JPH09223684A - プラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 アッシング開始直後からしばらくの間酸素供
給量に見合ったアッシング速度が得られず、アッシング
速度が低下し、しかも、その間安定したアッシング処理
を行うことができない。 【解決手段】 本アッシング装置は、プラズマ生成室１
１内で生成した酸素プラズマＰの酸素ラジカルをイオン
トラップ１２を下方のプラズマ処理室１３へ導入し、載
置台１４上半導体ウエハＷをアッシングする装置で、上
記イオントラップ１２の表面にアルミニウム酸化膜層１
２Ｂを設け、アルミニウム酸化膜層１２によりその内部
の金属アルミニウム１２Ｃの酸化を防止することを特徴
とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、酸素プラズマによ
り被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来のこの種のプラズマ処理装置として
例えばエッチング装置やアッシング装置を挙げることが
できる。後者のアッシング装置は例えば半導体表面に集
積回路を形成する際に利用された有機高分子物質からな
るマスクを酸素プラズマ等を用いてアッシングを行って
除去する装置である。アッシング装置には種々のタイプ
のものがある。最近では半導体製品の多品種少量生産に
対応し、半導体ウエハ等の被処理体の大型化に対応する
ため、アッシング装置はバッチ式から枚葉式に移行する
傾向にある。枚葉式アッシング装置の一例として例えば
酸素プラズマを利用したダウンフロータイプのものがあ
る。

【０００３】ダウンフロータイプのアッシング装置は、
例えば、上方のプラズマ生成室で生成した酸素プラズマ
を下方のプラズマ処理室へ導入し、このプラズマ処理室
内で載置台上の半導体ウエハ表面のマスクを除去するよ
うにしてある。プラズマ生成室とプラズマ処理室とは一
般にトラップ板と称される多数の通過孔を有する隔壁に
より区画され、トラップ板によりイオンを捕獲し、プラ
ズマ処理に必要な酸素ラジカルのみを通過孔を介してプ
ラズマ処理室へダウンフローで導入し、半導体ウエハ表
面に残存する使用済みのマスクを酸素ラジカルにより効
率良くアッシングして除去するようにしてある。また、
アッシングを行うと、半導体ウエハ表面のマスクされて
いない、プラズマに曝された部分がプラズマによるダメ
ージを受けるため、アッシング後に、例えばフルオロカ
ーボン系のガスを主体にしたエッチングガスにより半導
体ウエハ表面を短時間だけ軽くエッチング（以下、「ラ
イトエッチング」と称す）するようにしてある。

【０００４】ところで、トラップ板はプラズマ中のイオ
ンを効率良く除去するために導電性に優れた高純度のア
ルミニウムによって形成されている。そして、このトラ
ップ板によりプラズマ生成室で生成したイオンを効率よ
く捕獲し、プラズマ処理室内へのイオンの侵入を防止
し、半導体ウエハに対するイオン衝撃や半導体ウエハで
の帯電に起因するダメージを防止するようにしてある。

【０００５】一方、最近はパーソナルコンピュータ、携
帯電話等の種々の電気製品が開発され、半導体製品の利
用分野が多岐に渡り、半導体製品の需要が逼迫してい
る。その需要に応えるためには、半導体製品をより高品
質でより効率良く生産する必要がある。このような点か
ら半導体製造の各処理工程ではスループットを向上させ
ることが極めて重要である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
アッシング装置の場合には、アッシング開始直後からし
ばらくするとアッシング開始直後よりアッシング速度が
速くなり安定した処理を行うことができるが、アッシン
グ開始直後から安定するまでの間（アッシングの初期期
間）は酸素供給量に見合ったアッシング速度が得られ
ず、その分だけスループットが落ちるという課題があっ
た。アッシングの初期期間とは言え、半導体ウエハが大
口径化し、集積回路の高集積化が進むほどその影響が大
きくなる。

【０００７】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、プラズマ処理開始直後から酸素供給量に見
合ったプラズマ処理速度を確保することができ、スルー
プットを高めることができるプラズマ処理装置を提供す
ることを目的としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、アッシン
グ処理の開始直後のアッシング速度が遅い原因について
種々検討した結果、アッシング開始直後からしばらくの
間はプラズマ生成室内の酸素が高純度アルミニウムから
なるトラップ板を酸化するために消費され、その消費量
分だけプラズマの生成量が抑制され、プラズマ処理室へ
導入される酸素ラジカルの量が少なくなってアッシング
速度が遅くなるということを知見した。

【０００９】本発明は、上記知見に基づいてなされたも
ので、本発明の請求項１に記載のプラズマ処理装置は、
酸素ガスを受給して酸素プラズマを生成するプラズマ生
成室と、このプラズマ生成室で生成した酸素プラズマ中
のイオン成分を捕獲すると共に酸素ラジカルを通過させ
る導電性材料からなる隔壁と、この隔壁を介して上記プ
ラズマ生成室に連結されたプラズマ処理室と、このプラ
ズマ処理室に配設され且つ上記酸素ラジカルによってプ
ラズマ処理される被処理体を載置する載置台とを備えた
プラズマ処理装置において、上記隔壁の表面に上記導電
性材料の酸化膜を設け、上記酸化膜によりその内部の導
電性材料の酸化を防止することを特徴とするものであ
る。

【００１０】また、本発明の請求項２に記載のプラズマ
処理装置は、請求項１に記載の発明において、上記導電
性材料がアルミニウムであることを特徴とするものであ
る。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、図１〜図５に示す実施形態
に基づいて本発明を説明する。図１は本発明のプラズマ
処理装置の一実施形態であるアッシング装置の断面を示
す図である。本実施形態のアッシング装置１０は、図１
に示すように、酸素プラズマＰを生成するプラズマ生成
室１１と、このプラズマ生成室１１で生成した酸素プラ
ズマＰ中のイオン成分を捕獲すると共に酸素ラジカルが
通過する導電性材料（例えばアルミニウム）からなる隔
壁、即ちトラップ板１２と、このトラップ板１２を介し
てプラズマ生成室１１に連結されたプラズマ処理室１３
とを備えて構成されている。また、プラズマ処理室１３
には半導体ウエハＷを載置する載置台１４が配設され、
プラズマ生成室１１からプラズマ処理室１３内にダウン
フローで導入された酸素ラジカルにより載置台１４上の
半導体ウエハＷ表面の有機高分子物質からなるフォトレ
ジスト膜（図示せず）をアッシングにより除去するよう
にしてある。

【００１２】上記プラズマ生成室１１は、椀状部１１Ａ
と、この椀状部１２Ａの球面部上端から上方へ延設され
た筒状部１１Ｂとからなり、例えば石英によって形成さ
れている。筒状部１２Ｂには絶縁部材からなるスペーサ
１５を介して上下一対の電極１６Ａ、１６Ｂが取り付け
られている。上方の電極１６Ａには整合回路１７を介し
て高周波電源１８に接続され、下方の電極１６Ｂはアー
スされている。また、筒状部１１Ｂにはガス供給管１９
を介してガス供給源２０が接続され、このガス供給源２
０から酸素ガスまたは四フッ化炭素等のフルオロカーボ
ン系のガスを主体とするエッチング用ガスを適宜供給す
るようにしてある。また、ガス供給管１９には流量調整
器２１が配設され、この流量調整器２１により酸素ガス
またはエッチング用ガスの流量を調整するようにしてあ
る。

【００１３】また、上記プラズマ生成室１１に連結され
たプラズマ処理室１３は、例えば表面にアルマイト処理
が施されたアルミニウムによって偏平な筒状に形成され
ている。このプラズマ処理室１３の側面には半導体ウエ
ハＷを搬入搬出する搬送路２２が連結され、その搬出入
口にはゲートバルブ２３が取り付けられている。従っ
て、ゲートバルブ２３を開放することにより高真空下で
搬送路２２からプラズマ処理室１３内へ半導体ウエハＷ
を搬入し、アッシング後には高真空下で半導体ウエハＷ
を搬出できるようにしてある。また、プラズマ処理室１
３の底面には真空排気管２４を介して真空排気装置２５
が接続され、プラズマ生成室１１及びプラズマ処理室１
３内を所定の真空度まで真空引きすると共に処理後のガ
スを排出するようにしてある。また、プラズマ処理室１
３底面中央には載置台１４が配設されている。この載置
台１４の中央部には例えば３本の昇降ピン１４Ａが昇降
可能に配設され、３本の昇降ピン１４Ａが上昇した状態
で半導体ウエハＷを授受し、半導体ウエハＷを受け取っ
た後昇降ピン１４Ａが下降し、載置台１４表面に配設さ
れた静電チャック（図示せず）を介して半導体ウエハＷ
を載置台１４上に静電吸着するようにしてある。

【００１４】ところで、上記プラズマ生成室１１とプラ
ズマ処理室１２間には本発明の要部を構成する上記トラ
ップ板１２が配設されている。このトラップ板１２は、
図１、図２に示すように、多数の通過孔１２Ａが均等に
分散して形成され、多数の通過孔１２Ａを介してプラズ
マ生成室１１内で生成した酸素ラジカルをプラズマ処理
室１３内へダウンフローで導入するようにしてある。ま
た、トラップ板１２はアースされている。

【００１５】また、トラップ板１２の表面には図２で誇
張して示すようにアルミニウムを酸化処理したアルミニ
ウム酸化膜層１２Ｂとして形成され、このアルミニウム
酸化膜層１２Ｂによりその内部のアルミニウム金属１２
Ｃの酸化を防止するようにしてある。つまり、アッシン
グ時に酸素プラズマＰ中の活性酸素がトラップ板１２に
吸着されると、酸素原子はアルミニウム酸化膜層１２Ｂ
によって内部への拡散が阻まれ、トラップ板１２表面で
の酸素吸着が飽和状態に達してそれ以上吸着されず、プ
ラズマ生成室１１内の酸素の消費を防止し、ひいては酸
素ラジカルの生成を安定させ、プラズマ処理室１３内へ
供給する酸素ラジカルの量を低減させることなく、しか
も酸素ラジカルを安定した状態で供給することができ
る。酸素原子が内部へ拡散しない結果としてアルミニウ
ム酸化膜層１２Ｂの下地であるアルミニウム金属１２Ｃ
の酸化を防止することができる。このように酸素原子の
内部への拡散を防止できるのは、酸化処理によって形成
されたアルミニウム酸化膜層１２Ｂの結晶構造が自然酸
化膜と比較して格段に緻密な構造になっていることに起
因していると思われる。

【００１６】しかし、トラップ板１２への活性酸素の吸
着は避けられず、処理開始直後は僅かではあるが活性酸
素がトラップ板１２に吸着されるため、アッシング開始
直後には若干のアッシング速度の低下が認められるが、
その吸着量は無視し得る程度のものである。また、アル
ミニウム酸化膜層１２Ｂの膜厚は酸素原子が内部へ拡散
しない膜厚に形成されておれば良く、その膜厚としては
例えば３００〜１００００オングストロームが好まし
い。膜厚が３００オングストローム未満であれば、酸素
原子の拡散が起こり得、膜厚が１００００オングストロ
ームを超えると、イオン及び電荷によるチャージが起こ
り好ましくない。また、アルミニウム酸化膜層１２Ｂに
フッ素が含有されていると、酸化膜の成長を抑制するこ
とができ、より効果的であることが判った。

【００１７】ところで、アルミニウム酸化膜層の膜厚変
動及び酸素の吸着挙動を考察するに当たって、Ｘ線回折
を利用したＸＭＡ（？）分析法を用いてトラップ板のア
ルミニウム酸化膜層の膜厚を測定すると共に、ＴＤＳ
（熱脱離質量）分析法を用いてアルミニウム酸化膜層に
おいて吸着、脱離する酸素ガス等のガスの分子数を測定
した。その結果、ライトエッチング時にはエッチング用
ガス、例えば四フッ化炭素等のフルオロカーボン系ガス
のプラズマによりアッシング時の吸着酸素が図３の
（ａ）で模式的に示すようにエッチング用ガス中の炭素
と結合し一酸化炭素などを生成して消費されるが、アル
ミニウム酸化膜層１２Ｂの表面は既に酸素飽和の状態に
なっており酸素が奪われるほどではなく、アルミニウム
酸化膜層１２Ｂは殆ど変化しない。

【００１８】これに対して従来の無垢のアルミニウムか
らなるトラップ板１２’の場合には、図３の（ｂ）で模
式的に示すようにその表面にアルミニウムの自然酸化膜
１２’Ｂが形成されているが、その自然酸化膜層は極め
て薄く、アッシング時に吸着酸素原子が内部へ拡散し易
く、同図に破線の矢印で示すようにその酸素原子がアル
ミニウム金属１２’Ｃとの界面まで拡散し界面のアルミ
ニウム金属１２’Ｃを酸化しアルミニウム酸化膜層１
２’Ｂが徐々に成長して膜厚が厚くなる。そのため、吸
着酸素によるアルミニウム金属１２’Ｃの酸化が停止す
るまではトラップ板１２’の表面に吸着した酸素原子は
順次トラップ板１２’の内部へ拡散し表面の酸素は不飽
和状態にあり、プラズマ生成室１１内の酸素が徐々に消
費され、その消費量分だけ酸素ラジカルの生成量が減少
し、酸素の供給量に見合った所期のアッシング速度が得
られない。しかし、それ以上の酸化が起こらなくなれ
ば、安定したアッシング速度を得ることができる。従っ
て、アッシング開始直後からしばらくの時間が経過すれ
ば安定したアッシング速度を得ることができることにな
る。また、図３の（ｃ）で模式的に示すようにライトエ
ッチング時にはトラップ板１２’における拡散途上の酸
素原子がエッチング用ガスのプラズマ中の分解生成物で
ある炭素等により消費され、ライトエッチング速度が低
下すると共に、アルミニウム金属１２Ｃの酸化が抑制さ
れる。

【００１９】次に動作について説明する。まず、真空排
気装置２５を用いてプラズマ生成室１１及びプラズマ処
理室１３内を所定の真空度になるまで真空引きする。そ
の後、ゲートバルブ２３を開き、図示しない搬送機構を
用いて搬送路２２からプラズマ処理室１３内へ半導体ウ
エハＷを搬入し、その半導体ウエハＷを載置台１４上へ
載置した後、ゲートバルブ２３を閉じる。次いで、高周
波電源１８により整合回路１７を介して高周波電力を電
極１６Ａに印加すると共に、ガス供給源２０から酸素ガ
スを供給する。この時、ガスの供給量は流量調整器２１
により所定のガス流量を保持する。

【００２０】ガス供給管１９からプラズマ生成室１１内
へ酸素ガスを供給すると、筒状部１１Ｂで電極１６Ａ、
１６Ｂ間で酸素プラズマＰを生成する。この時、真空排
気装置２５が駆動しているため、プラズマ生成室１１で
生成した酸素プラズマＰは図１に矢印で示したように下
方へ流れる。この時、トラップ板１２が酸素プラズマＰ
中のイオンを捕獲し、酸素ラジカルのみをトラップ板１
２の多数の通過孔１２Ａからプラズマ処理室１３へ通
す。プラズマ処理室１３内では酸素ラジカルが半導体ウ
エハＷのフォトレジスト膜の有機高分子化合物と反応
し、フォトレジスト膜をアッシングにより除去する。ア
ッシングにより生成した二酸化炭素、水等のガスは真空
排気管２４から流出する。アッシング後、酸素ガスから
エッチング用ガスに切り換え、半導体ウエハＷをライト
エッチングしてアッシングによる部分的なダメージを除
去する。これら一連の処理が終了した後、ゲートバルブ
２３を開き、次の半導体ウエハＷと入れ替え、新しい半
導体ウエハＷをアッシングする。

【００２１】ところで、アッシング時には酸素プラズマ
Ｐ中の酸素がトラップ板１２の表面に酸素が吸着する
が、トラップ板１２の表面にはアルミニウム酸化膜層１
２Ｂが施されているため、吸着した酸素原子はアルミニ
ウム酸化膜層１２Ｂにより内部への拡散が阻まれ、その
表面での酸素の吸着量はすぐに飽和状態に達し、それ以
上の吸着がなく、酸素プラズマＰ中の酸素がアッシング
以外に消費される量は無視でき、アッシング開始直後か
ら酸素ガスの供給量に見合ったアッシング速度を確保す
ることができ、アッシング開始直後から高いスループッ
トでアッシングを行うことができる。また、ライトエッ
チング時には、トラップ板１２表面に吸着した僅かの吸
着酸素がエッチング用ガスによって消費されるが、アル
ミニウム酸化膜層１２Ｂを奪うほどでもない。

【００２２】

【実施例】次に、具体的な実施例について図４〜図６を
参照しながら説明する。尚、図４は図２に示すトラップ
板と従来のトラップ板を用いてアッシング、ライトエッ
チングを行った場合のトラップ板のアルミニウム酸化膜
の膜厚の変化を比較して示す表で、図５は実施例１にお
いて図２に示すトラップ板を用いてアッシング、ライト
エッチングを３回繰り返して行った場合のアッシング速
度の変化を比較して示す表、図６は新規のトラップ板が
エージングを行った場合よりアッシング速度が遅い原因
を究明するためにトラップ板に吸着した吸着分子を分析
した結果を示す表である。

【００２３】実施例１ 本実施例では、表面に５００オングストロームのアルミ
ニウム酸化膜を施したトラップ板を装着したアッシング
装置を用い、次に示す条件１〜３でシリコンウエハ及び
シリコンウエハにフォトレジスト膜が形成されたフォト
レジストウエハをアッシングし、その結果を図４に示し
た。また、本実施例では、条件１ではエージングを１時
間行った場合と行わない場合についてアッシングを３回
行い、両者間のアッシング速度の変動を観た。条件２及
び条件３ではアッシングあるいは一貫処理を１ロット
（Ｌ）〜３Ｌ（７５枚）のウエハについて行い、その処
理を３回繰り返し、ロット間及び処理回数によるアッシ
ング速度の変動を観た。そして、これらのアッシング速
度の変動結果を図５に示した。尚、図５におけるアッシ
ング速度は各ロットでの平均値である。

【００２４】図４のアルミニウム酸化膜の変化を示す結
果から以下のことが判った。即ち、条件１の場合には、
アルミニウム酸化膜の膜厚がプラズマを照射しない時よ
り多少厚くなっているが、条件２及び条件３のライトエ
ッチングを加えて一貫処理を行った場合にはアルミニウ
ム酸化膜層の膜厚がプラズマを照射しない時と比較して
殆ど変化しておらずアルミニウム酸化膜層が安定してい
る。

【００２５】また、図５に示すアッシング速度の変化を
示す結果から以下のことが判った。即ち、条件１の場合
には、エージングを行った方がエージングを行わない場
合より高いアッシング速度が得られた。この原因を究明
するために、プラズマを照射しないトラップ板、及びプ
ラズマを照射した条件１、２のトラップ板をサンプリン
グし、その表面の吸着ガスをＴＤＳにより分析し、その
結果を図６に示した。図６に示す分析結果によれば、プ
ラズマを照射しない場合には酸素分子の他に水分子が大
量に吸着し、プラズマを照射した場合には吸着水分子が
略半減していることが判った。この結果からプラズマ照
射により吸着水分子がトラップ板から脱離し、アッシン
グ速度が高くなったものと推定される。また、図５に示
す結果によれば、アッシング処理を繰り返しても殆どア
ッシング速度に変動が観られなかった。条件２及び条件
３のライトエッチングを加えて一貫処理を行った場合に
は、ウエハのロット数に関係なくアッシング速度が略一
定し、アッシング開始直後から一貫して高いアッシング
速度が得られた。また、処理を繰り返しても各回でアッ
シング速度に違いのないことが判った。

【００２６】〔条件１〕：下記の条件で酸素によるアッ
シングのみを行った。図３には、エージングをせずにア
ッシングを行った場合と、１時間エージングを行った後
アッシングを行った場合についてアッシング速度の変化
を観た。 被処理体 ：シリコンウエハ 高周波電力：７００Ｗ 真空度 ：２Ｔｏｒｒ ガス流量 ：１５００ｓｃｃｍ 処理時間 ：５時間 〔条件２〕：下記の条件で酸素によるアッシング及びラ
イトエッチングを行った。 被処理体 ：シリコンウエハ アッシング 高周波電力：７００Ｗ 真空度 ：２Ｔｏｒｒ ガス流量 ：１５００ｓｃｃｍ 処理時間 ：３分 ライトエッチング 高周波電力：８００Ｗ 真空度 ：１Ｔｏｒｒ ガス流量 ：ＣＦ₄／Ｏ₂＝９００ｓｃｃｍ／１００ｓｃ
ｃｍ 処理時間 ：１０秒 全処理時間：５時間 〔条件３〕：シリコンウエハに代えてフォトレジストウ
エハを用いた以外は条件２と同一の条件で処理を行っ
た。

【００２７】実施例２ 本実施例では、表面に２０３０オングストロームのアル
ミニウム酸化膜を施したトラップ板を装着したアッシン
グ装置を用い、実施例１と同様に処理を施し、その結果
を図４に示した。図４に示す結果によれば、本実施例で
も実施例１と略同様の結果が得られることが判った。

【００２８】実施例３ 本実施例では、表面に７０５０オングストロームのアル
ミニウム酸化膜を施したトラップ板を装着したアッシン
グ装置を用い、実施例１と同様に処理を施し、その結果
を図４に示した。図４に示す結果によれば、本実施例で
も実施例１と略同様の結果が得られることが判った。

【００２９】実施例１〜３の結果から、トラップ板のア
ルミニウム酸化膜はある程度（５００オングストロー
ム）の膜厚があれば、膜厚に関係なくアッシング開始直
後から高いアッシング速度を得ることができ、しかも安
定したアッシングを継続して行えることが判った。

【００３０】比較例１ 本比較例では無垢のアルミニウムからなるトラップ板を
用いて条件１〜３でアッシングを行い、その結果を図
４、図５に示した。図４のアルミニウム酸化膜の変化を
示す結果から以下のことが判った。即ち、条件１の場合
には、トラップ板の表面に酸素プラズマ中の酸素が吸着
して酸化が進み、アルミニウム酸化膜が大きく成長して
いる。換言すれば、酸素プラズマ中の酸素がトラップ板
の酸化に消費されている。また、条件２及び条件３のラ
イトエッチングを加えて一貫処理を行った場合には条件
１の場合と比較してアルミニウム酸化膜の成長は少ない
が、実施例１〜３と比較すると膜厚が格段に成長してお
り酸素が多く消費されている。

【００３１】また、図５に示すアッシング速度の変化を
示す結果から以下のことが判った。即ち、条件１の場合
には、エージングを行わずにアッシングを行うと、上述
のように酸素がトラップ板の酸化に消費され、アッシン
グ速度が実施例１〜３と比較すると格段に低い。また、
実施例１〜３で１時間エージングした時のアッシング速
度を本比較例で得ようとすると、３０時間もの長時間を
エージングしなくてはならない。換言すれば、アッシン
グ直後から３０時間は酸素ガス供給量に見合ったアッシ
ング速度を得られない。

【００３２】尚、本発明は、上記実施例に何等制限され
るものではなく、酸素ガスのプラズマを用いて処理する
装置であれば、エッチング装置等広く適用することがで
き、被処理体も半導体ウエハに制限されるものではな
く、ＬＣＤ基板等にも適用することができる。

【００３３】

【発明の効果】本発明の請求項１及び請求項２に記載の
発明によれば、プラズマ処理開始直後から酸素供給量に
見合ったプラズマ処理速度を確保することができ、スル
ープットを高めることができるプラズマ処理装置を提供
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のプラズマ処理装置の一実施形態である
アッシング装置を示す断面図である。

【図２】図１に示すアッシング装置に用いられたトラッ
プ板の断面構造を説明するための説明図である。

【図３】アッシング処理時及びライトエッチング時にお
けるトラップ板表面での酸素及びフルオロカーボン系の
ガスの挙動を示す説明図で、同図（ａ）は本発明のトラ
ップ板表面におけるライトエッチング時のガスの挙動を
示す図、同図（ｂ）は従来のトラップ板表面におけるア
ッシング時の酸素ガスの挙動を示す図、同図（ｃ）はト
ラップ板表面におけるライトエッチング時のガスの挙動
を示す図である。

【図４】図２に示すトラップ板と従来のトラップ板を用
いてアッシング、ライトエッチングを行った場合のトラ
ップ板のアルミニウム酸化膜の膜厚の変化を比較して示
す表である。

【図５】新規のトラップ板がエージングを行った場合よ
りアッシング速度が遅い原因を究明するためにトラップ
板に吸着した吸着分子を分析した結果を示す表である。

【図６】新規のトラップ板がエージングを行った場合よ
りアッシング速度が遅い原因を究明するためにトラップ
板に吸着した吸着分子を分析した結果を示す表である。

【符号の説明】

１０ アッシング装置（プラズマ処理装置） １１ プラズマ生成室 １２ トラップ板（隔壁） １２Ｂ アルミニウム酸化膜層（酸化膜） １２Ｃ アルミニウム金属（導電性材料） １３ プラズマ処理室 １４ 載置台 Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） Ｐ 酸素プラズマ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 酸素ガスを受給して酸素プラズマを生成
   するプラズマ生成室と、このプラズマ生成室で生成した
   酸素プラズマ中のイオン成分を捕獲すると共に酸素ラジ
   カルを通過させる導電性材料からなる隔壁と、この隔壁
   を介して上記プラズマ生成室に連結されたプラズマ処理
   室と、このプラズマ処理室に配設され且つ上記酸素ラジ
   カルによってプラズマ処理される被処理体を載置する載
   置台とを備えたプラズマ処理装置において、上記隔壁の
   表面に上記導電性材料の酸化膜を設け、上記酸化膜によ
   りその内部の導電性材料の酸化を防止することを特徴と
   するプラズマ処理装置。
2. 【請求項２】 上記導電性材料がアルミニウムであるこ
   とを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。