JPH09219347A - 半導体プロセスの管理方法及びその管理装置 - Google Patents
半導体プロセスの管理方法及びその管理装置Info
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- JPH09219347A JPH09219347A JP2368696A JP2368696A JPH09219347A JP H09219347 A JPH09219347 A JP H09219347A JP 2368696 A JP2368696 A JP 2368696A JP 2368696 A JP2368696 A JP 2368696A JP H09219347 A JPH09219347 A JP H09219347A
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Management, Administration, Business Operations System, And Electronic Commerce (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体製造装置の装置状態を示す各パラメー
タの管理基準を最適な値に設定できるようにすると共
に、デバイス特性に不良箇所が発生した場合に、不良要
因となった製造装置を複数の製造装置の中から容易に抽
出でき、且つ、容易に解析できるようにすることを目的
とする。 【解決手段】 半導体プロセスの管理装置は、半導体製
造装置１１の状態を示す装置状態データ１２を記憶装置
１７に記憶する手段と、半導体製造装置１１により処理
された半導体デバイスの歩留まりや電気特性等の製品デ
ータ１４を記憶装置１７に記憶する手段と、該半導体デ
バイスが処理された時刻を基準にして装置状態データ１
２と製品データ１４との相関関係を求める手段とを備え
ている。
タの管理基準を最適な値に設定できるようにすると共
に、デバイス特性に不良箇所が発生した場合に、不良要
因となった製造装置を複数の製造装置の中から容易に抽
出でき、且つ、容易に解析できるようにすることを目的
とする。 【解決手段】 半導体プロセスの管理装置は、半導体製
造装置１１の状態を示す装置状態データ１２を記憶装置
１７に記憶する手段と、半導体製造装置１１により処理
された半導体デバイスの歩留まりや電気特性等の製品デ
ータ１４を記憶装置１７に記憶する手段と、該半導体デ
バイスが処理された時刻を基準にして装置状態データ１
２と製品データ１４との相関関係を求める手段とを備え
ている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体プロセスの
管理方法及び半導体プロセスの管理装置に関する。
管理方法及び半導体プロセスの管理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスは、１００工程以上も有
する半導体プロセスを経て製造され、また、複数の複雑
な半導体製造装置を用いて製造される。そのため、各製
造装置の状態を示すパラメータと各製造装置を用いて製
造されたデバイスの特性との関係は明確には求められて
いないものが多数ある。
する半導体プロセスを経て製造され、また、複数の複雑
な半導体製造装置を用いて製造される。そのため、各製
造装置の状態を示すパラメータと各製造装置を用いて製
造されたデバイスの特性との関係は明確には求められて
いないものが多数ある。
【０００３】半導体プロセスは、製造されたデバイスの
歩留まりが良くなるように、常に各工程を厳密に管理し
なければならない。
歩留まりが良くなるように、常に各工程を厳密に管理し
なければならない。
【０００４】以下、従来の半導体プロセスの管理方法を
図面を参照しながら説明する。
図面を参照しながら説明する。
【０００５】図４は従来の半導体プロセスの管理装置及
び管理データの流れを示す概略図である。図４におい
て、５１は半導体製造装置、５２は半導体製造装置５１
の状態を示す装置状態データ、５３は装置状態データ５
２を格納する装置状態データベース、５４は半導体製造
装置５１を用いて処理された半導体デバイスの電気特性
を測定する電気特性測定装置、５５は電気特性測定装置
５４により得られたデバイス特性データ、５６はデバイ
ス特性データ５５を格納するデバイス特性データベース
である。
び管理データの流れを示す概略図である。図４におい
て、５１は半導体製造装置、５２は半導体製造装置５１
の状態を示す装置状態データ、５３は装置状態データ５
２を格納する装置状態データベース、５４は半導体製造
装置５１を用いて処理された半導体デバイスの電気特性
を測定する電気特性測定装置、５５は電気特性測定装置
５４により得られたデバイス特性データ、５６はデバイ
ス特性データ５５を格納するデバイス特性データベース
である。
【０００６】従来の半導体プロセスの管理装置を用いた
管理方法は、装置状態データ５２とデバイス特性データ
５５とをそれぞれのデータベース５３及び５５に格納し
ており、個々のデータ単独での変動を抽出していた。例
えば、図５に示すように、ある製造装置の真空度が時間
的にどのように変化するかを調べ、異常が発見された場
合に該製造装置の修理を行なうという方法を用いてい
た。デバイス特性データ５５に関しても同様に、デバイ
ス特性の値が過去の値と比べて大きな変化がないかを日
々管理していた。また、デバイス特性は過去の実験結果
等に基づいた明確な規格が設定されている場合があり、
その規格をはずれた場合に、異常が発生したものとみな
して調査又は対策を行なうという方法を用いてきた。
管理方法は、装置状態データ５２とデバイス特性データ
５５とをそれぞれのデータベース５３及び５５に格納し
ており、個々のデータ単独での変動を抽出していた。例
えば、図５に示すように、ある製造装置の真空度が時間
的にどのように変化するかを調べ、異常が発見された場
合に該製造装置の修理を行なうという方法を用いてい
た。デバイス特性データ５５に関しても同様に、デバイ
ス特性の値が過去の値と比べて大きな変化がないかを日
々管理していた。また、デバイス特性は過去の実験結果
等に基づいた明確な規格が設定されている場合があり、
その規格をはずれた場合に、異常が発生したものとみな
して調査又は対策を行なうという方法を用いてきた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の半導体プロセスの管理方法は、各パラメータがデバ
イスのそれぞれの特性に及ぼす影響が明確になっている
場合には問題はないが、大部分のパラメータ同士の相関
が明確ではなく、管理すべき範囲が最適であるか否かは
不明である。従って、ある管理基準に基づいて各パラメ
ータを管理していても、デバイスの特性が劣化するとい
う問題が生じる。また、デバイス特性の変動が生じて規
格外の特性値が発生した場合に、原因を調べるには膨大
な時間と高度な技術とを要するという問題を有してい
た。
来の半導体プロセスの管理方法は、各パラメータがデバ
イスのそれぞれの特性に及ぼす影響が明確になっている
場合には問題はないが、大部分のパラメータ同士の相関
が明確ではなく、管理すべき範囲が最適であるか否かは
不明である。従って、ある管理基準に基づいて各パラメ
ータを管理していても、デバイスの特性が劣化するとい
う問題が生じる。また、デバイス特性の変動が生じて規
格外の特性値が発生した場合に、原因を調べるには膨大
な時間と高度な技術とを要するという問題を有してい
た。
【０００８】本発明は前記従来の問題を一挙に解決し、
半導体製造装置の状態を示す各パラメータの管理基準を
最適な値に設定できるようにすると共に、デバイスの特
性に不良箇所が発生した場合に、不良要因となった装置
を複数の装置の中から容易に抽出でき、且つ、容易に解
析できるようにすることを目的とする。
半導体製造装置の状態を示す各パラメータの管理基準を
最適な値に設定できるようにすると共に、デバイスの特
性に不良箇所が発生した場合に、不良要因となった装置
を複数の装置の中から容易に抽出でき、且つ、容易に解
析できるようにすることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、請求項１の発明が講じた解決手段は、半導体プロセ
スの管理方法を、半導体デバイスを処理する半導体製造
装置の所定時間ごとの状態を示す装置状態データを記憶
する工程と、前記半導体製造装置により処理された半導
体デバイスの歩留まりや電気特性等の製品データを記憶
する工程と、前記半導体デバイスが処理された時刻を基
準にして前記装置状態データと前記製品データとの相関
関係を求める工程とを備えている構成とするものであ
る。
め、請求項１の発明が講じた解決手段は、半導体プロセ
スの管理方法を、半導体デバイスを処理する半導体製造
装置の所定時間ごとの状態を示す装置状態データを記憶
する工程と、前記半導体製造装置により処理された半導
体デバイスの歩留まりや電気特性等の製品データを記憶
する工程と、前記半導体デバイスが処理された時刻を基
準にして前記装置状態データと前記製品データとの相関
関係を求める工程とを備えている構成とするものであ
る。
【００１０】請求項１の構成により、半導体デバイスが
処理された時刻を基準にして装置状態データと製品デー
タとの相関関係が求められているため、各製造装置の状
態を示すパラメータのうちデバイスの特性との因果関係
が技術的に明確になっていないパラメータについても、
統計的に相関を明確にすることができるので、各製造装
置に対して管理すべき範囲を明確にすることができる。
処理された時刻を基準にして装置状態データと製品デー
タとの相関関係が求められているため、各製造装置の状
態を示すパラメータのうちデバイスの特性との因果関係
が技術的に明確になっていないパラメータについても、
統計的に相関を明確にすることができるので、各製造装
置に対して管理すべき範囲を明確にすることができる。
【００１１】また、デバイスの特性に不良箇所が発生し
た場合にも、記録されている製品データと不良発生時点
での装置状態データとを比較することにより、容易に原
因を究明することができる。
た場合にも、記録されている製品データと不良発生時点
での装置状態データとを比較することにより、容易に原
因を究明することができる。
【００１２】請求項２の発明は、請求項１の構成に、前
記相関関係に基づいて前記半導体製造装置の状態を制御
する工程をさらに備えている構成を付加するものであ
る。
記相関関係に基づいて前記半導体製造装置の状態を制御
する工程をさらに備えている構成を付加するものであ
る。
【００１３】請求項３の発明は、請求項１の構成に、前
記半導体デバイスに不良箇所が発生した際に、前記相関
関係に基づいて不良原因を解析する工程をさらに備えて
いる構成を付加するものである。
記半導体デバイスに不良箇所が発生した際に、前記相関
関係に基づいて不良原因を解析する工程をさらに備えて
いる構成を付加するものである。
【００１４】請求項４の発明は、半導体プロセスの管理
装置を、半導体デバイスを処理する半導体製造装置の所
定時間ごとの状態を示す装置状態データを記憶する手段
と、前記半導体製造装置により処理された半導体デバイ
スの歩留まりや電気特性等の製品データを記憶する手段
と、前記半導体デバイスが処理された時刻を基準にして
前記装置状態データと前記製品データとの相関関係を求
める手段とを備えている構成とするものである。
装置を、半導体デバイスを処理する半導体製造装置の所
定時間ごとの状態を示す装置状態データを記憶する手段
と、前記半導体製造装置により処理された半導体デバイ
スの歩留まりや電気特性等の製品データを記憶する手段
と、前記半導体デバイスが処理された時刻を基準にして
前記装置状態データと前記製品データとの相関関係を求
める手段とを備えている構成とするものである。
【００１５】請求項４の構成により、半導体デバイスが
処理された時刻を基準にして装置状態データと製品デー
タとの相関関係が求められているため、各製造装置の状
態を示すパラメータのうちデバイスの特性との因果関係
が技術的に明確になっていないパラメータについても、
統計的に相関を明確にすることができるので、各製造装
置に対して管理すべき範囲を明確にすることができる。
処理された時刻を基準にして装置状態データと製品デー
タとの相関関係が求められているため、各製造装置の状
態を示すパラメータのうちデバイスの特性との因果関係
が技術的に明確になっていないパラメータについても、
統計的に相関を明確にすることができるので、各製造装
置に対して管理すべき範囲を明確にすることができる。
【００１６】また、デバイスの特性に不良箇所が発生し
た場合にも、記録されている製品データと不良発生時点
での装置状態データとを比較することにより、容易に原
因を究明することができる。
た場合にも、記録されている製品データと不良発生時点
での装置状態データとを比較することにより、容易に原
因を究明することができる。
【００１７】請求項５の発明は、請求項４の構成に、前
記相関関係を記憶する手段をさらに備えている構成を付
加するものである。
記相関関係を記憶する手段をさらに備えている構成を付
加するものである。
【００１８】請求項６の発明は、請求項４の構成に、前
記相関関係に基づいて前記半導体製造装置の状態を制御
する手段をさらに備えている構成を付加するものであ
る。
記相関関係に基づいて前記半導体製造装置の状態を制御
する手段をさらに備えている構成を付加するものであ
る。
【００１９】請求項７の発明は、請求項４の構成に、前
記半導体デバイスに不良箇所が発生した際に、前記相関
関係に基づいて不良原因を解析する手段をさらに備えて
いる構成を付加するものである。
記半導体デバイスに不良箇所が発生した際に、前記相関
関係に基づいて不良原因を解析する手段をさらに備えて
いる構成を付加するものである。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態に係る
半導体プロセスの管理装置及び該管理装置を用いた管理
方法を図面を参照しながら説明する。
半導体プロセスの管理装置及び該管理装置を用いた管理
方法を図面を参照しながら説明する。
【００２１】図１は本発明の一実施形態に係る半導体プ
ロセスの管理装置の概略図である。図１において、１１
は半導体製造装置、１２は半導体製造装置１１の状態を
示す装置状態データ、１３は半導体製造装置１１により
ロット単位に処理されたデバイスの品種ごとの製品、１
４はロット単位の歩留まり並びに電気特性測定装置によ
り測定されたデバイスの消費電力、動作特性及び配線抵
抗等の電気特性を示す製品データ、１５は製品１３が処
理された時刻を基にして装置状態データ１２と製品デー
タ１４との相関関係を示す相関関係データ１６を求める
と共に、相関関係データ１６を解析して、該解析結果に
より半導体製造装置１１を制御する制御システム、１７
は装置状態データ１２、製品データ１４及び相関関係デ
ータ１６を記録しておくデータベース等の記憶装置であ
る。
ロセスの管理装置の概略図である。図１において、１１
は半導体製造装置、１２は半導体製造装置１１の状態を
示す装置状態データ、１３は半導体製造装置１１により
ロット単位に処理されたデバイスの品種ごとの製品、１
４はロット単位の歩留まり並びに電気特性測定装置によ
り測定されたデバイスの消費電力、動作特性及び配線抵
抗等の電気特性を示す製品データ、１５は製品１３が処
理された時刻を基にして装置状態データ１２と製品デー
タ１４との相関関係を示す相関関係データ１６を求める
と共に、相関関係データ１６を解析して、該解析結果に
より半導体製造装置１１を制御する制御システム、１７
は装置状態データ１２、製品データ１４及び相関関係デ
ータ１６を記録しておくデータベース等の記憶装置であ
る。
【００２２】前記のように構成された半導体プロセスの
管理装置の動作を以下に説明する。半導体デバイスは、
ロットと呼ばれる単位ごとに半導体製造装置１１におい
て１００以上もの工程が処理されて完成する。半導体製
造装置１１には、ＣＶＤ装置、電気炉、洗浄装置、ステ
ッパ及びドライエッチング装置等がある。例えば，ＣＶ
Ｄ装置は反応室の真空度、ステージの温度、温度を制御
するヒーターの電力、ガスの流量及び真空度をコントロ
ールするためのバルブの開閉角度等の装置状態を常に管
理し、それぞれ制御している。これらの装置から得られ
た装置状態データ１２は測定時刻と共に制御システム１
５を介して記憶装置１７に送られる。
管理装置の動作を以下に説明する。半導体デバイスは、
ロットと呼ばれる単位ごとに半導体製造装置１１におい
て１００以上もの工程が処理されて完成する。半導体製
造装置１１には、ＣＶＤ装置、電気炉、洗浄装置、ステ
ッパ及びドライエッチング装置等がある。例えば，ＣＶ
Ｄ装置は反応室の真空度、ステージの温度、温度を制御
するヒーターの電力、ガスの流量及び真空度をコントロ
ールするためのバルブの開閉角度等の装置状態を常に管
理し、それぞれ制御している。これらの装置から得られ
た装置状態データ１２は測定時刻と共に制御システム１
５を介して記憶装置１７に送られる。
【００２３】また、全工程の処理が終了したロットの製
品１３は電気特性測定装置を用いてデバイスの電気特性
が評価される。製品データ１４には、デバイスが全体と
して所望の動作をするか否かが判断されたＬＳＩ歩留ま
り並びに配線の短絡、断線の有無及びトランジスタの特
性評価等を特定のパターンを用いて調べた結果等が含ま
れる。この製品データ１４もロットが処理された時刻と
共に制御システム１６を介して記憶装置１７に送られ
る。
品１３は電気特性測定装置を用いてデバイスの電気特性
が評価される。製品データ１４には、デバイスが全体と
して所望の動作をするか否かが判断されたＬＳＩ歩留ま
り並びに配線の短絡、断線の有無及びトランジスタの特
性評価等を特定のパターンを用いて調べた結果等が含ま
れる。この製品データ１４もロットが処理された時刻と
共に制御システム１６を介して記憶装置１７に送られ
る。
【００２４】制御システム１５は、ロットごとのデバイ
スが半導体製造装置１１により処理された時刻を基にし
て、装置状態データ１２とその状態において処理した製
品データ１４とを対にする。これらの対を、装置状態を
示すデータ別にまとめ、モニター画面やプリンタ等に出
力することにより、装置状態データ１２と製品データ１
４との相関を明確に知ることができるようになる。従っ
て、装置管理のための規格の決定及びデバイス特性の変
動時の迅速な解析を可能とした。
スが半導体製造装置１１により処理された時刻を基にし
て、装置状態データ１２とその状態において処理した製
品データ１４とを対にする。これらの対を、装置状態を
示すデータ別にまとめ、モニター画面やプリンタ等に出
力することにより、装置状態データ１２と製品データ１
４との相関を明確に知ることができるようになる。従っ
て、装置管理のための規格の決定及びデバイス特性の変
動時の迅速な解析を可能とした。
【００２５】以下、記憶装置１７に格納するデータベー
ス構造の一例を図面に基づいて説明する。図２に示すよ
うに、装置状態の測定日及び時刻、装置状態データ１２
であるＣＶＤ装置の真空度、該装置状態の測定日及び時
刻に処理されたロット名並びに製品データ１４であるデ
バイス歩留まりを１レコードとする。
ス構造の一例を図面に基づいて説明する。図２に示すよ
うに、装置状態の測定日及び時刻、装置状態データ１２
であるＣＶＤ装置の真空度、該装置状態の測定日及び時
刻に処理されたロット名並びに製品データ１４であるデ
バイス歩留まりを１レコードとする。
【００２６】このように、データベース等の記憶装置１
７に装置状態の測定日及び時刻に関連づけられた装置状
態データ１２と製品データ１４とを記録しておくことに
より、定常的な装置の管理が可能となるため、装置状態
データ１２及び製品データ１４の解析が速やかに行なえ
るようになる。
７に装置状態の測定日及び時刻に関連づけられた装置状
態データ１２と製品データ１４とを記録しておくことに
より、定常的な装置の管理が可能となるため、装置状態
データ１２及び製品データ１４の解析が速やかに行なえ
るようになる。
【００２７】以下、前記のように構成された記憶装置１
７における装置状態データ１２と製品データ１４との相
関関係の一例を図面を参照しながら説明する。図３は前
記ＣＶＤ装置の真空度に新たにヒーター電力を追加し、
真空度及びヒーター電力の２つの装置状態を示すパラメ
ータと、該ＣＶＤ装置により処理されたある品種のデバ
イス歩留まりとの相関関係を示す図である。横軸にヒー
ター電力をとり縦軸に真空度をとって、実績データ２０
を黒丸によりプロットしてある。また、各実績データ２
０におけるそれぞれの装置状態によって処理されたデバ
イスの歩留まりの分布を歩留まり５０％以上、８０％以
上及び９０％以上の３種類の楕円を用いて示してある。
７における装置状態データ１２と製品データ１４との相
関関係の一例を図面を参照しながら説明する。図３は前
記ＣＶＤ装置の真空度に新たにヒーター電力を追加し、
真空度及びヒーター電力の２つの装置状態を示すパラメ
ータと、該ＣＶＤ装置により処理されたある品種のデバ
イス歩留まりとの相関関係を示す図である。横軸にヒー
ター電力をとり縦軸に真空度をとって、実績データ２０
を黒丸によりプロットしてある。また、各実績データ２
０におけるそれぞれの装置状態によって処理されたデバ
イスの歩留まりの分布を歩留まり５０％以上、８０％以
上及び９０％以上の３種類の楕円を用いて示してある。
【００２８】本実施例によると、図３に示すＣＶＤ装置
の真空度及びヒーター電力のように、技術的にはデバイ
ス歩留まりと相関づけることが困難なデータであって
も、統計的に処理を行なうことにより管理すべき範囲が
明確となる。
の真空度及びヒーター電力のように、技術的にはデバイ
ス歩留まりと相関づけることが困難なデータであって
も、統計的に処理を行なうことにより管理すべき範囲が
明確となる。
【００２９】なお、図３では２つのパラメータと歩留ま
りとの相関をとっているが、１つのパラメータと歩留ま
りとの相関をとったり、また、３つ以上のパラメータと
歩留まりとの相関をとったりしたとしても管理すべき範
囲を明確にすることができることは明らかである。
りとの相関をとっているが、１つのパラメータと歩留ま
りとの相関をとったり、また、３つ以上のパラメータと
歩留まりとの相関をとったりしたとしても管理すべき範
囲を明確にすることができることは明らかである。
【００３０】半導体プロセスにおいては、デバイスの歩
留まりが低下した等の特性の変動が生じた際には、変動
が生じた原因を追求し対策を講じなければならない。そ
の際、容易に原因が発見されるものもあるが、装置の状
態が若干変化しただけの場合には原因究明に長時間を要
する場合が多い。
留まりが低下した等の特性の変動が生じた際には、変動
が生じた原因を追求し対策を講じなければならない。そ
の際、容易に原因が発見されるものもあるが、装置の状
態が若干変化しただけの場合には原因究明に長時間を要
する場合が多い。
【００３１】本実施例においては、デバイスの特性変動
が生じた時刻に該デバイスを処理していた装置の各パラ
メータについて図３に示したような分布を調査し、それ
らの中から、デバイス特性に影響を与える分布領域の値
となっているパラメータの有無を調べることができるた
め、速やかに原因となるパラメータを究明することがで
きる。
が生じた時刻に該デバイスを処理していた装置の各パラ
メータについて図３に示したような分布を調査し、それ
らの中から、デバイス特性に影響を与える分布領域の値
となっているパラメータの有無を調べることができるた
め、速やかに原因となるパラメータを究明することがで
きる。
【００３２】従来、この調査は結果を出力した後、各パ
ラメータを一つずつ調査するしかなく、膨大な時間を費
やしていたが、制御システム１５を用いることにより、
全パラメータのうち、あらかじめ設定した特性範囲外に
分布しているパラメータを抽出して出力することが可能
である。
ラメータを一つずつ調査するしかなく、膨大な時間を費
やしていたが、制御システム１５を用いることにより、
全パラメータのうち、あらかじめ設定した特性範囲外に
分布しているパラメータを抽出して出力することが可能
である。
【００３３】このように、図１に示すシステム構成をと
ることによって、製品であるデバイスに不良箇所が発生
したとしても、速やかに問題点を抽出することができ
る。
ることによって、製品であるデバイスに不良箇所が発生
したとしても、速やかに問題点を抽出することができ
る。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
係る半導体プロセスの管理方法によると、各製造装置の
状態を示す各パラメータのうちデバイスの特性との因果
関係が技術的に明確になっていないパラメータであって
も、統計的に相関を明確にすることができるため、各製
造装置に対して管理すべき範囲を把握することができる
ので、各パラメータの管理基準を最適な値に設定できる
ようになる。
係る半導体プロセスの管理方法によると、各製造装置の
状態を示す各パラメータのうちデバイスの特性との因果
関係が技術的に明確になっていないパラメータであって
も、統計的に相関を明確にすることができるため、各製
造装置に対して管理すべき範囲を把握することができる
ので、各パラメータの管理基準を最適な値に設定できる
ようになる。
【００３５】また、デバイスの特性に不良箇所が発生し
た場合においても、記録されている製品データと不良発
生時点での装置状態データとが比較できるため、容易に
原因を究明することができる。
た場合においても、記録されている製品データと不良発
生時点での装置状態データとが比較できるため、容易に
原因を究明することができる。
【００３６】請求項２の発明に係る半導体プロセスの管
理方法によると、相関関係に基づいて半導体製造装置の
状態を制御する工程をさらに備えているため、各製造装
置に対して各パラメータの管理基準を確実に最適値に設
定できるようになる。
理方法によると、相関関係に基づいて半導体製造装置の
状態を制御する工程をさらに備えているため、各製造装
置に対して各パラメータの管理基準を確実に最適値に設
定できるようになる。
【００３７】請求項３の発明に係る半導体プロセスの管
理方法によると、半導体デバイスに不良箇所が発生した
際に、前記相関関係に基づいて不良原因を解析する工程
をさらに備えているため、確実に且つ迅速に故障原因を
究明することができる。
理方法によると、半導体デバイスに不良箇所が発生した
際に、前記相関関係に基づいて不良原因を解析する工程
をさらに備えているため、確実に且つ迅速に故障原因を
究明することができる。
【００３８】請求項４の発明に係る半導体プロセスの管
理装置によると、各製造装置の状態を示すパラメータの
うちデバイスの特性との因果関係が技術的に明確になっ
ていないパラメータであっても、統計的に相関関係が明
確になるため、各製造装置に対して管理すべき範囲が把
握できるので、各パラメータの管理基準が最適な値に設
定される。
理装置によると、各製造装置の状態を示すパラメータの
うちデバイスの特性との因果関係が技術的に明確になっ
ていないパラメータであっても、統計的に相関関係が明
確になるため、各製造装置に対して管理すべき範囲が把
握できるので、各パラメータの管理基準が最適な値に設
定される。
【００３９】また、デバイスの特性に不良箇所が発生し
た場合にも、記録されている製品データと不良発生時点
での装置状態データとを比較することにより、容易に原
因を究明することができる。
た場合にも、記録されている製品データと不良発生時点
での装置状態データとを比較することにより、容易に原
因を究明することができる。
【００４０】請求項５の発明に係る半導体プロセスの管
理装置によると、相関関係を記憶する手段をさらに備え
ているため、定常的な製造装置の管理が可能となるの
で、装置状態データ及び製品データの解析が速やかに行
なえるようになる。
理装置によると、相関関係を記憶する手段をさらに備え
ているため、定常的な製造装置の管理が可能となるの
で、装置状態データ及び製品データの解析が速やかに行
なえるようになる。
【００４１】請求項６の発明に係る半導体プロセスの管
理装置によると、相関関係に基づいて半導体製造装置の
状態を制御する手段をさらに備えているため、各製造装
置における各パラメータの管理基準が確実に最適値に設
定されるようになる。
理装置によると、相関関係に基づいて半導体製造装置の
状態を制御する手段をさらに備えているため、各製造装
置における各パラメータの管理基準が確実に最適値に設
定されるようになる。
【００４２】請求項７の発明に係る半導体プロセスの管
理装置によると、半導体デバイスに不良箇所が発生した
際に、前記相関関係に基づいて不良原因を解析する手段
をさらに備えているため、確実に且つ迅速に故障原因が
究明されるようになる。
理装置によると、半導体デバイスに不良箇所が発生した
際に、前記相関関係に基づいて不良原因を解析する手段
をさらに備えているため、確実に且つ迅速に故障原因が
究明されるようになる。
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体プロセスの管
理装置の概略図である。
理装置の概略図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る半導体プロセスの管
理装置の記憶装置におけるデータ構造を示す図である。
理装置の記憶装置におけるデータ構造を示す図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る半導体プロセスの管
理方法におけるＣＶＤ装置の２つの装置状態を示すパラ
メータとデバイス歩留まりとの相関関係を示す図であ
る。
理方法におけるＣＶＤ装置の２つの装置状態を示すパラ
メータとデバイス歩留まりとの相関関係を示す図であ
る。
【図４】従来の半導体プロセス管理装置及び管理データ
の流れを示す概略図である。
の流れを示す概略図である。
【図５】従来の半導体プロセス管理装置の装置の状態を
示すパラメータの出力を示す図である。
示すパラメータの出力を示す図である。
１１ 半導体製造装置 １２ 装置状態データ １３ 製品 １４ 製品データ １５ 制御システム １６ 相関関係データ １７ 記憶装置 ２０ 実績データ ５１ 半導体製造装置 ５２ 装置状態データ ５３ 装置状態データベース ５４ 電気特性測定装置 ５５ デバイス特性データ ５６ デバイス特性データベース
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体デバイスを処理する半導体製造装
置の所定時間ごとの状態を示す装置状態データを記憶す
る工程と、 前記半導体製造装置により処理された半導体デバイスの
歩留まりや電気特性等の製品データを記憶する工程と、 前記半導体デバイスが処理された時刻を基準にして前記
装置状態データと前記製品データとの相関関係を求める
工程とを備えていることを特徴とする半導体プロセスの
管理方法。 - 【請求項２】 前記相関関係に基づいて前記半導体製造
装置の状態を制御する工程をさらに備えていることを特
徴とする請求項１に記載の半導体プロセスの管理方法。 - 【請求項３】 前記半導体デバイスに不良箇所が発生し
た際に、前記相関関係に基づいて不良原因を解析する工
程をさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載
の半導体プロセスの管理方法。 - 【請求項４】 半導体デバイスを処理する半導体製造装
置の所定時間ごとの状態を示す装置状態データを記憶す
る手段と、 前記半導体製造装置により処理された半導体デバイスの
歩留まりや電気特性等の製品データを記憶する手段と、 前記半導体デバイスが処理された時刻を基準にして前記
装置状態データと前記製品データとの相関関係を求める
手段とを備えていることを特徴とする半導体プロセスの
管理装置。 - 【請求項５】 前記相関関係を記憶する手段をさらに備
えていることを特徴とする請求項４に記載の半導体プロ
セスの管理装置。 - 【請求項６】 前記相関関係に基づいて前記半導体製造
装置の状態を制御する手段をさらに備えていることを特
徴とする請求項４に記載の半導体プロセスの管理装置。 - 【請求項７】 前記半導体デバイスに不良箇所が発生し
た際に、前記相関関係に基づいて不良原因を解析する手
段をさらに備えていることを特徴とする請求項４に記載
の半導体プロセスの管理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2368696A JPH09219347A (ja) | 1996-02-09 | 1996-02-09 | 半導体プロセスの管理方法及びその管理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2368696A JPH09219347A (ja) | 1996-02-09 | 1996-02-09 | 半導体プロセスの管理方法及びその管理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09219347A true JPH09219347A (ja) | 1997-08-19 |
Family
ID=12117339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2368696A Pending JPH09219347A (ja) | 1996-02-09 | 1996-02-09 | 半導体プロセスの管理方法及びその管理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09219347A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11260879A (ja) * | 1998-03-06 | 1999-09-24 | Fujitsu Ltd | 半導体チップの相関解析方法及び装置、半導体チップ歩留まり調整方法並びに記憶媒体 |
| US6594598B1 (en) | 1997-10-08 | 2003-07-15 | Matsushita Electronics Corporation | Method for controlling production line |
| JP2007258731A (ja) * | 2007-04-23 | 2007-10-04 | Canon System Solutions Inc | プロセスと品質との関係についてのモデル作成装置及びモデル作成方法 |
| JP2008306088A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Ulvac Japan Ltd | プロセス管理システム |
| JP2011106032A (ja) * | 2011-02-07 | 2011-06-02 | Ulvac Japan Ltd | プロセス管理システム |
| JP2023511464A (ja) * | 2019-11-29 | 2023-03-20 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 | 製品不良要因を分析するシステム及び方法、コンピュータ可読媒体 |
| WO2025115081A1 (ja) * | 2023-11-28 | 2025-06-05 | 株式会社日立ハイテク | プロセス診断システム、プロセス監視システム及びウェハ |
-
1996
- 1996-02-09 JP JP2368696A patent/JPH09219347A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6594598B1 (en) | 1997-10-08 | 2003-07-15 | Matsushita Electronics Corporation | Method for controlling production line |
| JPH11260879A (ja) * | 1998-03-06 | 1999-09-24 | Fujitsu Ltd | 半導体チップの相関解析方法及び装置、半導体チップ歩留まり調整方法並びに記憶媒体 |
| JP2007258731A (ja) * | 2007-04-23 | 2007-10-04 | Canon System Solutions Inc | プロセスと品質との関係についてのモデル作成装置及びモデル作成方法 |
| JP2008306088A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Ulvac Japan Ltd | プロセス管理システム |
| JP2011106032A (ja) * | 2011-02-07 | 2011-06-02 | Ulvac Japan Ltd | プロセス管理システム |
| JP2023511464A (ja) * | 2019-11-29 | 2023-03-20 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 | 製品不良要因を分析するシステム及び方法、コンピュータ可読媒体 |
| WO2025115081A1 (ja) * | 2023-11-28 | 2025-06-05 | 株式会社日立ハイテク | プロセス診断システム、プロセス監視システム及びウェハ |
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