JPH09228038A - 中空のターゲットを備えた、陰極スパッタによりサブストレートを被覆するための装置 - Google Patents

中空のターゲットを備えた、陰極スパッタによりサブストレートを被覆するための装置

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JPH09228038A
JPH09228038A JP9032499A JP3249997A JPH09228038A JP H09228038 A JPH09228038 A JP H09228038A JP 9032499 A JP9032499 A JP 9032499A JP 3249997 A JP3249997 A JP 3249997A JP H09228038 A JPH09228038 A JP H09228038A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 低エネルギーによる蒸着を許し、しかも個々
の膜およびそれらの光沢面において支障箇所および放射
欠陥ができる限り少なく、かつ不活性ガスの混入のな
い、構成が比較的簡単で、したがってリーゾナブルに製
作可能であるスパッタ源を提供する。 【解決手段】 サブストレート3側で開いた中空のター
ゲット4と、ターゲットの側壁5に平行に延びた暗室シ
ールド6と、ターゲットの底部7と不動に結合され、絶
縁材8を介して真空室2の壁9に支持され、しかも電源
10と電気的に結合されたカソード基体11と、暗室シ
ールドに平行に延びた、複数の磁石から形成された磁石
帯12と、暗室シールドによって保持された、少なくと
も1つの中央の開口14を持つ絞り13と、ターゲット
の対称面17に平行な回転軸線16を持つ、定置に、回
転可能に支承された、サブストレートのための回転皿1
5とを備えた、陰極スパッタによる被覆装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、被覆すべきサブス
トレート側で開いた中空のターゲットを備えた、陰極ス
パッタによりサブストレートを被覆するための装置に関
する。
【0002】
【従来の技術】中空体の形状の、被覆すべきサブストレ
ート側で開いたカソードとアノードとを備えた陰極スパ
ッタによりサブストレートを被覆するための装置は公知
である(独国特許第3506227号)。該装置では中
空体形状のカソードのサブストレート側とは反対の外面
にカソードの内面にスパッタゾーンを固定するための磁
石装置が設けられており、かつ該磁石装置は、操作時に
スパッタすべきカソードの内面上に2つのスパッタゾー
ンが形成され、かつ両スパッタゾーンのスパッタ出力の
比が調整可能であるように構成されている。中空体形状
のカソードは片側で開いた中空シリンダの形状を有して
おり、かつ第1のスパッタゾーンが主にシリンダの内周
面上に、かつ第2のスパッタゾーンがシリンダの閉じら
れた端面上に限定される。
【0003】これらの公知の装置は特に良好な膜厚均質
性を減じずに改善された段カバー(Stufenbedeckung)
を与えるという利点を持つ。
【0004】さらにヨーロッパ特許公開第045941
3号公報から公知の被覆装置では、サブストレートは回
転皿上に配置され、かつ被覆過程の間2つのターゲット
の下方を通って移動する。両ターゲットはRF−源へ接
続されており、かつ絞りによって互いに分離され、回転
皿の対向位置に定置に保持されている。この公知の被覆
装置は、先ず第一に、交互にCo−層およびPt−また
はPd−層から形成された多層パックから成る磁気記録
層の製作に用いられる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、低エ
ネルギーによる蒸着を許し、しかも個々の膜およびそれ
らの光沢面において支障箇所および放射欠陥(Strahlen
schaeden)ができる限り少なく、かつ不活性ガスの混入
のない、構成が比較的簡単で、したがってリーゾナブル
に製作可能であるスパッタ源を見出すことである。さら
に膜はMR/GMR層(Magneto Resistiv/Gigant Magn
eto Resistiv)として蒸着可能であり、特に薄膜ヘッド
に好適でなけらばならない。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、本発明に
よれば、中空ターゲットを備えた、陰極スパッタにより
サブストレートを被覆するための装置において、被覆す
べきサブストレート側で開いた中空のターゲットと、タ
ーゲットの側壁に平行に延びた暗室シールドと、ターゲ
ットの底部と不動に結合されていて、絶縁部材を介して
真空室の壁に支持されていて、しかも電源と電気的に結
合されたカソード基体と、暗室シールドに平行に延び
た、複数の磁石から形成された磁石帯(Magnetguerte
l)と、暗室シールドによって保持された、少なくとも
1つの中央の開口を持つ絞りと、定置の、しかし回転可
能に支承された、サブストレートを保持するための回転
皿とを備えており、該回転皿の回転軸線が該回転軸線に
平行に鉛直に延びた中空のターゲットの対称面に対して
一定量ずらされていることによって達成される。
【0007】他の詳細および特徴が引用形式請求項に記
載されている。
【0008】本発明は種々の実施形を可能とするが、そ
のうちの1例が略示された図面を基に詳説される。
【0009】
【発明の実施の形態】装置は、主に、真空室2の上部の
壁部分9の開口21内に保持されていて、しかも絶縁材
としての絶縁リング8上に支持され、内部に冷却体22
を挿入されたカソード基体11と、該カソード基体11
とろう付けされた、円筒形の側壁(側壁部分)5を持つ
コップ形のターゲット4と、ターゲットの側壁5を距離
を置いて包囲した、U字形の横断面を持つ暗室シールド
6と、複数の個別の永久磁石18,18′、…と環状の
ヨーク19とから成る磁石帯12と、下方の壁部分20
内に回転可能に支承されていて、ディスク状の上面の凹
所23,23′,…内にサブストレート3,3′,…を
保持した回転皿15とを備えている。
【0010】真空室2の排気および適切なプロセスガ
ス、例えばアルゴンの導入後、回転皿20が回転せしめ
られ、その結果個々のサブストレート3,3′,…が順
番に絞りの開口14の下方を通過移動し、かつターゲッ
ト4から衝突散乱した材料粒子によって被覆される。個
々のパラメータ、例えば回転皿の回転数および適用電流
はサブストレート3,3′,…上に一様で均質な膜が蒸
着されるように選択される。ターゲット4の過熱を回避
するために、カソード基体11は冷却体22を備え、そ
の冷却通路24,24′,…は詳細には示されていない
冷却液体源へ接続されている。ターゲット4の側壁5の
内面を円筒状にする代りに、図面に点線で示されている
ように若干円錐状に延びる内面を設けてもよい。
【0011】回転皿15のサブストレート3のための凹
所23の領域の下面に磁石装置26を設けると有利であ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】被覆装置の断面図である。
【符号の説明】
2 真空室 3,3′,… サブストレート 4 ターゲット 5 側壁 6 暗室シールド 7 底部 8 絶縁リング 9,20 壁部分 10 電源 11 カソード基体 12 磁石帯 13 絞り 14,21 開口 15 回転皿 16 回転軸線 17 対称面 18,18′,… 磁石 19 ヨーク 22 冷却体 23,23′,… 凹所 24,24′,… 冷却孔 25 スリーブ 26 磁石装置

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 陰極スパッタによりサブストレート
    (3)を被覆するための装置において、被覆すべきサブ
    ストレート(3)側で開いた中空のターゲット(4)
    と、ターゲット(4)の側壁(5)に平行に延びた暗室
    シールド(6)と、ターゲット(4)の底部(7)と不
    動に結合されていて、絶縁材(8)を介して真空室
    (2)の壁(9)に支持されていて、しかも電源(1
    0)と電気的に結合されたカソード基体(11)と、暗
    室シールド(6)に平行に延びた、複数の磁石から形成
    された磁石帯(12)と、暗室シールド(6)によって
    保持された、少なくとも1つの中央の開口(14)を持
    つ絞り(13)と、定置の、回転可能に支承された、サ
    ブストレート(3)を保持するための回転皿(15)と
    を備えており、該回転皿の回転軸線(16)が中空のタ
    ーゲット(4)の対称面(17)に平行に延びているこ
    とを特徴とする、中空ターゲットを備えた、陰極スパッ
    タによりサブストレートを被覆するための装置。
  2. 【請求項2】 サブストレート(3)が絞り(13)の
    直ぐ下方の、ターゲット(4)の底部(7)に対向する
    位置で回転皿(15)によって保持されており、絞り
    (13)内の開口(14)の寸法がサブストレート
    (3)の寸法にほぼ等しい、請求項1記載の装置。
  3. 【請求項3】 ターゲット(4)の半径方向で見て内側
    の側壁面が鉛直の対称面(17)に対して斜めに延びて
    いる、請求項2記載の装置。
  4. 【請求項4】 回転皿(15)が、アノードを形成する
    部材に対する所定の電位の調整を可能にする電気的に絶
    縁性の材料から製作されたスリーブ(25)によって保
    持されている、請求項1から3までのいずれか1項記載
    の装置。
  5. 【請求項5】 絞り(13)が膜厚分布絞りとしてスパ
    ッタの状態に適合せしめられた絞り開口(14)を備え
    られている、請求項1から4までのいずれか1項記載の
    装置。
  6. 【請求項6】 ターゲット(4)に平行に延びた暗室シ
    ールド(6)がほぼU字形の横断面輪郭を有しており、
    脚部を成す暗室シールド(6)の区分が絞り(13)と
    結合されており、絞りの対称面側の部分がターゲット
    (4)の側壁(5)を半径方向に内方へ越えて覆ってい
    る、請求項2記載の装置。
JP9032499A 1996-02-23 1997-02-18 中空のターゲットを備えた、陰極スパッタによりサブストレートを被覆するための装置 Pending JPH09228038A (ja)

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DE19606715.4 1996-02-23
DE19606715 1996-02-23
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GB (1) GB2310433B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015015775A1 (ja) * 2013-08-02 2015-02-05 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置およびスパッタリング用ターゲット

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6565717B1 (en) 1997-09-15 2003-05-20 Applied Materials, Inc. Apparatus for sputtering ionized material in a medium to high density plasma
US6080287A (en) * 1998-05-06 2000-06-27 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for ionized physical vapor deposition
US6197165B1 (en) 1998-05-06 2001-03-06 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for ionized physical vapor deposition
US6287435B1 (en) 1998-05-06 2001-09-11 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for ionized physical vapor deposition
EP1135233A4 (en) * 1998-12-03 2004-11-03 Tosoh Smd Inc INSERT TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
US6444100B1 (en) 2000-02-11 2002-09-03 Seagate Technology Llc Hollow cathode sputter source
US6743342B2 (en) * 2002-03-12 2004-06-01 Applied Materials, Inc. Sputtering target with a partially enclosed vault
US7411352B2 (en) * 2002-09-19 2008-08-12 Applied Process Technologies, Inc. Dual plasma beam sources and method
EP1554412B1 (en) * 2002-09-19 2013-08-14 General Plasma, Inc. Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus
US20060213617A1 (en) * 2005-03-25 2006-09-28 Fink Steven T Load bearing insulator in vacuum etch chambers
US7951276B2 (en) * 2006-06-08 2011-05-31 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Cluster generator
US20100018857A1 (en) * 2008-07-23 2010-01-28 Seagate Technology Llc Sputter cathode apparatus allowing thick magnetic targets
CN109881166B (zh) 2016-03-30 2021-04-20 京浜乐梦金属科技株式会社 溅射阴极、溅射装置和成膜体的制造方法
KR102535667B1 (ko) * 2018-08-08 2023-05-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 스퍼터링 디바이스, 증착 장치, 및 스퍼터링 디바이스를 작동시키는 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01309964A (ja) * 1988-06-07 1989-12-14 Canon Inc スパッタリング法による機能性堆積膜形成装置
JPH024966A (ja) * 1988-06-13 1990-01-09 Fujitsu Ltd スパツタ装置
JPH0790569A (ja) * 1993-09-20 1995-04-04 Canon Inc スパッタリング装置
JPH0813142A (ja) * 1994-06-28 1996-01-16 Ulvac Japan Ltd スパッタリング装置、及びスパッタリング薄膜生産方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE292124C (ja) *
CH659484A5 (de) * 1984-04-19 1987-01-30 Balzers Hochvakuum Anordnung zur beschichtung von substraten mittels kathodenzerstaeubung.
DE3527626A1 (de) * 1985-08-01 1987-02-05 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Zerstaeubungskatode nach dem magnetronprinzip
DE3541621A1 (de) * 1985-11-25 1987-05-27 Siemens Ag Anordnung zum abscheiden einer metallegierung
CH668565A5 (de) * 1986-06-23 1989-01-13 Balzers Hochvakuum Verfahren und anordnung zum zerstaeuben eines materials mittels hochfrequenz.
DE3624480A1 (de) * 1986-07-19 1988-01-28 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Zerstaeubungskatode fuer vakuum-beschichtungsanlagen
US4834860A (en) * 1987-07-01 1989-05-30 The Boc Group, Inc. Magnetron sputtering targets
US4810347A (en) * 1988-03-21 1989-03-07 Eaton Corporation Penning type cathode for sputter coating
DE3835153A1 (de) * 1988-10-15 1990-04-26 Leybold Ag Vorrichtung zum aetzen von substraten durch eine glimmentladung
US5069770A (en) * 1990-07-23 1991-12-03 Eastman Kodak Company Sputtering process employing an enclosed sputtering target
US5482611A (en) * 1991-09-30 1996-01-09 Helmer; John C. Physical vapor deposition employing ion extraction from a plasma
US5334302A (en) * 1991-11-15 1994-08-02 Tokyo Electron Limited Magnetron sputtering apparatus and sputtering gun for use in the same
DE9217937U1 (de) * 1992-01-29 1993-04-01 Leybold AG, 6450 Hanau Vorrichtung zur Kathodenzerstäubung
DE4211798A1 (de) * 1992-04-08 1993-10-14 Leybold Ag Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten mittels Kathodenzerstäubung
DE4301189C2 (de) * 1993-01-19 2000-12-14 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten von Substraten
DE4304581A1 (de) * 1993-02-16 1994-08-18 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats
US5378341A (en) * 1993-10-13 1995-01-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Conical magnetron sputter source
DE4336830A1 (de) * 1993-10-28 1995-05-04 Leybold Ag Plasma-Zerstäubungsanlage mit Mikrowellenunterstützung
ATE130465T1 (de) * 1994-04-07 1995-12-15 Balzers Hochvakuum Magnetronzerstäubungsquelle und deren verwendung.

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01309964A (ja) * 1988-06-07 1989-12-14 Canon Inc スパッタリング法による機能性堆積膜形成装置
JPH024966A (ja) * 1988-06-13 1990-01-09 Fujitsu Ltd スパツタ装置
JPH0790569A (ja) * 1993-09-20 1995-04-04 Canon Inc スパッタリング装置
JPH0813142A (ja) * 1994-06-28 1996-01-16 Ulvac Japan Ltd スパッタリング装置、及びスパッタリング薄膜生産方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015015775A1 (ja) * 2013-08-02 2015-02-05 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置およびスパッタリング用ターゲット

Also Published As

Publication number Publication date
GB2310433A (en) 1997-08-27
GB2310433B (en) 1999-08-11
US5728280A (en) 1998-03-17
GB9703784D0 (en) 1997-04-16

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