CH668565A5 - Verfahren und anordnung zum zerstaeuben eines materials mittels hochfrequenz. - Google Patents

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Description

BESCHREIBUNG Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und eine Anordnung zum Zerstäuben eines Materials mittels Hochfrequenz gemäss Gattungsbegriff der Patentansprüche 1 und 4.
Um bei Zerstäubungsanordnungen die Plasmadichte im Zerstäubungsraum zu erhöhen, werden schon seit langem Magnetfelder eingesetzt. Zunächst wurden solche Anordnungen für die Gleichstromzerstäubung entwickelt, bei der die Richtung der Zerstäubung durch die Polung des elektrischen Feldes klar definiert ist. Es ist stets die negativ geladene Kathode, die zerstäubt wird, weshalb auch häufig von Kathodenzerstäubung gesprochen wurde. Mit Hilfe von Magnetfeldern im Entladungsraum können die Elektronenbahnen verlängert und damit die Anzahl der pro Elektron erzeugten Ionen erhöht werden. Im US-Patent 4 166 018 (Chapin) wurde erstmals eine Anordnung mit ebenen Elektroden beschrieben, die sogenannte Planar-Magnetron-anordnung, bei welcher die magnetischen Feldlinien aus der Kathodenfläche aus und wieder in diese eintreten, also eine Art Tunnel über der Kathodenfläche bilden. Die Elektronen des Plasmas werden in diesem Tunnel gewissermassen eingeschlossen und von der negativ geladenen Kathode reflektiert. Wenn der Magnetfeldtunnel an der Kathodenebene ausserdem noch in sich geschlossen ist, kann der Grossteil der Elektronen innerhalb des Tunnels auf einer Endlosbahn gehalten werden. Eine solche Anordnung stellt eine sehr wirtschaftliche Möglichkeit zur Kathodenzerstäubung mittels Gleichspannung dar.
Es ist auch bekannt, eine Zerstäubung mittels Hochfrequenz dufchzuführen. Dabei ergibt sich trotz Verwendung der ihre Polarität ständig wechselnden Hochfrequenzspannung eine Vorzugsrichtung der Zerstäubung und zwar ist es erfahrungsgemäss stets die Seite der kleineren Elektrodenfläche, von der bevorzugt abgestäubt wird (IBM J. Res. Deve-lop. März 1970, Seite 168). Allerdings ist die Abstäubung nicht strikt auf die Seite der kleineren Elektrode beschränkt, sondern es tritt gleichzeitig eine Abstäubung auch von der grösseren Elektrodenfläche auf, wenn die Differenz zwischen dem Plasmapotential und dem Potential der grösseren Elektrode die Sputterschwelle übersteigt. Je kleiner das Flächenverhältnis der grösseren zur kleineren Elektrodenfläche ist, desto mehr wird gleichzeitig auch von der grösseren Elektrodenfläche abgestäubt, bis bei einem Verhältnis von 1:1 keine der beiden Flächen in bezug auf die Abstäubungsrichtung mehr bevorzugt ist. Bei magnetfeldunterstützten Anordnungen der bisherigen Bauart (Magnetfeld an der zu zerstäubenden kleineren Elektrode) kann eine Zerstäubung der grösseren Elektrode sogar bei Flächenverhältnissen von 10:1 noch auftreten.
Um bei der Hochfrequenzzerstäubung in einer Vakuumkammer ein solches Flächenverhältnis der beiden Elektroden zu erreichen, dass praktisch eine Abstäubung nur von einer Seite gewährleistet ist, wurde bisher oft die Wand der Vakuumkammer selbst als die Gegenelektrode benutzt, deren Fläche gegenüber der das zu zerstäubende Material tragenden Elektrode wesentlich grösser als 10:1 war, so dass eine Zerstäubung der Kammerwand nicht mehr befürchtet werden musste.
Eine andere, in der US-Patentschrift 3 661 761 beschriebene Möglichkeit bestand darin, diejenige Elektrode in der Vakuumkammer, von der nicht abgestäubt werden sollte, mit Ausstülpungen zu versehen, um ihre Fläche gegenüber der das zu zerstäubende Material tragenden Elektrode entsprechend zu vergrössern.
Auch bei der HF-Zerstäubung wurden schon Magnetfelder zur Erhöhung der Plasmadichte angewendet, um eine grössere Zerstäubungsrate zu erzielen. Eine derartige Anordnung ist z.B. in US-PS 3 369 991 gezeigt. Bei der in dieser Patentschrift in Fig. 1 dargestellten Anordnung steht der das zu zerstäubende Material T tragenden Elektrode 22 als Gegenelektrode eine Haltevorrichtung 80 für zu beschichtende Substrate gegenüber, wobei Magnete 90 vorgesehen sind, deren Feldlinien sowohl die Substrate als auch die Targetfläche T, von der abgestäubt werden soll, praktisch senkrecht durchstossen. Um eine Zerstäubung nur der letzteren sicherzustellen, sind wiederum diejenigen Flächen, die das gleiche Potential wie die Haltevorrichtung aufweisen, grösser ausgebildet, indem neben anderen geerdeten Teilen mindestens der
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metallische Boden der Vakuumkammer zusätzlich als Elektrodenfläche wirkt. Aus der Figur 1 der genannten US-Patentschrift lässt sich abschätzen, dass die Gesamtheit der nicht zu zerstäubenden geerdeten Elektrodenflächen zur Gesamtheit der das zu zerstäubende Material tragenden Elektrodenfläche T ein Verhältnis aufweist, das mit Sicherheit wesentlich grösser als 10:1 ist, so dass eine Abstäubung nur von der letzteren stattfindet.
Wie gesagt, ist also bei der HF-Zerstäubung bei einem Flächenverhältnis der Elektroden grösser 10:1 eine wesentliche Mitzerstäubung der grösseren Elektrodenfläche nicht mehr zu befürchten. Im Bereich 10:1 bis etwa 5:1 kann ein störender Effekt auftreten, insbesondere dann, wenn mit hohen Zerstäubungsspannungen gearbeitet wird. In der Halbleitertechnik und oft auch beim Herstellen dünner Schichten für optische Zwecke ist jedoch schon bei Flächenverhältnissen grösser als 5:1 und erst recht bei einem darunterliegenden Verhältnis die Abstäubung von beiden Elektroden wegen der Gefahr der Verunreinigung der zu bearbeitenden Flächen bzw. der darauf aufzubringenden Schichten nicht mehr tragbar. Eine beidseitige Abstäubung führt auch zu einem wesentlich verschlechterten Wirkungsgrad, weil ein Teil der Energie der Gasentladung für die unerwünschte Zerstäubung der Gegenelektrode aufgewendet wird.
Aus der britischen Patentschrift 1 358 411 ist bekannt, bei einer Hochfrequenz-Zerstäubungsanlage zwischen den zwei Elektroden, von denen die eine ein zu zerstäubendes Material und die andere ein Substrat, das beschichtet werden soll, trägt, ein schwaches, axiales Magnetfeld aufrechtzuerhalten (welches die Gasentladung bei niedrigen Drücken unterstützt) und um das Substrat bzw. die darauf aufwachsende Schicht vor Elektronenbeschuss zu schützen, im unmittelbaren Nahbereich vor dem das Substrat tragenden Arbeitstisch ein verhältnismässig starkes zusätzliches Magnetfeld zu erzeugen, dessen Kraftlinien über der Substratoberfläche Bögen bilden. Typischerweise weist das erstgenannte Magnetfeld eine Stärke von nur 100 Gauss auf, während das zweite Magnetfeld eine Flussdichte von 1000 Gauss besitzt. Durch das Zusammenwirken der beiden Felder werden die in der Gasentladung gebildeten Elektronen von dem zentralen Bereich des Arbeitstisches (wo die Substrate liegen) abgelenkt und dadurch ein Elektronenbeschuss der Substrate unterdrückt. Mit dieser bekannten Anordnung ist jedoch, wenn das Flächenverhältnis der Elektroden 10:1 unterschreitet, eine Unterdrückung der Mitzerstäubung auch der grösseren der beiden Elektroden nicht mehr möglich.
Die vorliegende Erfindung hat sich demgegenüber zur Aufgabe gestellt, ein Verfahren und eine Anordnung zum Zerstäuben eines Materials mittels Hochfrequenz anzugeben, bei dem die Mitzerstäubung der grösseren Elektrodenfläche auch bei ungünstigen Flächenverhältnissen weitestgehend unterdrückt ist.
Diese Erfindungsaufgabe kann durch das Verfahren bzw. eine Anordnung gemäss den Patentansprüchen gelöst werden.
Die die Zerstäubung der grösserflächigen Gegenelektrode unterdrückende Wirkung der erfindungsgemässen Magnetfeldanordnung beruht darauf, dass durch die aus der Gegenelektrode ein- und austretenden, über ihr einen Bogen bildenden Magnetfeldlinien eine Elektronenfalle gebildet wird (ähnlich wie über der Kathode bei bisherigen Gleich-spannungszerstäubungs-Anordnungen). Dadurch wird eine wesentliche Vergrösserung der Ladungsträgerdichte vor der nicht zu zerstäubenden Elektrode erzielt und überraschenderweise führt diese nicht etwa zu einer erhöhten Abstäubung von der besagten Elektrode (wie auf Grund der bekannten, die Zerstäubungsrate wesentlich erhöhenden Wirkung einer magnetischen Elektronenfalle vor der Kathode
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bei Planarmagnetron-Anordnungen zu erwarten gewesen wäre) sondern zu einer weitgehenden Unterdrückung der Abstäubung, wie durch die Erfahrimg mit der erfindungsgemässen Vorrichtung bestätigt wird. Dies wird möglicherweise dadurch erklärt, dass durch die erhöhte Ladungsträgerdichte vor der nicht zu zerstäubenden Fläche ein wesentlich kleinerer Spannungsabfall zustande kommt als er ohne Vorhandensein dieses Magnetfeldes auftreten würde. Somit kann auch die Zerstäubungswirkung an dieser Elektrodenseite praktisch vollständig unterdrückt werden. Eine Zerstäubung tritt dann auch bei einem Flächenverhältnis der grösseren zur kleineren Elektrode unterhalb von 10:1 nicht mehr auf. Erst wenn das Verhältnis der nicht zu zerstäubenden zu der zu zerstäubenden Elektrodenfläche 1:1 unterschreitet, lässt sich die Hochfrequenzzerstäubung der nunmehr kleineren Elektrode auch durch ein Magnetfeld nicht mehr verhindern. Diese letztere Situation liegt eben bei den bekannten Planarmagnetron-Anordnungen vor, wo die zu zerstäubende Fläche wesentlich kleiner ist, als die als Gegenelektrode dienende Innenwand der Zerstäubungskammer. Während also bei der Gleichspannungskathodenzerstäubung die Elektronenfalle vor der Kathode der Erhöhung der Zerstäubungsrate dient, bewirkt die Elektronenfalle gemäss Erfindung eine Verhinderung der Zerstäubung auf der Seite der grösseren Elektrode. Diese Verhinderung beruht auf einer Änderung der Spannungsaufteilung im Entladungsraum.
Bei entsprechender Dimensionierung (Fig. 1) des Magnetfeldverlaufes und der Geometrie des Entladungsraumes können mit der erfindungsgemässen Magnetanordnung die bekannten Vorteile einer magnetfeldgestützten HF-Entladung auch bei ungünstigen Flächenverhältnissen erreicht werden. Dies betrifft vor allem höhere Raten auf der zu zerstäubenden Fläche, bei niedrigeren Entladungsspannungen und niedrigen Gasdrücken. Es ist auch möglich, sehr homogene Abtragprofile an der zu zerstäubenden Fläche einzustellen, was bisher nur mit relativ zu diesen bewegten Magnetfeldern möglich war.
Durch die Erfindung kann auch bei bekannten Anordnungen (Magnetfeld im Bereich der zu zerstäubenden Fläche) die Zerstäubung der flächenmässig grösseren Elektrode sicher verhindert werden. Für eine optimale Handhabung des erfindungsgemässen Verfahrens wird empfohlen, die magnetische Flussdichte im Bereich der Gegenelektrode so einzustellen, dass die Plasmadichte in der unter Einwirkung des Magnetfeldes entstehenden Elektronenfalle um mindestens Vî grösser ist als die Plasmadichte, die am gleichen Ort unter sonst gleichen Bedingungen, jedoch ohne Einwirkung des Magnetfeldes auftreten würde. Durch Messung der Plasmadichte einmal mit und ein zweites Mal ohne Magnetfeld unter sonst gleichen Bedingungen kann also vorgängig ermittelt werden, ob die Einstellung des Magnetfeldes richtig ist. Ein anderer Parameter, der für die Einstellung sehr nützlich ist, ist die Gleichspannungs-Potentialdifferenz zwischen der Gegenelektrode und dem Plasma im Entladungsraum. Das Magnetfeld sollte so bemessen werden, dass diese Gleich-spannungs-Potentialdifferenz einen Wert von weniger als 100 V annimmt.
Eine bewährte erfindungsgemässe Anordnung zum Zerstäuben eines Materials mittels Hochfrequenz ist dadurch gekennzeichnet, dass das Verhältnis |0| / ® der Summe |®| der Absolutbeträge der die Gegenelektrodenfläche durch-stossenden magnetischen Flüsse zur Summe <D der mit ihrem Vorzeichen berücksichtigten, die Gegenelektrodenfläche durchstossenden magnetischen Flüsse grösser als 2:1 ist.
Nachfolgend wird die Erfindung an Hand von Ausführungsbeispielen noch näher erläutert. Es zeigt:
Figur 1 eine Ätzanlage bei der die zu zerstäubenden Flächen auf Erdpotential liegen und die mit tunnelförmigen
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Magnetfeldlinien beaufschlagte Gegenelektrode mit der Hochfrequenzspannung verbunden wird;
Figur 2 schematisch eine Anordnung, bei der die Hochfrequenzzuführung an der zu zerstäubenden Seite erfolgt, wogegen die nicht zu zerstäubende Gegenelektrode durch die geerdete Wand der Vakuumkammer gebildet wird;
Figur 3 das Schema einer Anlage, bei der die aktive Fläche der zu zerstäubenden Elektrode gleich gross ist wie die Fläche der Gegenelektrode.
In Figur 1 bezeichnet 1 die Vakuumkammer, die aus einem oberen Teil 2 und einem Boden 3 besteht und über den Saugstutzen 4, an den eine Vakuumpumpe angeschlossen wird, evakuierbar ist. Die Bodenplatte 3 ist auf der dem Vakuumraum zugewandten Seite als eine das zu zerstäubende — d.h. hier zu ätzende — Substrat 5' tragende Elektrode 5 ausgebildet, welcher die haubenförmige Elektrode 6 als nicht zu zerstäubende Gegenelektrode gegenüber steht. Letztere wird beim Betrieb über die vakuumdicht durch die Kammerwand hindurchgeführte Hochfrequenzspannungszuführung 7 unter Dazwischenschaltung eines Kondensators 8 an eine externe Hochfrequenzquelle angeschlossen. Die Vakuumkammer ist, wie aus der Figur 1 weiter ersichtlich, von einem Elektro- oder Permanentmagneten 9 umschlossen, dessen Feldlinien in die Kammer hineinragend auf der Innenseite des zylindrischen Teiles 11 der Elektrode 6 im Sinne der Erfindung tunnelförmige Bögen bilden, indem wenigstens ein wesentlicher Teil der Kraftlinien 10 aus der Fläche 11 aus-und in diese wieder eintreten.
Die Hochfrequenzspannungsdurchführung 7 weist einen spannungsführenden Leiter 12 auf, der von einer isolierenden Platte 13 getragen ist, die ihrerseits mittels eines Flanschringes 14 und unter Verwendung eines Dichtringes 15 vakuumdicht an eine Öffnung der Kammerwand 1 angeschraubt ist, wobei der Leiter 12 durch die Öffnung in die Kammer hineinragt und dort als Träger 17 für die Elektrode 6 ausgebildet ist. Der Isolator 18 und die metallische Mutter 19 dienen dem Anpressen des Dichtringes 23 an den Leiter 12 und an die Isolierplatte 13.
Die beschriebene Anordnung kann für die sequentielle Bearbeitung einzelner Wafer in einer Halbleiter-Produk-tionsanlage verwendet werden. Bei dieser Anordnung sollen einige 10 nm Oxid von der Waferoberfläche abgeätzt werden, bevor in der gleichen Vakuumkammer die eigentliche Beschichtung erfolgt. Mit der Anordnung gemäss Figur 1 wurden Ätzraten von über 30 nm/min für SÌO2 auf einem Si-Wafer erreicht. Entscheidend ist dabei, dass auf einem 6"-Wafer eine Gleichmässigkeit von besser als + / — 5% erreicht wird und bei einer Leistungsdichte von ca. 1.2 W/cm2 in einer 13.56 MHz Argonentladung von 0,5 Pa Druck eine Selfbias-Spannung von nur 600 Vdc (0 auftritt.
Annähernd gleiche Ätzraten von ca. 30 nm/min konnten bisher nur durch extrem hohe Spannungen von ca. 2 KV und Drücke um 1 Pa erreicht werden. Die Anwendung derart hoher Spannungen bzw. hoher Drücke stellte in der Halbleiterfertigung bisher ein Problem dar, welches durch die Erfindung nunmehr als gelöst erscheint.
Bei der beschriebenen Anordnung wurde für die nicht zu zerstäubende Gegenelektrode z.B. ein Verhältnis von |4>| / $ von 3,5 gemessen, wobei |0| einen Wert von 7 x 10_4Vsec und $ einen Wert von 2 x 10~4 Vsec aufwies. Die Bestimmung dieser magnetischen Flüsse erfolgte durch punktweises Ausmessen der gesamten Elektrodenfläche mittels einer Hallsonde (z.B. Bell Gaussmeter, Modell 620).
Die folgende Tabelle zeigt dieses und zwei weitere Beispiele in tabellarischer Darstellung.
Beispiel
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l®l/0
Nr. 1
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3.5
Nr. 2
7.5
1.5
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Nr. 3
8.7
0.3
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(Alle Angaben der magnetischen Flüsse in 10 4 Voltsekunden = KT4 Weber; 1 Wb = 1 Vs).
Als Mass für den Effekt, der durch die erfindungsgemäs-se Magnetfeldanordnung erreicht wird, kann die Potentialdifferenz zwischem dem Plasma im Entladungsraum und der nicht zu zerstäubenden Elektrode gemessen werden; diese Potentialdifferenz lag in allen drei Beispielsfällen unterhalb 100 Volt.
Die Figur 1 zeigt als weitere Ausgestaltungsmöglichkeit, dass auch hinter (unterhalb) der die zu zerstäubenden Substrate tragenden Elektrode 5 ein Magnet 20 angeordnet werden kann, um auf diese Weise zusätzlich eine ähnliche die Zerstäubungsrate erhöhende Wirkung wie bei den bekannten magnetfeldunterstützten Gleichspannungs-Kathodenzer-stäubungseinrichtungen zu erreichen. In diesem Falle werden auch über den Flächen, von denen abgestäubt werden soll, tunnelförmige Magnetfeldlinien erzeugt, welche dort eine erhöhte Ladungsträgerkonzentration und damit, wie gesagt, eine erhöhte Zerstäubungsrate zur Folge haben. Da die Elektrodenfläche 5 bzw. die Fläche des zu zerstäubenden Substrates wesentlich kleiner ist als die Fläche der Gegenelektrode findet hier auf jeden Fall eine Zerstäubung statt, die nicht durch das Feld des Magneten 20 unterdrückt werden kann. Eine mögliche Zerstäubung der Gegenelektrode 6 wird jedoch auch in dieser Anordnung erfindungsgemäss durch das Magnetfeld 10 verhindert.
In den Figuren 2 und 3 sind Teile, denen in Hinblick auf die Erfindung die gleiche Funktion zukommt, mit den folgenden gleichen Bezugszeichen versehen: Es bedeutet 25 die die zu zerstäubenden Flächen tragende Elektrode, 26 die nicht zu zerstäubende Gegenelektrode, in deren Nähe jeweils Magnete 27 angeordnet sind, deren Feldlinien 28 gemäss Patentanspruch wenigstens zum Teil aus der genannten Elektrode aus- und in diese wieder eintreten, also über der Elek-trodenfläche einen Tunnel bilden. Die Kammerwand ist mit 29, der Evakuierungsstutzen mit 30, die Hochfrequenzzuführung mit 31 und der Hochfrequenzgenerator mit 32 angedeutet. In Figur 2 stellt der untere Teil der Kammerwand die nicht zu zerstäubende Gegenelektrode dar. In Figur 3 dagegen ist der untere Teil der Kammerwand die zu zerstäubende Elektrode bzw. Träger des zu zerstäubenden Materials. Gegenüber der Anordnung der Figur 2 zeichnet sich diejenige der Figur 3 auch dadurch aus, dass die zu zerstäubende aktive Elektrodenfläche und die Gegenelektrode flächenmässig gleich gross sind; trotzdem wird dank der erfindungsgemässen Anordnung eines Magneten hinter der Gegenelektrode ein Zerstäuben derselben weitgehend verhindert (während nach bisherigem Stand der Technik im Falle gleich grosser Elektrodenflächen bei Verwendung von Hochfrequenz beide gleichermassen der Zerstäubung unterworfen waren).
Unter aktiver Elektrode im Sinne dieser Beschreibung werden solche Elektrodenteile verstanden, welche der Entladungsstrom durchfliesst. Es ist zweckmässig, die vom Zerstäubungsraum abgewandte Rückseite der Elektroden mit Abschirmungen wie z.B. 33 in Figur 2 zu versehen, wodurch die Entladung (in an sich bekannter Weise) auf der Rückseite unterdrückt wird. Für derartige sogenannte Dunkelraum-Abschirmungen können auch Teile der Kammerwand verwendet werden wie in den Figuren 1 und 3 gezeigt.
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Claims (7)

668565 PATENTANSPRÜCHE
1. Verfahren zum Zerstäuben eines Materials mittels Hochfrequenzentladung zwischen mindestens zwei Elektroden, von denen wenigstens eine das zu zerstäubende Material trägt und wenigstens eine andere die nicht zu zerstäubende Gegenelektrode bildet, wobei im Bereich der Gegenelektrode ein Magnetfeld erzeugt wird, dessen Feldlinien, zum wesentlichen Teil über der Gegenelektrode einen Bogen bildend, aus dieser aus und wieder in diese eintreten, dadurch gekennzeichnet, dass die magnetische Flussdichte (10,28) in einem Bereich der Gegenelektrode (6,11,26) so eingestellt wird, dass sich vor dieser eine Elektronenfalle ausbildet.
2. Verfahren nach Patentanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die magnetische Flussdichte im Bereich der Gegenelektrode so eingestellt wird, dass die Plasmadichte in der unter Einwirkung des Magnetfeldes entstehenden Elektronenfalle um mindestens grösser ist als die Plasmadichte am gleichen Ort, die unter sonst gleichen Bedingungen jedoch ohne Einwirkung des Magnetfeldes auftreten würde.
3. Verfahren nach Patentanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Magnetfeld so eingestellt wird, dass die Gleichspannungsdifferenz zwischen der Gegenelektrode (6,
11,26) und dem Plasma im Entladungsraum einen Wert von weniger als 100 V annimmt.
4. Anordnung zum Zerstäuben eines Materials mittels Hochfrequenz mit mindestens zwei Elektroden, von denen wenigstens eine das zu zerstäubende Material trägt und eine andere die nicht zu zerstäubende Gegenelektrode bildet, und mit Magneten zur Erzeugung eines Magnetfeldes im Bereich der Gegenelektrode, welche so angeordnet sind, dass ein wesentlicher Teil der Magnetfeldlinien über der Gegenelektrodenfläche einen Bogen bildend aus dieser aus- und wieder in diese eintritt, dadurch gekennzeichnet, dass das Verhältnis F/F' der Gesamtheit der aktiv an der Entladung teilnehmenden Gegenelektrodenfläche F zur Gesamtheit F' der das zu zerstäubende Material tragenden Elektrodenflächen höchstens 10:1 beträgt.
5. Anordnung nach Patentanspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Verhältnis |<S| / <£> der Summe |0| der Absolutbeträge der die Gegenelektrodenfläche durchstos-senden magnetischen Flüsse zur Summe ® der mit ihrem Vorzeichen berücksichtigten, die Gegenelektrodenfläche durchstossenden magnetischen Flüsse grösser als 2:1 ist.
6. Anordnung nach Patentanspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektroden (5, 6,11,25,26) den Entladungsraum bis auf der Evakuierung und der gegenseitigen elektrischen Isolierung dienende Spalte praktisch vollständig umschliessen.
7. Anordnung nach Patentanspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der das zu zerstäubende Material (5') tragenden Elektrode 5 ebenfalls ein Magnetfeld zugeordnet ist, dessen Kraftlinien wenigstens zum Teil aus dieser aus- und in diese wieder eintreten.
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