリレート、1−ナフチ
ル(メタ)アクリレート、2−ナフチル(メタ)アクリ
レート、ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、ビ
スフェノールA−エチレンオキサイド付加物のジ(メ
タ)アクリレート、ビスフェノールA−プロピレンオキ
サイド付加物のジ(メタ)アクリレート、チオフェノー
ル(メタ)アクリレート、ベンジルメルカプタン(メ
タ)アクリレート、また、これらの芳香環の水素原子の
うち、1〜5個を塩素または臭素原子に置換したモノマ
ー、もしくは、スチレン、p−メチルスチレン、o−メ
チルスチレン、m−メチルスチレン、塩素化スチレン、
臭素化スチレン、α−メチルスチレン、塩素化α−メチ
ルスチレン、臭素化α−メチルスチレン、クロロメチル
スチレン、ヒドロキシメチルスチレンのうち少なくとも
1種類を重合して得られたオリゴマーやポリマーを用い
ることができる。
としては、前述の反応性モノマーや、ベンゼン環、ナフ
タレン環などの芳香環を有するメタクリレートモノマー
もしくはアクリレートモノマー、具体的には、フェニル
(メタ)アクリレート、フェノキシエチル(メタ)アク
リレート、ベンジル(メタ)アクリレート、1−ナフチ
ル(メタ)アクリレート、2−ナフチル(メタ)アクリ
レート、ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、ビ
スフェノールA−エチレンオキサイド付加物のジ(メ
タ)アクリレート、ビスフェノールA−プロピレンオキ
サイド付加物のジ(メタ)アクリレート、チオフェノー
ル(メタ)アクリレート、ベンジルメルカプタン(メ
タ)アクリレート、また、これらの芳香環の水素原子の
うち、1〜5個を塩素または臭素原子に置換したモノマ
ー、もしくは、スチレン、p−メチルスチレン、o−メ
チルスチレン、m−メチルスチレン、塩素化スチレン、
臭素化スチレン、α−メチルスチレン、塩素化α−メチ
ルスチレン、臭素化α−メチルスチレン、クロロメチル
スチレン、ヒドロキシメチルスチレンのうち少なくとも
1種類を重合して得られたオリゴマーやポリマーを用い
ることができる。
【0034】重合する際に、これらのモノマーの含有率
が10重量%以上、さらに好ましくは35重量%以上に
なるように、他の反応性のモノマーを共重合することが
できる。共重合するモノマーとしては、前述の炭素−炭
素不飽和結合を持つ化合物を用いることができる。
が10重量%以上、さらに好ましくは35重量%以上に
なるように、他の反応性のモノマーを共重合することが
できる。共重合するモノマーとしては、前述の炭素−炭
素不飽和結合を持つ化合物を用いることができる。
【0035】また、不飽和カルボン酸を共重合すること
によって、感光後の現像性を向上することができる。不
飽和カルボン酸の具体的な例としては、アクリル酸、メ
タアクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、マレイン酸、
フマル酸、ビニル酢酸、またはこれらの酸無水物などが
あげられる。
によって、感光後の現像性を向上することができる。不
飽和カルボン酸の具体的な例としては、アクリル酸、メ
タアクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、マレイン酸、
フマル酸、ビニル酢酸、またはこれらの酸無水物などが
あげられる。
【0036】こうして得られた側鎖にカルボキシル基を
有するポリマーもしくはオリゴマーの酸価(AV)は5
0〜180、さらには70〜140の範囲が好ましい。
酸価が50未満、もしくは、180を越えると現像許容
幅が狭くなり、高精細なパターンが得られにくい。
有するポリマーもしくはオリゴマーの酸価(AV)は5
0〜180、さらには70〜140の範囲が好ましい。
酸価が50未満、もしくは、180を越えると現像許容
幅が狭くなり、高精細なパターンが得られにくい。
【0037】以上示した、ポリマーもしくはオリゴマー
に対して、光反応性基を側鎖または分子末端に付加させ
ることによって、感光性を付与することができる。好ま
しい光反応性基は、エチレン性不飽和基を有するもので
ある。エチレン性不飽和基としては、ビニル基、アリル
基、アクリル基、メタクリル基などがあげられる。
に対して、光反応性基を側鎖または分子末端に付加させ
ることによって、感光性を付与することができる。好ま
しい光反応性基は、エチレン性不飽和基を有するもので
ある。エチレン性不飽和基としては、ビニル基、アリル
基、アクリル基、メタクリル基などがあげられる。
【0038】このような側鎖をオリゴマーやポリマーに
付加させる方法は、ポリマー中のメルカプト基、アミノ
基、水酸基やカルボキシル基に対して、グリシジル基や
イソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物やア
クリル酸クロライド、メタクリル酸クロライドまたはア
リルクロライドを付加反応させて作る方法がある。
付加させる方法は、ポリマー中のメルカプト基、アミノ
基、水酸基やカルボキシル基に対して、グリシジル基や
イソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物やア
クリル酸クロライド、メタクリル酸クロライドまたはア
リルクロライドを付加反応させて作る方法がある。
【0039】グリシジル基を有するエチレン性不飽和化
合物としては、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グ
リシジル、アリルグリシジルエーテル、エチルアクリル
酸グリシジル、クロトニルグリシジルエーテル、クロト
ン酸グリシジルエーテル、イソクロトン酸グリシジルエ
ーテルなどがあげられる。
合物としては、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グ
リシジル、アリルグリシジルエーテル、エチルアクリル
酸グリシジル、クロトニルグリシジルエーテル、クロト
ン酸グリシジルエーテル、イソクロトン酸グリシジルエ
ーテルなどがあげられる。
【0040】イソシアネート基を有するエチレン性不飽
和化合物としては、(メタ)アクリロイルイソシアネー
ト、(メタ)アクリロイルエチルイソシアネート等があ
る。また、グリシジル基やイソシアネート基を有するエ
チレン性不飽和化合物やアクリル酸クロライド、メタク
リル酸クロライドまたはアリルクロライドは、ポリマー
中のメルカプト基、アミノ基、水酸基やカルボキシル基
に対して0.05〜1モル当量付加させることが好まし
い。
和化合物としては、(メタ)アクリロイルイソシアネー
ト、(メタ)アクリロイルエチルイソシアネート等があ
る。また、グリシジル基やイソシアネート基を有するエ
チレン性不飽和化合物やアクリル酸クロライド、メタク
リル酸クロライドまたはアリルクロライドは、ポリマー
中のメルカプト基、アミノ基、水酸基やカルボキシル基
に対して0.05〜1モル当量付加させることが好まし
い。
【0041】本発明において用いられる感光性ペースト
中に、バインダー、光重合開始剤、紫外線吸光剤、増感
剤、増感助剤、重合禁止剤、可塑剤、増粘剤、有機溶
媒、酸化防止剤、分散剤、有機あるいは無機の沈殿防止
剤などの添加剤成分を加えることも行われる。
中に、バインダー、光重合開始剤、紫外線吸光剤、増感
剤、増感助剤、重合禁止剤、可塑剤、増粘剤、有機溶
媒、酸化防止剤、分散剤、有機あるいは無機の沈殿防止
剤などの添加剤成分を加えることも行われる。
【0042】バインダーとしては、ポリビニルアルコー
ル、ポリビニルブチラール、メタクリル酸エステル重合
体、アクリル酸エステル重合体、アクリル酸エステル−
メタクリル酸エステル共重合体、α−メチルスチレン重
合体、ブチルメタクリレート樹脂などがあげられる。
ル、ポリビニルブチラール、メタクリル酸エステル重合
体、アクリル酸エステル重合体、アクリル酸エステル−
メタクリル酸エステル共重合体、α−メチルスチレン重
合体、ブチルメタクリレート樹脂などがあげられる。
【0043】光重合開始剤としての具体的な例として、
ベンゾフェノン、o−ベンゾイル安息香酸メチル、4,
4−ビス(ジメチルアミン)ベンゾフェノン、4,4−
ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、4,4−ジク
ロロベンゾフェノン、4−ベンゾイル−4−メチルジフ
ェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン、2,
2−ジエトキシアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−
2−フェニル−2−フェニルアセトフェノン、2−ヒド
ロキシ−2−メチルプロピオフェノン、p−t−ブチル
ジクロロアセトフェノン、チオキサントン、2−メチル
チオキサントン、2−クロロチオキサントン、2−イソ
プロピルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベ
ンジル、ベンジルジメチルケタノール、ベンジル−2−
メトキシエチルアセタール、ベンゾイン、ベンゾインメ
チルエーテル、ベンゾインブチルエーテル、アントラキ
ノン、2−t−ブチルアントラキノン、2−アミルアン
トラキノン、β−クロルアントラキノン、アントロン、
ベンズアントロン、ジベンゾスベロン、メチレンアント
ロン、4−アジドベンザルアセトフェノン、2,6−ビ
ス(p−アジドベンジリデン)シクロヘキサノン、2,
6−ビス(p−アジドベンジリデン)−4−メチルシク
ロヘキサノン、2−フェニル−1,2−ブタジオン−2
−(o−メトキシカルボニル)オキシム、1−フェニル
−プロパンジオン−2−(o−エトキシカルボニル)オ
キシム、1,3−ジフェニル−プロパントリオン−2−
(o−エトキシカルボニル)オキシム、1−フェニル−
3−エトキシ−プロパントリオン−2−(o−ベンゾイ
ル)オキシム、ミヒラーケトン、2−メチル−[4−
(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノ−1−プ
ロパノン、ナフタレンスルホニルクロライド、キノリン
スルホニルクロライド、N−フェニルチオアクリドン、
4,4−アゾビスイソブチロニトリル、ジフェニルジス
ルフィド、ベンズチアゾールジスルフィド、トリフェニ
ルホルフィン、カンファーキノン、四臭素化炭素、トリ
ブロモフェニルスルホン、過酸化ベンゾインおよびエオ
シン、メチレンブルーなどの光還元性の色素とアスコル
ビン酸、トリエタノールアミンなどの還元剤の組合せな
どがあげられる。本発明ではこれらを1種または2種以
上使用することができる。光重合開始剤は、反応性成分
にに対し、0.05〜10重量%の範囲で添加され、よ
り好ましくは、0.1〜5重量%である。重合開始剤の
量が少なすぎると、光感度が不良となり、光重合開始剤
の量が多すぎれば、露光部の残存率が小さくなりすぎる
おそれがある。
ベンゾフェノン、o−ベンゾイル安息香酸メチル、4,
4−ビス(ジメチルアミン)ベンゾフェノン、4,4−
ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、4,4−ジク
ロロベンゾフェノン、4−ベンゾイル−4−メチルジフ
ェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン、2,
2−ジエトキシアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−
2−フェニル−2−フェニルアセトフェノン、2−ヒド
ロキシ−2−メチルプロピオフェノン、p−t−ブチル
ジクロロアセトフェノン、チオキサントン、2−メチル
チオキサントン、2−クロロチオキサントン、2−イソ
プロピルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベ
ンジル、ベンジルジメチルケタノール、ベンジル−2−
メトキシエチルアセタール、ベンゾイン、ベンゾインメ
チルエーテル、ベンゾインブチルエーテル、アントラキ
ノン、2−t−ブチルアントラキノン、2−アミルアン
トラキノン、β−クロルアントラキノン、アントロン、
ベンズアントロン、ジベンゾスベロン、メチレンアント
ロン、4−アジドベンザルアセトフェノン、2,6−ビ
ス(p−アジドベンジリデン)シクロヘキサノン、2,
6−ビス(p−アジドベンジリデン)−4−メチルシク
ロヘキサノン、2−フェニル−1,2−ブタジオン−2
−(o−メトキシカルボニル)オキシム、1−フェニル
−プロパンジオン−2−(o−エトキシカルボニル)オ
キシム、1,3−ジフェニル−プロパントリオン−2−
(o−エトキシカルボニル)オキシム、1−フェニル−
3−エトキシ−プロパントリオン−2−(o−ベンゾイ
ル)オキシム、ミヒラーケトン、2−メチル−[4−
(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノ−1−プ
ロパノン、ナフタレンスルホニルクロライド、キノリン
スルホニルクロライド、N−フェニルチオアクリドン、
4,4−アゾビスイソブチロニトリル、ジフェニルジス
ルフィド、ベンズチアゾールジスルフィド、トリフェニ
ルホルフィン、カンファーキノン、四臭素化炭素、トリ
ブロモフェニルスルホン、過酸化ベンゾインおよびエオ
シン、メチレンブルーなどの光還元性の色素とアスコル
ビン酸、トリエタノールアミンなどの還元剤の組合せな
どがあげられる。本発明ではこれらを1種または2種以
上使用することができる。光重合開始剤は、反応性成分
にに対し、0.05〜10重量%の範囲で添加され、よ
り好ましくは、0.1〜5重量%である。重合開始剤の
量が少なすぎると、光感度が不良となり、光重合開始剤
の量が多すぎれば、露光部の残存率が小さくなりすぎる
おそれがある。
【0044】有機染料からなる紫外線吸光剤を添加する
ことも有効である。紫外線吸収効果の高い吸光剤を添加
することによって高アスペクト比、高精細、高解像度が
得られる。紫外線吸光剤としては有機系染料からなるも
のが用いられ、中でも350〜450nmの波長範囲で
高UV吸収係数を有する有機系染料が好ましく用いられ
る。具体的には、アゾ系染料、アミノケトン系染料、キ
サンテン系染料、キノリン系染料、アミノケトン系染
料、アントラキノン系、ベンゾフェノン系、ジフェニル
シアノアクリレート系、トリアジン系、p−アミノ安息
香酸系染料などが使用できる。有機系染料は吸光剤とし
て添加した場合にも、焼成後の絶縁膜中に残存しないで
吸光剤による絶縁膜特性の低下を少なくできるので好ま
しい。これらの中でもアゾ系およびベンゾフェノン系染
料が好ましい。有機染料の添加量は0.05〜5重量部
が好ましい。0.05重量%以下では紫外線吸光剤の添
加効果が減少し、5重量%を越えると焼成後の絶縁膜特
性が低下するので好ましくない。より好ましくは0.1
5〜1重量%である。有機顔料からなる紫外線吸光剤の
添加方法の一例を上げると、有機顔料を予め有機溶媒に
溶解した溶液を作製し、次に該有機溶媒中にガラス粉末
を混合後、乾燥することによってできる。この方法によ
ってガラス粉末の個々の粉末表面に有機の膜をコートし
たいわゆるカプセル状の粉末が作製できる。
ことも有効である。紫外線吸収効果の高い吸光剤を添加
することによって高アスペクト比、高精細、高解像度が
得られる。紫外線吸光剤としては有機系染料からなるも
のが用いられ、中でも350〜450nmの波長範囲で
高UV吸収係数を有する有機系染料が好ましく用いられ
る。具体的には、アゾ系染料、アミノケトン系染料、キ
サンテン系染料、キノリン系染料、アミノケトン系染
料、アントラキノン系、ベンゾフェノン系、ジフェニル
シアノアクリレート系、トリアジン系、p−アミノ安息
香酸系染料などが使用できる。有機系染料は吸光剤とし
て添加した場合にも、焼成後の絶縁膜中に残存しないで
吸光剤による絶縁膜特性の低下を少なくできるので好ま
しい。これらの中でもアゾ系およびベンゾフェノン系染
料が好ましい。有機染料の添加量は0.05〜5重量部
が好ましい。0.05重量%以下では紫外線吸光剤の添
加効果が減少し、5重量%を越えると焼成後の絶縁膜特
性が低下するので好ましくない。より好ましくは0.1
5〜1重量%である。有機顔料からなる紫外線吸光剤の
添加方法の一例を上げると、有機顔料を予め有機溶媒に
溶解した溶液を作製し、次に該有機溶媒中にガラス粉末
を混合後、乾燥することによってできる。この方法によ
ってガラス粉末の個々の粉末表面に有機の膜をコートし
たいわゆるカプセル状の粉末が作製できる。
【0045】増感剤は、高感度を向上させるために添加
される。増感剤の具体例としては、2,4−ジエチルチ
オキサントン、イソプロピルチオキサントン、2,3−
ビス(4−ジエチルアミノベンザル)シクロペンタノ
ン、2,6−ビス(4−ジメチルアミニベンザル)シク
ロヘキサノン、2,6−ビス(4−ジメチルアミノベン
ザル)−4−メチルシクロヘキサノン、ミヒラーケト
ン、4,4−ビス(ジエチルアミノ)−ベンゾフェノ
ン、4,4−ビス(ジメチルアミノ)カルコン、4,4
−ビス(ジエチルアミノ)カルコン、p−ジメチルアミ
ノシンナミリデンインダノン、p−ジメチルアミノベン
ジリデンインダノン、2−(p−ジメチルアミノフェニ
ルビニレン)−イソナフトチアゾール、1,3−ビス
(4−ジメチルアミノベンザル)アセトン、1,3−カ
ルボニル−ビス(4−ジエチルアミノベンザル)アセト
ン、3,3−カルボニル−ビス(7−ジエチルアミノク
マリン)、N−フェニル−N−エチルエタノールアミ
ン、N−フェニルエタノールアミン、N−トリルジエタ
ノールアミン、N−フェニルエタノールアミン、ジメチ
ルアミノ安息香酸イソアミル、ジエチルアミノ安息香酸
イソアミル、3−フェニル−5−ベンゾイルチオ−テト
ラゾール、1−フェニル−5−エトキシカルボニルチオ
−テトラゾールなどがあげられる。本発明ではこれらを
1種または2種以上使用することができる。なお、増感
剤の中には光重合開始剤としても使用できるものがあ
る。増感剤を本発明の感光性ペーストに添加する場合、
その添加量は反応性成分に対して通常0.05〜5重量
%、より好ましくは0.1〜2重量%である。増感剤の
量が少なすぎれば光感度を向上させる効果が発揮され
ず、増感剤の量が多すぎれば露光部の残存率が小さくな
りすぎるおそれがある。
される。増感剤の具体例としては、2,4−ジエチルチ
オキサントン、イソプロピルチオキサントン、2,3−
ビス(4−ジエチルアミノベンザル)シクロペンタノ
ン、2,6−ビス(4−ジメチルアミニベンザル)シク
ロヘキサノン、2,6−ビス(4−ジメチルアミノベン
ザル)−4−メチルシクロヘキサノン、ミヒラーケト
ン、4,4−ビス(ジエチルアミノ)−ベンゾフェノ
ン、4,4−ビス(ジメチルアミノ)カルコン、4,4
−ビス(ジエチルアミノ)カルコン、p−ジメチルアミ
ノシンナミリデンインダノン、p−ジメチルアミノベン
ジリデンインダノン、2−(p−ジメチルアミノフェニ
ルビニレン)−イソナフトチアゾール、1,3−ビス
(4−ジメチルアミノベンザル)アセトン、1,3−カ
ルボニル−ビス(4−ジエチルアミノベンザル)アセト
ン、3,3−カルボニル−ビス(7−ジエチルアミノク
マリン)、N−フェニル−N−エチルエタノールアミ
ン、N−フェニルエタノールアミン、N−トリルジエタ
ノールアミン、N−フェニルエタノールアミン、ジメチ
ルアミノ安息香酸イソアミル、ジエチルアミノ安息香酸
イソアミル、3−フェニル−5−ベンゾイルチオ−テト
ラゾール、1−フェニル−5−エトキシカルボニルチオ
−テトラゾールなどがあげられる。本発明ではこれらを
1種または2種以上使用することができる。なお、増感
剤の中には光重合開始剤としても使用できるものがあ
る。増感剤を本発明の感光性ペーストに添加する場合、
その添加量は反応性成分に対して通常0.05〜5重量
%、より好ましくは0.1〜2重量%である。増感剤の
量が少なすぎれば光感度を向上させる効果が発揮され
ず、増感剤の量が多すぎれば露光部の残存率が小さくな
りすぎるおそれがある。
【0046】重合禁止剤は、保存時の熱安定性を向上さ
せるために添加される。重合禁止剤の具体的な例として
は、ヒドロキノン、ヒドロキノンのモノエステル化物、
N−ニトロソジフェニルアミン、フェノチアジン、p−
t−ブチルカテコール、N−フェニルナフチルアミン、
2,6−ジ−t−ブチル−p−メチルフェノール、クロ
ラニール、ピロガロールなどが挙げられる。重合禁止剤
を添加する場合、その添加量は、感光性ペースト中に、
通常、0.001〜1重量%である。
せるために添加される。重合禁止剤の具体的な例として
は、ヒドロキノン、ヒドロキノンのモノエステル化物、
N−ニトロソジフェニルアミン、フェノチアジン、p−
t−ブチルカテコール、N−フェニルナフチルアミン、
2,6−ジ−t−ブチル−p−メチルフェノール、クロ
ラニール、ピロガロールなどが挙げられる。重合禁止剤
を添加する場合、その添加量は、感光性ペースト中に、
通常、0.001〜1重量%である。
【0047】可塑剤の具体的な例としては、ジブチルフ
タレート、ジオクチルフタレート、ポリエチレングリコ
ール、グリセリンなどがあげられる。
タレート、ジオクチルフタレート、ポリエチレングリコ
ール、グリセリンなどがあげられる。
【0048】酸化防止剤は、保存時におけるアクリル系
共重合体の酸化を防ぐために添加される。酸化防止剤の
具体的な例として2,6−ジ−t−ブチル−p−クレゾ
ール、ブチル化ヒドロキシアニソール、2,6−ジ−t
−4−エチルフェノール、2,2−メチレン−ビス−
(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、2,2−
メチレン−ビス−(4−エチル−6−t−ブチルフェノ
ール)、4,4−ビス−(3−メチル−6−t−ブチル
フェノール)、1,1,3−トリス−(2−メチル−6
−t−ブチルフェノール)、1,1,3−トリス−(2
−メチル−4−ヒドロキシ−t−ブチルフェニル)ブタ
ン、ビス[3,3−ビス−(4−ヒドロキシ−3−t−
ブチルフェニル)ブチリックアシッド]グリコールエス
テル、ジラウリルチオジプロピオナート、トリフェニル
ホスファイトなどが挙げられる。酸化防止剤を添加する
場合、その添加量は通常、添加量は、ペースト中に、通
常、0.001〜1重量%である。
共重合体の酸化を防ぐために添加される。酸化防止剤の
具体的な例として2,6−ジ−t−ブチル−p−クレゾ
ール、ブチル化ヒドロキシアニソール、2,6−ジ−t
−4−エチルフェノール、2,2−メチレン−ビス−
(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、2,2−
メチレン−ビス−(4−エチル−6−t−ブチルフェノ
ール)、4,4−ビス−(3−メチル−6−t−ブチル
フェノール)、1,1,3−トリス−(2−メチル−6
−t−ブチルフェノール)、1,1,3−トリス−(2
−メチル−4−ヒドロキシ−t−ブチルフェニル)ブタ
ン、ビス[3,3−ビス−(4−ヒドロキシ−3−t−
ブチルフェニル)ブチリックアシッド]グリコールエス
テル、ジラウリルチオジプロピオナート、トリフェニル
ホスファイトなどが挙げられる。酸化防止剤を添加する
場合、その添加量は通常、添加量は、ペースト中に、通
常、0.001〜1重量%である。
【0049】本発明の感光性ペーストには、溶液の粘度
を調整したい場合、有機溶媒を加えてもよい。このとき
使用される有機溶媒としては、メチルセルソルブ、エチ
ルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルエチルケト
ン、ジオキサン、アセトン、シクロヘキサノン、シクロ
ペンタノン、イソブチルアルコール、イソプロピルアル
コール、テトラヒドロフラン、ジメチルスルフォキシ
ド、γ−ブチロラクトン、ブロモベンゼン、クロロベン
ゼン、ジブロモベンゼン、ジクロロベンゼン、ブロモ安
息香酸、クロロ安息香酸などやこれらのうちの1種以上
を含有する有機溶媒混合物が用いられる。
を調整したい場合、有機溶媒を加えてもよい。このとき
使用される有機溶媒としては、メチルセルソルブ、エチ
ルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルエチルケト
ン、ジオキサン、アセトン、シクロヘキサノン、シクロ
ペンタノン、イソブチルアルコール、イソプロピルアル
コール、テトラヒドロフラン、ジメチルスルフォキシ
ド、γ−ブチロラクトン、ブロモベンゼン、クロロベン
ゼン、ジブロモベンゼン、ジクロロベンゼン、ブロモ安
息香酸、クロロ安息香酸などやこれらのうちの1種以上
を含有する有機溶媒混合物が用いられる。
【0050】感光性ペーストは、通常、無機微粒子、紫
外線吸光剤、感光性ポリマー、感光性モノマー、光重合
開始剤、ガラスフリットおよび溶媒等の各種成分を所定
の組成となるように調合した後、3本ローラや混練機で
均質に混合分散し作製する。ペーストの粘度は無機微粒
子、増粘剤、有機溶媒、可塑剤および沈殿防止剤などの
添加割合によって適宜調整されるが、その範囲は200
0〜20万cps(センチ・ポイズ)である。例えばガ
ラス基板への塗布をスクリーン印刷法以外にスピンコー
ト法で行う場合は、2000〜5000cpsが好まし
い。スクリーン印刷法で1回塗布して膜厚10〜20μ
mを得るには、5万〜20万cpsが好ましい。
外線吸光剤、感光性ポリマー、感光性モノマー、光重合
開始剤、ガラスフリットおよび溶媒等の各種成分を所定
の組成となるように調合した後、3本ローラや混練機で
均質に混合分散し作製する。ペーストの粘度は無機微粒
子、増粘剤、有機溶媒、可塑剤および沈殿防止剤などの
添加割合によって適宜調整されるが、その範囲は200
0〜20万cps(センチ・ポイズ)である。例えばガ
ラス基板への塗布をスクリーン印刷法以外にスピンコー
ト法で行う場合は、2000〜5000cpsが好まし
い。スクリーン印刷法で1回塗布して膜厚10〜20μ
mを得るには、5万〜20万cpsが好ましい。
【0051】次に、感光性ペーストを用いてパターン加
工を行う一例について説明するが、本発明はこれに限定
されない。
工を行う一例について説明するが、本発明はこれに限定
されない。
【0052】ガラス基板もしくはセラミックスの基板の
上に、感光性ペーストを全面塗布、もしくは部分的に塗
布する。塗布方法としては、スクリーン印刷、バーコー
ター、ロールコーター等公知の方法を用いることが出き
る。塗布厚みは、塗布回数、スクリーンのメッシュ、ペ
ーストの粘度を選ぶことによって調整できる。
上に、感光性ペーストを全面塗布、もしくは部分的に塗
布する。塗布方法としては、スクリーン印刷、バーコー
ター、ロールコーター等公知の方法を用いることが出き
る。塗布厚みは、塗布回数、スクリーンのメッシュ、ペ
ーストの粘度を選ぶことによって調整できる。
【0053】ここでペーストをガラス基板上に塗布する
場合、基板と塗布膜との密着性を高めるために基板の表
面処理を行うことができる。表面処理液としてはシラン
カップリング剤、例えばビニルトリクロロシラン、ビニ
ルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ト
リス−(2−メトキシエトキシ)ビニルシラン、γ−グ
リシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−(メタク
リロキシプロピル)トリメトキシシラン、γ(2−アミ
ノエチル)アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−ク
ロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロ
ピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエト
キシシランなどあるいは有機金属例えば有機チタン、有
機アルミニウム、有機ジルコニウムなどである。シラン
カップリング剤あるいは有機金属を有機溶媒例えばエチ
レングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコー
ルモノエチルエーテル、メチルアルコール、エチルアル
コール、プロピルアルコール、ブチルアルコールなどで
0.1〜5%の濃度に希釈したものを用いる。次にこの
表面処理液をスピナーなどで基板上に均一に塗布した後
に80〜140℃で10〜60分間乾燥する事によって
表面処理ができる塗布した上から、フォトマスクを用い
て、マスク露光する。用いるマスクは、感光性有機成分
の種類によって、ネガ型もしくはポジ型のどちらかを選
定する。この際使用される活性光源は、たとえば、近紫
外線、紫外線、電子線、X線などが挙げられるが、これ
らの中で紫外線が好ましく、その光源としてはたとえば
低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ハロゲンラン
プ、殺菌灯などが使用できる。これらのなかでも超高圧
水銀灯が好適である。露光条件は塗布厚みによって異な
るが、5〜100mW/cm2 の出力の超高圧水銀灯を
用いて1〜30分間露光を行なう。
場合、基板と塗布膜との密着性を高めるために基板の表
面処理を行うことができる。表面処理液としてはシラン
カップリング剤、例えばビニルトリクロロシラン、ビニ
ルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ト
リス−(2−メトキシエトキシ)ビニルシラン、γ−グ
リシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−(メタク
リロキシプロピル)トリメトキシシラン、γ(2−アミ
ノエチル)アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−ク
ロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロ
ピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエト
キシシランなどあるいは有機金属例えば有機チタン、有
機アルミニウム、有機ジルコニウムなどである。シラン
カップリング剤あるいは有機金属を有機溶媒例えばエチ
レングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコー
ルモノエチルエーテル、メチルアルコール、エチルアル
コール、プロピルアルコール、ブチルアルコールなどで
0.1〜5%の濃度に希釈したものを用いる。次にこの
表面処理液をスピナーなどで基板上に均一に塗布した後
に80〜140℃で10〜60分間乾燥する事によって
表面処理ができる塗布した上から、フォトマスクを用い
て、マスク露光する。用いるマスクは、感光性有機成分
の種類によって、ネガ型もしくはポジ型のどちらかを選
定する。この際使用される活性光源は、たとえば、近紫
外線、紫外線、電子線、X線などが挙げられるが、これ
らの中で紫外線が好ましく、その光源としてはたとえば
低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ハロゲンラン
プ、殺菌灯などが使用できる。これらのなかでも超高圧
水銀灯が好適である。露光条件は塗布厚みによって異な
るが、5〜100mW/cm2 の出力の超高圧水銀灯を
用いて1〜30分間露光を行なう。
【0054】感光性ペーストを塗布した後に、その表面
に酸素遮蔽膜を設けることによって、パターン形状を向
上することができる。酸素遮蔽膜の一例としては、PV
Aの膜が挙げられる。PVA膜の形成方法は濃度が0.
5〜5重量%の水溶液をスピナーなどの方法で基板上に
均一に塗布した後に70〜90℃で10〜60分間好ま
しいPVAの溶液濃度は、1〜3重量%である。この範
囲にあると感度が一層向上する。PVA塗布によって感
度が向上するのは次の理由が推定される。すなわち反応
性成分が光反応する際に、空気中の酸素があると光硬化
の感度を妨害すると考えられるが、PVAの膜があると
余分な酸素を遮断できるので露光時に感度が向上するの
で好ましい。PVA以外に水溶性で、透明なポリマー例
えばセルロース系のメチルセルロースなども使用でき
る。
に酸素遮蔽膜を設けることによって、パターン形状を向
上することができる。酸素遮蔽膜の一例としては、PV
Aの膜が挙げられる。PVA膜の形成方法は濃度が0.
5〜5重量%の水溶液をスピナーなどの方法で基板上に
均一に塗布した後に70〜90℃で10〜60分間好ま
しいPVAの溶液濃度は、1〜3重量%である。この範
囲にあると感度が一層向上する。PVA塗布によって感
度が向上するのは次の理由が推定される。すなわち反応
性成分が光反応する際に、空気中の酸素があると光硬化
の感度を妨害すると考えられるが、PVAの膜があると
余分な酸素を遮断できるので露光時に感度が向上するの
で好ましい。PVA以外に水溶性で、透明なポリマー例
えばセルロース系のメチルセルロースなども使用でき
る。
【0055】露光後、現像液を使用して現像を行なう
が、この場合、浸漬法やスプレー法で行なう。現像液
は、感光性ペースト中の有機成分が溶解可能である有機
溶媒を使用できる。また該有機溶媒にその溶解力が失わ
れない範囲で水を添加してもよい。感光性ペースト中に
カルボキシル基を持つ化合物が存在する場合、アルカリ
水溶液で現像できる。アルカリ水溶液として水酸化ナト
リウムや水酸化カルシウム水溶液などのような金属アル
カリ水溶液を使用できるが、有機アルカリ水溶液を用い
た方が焼成時にアルカリ成分を除去しやすいので好まし
い。有機アルカリとしては、公知のアミン化合物を用い
ることができる。具体的には、テトラメチルアンモニウ
ムヒドロキサイド、トリメチルベンジルアンモニウムヒ
ドロキサイド、モノエタノールアミン、ジエタノールア
ミンなどが挙げられる。アルカリ水溶液の濃度は通常
0.01〜10重量%、より好ましくは0.1〜5重量
%である。アルカリ濃度が低すぎれば未露光部が除去さ
れずに、アルカリ濃度が高すぎれば、パターン部を剥離
させ、また露光部を腐食させるおそれがあり良くない。
が、この場合、浸漬法やスプレー法で行なう。現像液
は、感光性ペースト中の有機成分が溶解可能である有機
溶媒を使用できる。また該有機溶媒にその溶解力が失わ
れない範囲で水を添加してもよい。感光性ペースト中に
カルボキシル基を持つ化合物が存在する場合、アルカリ
水溶液で現像できる。アルカリ水溶液として水酸化ナト
リウムや水酸化カルシウム水溶液などのような金属アル
カリ水溶液を使用できるが、有機アルカリ水溶液を用い
た方が焼成時にアルカリ成分を除去しやすいので好まし
い。有機アルカリとしては、公知のアミン化合物を用い
ることができる。具体的には、テトラメチルアンモニウ
ムヒドロキサイド、トリメチルベンジルアンモニウムヒ
ドロキサイド、モノエタノールアミン、ジエタノールア
ミンなどが挙げられる。アルカリ水溶液の濃度は通常
0.01〜10重量%、より好ましくは0.1〜5重量
%である。アルカリ濃度が低すぎれば未露光部が除去さ
れずに、アルカリ濃度が高すぎれば、パターン部を剥離
させ、また露光部を腐食させるおそれがあり良くない。
【0056】次に焼成炉にて焼成を行う。焼成雰囲気や
温度はペーストや基板の種類によって異なるが、通常は
空気中もしくは窒素雰囲気中で焼成する。焼成温度は4
00〜1000℃で行う。ガラス基板上にパターン加工
する場合や無機微粒子として銀を用いた場合は、520
〜610℃の温度で10〜60分間保持して焼成を行
う。
温度はペーストや基板の種類によって異なるが、通常は
空気中もしくは窒素雰囲気中で焼成する。焼成温度は4
00〜1000℃で行う。ガラス基板上にパターン加工
する場合や無機微粒子として銀を用いた場合は、520
〜610℃の温度で10〜60分間保持して焼成を行
う。
【0057】また、以上の工程中に、乾燥、予備反応の
目的で、50〜300℃加熱工程を導入しても良い。
目的で、50〜300℃加熱工程を導入しても良い。
【0058】
【実施例】以下に、本発明を実施例を用いて、具体的に
説明する。ただし、本発明はこれに限定はされない。な
お、実施例、比較例中の濃度(%)は重量%である。
説明する。ただし、本発明はこれに限定はされない。な
お、実施例、比較例中の濃度(%)は重量%である。
【0059】実施例は、無機微粒子および感光性有機成
分からなる感光性ペーストを作成した。作成手順は、ま
ず、感光性有機成分の各成分を80℃に加熱しながら溶
解し、その後、無機微粒子を添加し、混練機で混練する
ことによって、ペーストを作成した。無機微粒子は予め
ゲル化防止剤をコーティングしておいた。
分からなる感光性ペーストを作成した。作成手順は、ま
ず、感光性有機成分の各成分を80℃に加熱しながら溶
解し、その後、無機微粒子を添加し、混練機で混練する
ことによって、ペーストを作成した。無機微粒子は予め
ゲル化防止剤をコーティングしておいた。
【0060】次に、30cm角のソーダガラス基板上
に、スクリーン印刷法で3回塗布によって、100μm
の塗布厚みになるように塗布を行った後、80℃で30
分乾燥した。ただし、ペーストによってはゲル化して印
刷が不可能になるものがあった。そこで、印刷できる状
態にあるか否かを1日後、3日後、7日後に評価した。
印刷が可能であった物については以下の方法によって露
光、現像を行った。
に、スクリーン印刷法で3回塗布によって、100μm
の塗布厚みになるように塗布を行った後、80℃で30
分乾燥した。ただし、ペーストによってはゲル化して印
刷が不可能になるものがあった。そこで、印刷できる状
態にあるか否かを1日後、3日後、7日後に評価した。
印刷が可能であった物については以下の方法によって露
光、現像を行った。
【0061】次に、マスクを用いて露光を行った。マス
クは、ピッチ220μm、線幅60μm、ストライプ状
のパターン形成が可能になるように設計したクロムマス
クである。露光は、50mW/cm2 の出力の超高圧水
銀灯で紫外線露光を行った。
クは、ピッチ220μm、線幅60μm、ストライプ状
のパターン形成が可能になるように設計したクロムマス
クである。露光は、50mW/cm2 の出力の超高圧水
銀灯で紫外線露光を行った。
【0062】その後、モノエタノールアミンの1%水溶
液に浸漬して、現像を行った。さらに、得られたガラス
基板を120℃で1時間乾燥した後、580℃1時間で
焼成を行った。
液に浸漬して、現像を行った。さらに、得られたガラス
基板を120℃で1時間乾燥した後、580℃1時間で
焼成を行った。
【0063】パターン加工性の評価は、パターン形状
(線幅50μm×高さ80μm、ピッチ220μmがタ
ーゲット)を電子顕微鏡観察によって観察した。
(線幅50μm×高さ80μm、ピッチ220μmがタ
ーゲット)を電子顕微鏡観察によって観察した。
【0064】本実施例の感光性ペーストの組成を示す。
【0065】表中の略称に関して、次に示す。 (ポリマー構造中の数字は、それぞれのモノマーの構成
モル比を示す) TMPTA:トリメチロールプロパントリアクリレート ポリマー1:
モル比を示す) TMPTA:トリメチロールプロパントリアクリレート ポリマー1:
【化1】 MTPMP:2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2 −モルホリノプロパン−1 スダン :アゾ系染料、C24H20N4 O DET :2,4−ジエチルチオキサントン EPA :p−ジメチルアミノ安息香酸エチルエステル DBP :ジブチルフタレート γ−BL :γ−ブチロラクトン BEEA :2−(2−ブトキシエトキシ)エチルアセテート ただし、ガラス微粒子の重量にはゲル化防止剤の重量を
含む。ゲル化防止剤をコーティングした量はガラス粉末
に対して0.01〜0.5重量%であり、比較は表1中
の実施例1から実施例6に示した。表1では、ベンゾト
リアゾールについて示した。
含む。ゲル化防止剤をコーティングした量はガラス粉末
に対して0.01〜0.5重量%であり、比較は表1中
の実施例1から実施例6に示した。表1では、ベンゾト
リアゾールについて示した。
【0066】また、表2では、コーティング量0.4重
量%で、種々のトリアゾール構造を持つ有機化合物で比
較し、実施例7から実施例14に示した。
量%で、種々のトリアゾール構造を持つ有機化合物で比
較し、実施例7から実施例14に示した。
【0067】本実施例のガラス微粒子の組成は以下の通
りである。 Bi2 O3 :37重量% B2 O3 :14重量% SiO2 :17重量% ZnO :16重量% BaO : 8重量% Al2 O3 : 4重量% Na2 O : 4重量%
りである。 Bi2 O3 :37重量% B2 O3 :14重量% SiO2 :17重量% ZnO :16重量% BaO : 8重量% Al2 O3 : 4重量% Na2 O : 4重量%
【表1】
【表2】
【0068】
【発明の効果】本発明のゲル化防止剤によって、高アス
ペクト比かつ高精度のパターン加工が可能な感光性ペー
ストが安定に使用できるようになる。これによって、デ
ィスプレイ、回路材料等の厚膜、高精度のパターン加工
が可能になり、精細性の向上、工程の簡略化が可能にな
る。
ペクト比かつ高精度のパターン加工が可能な感光性ペー
ストが安定に使用できるようになる。これによって、デ
ィスプレイ、回路材料等の厚膜、高精度のパターン加工
が可能になり、精細性の向上、工程の簡略化が可能にな
る。
【0069】特に、簡便に高精度のプラズマディスプレ
イパネルの隔壁を形成することができる。
イパネルの隔壁を形成することができる。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H05K 1/09 H05K 1/09 D
Claims (11)
- 【請求項1】無機微粒子と感光性有機成分とアゾール構
造を持つ化合物を含むことを特徴とする感光性ペース
ト。 - 【請求項2】無機微粒子の50重量%以上にガラス微粒
子を用いることを特徴とする請求項1の感光性ペース
ト。 - 【請求項3】ガラス微粒子として、ガラス転移温度(T
g)が400〜550℃のガラス微粒子を用いることを
特徴とする請求項2の感光性ペースト。 - 【請求項4】ガラス微粒子として、酸化ビスマスもしく
は酸化鉛を5〜50重量%含有するガラス微粒子を用い
ることを特徴とする請求項2の感光性ペースト。 - 【請求項5】ガラス微粒子が、酸化物換算表記で SiO2 3〜60重量% BaO 0〜25重量% B2 O3 5〜40重量% Bi2 O3 5〜50重量% ZnO 2〜40重量% Al2 O3 0〜10重量% の成分を含有するガラス微粒子を用いることを特徴とす
る請求項2の感光性ペースト。 - 【請求項6】ガラス微粒子として、球形率80個数%以
上のガラス微粒子を50重量%以上用いることを特徴と
する請求項2の感光性ペースト。 - 【請求項7】アゾール構造を持つ化合物で処理した無機
微粒子を用いることを特徴とする請求項1の感光性ペー
スト。 - 【請求項8】アゾール構造を持つ化合物として、ベンゾ
トリアゾールを用いることを特徴とする請求項1の感光
性ペースト。 - 【請求項9】プラズマディスプレイやプラズマアドレス
液晶ディスプレイの隔壁形成に用いることを特徴とする
請求項1の感光性ペースト。 - 【請求項10】紫外線吸光剤を0.05〜5重量%含有
することを特徴とする請求項1の感光性ペースト。 - 【請求項11】ベンゾトリアゾールで表面処理を行った
ガラス粉末を50重量%以上含むことを特徴とするプラ
ズマディスプレイの隔壁形成用感光性ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2279496A JPH09218508A (ja) | 1996-02-08 | 1996-02-08 | 感光性ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2279496A JPH09218508A (ja) | 1996-02-08 | 1996-02-08 | 感光性ペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09218508A true JPH09218508A (ja) | 1997-08-19 |
Family
ID=12092595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2279496A Pending JPH09218508A (ja) | 1996-02-08 | 1996-02-08 | 感光性ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09218508A (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11249293A (ja) * | 1998-03-06 | 1999-09-17 | Toray Ind Inc | 感光性ペーストおよびプラズマディスプレイの製造方法 |
| US6156237A (en) * | 1999-03-25 | 2000-12-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Conductive paste and circuit substrate formed by use of the paste |
| GB2350727A (en) * | 1999-03-25 | 2000-12-06 | Murata Manufacturing Co | Method for forming conductive pattern and producing ceramic multi-layer substrate |
| US6183669B1 (en) * | 1999-03-25 | 2001-02-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Paste composition, circuit board using the same, ceramic green sheet, ceramic substrate, and method for manufacturing ceramic multilayer substrate |
| JP2001176720A (ja) * | 1999-12-20 | 2001-06-29 | Toray Ind Inc | 無機粉末含有ポリイミド前駆体ペースト |
| US6315927B1 (en) | 1999-03-25 | 2001-11-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Photosensitive conductive paste |
| US6531257B2 (en) | 2000-11-30 | 2003-03-11 | Murata Manufacturing Co. Ltd | Photosensitive copper paste and method of forming copper pattern using the same |
| US6806028B2 (en) | 2001-08-07 | 2004-10-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Photosensitive conductive paste, method for forming conductive pattern using the same, and method for manufacturing ceramic multilayer element |
| US6885276B2 (en) | 2000-03-15 | 2005-04-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Photosensitive thick film composition and electronic device using the same |
| WO2005044459A1 (en) * | 2003-11-05 | 2005-05-19 | Tri E Holding, Llc | Ultraviolet absorption and radiation shielding for raw materials and products |
| JP2008224940A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Toray Ind Inc | 感光性ペーストおよびプラズマディスプレイ部材 |
| US8298754B2 (en) | 2003-11-25 | 2012-10-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for forming thick film pattern, method for manufacturing electronic component, and photolithography photosensitive paste |
| WO2015068826A1 (ja) | 2013-11-06 | 2015-05-14 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 銅粒子分散液およびそれを用いた導電膜の製造方法 |
| WO2015087989A1 (ja) | 2013-12-10 | 2015-06-18 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 導電性ペーストおよびそれを用いた導電膜の製造方法 |
| WO2020153101A1 (ja) | 2019-01-23 | 2020-07-30 | 大陽日酸株式会社 | 導電性ペースト、導電膜付き基材、および導電膜付き基材の製造方法 |
| WO2024150812A1 (ja) * | 2023-01-13 | 2024-07-18 | 日産化学株式会社 | 電極形成用組成物、添加剤およびゲル化抑制剤 |
| WO2024150813A1 (ja) * | 2023-01-13 | 2024-07-18 | 日産化学株式会社 | 電極形成用組成物および添加剤 |
-
1996
- 1996-02-08 JP JP2279496A patent/JPH09218508A/ja active Pending
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11249293A (ja) * | 1998-03-06 | 1999-09-17 | Toray Ind Inc | 感光性ペーストおよびプラズマディスプレイの製造方法 |
| US6156237A (en) * | 1999-03-25 | 2000-12-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Conductive paste and circuit substrate formed by use of the paste |
| GB2350727A (en) * | 1999-03-25 | 2000-12-06 | Murata Manufacturing Co | Method for forming conductive pattern and producing ceramic multi-layer substrate |
| US6183669B1 (en) * | 1999-03-25 | 2001-02-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Paste composition, circuit board using the same, ceramic green sheet, ceramic substrate, and method for manufacturing ceramic multilayer substrate |
| GB2350727B (en) * | 1999-03-25 | 2001-05-30 | Murata Manufacturing Co | Method for forming conductive pattern and producing ceramic multi-layer substrate |
| US6315927B1 (en) | 1999-03-25 | 2001-11-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Photosensitive conductive paste |
| JP2001176720A (ja) * | 1999-12-20 | 2001-06-29 | Toray Ind Inc | 無機粉末含有ポリイミド前駆体ペースト |
| US6885276B2 (en) | 2000-03-15 | 2005-04-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Photosensitive thick film composition and electronic device using the same |
| US6531257B2 (en) | 2000-11-30 | 2003-03-11 | Murata Manufacturing Co. Ltd | Photosensitive copper paste and method of forming copper pattern using the same |
| US6806028B2 (en) | 2001-08-07 | 2004-10-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Photosensitive conductive paste, method for forming conductive pattern using the same, and method for manufacturing ceramic multilayer element |
| WO2005044459A1 (en) * | 2003-11-05 | 2005-05-19 | Tri E Holding, Llc | Ultraviolet absorption and radiation shielding for raw materials and products |
| US8298754B2 (en) | 2003-11-25 | 2012-10-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for forming thick film pattern, method for manufacturing electronic component, and photolithography photosensitive paste |
| JP2008224940A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Toray Ind Inc | 感光性ペーストおよびプラズマディスプレイ部材 |
| WO2015068826A1 (ja) | 2013-11-06 | 2015-05-14 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 銅粒子分散液およびそれを用いた導電膜の製造方法 |
| WO2015087989A1 (ja) | 2013-12-10 | 2015-06-18 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 導電性ペーストおよびそれを用いた導電膜の製造方法 |
| US9732236B2 (en) | 2013-12-10 | 2017-08-15 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Conductive paste and method for producing conductive film using same |
| WO2020153101A1 (ja) | 2019-01-23 | 2020-07-30 | 大陽日酸株式会社 | 導電性ペースト、導電膜付き基材、および導電膜付き基材の製造方法 |
| KR20210113194A (ko) | 2019-01-23 | 2021-09-15 | 다이요 닛산 가부시키가이샤 | 도전성 페이스트, 도전막이 형성된 기재, 및 도전막이 형성된 기재의 제조 방법 |
| WO2024150812A1 (ja) * | 2023-01-13 | 2024-07-18 | 日産化学株式会社 | 電極形成用組成物、添加剤およびゲル化抑制剤 |
| WO2024150813A1 (ja) * | 2023-01-13 | 2024-07-18 | 日産化学株式会社 | 電極形成用組成物および添加剤 |
| WO2024150479A1 (ja) * | 2023-01-13 | 2024-07-18 | 日産化学株式会社 | 電極形成用組成物、添加剤およびゲル化抑制剤 |
| WO2024150450A1 (ja) * | 2023-01-13 | 2024-07-18 | 日産化学株式会社 | 電極形成用組成物、添加剤およびゲル化抑制剤 |
| WO2024150446A1 (ja) * | 2023-01-13 | 2024-07-18 | 日産化学株式会社 | 電極形成用組成物 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH09218508A (ja) | 感光性ペースト | |
| CN100474491C (zh) | 等离子体显示器 | |
| JP3520720B2 (ja) | 感光性導電ペーストおよびプラズマディスプレイ用電極の製造方法 | |
| JP3716787B2 (ja) | プラズマディスプレイ用感光性ペースト | |
| JP3520647B2 (ja) | 感光性ペースト | |
| JP3239759B2 (ja) | 感光性ペースト | |
| JPH107432A (ja) | 感光性ペースト | |
| JP3716469B2 (ja) | パターン加工用感光性ペースト | |
| JPH09306344A (ja) | プラズマディスプレイの製造方法 | |
| JP3402070B2 (ja) | プラズマディスプレイ | |
| JP3951327B2 (ja) | 感光性ペーストおよびプラズマディスプレイの製造方法 | |
| JPH1053433A (ja) | 感光性ペースト | |
| JP3520663B2 (ja) | 感光性ペースト | |
| JPH09304923A (ja) | 感光性ペースト | |
| JP3873338B2 (ja) | 感光性ペーストおよびそれを用いたプラズマディスプレイの製造方法 | |
| JP3806768B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
| JPH10182185A (ja) | 感光性ガラスペースト | |
| JP3690001B2 (ja) | プラズマディスプレイの製造方法 | |
| JPH10172442A (ja) | プラズマディスプレイおよびその製造方法 | |
| JPH09306341A (ja) | プラズマディスプレイの製造方法 | |
| JPH10287821A (ja) | 感光性ペースト | |
| JP3402077B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
| JP3870463B2 (ja) | 感光性グリーンシートおよびプラズマディスプレイの製造方法 | |
| JP4193878B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
| JPH10208631A (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040903 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20041012 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20041210 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050426 |