JPH09223475A - 電磁偏向器、及び該偏向器を用いた荷電粒子線転写装置 - Google Patents
電磁偏向器、及び該偏向器を用いた荷電粒子線転写装置Info
- Publication number
- JPH09223475A JPH09223475A JP8030253A JP3025396A JPH09223475A JP H09223475 A JPH09223475 A JP H09223475A JP 8030253 A JP8030253 A JP 8030253A JP 3025396 A JP3025396 A JP 3025396A JP H09223475 A JPH09223475 A JP H09223475A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coils
- mask
- electromagnetic deflector
- charged particle
- pair
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
- H01J37/1471—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path for centering, aligning or positioning of ray or beam
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 コアの直径や長さを大きくすることなく偏向
感度が一様な領域を大きくできる電磁偏向器を提供す
る。 【解決手段】 軸対称な円筒状のコア１８の内側に、光
軸ＡＸを挟んで対称に所定間隔で１対のコイル１９ａ，
１９ｂを平行に配置する。コイル１９ａ，１９ｂの間で
磁場の弱い領域に対向するように、コイル１９ａ，１９
ｂの面積より小さい面積の１対のコイル２０ａ，２０
ｃ、及び１対のコイル２０ｂ，２０ｄを配置し、コイル
１９ａ，１９ｂ及びコイル２０ａ〜２０ｄにそれぞれ電
流を流すことによって、それらのコイルの間に入射する
電子線をそれらのコイルに平行な方向に偏向する。
感度が一様な領域を大きくできる電磁偏向器を提供す
る。 【解決手段】 軸対称な円筒状のコア１８の内側に、光
軸ＡＸを挟んで対称に所定間隔で１対のコイル１９ａ，
１９ｂを平行に配置する。コイル１９ａ，１９ｂの間で
磁場の弱い領域に対向するように、コイル１９ａ，１９
ｂの面積より小さい面積の１対のコイル２０ａ，２０
ｃ、及び１対のコイル２０ｂ，２０ｄを配置し、コイル
１９ａ，１９ｂ及びコイル２０ａ〜２０ｄにそれぞれ電
流を流すことによって、それらのコイルの間に入射する
電子線をそれらのコイルに平行な方向に偏向する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、荷電粒子線を偏向
するための電磁偏向器、及びこの電磁偏向器を備えた荷
電粒子線転写装置に関し、例えば４ＧビットＤＲＡＭ以
降の高密度の微細パターンを高いスループットで半導体
ウエハ上に転写するための荷電粒子線転写装置に適用し
て卓効あるものである。
するための電磁偏向器、及びこの電磁偏向器を備えた荷
電粒子線転写装置に関し、例えば４ＧビットＤＲＡＭ以
降の高密度の微細パターンを高いスループットで半導体
ウエハ上に転写するための荷電粒子線転写装置に適用し
て卓効あるものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、転写パターンの解像度の向上とス
ループット（生産性）の向上との両立を可能とした荷電
粒子線転写装置の検討が進められている。このような転
写装置としては、従来より１ダイ（１枚のウエハに形成
される多数の集積回路の１個分に相当する。）又は複数
ダイ分のパターンをマスクから、荷電粒子線に感光する
レジストが塗布されたウエハ等の基板上へ一括して転写
する一括転写方式の装置が検討されていた。ところが、
一括転写方式は、転写の原版となるマスクの製作が困難
で、且つ１ダイ分以上の大きな光学フィールド内で荷電
粒子光学系（以下、単に「光学系」と呼ぶ）の収差を所
定値以下に収めることが難しい。
ループット（生産性）の向上との両立を可能とした荷電
粒子線転写装置の検討が進められている。このような転
写装置としては、従来より１ダイ（１枚のウエハに形成
される多数の集積回路の１個分に相当する。）又は複数
ダイ分のパターンをマスクから、荷電粒子線に感光する
レジストが塗布されたウエハ等の基板上へ一括して転写
する一括転写方式の装置が検討されていた。ところが、
一括転写方式は、転写の原版となるマスクの製作が困難
で、且つ１ダイ分以上の大きな光学フィールド内で荷電
粒子光学系（以下、単に「光学系」と呼ぶ）の収差を所
定値以下に収めることが難しい。
【０００３】そこで、最近ではマスク上の転写用のパタ
ーン内から１ダイに相当する大きさよりも小さく収差が
問題とならない視野（以下、「副視野」という）を選択
して荷電粒子線を照射し、マスク上でその副視野を移動
することによってその転写用のパターンを順次その基板
上に転写する分割転写方式の装置が提案されている。こ
の分割転写方式では、その副視野をマスク上で移動させ
るために、サドル型又はトロイダル型の電磁偏向器が使
用されていた。
ーン内から１ダイに相当する大きさよりも小さく収差が
問題とならない視野（以下、「副視野」という）を選択
して荷電粒子線を照射し、マスク上でその副視野を移動
することによってその転写用のパターンを順次その基板
上に転写する分割転写方式の装置が提案されている。こ
の分割転写方式では、その副視野をマスク上で移動させ
るために、サドル型又はトロイダル型の電磁偏向器が使
用されていた。
【０００４】図６は、従来のサドル型の電磁偏向器を示
し、この図６において、強磁性体よりなる円筒状のコア
５０の内側に密着するように、且つ対向するように１対
のループ状のコイル５１ａ，５１ｂが取り付けられてい
る。そして、コア５０の中心を電子光学系の光軸ＡＸに
合わせた状態で、コイル５１ａ，５１ｂに所定の電流を
流すことによって、コイル５１ａ及び５１ｂを貫く磁場
が発生し、光軸ＡＸに沿ってコア５０の内部を通過する
電子線ＥＢがその磁場に垂直な方向に偏向される。
し、この図６において、強磁性体よりなる円筒状のコア
５０の内側に密着するように、且つ対向するように１対
のループ状のコイル５１ａ，５１ｂが取り付けられてい
る。そして、コア５０の中心を電子光学系の光軸ＡＸに
合わせた状態で、コイル５１ａ，５１ｂに所定の電流を
流すことによって、コイル５１ａ及び５１ｂを貫く磁場
が発生し、光軸ＡＸに沿ってコア５０の内部を通過する
電子線ＥＢがその磁場に垂直な方向に偏向される。
【０００５】また、上述の分割転写方式に使用される結
像光学系は、できるだけ大きな視野で諸収差の小さいこ
とが望まれる。そのような従来の結像光学系としては、
対称磁気ダブレット方式、又はＰＲＥＶＡＩＬ（Projec
tion Lithography with Variable Axis Immersion Len
s）方式等が知られている。これらの内で、前者の対称
磁気ダブレット方式とは、対物レンズを上側のレンズと
下側のレンズとより構成し、それら２つのレンズで所定
の対称条件を満たして収差を除去する方式である。ま
た、後者のＰＲＥＶＡＩＬ方式は、対物レンズの軸を偏
向器による偏向磁場を用いて動かすことによって、広い
視野にしたときの収差を小さくすると共に、その対物レ
ンズとして転写対象の基板がレンズの内側に収まる所謂
インレンズ型のレンズを使用する方式である。
像光学系は、できるだけ大きな視野で諸収差の小さいこ
とが望まれる。そのような従来の結像光学系としては、
対称磁気ダブレット方式、又はＰＲＥＶＡＩＬ（Projec
tion Lithography with Variable Axis Immersion Len
s）方式等が知られている。これらの内で、前者の対称
磁気ダブレット方式とは、対物レンズを上側のレンズと
下側のレンズとより構成し、それら２つのレンズで所定
の対称条件を満たして収差を除去する方式である。ま
た、後者のＰＲＥＶＡＩＬ方式は、対物レンズの軸を偏
向器による偏向磁場を用いて動かすことによって、広い
視野にしたときの収差を小さくすると共に、その対物レ
ンズとして転写対象の基板がレンズの内側に収まる所謂
インレンズ型のレンズを使用する方式である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記の如き従来の技術
において、トロイダル型あるいはサドル型の電磁偏向器
を使用する場合、その電磁偏向器のコアの直径を大きく
し、且つそのコアの長さを長くしないと、そのコアの内
部で一様な偏向感度（コイルに流す単位電流当たりの荷
電粒子線に対する偏向角の変化量）が得られる領域を必
要な大きさにできないという不都合があった。しかし、
そのコアの直径を大きくすると偏向感度が低下して荷電
粒子線を偏向歪なく大きく偏向するのが困難となり、そ
のコアを長くして電磁偏向器を光軸方向に長くすると、
マスクと基板との間隔が長くなって、空間電荷効果によ
るぼけが大きくなるという不都合があった。
において、トロイダル型あるいはサドル型の電磁偏向器
を使用する場合、その電磁偏向器のコアの直径を大きく
し、且つそのコアの長さを長くしないと、そのコアの内
部で一様な偏向感度（コイルに流す単位電流当たりの荷
電粒子線に対する偏向角の変化量）が得られる領域を必
要な大きさにできないという不都合があった。しかし、
そのコアの直径を大きくすると偏向感度が低下して荷電
粒子線を偏向歪なく大きく偏向するのが困難となり、そ
のコアを長くして電磁偏向器を光軸方向に長くすると、
マスクと基板との間隔が長くなって、空間電荷効果によ
るぼけが大きくなるという不都合があった。
【０００７】また、従来の分割転写方式の荷電粒子線転
写装置で、結像光学系として対称磁気ダブレット方式の
光学系を使用した場合、マスク上の副視野内での像面湾
曲あるいは非点収差の残留誤差、又はコマ収差を所定の
許容範囲内に収めるためには、マスクと基板との間隔を
あまり短くできなかった。一方、結像光学系としてＰＲ
ＥＶＡＩＬ方式の光学系を使用した場合でも、マスク上
の副視野内での残留歪を小さくするためには、マスクと
基板との間隔をあまり短くできなかった。そのマスクと
基板との間隔が長いと、空間電荷効果による荷電粒子線
のぼけが大きくなるので、小さいビーム電流で転写せざ
るを得ず、結果としてスループットを高められないとい
う不都合があった。
写装置で、結像光学系として対称磁気ダブレット方式の
光学系を使用した場合、マスク上の副視野内での像面湾
曲あるいは非点収差の残留誤差、又はコマ収差を所定の
許容範囲内に収めるためには、マスクと基板との間隔を
あまり短くできなかった。一方、結像光学系としてＰＲ
ＥＶＡＩＬ方式の光学系を使用した場合でも、マスク上
の副視野内での残留歪を小さくするためには、マスクと
基板との間隔をあまり短くできなかった。そのマスクと
基板との間隔が長いと、空間電荷効果による荷電粒子線
のぼけが大きくなるので、小さいビーム電流で転写せざ
るを得ず、結果としてスループットを高められないとい
う不都合があった。
【０００８】本発明は斯かる点に鑑み、コアの直径や長
さを大きくすることなく偏向感度が一様な領域を大きく
できる電磁偏向器を提供することを第１の目的とする。
更に本発明は、マスクに形成されたパターン上で副視野
（荷電粒子線の照射領域）を連続的、又は間欠的に移動
することによって、そのパターンを転写対象の基板上に
転写する際に、そのように偏向感度が一様な領域の大き
い電磁偏向器を使用することによって、転写歪を大きく
することなくマスクと基板との間隔を短くできる荷電粒
子線転写装置を提供することを第２の目的とする。
さを大きくすることなく偏向感度が一様な領域を大きく
できる電磁偏向器を提供することを第１の目的とする。
更に本発明は、マスクに形成されたパターン上で副視野
（荷電粒子線の照射領域）を連続的、又は間欠的に移動
することによって、そのパターンを転写対象の基板上に
転写する際に、そのように偏向感度が一様な領域の大き
い電磁偏向器を使用することによって、転写歪を大きく
することなくマスクと基板との間隔を短くできる荷電粒
子線転写装置を提供することを第２の目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による電磁偏向器
は、例えば図３及び図４に示すように、円筒状のコア
（６；１８）の内側に１対のコイル（７ａ，７ｂ；１９
ａ，１９ｂ）を対向するように平行に設置し、それら１
対のコイルに同一方向に通電することによってそれら一
対のコイルの間を通過する荷電粒子線をそれらコイルと
平行な方向に偏向するものである。
は、例えば図３及び図４に示すように、円筒状のコア
（６；１８）の内側に１対のコイル（７ａ，７ｂ；１９
ａ，１９ｂ）を対向するように平行に設置し、それら１
対のコイルに同一方向に通電することによってそれら一
対のコイルの間を通過する荷電粒子線をそれらコイルと
平行な方向に偏向するものである。
【００１０】斯かる本発明の電磁偏向器によれば、例え
ばコア（６）内の１対のコイル（７ａ，７ｂ）に電流を
流すことによって、これらのコイルを貫く磁場が発生
し、これらのコイルの間を通過する荷電粒子線は、これ
らのコイルに平行な方向（その磁場に垂直な方向）に偏
向される。このとき、その一対のコイル（７ａ，７ｂ）
の間隔を狭くすれば、磁場が強くなって偏向感度が上が
ると共に、磁場が一様になるため、偏向感度が一様とみ
なせる領域が広くなる。
ばコア（６）内の１対のコイル（７ａ，７ｂ）に電流を
流すことによって、これらのコイルを貫く磁場が発生
し、これらのコイルの間を通過する荷電粒子線は、これ
らのコイルに平行な方向（その磁場に垂直な方向）に偏
向される。このとき、その一対のコイル（７ａ，７ｂ）
の間隔を狭くすれば、磁場が強くなって偏向感度が上が
ると共に、磁場が一様になるため、偏向感度が一様とみ
なせる領域が広くなる。
【００１１】この場合、コア（１８）の内側に１対のコ
イル（１９ａ，１９ｂ）の少なくとも一方に近接して、
このコイルよりも磁束面積の小さい補助コイル（２０
ａ）を設けるようにしてもよい。また、その補助コイル
も対（２０ａ，２０ｃ）にして設けることが望ましい。
例えば偏向感度が平均値より低い領域にその補助コイル
（２０ａ，２０ｃ）を設けて、偏向感度を均一化するこ
とによって、偏向感度が均一とみなせる領域を広くでき
ると共に、偏向感度の均一性が高められる。
イル（１９ａ，１９ｂ）の少なくとも一方に近接して、
このコイルよりも磁束面積の小さい補助コイル（２０
ａ）を設けるようにしてもよい。また、その補助コイル
も対（２０ａ，２０ｃ）にして設けることが望ましい。
例えば偏向感度が平均値より低い領域にその補助コイル
（２０ａ，２０ｃ）を設けて、偏向感度を均一化するこ
とによって、偏向感度が均一とみなせる領域を広くでき
ると共に、偏向感度の均一性が高められる。
【００１２】次に、本発明による荷電粒子線転写装置
は、例えば図１、図２及び図５に示すように、本発明の
電磁偏向器（６〜８，１８，１９）を備え、転写用パタ
ーンが所定方向に複数個の視野（４１Ａ，４１Ｂ，４１
Ｃ）に分割されて形成されたマスク（Ｍ）から選択され
た１つの視野（４１Ａ）上でその電磁偏向器のその１対
のコイル（７，８，１９）に平行な方向に沿って荷電粒
子線を連続的、又は間欠的に移動する走査系（６〜８，
１０，１８，１９，２１，３０）と、その選択された視
野（４１Ａ）を通過した荷電粒子線を転写対象の基板
（Ｗ）上で結像する結像系（２２，２３）と、を有し、
マスク上の各視野（４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ）毎にそれ
ぞれ荷電粒子線を移動することによって当該視野内のパ
ターンを基板（Ｗ）上に転写するものである。
は、例えば図１、図２及び図５に示すように、本発明の
電磁偏向器（６〜８，１８，１９）を備え、転写用パタ
ーンが所定方向に複数個の視野（４１Ａ，４１Ｂ，４１
Ｃ）に分割されて形成されたマスク（Ｍ）から選択され
た１つの視野（４１Ａ）上でその電磁偏向器のその１対
のコイル（７，８，１９）に平行な方向に沿って荷電粒
子線を連続的、又は間欠的に移動する走査系（６〜８，
１０，１８，１９，２１，３０）と、その選択された視
野（４１Ａ）を通過した荷電粒子線を転写対象の基板
（Ｗ）上で結像する結像系（２２，２３）と、を有し、
マスク上の各視野（４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ）毎にそれ
ぞれ荷電粒子線を移動することによって当該視野内のパ
ターンを基板（Ｗ）上に転写するものである。
【００１３】斯かる本発明の転写装置によれば、マスク
（Ｍ）は例えばパターン形成領域の短辺方向の長さ、又
はその長さの整数分の１を長手方向の幅とする複数個の
視野（４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ）に分割され、その内か
ら選択された１つの視野（４１Ａ）上で、その視野（４
１Ａ）の短辺方向の幅と等しいか、又は僅かに長い照射
領域（副視野）（９）に荷電粒子線が照射される。そし
て、この照射領域（９）をその走査系によってその視野
（４１Ａ）の長手方向に連続的に走査するか、又は所定
幅ずつ間欠的にステップ・アンド・リピート方式で移動
することによって、対応する基板（Ｗ）上にその視野
（４１Ａ）のパターンが転写される。そして、例えばマ
スク（Ｍ）及び基板（Ｗ）を複数個の視野（４１Ａ，４
１Ｂ，４１Ｃ）の短辺方向に機械的にステージを介して
移動させながら、各視野毎の転写を繰り返すことによっ
て、それら複数個の視野（４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ）の
パターンが基板（Ｗ）上に転写される。
（Ｍ）は例えばパターン形成領域の短辺方向の長さ、又
はその長さの整数分の１を長手方向の幅とする複数個の
視野（４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ）に分割され、その内か
ら選択された１つの視野（４１Ａ）上で、その視野（４
１Ａ）の短辺方向の幅と等しいか、又は僅かに長い照射
領域（副視野）（９）に荷電粒子線が照射される。そし
て、この照射領域（９）をその走査系によってその視野
（４１Ａ）の長手方向に連続的に走査するか、又は所定
幅ずつ間欠的にステップ・アンド・リピート方式で移動
することによって、対応する基板（Ｗ）上にその視野
（４１Ａ）のパターンが転写される。そして、例えばマ
スク（Ｍ）及び基板（Ｗ）を複数個の視野（４１Ａ，４
１Ｂ，４１Ｃ）の短辺方向に機械的にステージを介して
移動させながら、各視野毎の転写を繰り返すことによっ
て、それら複数個の視野（４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ）の
パターンが基板（Ｗ）上に転写される。
【００１４】この場合、荷電粒子線（副視野）はマスク
Ｍ上で各視野の長手方向に大きく偏向する必要がある
が、各視野の短辺方向には大きく偏向する必要はなく、
各視野の短辺方向に対する荷電粒子線の走査領域の幅は
数ｍｍ程度もあれば十分である。そのため、コア内にそ
の荷電粒子線の走査方向に平行に１対のコイルを配置す
る本発明の電磁偏向器は、本発明の荷電粒子線転写装置
に好適である。また、その一対のコイルの間隔を狭くで
きるため、偏向感度が向上し、且つ偏向感度の一様性も
良くなる。
Ｍ上で各視野の長手方向に大きく偏向する必要がある
が、各視野の短辺方向には大きく偏向する必要はなく、
各視野の短辺方向に対する荷電粒子線の走査領域の幅は
数ｍｍ程度もあれば十分である。そのため、コア内にそ
の荷電粒子線の走査方向に平行に１対のコイルを配置す
る本発明の電磁偏向器は、本発明の荷電粒子線転写装置
に好適である。また、その一対のコイルの間隔を狭くで
きるため、偏向感度が向上し、且つ偏向感度の一様性も
良くなる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の一例
につき図１〜図５を参照して説明する。本例は分割転写
方式の電子線縮小転写装置、及びこの転写装置で使用さ
れている電磁偏向器に本発明を適用したものである。先
ず、図１は本例の電子線縮小転写装置の概略構成を示
し、この図１において、光学系（電子光学系）の光軸Ａ
Ｘに垂直にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内で図１の紙
面に垂直にＹ軸を、図１の紙面に平行にＸ軸を取って説
明する。電子銃１から放出された電子線ＥＢは、コンデ
ンサレンズ２を介してビーム成形アパーチャ３上に照射
されて、断面形状がＹ方向に長い矩形に成形される。ビ
ーム成形アパーチャ３によって成形された電子線ＥＢ
は、コンデンサレンズ４及び５によってで平行ビームと
されて、コア６及びコイル７よりなる走査用の電磁偏向
器によってＸ方向に偏向された後、コア６及びコイル８
よりなる振り戻し用の電磁偏向器によって光軸ＡＸに平
行にされて、マスクＭの１つの主視野（図５参照）上の
副視野９に導かれる。コイル７，８に対する電流、即ち
それらに対応する電磁偏向器における偏向量は、装置全
体の動作を統轄制御する主制御系１１が偏向量設定部１
０を介して設定する。
につき図１〜図５を参照して説明する。本例は分割転写
方式の電子線縮小転写装置、及びこの転写装置で使用さ
れている電磁偏向器に本発明を適用したものである。先
ず、図１は本例の電子線縮小転写装置の概略構成を示
し、この図１において、光学系（電子光学系）の光軸Ａ
Ｘに垂直にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内で図１の紙
面に垂直にＹ軸を、図１の紙面に平行にＸ軸を取って説
明する。電子銃１から放出された電子線ＥＢは、コンデ
ンサレンズ２を介してビーム成形アパーチャ３上に照射
されて、断面形状がＹ方向に長い矩形に成形される。ビ
ーム成形アパーチャ３によって成形された電子線ＥＢ
は、コンデンサレンズ４及び５によってで平行ビームと
されて、コア６及びコイル７よりなる走査用の電磁偏向
器によってＸ方向に偏向された後、コア６及びコイル８
よりなる振り戻し用の電磁偏向器によって光軸ＡＸに平
行にされて、マスクＭの１つの主視野（図５参照）上の
副視野９に導かれる。コイル７，８に対する電流、即ち
それらに対応する電磁偏向器における偏向量は、装置全
体の動作を統轄制御する主制御系１１が偏向量設定部１
０を介して設定する。
【００１６】マスクＭ上の副視野９を通過して光軸ＡＸ
に平行に進む電子線ＥＢは、走査用の静電偏向器１６、
及び振り戻し用の静電偏向器１７を経て、コア１８及び
コイル１９，２０よりなる走査用の電磁偏向器によって
Ｘ方向に偏向された後、コイル２１を含む振り戻し用の
電磁偏向器によって偏向されて光軸ＡＸに沿って進む。
その後、電子線ＥＢは投影レンズ２２によってクロスオ
ーバＣＯを結んだ後、対物レンズ２３によって縮小倍率
β（βは例えば１／４）で反転縮小される。
に平行に進む電子線ＥＢは、走査用の静電偏向器１６、
及び振り戻し用の静電偏向器１７を経て、コア１８及び
コイル１９，２０よりなる走査用の電磁偏向器によって
Ｘ方向に偏向された後、コイル２１を含む振り戻し用の
電磁偏向器によって偏向されて光軸ＡＸに沿って進む。
その後、電子線ＥＢは投影レンズ２２によってクロスオ
ーバＣＯを結んだ後、対物レンズ２３によって縮小倍率
β（βは例えば１／４）で反転縮小される。
【００１７】その後、電子線ＥＢは、コイル２４を含む
走査用の電磁偏向器によってＸ方向に光軸ＡＸから離れ
るように偏向され、コア２５及びコイル２６，２７より
なる振り戻し用の電磁偏向器によって光軸ＡＸに平行に
された後、８極の静電偏向器２８を経て、電子線レジス
トが塗布されたウエハＷ上の露光領域２９にほぼ垂直に
入射する。この場合、ウエハＷ上の露光領域２９は、光
軸ＡＸに関してマスクＭ上の副視野９の位置をほぼ対称
に−β倍した位置にあり、且つ露光領域２９内の像は副
視野９内のパターンをβ倍で反転縮小した像である。
走査用の電磁偏向器によってＸ方向に光軸ＡＸから離れ
るように偏向され、コア２５及びコイル２６，２７より
なる振り戻し用の電磁偏向器によって光軸ＡＸに平行に
された後、８極の静電偏向器２８を経て、電子線レジス
トが塗布されたウエハＷ上の露光領域２９にほぼ垂直に
入射する。この場合、ウエハＷ上の露光領域２９は、光
軸ＡＸに関してマスクＭ上の副視野９の位置をほぼ対称
に−β倍した位置にあり、且つ露光領域２９内の像は副
視野９内のパターンをβ倍で反転縮小した像である。
【００１８】本例の静電偏向器１６，１７はそれぞれＸ
方向に長い平板状の１対の電極を光軸ＡＸを挟むよう
に、狭い間隔で平行に配置したものである（図２参
照）。本例では、後述のようにマスクＭ及びウエハＷは
Ｙ方向に機械的に相対的に走査されるが、それらの相対
位置が設計値から外れた場合に、ウエハＷ上での電子線
ＥＢの照射位置をＹ方向に補正するために静電偏向器１
６及び１７が使用される。また、ウエハＷ上に既に転写
されているパターンがマスクＭ上のパターンに対して相
対的に回転、又は位置ずれしているような場合には、そ
のような相対位置誤差（レジストレーション）を補正す
るために、ウエハＷ上での露光領域２９の位置をＸ方
向、Ｙ方向に微調整する必要のあることもある。そこ
で、このように露光領域２９の位置を微調整するために
８極の静電偏向器２８が使用される。この場合の位置の
調整量は最大でも５μｍ程度と小さいため、振り戻しは
行うことなく１段の静電偏向器２８を使用した。これら
の静電偏向器１６，１７，２８の動作は主制御系１１を
介して不図示の駆動部によって制御される。
方向に長い平板状の１対の電極を光軸ＡＸを挟むよう
に、狭い間隔で平行に配置したものである（図２参
照）。本例では、後述のようにマスクＭ及びウエハＷは
Ｙ方向に機械的に相対的に走査されるが、それらの相対
位置が設計値から外れた場合に、ウエハＷ上での電子線
ＥＢの照射位置をＹ方向に補正するために静電偏向器１
６及び１７が使用される。また、ウエハＷ上に既に転写
されているパターンがマスクＭ上のパターンに対して相
対的に回転、又は位置ずれしているような場合には、そ
のような相対位置誤差（レジストレーション）を補正す
るために、ウエハＷ上での露光領域２９の位置をＸ方
向、Ｙ方向に微調整する必要のあることもある。そこ
で、このように露光領域２９の位置を微調整するために
８極の静電偏向器２８が使用される。この場合の位置の
調整量は最大でも５μｍ程度と小さいため、振り戻しは
行うことなく１段の静電偏向器２８を使用した。これら
の静電偏向器１６，１７，２８の動作は主制御系１１を
介して不図示の駆動部によって制御される。
【００１９】また、コイル１９，２０，２１，２４，２
６，２７に対する電流、即ちそれらに対応する電磁偏向
器における偏向量も、主制御系１１が偏向量設定部３０
を介して設定する。図１において、マスクＭはマスクス
テージ１２内にＸＹ平面と平行に取り付けられ、マスク
ステージ１２は、マスクベース１３上でマスクステージ
駆動系１５によりＹ方向に連続移動し、Ｘ方向にステッ
プ移動できるように構成されている。マスクステージ１
２のＸ方向の位置はレーザ干渉計１４Ｘで検出され主制
御系１１に出力される。
６，２７に対する電流、即ちそれらに対応する電磁偏向
器における偏向量も、主制御系１１が偏向量設定部３０
を介して設定する。図１において、マスクＭはマスクス
テージ１２内にＸＹ平面と平行に取り付けられ、マスク
ステージ１２は、マスクベース１３上でマスクステージ
駆動系１５によりＹ方向に連続移動し、Ｘ方向にステッ
プ移動できるように構成されている。マスクステージ１
２のＸ方向の位置はレーザ干渉計１４Ｘで検出され主制
御系１１に出力される。
【００２０】一方、ウエハＷは、可動ステージ３２上の
試料台３１上にＸＹ平面と平行に保持されている。試料
台３１は、可動ステージ３２に連結されたウエハステー
ジ駆動系３４によりＹ方向に連続移動できると共に、Ｘ
方向にステップ移動できるように構成されている。試料
台３１のＸ方向の位置は、レーザ干渉計３３Ｘで検出さ
れて主制御系１１に出力される。
試料台３１上にＸＹ平面と平行に保持されている。試料
台３１は、可動ステージ３２に連結されたウエハステー
ジ駆動系３４によりＹ方向に連続移動できると共に、Ｘ
方向にステップ移動できるように構成されている。試料
台３１のＸ方向の位置は、レーザ干渉計３３Ｘで検出さ
れて主制御系１１に出力される。
【００２１】図２は図１の装置を−Ｘ方向に見た側面図
を示し、この図２に示すように、マスクステージ１２の
Ｙ方向の位置は２箇所のレーザ干渉計１４Ｙ１，１４Ｙ
２で検出されて、図１の主制御系１１に出力される。主
制御系１１ではそれら２つの検出結果の平均値、及び差
分をそれぞれマスクステージ１２のＹ方向の位置、及び
回転量とする。同様に、試料台３１のＹ方向の位置も２
箇所のレーザ干渉計３３Ｙ１，３３Ｙ２で検出されて、
図１の主制御系１１に出力され、主制御系１１ではそれ
ら２つの検出結果の平均値、及び差分をそれぞれ試料台
３１のＹ方向の位置、及び回転量とする。なお、図１で
はマスクＭ上の一点を光軸ＡＸに平行に通過する電子線
の軌跡が示され、図２ではマスクＭ上の副視野９を光軸
ＡＸに平行に通過する電子線束の軌跡が示されている。
を示し、この図２に示すように、マスクステージ１２の
Ｙ方向の位置は２箇所のレーザ干渉計１４Ｙ１，１４Ｙ
２で検出されて、図１の主制御系１１に出力される。主
制御系１１ではそれら２つの検出結果の平均値、及び差
分をそれぞれマスクステージ１２のＹ方向の位置、及び
回転量とする。同様に、試料台３１のＹ方向の位置も２
箇所のレーザ干渉計３３Ｙ１，３３Ｙ２で検出されて、
図１の主制御系１１に出力され、主制御系１１ではそれ
ら２つの検出結果の平均値、及び差分をそれぞれ試料台
３１のＹ方向の位置、及び回転量とする。なお、図１で
はマスクＭ上の一点を光軸ＡＸに平行に通過する電子線
の軌跡が示され、図２ではマスクＭ上の副視野９を光軸
ＡＸに平行に通過する電子線束の軌跡が示されている。
【００２２】図１に戻り、不図示の露光データ記憶装置
より、露光対象のマスクＭのパターン構成や、ウエハＷ
上の複数の転写領域の配列の情報等の露光データが主制
御系１１に供給される。この露光データに基づいて、主
制御系１１は偏向量設定部１０，３０等を介して電子線
ＥＢのＸ方向、及びＹ方向への偏向量を制御すると共
に、マスクステージ駆動系１５及びウエハステージ駆動
系３４を介してマスクＭ及びウエハＷの位置及び移動速
度を制御することによって、ウエハＷ上の各転写領域に
それぞれ目標とするパターンの縮小像を転写する。
より、露光対象のマスクＭのパターン構成や、ウエハＷ
上の複数の転写領域の配列の情報等の露光データが主制
御系１１に供給される。この露光データに基づいて、主
制御系１１は偏向量設定部１０，３０等を介して電子線
ＥＢのＸ方向、及びＹ方向への偏向量を制御すると共
に、マスクステージ駆動系１５及びウエハステージ駆動
系３４を介してマスクＭ及びウエハＷの位置及び移動速
度を制御することによって、ウエハＷ上の各転写領域に
それぞれ目標とするパターンの縮小像を転写する。
【００２３】さて、ここで本例の電磁偏向器の構成につ
き詳細に説明する。先ず、図１のコア６及びコイル７よ
りなる電磁偏向器と、コア６及びコイル８よりなる電磁
偏向器について説明する。図３は、それらの電磁偏向器
を示し、この図３において、フェライト製の軸対称の円
筒型のコア６が、この中心軸が電子光学系の光軸ＡＸに
合致するように配置されている。そして、コア６の内側
に光軸ＡＸを挟んでＹ方向に沿って対称に所定間隔で、
ＸＺ面に平行な１対のループ状のコイル７ａ，７ｂが配
置されている。コイル７ａ，７ｂの巻き数は１ターンで
もよいが、複数ターンでもよい。更に、ＸＹ平面内で光
軸ＡＸからコイル７ａ，７ｂの両端を見込む円周角θ
は、一例として１２０°（＝６０°×２）程度である。
但し、コイル７ａ，７ｂの間隔をかなり狭くしたときに
は、その円周角θは１２０°より大きくなる。また、コ
ア６の内側のコイル７ａ，７ｂの下方に、これらのコイ
ルと平行に、且つ光軸ＡＸを挟んで対称に１対のコイル
８ａ，８ｂが配置されている。コイル７ａ，７ｂ及びコ
イル８ａ，８ｂを図１及び図２ではそれぞれコイル７及
びコイル８と総称している。
き詳細に説明する。先ず、図１のコア６及びコイル７よ
りなる電磁偏向器と、コア６及びコイル８よりなる電磁
偏向器について説明する。図３は、それらの電磁偏向器
を示し、この図３において、フェライト製の軸対称の円
筒型のコア６が、この中心軸が電子光学系の光軸ＡＸに
合致するように配置されている。そして、コア６の内側
に光軸ＡＸを挟んでＹ方向に沿って対称に所定間隔で、
ＸＺ面に平行な１対のループ状のコイル７ａ，７ｂが配
置されている。コイル７ａ，７ｂの巻き数は１ターンで
もよいが、複数ターンでもよい。更に、ＸＹ平面内で光
軸ＡＸからコイル７ａ，７ｂの両端を見込む円周角θ
は、一例として１２０°（＝６０°×２）程度である。
但し、コイル７ａ，７ｂの間隔をかなり狭くしたときに
は、その円周角θは１２０°より大きくなる。また、コ
ア６の内側のコイル７ａ，７ｂの下方に、これらのコイ
ルと平行に、且つ光軸ＡＸを挟んで対称に１対のコイル
８ａ，８ｂが配置されている。コイル７ａ，７ｂ及びコ
イル８ａ，８ｂを図１及び図２ではそれぞれコイル７及
びコイル８と総称している。
【００２４】図３において、コア６及びコイル７ａ，７
ｂより走査用の電磁偏向器が構成され、コア６及びコイ
ル８ａ，８ｂより振り戻し用の電磁偏向器が構成されて
いる。即ち、コイル７ａ，７ｂにそれぞれ所定の電流を
流すことによって、Ｙ方向（±Ｙ方向）にコイル７ａ，
７ｂを貫くように磁場が発生し、光軸ＡＸに平行にコイ
ル７ａ，７ｂの間に入射した電子線ＥＢは、その磁場に
垂直なＸ方向（±Ｘ方向）に所定角度偏向されて、コア
８ａ，８ｂの間に向かう。このとき、コイル８ａ，８ｂ
にそれぞれ対応する電流を流すことによって、Ｙ方向に
コイル８ａ，８ｂを貫くように磁場が生成されて、コイ
ル８ａ，８ｂの間に入射した電子線ＥＢは、その磁場に
垂直なＸ方向に偏向されて光軸ＡＸに平行に進むように
なる。このように本例の電磁偏向器は、電子線ＥＢをＸ
方向に大きく偏向することができる。
ｂより走査用の電磁偏向器が構成され、コア６及びコイ
ル８ａ，８ｂより振り戻し用の電磁偏向器が構成されて
いる。即ち、コイル７ａ，７ｂにそれぞれ所定の電流を
流すことによって、Ｙ方向（±Ｙ方向）にコイル７ａ，
７ｂを貫くように磁場が発生し、光軸ＡＸに平行にコイ
ル７ａ，７ｂの間に入射した電子線ＥＢは、その磁場に
垂直なＸ方向（±Ｘ方向）に所定角度偏向されて、コア
８ａ，８ｂの間に向かう。このとき、コイル８ａ，８ｂ
にそれぞれ対応する電流を流すことによって、Ｙ方向に
コイル８ａ，８ｂを貫くように磁場が生成されて、コイ
ル８ａ，８ｂの間に入射した電子線ＥＢは、その磁場に
垂直なＸ方向に偏向されて光軸ＡＸに平行に進むように
なる。このように本例の電磁偏向器は、電子線ＥＢをＸ
方向に大きく偏向することができる。
【００２５】この場合、コイル７ａ，７ｂは平行に近接
して配置されているため、コイル７ａ，７ｂの間で発生
する磁場の分布はほぼ一様であり、コイル７ａ，７ｂの
内部のほぼ全面で偏向感度（コイルに流す単位電流当た
りの荷電粒子線に対する偏向角の変化量）が一様とみな
すことができる。これはコイル８ａ，８ｂについても同
様である。従って、本例の電磁偏向器によれば、コア６
の直径や長さを大きくすることなく偏向感度が一様な領
域を従来例よりも大きくできる。更に、コイル８ａ，８
ｂの間隔を狭くすることによって、その偏向感度を従来
例よりも大きくすることができる。また、図３の２つの
電磁偏向器では、コア６が共通に使用されているため、
構成が簡略化されている。
して配置されているため、コイル７ａ，７ｂの間で発生
する磁場の分布はほぼ一様であり、コイル７ａ，７ｂの
内部のほぼ全面で偏向感度（コイルに流す単位電流当た
りの荷電粒子線に対する偏向角の変化量）が一様とみな
すことができる。これはコイル８ａ，８ｂについても同
様である。従って、本例の電磁偏向器によれば、コア６
の直径や長さを大きくすることなく偏向感度が一様な領
域を従来例よりも大きくできる。更に、コイル８ａ，８
ｂの間隔を狭くすることによって、その偏向感度を従来
例よりも大きくすることができる。また、図３の２つの
電磁偏向器では、コア６が共通に使用されているため、
構成が簡略化されている。
【００２６】次に、図１のコア１８及びコイル１９，２
０よりなる電磁偏向器について説明する。図４は、その
電磁偏向器を示し、この図４において、フェライト製の
軸対称の円筒型のコア１８が、この中心軸が光軸ＡＸに
合致するように配置され、コア１８の内側に光軸ＡＸを
挟んでＹ方向に沿って対称に所定間隔で、ＸＺ面に平行
な１対のループ状のコイル１９ａ，１９ｂが配置されて
いる。この１対のコイル１９ａ，１９ｂに通電すること
によって、図３の電磁偏向器と同様にコイル１９ａ，１
９ｂの間を通過する電子線をＸ方向に偏向できる。この
ようにコイル１９ａ，１９ｂに通電するだけでも、従来
例と比べて偏向感度が一様な領域は広くなっている。
０よりなる電磁偏向器について説明する。図４は、その
電磁偏向器を示し、この図４において、フェライト製の
軸対称の円筒型のコア１８が、この中心軸が光軸ＡＸに
合致するように配置され、コア１８の内側に光軸ＡＸを
挟んでＹ方向に沿って対称に所定間隔で、ＸＺ面に平行
な１対のループ状のコイル１９ａ，１９ｂが配置されて
いる。この１対のコイル１９ａ，１９ｂに通電すること
によって、図３の電磁偏向器と同様にコイル１９ａ，１
９ｂの間を通過する電子線をＸ方向に偏向できる。この
ようにコイル１９ａ，１９ｂに通電するだけでも、従来
例と比べて偏向感度が一様な領域は広くなっている。
【００２７】しかしながら、この電磁偏向器は、図１で
示すように、マスクＭを通過した電子線を大きく正確に
偏向するための偏向器であり、必要な偏向感度の一様性
の条件がより厳しくなっている。そこで、この図４の例
では、コイル１９ａ，１９ｂの間の領域で磁場が小さい
領域、即ちコイル１９ａ，１９ｂの上端部、及び下端部
の磁場を補助コイルを使用して高めるようにしている。
そのため、コイル１９ａ，１９ｂの上端付近の外側に対
向するように、それぞれコイル１９ａ，１９ｂの面積
（磁束面積）よりかなり小さい面積の補助のコイル２０
ａ，２０ｃが配置され、コイル１９ａ，１９ｂの下端付
近の外側に対向するように、それぞれコイル２０ａ，２
０ｃと同程度の面積の補助のコイル２０ｂ，２０ｄが配
置されている。コイル１９ａ，１９ｂ及びコイル２０ａ
〜２０ｄを図１及び図２ではそれぞれコイル１９及びコ
イル２０と総称している。
示すように、マスクＭを通過した電子線を大きく正確に
偏向するための偏向器であり、必要な偏向感度の一様性
の条件がより厳しくなっている。そこで、この図４の例
では、コイル１９ａ，１９ｂの間の領域で磁場が小さい
領域、即ちコイル１９ａ，１９ｂの上端部、及び下端部
の磁場を補助コイルを使用して高めるようにしている。
そのため、コイル１９ａ，１９ｂの上端付近の外側に対
向するように、それぞれコイル１９ａ，１９ｂの面積
（磁束面積）よりかなり小さい面積の補助のコイル２０
ａ，２０ｃが配置され、コイル１９ａ，１９ｂの下端付
近の外側に対向するように、それぞれコイル２０ａ，２
０ｃと同程度の面積の補助のコイル２０ｂ，２０ｄが配
置されている。コイル１９ａ，１９ｂ及びコイル２０ａ
〜２０ｄを図１及び図２ではそれぞれコイル１９及びコ
イル２０と総称している。
【００２８】図４において、コイル１９ａ，１９ｂに通
電している際に、上端部及び下端部での磁場を強めるよ
うに、更にコイル２０ａ，２０ｃ及びコイル２０ｂ，２
０ｄにそれぞれ通電することによって、コイル１９ａ，
１９ｂの間の磁場の一様性が高まる。その結果、偏向感
度が一様とみなせる領域が広くなっている。次に、図１
のコイル２１は、コイル１９と同様にＸＺ面に平行な１
対のコイル２１を光軸ＡＸを挟むように対称に配置した
ものである。更に、コイル２１は投影レンズ２２の上側
の磁極２２ａの間に配置され、このコイル２１を含む電
磁偏向器は、コアとしてその磁極２２ａを投影レンズ２
２と共用している。従って、この電磁偏向器も、図３に
示すコア６とコイル７ａ，７ｂとからなる電磁偏向器と
同様に、偏向感度が一様な領域が広くなっている。
電している際に、上端部及び下端部での磁場を強めるよ
うに、更にコイル２０ａ，２０ｃ及びコイル２０ｂ，２
０ｄにそれぞれ通電することによって、コイル１９ａ，
１９ｂの間の磁場の一様性が高まる。その結果、偏向感
度が一様とみなせる領域が広くなっている。次に、図１
のコイル２１は、コイル１９と同様にＸＺ面に平行な１
対のコイル２１を光軸ＡＸを挟むように対称に配置した
ものである。更に、コイル２１は投影レンズ２２の上側
の磁極２２ａの間に配置され、このコイル２１を含む電
磁偏向器は、コアとしてその磁極２２ａを投影レンズ２
２と共用している。従って、この電磁偏向器も、図３に
示すコア６とコイル７ａ，７ｂとからなる電磁偏向器と
同様に、偏向感度が一様な領域が広くなっている。
【００２９】また、図１のコイル２４は、コイル２１と
対称的に、対物レンズ２３の下側の磁極２３ａの間に配
置され、コイル２４を含む電磁偏向器も、コアとしてそ
の磁極２３ａを対物レンズ２３と共用していると共に、
偏向感度が一様な領域が広くなっている。そして、図１
のコア１５及びコイル２６，２７よりなる電磁偏向器
は、図４の電磁偏向器と同様に、１対の平行に配置され
たコイルの外側に２対の補助のコイル２７を配置して、
更に偏向感度の一様性を高めたものである。
対称的に、対物レンズ２３の下側の磁極２３ａの間に配
置され、コイル２４を含む電磁偏向器も、コアとしてそ
の磁極２３ａを対物レンズ２３と共用していると共に、
偏向感度が一様な領域が広くなっている。そして、図１
のコア１５及びコイル２６，２７よりなる電磁偏向器
は、図４の電磁偏向器と同様に、１対の平行に配置され
たコイルの外側に２対の補助のコイル２７を配置して、
更に偏向感度の一様性を高めたものである。
【００３０】更に、図１において、コイル１９，２０を
含む電磁偏向器、コイル２１を含む電磁偏向器、コイル
２４を含む電磁偏向器、及びコイル２６，２７を含む電
磁偏向器は、互いに電子線の偏向角が等しくなるように
設定されている。その結果、コイル１９，２０を含む電
磁偏向器で発生した偏向収差は、コイル２６，２７を含
む電磁偏向器で発生した偏向収差と相殺され、コイル２
１を含む電磁偏向で発生した偏向収差もコイル２４を含
む電磁偏向器で発生する偏向収差と相殺されるようにな
っている。そのため、全体として偏向収差は殆ど発生し
ていない。
含む電磁偏向器、コイル２１を含む電磁偏向器、コイル
２４を含む電磁偏向器、及びコイル２６，２７を含む電
磁偏向器は、互いに電子線の偏向角が等しくなるように
設定されている。その結果、コイル１９，２０を含む電
磁偏向器で発生した偏向収差は、コイル２６，２７を含
む電磁偏向器で発生した偏向収差と相殺され、コイル２
１を含む電磁偏向で発生した偏向収差もコイル２４を含
む電磁偏向器で発生する偏向収差と相殺されるようにな
っている。そのため、全体として偏向収差は殆ど発生し
ていない。
【００３１】また、図１の投影レンズ２２と対物レンズ
２３とは対称磁気ダブレットの条件を満たしている。そ
のため、結像レンズ系による収差も極めて小さくなって
いる。更に、投影レンズ２２に近いコア１８は軸対称
で、その半径が投影レンズ２２の磁極２２ａのボーア半
径より大きく、且つ対物レンズ２３に近いコア２５も軸
対称で、その半径が対物レンズ２３の磁極２３ａのボー
ア半径より大きく設定されている。従って、それらのコ
ア１８，２５が投影レンズ２２及び対物レンズ２３に悪
影響を及ぼすことはない。
２３とは対称磁気ダブレットの条件を満たしている。そ
のため、結像レンズ系による収差も極めて小さくなって
いる。更に、投影レンズ２２に近いコア１８は軸対称
で、その半径が投影レンズ２２の磁極２２ａのボーア半
径より大きく、且つ対物レンズ２３に近いコア２５も軸
対称で、その半径が対物レンズ２３の磁極２３ａのボー
ア半径より大きく設定されている。従って、それらのコ
ア１８，２５が投影レンズ２２及び対物レンズ２３に悪
影響を及ぼすことはない。
【００３２】次に、本例のマスクＭのパターン配置及び
ウエハＷ上の転写領域の配置等について説明する。図５
は本例の電子線縮小転写装置におけるマスクＭとウエハ
Ｗとの関係を示し、この図５において、マスクＭのパタ
ーン形成領域はＹ方向に境界領域４２Ａ，４２Ｂ，４２
Ｃ，…を挟んで、複数個のそれぞれＸ方向に細長い長方
形の主視野４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ，…に分割され、マ
スクＭ上の主視野４１Ａ，４１Ｂ，…のＹ方向の幅ｄＹ
１に対して、電子線の照射領域である副視野９のＹ方向
の幅は或る程度広く設定されている。主視野４１Ａ，４
１Ｂ，…のＹ方向の幅ｄＹ１は一例として数ｍｍ程度で
ある。これらの主視野４１Ａ，４１Ｂ，…にはウエハに
転写すべきパターン形状に対応する電子線の透過部が設
けられ、境界領域４２Ａ，４２Ｂ，…は、電子線を遮断
しあるいは拡散する非パターン領域である。
ウエハＷ上の転写領域の配置等について説明する。図５
は本例の電子線縮小転写装置におけるマスクＭとウエハ
Ｗとの関係を示し、この図５において、マスクＭのパタ
ーン形成領域はＹ方向に境界領域４２Ａ，４２Ｂ，４２
Ｃ，…を挟んで、複数個のそれぞれＸ方向に細長い長方
形の主視野４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ，…に分割され、マ
スクＭ上の主視野４１Ａ，４１Ｂ，…のＹ方向の幅ｄＹ
１に対して、電子線の照射領域である副視野９のＹ方向
の幅は或る程度広く設定されている。主視野４１Ａ，４
１Ｂ，…のＹ方向の幅ｄＹ１は一例として数ｍｍ程度で
ある。これらの主視野４１Ａ，４１Ｂ，…にはウエハに
転写すべきパターン形状に対応する電子線の透過部が設
けられ、境界領域４２Ａ，４２Ｂ，…は、電子線を遮断
しあるいは拡散する非パターン領域である。
【００３３】その電子線用のマスクとしては、窒化シリ
コン（ＳｉＮ）等の薄膜にて電子線の透過部を形成し、
その薄膜の表面に設けたタングステン等の薄膜を散乱部
とする所謂散乱マスク、又はタングステン製の散乱基板
内に設けた抜き穴を電子線の透過部とする所謂穴空きス
テンシルマスク等が存在するが、本例のマスクＭとして
は何れのマスクでも使用できる。
コン（ＳｉＮ）等の薄膜にて電子線の透過部を形成し、
その薄膜の表面に設けたタングステン等の薄膜を散乱部
とする所謂散乱マスク、又はタングステン製の散乱基板
内に設けた抜き穴を電子線の透過部とする所謂穴空きス
テンシルマスク等が存在するが、本例のマスクＭとして
は何れのマスクでも使用できる。
【００３４】そのマスクＭ上の副視野９内のパターン
が、ウエハＷ上の矩形の露光領域９Ｗに転写される。ま
た、副視野９は、主視野４１Ａ，４１Ｂ，…の何れかを
Ｙ方向に覆った状態で、図１のコア６及びコイル７，８
よりなる２つの電磁偏向器によって＋Ｘ方向、又は−Ｘ
方向の何れにも走査できるように構成され、それに応じ
てコア１８及びコイル１９，２０よりなる電磁偏向器等
の作用によって、ウエハＷ上では矩形の露光領域９Ｗが
−Ｘ方向、又は＋Ｘ方向に走査される。
が、ウエハＷ上の矩形の露光領域９Ｗに転写される。ま
た、副視野９は、主視野４１Ａ，４１Ｂ，…の何れかを
Ｙ方向に覆った状態で、図１のコア６及びコイル７，８
よりなる２つの電磁偏向器によって＋Ｘ方向、又は−Ｘ
方向の何れにも走査できるように構成され、それに応じ
てコア１８及びコイル１９，２０よりなる電磁偏向器等
の作用によって、ウエハＷ上では矩形の露光領域９Ｗが
−Ｘ方向、又は＋Ｘ方向に走査される。
【００３５】そして、本例では、マスクＭ上の主視野４
１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ，…内のパターンが、それぞれウ
エハＷ上の転写領域４３内でＸ方向に細長い長方形の部
分転写領域４４Ａ，４４Ｂ，４４Ｃ，…に転写される。
この際に、マスクＭ上の主視野４１Ａ，４１Ｂ，…はＹ
方向に境界領域４２Ａ，４２Ｂ，…で仕切られているの
に対して、対応するウエハＷ上の部分転写領域４４Ａ，
４４Ｂ，…はＹ方向に隙間なく接続されている。このよ
うに、ウエハＷ上で部分転写領域４４Ａ，４４Ｂ，…を
Ｙ方向に隙間なく接続するために、主に図１の静電偏向
器１６，１７が使用される。
１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ，…内のパターンが、それぞれウ
エハＷ上の転写領域４３内でＸ方向に細長い長方形の部
分転写領域４４Ａ，４４Ｂ，４４Ｃ，…に転写される。
この際に、マスクＭ上の主視野４１Ａ，４１Ｂ，…はＹ
方向に境界領域４２Ａ，４２Ｂ，…で仕切られているの
に対して、対応するウエハＷ上の部分転写領域４４Ａ，
４４Ｂ，…はＹ方向に隙間なく接続されている。このよ
うに、ウエハＷ上で部分転写領域４４Ａ，４４Ｂ，…を
Ｙ方向に隙間なく接続するために、主に図１の静電偏向
器１６，１７が使用される。
【００３６】次に、本例の電子線縮小転写装置の転写動
作につき説明する。本例において、マスクＭ上のパター
ンをウエハＷ上の転写領域に転写する際には、図２に示
すように、マスクＭを−Ｙ方向（又は＋Ｙ方向）に速度
ＶＭで機械的に走査するのと同期して、ウエハＷを＋Ｙ
方向（又は−Ｙ方向）に速度ＶＷで機械的に走査する。
マスクＭの走査方向とウエハＷの走査方向とが逆である
のは、投影レンズ２２及び対物レンズ２３によりウエハ
Ｗ上に反転像が投影されるからである。
作につき説明する。本例において、マスクＭ上のパター
ンをウエハＷ上の転写領域に転写する際には、図２に示
すように、マスクＭを−Ｙ方向（又は＋Ｙ方向）に速度
ＶＭで機械的に走査するのと同期して、ウエハＷを＋Ｙ
方向（又は−Ｙ方向）に速度ＶＷで機械的に走査する。
マスクＭの走査方向とウエハＷの走査方向とが逆である
のは、投影レンズ２２及び対物レンズ２３によりウエハ
Ｗ上に反転像が投影されるからである。
【００３７】この場合、マスクＭからウエハＷへの縮小
倍率はβであるため、図５に示すように、マスクＭ上の
主視野４１Ａ，４１Ｂ，…のＹ方向の幅をｄＹ１、境界
領域４２Ａ，４２Ｂ，…のＹ方向の幅をｄＹ２とする
と、ウエハＷ上では境界領域４２Ａ，４２Ｂ，…の幅分
だけパターンが位置ずれされて転写されるため、図２に
おけるウエハＷの走査速度ＶＷは、マスクＭの走査速度
ＶＭに対して次のように設定される。
倍率はβであるため、図５に示すように、マスクＭ上の
主視野４１Ａ，４１Ｂ，…のＹ方向の幅をｄＹ１、境界
領域４２Ａ，４２Ｂ，…のＹ方向の幅をｄＹ２とする
と、ウエハＷ上では境界領域４２Ａ，４２Ｂ，…の幅分
だけパターンが位置ずれされて転写されるため、図２に
おけるウエハＷの走査速度ＶＷは、マスクＭの走査速度
ＶＭに対して次のように設定される。
【００３８】 ＶＷ＝β｛ｄＹ１／（ｄＹ１＋ｄＹ２）｝ＶＭ （１） そして、本例では図５に示すように、マスクＭ及びウエ
ハＷを同期して機械的にＹ方向に走査すると共に、マス
クＭ上の主視野４１Ａ，４１Ｂ，…の内でほぼ光軸ＡＸ
を横切る位置に達した主視野（図５では主視野４１Ａ）
上で、電子線ＥＢの副視野９が＋Ｘ方向、又は−Ｘ方向
に走査される。それに対応して、ウエハＷ上では矩形の
露光領域９Ｗが−Ｘ方向、又は＋Ｘ方向に走査されて、
ウエハＷ上の部分転写領域４４Ａ，４４Ｂ，４４Ｃ，…
に順次、マスクＭ上の主視野４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ，
…のパターンが転写される。この際に、ウエハ上の各副
転写領域毎に投影されるパターン像の焦点位置や投影像
の歪み等の諸収差を補正しながら転写が行われる。これ
により、一括転写方式に比べて光学的に広い領域に亘っ
て、解像度及び位置精度の良好な転写を行うことができ
る。
ハＷを同期して機械的にＹ方向に走査すると共に、マス
クＭ上の主視野４１Ａ，４１Ｂ，…の内でほぼ光軸ＡＸ
を横切る位置に達した主視野（図５では主視野４１Ａ）
上で、電子線ＥＢの副視野９が＋Ｘ方向、又は−Ｘ方向
に走査される。それに対応して、ウエハＷ上では矩形の
露光領域９Ｗが−Ｘ方向、又は＋Ｘ方向に走査されて、
ウエハＷ上の部分転写領域４４Ａ，４４Ｂ，４４Ｃ，…
に順次、マスクＭ上の主視野４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ，
…のパターンが転写される。この際に、ウエハ上の各副
転写領域毎に投影されるパターン像の焦点位置や投影像
の歪み等の諸収差を補正しながら転写が行われる。これ
により、一括転写方式に比べて光学的に広い領域に亘っ
て、解像度及び位置精度の良好な転写を行うことができ
る。
【００３９】上述のように本例では、図５に示すよう
に、マスクＭ及びウエハＷをステージを介してＹ方向に
機械的に相対走査すると共に、マスクＭ上のＸ方向に長
い主視野４１Ａ，４１Ｂ，…の内で、ほぼ光軸ＡＸを横
切る位置に達した主視野上で副視野９を電磁偏向器を介
してＸ方向に走査することによって、ウエハＷ上への転
写が行われる。従って、マスクＭ上で転写される領域
は、機械的な走査方向であるＹ方向には数ｍｍ程度と狭
く、且つＹ方向に垂直なＸ方向に長い領域である。ま
た、本例の電磁偏向器は、基本的に図３に示すように、
コア６内に光軸ＡＸを挟んでＹ方向に狭い間隔で対向す
るようにコイル７ａ，７ｂを配置して構成されているた
め、そのようにＸ方向に長い領域で電子線をＸ方向に偏
向するのに適している。
に、マスクＭ及びウエハＷをステージを介してＹ方向に
機械的に相対走査すると共に、マスクＭ上のＸ方向に長
い主視野４１Ａ，４１Ｂ，…の内で、ほぼ光軸ＡＸを横
切る位置に達した主視野上で副視野９を電磁偏向器を介
してＸ方向に走査することによって、ウエハＷ上への転
写が行われる。従って、マスクＭ上で転写される領域
は、機械的な走査方向であるＹ方向には数ｍｍ程度と狭
く、且つＹ方向に垂直なＸ方向に長い領域である。ま
た、本例の電磁偏向器は、基本的に図３に示すように、
コア６内に光軸ＡＸを挟んでＹ方向に狭い間隔で対向す
るようにコイル７ａ，７ｂを配置して構成されているた
め、そのようにＸ方向に長い領域で電子線をＸ方向に偏
向するのに適している。
【００４０】また、図１に示すように、本例ではマスク
Ｍ上の副視野９を通過した電子線を２段の電磁偏向器を
介して光軸ＡＸ上に偏向し、ほぼ光軸ＡＸ上で投影レン
ズ２２及び対物レンズ２３を介して縮小像を形成した
後、再び２段の電磁偏向器を介して電子線をウエハＷ上
で光軸ＡＸから離れた位置に導いている。従って、投影
レンズ２２及び対物レンズ２３ではほぼ光軸ＡＸ上での
結像特性が良好であればよく、光軸ＡＸ方向の長さを短
縮しても収差が低減されるため、結果としてウエハＷ上
での転写歪を大きくすることなく、マスクＭとウエハＷ
との間隔を短くできる。これによって、空間電荷効果に
よる電子線のぼけが小さくなるため、電子線の強度を大
きくして転写のスループットを高めることができる。更
に、転写装置が小型化できる。
Ｍ上の副視野９を通過した電子線を２段の電磁偏向器を
介して光軸ＡＸ上に偏向し、ほぼ光軸ＡＸ上で投影レン
ズ２２及び対物レンズ２３を介して縮小像を形成した
後、再び２段の電磁偏向器を介して電子線をウエハＷ上
で光軸ＡＸから離れた位置に導いている。従って、投影
レンズ２２及び対物レンズ２３ではほぼ光軸ＡＸ上での
結像特性が良好であればよく、光軸ＡＸ方向の長さを短
縮しても収差が低減されるため、結果としてウエハＷ上
での転写歪を大きくすることなく、マスクＭとウエハＷ
との間隔を短くできる。これによって、空間電荷効果に
よる電子線のぼけが小さくなるため、電子線の強度を大
きくして転写のスループットを高めることができる。更
に、転写装置が小型化できる。
【００４１】なお、上述の実施の形態では、図５に示す
ように、マスクＭ上のパターン形成領域がＹ方向に所定
ピッチで複数のＸ方向に長い主視野４１Ａ，４１Ｂ，…
に分割されているが、各主視野４１Ａ，４１Ｂ，…を更
にＸ方向に所定ピッチで複数個の部分視野に分割しても
よい。そして、これらのマスク上の部分視野のパターン
を順次ウエハＷ上に転写する際には、本例の電磁偏向器
を介して電子線を順次間欠的に（ステップ・アンド・リ
ピート方式で）それら部分視野間で移動させるようにし
てもよい。又は、図１のマスクステージ１２、及び試料
台３１をステップ・アンド・リピート方式でＸ方向に移
動し、各部分視野を順次光軸ＡＸを含む領域に移動した
状態で、電子線を走査して転写を行うようにしてもよ
い。
ように、マスクＭ上のパターン形成領域がＹ方向に所定
ピッチで複数のＸ方向に長い主視野４１Ａ，４１Ｂ，…
に分割されているが、各主視野４１Ａ，４１Ｂ，…を更
にＸ方向に所定ピッチで複数個の部分視野に分割しても
よい。そして、これらのマスク上の部分視野のパターン
を順次ウエハＷ上に転写する際には、本例の電磁偏向器
を介して電子線を順次間欠的に（ステップ・アンド・リ
ピート方式で）それら部分視野間で移動させるようにし
てもよい。又は、図１のマスクステージ１２、及び試料
台３１をステップ・アンド・リピート方式でＸ方向に移
動し、各部分視野を順次光軸ＡＸを含む領域に移動した
状態で、電子線を走査して転写を行うようにしてもよ
い。
【００４２】更に、本発明はイオンビーム等を用いた荷
電粒子線転写装置にも適用できる。このように、本発明
は上述の実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱
しない範囲で種々の構成を取り得る。
電粒子線転写装置にも適用できる。このように、本発明
は上述の実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱
しない範囲で種々の構成を取り得る。
【００４３】
【発明の効果】本発明の電磁偏向器によれば、円筒状の
コアの内側に１対のコイルを平行に設置しているため、
その１対のコイルの間ではほぼ一様な磁場が生成され
る。従って、そのコアの直径や長さを大きくすることな
く偏向感度が一様な領域を大きくできる利点がある。
コアの内側に１対のコイルを平行に設置しているため、
その１対のコイルの間ではほぼ一様な磁場が生成され
る。従って、そのコアの直径や長さを大きくすることな
く偏向感度が一様な領域を大きくできる利点がある。
【００４４】一方、その一対のコイルの間隔を狭くする
と、荷電粒子線を偏向できる領域は狭くなる。しかしな
がら、例えば分割転写方式でマスク上の長方形の複数の
視野をそれぞれ長手方向に荷電粒子線で走査して転写す
るような場合には、荷電粒子線を偏向する領域は幅が例
えば数ｍｍ程度の細長い領域でよいため、そのコアの内
側にその一対のコイルを設ける空間は容易に確保でき
る。即ち、このような用途に本発明の電磁偏向器は好適
である。
と、荷電粒子線を偏向できる領域は狭くなる。しかしな
がら、例えば分割転写方式でマスク上の長方形の複数の
視野をそれぞれ長手方向に荷電粒子線で走査して転写す
るような場合には、荷電粒子線を偏向する領域は幅が例
えば数ｍｍ程度の細長い領域でよいため、そのコアの内
側にその一対のコイルを設ける空間は容易に確保でき
る。即ち、このような用途に本発明の電磁偏向器は好適
である。
【００４５】また、そのコアの内側にその１対のコイル
の少なくとも一方に近接して、当該コイルよりも磁束面
積の小さい補助コイルを設けた場合には、例えばその補
助コイルを磁場の弱い部分に設けることによって、磁場
が一様な領域を広くできる。従って、偏向感度が一様な
領域を広くできると共に、偏向感度の一様性を高めるこ
とができる。
の少なくとも一方に近接して、当該コイルよりも磁束面
積の小さい補助コイルを設けた場合には、例えばその補
助コイルを磁場の弱い部分に設けることによって、磁場
が一様な領域を広くできる。従って、偏向感度が一様な
領域を広くできると共に、偏向感度の一様性を高めるこ
とができる。
【００４６】次に、本発明の荷電粒子線転写装置によれ
ば、上記の本発明の電磁偏向器を備えた走査系でマスク
上の１つの視野を、その電磁偏向器内の１対のコイルに
平行な方向に沿って走査、又は移動し、その走査系で走
査、又は移動された荷電粒子線より結像系を介して基板
上にパターンを結像している。このとき、その電磁偏向
器はその１対のコイルに平行な方向へは少ない偏向歪で
荷電粒子線を大きく偏向できるため、結像系ではほぼ光
軸付近で良好な結像特性が得られればよく、その結像系
の光軸方向の距離を短縮できる。従って、マスクに形成
されたパターン上で副視野（荷電粒子線の照射領域）を
連続的、又は間欠的に移動することによって、そのパタ
ーンを転写対象の基板上に転写する際に、転写歪を大き
くすることなくマスクと基板との間隔を短くできる利点
がある。マスクと基板との間隔が短縮されることによっ
て、空間電荷効果による荷電粒子線のぼけが小さくなる
ため、荷電粒子線の強度を大きくして転写のスループッ
トを高めることができる利点がある。
ば、上記の本発明の電磁偏向器を備えた走査系でマスク
上の１つの視野を、その電磁偏向器内の１対のコイルに
平行な方向に沿って走査、又は移動し、その走査系で走
査、又は移動された荷電粒子線より結像系を介して基板
上にパターンを結像している。このとき、その電磁偏向
器はその１対のコイルに平行な方向へは少ない偏向歪で
荷電粒子線を大きく偏向できるため、結像系ではほぼ光
軸付近で良好な結像特性が得られればよく、その結像系
の光軸方向の距離を短縮できる。従って、マスクに形成
されたパターン上で副視野（荷電粒子線の照射領域）を
連続的、又は間欠的に移動することによって、そのパタ
ーンを転写対象の基板上に転写する際に、転写歪を大き
くすることなくマスクと基板との間隔を短くできる利点
がある。マスクと基板との間隔が短縮されることによっ
て、空間電荷効果による荷電粒子線のぼけが小さくなる
ため、荷電粒子線の強度を大きくして転写のスループッ
トを高めることができる利点がある。
【図１】本発明の実施の形態の一例の電子線縮小転写装
置を示す一部を切り欠いた構成図である。
置を示す一部を切り欠いた構成図である。
【図２】図１の電子線縮小転写装置をＸ方向に見たとき
の一部を切り欠いた側面図である。
の一部を切り欠いた側面図である。
【図３】図１のコア６及びコイル７，８よりなる電磁偏
向器を示す斜視図である。
向器を示す斜視図である。
【図４】図１のコア１８及びコイル１９，２０よりなる
電磁偏向器を示す斜視図である。
電磁偏向器を示す斜視図である。
【図５】その実施の形態でマスクパターンをウエハ上に
転写するための動作の説明に供する斜視図である。
転写するための動作の説明に供する斜視図である。
【図６】従来の電磁偏向器の一例を示す斜視図である。
Ｍ マスク Ｗ ウエハ １ 電子銃 ２，４，５ コンデンサレンズ ３ ビーム成形アパーチャ ６，１８，２５ コア ７，８，１９，２０，２１，２４，２６，２７ コイル ７ａ，７ｂ，８ａ，８ｂ，１９ａ，１９ｂ コイル １０，３０ 偏向量設定部 １２ マスクステージ １６，１７ 静電偏向器 ２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ 補助用のコイル ２２ 投影レンズ ２３ 対物レンズ ２８ ８極の電磁偏向器 ３１ 試料台 ３２ 可動ステージ ４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ 主視野 ４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ 境界領域 ４４Ａ，４４Ｂ，４４Ｃ 部分転写領域
Claims (3)
- 【請求項１】 円筒状のコアの内側に１対のコイルを対
向するように平行に設置し、前記１対のコイルに同一方
向に通電することによって前記一対のコイルの間を通過
する荷電粒子線を上記コイルと平行な方向に偏向するこ
とを特徴とする電磁偏向器。 - 【請求項２】 請求項１記載の電磁偏向器であって、 前記コアの内側に前記１対のコイルの少なくとも一方に
近接して、当該コイルよりも磁束面積の小さい補助コイ
ルを設けたことを特徴とする電磁偏向器。 - 【請求項３】 請求項１、又は２記載の電磁偏向器を備
え、転写用パターンが所定方向に複数個の視野に分割さ
れて形成されたマスクから選択された１つの視野上で、
前記電磁偏向器の前記１対のコイルに平行な方向に沿っ
て荷電粒子線を連続的、又は間欠的に移動する走査系
と、 前記選択された視野を通過した荷電粒子線を転写対象の
基板上に結像する結像系と、を有し、 前記マスク上の前記各視野毎にそれぞれ荷電粒子線を移
動することによって当該視野内のパターンを前記基板上
に転写することを特徴とする荷電粒子線転写装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8030253A JPH09223475A (ja) | 1996-02-19 | 1996-02-19 | 電磁偏向器、及び該偏向器を用いた荷電粒子線転写装置 |
| US08/801,530 US5831270A (en) | 1996-02-19 | 1997-02-18 | Magnetic deflectors and charged-particle-beam lithography systems incorporating same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8030253A JPH09223475A (ja) | 1996-02-19 | 1996-02-19 | 電磁偏向器、及び該偏向器を用いた荷電粒子線転写装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09223475A true JPH09223475A (ja) | 1997-08-26 |
Family
ID=12298557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8030253A Withdrawn JPH09223475A (ja) | 1996-02-19 | 1996-02-19 | 電磁偏向器、及び該偏向器を用いた荷電粒子線転写装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5831270A (ja) |
| JP (1) | JPH09223475A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115015815A (zh) * | 2022-05-07 | 2022-09-06 | 中国人民解放军国防科技大学 | 基于超导/磁电阻复合结构的一体式三轴磁传感器及方法 |
Families Citing this family (58)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3678533B2 (ja) * | 1997-04-10 | 2005-08-03 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光装置 |
| JPH11307445A (ja) * | 1998-04-23 | 1999-11-05 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置及びその投影マスク |
| US6668668B1 (en) * | 1999-02-08 | 2003-12-30 | Stanley Assembly Technologies | Non-contacting sensors |
| EP1091383A3 (en) | 1999-10-07 | 2005-01-19 | Lucent Technologies Inc. | Electron beam imaging apparatus |
| JP3469213B2 (ja) | 2001-03-29 | 2003-11-25 | 株式会社日立製作所 | 磁場印加試料観察システム |
| JPWO2002103765A1 (ja) * | 2001-06-18 | 2004-10-07 | 株式会社アドバンテスト | 電子ビーム露光装置、電子ビーム露光方法、半導体素子製造方法、及び電子ビーム形状測定方法 |
| DE10136190A1 (de) * | 2001-07-25 | 2003-02-06 | Ceos Gmbh | Schlitzlinsenanordnung für Teilchenstrahlen |
| US6710361B2 (en) * | 2002-04-23 | 2004-03-23 | International Business Machines Corporation | Multi-beam hybrid solenoid lens electron beam system |
| JP3968338B2 (ja) * | 2003-10-08 | 2007-08-29 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム露光装置 |
| US7112803B2 (en) * | 2004-07-23 | 2006-09-26 | Applied Materials, Israel, Ltd. | Beam directing system and method for use in a charged particle beam column |
| US7626179B2 (en) | 2005-09-30 | 2009-12-01 | Virgin Island Microsystems, Inc. | Electron beam induced resonance |
| US7586097B2 (en) | 2006-01-05 | 2009-09-08 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Switching micro-resonant structures using at least one director |
| US7791290B2 (en) | 2005-09-30 | 2010-09-07 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Ultra-small resonating charged particle beam modulator |
| WO2007064358A2 (en) * | 2005-09-30 | 2007-06-07 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Structures and methods for coupling energy from an electromagnetic wave |
| US7579609B2 (en) | 2005-12-14 | 2009-08-25 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Coupling light of light emitting resonator to waveguide |
| US7619373B2 (en) | 2006-01-05 | 2009-11-17 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Selectable frequency light emitter |
| US7470920B2 (en) | 2006-01-05 | 2008-12-30 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Resonant structure-based display |
| US7282776B2 (en) | 2006-02-09 | 2007-10-16 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Method and structure for coupling two microcircuits |
| US7443358B2 (en) | 2006-02-28 | 2008-10-28 | Virgin Island Microsystems, Inc. | Integrated filter in antenna-based detector |
| US7605835B2 (en) | 2006-02-28 | 2009-10-20 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Electro-photographic devices incorporating ultra-small resonant structures |
| US7558490B2 (en) | 2006-04-10 | 2009-07-07 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Resonant detector for optical signals |
| US7646991B2 (en) | 2006-04-26 | 2010-01-12 | Virgin Island Microsystems, Inc. | Selectable frequency EMR emitter |
| US7876793B2 (en) | 2006-04-26 | 2011-01-25 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Micro free electron laser (FEL) |
| US7492868B2 (en) | 2006-04-26 | 2009-02-17 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Source of x-rays |
| US8188431B2 (en) | 2006-05-05 | 2012-05-29 | Jonathan Gorrell | Integration of vacuum microelectronic device with integrated circuit |
| US7718977B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-05-18 | Virgin Island Microsystems, Inc. | Stray charged particle removal device |
| US7583370B2 (en) | 2006-05-05 | 2009-09-01 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Resonant structures and methods for encoding signals into surface plasmons |
| US7557647B2 (en) | 2006-05-05 | 2009-07-07 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Heterodyne receiver using resonant structures |
| US7436177B2 (en) * | 2006-05-05 | 2008-10-14 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | SEM test apparatus |
| US7476907B2 (en) | 2006-05-05 | 2009-01-13 | Virgin Island Microsystems, Inc. | Plated multi-faceted reflector |
| US7728397B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-06-01 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Coupled nano-resonating energy emitting structures |
| US7342441B2 (en) * | 2006-05-05 | 2008-03-11 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Heterodyne receiver array using resonant structures |
| US7359589B2 (en) | 2006-05-05 | 2008-04-15 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Coupling electromagnetic wave through microcircuit |
| US7554083B2 (en) | 2006-05-05 | 2009-06-30 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Integration of electromagnetic detector on integrated chip |
| US7586167B2 (en) | 2006-05-05 | 2009-09-08 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Detecting plasmons using a metallurgical junction |
| US7442940B2 (en) | 2006-05-05 | 2008-10-28 | Virgin Island Microsystems, Inc. | Focal plane array incorporating ultra-small resonant structures |
| US7728702B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-06-01 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Shielding of integrated circuit package with high-permeability magnetic material |
| US7656094B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-02-02 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Electron accelerator for ultra-small resonant structures |
| US7710040B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-05-04 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Single layer construction for ultra small devices |
| US7723698B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-05-25 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Top metal layer shield for ultra-small resonant structures |
| US7986113B2 (en) | 2006-05-05 | 2011-07-26 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Selectable frequency light emitter |
| US7741934B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-06-22 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Coupling a signal through a window |
| US7443577B2 (en) | 2006-05-05 | 2008-10-28 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Reflecting filtering cover |
| US7746532B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-06-29 | Virgin Island Microsystems, Inc. | Electro-optical switching system and method |
| US7732786B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-06-08 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Coupling energy in a plasmon wave to an electron beam |
| US7569836B2 (en) | 2006-05-05 | 2009-08-04 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Transmission of data between microchips using a particle beam |
| US7573045B2 (en) | 2006-05-15 | 2009-08-11 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Plasmon wave propagation devices and methods |
| US7679067B2 (en) | 2006-05-26 | 2010-03-16 | Virgin Island Microsystems, Inc. | Receiver array using shared electron beam |
| US7655934B2 (en) | 2006-06-28 | 2010-02-02 | Virgin Island Microsystems, Inc. | Data on light bulb |
| US7450794B2 (en) | 2006-09-19 | 2008-11-11 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Microcircuit using electromagnetic wave routing |
| US7560716B2 (en) | 2006-09-22 | 2009-07-14 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Free electron oscillator |
| US7947964B2 (en) * | 2006-11-21 | 2011-05-24 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle beam orbit corrector and charged particle beam apparatus |
| JP4922747B2 (ja) * | 2006-12-19 | 2012-04-25 | 日本電子株式会社 | 荷電粒子ビーム装置 |
| US7659513B2 (en) | 2006-12-20 | 2010-02-09 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Low terahertz source and detector |
| US7990336B2 (en) | 2007-06-19 | 2011-08-02 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Microwave coupled excitation of solid state resonant arrays |
| US7791053B2 (en) | 2007-10-10 | 2010-09-07 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Depressed anode with plasmon-enabled devices such as ultra-small resonant structures |
| EP2672502B1 (en) * | 2012-06-06 | 2017-08-09 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | electron beam optical system comprising high brightness electron gun with moving axis condenser lens |
| US9697984B2 (en) | 2015-10-28 | 2017-07-04 | Thermo Electron Scientific Instruments Llc | Charged particle filter |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4090077A (en) * | 1969-03-05 | 1978-05-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Particle beam device with a deflection system and a stigmator |
| US3911321A (en) * | 1971-11-26 | 1975-10-07 | Ibm | Error compensating deflection coils in a conducting magnetic tube |
| US4251728A (en) * | 1979-07-30 | 1981-02-17 | International Business Machines Corporation | Compensated magnetic deflection coil for electron beam lithography system |
| DE2937004C2 (de) * | 1979-09-13 | 1984-11-08 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V., 8000 München | Chromatisch korrigierte Ablenkvorrichtung für Korpuskularstrahlgeräte |
| KR920000941B1 (ko) * | 1988-02-16 | 1992-01-31 | 후지쓰 가부시끼가이샤 | 전자빔 노광장치 |
| JP2706192B2 (ja) * | 1991-11-06 | 1998-01-28 | 富士通株式会社 | 電子ビーム露光装置 |
-
1996
- 1996-02-19 JP JP8030253A patent/JPH09223475A/ja not_active Withdrawn
-
1997
- 1997-02-18 US US08/801,530 patent/US5831270A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115015815A (zh) * | 2022-05-07 | 2022-09-06 | 中国人民解放军国防科技大学 | 基于超导/磁电阻复合结构的一体式三轴磁传感器及方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5831270A (en) | 1998-11-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH09223475A (ja) | 電磁偏向器、及び該偏向器を用いた荷電粒子線転写装置 | |
| US4243866A (en) | Method and apparatus for forming a variable size electron beam | |
| JP5160021B2 (ja) | 粒子光学投影装置 | |
| JP3647128B2 (ja) | 電子ビーム露光装置とその露光方法 | |
| JPH046255B2 (ja) | ||
| JP5117652B2 (ja) | 電子線リソグラフィー方法および電子光学的リソグラフィーシステム | |
| JPH0279347A (ja) | 透過形電子顕微鏡における物体の照射方法及びそのための電子顕微鏡 | |
| JPS626341B2 (ja) | ||
| JP2004134389A (ja) | ビーム誘導構成体、結像方法、電子顕微鏡システムおよび電子リソグラフィシステム | |
| JP3647136B2 (ja) | 電子ビーム露光装置 | |
| US6777166B2 (en) | Particle-optical lens arrangement and method employing such a lens arrangement | |
| JPH0732108B2 (ja) | 電子線露光装置 | |
| JP4018197B2 (ja) | 電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置 | |
| US5847402A (en) | Charged particle beam pattern transfer apparatus and method | |
| JPH09320960A (ja) | 荷電粒子線転写装置 | |
| JP3455006B2 (ja) | 荷電粒子ビーム装置 | |
| JPS6133254B2 (ja) | ||
| US5387799A (en) | Electron beam writing system | |
| JP4170224B2 (ja) | 粒子ビームを横方向に移動することができる光軸を具備するレンズ配列 | |
| GB1587852A (en) | Electron beam apparatus | |
| US6078382A (en) | Charged-particle-beam projection-optical system | |
| JP2000100364A (ja) | 荷電粒子線転写装置 | |
| JPS5983336A (ja) | 荷電粒子線集束偏向装置 | |
| JPH10302696A (ja) | 電子線投影レンズ | |
| JPH10321513A (ja) | 電子線転写装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030506 |