JPH0922458A - ファクシミリ装置 - Google Patents
ファクシミリ装置Info
- Publication number
- JPH0922458A JPH0922458A JP17239595A JP17239595A JPH0922458A JP H0922458 A JPH0922458 A JP H0922458A JP 17239595 A JP17239595 A JP 17239595A JP 17239595 A JP17239595 A JP 17239595A JP H0922458 A JPH0922458 A JP H0922458A
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- Japan
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- Pending
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- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高信頼性且つ安価な構成で画像データを記憶
して送受信を行う。 【解決手段】 圧縮データ３００はフラッシュメモリ２
００に記憶され、フラッシュメモリ２００に記憶された
圧縮データ３００のアドレスと長さ３０１がＲＡＭ２０
１に記憶される。圧縮データ３００をフラッシュメモリ
２００に記憶する場合にはそのエリアが一杯になるまで
追記され、書き込みエリアが無くなると消去が行われ
る。フラッシュメモリ２００の消去回数がＲＡＭ２０１
に記憶され、消去回数がフラッシュメモリ２００の寿命
になるとその旨が操作部１０８の表示部に表示される。
して送受信を行う。 【解決手段】 圧縮データ３００はフラッシュメモリ２
００に記憶され、フラッシュメモリ２００に記憶された
圧縮データ３００のアドレスと長さ３０１がＲＡＭ２０
１に記憶される。圧縮データ３００をフラッシュメモリ
２００に記憶する場合にはそのエリアが一杯になるまで
追記され、書き込みエリアが無くなると消去が行われ
る。フラッシュメモリ２００の消去回数がＲＡＭ２０１
に記憶され、消去回数がフラッシュメモリ２００の寿命
になるとその旨が操作部１０８の表示部に表示される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、送受信される画像
データを記憶して送受信を行うファクシミリ装置に関す
る。
データを記憶して送受信を行うファクシミリ装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、この種のファクシミリ装置で
は、送受信される画像データやその管理データ等の通信
データはＳＡＦメモリと呼ばれる記憶装置に記憶され
る。従来、この種のＳＡＦメモリとしては、バッテリに
よりバックアップされたＤＲＡＭが用いられている。ま
た、ユーザの所望の時刻に送信データを送信するメモリ
送信機能や、受信データをプリントするメモリ受信機能
を有するファクシミリ装置では、ＤＲＡＭの他に大容量
のＨＤＤ等が用いられる場合もある。
は、送受信される画像データやその管理データ等の通信
データはＳＡＦメモリと呼ばれる記憶装置に記憶され
る。従来、この種のＳＡＦメモリとしては、バッテリに
よりバックアップされたＤＲＡＭが用いられている。ま
た、ユーザの所望の時刻に送信データを送信するメモリ
送信機能や、受信データをプリントするメモリ受信機能
を有するファクシミリ装置では、ＤＲＡＭの他に大容量
のＨＤＤ等が用いられる場合もある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＤＲＡ
Ｍはバッテリの容量に対して比較的大きな消費電流を必
要とし、バックアップ時間が短いので、ファクシミリ装
置に適用した場合に信頼性が低いという問題点がある。
また、ＨＤＤ等の大容量記憶装置は高価であるという問
題点がある。
Ｍはバッテリの容量に対して比較的大きな消費電流を必
要とし、バックアップ時間が短いので、ファクシミリ装
置に適用した場合に信頼性が低いという問題点がある。
また、ＨＤＤ等の大容量記憶装置は高価であるという問
題点がある。
【０００４】本発明は上記従来の問題点に鑑み、高信頼
性且つ安価な構成で画像データを記憶して送受信を行う
ことができるファクシミリ装置を提供することを目的と
する。
性且つ安価な構成で画像データを記憶して送受信を行う
ことができるファクシミリ装置を提供することを目的と
する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】第１の手段は上記目的を
達成するために、フラッシュメモリと、バッテリにより
バックアップされたＲＡＭと、送受信される圧縮画像デ
ータを前記フラッシュメモリに記憶すると共にその管理
データを前記ＲＡＭに記憶し、送受信時に前記フラッシ
ュメモリに記憶された圧縮画像データを前記ＲＡＭに記
憶された管理データに基づいて読み出す制御手段とを有
することを特徴とする。
達成するために、フラッシュメモリと、バッテリにより
バックアップされたＲＡＭと、送受信される圧縮画像デ
ータを前記フラッシュメモリに記憶すると共にその管理
データを前記ＲＡＭに記憶し、送受信時に前記フラッシ
ュメモリに記憶された圧縮画像データを前記ＲＡＭに記
憶された管理データに基づいて読み出す制御手段とを有
することを特徴とする。
【０００６】第２の手段は、第１の手段において前記制
御手段が、圧縮画像データを前記フラッシュメモリに追
記してその容量が一杯になった場合に前記フラッシュメ
モリのデータを消去すると共にその消去回数を前記ＲＡ
Ｍに記憶し、消去回数が前記フラッシュメモリの寿命に
達した場合に警告することを特徴とする。
御手段が、圧縮画像データを前記フラッシュメモリに追
記してその容量が一杯になった場合に前記フラッシュメ
モリのデータを消去すると共にその消去回数を前記ＲＡ
Ｍに記憶し、消去回数が前記フラッシュメモリの寿命に
達した場合に警告することを特徴とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。図１は本発明に係るファクシミリ装置
の一実施例を示すブロック図、図２は図１のファクシミ
リ装置における画像データの流れを説明するためのブロ
ック図、図３は図１のフラッシュメモリとＲＡＭに記憶
されるデータを示す説明図である。
施例を説明する。図１は本発明に係るファクシミリ装置
の一実施例を示すブロック図、図２は図１のファクシミ
リ装置における画像データの流れを説明するためのブロ
ック図、図３は図１のフラッシュメモリとＲＡＭに記憶
されるデータを示す説明図である。
【０００８】図１に示すファクシミリ装置は、ＣＰＵ１
００、ＲＯＭ１０１、ＲＡＭ１０２、ＳＡＦメモリ１０
３、イメージメモリ１０４、スキャナ１０５、プロッタ
１０６、通信制御部１０７、操作部１０８及び圧縮・伸
長機１０９を有し、ＳＡＦメモリ１０３はフラッシュメ
モリ２００、ＲＡＭ２０１及びバッテリ２０２により構
成されている。ＣＰＵ１００はＲＯＭ１０１に予め記憶
されたプログラムに基づいて、また、ＲＡＭ１０２を作
業エリアとして用いてこのファクシミリ装置全体の制御
を行い、特に後述するように通信データの記憶制御を行
う。
００、ＲＯＭ１０１、ＲＡＭ１０２、ＳＡＦメモリ１０
３、イメージメモリ１０４、スキャナ１０５、プロッタ
１０６、通信制御部１０７、操作部１０８及び圧縮・伸
長機１０９を有し、ＳＡＦメモリ１０３はフラッシュメ
モリ２００、ＲＡＭ２０１及びバッテリ２０２により構
成されている。ＣＰＵ１００はＲＯＭ１０１に予め記憶
されたプログラムに基づいて、また、ＲＡＭ１０２を作
業エリアとして用いてこのファクシミリ装置全体の制御
を行い、特に後述するように通信データの記憶制御を行
う。
【０００９】スキャナ１０５は送信原稿を読み取り、プ
ロッタ１０６が受信画像を記録紙にプリントアウトす
る。この場合、図２に示すようにスキャナ１０５により
読み取られた送信原稿の画像データは、イメージメモリ
１０４に記憶された後に圧縮・伸長機１０９により圧縮
され、次いでその圧縮データがＳＡＦメモリ１０３に記
憶された後に通信制御部１０７を介して受信側に送信さ
れる。また、送信側から通信制御部１０７を介して受信
された圧縮データは、ＳＡＦメモリ１０３に記憶された
後に圧縮・伸長機１０９により伸長され、次いでイメー
ジメモリ１０４に記憶された後にプロッタ１０６により
プリントアウトされる。
ロッタ１０６が受信画像を記録紙にプリントアウトす
る。この場合、図２に示すようにスキャナ１０５により
読み取られた送信原稿の画像データは、イメージメモリ
１０４に記憶された後に圧縮・伸長機１０９により圧縮
され、次いでその圧縮データがＳＡＦメモリ１０３に記
憶された後に通信制御部１０７を介して受信側に送信さ
れる。また、送信側から通信制御部１０７を介して受信
された圧縮データは、ＳＡＦメモリ１０３に記憶された
後に圧縮・伸長機１０９により伸長され、次いでイメー
ジメモリ１０４に記憶された後にプロッタ１０６により
プリントアウトされる。
【００１０】ＳＡＦメモリ１０３におけるフラッシュメ
モリ２００は１個以上のフラッシュメモリデバイスで構
成されている。また、ＲＡＭ２０１は消費電力が小さい
１個以上のＳＲＡＭデバイスで構成され、電源断時には
バッテリ２０２によりバックアップされる。ここで、フ
ラッシュメモリ２００はその性質上、書き込まれたデー
タは電源断時にも消去しないが、書き換え回数には制限
がある。これに対し、ＳＲＡＭはその性質上、ＤＲＡＭ
に比べて消費電力が非常に小さいので、バッテリ２０２
によるバックアップ時間を充分長くすることができる。
モリ２００は１個以上のフラッシュメモリデバイスで構
成されている。また、ＲＡＭ２０１は消費電力が小さい
１個以上のＳＲＡＭデバイスで構成され、電源断時には
バッテリ２０２によりバックアップされる。ここで、フ
ラッシュメモリ２００はその性質上、書き込まれたデー
タは電源断時にも消去しないが、書き換え回数には制限
がある。これに対し、ＳＲＡＭはその性質上、ＤＲＡＭ
に比べて消費電力が非常に小さいので、バッテリ２０２
によるバックアップ時間を充分長くすることができる。
【００１１】このように構成において、送信しようとす
る、又は受信した圧縮画像データをＳＡＦメモリ１０３
に記憶する場合、図３に示すように圧縮データ３００は
フラッシュメモリ２００に記憶され、また、フラッシュ
メモリ２００に記憶された圧縮データ３００の先頭アド
レスと長さ３０１がＲＡＭ２０１に記憶される。
る、又は受信した圧縮画像データをＳＡＦメモリ１０３
に記憶する場合、図３に示すように圧縮データ３００は
フラッシュメモリ２００に記憶され、また、フラッシュ
メモリ２００に記憶された圧縮データ３００の先頭アド
レスと長さ３０１がＲＡＭ２０１に記憶される。
【００１２】また、圧縮データ３００をフラッシュメモ
リ２００に記憶する場合にはそのエリアが一杯になるま
で追記され、書き込みエリアが無くなると消去が行われ
る。更に、フラッシュメモリ２００の消去回数がＲＡＭ
２０１に記憶され、消去回数がフラッシュメモリ２００
の寿命になるとその旨が図１に示す操作部１０８の表示
部に表示される。
リ２００に記憶する場合にはそのエリアが一杯になるま
で追記され、書き込みエリアが無くなると消去が行われ
る。更に、フラッシュメモリ２００の消去回数がＲＡＭ
２０１に記憶され、消去回数がフラッシュメモリ２００
の寿命になるとその旨が図１に示す操作部１０８の表示
部に表示される。
【００１３】したがって、上記実施例によれば、圧縮デ
ータ３００をフラッシュメモリ２００に記憶し、フラッ
シュメモリ２００の消去回数が寿命になるとその旨を表
示するので、高信頼性且つ安価な不揮発性メモリを有す
るファクシミリ装置を実現することができ、また、フラ
ッシュメモリ２００に記憶された圧縮データ３００のア
ドレスと長さ３０１が圧縮データ３００より非常に小さ
いデータであるのでＲＡＭ２０１の記憶容量を低減する
ことができる。
ータ３００をフラッシュメモリ２００に記憶し、フラッ
シュメモリ２００の消去回数が寿命になるとその旨を表
示するので、高信頼性且つ安価な不揮発性メモリを有す
るファクシミリ装置を実現することができ、また、フラ
ッシュメモリ２００に記憶された圧縮データ３００のア
ドレスと長さ３０１が圧縮データ３００より非常に小さ
いデータであるのでＲＡＭ２０１の記憶容量を低減する
ことができる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように請求項１記載の発明
は、バッテリによるバックアップが不要な不揮発性のフ
ラッシュメモリに圧縮画像データを記憶するので、高信
頼性且つ安価な構成で画像データを記憶して送受信を行
うことができる。また、圧縮データより少ないデータ量
の管理データをＲＡＭに記憶するのでＲＡＭの容量を低
減することができ、更に、ＲＡＭとしてＤＲＡＭに比べ
て消費電力が非常に小さいＳＲＡＭを用いることにより
バックアップ時間を長くすることができるので高信頼性
且つ安価な構成で画像データを記憶することができる。
は、バッテリによるバックアップが不要な不揮発性のフ
ラッシュメモリに圧縮画像データを記憶するので、高信
頼性且つ安価な構成で画像データを記憶して送受信を行
うことができる。また、圧縮データより少ないデータ量
の管理データをＲＡＭに記憶するのでＲＡＭの容量を低
減することができ、更に、ＲＡＭとしてＤＲＡＭに比べ
て消費電力が非常に小さいＳＲＡＭを用いることにより
バックアップ時間を長くすることができるので高信頼性
且つ安価な構成で画像データを記憶することができる。
【００１５】請求項２記載の発明は、フラッシュメモリ
の消去回数がフラッシュメモリの寿命の場合に警告する
ので、高信頼性且つ安価な構成で画像データを記憶する
ことができる。
の消去回数がフラッシュメモリの寿命の場合に警告する
ので、高信頼性且つ安価な構成で画像データを記憶する
ことができる。
【図１】本発明に係るファクシミリ装置の一実施例を示
すブロック図である。
すブロック図である。
【図２】図１のファクシミリ装置における画像データの
流れを説明するためのブロック図である。
流れを説明するためのブロック図である。
【図３】図１のフラッシュメモリとＲＡＭに記憶される
データを示す説明図である。
データを示す説明図である。
１００ ＣＰＵ ２００ フラッシュメモリ ２０１ ＲＡＭ ２０２ バッテリ
Claims (2)
- 【請求項１】 フラッシュメモリと、 バッテリによりバックアップされたＲＡＭと、 送受信される圧縮画像データを前記フラッシュメモリに
記憶すると共にその管理データを前記ＲＡＭに記憶し、
送受信時に前記フラッシュメモリに記憶された圧縮画像
データを前記ＲＡＭに記憶された管理データに基づいて
読み出す制御手段と、を有するファクシミリ装置。 - 【請求項２】 前記制御手段は、圧縮画像データを前記
フラッシュメモリに追記してその容量が一杯になった場
合に前記フラッシュメモリのデータを消去すると共にそ
の消去回数を前記ＲＡＭに記憶し、消去回数が前記フラ
ッシュメモリの寿命に達した場合に警告することを特徴
とする請求項１記載のファクシミリ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17239595A JPH0922458A (ja) | 1995-07-07 | 1995-07-07 | ファクシミリ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17239595A JPH0922458A (ja) | 1995-07-07 | 1995-07-07 | ファクシミリ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0922458A true JPH0922458A (ja) | 1997-01-21 |
Family
ID=15941147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17239595A Pending JPH0922458A (ja) | 1995-07-07 | 1995-07-07 | ファクシミリ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0922458A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6184961B1 (en) | 1997-07-07 | 2001-02-06 | Lg Electronics Inc. | In-plane switching mode liquid crystal display device having opposite alignment directions for two adjacent domains |
| US6259502B1 (en) | 1997-07-12 | 2001-07-10 | Lg Electronics Inc. | In-plane switching mode liquid crystal display device having a common electrode on the passivation layer |
| JP2009009213A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Ricoh Co Ltd | データ記憶装置、プログラムおよびデータ記憶方法 |
| US9203991B2 (en) | 2013-07-09 | 2015-12-01 | Ricoh Company, Ltd. | Information processing device, image processing control method, and recording medium storing image processing control program |
-
1995
- 1995-07-07 JP JP17239595A patent/JPH0922458A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6184961B1 (en) | 1997-07-07 | 2001-02-06 | Lg Electronics Inc. | In-plane switching mode liquid crystal display device having opposite alignment directions for two adjacent domains |
| US6466291B2 (en) | 1997-07-07 | 2002-10-15 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device having plurality of pixel regions |
| US6853429B2 (en) | 1997-07-07 | 2005-02-08 | Lg Electronics, Inc. | In-plane switching mode liquid crystal display device having multiple domains |
| US6259502B1 (en) | 1997-07-12 | 2001-07-10 | Lg Electronics Inc. | In-plane switching mode liquid crystal display device having a common electrode on the passivation layer |
| US6384888B2 (en) | 1997-07-12 | 2002-05-07 | Lg Electronics Inc. | In-plane switching mode liquid crystal display device |
| JP2009009213A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Ricoh Co Ltd | データ記憶装置、プログラムおよびデータ記憶方法 |
| US9203991B2 (en) | 2013-07-09 | 2015-12-01 | Ricoh Company, Ltd. | Information processing device, image processing control method, and recording medium storing image processing control program |
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