JPH09219150A - 電子放出素子、電子源基板、電子源、表示パネル、および画像形成装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低コストでかつ容易に大面積に表面伝導型電
子放出素子およびそれを有する電子源基板、電子源、表
示パネルならびに画像形成装置の製造方法を提供する。
さらに、均一性の良い表面伝導型電子放出素子およびそ
れを有する電子源基板、電子源、表示パネルならびに画
像形成装置を提供する。 【解決手段】 多数対が配列された素子電極２，３の各
対の素子電極間に、導電膜を形成するための材料の溶液
を液滴の状態で付与して導電膜を形成し、そしてこの導
電膜に電子放出部を形成する電子放出素子の製造方法に
おいて、各液滴の付与は、インクジェット方式の液滴付
与手段を用い、付与される液滴の状態が有意の変化を生
じることなく均一な液滴を付与し得る程度に十分短い時
間間隔で行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子放出素子およ
びそれを用いた電子源基板、電子源、表示パネルならび
に画像形成装置の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子放出素子として熱電子源と冷
陰極電子源の２種類が知られている。冷陰極電子源には
電界放出型（以下、ＦＥ型という）、金属／絶縁層／金
属型（以下、ＭＩＭ型という）や表面伝導型電子放出素
子等がある。ＦＥ型の例としては「Ｗ．Ｐ．Ｄｙｋｅ＆
Ｗ．Ｗ．Ｄｏｌａｎ、“Ｆｉｅｌｄ ｅｍｉｓｓｉｏ
ｎ”、Ａｄｖａｎｃｅ ｉｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ、８ ８９（１９５６）」あるいは「Ｃ．
Ａ．Ｓｐｉｎｄｔ、“Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｐｒｏｐｅｒ
ｔｉｅｓ ｏｆ ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ ｆｉｅｌｄ ｅ
ｍｉｓｓｉｏｎ ｃａｔｈｏｄｅｓ ｗｉｔｈ ｍｏｌ
ｙｂｄｅｎｉｕｍ”Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，４７５
２４８（１９７６）」等が知られている。ＭＩＭ型の例
としては「Ｃ．Ａ．Ｍｅａｄ、“Ｔｈｅ Ｔｕｎｎｅｌ
−ｅｍｉｓｓｉｏｎ ａｍｐｌｉｆｉｅｒ”、Ｊ．Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓ．、３２ ６４６（１９６１）」等が知
られている。

【０００３】表面伝導型電子放出素子型の例としては、
「Ｍ．Ｉ．Ｅｌｉｎｓｏｎ、Ｒａｄｉｏ Ｅｎｇ．Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｎ Ｐｈｙｓ．、１０（１９６５）」等があ
る。表面伝導型電子放出素子は、基板上に形成された小
面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことにより、電
子放出が生ずる現象を利用するものである。この表面伝
導型電子放出素子としては、前記エリンソン等によるＳ
ｎＯ₂ 薄膜を用いたもの、Ａｕ薄膜によるもの（「Ｇ．
Ｄｉｔｔｍｅｒ：“Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍ
ｓ”、９ ３１７（１９７２）」）、Ｉｎ₂ Ｏ₃ ／Ｓｎ
Ｏ₂ 薄膜によるもの（「Ｍ．Ｈａｒｔｗｅｌｌ ａｎｄ
Ｃ．Ｇ．Ｆｏｎｓｔａｄ：“ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｅ
Ｄ Ｃｏｎｆ．”、５１９（１９７５）」）、カーボン
薄膜によるもの（「荒木久 他：真空、第２６巻、第１
号、２２頁（１９８３）」）等が報告されている。

【０００４】これらの表面伝導型電子放出素子の典型的
な素子構成として前述のＭ．ハートウェルの素子構成を
図１２に示す。同図において１は基板である。４は導電
性薄膜で、Ｈ型形状のパターンに、スパッタで形成され
た金属酸化物薄膜等からなり、後述の通電フォーミング
と呼ばれる通電処理により電子放出部５が形成される。
尚、図中の素子電極間隔Ｌは、０．５〜１ｍｍ、Ｗ’
は、０．１ｍｍで設定されている。尚、電子放出部５の
位置および形状については、不明であるので模式図とし
て表した。

【０００５】従来、これらの表面伝導型電子放出素子に
おいては、電子放出を行う前に導電性薄膜４に対して予
め通電フォーミングと呼ばれる通電処理を施すことによ
って電子放出部５を形成するのが一般的である。通電フ
ォーミングとは導電性薄膜４の両端に直流電圧あるいは
非常にゆっくりとした昇電圧例えば１Ｖ／分程度を印加
通電し、導電性薄膜４を局所的に破壊、変形もしくは変
質せしめ、電気的に高抵抗な状態にした電子放出部５を
形成することである。尚、電子放出部５は導電性薄膜４
の一部に亀裂が発生しその亀裂付近から電子放出が行わ
れる。前記通電フォーミング処理をした表面伝導型電子
放出素子は、導電性薄膜４に電圧を印加し、素子に電流
を流すことにより電子放出部５より電子を放出せしめる
ものである。

【０００６】上述の表面伝導型放出素子は構造が単純で
製造も容易であることから大面積にわたり多数素子を配
列形成できる利点がある。そこでこの特徴を生かせるよ
うないろいろな応用が研究されている。例えば、荷電ビ
ーム源、画像表示装置等の表示装置があげられる。

【０００７】また、特開平２−５６８２２に開示されて
いる電子放出素子の構成を図１３に示す。同図において
１は基板、２および３は素子電極、４は導電性薄膜、５
は電子放出部である。この電子放出素子の製造方法とし
ては、様々な方法があるが、例えば基板１に一般的な真
空蒸着技術、フォトリソグラフィ技術により素子電極
２、３を形成する。次いで導電性薄膜４を分散塗布法等
によって形成する。その後、素子電極２、３に電圧を印
加し通電処理を施すことによって電子放出部５を形成す
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
例による製造方法では半導体プロセスを主とする方法で
製造するものであるために、現行の技術では大面積に電
子放出素子を形成することが困難かつ特殊で高価な製造
装置を必要とし、生産コストが高いといった欠点があ
る。

【０００９】そこで本発明の目的は低コストでかつ容易
に大面積に表面伝導型電子放出素子およびそれを有する
電子源基板、電子源、表示パネルならびに画像形成装置
の製造方法を提供することにある。

【００１０】さらに本発明は、均一性の良い表面伝導型
電子放出素子およびそれを有する電子源基板、電子源、
表示パネルならびに画像形成装置を提供することを目的
とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明では、多数対が配列された素子電極の各対の素子
電極間に、導電膜を形成するための材料の溶液を液滴の
状態で付与して導電膜を形成し、そしてこの導電膜に電
子放出部を形成する電子放出素子、電子源基板、電子
源、表示パネル、または画像形成装置の製造方法におい
て、各液滴の付与は、インクジェット方式または熱的エ
ネルギーの付与により気泡を発生させ液滴を吐出させる
方式の液滴付与手段を用い、付与される液滴の状態が有
意の変化を生じることなく均一な液滴を付与し得る程度
に十分短い時間間隔で行うことを特徴とする。ここで、
液滴は、例えば、各対の素子電極間に対し、１滴ずつ順
次に付与する。

【００１２】

【発明の実施の形態】次に本発明の好ましい実施形態を
示す。

【００１３】本発明が対象とする冷陰極電子源として
は、単純な構成であり、製法が容易な表面伝導型電子放
出素子が好適である。

【００１４】図４は本発明の一実施形態に係る基本的な
表面伝導型電子放出素子の構成を示す模式的平面図およ
び断面図である。図４において１は基板、２、３は素子
電極、４は導電性薄膜、５は電子放出部である。基板１
としては、石英ガラス、Ｎａ等の不純物含有量の少ない
ガラス、青板ガラス、ＳｉＯ₂ を表面に形成したガラス
基板およびアルミナ等のセラミックス基板が用いられ
る。素子電極２、３の材料としては一般的な導電体が用
いられ、例えばＮｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ、Ｔ
ｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄ等の金属あるいは合金、Ｐｄ、Ａ
ｇ、Ａｕ、ＲｕＯ₂ 、Ｐｄ−Ａｇ等の金属あるいは金属
酸化物とガラス等から構成される印刷導体、Ｉｎ₂ Ｏ₃
−ＳｎＯ₂ 等の透明導電体、ポリシリコン等の半導体材
料等から適宜選択される。

【００１５】素子電極２、３間の間隔Ｌは好ましくは数
百オングストロームないし数百マイクロメートルであ
る。また素子電極２、３間に印加する電圧は低い方が望
ましく、再現良く作成することが要求されるため、好ま
しい素子電極間隔Ｌは数マイクロメートルないし数十マ
イクロメートルである。素子電極２、３の長さＷ１は電
極の抵抗値および電子放出特性から、数マイクロメート
ルないし数百マイクロメートルであり、また素子電極
２、３の膜厚ｄは、数百オングストロームないし数マイ
クロメートルが好ましい。尚、図４の構成に限らず、基
板１上に導電性薄膜４、素子電極２、３の電極を順に形
成させた構成にしてもよい。

【００１６】導電性薄膜４としては、良好な電子放出特
性を得るために、微粒子で構成された微粒子膜が特に好
ましく、その膜厚は素子電極２、３へのステップカバレ
ージ、素子電極２、３間の抵抗値および後述する通電フ
ォーミング条件等によって、適宜設定されるが、好まし
くは数オングストロームないし数千オングストローム
で、特に好ましくは１０オングストロームないし５００
オングストロームである。そのシート抵抗値は１０の３
乗ないし１０の７乗オーム／□である。

【００１７】導電性薄膜４を構成する材料としては、Ｐ
ｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｃ
ｒ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｂ等の金属、Ｐｄ
Ｏ、ＳｎＯ₂ 、Ｉｎ₂ Ｏ₃ 、ＰｂＯ、Ｓｂ₂ Ｏ₃ 等の酸
化物、ＨｆＢ₂ 、ＺｒＢ₂ 、ＬａＢ₆ 、ＣｅＢ₆ 、ＹＢ
₄ 、ＧｄＢ₄ 等の硼化物、ＴｉＣ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、Ｔ
ａＣ、ＳｉＣ、ＷＣ等の炭化物、ＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｈｆ
Ｎ等の窒化物、Ｓｉ、Ｇｅ等の半導体、カーボン等があ
げられる。

【００１８】尚、ここで述べる微粒子膜とは複数の微粒
子が集合した膜であり、その微細構造として、微粒子が
個々に分散配置した状態のみならず、微粒子が互いに隣
接、あるいは重なり合った状態（島状も含む）の膜を指
しており、微粒子の粒径は数オングストロームないし数
千オングストロームであり、好ましくは１０オングスト
ロームないし２００オングストロームである。

【００１９】次に、図面を参照して図４の電子放出素子
の製造方法、特に導電性薄膜４を構成する微粒子膜の形
成方法を詳細に説明する。図１、図２は、この製造方法
を示す図であり、図２は、図１（ｂ）の（イ）で示す一
点鎖線での断面図である。図１、２において、１は基
板、２、３は素子電極、６は液滴付与装置、７は液滴、
８は液滴を基板１に付与した後に形成される液状あるい
は固体状の円形の膜（ドット）であり、矢印（ロ）は、
液滴付与装置６の移動方向を示す矢印である。

【００２０】液滴付与装置６としては、任意の液滴を形
成できる装置であればどのような装置でもかまわない
が、特に十数ｎｇ程度から数十ｎｇ程度の範囲で制御が
可能で、且つ数十ｎｇ程度以上の微小量の液滴が容易に
形成できるインクジェット方式の装置がよい。また、液
滴の材料としては、液滴が形成できる状態であればどの
ような状態でもかまわないが、水、溶剤等に前述の金属
等を分散、溶解した、溶液、有機金属溶液等がある。

【００２１】まず、有機溶剤等で充分洗浄し乾燥させた
基板１に、真空蒸着技術およびフォトリソグラフィ技術
を用いて素子電極２、３を形成する。次にこの基板上
に、図１に示すようにドット８を付与する。図１（ａ）
は、ドットを付与する前、図１（ｂ）はドット付与の途
中、図１（ｃ）はドット付与後を表わし、液滴付与装置
６は、図中の矢印（ロ）にそって基板に対して相対的に
移動し、基板上に配置された各素子電極に対して連続的
に液滴の付与を行うことによって、基板上の所定の位置
にドット８を形成する。ここで、基板上に付与されるド
ットの径、膜厚は、基板の表面状態と付与される液滴に
よって決定されるが、基板の表面状態を一定と仮定する
と、付与される液滴によって付与されるドットの径、膜
厚、膜質が決定されるといえる。本発明の方法による
と、液滴付与装置６による液滴の付与を連続的に行うた
め液滴付与装置および液滴付与装置内の液の状態が安定
的に一定となるため、付与される液滴も一定のものとな
り、結果として、複数の素子にわたって均一なドットを
形成することができる。

【００２２】以上の方法で薄膜を付与した後、３００度
から６００度の温度で加熱処理し、溶媒を蒸発させて導
電性薄膜を形成する。形成される導電膜は、加熱処理前
のドットと同様に、各素子にわたって均一なものとな
る。

【００２３】図４の電子放出素子について説明する。電
子放出部５は導電性薄膜４の一部に形成された高抵抗の
亀裂であり、通電フォーミング等により形成される。ま
た亀裂内には数オングストロームから数百オングストロ
ームの粒径の導電性微粒子を有することもある。この導
電性微粒子は導電性薄膜４を構成する物質の少なくとも
一部の元素を含んでいる。また電子放出部５およびその
近傍の導電性薄膜４は炭素あるいは炭素化合物を有する
こともある。

【００２４】通電フォーミングと呼ばれる通電処理は素
子電極２、３間に不図示の電源より通電を行い、導電性
薄膜４を局所的に破壊、変形もしくは変質せしめ、構造
を変化させた部位を形成させるものである。この局所的
に構造変化させた部位が電子放出部５である。通電フォ
ーミングの電圧波形の例を図５に示す。

【００２５】電圧波形は特にパルス波形が好ましく、パ
ルス波高値が一定の電圧パルスを連続的に印加する場合
（図５（ａ））と、パルス波高値を増加させながら、電
圧パルスを印加する場合（図５（ｂ））とがある。まず
パルス波高値が一定電圧とした場合（図５（ａ））につ
いて説明する。

【００２６】図５（ａ）におけるＴ１およびＴ２は電圧
波形のパルス幅とパルス間隔であり、Ｔ１を１マイクロ
秒〜１０ミリ秒、Ｔ２を１０マイクロ秒〜１００ミリ秒
とし、三角波の波高値（通電フォーミング時のピーク電
圧）は表面伝導型電子放出素子の形態に応じて適宜選択
し、適当な真空度、例えば、１０の−５乗ｔｏｒｒ程度
の真空雰囲気下で、数秒から数十分印加する。なお、素
子電極間に印加する波形は三角波に限定することはな
く、矩形波など所望の波形を用いても良い。

【００２７】図５（ｂ）におけるＴ１およびＴ２は、図
５（ａ）と同様であり、三角波の波高値（通電フォーミ
ング時のピーク電圧）は、例えば０．１Ｖステップ程度
づつ増加させ適当な真空雰囲気下で印加する。

【００２８】尚、この場合の通電フォーミング処理はパ
ルス間隔Ｔ２中に、導電性薄膜４を局所的に破壊、変形
しない程度の電圧、例えば０．１Ｖ程度の電圧で素子電
流を測定し、抵抗値を求め、例えば、１Ｍオーム以上の
抵抗を示した時に通電フォーミング終了とする。

【００２９】本実施形態によれば、導電性薄膜４が各素
子にわって均一であるため、通電フォーミング処理も素
子毎のバラツキもなく行うことができ、形成される電子
放出部も素子間のバラツキのないものとなり、さらに
は、電子放出素子として駆動する際にも均一な特性を示
す。

【００３０】次に通電フォーミングが終了した素子に活
性化工程と呼ぶ処理を施すことが望ましい。活性化工程
とは、例えば、１０の−４乗〜１０の−５乗ｔｏｒｒ程
度の真空度で、通電フォーミング同様、パルス波高値が
一定の電圧パルスを繰り返し印加する処理のことであ
り、真空中に存在する有機物質に起因する炭素あるいは
炭素化合物を導電性薄膜４上に堆積させ、素子電流Ｉ
ｆ、放出電流Ｉｅを著しく変化させる処理である。活性
化工程は素子電流Ｉｆと放出電流Ｉｅを測定しながら、
例えば、放出電流Ｉｅが飽和した時点で終了する。また
印加する電圧パルスは動作駆動電圧で行うことが好まし
い。

【００３１】尚、ここで炭素あるいは炭素化合物とは、
グラファイト（単結晶、多結晶双方を指す）、非晶質カ
ーボン（非晶質カーボンおよび多結晶グラファイトとの
混合物を指す）であり、その膜厚は５００オングストロ
ーム以下が好ましく、より好ましくは３００オングスト
ローム以下である。

【００３２】こうして作成した電子放出素子は、通電フ
ォーミング工程、活性化工程における真空度よりも高い
真空度の雰囲気下に置いて動作駆動させるのが良い。ま
た更に高い真空度の雰囲気下で、８０℃〜１５０℃の加
熱後動作駆動させることが望ましい。フォーミング工
程、活性化処理した真空度より高い真空度とは、例えば
約１０の−６乗以上の真空度であり、より好ましくは超
高真空系であり、新たに炭素あるいは炭素化合物が導電
性薄膜４上にほとんど堆積しない真空度である。こうす
ることによって素子電流Ｉｆ、放出電流Ｉｅを安定化さ
せることが可能になる。

【００３３】次に画像形成装置について述べる。画像形
成装置に用いられる電子源基板は複数の表面伝導型電子
放出素子を基板上に配列することにより形成される。表
面伝導型電子放出素子の配列の方式としては、表面伝導
型電子放出素子を並列に配置し、個々の素子の両端を配
線で接続するはしご型配置（以下、はしご型配置電子源
基板という）や、表面伝導型電子放出素子の一対の素子
電極にそれぞれＸ方向配線、Ｙ方向配線を接続した単純
マトリクス配置（以下、マトリクス型配置電子源基板と
いう）があげられる。尚、はしご型配置電子源基板を有
する画像形成装置には電子放出素子からの電子の飛翔を
制御する電極である制御電極（グリッド電極）を必要と
する。

【００３４】以下単純マトリクス配置の電子源の構成に
ついて、図６を用いて説明する。６１は電子源基板、６
２はＸ方向配線、６３はＹ方向配線、６４は表面伝導型
電子放出素子、６５は結線である。電子源基板６１に用
いる基板は前述したガラス基板等であり、用途に応じて
形状が適宜設定される。ｍ本のＸ方向配線６２は、ＤＸ
１、ＤＸ２、・・・・・・ＤＸｍからなり、Ｙ方向配線６３は
ＤＹ１、ＤＹ２、・・・・・・ＤＹｎのｎ本の配線よりなる。
また多数の表面伝導型素子６４にほぼ均等な電圧が供給
されるように材料、膜厚、配線幅が適宜設定される。こ
れらｍ本のＸ方向配線６２とｎ本のＹ方向配線６３間は
不図示の層間絶縁層により電気的に分離されてマトリッ
クス配線を構成する（ｍ，ｎは共に正の整数）。

【００３５】不図示の層間絶縁層はＸ方向配線６２を形
成した基板６１の全面域は一部の所望の領域に形成され
る。Ｘ方向配線６２とＹ方向配線６３はそれぞれ外部端
子として引き出される。更に表面伝導型放出素子６４の
素子電極（不図示）がｍ本のＸ方向配線６２およびｎ本
のＹ方向配線６３と結線６５によって電気的に接続され
ている。また表面伝導型電子放出素子６４は、基板ある
いは不図示の層間絶縁層上のどちらに形成してもよい。

【００３６】また詳しくは後述するが、Ｘ方向配線６２
は、Ｘ方向に配列する表面伝導型放出素子６４の行を入
力信号に応じて走査するための走査信号を印加するため
の不図示の走査信号発生手段と電気的に接続されてい
る。一方、Ｙ方向配線６３は、Ｙ方向に配列する表面伝
導型放出素子６４の各列を入力信号に応じて変調するた
めの変調信号を印加するための不図示の変調信号発生手
段と電気的に接続されている。更に表面伝導型電子放出
素子６４の各素子に印加される駆動電圧は、当該素子に
印加される走査信号と変調信号の差電圧として供給され
るものである。これにより、単純なマトリクス配線だけ
で個別の素子を選択して独立に駆動可能になる。

【００３７】次に、以上のようにして作成した単純マト
リクス配置の電子源を用いた画像形成装置について、図
７、図８および図９を用いて説明する。図７は画像形成
装置の表示パネルの基本構成図であり、図８はこれに用
いられる蛍光膜を示す。図９はＮＴＳＣ方式のテレビ信
号に応じて表示を行うための駆動回路のブロック図を示
すとともに、その駆動回路を含む画像形成装置を表す。

【００３８】図７において、６１は電子放出素子６４を
基板上に作製した電子源基板、７１は電子源基板６１を
固定したリアプレート、７６はガラス基板７３の内面に
蛍光膜７４とメタルバック７５等が形成されたフェース
プレート、７２は支持枠であり、リアプレート７１、支
持枠７２およびフェースプレート７６を、フリットガラ
ス等を塗布し、大気中あるいは窒素中で４００〜５００
度で１０分以上焼成することで封着して外囲器７８を構
成する。５は電子放出素子６４の電子放出部、６２、６
３は各表面伝導型電子放出素子６４の一対の素子電極と
接続されたＸ方向配線およびＹ方向配線である。

【００３９】外囲器７８は、上述の如くフェースプレー
ト７６、支持枠７２、リアプレート７１で構成したが、
リアプレート７１は主に電子源基板６１の強度を補強す
る目的で設けられるため、電子源基板６１自体で十分な
強度を持つ場合は別体のリアプレート７１は不要であ
り、電子源基板６１に直接支持枠７２を封着し、フェー
スプレート７６、支持枠７２、電子源基板６１にて外囲
器７８を構成しても良い。またさらにはフェースプレー
ト７６、リアプレート７１間に、スペーサーとよばれる
耐大気圧支持部材を設置することで大気圧に対して十分
な強度をもつ外囲器７８にすることもできる。

【００４０】図８中８２は蛍光膜７４を構成する蛍光体
である。蛍光体８２はモノクロームの場合は蛍光体のみ
からなるが、カラーの蛍光膜の場合は、蛍光体の配列に
よりブラックストライプあるいはブラックマトリクスな
どと呼ばれる黒色導電材８１とで構成される。ブラック
ストライプ、ブラックマトリクスを設ける目的は、カラ
ー表示の場合、必要となる三原色蛍光体の各蛍光体８２
間の塗り分け部を黒くすることで混色等を目立たなくす
ることと、蛍光膜７４における外光反射によるコントラ
ストの低下を抑制することである。ブラックストライプ
の材料としては、通常良く用いられている黒鉛を主成分
とする材料だけでなく、導電性があり、光の透過および
反射が少ない材料であればこれに限るものではない。

【００４１】ガラス基板７３に蛍光体を塗布する方法と
しては、モノクローム、カラーによらず沈澱法や印刷法
が用いられる。また蛍光膜７４（図７）の内面側には通
常、メタルバック７５（図７）が設けられる。メタルバ
ック７５は、蛍光体の発光のうち内面側への光をフェー
スプレート７６側へ鏡面反射することにより輝度を向上
すること、電子ビーム加速電圧を印加するための電極と
して作用すること、外囲器内で発生した負イオンの衝突
によるダメージからの蛍光体の保護等の役割を有する。
メタルバック７５は蛍光膜７４の作製後、蛍光膜７４の
内面側表面の平滑化処理（通常、フィルミングと呼ばれ
る）を行い、その後Ａｌを真空蒸着等で堆積することで
作製できる。

【００４２】フェースプレート７６には、更に蛍光膜７
４の導電性を高めるため、蛍光膜７４の外面側に透明電
極（不図示）を設けてもよい。前述の封着を行う際、カ
ラーの場合は各色蛍光体と電子放出素子とを対応させな
くてはならず、十分な位置合わせを行う必要がある。

【００４３】外囲器７８は不図示の排気管を通じ、１０
^-7ｔｏｒｒ程度の真空度にされ、封止が行なわれる。ま
た外囲器７８の封止後の真空度を維持するためにゲッタ
ー処理を行う場合もある。これは外囲器７８の封止を行
う直前あるいは封止後に抵抗加熱あるいは高周波加熱等
の加熱法により、外囲器７８内の所定の位置（不図示）
に配置されたゲッターを加熱し、蒸着膜を形成する処理
である。ゲッターは通常Ｂａ等が主成分であり、該蒸着
膜の吸着作用により、例えば１×１０^-5ｔｏｒｒないし
１×１０^-7ｔｏｒｒの真空度を維持するものである。
尚、表面伝導型電子放出素子の通電フォーミング以降の
工程は適宜設定される。

【００４４】次に、単純マトリクス配置型基板を有する
電子源を用いて構成したこの表示パネルを駆動してＮＴ
ＳＣ方式のテレビ信号に基づきテレビジョン表示を行う
ための駆動回路の概略構成を図９を用いて説明する。９
１は前記表示パネル、９２は走査回路、９３は制御回
路、９４はシフトレジスタ、９５はラインメモリ、９６
は同期信号分離回路、９７は変調信号発生器、Ｖｘおよ
びＶａは直流電圧源である。

【００４５】以下、各部の機能を説明するが、まず表示
パネル９１は端子Ｄｏｘ１ないしＤｏｘｍおよび端子Ｄ
ｏｙ１ないしＤｏｙｎおよび高圧端子Ｈｖを介して外部
の電気回路と接続している。このうち端子Ｄｏｘ１ない
しＤｏｘｍには表示パネル９１内に設けられている電子
源、すなわちＭ行Ｎ列の行列状にマトリクス配線された
表面伝導型電子放出素子群を一行（Ｎ素子）ずつ順次駆
動してゆくための走査信号が印加される。一方、端子Ｄ
ｏｙ１ないしＤｏｙｎには前記走査信号により選択され
た一行の表面伝導型電子放出素子の各素子の出力電子ビ
ームを制御するための変調信号が印加される。また高圧
端子Ｈｖには直流電圧源Ｖａより、例えば１０Ｋ［Ｖ］
の直流電圧が供給されるが、これは表面伝導型電子放出
素子より出力される電子ビームに蛍光体を励起するのに
十分なエネルギーを付与するための加速電圧である。

【００４６】次に走査回路９２について説明する。同回
路は内部にＭ個のスイッチング素子を備えるもので（図
中、Ｓ１ないしＳｍで模式的に示している）、各スイッ
チング素子は直流電圧源Ｖｘの出力電圧もしくは０
［Ｖ］（グランドレベル）のいずれか一方を選択し、表
示パネル９１の端子Ｄｏｘ１ないしＤｏｘｍと電気的に
接続するものである。Ｓ１ないしＳｍの各スイッチング
素子は制御回路９３が出力する制御信号Ｔｓｃａｎに基
づいて動作するものだが、実際には例えばＦＥＴのよう
なスイッチング素子を組み合わせることにより構成する
ことが可能である。なお、前記直流電圧源Ｖｘは前記表
面伝導型電子放出素子の特性（電子放出しきい値電圧）
に基づき走査されていない素子に印加される駆動電圧が
電子放出しきい値電圧以下となるような一定電圧を出力
するよう設定されている。

【００４７】また制御回路９３は、外部より入力する画
像信号に基づいて適切な表示が行われるように各部の動
作を整合させる働きをもつものである。次に説明する同
期信号分離回路９６より送られる同期信号Ｔｓｙｎｃに
基づいて各部に対してＴｓｃａｎ、ＴｓｆｔおよびＴｍ
ｒｙの各制御信号を発生する。

【００４８】同期信号分離回路９６は、外部から入力さ
れるＮＴＳＣ方式のテレビ信号から同期信号成分と輝度
信号成分とを分離するための回路であり、周波数分離
（フィルター）回路を用いれば構成できるものである。
同期信号分離回路９６により分離された同期信号は良く
知られるように垂直同期信号と水平同期信号よりなる
が、ここでは説明の便宜上Ｔｓｙｎｃ信号として図示し
た。一方、前記テレビ信号から分離された画像の輝度信
号成分を便宜上ＤＡＴＡ信号と表すが、同信号はシフト
レジスタ９４に入力される。

【００４９】シフトレジスタ９４は時系列的にシリアル
に入力される前記ＤＡＴＡ信号を画像の１ライン毎にシ
リアル／パラレル変換するためのものであり、制御回路
９３より送られる制御信号Ｔｓｆｔに基づいて動作す
る。すなわち制御信号Ｔｓｆｔは、シフトレジスタ９４
のシフトクロックであると言い換えても良い。シリアル
／パラレル変換された画像１ライン分（電子放出素子Ｎ
素子分の駆動データに相当する）のデータはＩｄ１ない
しＩｄｎのＮ個の並列信号としてシフトレジスタ９４よ
り出力される。

【００５０】ラインメモリ９５は画像１ライン分のデー
タを必要時間の間だけ記憶するための記憶装置であり、
制御回路９３より送られる制御信号Ｔｍｒｙにしたがっ
て適宜Ｉｄ１ないしＩｄｎの内容を記憶する。記憶され
た内容はＩｄ１ないしＩｄｎとして出力され変調信号発
生器９７に入力される。

【００５１】変調信号発生器９７は前記画像データＩｄ
１ないしＩｄｎの各々に応じて表面伝導型電子放出素子
の各々を適切に駆動変調するための信号源であり、その
出力信号は端子Ｄｏｙ１ないしＤｏｙｎを通じて表示パ
ネル９１内の表面伝導型電子放出素子に印加される。

【００５２】前述したように本発明に関わる電子放出素
子は放出電流Ｉｅに対して以下の基本特性を有してい
る。すなわち前述したように電子放出には明確なしきい
値電圧Ｖｔｈがあり、Ｖｔｈ以上の電圧を印加された時
のみ電子放出が生じる。また電子放出しきい値以上の電
圧に対しては素子への印加電圧の変化に応じて放出電流
も変化してゆく。尚、電子放出素子の材料や構成、製造
方法を変えることにより電子放出しきい値電圧Ｖｔｈの
値や印加電圧に対する放出電流の変化の度合いが変わる
場合もあるが、いずれにしても以下のようなことがいえ
る。

【００５３】すなわち、本素子にパルス状の電圧を印加
する場合、例えば電子放出しきい値以下の電圧を印加し
ても電子放出は生じないが電子放出しきい値以上の電圧
を印加する場合には電子ビームが出力される。その際、
第一にはパルスの波高値Ｖｍを変化させることにより出
力電子ビームの強度を制御することが可能である。第二
には、パルスの幅Ｐｗを変化させることにより出力され
る電子ビームの電荷の総量を制御することが可能であ
る。

【００５４】したがって、入力信号に応じて電子放出素
子を変調する方式としては、電圧変調方式、パルス幅変
調方式等があげられ、電圧変調方式を実施するには、変
調信号発生器９７として、一定の長さの電圧パルスを発
生するが入力されるデータに応じて適宜パルスの波高値
を変調するような電圧変調方式の回路を用いる。またパ
ルス幅変調方式を実施するには、変調信号発生器９７と
しては、一定の波高値の電圧パルスを発生するが、入力
されるデータに応じて適宜電圧パルスの幅を変調するよ
うなパルス幅変調方式の回路を用いる。

【００５５】以上に説明した一連の動作により、画像表
示装置は表示パネル９１を用いてテレビジョンの表示を
行える。なお、上記説明中特に記載しなかったが、シフ
トレジスタ９４やラインメモリ９５はデジタル信号式の
ものでもアナログ信号式のものでも差し支えなく、要は
画像信号のシリアル／パラレル変換や記憶が所定の速度
で行われればよい。

【００５６】デジタル信号式のものを用いる場合には、
同期信号分離回路９６の出力信号ＤＡＴＡをデジタル信
号化する必要があるが、これは同期信号分離回路９６の
出力部にＡ／Ｄ変換器を備えれば可能である。また、こ
れと関連してラインメモリ９５の出力信号がデジタル信
号かアナログ信号かにより、変調信号発生器９７に用い
られる回路が若干異なったものとなる。

【００５７】まずデジタル信号の場合について述べる。
電圧変調方式においては変調信号発生器９７には、例え
ばよく知られるＤ／Ａ変換回路を用い、必要に応じて増
幅回路などを付け加えればよい。またパルス幅変調方式
の場合、変調信号発生器９７は、例えば高速の発振器、
発振器が出力する波数を計数する計数器（カウンタ）、
および計数器の出力値とラインメモリ９５の出力値を比
較する比較器（コンパレータ）を組み合せた回路を用い
ることにより構成できる。必要に応じて比較器の出力す
るパルス幅変調された変調信号を表面伝導型電子放出素
子の駆動電圧にまで電圧増幅するための増幅器を付け加
えてもよい。

【００５８】次にアナログ信号の場合について述べる。
電圧変調方式においては変調信号発生器９７には、例え
ばよく知られるオペアンプなどを用いた増幅回路を用い
ればよく、必要に応じてレベルシフト回路などを付け加
えてもよい。またパルス幅変調方式の場合には例えばよ
く知られた電圧制御型発振回路（ＶＣＯ）を用いればよ
く、必要に応じて表面伝導型電子放出素子の駆動電圧に
まで電圧増幅するための増幅器を付け加えてもよい。

【００５９】以上のような構成を有する画像表示装置に
おいて、表示パネル９１の各電子放出素子には、容器外
端子Ｄｏｘ１ないしＤｏｘｍ，Ｄｏｙ１ないしＤｏｙｎ
を通じ、電圧を印加することにより、電子放出させると
ともに、高圧端子Ｈｖを通じ、メタルバック７５あるい
は透明電極（不図示）に高圧を印加して電子ビームを加
速し、蛍光膜８４に衝突させ、励起・発光させることで
画像を表示することができる。

【００６０】以上述べた構成は、表示等に用いられる好
適な画像形成装置を作製する上で必要な概略構成であ
り、例えば各部材の材料等、詳細な部分は上述内容に限
られるものではなく、画像形成装置の用途に適するよう
適宜選択する。また、入力信号例として、ＮＴＳＣ方式
をあげたが、これに限るものでなく、ＰＡＬ、ＳＥＣＡ
Ｍ方式などの諸方式でもよく、また、これよりも、多数
の走査線からなるＴＶ信号（例えば、ＭＵＳＥ方式をは
じめとする高品位ＴＶ）方式でもよい。

【００６１】次に、前述のはしご型配置電子源基板およ
びそれを用いた画像表示装置について図１０、図１１を
用いて説明する。

【００６２】図１０において、１０１は電子源基板、１
０２は電子放出素子、１０３のＤｘ１〜Ｄｘ１０は電子
放出素子１１０に接続した共通配線である。電子放出素
子１０１は、基板１０１上に、Ｘ方向に並列に複数個配
置される。これを素子行と呼ぶ。この素子行を複数個基
板上に配置し、はしご型電子源基板が構成される。各素
子行の共通配線間に適宜駆動電圧を印加することで、各
素子行を独立に駆動することが可能になる。すなわち、
電子ビームを放出させる素子行には、電子放出しきい値
以上の電圧を印加し、電子ビームを放出させない素子行
には電子放出しきい値以下の電圧を印加すればよい。ま
た、各素子行間の共通配線Ｄｘ２〜Ｄｘ９、例えばＤｘ
２、Ｄｘ３を同一配線とするようにしても良い。

【００６３】図１１はこのようなはしご型配置の電子源
を備えた画像形成装置の構造を示す。１１１はグリッド
電極、１１２は電子が通過するための空孔、１１３は、
Ｄｏｘ１、Ｄｏｘ２・・・・・・Ｄｏｘｍよりなる容器外端
子、１１４はグリッド電極１１１と接続されたＧ１、Ｇ
２、・・・・・・Ｇｎからなる容器外端子、１１５は前述のよ
うに各素子行間の共通配線を同一配線とした電子源基板
である。尚、図７、１０と同一の符号は同一の部材を示
す。前述の単純マトリクス配置の画像形成装置（図７）
との違いは、電子源基板１１５とフェースプレート７６
の間にグリッド電極１１１を備えていることである。

【００６４】グリッド電極１１１は、表面伝導型放出素
子から放出された電子ビームを変調することができるも
ので、はしご型配置の素子行と直交して設けられたスト
ライプ状の電極に電子ビームを通過させるため、各素子
１０２に対応して１個ずつ円形の開口１１２が設けられ
ている。グリッドの形状や設置位置は必ずしも図１１の
ようなものでなくともよく、開口としてメッシュ状に多
数の通過口を設けることもあり、また例えば表面伝導型
放出素子１０２の周囲や近傍に設けてもよい。容器外端
子１１３およびグリッド容器外端子１１４は、不図示の
制御回路と電気的に接続されている。

【００６５】本画像形成装置では素子行を１列ずつ順次
駆動（走査）していくのと同期してグリッド電極列に画
像１ライン分の変調信号を同時に印加することにより、
各電子ビームの蛍光体への照射を制御し、画像を１ライ
ンずつ表示することができる。

【００６６】これによればテレビジョン放送の表示装置
のみならずテレビ会議システム、コンピュータ等の表示
装置に適した画像形成装置を提供することができる。さ
らには感光性ドラム等で構成された光プリンタとしての
画像形成装置としても用いることもできる。

【００６７】またかかる画像形成装置は、電子放出素子
として表面伝導型電子放出素子ばかりでなく、ＭＩＭ型
電子放出素子、電界放出型電子放出素子等を用いた冷陰
極電子源にも適用可能である。更には熱電子源による画
像表示装置にも適用することができる。

【００６８】

【実施例】

［実施例１］次の〜の工程を経て、素子電極を基板
上に形成し、図１に示したような方法で液滴の付与を行
い、表面伝導型電子放出素子を作製した。図３はその製
造方法を示す図である。

【００６９】絶縁基板１として石英基板を用い、これ
を有機溶剤等により充分に洗浄後、１２０℃で乾燥させ
た。

【００７０】基板１上に一般的な真空成膜技術および
フォトリソグラフィ技術を用いてＮｉからなる素子電極
２、３を形成した（図３（ａ））。このとき、素子電極
２、３間の間隔Ｌは２μｍ、素子電極２、３の幅Ｗを６
００μｍ、その厚さを１０００Åとした。

【００７１】次に液滴付与装置６として圧電素子を用
いたインクジェット噴射装置を用い、素子電極２、３間
に図１に示すように有機パラジウム含有溶液（酢酸パラ
ジウム−エタノールアミン錯体水溶液（２０ｗｔ％））
の液滴を付与しドットを形成した。液滴の付与に際して
は、液滴付与装置６を、図中の矢印（ロ）にそって基板
１に対して相対的に移動し、基板１上に配置された各素
子電極２、３対に対して連続的に液滴の付与を行い、基
板１上の所定の位置にドット８を形成した。各素子に形
成されたドット８は、素子ごとのバラツキもなく均一な
ものであった。液滴の付与は０．０１ｓｅｃに１回行っ
たが、本実施例において使用したインクと液滴付与装置
においては、液滴を付与する間隔が２５ｍ以下であれ
ば、液滴の付与を安定して行うことができた。

【００７２】次に３００℃で１０ｍｉｎの加熱処理を
して酸化パラジウム（ＰｄＯ）微粒子からなる微粒子膜
を形成し薄膜４とした。

【００７３】次に電極２、３の間に電圧を印加し、薄
膜４を通電処理（フォーミング処理）することにより、
電子放出部５を形成した。

【００７４】以上のような方法で作製した電子源基板で
は薄膜４、電子放出部５の素子毎のバラツキもなく、電
子放出素子の素子特性の均一性が良好であった。こうし
て作製された電子源基板を用いて、前述のフェースプレ
ート、支持枠、リアプレートとで外囲器を形成し封止を
行い、表示パネルを作製したところ、輝度むらや欠陥が
少なく、また薄膜４のパターニングが省略できることか
らコストを抑えることができた。

【００７５】［実施例２］次の〜の工程を経て、マ
トリクス状に配線された素子電極を基板上に形成し、表
面伝導型電子放出素子を作製した。図１２は、本実施例
を説明するための模式図である。

【００７６】絶縁基板１として石英基板を用い、これ
を有機溶剤等により充分に洗浄した後、１２０℃で乾燥
させた。

【００７７】基板１上に、一般的な真空成膜技術およ
びフォトリソグラフィ技術を用いてＮｉからなる素子電
極２、３を形成した。このとき、素子電極２、３間の間
隔は２μｍ、素子電極２、３の幅を６００μｍ、その厚
さを１０００Åとした。

【００７８】次に、素子電極２、３が形成された基板
１上に、一般的な真空成膜技術およびフォトリソグラフ
ィ技術を用いてＡｌからなる下配線１２２、ＳｉＯ₂ か
らなる絶縁層１２６、Ａｌからなる上配線１２３を順に
形成した。

【００７９】次に液滴付与装置６として熱的エネルギ
ーの付与により気泡を発生させ液滴を吐出させる方式を
用いたインクジェット装置を用い、素子電極２、３間に
有機パラジウム含有溶液（酢酸パラジウム−エタノール
アミン錯体水溶液（２ｗｔ％））の液滴を付与し、ドッ
トを形成した。液滴の付与に際しては、液滴付与装置６
は、図中の矢印（ハ）にそって基板１に対して相対的に
移動し、基板１上に配置された各素子電極２、３対に対
して連続的に液滴の付与を行い、各素子電極２、３上の
所定の位置にドットを形成した。各素子に形成されたド
ットは素子ごとのバラツキのない均一なものであった。

【００８０】次に３００℃で１０ｍｉｎの加熱処理を
して酸化パラジウム（ＰｄＯ）微粒子からなる微粒子膜
を形成し薄膜４とした。

【００８１】次に電極２、３の間に電圧を印加し、薄
膜４を通電処理（フォーミング処理）することにより、
電子放出部５を形成した。

【００８２】こうして作製した電子源基板を用いて、前
述のフェースプレート、支持枠、リアプレートとで外囲
器を形成し、封止を行い、表示パネル、さらにはテレビ
ジョン表示を行うための駆動回路を有する画像形成装置
を作製したところ、輝度むらや欠陥が少なく、また薄膜
４のパターニングが省略できることから、コストを抑え
ることができた。

【００８３】また本実施例と同様の方法で液滴の付与を
図１３の矢印（ニ）にそって行なった場合も同様の効果
を得ることができた。

【００８４】［実施例３］素子電極幅（Ｗ１）を６００
μｍ、素子電極間隔（Ｌ）を２μｍ、素子電極の厚さを
１０００Åに形成した、はしご状に配せん１４２によっ
て配線された素子電極２、３を有する図１４に示す基板
１を用い、実施例２と同様な方法で表面伝導型電子放出
素子を作製した。得られた電子源基板を用いて、実施例
２と同様に、フェースプレート、支持枠、リアプレート
とで外周器を形成し、封止を行い表示パネル、さらには
ＮＴＳＣ方式のテレビ信号に基づきテレビジョン表示を
行うための駆動回路を有する画像形成装置を作製した。
実施例２と同様な効果を得ることができた。

【００８５】［実施例４］図１５は本発明の第４の実施
例を説明するための模式図である。本実施例では、第２
の実施例の〜と同様の方法で素子電極およびマトリ
クス配線を形成した基板を用いた。

【００８６】そして、液滴付与装置６として熱的エネ
ルギーの付与により気泡を発生させ液滴を吐出させる方
式を用いたインクジェット装置を用い素子電極２、３間
に有機パラジウム含有溶液（酢酸パラジウム−エタノー
ルアミン錯体水溶液（２ｗｔ％））の液滴を付与しドッ
トを形成した。液滴の付与に際しては、液滴付与装置６
は、図中の矢印（ホ）にそって基板１に対して相対的に
移動し、基板１上に配置された各素子電極２、３対に対
して連続的に液滴の付与を行い、同一の素子電極２、３
対に対して２回液滴の付与を行い、所定の位置にドット
を形成した。各素子に形成されたドットは素子ごとのバ
ラツキのない均一なものであった。

【００８７】次に３００℃で１０ｍｉｎの加熱処理を
して酸化パラジウム（ＰｄＯ）微粒子からなる微粒子膜
を形成し薄膜４とした。

【００８８】次に電極２、３の間に電圧を印加し、薄
膜４を通電処理（フォーミング処理）することにより、
電子放出部５を形成した。

【００８９】こうして作製された電子源基板を用いて、
前述のフェースプレート、支持枠、リアプレートとで外
囲器を形成し、封止を行い、表示パネル、さらにはテレ
ビジョン表示を行うための駆動回路を有する画像形成装
置を作製したところ、輝度むらや欠陥が少なく、また薄
膜４のパターニングが省略できることから、コストを抑
えることができた。

【００９０】また、本実施例と同様の方法で、各素子電
極に対して３回以上の液滴の付与を行った場合でも、同
様の効果を得ることができた。

【００９１】［実施例５］本実施例では、液滴の付与時
に基板１を２ブロックの領域分け、２つの液滴付与装置
を用いてそれぞれの領域において連続的に液滴を付与し
た。これ以外は、第２の実施例と同様である。本実施例
においても第２の実施例とほぼ同様の効果を得ることが
できた。

【００９２】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、イ
ンクジェット方式または熱的エネルギーの付与により気
泡を発生させ液滴を吐出させる方式の液滴付与手段を用
い、付与される液滴の状態が有意の変化を生じることな
く均一な液滴を付与し得る程度に十分短い時間間隔で行
うようにしたため、定コストでかつ容易に大面積の基板
上に均一性に優れた電子放出素子群、これを有する電子
源基板等を形成することができる。したがって、輝度む
らや欠陥が少なく、低コストの表示パネル、画像形成装
置などを作成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の基本的な表面伝導型電子放出素子の
製造方法を示す図である。

【図２】 図１（ｂ）の（イ）における断面図である。

【図３】 本発明の一実施形態に係る基本的な表面伝導
型電子放出素子の製造方法を示す模式的断面図である。

【図４】 本発明の一実施形態に係る基本的な表面伝導
型電子放出素子の構成図である。

【図５】 本発明に適用しうる通電フォーミングの電圧
波形例を示す図である。

【図６】 本発明を適用しうる単純マトリクス配置の電
子源を示す図である。

【図７】 本発明を適用しうる画像形成装置の表示パネ
ルの概略構成図である。

【図８】 図７の表示パネルの蛍光膜を示す図である。

【図９】 ＮＴＳＣ方式のテレビ信号に応じて図７の表
示パネルの表示を行うための駆動回路およびその駆動回
路を有する画像表示装置のブロック図である。

【図１０】 本発明を適用しうる梯子配置の電子源を示
す図である。

【図１１】 本発明を適用しうる他の画像形成装置の表
示パネルの概略構成図である。

【図１２】 液滴の付与パターンを説明するための図で
ある。

【図１３】 液滴の他の付与パターンを説明するための
図である。

【図１４】 本発明を適用しうるはしご状配線と素子電
極を有する基板を示す図である。

【図１５】 液滴の他の付与パターンを説明するための
図である。

【図１６】 従来の電子放出素子を示す図である。

【図１７】 従来の他の電子放出素子の構成図である。

【符号の説明】

１：基板、２，３：素子電極、４：導電性薄膜、５：電
子放出部、６：液滴付与装置、７：液滴、８：ドット、
６１：電子源基板、６２：Ｘ方向配線、６３：Ｙ方向配
線、６４：表面伝導型電子放出素子、６５：結線、７
１：リアプレート、７２：支持枠、７３：ガラス基板、
７４：蛍光膜、７５：メタルバック、７６：フェースプ
レート、７７：高圧端子、７８：外囲器、８１：黒色導
電材、８２：蛍光体、８３：ガラス基板、９１：表示パ
ネル、９２：走査回路、９３：制御回路、９４：シフト
レジスタ、９５：ラインメモリ、９６：同期信号分離回
路、９７：変調信号発生器、１０１：電子源基板、１０
２：電子放出素子、１０３：Ｄｘ１〜Ｄｘ１０は電子放
出素子を配線するための共通配線、１１１：グリッド電
極、１１２：電子が通過するため空孔、１１３：Ｄｏｘ
１，Ｄｏｘ２，．．．，Ｄｏｘｍよりなる容器外端子、
１１４：グリッド電極１１１と接続されたＧ１，Ｇ
２，．．．，Ｇｎからなる容器外端子、１１５：電子源
基板、１２２：下配線、１２３：上配線、１２６：絶縁
層、１４２：配線、ＶｘおよびＶａ：直流電圧源。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 多数対が配列された素子電極の各対の素
   子電極間に、導電膜を形成するための材料の溶液を液滴
   の状態で付与して導電膜を形成し、そしてこの導電膜に
   電子放出部を形成する電子放出素子の製造方法におい
   て、各液滴の付与は、インクジェット方式の液滴付与手
   段を用い、付与される液滴の状態が有意の変化を生じる
   ことなく均一な液滴を付与し得る程度に十分短い時間間
   隔で行うことを特徴とする電子放出素子の製造方法。
2. 【請求項２】 前記インクジェット方式の液滴付与手段
   として、熱的エネルギーの付与により気泡を発生させ液
   滴を吐出させる方式の液滴付与手段を用いることを特徴
   とする請求項１記載の電子放出素子の製造方法。
3. 【請求項３】 液滴は、各対の素子電極間に対し、１滴
   ずつ順次に付与することを特徴とする請求項１または２
   記載の電子放出素子の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項１〜３いずれかの電子放出素子の
   製造方法を用いることを特徴とする電子源基板の製造方
   法。
5. 【請求項５】 請求項１〜３いずれかの電子放出素子の
   製造方法を用いることを特徴とする電子源の製造方法。
6. 【請求項６】 請求項１〜３いずれかの電子放出素子の
   製造方法を用いることを特徴とする表示パネルの製造方
   法。
7. 【請求項７】 請求項１〜３いずれかの電子放出素子の
   製造方法を用いることを特徴とする画像形成装置の製造
   方法。