JPH09219370A - ▲ｉｉｉ−ｖ▼族化合物半導体膜の成長方法 - Google Patents
▲ｉｉｉ−ｖ▼族化合物半導体膜の成長方法Info
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- JPH09219370A JPH09219370A JP8025332A JP2533296A JPH09219370A JP H09219370 A JPH09219370 A JP H09219370A JP 8025332 A JP8025332 A JP 8025332A JP 2533296 A JP2533296 A JP 2533296A JP H09219370 A JPH09219370 A JP H09219370A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高温でもｐ型ＧａＡｓのキャリア濃度及び膜
厚を制御することができる III−Ｖ族化合物半導体膜の
成長方法を提供する。 【解決手段】 加熱された基板１上に、 III族元素を含
む原料、Ｖ族元素を含む原料及び炭素のハロゲン化物を
供給して III−Ｖ族化合物半導体膜を気相成長させる I
II−Ｖ族化合物半導体膜の成長方法において、炭素のハ
ロゲン化物として四臭化炭素を用い、 III族元素を含む
原料としてトリメチルガリウムを用い、Ｖ族元素を含む
原料としてアルシンを用い、炭素のハロゲン化物の供給
量を一定とし、 III族元素を含む原料とＶ族元素を含む
原料との供給量を変化させることによりベース層４（１
０）の膜の成長速度が一定になると共にキャリア濃度を
制御することができる。
厚を制御することができる III−Ｖ族化合物半導体膜の
成長方法を提供する。 【解決手段】 加熱された基板１上に、 III族元素を含
む原料、Ｖ族元素を含む原料及び炭素のハロゲン化物を
供給して III−Ｖ族化合物半導体膜を気相成長させる I
II−Ｖ族化合物半導体膜の成長方法において、炭素のハ
ロゲン化物として四臭化炭素を用い、 III族元素を含む
原料としてトリメチルガリウムを用い、Ｖ族元素を含む
原料としてアルシンを用い、炭素のハロゲン化物の供給
量を一定とし、 III族元素を含む原料とＶ族元素を含む
原料との供給量を変化させることによりベース層４（１
０）の膜の成長速度が一定になると共にキャリア濃度を
制御することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、 III−Ｖ族化合物
半導体膜の成長方法に関する。
半導体膜の成長方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコントランジスタと比較して、高い
電流増幅率を維持したままベース抵抗とエミッタ容量と
を低減でき高速動作が行えるトランジスタにヘテロ接合
バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）がある。このＨＢＴ
として、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）基板上にＧａＡｓと
アルミニウムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）を成長させ
たものがよく用いられている。ＨＢＴの開発は分子線エ
ピタキシャル法（ＭＢＥ）や有機金属気相成長法（ＭＯ
ＣＶＤ）等の結晶成長技術の進展に伴い、ＡｌＧａＡｓ
／ＧａＡｓ系の材料を中心に急速に活発化した。高性能
なＨＢＴを開発する上でこれらの結晶成長法は不可欠な
技術となっている。
電流増幅率を維持したままベース抵抗とエミッタ容量と
を低減でき高速動作が行えるトランジスタにヘテロ接合
バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）がある。このＨＢＴ
として、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）基板上にＧａＡｓと
アルミニウムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）を成長させ
たものがよく用いられている。ＨＢＴの開発は分子線エ
ピタキシャル法（ＭＢＥ）や有機金属気相成長法（ＭＯ
ＣＶＤ）等の結晶成長技術の進展に伴い、ＡｌＧａＡｓ
／ＧａＡｓ系の材料を中心に急速に活発化した。高性能
なＨＢＴを開発する上でこれらの結晶成長法は不可欠な
技術となっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところでＨＢＴでは、
ベース層としてｐ型ＧａＡｓが用いられている。ＧａＡ
ｓのｐ型ドーパントとしては炭素（Ｃ）、亜鉛（Ｚ
ｎ）、ベリリウム（Ｂｅ）等がある。
ベース層としてｐ型ＧａＡｓが用いられている。ＧａＡ
ｓのｐ型ドーパントとしては炭素（Ｃ）、亜鉛（Ｚ
ｎ）、ベリリウム（Ｂｅ）等がある。
【０００４】ＺｎやＢｅは拡散定数が大きいため、熱に
よる拡散が起こりやすく、ＨＢＴ素子の寿命や信頼性に
問題がある。
よる拡散が起こりやすく、ＨＢＴ素子の寿命や信頼性に
問題がある。
【０００５】これに対してＣは拡散定数が小さいためＨ
ＢＴ素子の寿命が長く信頼性も高いので多用されてい
る。
ＢＴ素子の寿命が長く信頼性も高いので多用されてい
る。
【０００６】ＧａＡｓにＣをドーピングする方法とし
て、Ｖ／III 比（Ｖ族原料と III族原料との比）を低く
する方法がある。この方法は、Ｇａ原料としてトリメチ
ルガリウム（ＴＭＧａ；Ｇａ（ＣＨ3 ）3 ）を用い、低
Ｖ／III 比かつ低温でＧａとメチル基（ＣＨ3 ）との結
合が切れにくくなり、ＧａＡｓ結晶中にＣが取り込まれ
ることを利用したものである。
て、Ｖ／III 比（Ｖ族原料と III族原料との比）を低く
する方法がある。この方法は、Ｇａ原料としてトリメチ
ルガリウム（ＴＭＧａ；Ｇａ（ＣＨ3 ）3 ）を用い、低
Ｖ／III 比かつ低温でＧａとメチル基（ＣＨ3 ）との結
合が切れにくくなり、ＧａＡｓ結晶中にＣが取り込まれ
ることを利用したものである。
【０００７】他方、高温でＧａＡｓにＣをドーピングす
る方法として、Ｃのハロゲン化物（ＣＢｒ4 、ＣＣｌ4
等）を用いる方法がある。例えばＣＢｒ4 を用いた場合
には、図６に示すようにｐ型ＧａＡｓのキャリア濃度は
ＣＢｒ4 の流量に比例して増加する。すなわち、６５０
℃の高温でも１０19ｃｍ-3程度のキャリア濃度を制御す
ることができる。尚、図６はｐ型ＧａＡｓのキャリア濃
度とＣＢｒ4 流量依存性を示す図であり、横軸がＣＢｒ
4 流量軸、縦軸がキャリア濃度軸を示している。
る方法として、Ｃのハロゲン化物（ＣＢｒ4 、ＣＣｌ4
等）を用いる方法がある。例えばＣＢｒ4 を用いた場合
には、図６に示すようにｐ型ＧａＡｓのキャリア濃度は
ＣＢｒ4 の流量に比例して増加する。すなわち、６５０
℃の高温でも１０19ｃｍ-3程度のキャリア濃度を制御す
ることができる。尚、図６はｐ型ＧａＡｓのキャリア濃
度とＣＢｒ4 流量依存性を示す図であり、横軸がＣＢｒ
4 流量軸、縦軸がキャリア濃度軸を示している。
【０００８】しかし、Ｃのハロゲン化物を用いた場合、
ＧａＡｓの成長速度は、図７に示すようにＣＢｒ4 の流
量に依存して変化するためエピタキシャル成長膜厚の制
御が難しいという問題があった。尚、図７はｐ型ＧａＡ
ｓの成長速度のＣＢｒ4 流量依存性を示す図であり、横
軸がＣＢｒ4 流量軸、縦軸が成長速度軸を示している。
ＧａＡｓの成長速度は、図７に示すようにＣＢｒ4 の流
量に依存して変化するためエピタキシャル成長膜厚の制
御が難しいという問題があった。尚、図７はｐ型ＧａＡ
ｓの成長速度のＣＢｒ4 流量依存性を示す図であり、横
軸がＣＢｒ4 流量軸、縦軸が成長速度軸を示している。
【０００９】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、高温でもｐ型ＧａＡｓのキャリア濃度及び膜厚を制
御することができる III−Ｖ族化合物半導体膜の成長方
法を提供することにある。
し、高温でもｐ型ＧａＡｓのキャリア濃度及び膜厚を制
御することができる III−Ｖ族化合物半導体膜の成長方
法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、加熱された基板上に、 III族元素を含む原
料、Ｖ族元素を含む原料及び炭素のハロゲン化物を供給
して III−Ｖ族化合物半導体膜を気相成長させる III−
Ｖ族化合物半導体膜の成長方法において、炭素のハロゲ
ン化物として四臭化炭素を用い、 III族元素を含む原料
としてトリメチルガリウムを用い、Ｖ族元素を含む原料
としてアルシンを用い、炭素のハロゲン化物の供給量を
一定とし、 III族元素を含む原料の供給量とＶ族元素を
含む原料の供給量との比を変えることによりキャリア濃
度及び膜厚を制御するものである。
に本発明は、加熱された基板上に、 III族元素を含む原
料、Ｖ族元素を含む原料及び炭素のハロゲン化物を供給
して III−Ｖ族化合物半導体膜を気相成長させる III−
Ｖ族化合物半導体膜の成長方法において、炭素のハロゲ
ン化物として四臭化炭素を用い、 III族元素を含む原料
としてトリメチルガリウムを用い、Ｖ族元素を含む原料
としてアルシンを用い、炭素のハロゲン化物の供給量を
一定とし、 III族元素を含む原料の供給量とＶ族元素を
含む原料の供給量との比を変えることによりキャリア濃
度及び膜厚を制御するものである。
【００１１】上記構成に加え本発明は、トリメチルガリ
ウムの代わりにトリエチルガリウム或いはトリメチルア
ルミニウムを用いてもよい。
ウムの代わりにトリエチルガリウム或いはトリメチルア
ルミニウムを用いてもよい。
【００１２】上記構成に加え本発明は、アルシンの代わ
りにトリメチル砒素を用いてもよい。
りにトリメチル砒素を用いてもよい。
【００１３】従来は図６に示すようにＣのハロゲン化物
（例えばＣＢｒ4 ）を用いてＧａＡｓへのＣドーピング
濃度を制御する場合に、Ｃのハロゲン化物の流量を変更
していた。一般に、ドーピングする際は、このようにド
ーピング原料の供給量を変更している。しかし、この場
合には、図６に示すようにＣのハロゲン化物の流量が変
わると、ＧａＡｓの成長速度が変化してしまう。
（例えばＣＢｒ4 ）を用いてＧａＡｓへのＣドーピング
濃度を制御する場合に、Ｃのハロゲン化物の流量を変更
していた。一般に、ドーピングする際は、このようにド
ーピング原料の供給量を変更している。しかし、この場
合には、図６に示すようにＣのハロゲン化物の流量が変
わると、ＧａＡｓの成長速度が変化してしまう。
【００１４】これに対して本発明では、Ｃのハロゲン化
物の供給量を一定として、Ｖ族原料の供給量を変化させ
ることによりＣ濃度を制御した。またＴＭＧａの流量を
一定とした。図２に示すようにキャリア濃度は、ＡｓＨ
3 流量の逆数に比例しているのが分かる。この場合には
図３に示すようにＧａＡｓの成長速度が一定である。
尚、図２はｐ型ＧａＡｓのキャリア濃度のＡｓＨ3 流量
依存性を示す図であり、横軸が１／ＡｓＨ3 流量軸、縦
軸がキャリア濃度軸を示している。図３はｐ型ＧａＡｓ
のＡｓＨ3 流量依存性を示す図であり、横軸が１／Ａｓ
Ｈ3 流量軸、縦軸が成長速度軸を示している。
物の供給量を一定として、Ｖ族原料の供給量を変化させ
ることによりＣ濃度を制御した。またＴＭＧａの流量を
一定とした。図２に示すようにキャリア濃度は、ＡｓＨ
3 流量の逆数に比例しているのが分かる。この場合には
図３に示すようにＧａＡｓの成長速度が一定である。
尚、図２はｐ型ＧａＡｓのキャリア濃度のＡｓＨ3 流量
依存性を示す図であり、横軸が１／ＡｓＨ3 流量軸、縦
軸がキャリア濃度軸を示している。図３はｐ型ＧａＡｓ
のＡｓＨ3 流量依存性を示す図であり、横軸が１／Ａｓ
Ｈ3 流量軸、縦軸が成長速度軸を示している。
【００１５】Ｃのハロゲン化物を用いない成長では、Ｇ
ａＡｓの成長速度はＧａ原料の供給量によって決まる。
ところが、Ｃのハロゲン化物を流すと、その流量に依存
して成長速度が変化してしまう。
ａＡｓの成長速度はＧａ原料の供給量によって決まる。
ところが、Ｃのハロゲン化物を流すと、その流量に依存
して成長速度が変化してしまう。
【００１６】本発明では、Ｃのハロゲン化物による影響
を避けるため、Ｃのハロゲン化物の供給量を一定とし
た。また、ＧａＡｓの成長の場合にはＧａ原料の供給量
も一定とした。このようにするとＧａＡｓの成長速度は
一定となる。
を避けるため、Ｃのハロゲン化物の供給量を一定とし
た。また、ＧａＡｓの成長の場合にはＧａ原料の供給量
も一定とした。このようにするとＧａＡｓの成長速度は
一定となる。
【００１７】Ｃのハロゲン化物によりドーピングしたＣ
はＡｓサイト（通常、Ａｓ原子が入る位置）に入ってア
クセプタとなる。つまり、Ｃの取り込まれ易さは、Ｃ原
料とＡｓ原料との割合で決まる。すなわち、Ｃのハロゲ
ン化物とＶ族原料との比を変えることによりＣ濃度を制
御することができる。
はＡｓサイト（通常、Ａｓ原子が入る位置）に入ってア
クセプタとなる。つまり、Ｃの取り込まれ易さは、Ｃ原
料とＡｓ原料との割合で決まる。すなわち、Ｃのハロゲ
ン化物とＶ族原料との比を変えることによりＣ濃度を制
御することができる。
【００１８】本発明では、Ｃのハロゲン化物の供給量を
一定としているため、Ｖ族原料の供給量を変えることに
よりＣ濃度が制御される。
一定としているため、Ｖ族原料の供給量を変えることに
よりＣ濃度が制御される。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳述する。
図面に基づいて詳述する。
【００２０】図１は本発明の III−Ｖ族化合物半導体膜
の成長方法を適用したＨＢＴ結晶の一実施の形態を示す
断面図である。
の成長方法を適用したＨＢＴ結晶の一実施の形態を示す
断面図である。
【００２１】半絶縁性ＧａＡｓ基板１の上に、コレクタ
コンタクト層２、コレクタ層３、ベース層４、エミッタ
層５及びエミッタコンタクト層６が順次積層されてい
る。
コンタクト層２、コレクタ層３、ベース層４、エミッタ
層５及びエミッタコンタクト層６が順次積層されてい
る。
【００２２】コレクタコンタクト層２は、キャリア濃度
が約５×１０18ｃｍ-3で、厚さが約５００ｎｍのｎ型Ｇ
ａＡｓからなっている。
が約５×１０18ｃｍ-3で、厚さが約５００ｎｍのｎ型Ｇ
ａＡｓからなっている。
【００２３】コレクタ層３は、キャリア濃度が１×１０
15ｃｍ-3未満で、厚さが約５００ｎｍのＧａＡｓからな
っている。
15ｃｍ-3未満で、厚さが約５００ｎｍのＧａＡｓからな
っている。
【００２４】ベース層４は、キャリア濃度が２×１０19
ｃｍ-3で、厚さが約１００ｎｍのｐ型ＧａＡｓからなっ
ている。本発明はこのベース層のｐ型ＧａＡｓの成長に
用いられている。
ｃｍ-3で、厚さが約１００ｎｍのｐ型ＧａＡｓからなっ
ている。本発明はこのベース層のｐ型ＧａＡｓの成長に
用いられている。
【００２５】エミッタ層５は、キャリア濃度が５×１０
17ｃｍ-3で、厚さが約１００ｎｍのｎ型Ａｌ0.3 Ｇａ
0.7 Ａｓ層５ａと、この層５ａの上に形成されキャリア
濃度が５×１０17ｃｍ-3で、厚さが約５０ｎｍのｎ型Ａ
ｌX Ｇａ1-X Ａｓからなるグレーデッド層５ｂとからな
っている（Ｘ＝０．３→０）。
17ｃｍ-3で、厚さが約１００ｎｍのｎ型Ａｌ0.3 Ｇａ
0.7 Ａｓ層５ａと、この層５ａの上に形成されキャリア
濃度が５×１０17ｃｍ-3で、厚さが約５０ｎｍのｎ型Ａ
ｌX Ｇａ1-X Ａｓからなるグレーデッド層５ｂとからな
っている（Ｘ＝０．３→０）。
【００２６】エミッタコンタクト層６は、キャリア濃度
が約５×１０18ｃｍ-3で、厚さが約１００ｎｍのｎ型Ｇ
ａＡｓ層６ａと、この層６ａの上に形成されキャリア濃
度が５×１０18ｃｍ-3から２×１０19ｃｍ-3で、厚さが
約５０ｎｍのｎ型ＩｎX Ｇａ1-X Ａｓからなるグレーデ
ッド層（Ｘ＝０→０．５）６ｂと、グレーデッド層６ｂ
の上に形成されキャリア濃度が２×１０19ｃｍ-3で、厚
さが約５０ｎｍのｎ型Ｉｎ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ層６ｃとか
らなっている。
が約５×１０18ｃｍ-3で、厚さが約１００ｎｍのｎ型Ｇ
ａＡｓ層６ａと、この層６ａの上に形成されキャリア濃
度が５×１０18ｃｍ-3から２×１０19ｃｍ-3で、厚さが
約５０ｎｍのｎ型ＩｎX Ｇａ1-X Ａｓからなるグレーデ
ッド層（Ｘ＝０→０．５）６ｂと、グレーデッド層６ｂ
の上に形成されキャリア濃度が２×１０19ｃｍ-3で、厚
さが約５０ｎｍのｎ型Ｉｎ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ層６ｃとか
らなっている。
【００２７】Ｃのハロゲン化物としてはＣＢｒ4 を用
い、Ａｓ原料にはＡｓＨ3 を用い、Ｇａ原料としてはＴ
ＭＧａを用いた。
い、Ａｓ原料にはＡｓＨ3 を用い、Ｇａ原料としてはＴ
ＭＧａを用いた。
【００２８】成長温度を６５０℃、ＣＢｒ4 流量を４．
９×１０-2ｃｃ／分、ＴＭＧａ流量を２．０ｃｃ／分と
した。このような条件で、ＡｓＨ3 流量を１３〜９８ｃ
ｃ／分に変えると、キャリア濃度は、図２のように０．
６〜３．３×１０19ｃｍ-3に変化した。一方、成長速度
は、図３に示すようにＡｓＨ3 流量を変えても一定であ
る。
９×１０-2ｃｃ／分、ＴＭＧａ流量を２．０ｃｃ／分と
した。このような条件で、ＡｓＨ3 流量を１３〜９８ｃ
ｃ／分に変えると、キャリア濃度は、図２のように０．
６〜３．３×１０19ｃｍ-3に変化した。一方、成長速度
は、図３に示すようにＡｓＨ3 流量を変えても一定であ
る。
【００２９】このようにＣのハロゲン化物の供給量を一
定として、Ｖ族原料の供給量を変化させることによりＣ
濃度を制御することにより、高温でもｐ型ＧａＡｓから
なるベース層４のキャリア濃度及び膜厚を制御すること
ができる。
定として、Ｖ族原料の供給量を変化させることによりＣ
濃度を制御することにより、高温でもｐ型ＧａＡｓから
なるベース層４のキャリア濃度及び膜厚を制御すること
ができる。
【００３０】図４は本発明の III−Ｖ族化合物半導体膜
の成長方法を適用したＨＢＴ結晶の他の実施の形態を示
す断面図である。尚、図１に示した層と同様の層には共
通の符号を用いた。
の成長方法を適用したＨＢＴ結晶の他の実施の形態を示
す断面図である。尚、図１に示した層と同様の層には共
通の符号を用いた。
【００３１】図１に示した実施の形態との相違点は、本
発明を、ベース層１０のｐ型ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ（Ｘ＝
０．１→０）の成長に用いている点である。
発明を、ベース層１０のｐ型ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ（Ｘ＝
０．１→０）の成長に用いている点である。
【００３２】このベース層１０は、キャリア濃度が２×
１０19ｃｍ-3で、厚さが約１００ｎｍのｐ型ＡｌX Ｇａ
1-X Ａｓからなっており、グレーデッド層（Ｘ＝０．１
→０）を兼ねている。
１０19ｃｍ-3で、厚さが約１００ｎｍのｐ型ＡｌX Ｇａ
1-X Ａｓからなっており、グレーデッド層（Ｘ＝０．１
→０）を兼ねている。
【００３３】Ｃのハロゲン化物としてＣＢｒ4 を用い、
Ａｓ原料としてＡｓＨ3 を用い、かつＧａ原料としてＴ
ＭＧａを用いた。
Ａｓ原料としてＡｓＨ3 を用い、かつＧａ原料としてＴ
ＭＧａを用いた。
【００３４】成長温度を約６５０℃とし、ＣＢｒ4 流量
を４．９×１０-2ｃｃ／分とし、ＴＭＧａ流量を２．０
ｃｃ／分、１．１×１０-1ｃｃ／分とし、ＡｌＡｓ混晶
比を変えた。この条件でＡｌＡｓ混晶比を０〜０．１０
と変えても、図５に示すようにキャリア濃度は変化しな
い。尚、図５はｐ型ＡｌＧａＡｓのキャリア濃度のＡｌ
Ａｓ混晶比依存性を示す図であり、横軸がＡｌＡｓ混晶
比軸、縦軸がキャリア濃度軸である。
を４．９×１０-2ｃｃ／分とし、ＴＭＧａ流量を２．０
ｃｃ／分、１．１×１０-1ｃｃ／分とし、ＡｌＡｓ混晶
比を変えた。この条件でＡｌＡｓ混晶比を０〜０．１０
と変えても、図５に示すようにキャリア濃度は変化しな
い。尚、図５はｐ型ＡｌＧａＡｓのキャリア濃度のＡｌ
Ａｓ混晶比依存性を示す図であり、横軸がＡｌＡｓ混晶
比軸、縦軸がキャリア濃度軸である。
【００３５】このように構成しても高温でもｐ型ＡｌX
Ｇａ1-X Ａｓからなるベース層１０のキャリア濃度及び
膜厚を制御することができる。
Ｇａ1-X Ａｓからなるベース層１０のキャリア濃度及び
膜厚を制御することができる。
【００３６】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００３７】III−Ｖ族化合物半導体膜の成長方法にお
いて、炭素のハロゲン化物として四臭化炭素を用い、 I
II族元素を含む原料としてトリメチルガリウムを用い、
Ｖ族元素を含む原料としてアルシンを用い、炭素のハロ
ゲン化物の供給量を一定とし、 III族元素を含む原料の
供給量とＶ族元素を含む原料の供給量との比を変えるこ
とにより、高温でもｐ型ＧａＡｓのキャリア濃度及び膜
厚を制御することができる。
いて、炭素のハロゲン化物として四臭化炭素を用い、 I
II族元素を含む原料としてトリメチルガリウムを用い、
Ｖ族元素を含む原料としてアルシンを用い、炭素のハロ
ゲン化物の供給量を一定とし、 III族元素を含む原料の
供給量とＶ族元素を含む原料の供給量との比を変えるこ
とにより、高温でもｐ型ＧａＡｓのキャリア濃度及び膜
厚を制御することができる。
【図１】本発明の III−Ｖ族化合物半導体膜の成長方法
を適用したＨＢＴ結晶の一実施の形態を示す断面図であ
る。
を適用したＨＢＴ結晶の一実施の形態を示す断面図であ
る。
【図２】ｐ型ＧａＡｓのキャリア濃度のＡｓＨ3 流量依
存性を示す図である。
存性を示す図である。
【図３】ｐ型ＧａＡｓのＡｓＨ3 流量依存性を示す図で
ある。
ある。
【図４】本発明の III−Ｖ族化合物半導体膜の成長方法
を適用したＨＢＴ結晶の他の実施の形態を示す断面図で
ある。
を適用したＨＢＴ結晶の他の実施の形態を示す断面図で
ある。
【図５】ｐ型ＡｌＧａＡｓのキャリア濃度のＡｌＡｓ混
晶比依存性を示す図である。
晶比依存性を示す図である。
【図６】ｐ型ＧａＡｓのキャリア濃度とＣＢｒ4 流量依
存性を示す図である。
存性を示す図である。
【図７】ｐ型ＧａＡｓの成長速度のＣＢｒ4 流量依存性
を示す図である。
を示す図である。
１ （基板）半絶縁性ＧａＡｓ基板 ２ コレクタコンタクト層 ３ コレクタ層 ４、１０ ベース層 ５ エミッタ層 ６ エミッタコンタクト層
Claims (3)
- 【請求項１】 加熱された基板上に、 III族元素を含む
原料、Ｖ族元素を含む原料及び炭素のハロゲン化物を供
給して III−Ｖ族化合物半導体膜を気相成長させる III
−Ｖ族化合物半導体膜の成長方法において、炭素のハロ
ゲン化物として四臭化炭素を用い、 III族元素を含む原
料としてトリメチルガリウムを用い、Ｖ族元素を含む原
料としてアルシンを用い、炭素のハロゲン化物の供給量
を一定とし、 III族元素を含む原料の供給量とＶ族元素
を含む原料の供給量との比を変えることによりキャリア
濃度及び膜厚を制御することを特徴とする III−Ｖ族化
合物半導体膜の成長方法。 - 【請求項２】 上記トリメチルガリウムの代わりにトリ
エチルガリウム或いはトリメチルアルミニウムを用いた
請求項１記載の III−Ｖ族化合物半導体膜の成長方法。 - 【請求項３】 上記アルシンの代わりにトリメチル砒素
を用いた請求項１記載の III−Ｖ族化合物半導体膜の成
長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8025332A JPH09219370A (ja) | 1996-02-13 | 1996-02-13 | ▲ｉｉｉ−ｖ▼族化合物半導体膜の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8025332A JPH09219370A (ja) | 1996-02-13 | 1996-02-13 | ▲ｉｉｉ−ｖ▼族化合物半導体膜の成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09219370A true JPH09219370A (ja) | 1997-08-19 |
Family
ID=12162987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8025332A Pending JPH09219370A (ja) | 1996-02-13 | 1996-02-13 | ▲ｉｉｉ−ｖ▼族化合物半導体膜の成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09219370A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6191014B1 (en) | 1998-07-27 | 2001-02-20 | Sumitomo Chemical Company, Ltd. | Method for manufacturing compound semiconductor |
-
1996
- 1996-02-13 JP JP8025332A patent/JPH09219370A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6191014B1 (en) | 1998-07-27 | 2001-02-20 | Sumitomo Chemical Company, Ltd. | Method for manufacturing compound semiconductor |
| EP0977245A3 (en) * | 1998-07-27 | 2002-04-17 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Method for manufacturing carbon-doped compound semiconductors |
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