JPH09219422A - フリップチップ実装構造 - Google Patents
フリップチップ実装構造Info
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- JPH09219422A JPH09219422A JP8046896A JP4689696A JPH09219422A JP H09219422 A JPH09219422 A JP H09219422A JP 8046896 A JP8046896 A JP 8046896A JP 4689696 A JP4689696 A JP 4689696A JP H09219422 A JPH09219422 A JP H09219422A
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- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
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- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Waveguides (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ２つの伝送線路の接続部における特性インピ
ーダンスの整合をとる。 【解決手段】 相互接続すべき２つの伝送線路の互いに
対面する領域における信号線導体と接地導体とのギャッ
プｇ３、ｇ４を入出力部のギャップｇ１、ｇ２よりも拡
げ、導電性バンプの高さをｈとしたとき、そのギャップ
ｇ１〜ｇ４を、ｇ３−ｇ１≒ｇ４−ｇ２≒２．５ｈに設
定する。
ーダンスの整合をとる。 【解決手段】 相互接続すべき２つの伝送線路の互いに
対面する領域における信号線導体と接地導体とのギャッ
プｇ３、ｇ４を入出力部のギャップｇ１、ｇ２よりも拡
げ、導電性バンプの高さをｈとしたとき、そのギャップ
ｇ１〜ｇ４を、ｇ３−ｇ１≒ｇ４−ｇ２≒２．５ｈに設
定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、導電性バンプを用
いて２つの高周波伝送線路をプリップチップ実装する構
造に係り、特にコプレーナ構造もしくはグランドプレー
ナ構造の２つの伝送線路を相互にプリップチップ実装に
より接続する構造に関するものである。
いて２つの高周波伝送線路をプリップチップ実装する構
造に係り、特にコプレーナ構造もしくはグランドプレー
ナ構造の２つの伝送線路を相互にプリップチップ実装に
より接続する構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図８は従来のコプレーナ構造の伝送線路
とグランドコプレーナ構造の伝送路の接続部の構造の一
例を示す図である。（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）の
ｂ−ｂ線断面図、（ｃ）は（ｂ）のｃ−ｃ線断面図、
（ｄ）は（ｂ）のｄ−ｄ線断面図である。
とグランドコプレーナ構造の伝送路の接続部の構造の一
例を示す図である。（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）の
ｂ−ｂ線断面図、（ｃ）は（ｂ）のｃ−ｃ線断面図、
（ｄ）は（ｂ）のｄ−ｄ線断面図である。
【０００３】コプレーナ構造の伝送線路７０とグランド
コプレーナ構造の伝送線路８０とを電気的に接続するに
当たり、２つの伝送線路７０、８０を相互に近付けて対
向させ、インダクタンス成分を極力低減するために、伝
送線路７０の信号線導体７１と、伝送線路８０の信号線
導体８１との間を導電性バンプ７４により、また伝送線
路７０の接地導体７２と、伝送線路８０の接地導体８２
との間を導電性バンプ８４により接続していた。なお、
伝送線路７０は図８の（ａ）の紙面において左上方向に
延び、伝送線路８０は右下方向に延びるものであるが、
ここでは接続部分のみを示している。他の（ｂ）〜
（ｄ）も接続部分のみを示している。
コプレーナ構造の伝送線路８０とを電気的に接続するに
当たり、２つの伝送線路７０、８０を相互に近付けて対
向させ、インダクタンス成分を極力低減するために、伝
送線路７０の信号線導体７１と、伝送線路８０の信号線
導体８１との間を導電性バンプ７４により、また伝送線
路７０の接地導体７２と、伝送線路８０の接地導体８２
との間を導電性バンプ８４により接続していた。なお、
伝送線路７０は図８の（ａ）の紙面において左上方向に
延び、伝送線路８０は右下方向に延びるものであるが、
ここでは接続部分のみを示している。他の（ｂ）〜
（ｄ）も接続部分のみを示している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図８に
示した構造では、導電性バンプ７４、８４を介して互い
に対向する領域７５、８５における信号線導体７１と接
地導体７２との間、あるいは信号線導体８１と接地導体
８２との間における特性インピーダンスに不整合をもた
らし、伝送線路７０の入力部７６から接続部を経由して
伝送線路８０の出力部８６へ、数十ＧＨｚ以上の高周波
信号を伝送する場合、接続部での反射が増大するなど、
伝送特性が著しく劣化する欠点があった。
示した構造では、導電性バンプ７４、８４を介して互い
に対向する領域７５、８５における信号線導体７１と接
地導体７２との間、あるいは信号線導体８１と接地導体
８２との間における特性インピーダンスに不整合をもた
らし、伝送線路７０の入力部７６から接続部を経由して
伝送線路８０の出力部８６へ、数十ＧＨｚ以上の高周波
信号を伝送する場合、接続部での反射が増大するなど、
伝送特性が著しく劣化する欠点があった。
【０００５】本発明の目的は、２つの高周波伝送線路の
接続部におけるインピーダンスの不整合が生ぜず、良好
な高周波伝送特性が得られるようにしたフリップチップ
実装構造を提供することである。
接続部におけるインピーダンスの不整合が生ぜず、良好
な高周波伝送特性が得られるようにしたフリップチップ
実装構造を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このために本発明は、信
号線導体と同一面に形成された接地導体とのギャップが
ｇ１であるコプレーナ構造またはグランドコプレーナ構
造の第１の伝送線路と、信号線導体と同一面に形成され
た接地導体とのギャップがｇ２であるコプレーナ構造ま
たはグランドコプレーナ構造の第２の伝送線路と、前記
第１、第２の伝送線路の信号線導体と接地導体とを相互
に対向させて電気的に接続する導電性バンプとを具備す
るフリップチップ実装構造において、前記第１、第２の
伝送線路の互いに対面する領域における前記第１の伝送
線路の前記信号線導体と前記接地導体とのギャップをｇ
３に拡げるとともに、前記第１、第２の伝送線路の互い
に対面する領域における前記第２の伝送線路の前記信号
線導体と前記接地導体とのギャップをｇ４に拡げ、前記
導電性バンプの高さをｈとしたとき、前記ギッャプｇ１
〜Ｇ４を、 ｇ３−ｇ１≒ｇ４−ｇ２≒２．５ｈ に設定したことを特徴とするフリップフロップ実装構造
として構成した。
号線導体と同一面に形成された接地導体とのギャップが
ｇ１であるコプレーナ構造またはグランドコプレーナ構
造の第１の伝送線路と、信号線導体と同一面に形成され
た接地導体とのギャップがｇ２であるコプレーナ構造ま
たはグランドコプレーナ構造の第２の伝送線路と、前記
第１、第２の伝送線路の信号線導体と接地導体とを相互
に対向させて電気的に接続する導電性バンプとを具備す
るフリップチップ実装構造において、前記第１、第２の
伝送線路の互いに対面する領域における前記第１の伝送
線路の前記信号線導体と前記接地導体とのギャップをｇ
３に拡げるとともに、前記第１、第２の伝送線路の互い
に対面する領域における前記第２の伝送線路の前記信号
線導体と前記接地導体とのギャップをｇ４に拡げ、前記
導電性バンプの高さをｈとしたとき、前記ギッャプｇ１
〜Ｇ４を、 ｇ３−ｇ１≒ｇ４−ｇ２≒２．５ｈ に設定したことを特徴とするフリップフロップ実装構造
として構成した。
【０００７】
［第１の実施の形態］図１は本発明の第１の実施の形態
を示すプリップチップ実装構造を説明するための図であ
って、（ａ）はその斜視図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線
断面図、（ｃ）は（ｂ）のｃ−ｃ線断面図、（ｄ）は
（ｂ）のｄ−ｄ線断面図である。
を示すプリップチップ実装構造を説明するための図であ
って、（ａ）はその斜視図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線
断面図、（ｃ）は（ｂ）のｃ−ｃ線断面図、（ｄ）は
（ｂ）のｄ−ｄ線断面図である。
【０００８】コプレーナ構造の伝送線路１０は、特性イ
ンピーダンスＺｏが５０Ω、信号線導体１１の幅が５０
μｍ、信号線導体１１と接地導体１２との間の入力部１
６のギャップｇ１が３５μｍ、絶縁体基板１３の比誘電
率が１２．５、厚さが１５０μｍである。また、導電性
バンプ１４、２４の位置する部分（入力部１６と反対側
の部分、つまり他方の伝送路２０と対向する領域部分１
５）に対応する信号線導体１１と接地導体１２との対向
部分は、そのギャップｇ３が「ｇ１＜ｇ３」に設定さ
れ、そのギャップが「ｇ３−ｇ１＝Δｇ」だけ拡げられ
ている。
ンピーダンスＺｏが５０Ω、信号線導体１１の幅が５０
μｍ、信号線導体１１と接地導体１２との間の入力部１
６のギャップｇ１が３５μｍ、絶縁体基板１３の比誘電
率が１２．５、厚さが１５０μｍである。また、導電性
バンプ１４、２４の位置する部分（入力部１６と反対側
の部分、つまり他方の伝送路２０と対向する領域部分１
５）に対応する信号線導体１１と接地導体１２との対向
部分は、そのギャップｇ３が「ｇ１＜ｇ３」に設定さ
れ、そのギャップが「ｇ３−ｇ１＝Δｇ」だけ拡げられ
ている。
【０００９】グランドコプレーナ構造の伝送線路２０
は、特性インピーダンスが５０Ω、信号線導体２１の幅
が５０μｍ、信号線導体２１と接地導体２２との間の出
力部２６のギャップｇ２が３５μｍ、絶縁体基板２３の
比誘電率が１２．６、厚さが６００μｍである。また、
導電性バンプ１４、２４の位置する部分（出力部２６と
反対側の部分、つまり他方の伝送路１０と対向する領域
部分２５）に対応する信号線導体２１と接地導体２２と
の対向部分は、そのギャップｇ４が「ｇ２＜ｇ４」に設
定され、そのギャップが「ｇ４−ｇ２＝Δｇ」だけ拡げ
られている。
は、特性インピーダンスが５０Ω、信号線導体２１の幅
が５０μｍ、信号線導体２１と接地導体２２との間の出
力部２６のギャップｇ２が３５μｍ、絶縁体基板２３の
比誘電率が１２．６、厚さが６００μｍである。また、
導電性バンプ１４、２４の位置する部分（出力部２６と
反対側の部分、つまり他方の伝送路１０と対向する領域
部分２５）に対応する信号線導体２１と接地導体２２と
の対向部分は、そのギャップｇ４が「ｇ２＜ｇ４」に設
定され、そのギャップが「ｇ４−ｇ２＝Δｇ」だけ拡げ
られている。
【００１０】なお、伝送線路１０は図１の（ａ）の紙面
において左上方向に延び、伝送線路２０は右下方向に延
びるものであるが、ここでは接続部分のみを示してい
る。他の（ｂ）〜（ｄ）も接続部分のみを示している。
において左上方向に延び、伝送線路２０は右下方向に延
びるものであるが、ここでは接続部分のみを示してい
る。他の（ｂ）〜（ｄ）も接続部分のみを示している。
【００１１】ここでは、前記導電性バンプ１４、２４と
して、高さｈが５０μｍのものを用い、伝送線路１０と
伝送線路２０の信号線導体１１、２１の相互間は導電性
バンプ１４で、また接地導体１２、２２の相互間は導電
線バンプ２４で、各々接続する。
して、高さｈが５０μｍのものを用い、伝送線路１０と
伝送線路２０の信号線導体１１、２１の相互間は導電性
バンプ１４で、また接地導体１２、２２の相互間は導電
線バンプ２４で、各々接続する。
【００１２】伝送線路１０の入力部１６から伝送線路２
０の出力部２６に至るまでの伝送線路の特性インピーダ
ンスＺｏを５０Ω、６０Ω、７０Ωとするための導電性
バンプ１４、２４の高さｈとギッャプ拡げ幅Δｇとの関
係を図２に示した。いずれの特性インピーダンスでも、
導電性バンプの高さｈが約３０μｍ〜１５０μｍにおい
て、Δｇ／ｈは約２．５の傾きとなっている。なお、前
述したように、 Δｇ＝ｇ３−ｇ１ ＝ｇ４−ｇ２ である。
０の出力部２６に至るまでの伝送線路の特性インピーダ
ンスＺｏを５０Ω、６０Ω、７０Ωとするための導電性
バンプ１４、２４の高さｈとギッャプ拡げ幅Δｇとの関
係を図２に示した。いずれの特性インピーダンスでも、
導電性バンプの高さｈが約３０μｍ〜１５０μｍにおい
て、Δｇ／ｈは約２．５の傾きとなっている。なお、前
述したように、 Δｇ＝ｇ３−ｇ１ ＝ｇ４−ｇ２ である。
【００１３】導電性バンプの高さｈ＝５０μｍのとき、
５０Ωの特性インピーダンスを得ようとする際は、Δｇ
／ｈ＝２．５の関係から、拡げ幅Δｇ＝１２５μｍであ
り、伝送線路１０のギッャプｇ３、ｇ４は、 ｇ３＝ｇ１＋Δｇ＝３５μｍ＋１２５μｍ＝１６０μｍ ｇ４＝ｇ２＋Δｇ＝３５μｍ＋１２５μｍ＝１６０μｍ となる。このようにして、コプレーナ構造の伝送線路１
０の入力部１６からグランドコプレーナ構造の伝送線路
２０の出力部２６に至るまでの特性インピーダンスを５
０Ωに整合させることが可能となる。
５０Ωの特性インピーダンスを得ようとする際は、Δｇ
／ｈ＝２．５の関係から、拡げ幅Δｇ＝１２５μｍであ
り、伝送線路１０のギッャプｇ３、ｇ４は、 ｇ３＝ｇ１＋Δｇ＝３５μｍ＋１２５μｍ＝１６０μｍ ｇ４＝ｇ２＋Δｇ＝３５μｍ＋１２５μｍ＝１６０μｍ となる。このようにして、コプレーナ構造の伝送線路１
０の入力部１６からグランドコプレーナ構造の伝送線路
２０の出力部２６に至るまでの特性インピーダンスを５
０Ωに整合させることが可能となる。
【００１４】また、特性インピーダンスＺｏが６０Ωの
とき、７０Ωのときにおいても、導電性バンプ１４、２
４の高さｈが３０μｍ以上であれば、Δｇ／ｈは約２．
５であるので、上記と同様にして拡げ幅Δｇを見つけ、
ギャップｇ３、ｇ４を設定すれば良い。なお、本構造で
は、接地導体１２、２２の相互間を２個のバンプ２４を
１組として用いて接続しているが、３個以上のバンプを
１組として用いて接続することもできることは勿論であ
る。
とき、７０Ωのときにおいても、導電性バンプ１４、２
４の高さｈが３０μｍ以上であれば、Δｇ／ｈは約２．
５であるので、上記と同様にして拡げ幅Δｇを見つけ、
ギャップｇ３、ｇ４を設定すれば良い。なお、本構造で
は、接地導体１２、２２の相互間を２個のバンプ２４を
１組として用いて接続しているが、３個以上のバンプを
１組として用いて接続することもできることは勿論であ
る。
【００１５】図３は、コプレーナ構造の伝送線路１０の
入力部１６からグラントコプレーナ構造の伝送線路２０
の出力部２６に至るまでの経路の反射損失の周波数特性
を示す図である。本構造（拡げ幅Δｇ＝１２５μｍ）
は、拡げ幅Δｇ＝０の従来構造に比べて、４０ＧＨｚの
広い帯域に亙って４０ｄＢ以上となり、周波数特性が著
しく改善されている。
入力部１６からグラントコプレーナ構造の伝送線路２０
の出力部２６に至るまでの経路の反射損失の周波数特性
を示す図である。本構造（拡げ幅Δｇ＝１２５μｍ）
は、拡げ幅Δｇ＝０の従来構造に比べて、４０ＧＨｚの
広い帯域に亙って４０ｄＢ以上となり、周波数特性が著
しく改善されている。
【００１６】図４は、コプレーナ構造の伝送線路１０の
入力部１６からグラントコプレーナ構造の伝送線路２０
の出力部２６に至るまでの経路の挿入損失の周波数特性
を示す図である。本構造では４０ＧＨｚの広い帯域に亙
って損失がみられず、その特性が従来構造よりも著しく
改善されていることが分かる。
入力部１６からグラントコプレーナ構造の伝送線路２０
の出力部２６に至るまでの経路の挿入損失の周波数特性
を示す図である。本構造では４０ＧＨｚの広い帯域に亙
って損失がみられず、その特性が従来構造よりも著しく
改善されていることが分かる。
【００１７】図５は変形例のプリップチップ実装構造を
説明するための図であって、（ａ）はその斜視図、
（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線断面図、（ｃ）は（ｂ）のｃ
−ｃ線断面図、（ｄ）は（ｂ）のｄ−ｄ線断面図であ
る。
説明するための図であって、（ａ）はその斜視図、
（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線断面図、（ｃ）は（ｂ）のｃ
−ｃ線断面図、（ｄ）は（ｂ）のｄ−ｄ線断面図であ
る。
【００１８】この図５では、２つの伝送線路が対向する
領域３５、４５と対向しない領域における信号線導体と
接地導体との間のギャップの変化の構造として、そのギ
ャップのｇ１とｇ３の間の変化、ｇ２とｇ４の間の変化
が各々緩慢になるように、接地導体３２、４２にテーパ
３７、４７を形成している。作用や効果については図１
で説明したものと全く同様である。
領域３５、４５と対向しない領域における信号線導体と
接地導体との間のギャップの変化の構造として、そのギ
ャップのｇ１とｇ３の間の変化、ｇ２とｇ４の間の変化
が各々緩慢になるように、接地導体３２、４２にテーパ
３７、４７を形成している。作用や効果については図１
で説明したものと全く同様である。
【００１９】［第２の実施の形態］図６および図７は第
２の実施の形態のプリップチップ実装構造を説明するた
めの図であって、図６の（ａ）はその斜視図、（ｂ）は
図６の（ａ）のｂ−ｂ線断面図、図７の（ａ）は図６の
（ｂ）のａ−ａ線断面図、（ｂ）は図６の（ｂ）ののｂ
−ｂ線断面図である。
２の実施の形態のプリップチップ実装構造を説明するた
めの図であって、図６の（ａ）はその斜視図、（ｂ）は
図６の（ａ）のｂ−ｂ線断面図、図７の（ａ）は図６の
（ｂ）のａ−ａ線断面図、（ｂ）は図６の（ｂ）ののｂ
−ｂ線断面図である。
【００２０】ここでは、入出力部を兼ね備えるグランド
コプレーナ構造の伝送線路６０の上に、コプレーナ構造
の伝送線路５０をバンプ電極を用いてフリップチップ接
続した例を示す。なお、伝送線路５０には電子部品が搭
載されて電気回路が構成され、伝送線路６０の入力部６
８に入力した信号がこの電気回路で処理されてから伝送
回路６０の出力部６６から出力するものであるが、上記
では接続部分の説明に限ったため、伝送線路５０におけ
る電気回路については説明していない。
コプレーナ構造の伝送線路６０の上に、コプレーナ構造
の伝送線路５０をバンプ電極を用いてフリップチップ接
続した例を示す。なお、伝送線路５０には電子部品が搭
載されて電気回路が構成され、伝送線路６０の入力部６
８に入力した信号がこの電気回路で処理されてから伝送
回路６０の出力部６６から出力するものであるが、上記
では接続部分の説明に限ったため、伝送線路５０におけ
る電気回路については説明していない。
【００２１】伝送線路５０は、特性インピーダンスが５
０Ω、信号線導体５１の幅が５０μｍ、信号線導体５１
と接地導体５２との間のギャップｇ１が３５μｍ、絶縁
体基板５３の比誘電率が１２．５、厚さが１５０μｍで
ある。導電性バンプ５４、６４の位置する部分（他方の
伝送路６０と対向する領域部分５５、５７）に対応する
信号線導体５１と接地導体５２との対向部分のギャップ
ｇ３が「ｇ１＜ｇ３」に設定され、そのギャップが「ｇ
３−ｇ１＝Δｇ」だけ拡げられている。
０Ω、信号線導体５１の幅が５０μｍ、信号線導体５１
と接地導体５２との間のギャップｇ１が３５μｍ、絶縁
体基板５３の比誘電率が１２．５、厚さが１５０μｍで
ある。導電性バンプ５４、６４の位置する部分（他方の
伝送路６０と対向する領域部分５５、５７）に対応する
信号線導体５１と接地導体５２との対向部分のギャップ
ｇ３が「ｇ１＜ｇ３」に設定され、そのギャップが「ｇ
３−ｇ１＝Δｇ」だけ拡げられている。
【００２２】また伝送線路６０は、入力部６８および出
力部６６を兼ねた特性インピーダンスが５０Ω、中央で
分断された信号線導体６１の幅が５０μｍ、信号線導体
６１と接地導体６２との間のギャップｇ２が３５μｍ、
絶縁体基板６３の比誘電率が１２．６、厚さが６００μ
ｍである。導電性バンプ５４、６４の位置する部分（他
方の伝送路５０と対向する領域部分６５、６７）に対応
する信号線導体６１と接地導体６２との対向部分のギャ
ップｇ４が「ｇ１＜ｇ４」に設定され、そのギャップが
「ｇ４−ｇ１＝Δｇ」だけ拡げられている。
力部６６を兼ねた特性インピーダンスが５０Ω、中央で
分断された信号線導体６１の幅が５０μｍ、信号線導体
６１と接地導体６２との間のギャップｇ２が３５μｍ、
絶縁体基板６３の比誘電率が１２．６、厚さが６００μ
ｍである。導電性バンプ５４、６４の位置する部分（他
方の伝送路５０と対向する領域部分６５、６７）に対応
する信号線導体６１と接地導体６２との対向部分のギャ
ップｇ４が「ｇ１＜ｇ４」に設定され、そのギャップが
「ｇ４−ｇ１＝Δｇ」だけ拡げられている。
【００２３】以上のように、伝送線路６０の入力部６８
から出力部６６に至るまでの特性インピーダンスを整合
させるために、２つの伝送線路５０、６０が対向する領
域５５、５７、６５、６７におけるギャップの拡げ幅Δ
ｇを、前述した図２の特性から得られる、Δｇ／ｈ＝
２．５に基づいて決める。このようにして、伝送線路５
０のギャップｇ３と伝送線路６０のギャップｇ４を、お
のおの１６０μｍに設定することにより、伝送線路６０
の入力部６８から出力部６６に至るまでの特性インピー
ダンスを５０Ωに整合させることができる。
から出力部６６に至るまでの特性インピーダンスを整合
させるために、２つの伝送線路５０、６０が対向する領
域５５、５７、６５、６７におけるギャップの拡げ幅Δ
ｇを、前述した図２の特性から得られる、Δｇ／ｈ＝
２．５に基づいて決める。このようにして、伝送線路５
０のギャップｇ３と伝送線路６０のギャップｇ４を、お
のおの１６０μｍに設定することにより、伝送線路６０
の入力部６８から出力部６６に至るまでの特性インピー
ダンスを５０Ωに整合させることができる。
【００２４】なお、本構造では、伝送線路５０と６０を
接続する部分を２個で１組のバンプで接続しているが、
３個以上を１組としたものであっても良い。また、前記
した図５の説明と同様に、ギャップが変化する部分にテ
ーパを設けてその変化を緩慢にしても同様の作用効果を
得ることができる。
接続する部分を２個で１組のバンプで接続しているが、
３個以上を１組としたものであっても良い。また、前記
した図５の説明と同様に、ギャップが変化する部分にテ
ーパを設けてその変化を緩慢にしても同様の作用効果を
得ることができる。
【００２５】［その他の実施の形態］前記した第１、第
２の実施の形態では、コプレーナ構造の伝送線路とグラ
ンドコプレーナ構造の伝送線路の接続構造について説明
したが、コプレーナ構造の伝送線路を相互に接続する場
合、あるいはグランドコプレーナ構造の伝送線路を相互
に接続する場合であっても、同様の作用効果を得ること
ができる。
２の実施の形態では、コプレーナ構造の伝送線路とグラ
ンドコプレーナ構造の伝送線路の接続構造について説明
したが、コプレーナ構造の伝送線路を相互に接続する場
合、あるいはグランドコプレーナ構造の伝送線路を相互
に接続する場合であっても、同様の作用効果を得ること
ができる。
【００２６】
【発明の効果】以上から本発明によれば、２つの伝送線
路の信号線導体と接地導体との間の容量性結合によるリ
アクタンス成分を低減することができ、入力部から出力
部に至る経路の特性インピーダンスを整合させることが
可能となり、特に数十ＧＨｚ以上の超高周波領域での信
号伝送特性が大幅に改善される。
路の信号線導体と接地導体との間の容量性結合によるリ
アクタンス成分を低減することができ、入力部から出力
部に至る経路の特性インピーダンスを整合させることが
可能となり、特に数十ＧＨｚ以上の超高周波領域での信
号伝送特性が大幅に改善される。
【図１】 本発明の第１の実施の形態を示すプリップチ
ップ実装構造を説明するための図であって、（ａ）はそ
の斜視図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線断面図、（ｃ）は
（ｂ）のｃ−ｃ線断面図、（ｄ）は（ｂ）のｄ−ｄ線断
面図である。
ップ実装構造を説明するための図であって、（ａ）はそ
の斜視図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線断面図、（ｃ）は
（ｂ）のｃ−ｃ線断面図、（ｄ）は（ｂ）のｄ−ｄ線断
面図である。
【図２】 特定の特性インピーダンスを得るための導電
性バンプの高さｈとギャップの拡げ幅Δｇの関係を示す
図である。
性バンプの高さｈとギャップの拡げ幅Δｇの関係を示す
図である。
【図３】 反射損失の周波数特性を示す図である。
【図４】 挿入損失の周波数特性を示す図である。
【図５】 第１の実施の形態の変形例を示すプリップチ
ップ実装構造を説明するための図であって、（ａ）はそ
の斜視図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線断面図、（ｃ）は
（ｂ）のｃ−ｃ線断面図、（ｄ）は（ｂ）のｄ−ｄ線断
面図である。
ップ実装構造を説明するための図であって、（ａ）はそ
の斜視図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線断面図、（ｃ）は
（ｂ）のｃ−ｃ線断面図、（ｄ）は（ｂ）のｄ−ｄ線断
面図である。
【図６】 第２の実施の形態を示すフリップチップ実装
構造を説明するための図であって、（ａ）はその斜視
図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線断面図である。
構造を説明するための図であって、（ａ）はその斜視
図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線断面図である。
【図７】 第２の実施の形態を示すフリップチップ実装
構造を説明するための図であって、（ａ）は図６の
（ｂ）のａ−ａ線断面図、（ｂ）は図６の（ｂ）のｂ−
ｂ線断面図である。
構造を説明するための図であって、（ａ）は図６の
（ｂ）のａ−ａ線断面図、（ｂ）は図６の（ｂ）のｂ−
ｂ線断面図である。
【図８】 従来のプリップチップ実装構造を説明するた
めの図であって、（ａ）はその斜視図、（ｂ）は（ａ）
のｂ−ｂ線断面図、（ｃ）は（ｂ）のｃ−ｃ線断面図、
（ｄ）は（ｂ）のｄ−ｄ線断面図である。
めの図であって、（ａ）はその斜視図、（ｂ）は（ａ）
のｂ−ｂ線断面図、（ｃ）は（ｂ）のｃ−ｃ線断面図、
（ｄ）は（ｂ）のｄ−ｄ線断面図である。
１０、３０、５０、７０：プレーナ構造の伝送線路 ２０、４０、６０、８０：グランドコプレーナ構造の伝
送線路 １１、２１、３１、４１、５１、６１、７１、８１：信
号線導体 １２、２２、３２、４２、５２、６２、７２、８２：接
地導体 １３、２３、３３、４３、５３、６３：絶縁体基板 １４、２４、３４、４４、５４、６４、７４、８４：導
電性バンプ １５、２５、３５、４５、５５、５７、６５、６７、７
５、８５：伝送線路が対向する領域 １６、３６、６８、７６：入力部 ２６、４６、６６、８６：出力部 ３７、４７：テーパ
送線路 １１、２１、３１、４１、５１、６１、７１、８１：信
号線導体 １２、２２、３２、４２、５２、６２、７２、８２：接
地導体 １３、２３、３３、４３、５３、６３：絶縁体基板 １４、２４、３４、４４、５４、６４、７４、８４：導
電性バンプ １５、２５、３５、４５、５５、５７、６５、６７、７
５、８５：伝送線路が対向する領域 １６、３６、６８、７６：入力部 ２６、４６、６６、８６：出力部 ３７、４７：テーパ
Claims (1)
- 【請求項１】信号線導体と該信号線導体と同一面に形成
された接地導体とのギャップがｇ１であるコプレーナ構
造またはグランドコプレーナ構造の第１の伝送線路と、
信号線導体と該信号線導体と同一面に形成された接地導
体とのギャップがｇ２であるコプレーナ構造またはグラ
ンドコプレーナ構造の第２の伝送線路と、前記第１、第
２の伝送線路の信号線導体と接地導体とを相互に対向さ
せて電気的に接続する導電性バンプとを具備するフリッ
プチップ実装構造において前記第１、第２の伝送線路の
互いに対面する領域における前記第１の伝送線路の前記
信号線導体と前記接地導体とのギャップをｇ３に拡げる
とともに、 前記第１、第２の伝送線路の互いに対面する領域におけ
る前記第２の伝送線路の前記信号線導体と前記接地導体
とのギャップをｇ４に拡げ、 前記導電性バンプの高さをｈとしたとき、前記ギッャプ
ｇ１〜ｇ４を、 ｇ３−ｇ１≒ｇ４−ｇ２≒２．５ｈ に設定したことを特徴とするフリップフロップ実装構
造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04689696A JP3303226B2 (ja) | 1996-02-09 | 1996-02-09 | フリップチップ実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04689696A JP3303226B2 (ja) | 1996-02-09 | 1996-02-09 | フリップチップ実装構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09219422A true JPH09219422A (ja) | 1997-08-19 |
| JP3303226B2 JP3303226B2 (ja) | 2002-07-15 |
Family
ID=12760137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04689696A Expired - Fee Related JP3303226B2 (ja) | 1996-02-09 | 1996-02-09 | フリップチップ実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3303226B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002057513A (ja) * | 2000-08-11 | 2002-02-22 | Denso Corp | ミリ波モジュール |
| KR100394377B1 (ko) * | 2000-09-07 | 2003-08-14 | 이진구 | 플립칩용 범프 제조 방법 |
| JP2004095869A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | 受光素子および受光装置 |
| JP2004533166A (ja) * | 2001-05-17 | 2004-10-28 | サイプレス セミコンダクター コーポレーション | ボールグリッドアレイアンテナ |
| KR100780535B1 (ko) * | 2005-06-06 | 2007-11-29 | 카야바 고교 가부시기가이샤 | 완충 장치 |
| JP2014127828A (ja) * | 2012-12-26 | 2014-07-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高周波接続線路 |
| CN114520212A (zh) * | 2022-04-20 | 2022-05-20 | 之江实验室 | 一种支持高速信号传输的宽频芯片封装结构 |
-
1996
- 1996-02-09 JP JP04689696A patent/JP3303226B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002057513A (ja) * | 2000-08-11 | 2002-02-22 | Denso Corp | ミリ波モジュール |
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| JP2014127828A (ja) * | 2012-12-26 | 2014-07-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高周波接続線路 |
| CN114520212A (zh) * | 2022-04-20 | 2022-05-20 | 之江实验室 | 一种支持高速信号传输的宽频芯片封装结构 |
| CN114520212B (zh) * | 2022-04-20 | 2022-08-23 | 之江实验室 | 一种支持高速信号传输的宽频芯片封装结构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3303226B2 (ja) | 2002-07-15 |
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Legal Events
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