JPH0922995A - 固体撮像装置及びその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置及びその製造方法Info
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- JPH0922995A JPH0922995A JP8099730A JP9973096A JPH0922995A JP H0922995 A JPH0922995 A JP H0922995A JP 8099730 A JP8099730 A JP 8099730A JP 9973096 A JP9973096 A JP 9973096A JP H0922995 A JPH0922995 A JP H0922995A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 受光部に効率よく集光できるマイクロレンズ
を形成することができる、固体撮像装置の製造方法を提
供する。 【解決手段】 マイクロレンズを形成する工程におい
て、まず、第２の平坦化層１５の上にレンズレジスト１
０ａを塗布し、レンズマスク１８を用いて露光及び現像
処理を行いレンズパターン１０ｂを形成する。ＵＶ光を
照射して透過性を向上させた後、加熱して半球状のマイ
クロレンズ１０ｃを形成する。このとき、加熱温度をレ
ンズパターン１０ｂが完全に溶解する温度よりも低くす
ることによりレンズパターン１０ｂが流れ出すことはな
く、マイクロレンズ１０ｃのスペースＳ2 は、レンズパ
ターン１０ｂのスペースＳ1 と同じ大きさとなる。
を形成することができる、固体撮像装置の製造方法を提
供する。 【解決手段】 マイクロレンズを形成する工程におい
て、まず、第２の平坦化層１５の上にレンズレジスト１
０ａを塗布し、レンズマスク１８を用いて露光及び現像
処理を行いレンズパターン１０ｂを形成する。ＵＶ光を
照射して透過性を向上させた後、加熱して半球状のマイ
クロレンズ１０ｃを形成する。このとき、加熱温度をレ
ンズパターン１０ｂが完全に溶解する温度よりも低くす
ることによりレンズパターン１０ｂが流れ出すことはな
く、マイクロレンズ１０ｃのスペースＳ2 は、レンズパ
ターン１０ｂのスペースＳ1 と同じ大きさとなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像装置及び
その製造方法に関するものである。
その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、固体撮像装置の小型化が進んでい
るが、小型化に伴って各固体撮像素子の受光部の面積が
縮小するために、固体撮像装置における光感度の低下が
問題となっている。この問題を解決するために、受光部
に光を集めるマイクロレンズを備えた固体撮像装置がす
でに実現されている。マイクロレンズ形成技術は、現
在、固体撮像装置の製造には欠くことのできない技術と
なっている。
るが、小型化に伴って各固体撮像素子の受光部の面積が
縮小するために、固体撮像装置における光感度の低下が
問題となっている。この問題を解決するために、受光部
に光を集めるマイクロレンズを備えた固体撮像装置がす
でに実現されている。マイクロレンズ形成技術は、現
在、固体撮像装置の製造には欠くことのできない技術と
なっている。
【０００３】以下、従来の固体撮像装置について説明す
る。
る。
【０００４】図８は、従来の固体撮像装置の一例の構造
を示すための断面図である。図８において、１１は半導
体基板、１２は半導体基板１１の表面部に形成され、入
射された光を電荷に変換するフォトダイオード部、１３
は半導体基板１１の表面を平坦にするための第１の平坦
化層、１４は第１の平坦化層１３上に形成されたカラー
フィルタ、１５はカラーフィルタ１４の段差を平坦にす
るための第２の平坦化層、５０は第２の平坦化層１５上
に形成され、フォトダイオード部１２に光を集めるマイ
クロレンズである。
を示すための断面図である。図８において、１１は半導
体基板、１２は半導体基板１１の表面部に形成され、入
射された光を電荷に変換するフォトダイオード部、１３
は半導体基板１１の表面を平坦にするための第１の平坦
化層、１４は第１の平坦化層１３上に形成されたカラー
フィルタ、１５はカラーフィルタ１４の段差を平坦にす
るための第２の平坦化層、５０は第２の平坦化層１５上
に形成され、フォトダイオード部１２に光を集めるマイ
クロレンズである。
【０００５】第１の平坦化層１３は、半導体基板１１の
上に透明膜材料を必要な厚さだけ塗布することにより形
成される。カラーフィルタ１４は、各フォトダイオード
部１２に対応するように例えばフォトリソグラフィー技
術により形成される。第２の平坦化層１５は、カラーフ
ィルタ１４の上に透明膜材料を必要な膜厚だけ塗布する
ことにより形成される。
上に透明膜材料を必要な厚さだけ塗布することにより形
成される。カラーフィルタ１４は、各フォトダイオード
部１２に対応するように例えばフォトリソグラフィー技
術により形成される。第２の平坦化層１５は、カラーフ
ィルタ１４の上に透明膜材料を必要な膜厚だけ塗布する
ことにより形成される。
【０００６】マイクロレンズ５０は、フェノール樹脂等
からなり、各フォトダイオード部１２の上方に当る位置
に半球状に形成されている。また、マイクロレンズ５０
の表面に当たった光がフォトダイオード部１２に効率良
く集められるような高さを持っている。
からなり、各フォトダイオード部１２の上方に当る位置
に半球状に形成されている。また、マイクロレンズ５０
の表面に当たった光がフォトダイオード部１２に効率良
く集められるような高さを持っている。
【０００７】マイクロレンズ５０の半球状の形状は、以
下のような工程により形成される。まず、第２の平坦化
層１５の上にレンズレジストを塗布する。次に、レンズ
マスクを用いて露光処理を行い、さらに現像処理を行う
ことにより、各フォトダイオード部１２の上方に当る位
置にレンズレジストをパターン化する。さらに、加熱処
理を行い、パターン化されたレンズレジストを溶解する
ことにより、表面張力を利用してマイクロレンズ５０の
半球状の形状を形成することができる。
下のような工程により形成される。まず、第２の平坦化
層１５の上にレンズレジストを塗布する。次に、レンズ
マスクを用いて露光処理を行い、さらに現像処理を行う
ことにより、各フォトダイオード部１２の上方に当る位
置にレンズレジストをパターン化する。さらに、加熱処
理を行い、パターン化されたレンズレジストを溶解する
ことにより、表面張力を利用してマイクロレンズ５０の
半球状の形状を形成することができる。
【０００８】また、図９は従来の固体撮像装置を上方か
ら見た図である。図９において、５０はマイクロレンズ
である。また、ｘはマイクロレンズ５０の中央部におけ
るスペース、ｙは端部におけるスペースである。
ら見た図である。図９において、５０はマイクロレンズ
である。また、ｘはマイクロレンズ５０の中央部におけ
るスペース、ｙは端部におけるスペースである。
【０００９】図１０は、従来の固体撮像装置の他の例の
構造を示すための断面図である。図１０において、１１
は半導体基板、１２はフォトダイオード部、１３は第１
の平坦化層、１４はカラーフィルタ、１５は第２の平坦
化層であり、図８に示されているものと同じである。半
導体基板１１と第１の平坦化層１３の間に層間絶縁膜１
６が形成されている点が、図８に示した固体撮像装置と
異なる。層間絶縁膜１６の表面は滑らかであるが、半導
体基板１１の凹凸に沿って凹凸を有している。第１の平
坦化層１３は、層間絶縁膜１６の表面の凹凸を平坦にす
るために形成されている。
構造を示すための断面図である。図１０において、１１
は半導体基板、１２はフォトダイオード部、１３は第１
の平坦化層、１４はカラーフィルタ、１５は第２の平坦
化層であり、図８に示されているものと同じである。半
導体基板１１と第１の平坦化層１３の間に層間絶縁膜１
６が形成されている点が、図８に示した固体撮像装置と
異なる。層間絶縁膜１６の表面は滑らかであるが、半導
体基板１１の凹凸に沿って凹凸を有している。第１の平
坦化層１３は、層間絶縁膜１６の表面の凹凸を平坦にす
るために形成されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
固体撮像装置及びその製造方法には、以下のような問題
があった。
固体撮像装置及びその製造方法には、以下のような問題
があった。
【００１１】図８に示した固体撮像装置において、さら
に光感度を向上させるためには、隣り合うマイクロレン
ズ５０のスペースＳをできるだけ小さくして、マイクロ
レンズ５０の受光面積を拡大することが望ましい。
に光感度を向上させるためには、隣り合うマイクロレン
ズ５０のスペースＳをできるだけ小さくして、マイクロ
レンズ５０の受光面積を拡大することが望ましい。
【００１２】しかし、従来は、パターン化されたレンズ
レジスト（以下、レンズパターンと称する）を加熱して
マイクロレンズ５０を形成する際に、加熱温度をレンズ
パターンが完全に溶解する温度としていた。このため、
溶解されたレンズパターンがパターン化されたときの底
面からはみ出してしまうという現象が生じていた。
レジスト（以下、レンズパターンと称する）を加熱して
マイクロレンズ５０を形成する際に、加熱温度をレンズ
パターンが完全に溶解する温度としていた。このため、
溶解されたレンズパターンがパターン化されたときの底
面からはみ出してしまうという現象が生じていた。
【００１３】したがって、図９に示すように、隣り合う
マイクロレンズ５０の中央部におけるスペースｘは、端
部におけるスペースｙよりも小さくなる。このため、中
央部におけるスペースｘを限りなく小さくしたとしても
端部におけるスペースｙは限りなく小さくはならない。
したがって、マイクロレンズ５０の受光面積を拡大する
のに限界があることになる。
マイクロレンズ５０の中央部におけるスペースｘは、端
部におけるスペースｙよりも小さくなる。このため、中
央部におけるスペースｘを限りなく小さくしたとしても
端部におけるスペースｙは限りなく小さくはならない。
したがって、マイクロレンズ５０の受光面積を拡大する
のに限界があることになる。
【００１４】また、隣り合うレンズパターンのスペース
を小さくし過ぎた場合、加熱溶解によりはみ出したレン
ズパターンが互いに接触してしまい流れ出すことにな
る。このため、マイクロレンズ５０の形状が崩れてしま
い、半球状の部分の表面積が小さくなると共に高さも低
くなる。したがって、フォトダイオード部１２に集めら
れる光量が少なくなり光感度が低下してしまう。
を小さくし過ぎた場合、加熱溶解によりはみ出したレン
ズパターンが互いに接触してしまい流れ出すことにな
る。このため、マイクロレンズ５０の形状が崩れてしま
い、半球状の部分の表面積が小さくなると共に高さも低
くなる。したがって、フォトダイオード部１２に集めら
れる光量が少なくなり光感度が低下してしまう。
【００１５】また、我々の検討によると、受光部の表面
積が小さい場合、マイクロレンズの高さが高く且つマイ
クロレンズと受光部との距離が小さい方が光感度が良い
ことが分かっている。
積が小さい場合、マイクロレンズの高さが高く且つマイ
クロレンズと受光部との距離が小さい方が光感度が良い
ことが分かっている。
【００１６】ところが従来技術によると、レンズパター
ンが完全に溶解するため、表面張力により、マイクロレ
ンズ５０の高さＨを底面の受光部配列方向の幅の半分Ｒ
よりも大きくすることができない。このため、マイクロ
レンズ５０とフォトダイオード部１２との距離が小さい
場合、光を集めるのに最適なマイクロレンズ５０の形状
を形成できない可能性がある。
ンが完全に溶解するため、表面張力により、マイクロレ
ンズ５０の高さＨを底面の受光部配列方向の幅の半分Ｒ
よりも大きくすることができない。このため、マイクロ
レンズ５０とフォトダイオード部１２との距離が小さい
場合、光を集めるのに最適なマイクロレンズ５０の形状
を形成できない可能性がある。
【００１７】また、図１０に示した固体撮像装置のよう
に、半導体基板１１の上に層間絶縁膜１６が形成されて
いる場合、マイクロレンズ５０からフォトダイオード部
１２までの距離は層間絶縁膜１６の膜厚の分だけ長くな
る。このため、マイクロレンズ５０の形状を最適化して
も、入射した光が散乱等の影響を受けてフォトダイオー
ド部１２に集まらない可能性がある。特に、層間絶縁膜
１６の屈折率が第１の平坦化層１３やカラーフィルタ１
４の屈折率よりも高い場合、このような現象が顕著に現
れ、光感度が低下してしまう。
に、半導体基板１１の上に層間絶縁膜１６が形成されて
いる場合、マイクロレンズ５０からフォトダイオード部
１２までの距離は層間絶縁膜１６の膜厚の分だけ長くな
る。このため、マイクロレンズ５０の形状を最適化して
も、入射した光が散乱等の影響を受けてフォトダイオー
ド部１２に集まらない可能性がある。特に、層間絶縁膜
１６の屈折率が第１の平坦化層１３やカラーフィルタ１
４の屈折率よりも高い場合、このような現象が顕著に現
れ、光感度が低下してしまう。
【００１８】以上のような問題に鑑み、本発明は、固体
撮像装置の光感度を従来よりも向上させることを課題と
する。また、半導体基板上に層間絶縁膜が形成された固
体撮像装置でも光感度の低下を抑制して高い光感度を得
ることができるようにすることを課題とする。
撮像装置の光感度を従来よりも向上させることを課題と
する。また、半導体基板上に層間絶縁膜が形成された固
体撮像装置でも光感度の低下を抑制して高い光感度を得
ることができるようにすることを課題とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】前記の課題を解決するた
め、本発明は、マイクロレンズを形成するときの加熱温
度をレンズレジストが完全に溶解する温度よりも低い温
度にすることにより、マイクロレンズの半球状の形状を
確実に形成すると共にマイクロレンズの表面積を拡大す
るものである。
め、本発明は、マイクロレンズを形成するときの加熱温
度をレンズレジストが完全に溶解する温度よりも低い温
度にすることにより、マイクロレンズの半球状の形状を
確実に形成すると共にマイクロレンズの表面積を拡大す
るものである。
【００２０】また、レンズレジストを厚く塗布すると共
にマイクロレンズを形成するときの加熱温度をレンズレ
ジストが完全に溶解する温度よりも低い温度にすること
により、縦長のマイクロレンズを形成するものである。
マイクロレンズの形を縦長にできると、マイクロレンズ
と受光部との距離を小さくして入射した光を受光部に集
中させることができる。
にマイクロレンズを形成するときの加熱温度をレンズレ
ジストが完全に溶解する温度よりも低い温度にすること
により、縦長のマイクロレンズを形成するものである。
マイクロレンズの形を縦長にできると、マイクロレンズ
と受光部との距離を小さくして入射した光を受光部に集
中させることができる。
【００２１】また、層間絶縁膜の上に形成する平坦化層
の材料を層間絶縁膜よりも屈折率の高いものにすること
により、受光部に光を集める擬似凸レンズを形成するも
のである。さらに、平坦化層の材料を加熱により液状に
溶解するものにし、製造工程において加熱処理を行うこ
とにより平坦化層を極めて薄く形成して、マイクロレン
ズから受光部までの距離を小さくするものである。
の材料を層間絶縁膜よりも屈折率の高いものにすること
により、受光部に光を集める擬似凸レンズを形成するも
のである。さらに、平坦化層の材料を加熱により液状に
溶解するものにし、製造工程において加熱処理を行うこ
とにより平坦化層を極めて薄く形成して、マイクロレン
ズから受光部までの距離を小さくするものである。
【００２２】具体的に請求項１の発明が講じた解決手段
は、入射された光を電荷に変換する受光部と前記受光部
に光を集めるマイクロレンズとを備えた固体撮像装置と
して、前記マイクロレンズの底面は方形状であり、前記
マイクロレンズの高さは該マイクロレンズの底面の短辺
の半分以上であるものである。
は、入射された光を電荷に変換する受光部と前記受光部
に光を集めるマイクロレンズとを備えた固体撮像装置と
して、前記マイクロレンズの底面は方形状であり、前記
マイクロレンズの高さは該マイクロレンズの底面の短辺
の半分以上であるものである。
【００２３】請求項１の発明により、マイクロレンズの
形が縦長であるので、マイクロレンズと受光部との距離
を小さくして入射した光を受光部に集中させることがで
きる。
形が縦長であるので、マイクロレンズと受光部との距離
を小さくして入射した光を受光部に集中させることがで
きる。
【００２４】請求項２の発明が講じた解決手段は、入射
された光を電荷に変換する受光部を有し受光部領域が凹
状に形成された半導体基板と、前記半導体基板上に形成
され受光部領域が凹状に窪んでいる絶縁膜と、前記絶縁
膜上に形成され該絶縁膜の表面を平坦にする平坦化層と
を備えた固体撮像装置として、前記平坦化層は、前記絶
縁膜よりも屈折率の高い材料により形成されているもの
である。
された光を電荷に変換する受光部を有し受光部領域が凹
状に形成された半導体基板と、前記半導体基板上に形成
され受光部領域が凹状に窪んでいる絶縁膜と、前記絶縁
膜上に形成され該絶縁膜の表面を平坦にする平坦化層と
を備えた固体撮像装置として、前記平坦化層は、前記絶
縁膜よりも屈折率の高い材料により形成されているもの
である。
【００２５】請求項２の発明により、平坦化層は絶縁膜
よりも屈折率の高い材料により形成されるので、凹状に
窪んだ受光部領域において擬似凸レンズが形成される。
この擬似凸レンズによって、従来の固体撮像装置では装
置内部で散乱して受光部に達しなかった光を受光部に集
中させることができる。
よりも屈折率の高い材料により形成されるので、凹状に
窪んだ受光部領域において擬似凸レンズが形成される。
この擬似凸レンズによって、従来の固体撮像装置では装
置内部で散乱して受光部に達しなかった光を受光部に集
中させることができる。
【００２６】また、請求項３の発明では、前記請求項２
の固体撮像装置において、前記受光部に光を集めるマイ
クロレンズをさらに備え、前記マイクロレンズの底面は
方形状であり、前記マイクロレンズの高さは該マイクロ
レンズの底面の短辺の半分以上であるものとする。
の固体撮像装置において、前記受光部に光を集めるマイ
クロレンズをさらに備え、前記マイクロレンズの底面は
方形状であり、前記マイクロレンズの高さは該マイクロ
レンズの底面の短辺の半分以上であるものとする。
【００２７】請求項３の発明により、擬似凸レンズが形
成され、従来の固体撮像装置では装置内部で散乱して受
光部に達しなかった光を受光部に集中させることができ
ると共に、マイクロレンズの形が縦長であるので、装置
本体表面と受光部との距離を小さくして入射した光を受
光部に集中させることができる。
成され、従来の固体撮像装置では装置内部で散乱して受
光部に達しなかった光を受光部に集中させることができ
ると共に、マイクロレンズの形が縦長であるので、装置
本体表面と受光部との距離を小さくして入射した光を受
光部に集中させることができる。
【００２８】請求項４の発明が講じた解決手段は、入射
された光を電荷に変換する受光部を有し受光部領域が凹
状に形成された半導体基板と、前記半導体基板上に形成
され受光部領域が凹状に窪んでいる絶縁膜と、前記絶縁
膜上に形成され該絶縁膜の表面を平坦にする平坦化層と
を備えた固体撮像装置として、前記平坦化層は、前記絶
縁膜よりも屈折率が高く且つ加熱により液状に溶解する
材料により形成されているものである。
された光を電荷に変換する受光部を有し受光部領域が凹
状に形成された半導体基板と、前記半導体基板上に形成
され受光部領域が凹状に窪んでいる絶縁膜と、前記絶縁
膜上に形成され該絶縁膜の表面を平坦にする平坦化層と
を備えた固体撮像装置として、前記平坦化層は、前記絶
縁膜よりも屈折率が高く且つ加熱により液状に溶解する
材料により形成されているものである。
【００２９】請求項４の発明により、平坦化層は絶縁膜
よりも屈折率が高い材料により形成されるので、凹状に
窪んだ受光部領域において擬似凸レンズが形成される。
この擬似凸レンズによって、従来の固体撮像装置では装
置内部で散乱して受光部に達しなかった光を受光部に集
中させることができる。また、平坦化層は加熱により溶
解する材料により形成されるため、製造工程において加
熱することにより平坦化層を極めて薄く形成できるの
で、マイクロレンズから受光部までの距離が小さくな
り、マイクロレンズに入射した光を受光部に集めやすく
なる。
よりも屈折率が高い材料により形成されるので、凹状に
窪んだ受光部領域において擬似凸レンズが形成される。
この擬似凸レンズによって、従来の固体撮像装置では装
置内部で散乱して受光部に達しなかった光を受光部に集
中させることができる。また、平坦化層は加熱により溶
解する材料により形成されるため、製造工程において加
熱することにより平坦化層を極めて薄く形成できるの
で、マイクロレンズから受光部までの距離が小さくな
り、マイクロレンズに入射した光を受光部に集めやすく
なる。
【００３０】また、請求項５の発明では、前記請求項４
の固体撮像装置において、前記受光部に光を集めるマイ
クロレンズをさらに備え、前記マイクロレンズの底面は
方形状であり、前記マイクロレンズの高さは該マイクロ
レンズの底面の短辺の半分以上であるものとする。
の固体撮像装置において、前記受光部に光を集めるマイ
クロレンズをさらに備え、前記マイクロレンズの底面は
方形状であり、前記マイクロレンズの高さは該マイクロ
レンズの底面の短辺の半分以上であるものとする。
【００３１】請求項５の発明により、擬似凸レンズが形
成され且つマイクロレンズから受光部までの距離が小さ
くなるので、従来の固体撮像装置では受光部に達しなか
った光を受光部に集中させることができると共に、マイ
クロレンズの形が縦長であるので、装置本体表面と受光
部との距離が小さくても入射した光を受光部に集中させ
ることができる。
成され且つマイクロレンズから受光部までの距離が小さ
くなるので、従来の固体撮像装置では受光部に達しなか
った光を受光部に集中させることができると共に、マイ
クロレンズの形が縦長であるので、装置本体表面と受光
部との距離が小さくても入射した光を受光部に集中させ
ることができる。
【００３２】請求項６の発明が講じた解決手段は、半導
体基板上に形成された受光部の上方にレンズレジストを
塗布するレジスト塗布工程と、前記レンズレジストを所
定形状にパターン化してレンズパターンを形成するパタ
ーン形成工程と、前記レンズパターンを加熱することに
より前記受光部に光を集めるためのマイクロレンズを形
成するレンズ形成工程とを備えた固体撮像装置の製造方
法として、前記レンズ形成工程は、前記レンズパターン
がほぼ完全に溶解する温度よりも低い温度下において前
記マイクロレンズを形成する工程を含むものである。
体基板上に形成された受光部の上方にレンズレジストを
塗布するレジスト塗布工程と、前記レンズレジストを所
定形状にパターン化してレンズパターンを形成するパタ
ーン形成工程と、前記レンズパターンを加熱することに
より前記受光部に光を集めるためのマイクロレンズを形
成するレンズ形成工程とを備えた固体撮像装置の製造方
法として、前記レンズ形成工程は、前記レンズパターン
がほぼ完全に溶解する温度よりも低い温度下において前
記マイクロレンズを形成する工程を含むものである。
【００３３】請求項６の発明により、レンズ形成工程に
おける加熱温度はレンズパターンが完全に溶解する温度
よりも低いので、溶解されたレンズパターンがパターン
化されたときの底面からはみ出してしまうという現象が
起こらない。このため、隣り合うレンズパターンが接触
して流れ出すことがなく、形成されるマイクロレンズの
形状が崩れることはない。したがって、半球状の形状を
備え且つ十分高さのあるマイクロレンズを確実に形成す
ることができる。また、溶解されたレンズパターンがパ
ターン化されたときの底面からはみ出すことがないた
め、隣り合うマイクロレンズの中央部におけるスペース
と端部におけるスペースとは等しくなる。したがって、
従来よりも端部におけるスペースを小さくすることがで
きるので、マイクロレンズの受光面積を拡大することが
できる。
おける加熱温度はレンズパターンが完全に溶解する温度
よりも低いので、溶解されたレンズパターンがパターン
化されたときの底面からはみ出してしまうという現象が
起こらない。このため、隣り合うレンズパターンが接触
して流れ出すことがなく、形成されるマイクロレンズの
形状が崩れることはない。したがって、半球状の形状を
備え且つ十分高さのあるマイクロレンズを確実に形成す
ることができる。また、溶解されたレンズパターンがパ
ターン化されたときの底面からはみ出すことがないた
め、隣り合うマイクロレンズの中央部におけるスペース
と端部におけるスペースとは等しくなる。したがって、
従来よりも端部におけるスペースを小さくすることがで
きるので、マイクロレンズの受光面積を拡大することが
できる。
【００３４】また、請求項７の発明では、前記請求項６
の固体撮像装置の製造方法におけるレンズ形成工程は、
前記レンズパターン同士の間隔と形成されるマイクロレ
ンズ同士の間隔とを変化させないように前記マイクロレ
ンズを形成する工程を含むものとする。
の固体撮像装置の製造方法におけるレンズ形成工程は、
前記レンズパターン同士の間隔と形成されるマイクロレ
ンズ同士の間隔とを変化させないように前記マイクロレ
ンズを形成する工程を含むものとする。
【００３５】請求項７の発明により、レンズパターン同
士の間隔を狭めることによりマイクロレンズ同士の間隔
を狭めることができるので、マイクロレンズの受光面積
を制御することができる。
士の間隔を狭めることによりマイクロレンズ同士の間隔
を狭めることができるので、マイクロレンズの受光面積
を制御することができる。
【００３６】また、請求項８の発明では、前記請求項６
の固体撮像装置の製造方法におけるレジスト塗布工程
は、前記レンズ形成工程において形成されるマイクロレ
ンズの方形状の底面の短辺の半分以上の厚さを持つよう
に前記レンズレジストを塗布する工程を含むものとす
る。
の固体撮像装置の製造方法におけるレジスト塗布工程
は、前記レンズ形成工程において形成されるマイクロレ
ンズの方形状の底面の短辺の半分以上の厚さを持つよう
に前記レンズレジストを塗布する工程を含むものとす
る。
【００３７】請求項８の発明により、半球状の形状を備
え且つ縦長のマイクロレンズを形成することができる。
え且つ縦長のマイクロレンズを形成することができる。
【００３８】請求項９の発明が講じた解決手段は、受光
部を有し受光部領域が凹状に形成された半導体基板上に
絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜上に該
絶縁膜の表面を平坦にする平坦化層を形成する平坦化層
形成工程とを備えた固体撮像装置の製造方法として、前
記平坦化層形成工程は、前記平坦化層を前記絶縁膜より
も屈折率の高い材料により形成する工程を含むものであ
る。
部を有し受光部領域が凹状に形成された半導体基板上に
絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜上に該
絶縁膜の表面を平坦にする平坦化層を形成する平坦化層
形成工程とを備えた固体撮像装置の製造方法として、前
記平坦化層形成工程は、前記平坦化層を前記絶縁膜より
も屈折率の高い材料により形成する工程を含むものであ
る。
【００３９】請求項９の発明により、平坦化層は絶縁膜
よりも屈折率の高い材料により形成されるので、凹状に
窪んだ受光部領域において擬似凸レンズが形成される。
この擬似凸レンズは、従来の固体撮像装置では装置内部
で散乱して受光部に達しなかった光を、受光部に集中さ
せることができる。
よりも屈折率の高い材料により形成されるので、凹状に
窪んだ受光部領域において擬似凸レンズが形成される。
この擬似凸レンズは、従来の固体撮像装置では装置内部
で散乱して受光部に達しなかった光を、受光部に集中さ
せることができる。
【００４０】請求項１０の発明が講じた解決手段は、受
光部を有し受光部領域が凹状に形成された半導体基板上
に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜上に
該絶縁膜の表面を平坦にする平坦化層を形成する平坦化
層形成工程と、前記受光部の上方にレンズレジストを塗
布するレジスト塗布工程と、前記レンズレジストを所定
形状にパターン化してレンズパターンを形成するパター
ン形成工程と、前記レンズパターンを加熱することによ
り前記受光部に光を集めるためのマイクロレンズを形成
するレンズ形成工程とを備えた固体撮像装置の製造方法
として、前記平坦化層形成工程は、前記平坦化層を前記
絶縁膜よりも屈折率の高い材料により形成する工程を含
み、前記レンズ形成工程は、前記レンズパターンがほぼ
完全に溶解する温度よりも低い温度下において前記マイ
クロレンズを形成する工程を含むものである。
光部を有し受光部領域が凹状に形成された半導体基板上
に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜上に
該絶縁膜の表面を平坦にする平坦化層を形成する平坦化
層形成工程と、前記受光部の上方にレンズレジストを塗
布するレジスト塗布工程と、前記レンズレジストを所定
形状にパターン化してレンズパターンを形成するパター
ン形成工程と、前記レンズパターンを加熱することによ
り前記受光部に光を集めるためのマイクロレンズを形成
するレンズ形成工程とを備えた固体撮像装置の製造方法
として、前記平坦化層形成工程は、前記平坦化層を前記
絶縁膜よりも屈折率の高い材料により形成する工程を含
み、前記レンズ形成工程は、前記レンズパターンがほぼ
完全に溶解する温度よりも低い温度下において前記マイ
クロレンズを形成する工程を含むものである。
【００４１】請求項１０の発明により、凹状に窪んだ受
光部領域における平坦化層により擬似凸レンズが形成さ
れる。また、レンズ形成工程において、溶解されたレン
ズパターンがパターン化されたときの底面からはみ出し
てしまうという現象が起こらないので、半球状の形状を
備え且つ十分高さのあるマイクロレンズを確実に形成す
ることができる。また、従来よりも端部におけるスペー
スを小さくすることができるので、マイクロレンズの受
光面積を拡大することができる。
光部領域における平坦化層により擬似凸レンズが形成さ
れる。また、レンズ形成工程において、溶解されたレン
ズパターンがパターン化されたときの底面からはみ出し
てしまうという現象が起こらないので、半球状の形状を
備え且つ十分高さのあるマイクロレンズを確実に形成す
ることができる。また、従来よりも端部におけるスペー
スを小さくすることができるので、マイクロレンズの受
光面積を拡大することができる。
【００４２】また、請求項１１の発明では、前記請求項
１０の固体撮像装置の製造方法におけるレンズ形成工程
は、前記レンズパターン同士の間隔と形成される前記マ
イクロレンズ同士の間隔とを変化させないように前記マ
イクロレンズを形成する工程を含むものとする。
１０の固体撮像装置の製造方法におけるレンズ形成工程
は、前記レンズパターン同士の間隔と形成される前記マ
イクロレンズ同士の間隔とを変化させないように前記マ
イクロレンズを形成する工程を含むものとする。
【００４３】請求項１１の発明により、レンズパターン
同士の間隔を狭めることによりマイクロレンズ同士の間
隔を狭めることができるので、マイクロレンズの受光面
積を制御することができる。
同士の間隔を狭めることによりマイクロレンズ同士の間
隔を狭めることができるので、マイクロレンズの受光面
積を制御することができる。
【００４４】また、請求項１２の発明では、前記請求項
１０の固体撮像装置の製造方法におけるレジスト塗布工
程は、前記レンズ形成工程において形成されるマイクロ
レンズの方形状の底面の短辺の半分以上の厚さを持つよ
うに前記レンズレジストを塗布する工程を含むものとす
る。
１０の固体撮像装置の製造方法におけるレジスト塗布工
程は、前記レンズ形成工程において形成されるマイクロ
レンズの方形状の底面の短辺の半分以上の厚さを持つよ
うに前記レンズレジストを塗布する工程を含むものとす
る。
【００４５】請求項１２の発明により、半球状の形状を
備え且つ縦長のマイクロレンズを形成することができ
る。
備え且つ縦長のマイクロレンズを形成することができ
る。
【００４６】請求項１３の発明が講じた解決手段は、受
光部を有し受光部領域が凹状に形成された半導体基板上
に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜上に
該絶縁膜の表面を平坦にする平坦化層を形成する平坦化
層形成工程とを備えた固体撮像装置の製造方法として、
前記平坦化層形成工程は、前記平坦化層を前記絶縁膜よ
りも屈折率が高く且つ加熱により液状に溶解する材料に
より形成し、加熱により該材料を溶解して前記平坦化層
表面を平坦にする工程を含むものである。
光部を有し受光部領域が凹状に形成された半導体基板上
に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜上に
該絶縁膜の表面を平坦にする平坦化層を形成する平坦化
層形成工程とを備えた固体撮像装置の製造方法として、
前記平坦化層形成工程は、前記平坦化層を前記絶縁膜よ
りも屈折率が高く且つ加熱により液状に溶解する材料に
より形成し、加熱により該材料を溶解して前記平坦化層
表面を平坦にする工程を含むものである。
【００４７】請求項１３の発明により、平坦化層は絶縁
膜よりも屈折率が高く且つ加熱により液状に溶解する材
料により形成される。そのため凹状に窪んだ受光部領域
において擬似凸レンズが形成され、またマイクロレンズ
から受光部までの距離が小さくなるので、従来の固体撮
像装置では受光部に達しなかった光を受光部に集中させ
ることができる。
膜よりも屈折率が高く且つ加熱により液状に溶解する材
料により形成される。そのため凹状に窪んだ受光部領域
において擬似凸レンズが形成され、またマイクロレンズ
から受光部までの距離が小さくなるので、従来の固体撮
像装置では受光部に達しなかった光を受光部に集中させ
ることができる。
【００４８】請求項１４の発明が講じた解決手段は、受
光部を有し受光部領域が凹状に形成された半導体基板上
に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜上に
該絶縁膜の表面を平坦にする平坦化層を形成する平坦化
層形成工程と、前記受光部の上方にレンズレジストを塗
布するレジスト塗布工程と、前記レンズレジストを所定
形状にパターン化してレンズパターンを形成するパター
ン形成工程と、前記レンズパターンを加熱することによ
り前記受光部に光を集めるためのマイクロレンズを形成
するレンズ形成工程とを備えた固体撮像装置の製造方法
として、前記平坦化層形成工程は、前記平坦化層を前記
絶縁膜よりも屈折率が高く且つ加熱により液状に溶解す
る材料により形成し、加熱により該材料を溶解して前記
平坦化層表面を平坦にする工程を含み、前記レンズ形成
工程は、前記レンズパターンがほぼ完全に溶解する温度
よりも低い温度下において前記マイクロレンズを形成す
る工程を含むものである。
光部を有し受光部領域が凹状に形成された半導体基板上
に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜上に
該絶縁膜の表面を平坦にする平坦化層を形成する平坦化
層形成工程と、前記受光部の上方にレンズレジストを塗
布するレジスト塗布工程と、前記レンズレジストを所定
形状にパターン化してレンズパターンを形成するパター
ン形成工程と、前記レンズパターンを加熱することによ
り前記受光部に光を集めるためのマイクロレンズを形成
するレンズ形成工程とを備えた固体撮像装置の製造方法
として、前記平坦化層形成工程は、前記平坦化層を前記
絶縁膜よりも屈折率が高く且つ加熱により液状に溶解す
る材料により形成し、加熱により該材料を溶解して前記
平坦化層表面を平坦にする工程を含み、前記レンズ形成
工程は、前記レンズパターンがほぼ完全に溶解する温度
よりも低い温度下において前記マイクロレンズを形成す
る工程を含むものである。
【００４９】請求項１４の発明により、凹状に窪んだ受
光部領域における平坦化層により擬似凸レンズが形成さ
れ、マイクロレンズから受光部までの距離が小さくな
る。また、レンズ形成工程において、溶解されたレンズ
パターンがパターン化されたときの底面からはみ出して
しまうという現象が起こらないので、半球状の形状を備
え且つ十分高さのあるマイクロレンズを確実に形成する
ことができる。また、従来よりも端部におけるスペース
を小さくすることができるので、マイクロレンズの受光
面積を拡大することができる。
光部領域における平坦化層により擬似凸レンズが形成さ
れ、マイクロレンズから受光部までの距離が小さくな
る。また、レンズ形成工程において、溶解されたレンズ
パターンがパターン化されたときの底面からはみ出して
しまうという現象が起こらないので、半球状の形状を備
え且つ十分高さのあるマイクロレンズを確実に形成する
ことができる。また、従来よりも端部におけるスペース
を小さくすることができるので、マイクロレンズの受光
面積を拡大することができる。
【００５０】また、請求項１５の発明では、前記請求項
１４の固体撮像装置の製造方法におけるレンズ形成工程
は、前記レンズパターン同士の間隔と形成される前記マ
イクロレンズ同士の間隔とを変化させないように前記マ
イクロレンズを形成する工程を含むものとする。
１４の固体撮像装置の製造方法におけるレンズ形成工程
は、前記レンズパターン同士の間隔と形成される前記マ
イクロレンズ同士の間隔とを変化させないように前記マ
イクロレンズを形成する工程を含むものとする。
【００５１】請求項１５の発明により、レンズパターン
同士の間隔を狭めることによりマイクロレンズ同士の間
隔を狭めることができるので、マイクロレンズの受光面
積を制御することができる。
同士の間隔を狭めることによりマイクロレンズ同士の間
隔を狭めることができるので、マイクロレンズの受光面
積を制御することができる。
【００５２】また、請求項１６の発明では、前記請求項
１４の固体撮像装置の製造方法におけるレジスト塗布工
程は、前記レンズ形成工程において形成されるマイクロ
レンズの方形状の底面の短辺の半分以上の厚さを持つよ
うに前記レンズレジストを塗布する工程を含むものとす
る。
１４の固体撮像装置の製造方法におけるレジスト塗布工
程は、前記レンズ形成工程において形成されるマイクロ
レンズの方形状の底面の短辺の半分以上の厚さを持つよ
うに前記レンズレジストを塗布する工程を含むものとす
る。
【００５３】請求項１６の発明により、半球状の形状を
備え且つ縦長のマイクロレンズを形成することができ
る。
備え且つ縦長のマイクロレンズを形成することができ
る。
【００５４】
（第１の実施形態）図１は、本発明の第１の実施形態に
係る固体撮像装置の製造方法におけるマイクロレンズの
製造工程を示す図であり、各工程における固体撮像装置
の断面図である。
係る固体撮像装置の製造方法におけるマイクロレンズの
製造工程を示す図であり、各工程における固体撮像装置
の断面図である。
【００５５】図１（ａ）において、１１は半導体基板、
１２は半導体基板１１の表面部に形成され、入射された
光を電荷に変換する受光部としてのフォトダイオード
部、１３は半導体基板１１の表面を平坦にするための第
１の平坦化層、１４は第１の平坦化層１３上に例えばフ
ォトリソグラフィー技術により形成されたカラーフィル
タ、１５はカラーフィルタ１４上の段差を平坦にするた
めの第２の平坦化層である。なお、図１（ｂ）〜（ｄ）
では、半導体基板１１、フォトダイオード部１２、第１
の平坦化層１３、及びカラーフィルタ１４は省略されて
いる。
１２は半導体基板１１の表面部に形成され、入射された
光を電荷に変換する受光部としてのフォトダイオード
部、１３は半導体基板１１の表面を平坦にするための第
１の平坦化層、１４は第１の平坦化層１３上に例えばフ
ォトリソグラフィー技術により形成されたカラーフィル
タ、１５はカラーフィルタ１４上の段差を平坦にするた
めの第２の平坦化層である。なお、図１（ｂ）〜（ｄ）
では、半導体基板１１、フォトダイオード部１２、第１
の平坦化層１３、及びカラーフィルタ１４は省略されて
いる。
【００５６】まず、図１（ａ）に示すように、第２の平
坦化層１５の表面に、フェノール系等の熱可塑性樹脂か
らなるレンズレジスト１０ａを塗布する。レンズレジス
ト１０ａは加熱により変形するものであり、また、屈折
率は１．３以上である。
坦化層１５の表面に、フェノール系等の熱可塑性樹脂か
らなるレンズレジスト１０ａを塗布する。レンズレジス
ト１０ａは加熱により変形するものであり、また、屈折
率は１．３以上である。
【００５７】次に、図１（ｂ）に示すように、レンズレ
ジスト１０ａの上方にレンズマスク１８を配置する。こ
のレンズマスク１８は、フォトダイオード部１２の位置
に応じたピッチで配置される。
ジスト１０ａの上方にレンズマスク１８を配置する。こ
のレンズマスク１８は、フォトダイオード部１２の位置
に応じたピッチで配置される。
【００５８】このレンズマスク１８を用いて露光処理を
行い、さらに現像処理を行うことにより、図１（ｃ）に
示すように、レンズパターン１０ｂを形成する。さら
に、光の透過率を向上させるために、レンズパターン１
０ｂに対してＵＶ光を照射する。これにより、レンズパ
ターン１０ｂは、含有していた感光剤が分解されて無色
透明になる。
行い、さらに現像処理を行うことにより、図１（ｃ）に
示すように、レンズパターン１０ｂを形成する。さら
に、光の透過率を向上させるために、レンズパターン１
０ｂに対してＵＶ光を照射する。これにより、レンズパ
ターン１０ｂは、含有していた感光剤が分解されて無色
透明になる。
【００５９】続いて加熱処理を行い、図１（ｄ）に示す
ように、マイクロレンズ１０ｃを形成する。このときの
加熱温度は１３０〜１４０℃とする。レンズパターン１
０ｂは、加熱温度が１２０〜１３０℃に達すると溶解し
始め、１５０〜１６０℃に達すると完全に溶解する。加
熱温度を、完全に溶解する温度より１０〜２０℃低い１
３０〜１４０℃にすることにより、レンズパターン１０
ｂはパターン化されたときの底面からはみ出すことはな
い。このため、隣り合うレンズパターンが接触して流れ
出すことはなく、形成されるマイクロレンズ１０ｃの形
状が崩れることはない。すなわち、半球状の形状を備え
且つ十分高さのあるマイクロレンズ１０ｃを確実に形成
することができる。
ように、マイクロレンズ１０ｃを形成する。このときの
加熱温度は１３０〜１４０℃とする。レンズパターン１
０ｂは、加熱温度が１２０〜１３０℃に達すると溶解し
始め、１５０〜１６０℃に達すると完全に溶解する。加
熱温度を、完全に溶解する温度より１０〜２０℃低い１
３０〜１４０℃にすることにより、レンズパターン１０
ｂはパターン化されたときの底面からはみ出すことはな
い。このため、隣り合うレンズパターンが接触して流れ
出すことはなく、形成されるマイクロレンズ１０ｃの形
状が崩れることはない。すなわち、半球状の形状を備え
且つ十分高さのあるマイクロレンズ１０ｃを確実に形成
することができる。
【００６０】また、隣り合うマイクロレンズ１０ｃのス
ペースＳ2 は、隣り合うレンズパターン１０ｂのスペー
スＳ1 と同じ大きさになる。このため、レンズパターン
１０ｂのスペースＳ1 を０に近づけることにより、マイ
クロレンズ１０ｃのスペースＳ2 も０に近づけることが
できる。すなわち、マイクロレンズ１０ｃの表面積を拡
大することができる。
ペースＳ2 は、隣り合うレンズパターン１０ｂのスペー
スＳ1 と同じ大きさになる。このため、レンズパターン
１０ｂのスペースＳ1 を０に近づけることにより、マイ
クロレンズ１０ｃのスペースＳ2 も０に近づけることが
できる。すなわち、マイクロレンズ１０ｃの表面積を拡
大することができる。
【００６１】このように、マイクロレンズ１０ｃ形成時
の加熱温度を、レンズパターン１０ｂが完全に溶解しな
い温度に設定することにより、フォトダイオード部１２
に効率良く集光できるマイクロレンズ１０ｃを形成する
ことができる。また、加熱温度を１３０〜１４０℃の範
囲で制御することにより、マイクロレンズ１０ｃの形状
も制御することが可能となる。
の加熱温度を、レンズパターン１０ｂが完全に溶解しな
い温度に設定することにより、フォトダイオード部１２
に効率良く集光できるマイクロレンズ１０ｃを形成する
ことができる。また、加熱温度を１３０〜１４０℃の範
囲で制御することにより、マイクロレンズ１０ｃの形状
も制御することが可能となる。
【００６２】図２は、図１に示した製造方法により製造
された固体撮像装置を上方から見た図である。図２にお
いて、１０はマイクロレンズである。また、ｘはマイク
ロレンズ１０の中央部におけるスペースの寸法、ｙは端
部におけるスペースの寸法である。
された固体撮像装置を上方から見た図である。図２にお
いて、１０はマイクロレンズである。また、ｘはマイク
ロレンズ１０の中央部におけるスペースの寸法、ｙは端
部におけるスペースの寸法である。
【００６３】加熱温度を１３０〜１４０℃にした場合、
レンズパターン１０ｂは完全には溶解しないので、中央
部におけるスペースｘと端部におけるスペースｙとは等
しくなる。したがって、中央部におけるスペースｘと端
部におけるスペースｙとを共に小さくすることができる
ので、従来よりも、マイクロレンズ１０の受光面積を拡
大することができる。
レンズパターン１０ｂは完全には溶解しないので、中央
部におけるスペースｘと端部におけるスペースｙとは等
しくなる。したがって、中央部におけるスペースｘと端
部におけるスペースｙとを共に小さくすることができる
ので、従来よりも、マイクロレンズ１０の受光面積を拡
大することができる。
【００６４】（第２の実施形態）図３は、本発明の第２
の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法におけるマイ
クロレンズの製造工程を示す図であり、各工程における
固体撮像装置の断面図である。
の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法におけるマイ
クロレンズの製造工程を示す図であり、各工程における
固体撮像装置の断面図である。
【００６５】図３（ａ）において、１１は半導体基板、
１２はフォトダイオード部、１３は第１の平坦化層、１
４はカラーフィルタ、１５は第２の平坦化層であり、図
１（ａ）に示されたものと同じである。また、図３
（ｂ）〜（ｄ）では、半導体基板１１、フォトダイオー
ド部１２、第１の平坦化層１３、及びカラーフィルタ１
４は省略されている。
１２はフォトダイオード部、１３は第１の平坦化層、１
４はカラーフィルタ、１５は第２の平坦化層であり、図
１（ａ）に示されたものと同じである。また、図３
（ｂ）〜（ｄ）では、半導体基板１１、フォトダイオー
ド部１２、第１の平坦化層１３、及びカラーフィルタ１
４は省略されている。
【００６６】第２の実施形態と第１の実施形態とが異な
るのは、レンズレジスト２０ａを厚く塗布する点であ
る。
るのは、レンズレジスト２０ａを厚く塗布する点であ
る。
【００６７】まず、図３（ａ）に示すように、第２の平
坦化層１５の表面上に、熱可塑性樹脂からなるレンズレ
ジスト２０ａを、２〜４μｍの厚さで塗布する。
坦化層１５の表面上に、熱可塑性樹脂からなるレンズレ
ジスト２０ａを、２〜４μｍの厚さで塗布する。
【００６８】次に、図３（ｂ）に示すように、レンズレ
ジスト２０ａの上方にレンズマスク１８を配置する。こ
のレンズマスク１８は、フォトダイオード部１２の位置
に応じたピッチで配置される。
ジスト２０ａの上方にレンズマスク１８を配置する。こ
のレンズマスク１８は、フォトダイオード部１２の位置
に応じたピッチで配置される。
【００６９】このレンズマスク１８を用いて露光処理を
行い、さらに現像処理を行うことにより、図３（ｃ）に
示すように、レンズパターン２０ｂを形成する。さら
に、光の透過率を向上させるために、レンズパターン２
０ｂに対してＵＶ光を照射する。これにより、レンズパ
ターン２０ｂは、含有していた感光剤が分解されて無色
透明になる。
行い、さらに現像処理を行うことにより、図３（ｃ）に
示すように、レンズパターン２０ｂを形成する。さら
に、光の透過率を向上させるために、レンズパターン２
０ｂに対してＵＶ光を照射する。これにより、レンズパ
ターン２０ｂは、含有していた感光剤が分解されて無色
透明になる。
【００７０】続いて加熱処理を行い、図３（ｄ）に示す
ように、マイクロレンズ２０ｃを形成する。このときの
加熱温度を、レンズパターン２０ｂが完全に溶解する温
度より１０〜２０℃低い１３０〜１４０℃にすることに
より、レンズパターン２０ｂはパターン化されたときの
底面からはみでて流れ出すことはなく、半球状の形状を
備え且つ十分高さのあるマイクロレンズ２０ｃが形成さ
れる。
ように、マイクロレンズ２０ｃを形成する。このときの
加熱温度を、レンズパターン２０ｂが完全に溶解する温
度より１０〜２０℃低い１３０〜１４０℃にすることに
より、レンズパターン２０ｂはパターン化されたときの
底面からはみでて流れ出すことはなく、半球状の形状を
備え且つ十分高さのあるマイクロレンズ２０ｃが形成さ
れる。
【００７１】図３に示した製造方法によると、セルサイ
ズが小さい場合は、マイクロレンズ２０ｃの高さＨはマ
イクロレンズ２０ｃの底面の受光部配列方向の幅の半分
Ｒよりも大きくなる。また、表面張力により、マイクロ
レンズ２０ｃの形状が崩れることはない。このため、縦
長のマイクロレンズが形成されることになる。
ズが小さい場合は、マイクロレンズ２０ｃの高さＨはマ
イクロレンズ２０ｃの底面の受光部配列方向の幅の半分
Ｒよりも大きくなる。また、表面張力により、マイクロ
レンズ２０ｃの形状が崩れることはない。このため、縦
長のマイクロレンズが形成されることになる。
【００７２】図４は、第２の実施形態に係る製造方法に
より製造された固体撮像装置の構造を示すための断面図
である。
より製造された固体撮像装置の構造を示すための断面図
である。
【００７３】図４において、１１は半導体基板、１２は
フォトダイオード部、１３は第１の平坦化層、１４はカ
ラーフィルタ、１５は第２の平坦化層であり、図３
（ａ）に示されたものと同じである。２０は第２の平坦
化層上に形成されたマイクロレンズである。また、Ｒ1
はマイクロレンズ２０の底面の受光部配列方向の幅の半
分、Ｒ2 はセルサイズの受光部配列方向の幅の半分、Ｈ
はマイクロレンズ２０の高さである。隣り合うマイクロ
レンズ２０は、実際には、互いに接しない程度の０．１
〜１．５μｍのスペースがあけられている。
フォトダイオード部、１３は第１の平坦化層、１４はカ
ラーフィルタ、１５は第２の平坦化層であり、図３
（ａ）に示されたものと同じである。２０は第２の平坦
化層上に形成されたマイクロレンズである。また、Ｒ1
はマイクロレンズ２０の底面の受光部配列方向の幅の半
分、Ｒ2 はセルサイズの受光部配列方向の幅の半分、Ｈ
はマイクロレンズ２０の高さである。隣り合うマイクロ
レンズ２０は、実際には、互いに接しない程度の０．１
〜１．５μｍのスペースがあけられている。
【００７４】マイクロレンズ２０の形状は、サイクロイ
ド曲線または放物線で表現できるような縦長の半楕円と
なっており、高さＨは、底面の受光部配列方向の幅の半
分Ｒ1 よりも大きくなっている。また、本実施形態によ
り、マイクロレンズ２０の高さＨを、セルサイズの受光
部配列方向の幅の半分Ｒ2 よりも大きくすることもでき
る。縦長のマイクロレンズを形成することにより、マイ
クロレンズ２０からフォトダイオード部１２までの距離
が小さい固体撮像装置でも、入射した光をフォトダイオ
ード部１２に集中させることができる。
ド曲線または放物線で表現できるような縦長の半楕円と
なっており、高さＨは、底面の受光部配列方向の幅の半
分Ｒ1 よりも大きくなっている。また、本実施形態によ
り、マイクロレンズ２０の高さＨを、セルサイズの受光
部配列方向の幅の半分Ｒ2 よりも大きくすることもでき
る。縦長のマイクロレンズを形成することにより、マイ
クロレンズ２０からフォトダイオード部１２までの距離
が小さい固体撮像装置でも、入射した光をフォトダイオ
ード部１２に集中させることができる。
【００７５】（第３の実施形態）図５は、本発明の第３
の実施形態に係る固体撮像装置の構造を示す断面図であ
る。図５において、１１は半導体基板、１２は半導体基
板１１の表面部に形成された受光部としてのフォトダイ
オード部、１６は半導体基板１１上に形成された絶縁膜
としての層間絶縁膜、３０は層間絶縁膜１６の表面の凹
凸を平坦化する平坦化層としての第１の平坦化層、１４
は第１の平坦化層３０上に形成されたカラーフィルタ、
１５はカラーフィルタ１４の表面の段差を平坦化する第
２の平坦化層、５０は第２の平坦化層１５上に形成され
たマイクロレンズである。
の実施形態に係る固体撮像装置の構造を示す断面図であ
る。図５において、１１は半導体基板、１２は半導体基
板１１の表面部に形成された受光部としてのフォトダイ
オード部、１６は半導体基板１１上に形成された絶縁膜
としての層間絶縁膜、３０は層間絶縁膜１６の表面の凹
凸を平坦化する平坦化層としての第１の平坦化層、１４
は第１の平坦化層３０上に形成されたカラーフィルタ、
１５はカラーフィルタ１４の表面の段差を平坦化する第
２の平坦化層、５０は第２の平坦化層１５上に形成され
たマイクロレンズである。
【００７６】第１の平坦化層３０は層間絶縁膜１６に比
べて屈折率の高い材料を用いる。例えば層間絶縁膜１６
と第１の平坦化層３０とはそれぞれ、シリコン酸化膜と
フェノール系樹脂膜、又はフッ素系樹脂膜とシリコン酸
化膜、又はフッ素系樹脂膜とアクリル系樹脂膜、又はフ
ッ素系樹脂膜とフェノール系樹脂膜、又はフッ素系樹脂
膜とポリイミド系樹脂膜、又はシリコン酸化膜とアクリ
ル系樹脂膜、又はシリコン酸化膜とポリイミド系樹脂
膜、アクリル系樹脂膜とフェノール系樹脂膜等の組み合
わせで形成する。
べて屈折率の高い材料を用いる。例えば層間絶縁膜１６
と第１の平坦化層３０とはそれぞれ、シリコン酸化膜と
フェノール系樹脂膜、又はフッ素系樹脂膜とシリコン酸
化膜、又はフッ素系樹脂膜とアクリル系樹脂膜、又はフ
ッ素系樹脂膜とフェノール系樹脂膜、又はフッ素系樹脂
膜とポリイミド系樹脂膜、又はシリコン酸化膜とアクリ
ル系樹脂膜、又はシリコン酸化膜とポリイミド系樹脂
膜、アクリル系樹脂膜とフェノール系樹脂膜等の組み合
わせで形成する。
【００７７】層間絶縁膜１６は０．１〜１．５μｍ程度
の厚さを持っている。層間絶縁膜１６の上に形成されて
いる第１の平坦化層３０は、層間絶縁膜１６やカラーフ
ィルタ１４や第２の平坦化層１５よりも大きい屈折率を
もつ。
の厚さを持っている。層間絶縁膜１６の上に形成されて
いる第１の平坦化層３０は、層間絶縁膜１６やカラーフ
ィルタ１４や第２の平坦化層１５よりも大きい屈折率を
もつ。
【００７８】第１の平坦化層３０が層間絶縁膜１６より
も屈折率の高い材料により形成されていることにより、
層間絶縁膜１６の凹状の部分において、下向きの擬似凸
レンズ３１が形成される。擬似凸レンズ３１の中心は、
フォトダイオード部１２の中心と一致している。この擬
似凸レンズ３１により、従来の固体撮像装置ではフォト
ダイオード部１２に集まらなかった光も、フォトダイオ
ード部１２に集光することができる。また、擬似凸レン
ズ３１が形成されても、マイクロレンズ５０からフォト
ダイオード部１２までの距離は変化しないので、マイク
ロレンズ５０による集光効果は従来どおり得られる。
も屈折率の高い材料により形成されていることにより、
層間絶縁膜１６の凹状の部分において、下向きの擬似凸
レンズ３１が形成される。擬似凸レンズ３１の中心は、
フォトダイオード部１２の中心と一致している。この擬
似凸レンズ３１により、従来の固体撮像装置ではフォト
ダイオード部１２に集まらなかった光も、フォトダイオ
ード部１２に集光することができる。また、擬似凸レン
ズ３１が形成されても、マイクロレンズ５０からフォト
ダイオード部１２までの距離は変化しないので、マイク
ロレンズ５０による集光効果は従来どおり得られる。
【００７９】また、擬似凸レンズ３１の曲率や深さは、
層間絶縁膜１６の厚さを変えることにより変化させるこ
とができる。マイクロレンズ５０及び擬似凸レンズ３１
の形状や、マイクロレンズ５０及び擬似凸レンズ３１か
らフォトダイオード部１２までの距離を最適化すること
により、フォトダイオード部１２の形状に関わらず、光
感度の高い固体撮像装置を得ることができる。
層間絶縁膜１６の厚さを変えることにより変化させるこ
とができる。マイクロレンズ５０及び擬似凸レンズ３１
の形状や、マイクロレンズ５０及び擬似凸レンズ３１か
らフォトダイオード部１２までの距離を最適化すること
により、フォトダイオード部１２の形状に関わらず、光
感度の高い固体撮像装置を得ることができる。
【００８０】また、本実施形態を第１または第２の実施
形態と組み合わせることによって、固体撮像装置の光感
度をさらに向上させることができる。
形態と組み合わせることによって、固体撮像装置の光感
度をさらに向上させることができる。
【００８１】なお、本発明は、カラーフィルタをもつカ
ラー固体撮像装置だけでなく、カラーフィルタをもたな
い白黒固体撮像装置に適用することも可能である。
ラー固体撮像装置だけでなく、カラーフィルタをもたな
い白黒固体撮像装置に適用することも可能である。
【００８２】（第４の実施形態）図６は、本発明の第４
の実施形態に係る固体撮像装置の構造を示す断面図であ
る。図６において、１１は半導体基板、１２は半導体基
板１１の表面部に形成された受光部としてのフォトダイ
オード部、１６は半導体基板１１上に形成された絶縁膜
としての層間絶縁膜、３２は層間絶縁膜１６の表面の凹
凸を平坦化する平坦化層としての第１の平坦化層、１４
は第１の平坦化層３２上に形成されたカラーフィルタ、
１５はカラーフィルタ１４の表面の段差を平坦化する第
２の平坦化層、５０は第２の平坦化層１５上に形成され
たマイクロレンズである。
の実施形態に係る固体撮像装置の構造を示す断面図であ
る。図６において、１１は半導体基板、１２は半導体基
板１１の表面部に形成された受光部としてのフォトダイ
オード部、１６は半導体基板１１上に形成された絶縁膜
としての層間絶縁膜、３２は層間絶縁膜１６の表面の凹
凸を平坦化する平坦化層としての第１の平坦化層、１４
は第１の平坦化層３２上に形成されたカラーフィルタ、
１５はカラーフィルタ１４の表面の段差を平坦化する第
２の平坦化層、５０は第２の平坦化層１５上に形成され
たマイクロレンズである。
【００８３】層間絶縁膜１６は、フッ素系樹脂膜又はシ
リコン酸化膜又はアクリル系樹脂膜からなり、０．１〜
１．５μｍ程度の厚さを持っている。層間絶縁膜１６の
上に形成されている第１の平坦化層３２はフェノール系
等の熱可塑性樹脂からなり、層間絶縁膜１６やカラーフ
ィルタ１４や第２の平坦化層１５よりも大きい屈折率を
もつ。
リコン酸化膜又はアクリル系樹脂膜からなり、０．１〜
１．５μｍ程度の厚さを持っている。層間絶縁膜１６の
上に形成されている第１の平坦化層３２はフェノール系
等の熱可塑性樹脂からなり、層間絶縁膜１６やカラーフ
ィルタ１４や第２の平坦化層１５よりも大きい屈折率を
もつ。
【００８４】第１の平坦化層３２が層間絶縁膜１６より
も屈折率の高い材料により形成されていることにより、
層間絶縁膜１６の凹状の部分において下向きの擬似凸レ
ンズ３３が形成される。擬似凸レンズ３３の中心は、フ
ォトダイオード部１２の中心と一致している。この擬似
凸レンズ３３により、従来の固体撮像装置ではフォトダ
イオード部１２に集まらなかった光もフォトダイオード
部１２に集光することができる。また、第１の平坦化層
３２は熱可塑性をもつため、加熱すると液状に溶解して
ごく薄膜で完全な平坦性を得ることができる。このこと
により、マイクロレンズ５０からフォトダイオード部１
２までの距離を小さくすることができるので、マイクロ
レンズ５０からフォトダイオード部１２までの距離を最
適化でき、さらに光を集中できる。
も屈折率の高い材料により形成されていることにより、
層間絶縁膜１６の凹状の部分において下向きの擬似凸レ
ンズ３３が形成される。擬似凸レンズ３３の中心は、フ
ォトダイオード部１２の中心と一致している。この擬似
凸レンズ３３により、従来の固体撮像装置ではフォトダ
イオード部１２に集まらなかった光もフォトダイオード
部１２に集光することができる。また、第１の平坦化層
３２は熱可塑性をもつため、加熱すると液状に溶解して
ごく薄膜で完全な平坦性を得ることができる。このこと
により、マイクロレンズ５０からフォトダイオード部１
２までの距離を小さくすることができるので、マイクロ
レンズ５０からフォトダイオード部１２までの距離を最
適化でき、さらに光を集中できる。
【００８５】また、擬似凸レンズ３３の曲率や深さは、
層間絶縁膜１６の厚さを変えることにより変化させるこ
とができる。マイクロレンズ５０及び擬似凸レンズ３３
の形状や、マイクロレンズ５０及び擬似凸レンズ３３か
らフォトダイオード部１２までの距離を最適化すること
により、フォトダイオード部１２の形状に関わらず、光
感度の高い固体撮像装置を得ることができる。
層間絶縁膜１６の厚さを変えることにより変化させるこ
とができる。マイクロレンズ５０及び擬似凸レンズ３３
の形状や、マイクロレンズ５０及び擬似凸レンズ３３か
らフォトダイオード部１２までの距離を最適化すること
により、フォトダイオード部１２の形状に関わらず、光
感度の高い固体撮像装置を得ることができる。
【００８６】図７は本実施形態に係る固体撮像装置の製
造方法における第１の平坦化層の製造工程を示す図であ
り、各工程における固体撮像装置の断面図である。図７
（ａ）に示すように、フォトダイオード部１２が表面部
に形成された半導体基板１１上に層間絶縁膜１６がすで
に形成されているものとする。
造方法における第１の平坦化層の製造工程を示す図であ
り、各工程における固体撮像装置の断面図である。図７
（ａ）に示すように、フォトダイオード部１２が表面部
に形成された半導体基板１１上に層間絶縁膜１６がすで
に形成されているものとする。
【００８７】次に、図７（ｂ）に示すように、層間絶縁
膜１６の上にフェノール系等の熱可塑性樹脂からなる第
１の平坦化レジスト３２ａを塗布する。このとき、塗布
しただけでは第１の平坦化レジスト３２ａ表面の平坦性
は良くない。次に、図７（ｃ）に示すように、第１の平
坦化レジスト３２ａを加熱により液状に溶解して第１の
平坦化層３２ｂを形成する。このような工程により、表
面が平坦であり且つ薄膜の第１の平坦化層３２ｂを形成
することができる。
膜１６の上にフェノール系等の熱可塑性樹脂からなる第
１の平坦化レジスト３２ａを塗布する。このとき、塗布
しただけでは第１の平坦化レジスト３２ａ表面の平坦性
は良くない。次に、図７（ｃ）に示すように、第１の平
坦化レジスト３２ａを加熱により液状に溶解して第１の
平坦化層３２ｂを形成する。このような工程により、表
面が平坦であり且つ薄膜の第１の平坦化層３２ｂを形成
することができる。
【００８８】また、本実施形態を第１または第２の実施
形態と組み合わせることによって、固体撮像装置の光感
度をさらに向上させることができる。
形態と組み合わせることによって、固体撮像装置の光感
度をさらに向上させることができる。
【００８９】なお、本発明は、カラーフィルタをもつカ
ラー固体撮像装置だけでなく、カラーフィルタをもたな
い白黒固体撮像装置に適用することも可能である。
ラー固体撮像装置だけでなく、カラーフィルタをもたな
い白黒固体撮像装置に適用することも可能である。
【００９０】
【発明の効果】以上のように、本発明によると、マイク
ロレンズの形を縦長にできるので、マイクロレンズと受
光部との距離を小さくして入射した光を受光部に集中さ
せることができ、高い光感度を得ることができる。ま
た、マイクロレンズの受光面積を拡大することができ
る。
ロレンズの形を縦長にできるので、マイクロレンズと受
光部との距離を小さくして入射した光を受光部に集中さ
せることができ、高い光感度を得ることができる。ま
た、マイクロレンズの受光面積を拡大することができ
る。
【００９１】また、平坦化層により擬似凸レンズを形成
でき、さらに平坦化層を薄く且つ表面をより平坦に形成
できるので、半導体基板上に絶縁膜が形成されている場
合でも高い光感度を得ることができる。
でき、さらに平坦化層を薄く且つ表面をより平坦に形成
できるので、半導体基板上に絶縁膜が形成されている場
合でも高い光感度を得ることができる。
【図１】本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置の
製造方法における、マイクロレンズの製造工程を示す図
であり、各工程における固体撮像装置の断面図である。
製造方法における、マイクロレンズの製造工程を示す図
であり、各工程における固体撮像装置の断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る製造方法により
製造された固体撮像装置を上方から見た図である。
製造された固体撮像装置を上方から見た図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る固体撮像装置の
製造方法における、マイクロレンズの製造工程を示す図
であり、各工程における固体撮像装置の断面図である。
製造方法における、マイクロレンズの製造工程を示す図
であり、各工程における固体撮像装置の断面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る製造方法により
製造された固体撮像装置の構造を示すための断面図であ
る。
製造された固体撮像装置の構造を示すための断面図であ
る。
【図５】本発明の第３の実施形態に係る固体撮像装置の
構造を示す断面図である。
構造を示す断面図である。
【図６】本発明の第４の実施形態に係る固体撮像装置の
構造を示す断面図である。
構造を示す断面図である。
【図７】本発明の第４の実施形態に係る固体撮像装置の
製造方法における、平坦化層の製造工程を示す図であ
り、各工程における固体撮像装置の断面図である。
製造方法における、平坦化層の製造工程を示す図であ
り、各工程における固体撮像装置の断面図である。
【図８】従来の固体撮像装置の一例の構造を示すための
断面図である。
断面図である。
【図９】従来の固体撮像装置を上方から見た図である。
【図１０】従来の固体撮像装置の他の例の構造を示すた
めの断面図である。
めの断面図である。
１０ マイクロレンズ １０ａ レンズレジスト １０ｂ レンズパターン １０ｃ マイクロレンズ １１ 半導体基板 １２ フォトダイオード部 １３ 第１の平坦化層 １４ カラーフィルタ １５ 第２の平坦化層 １６ 層間絶縁膜 １８ レンズマスク ２０ マイクロレンズ ２０ａ レンズレジスト ２０ｂ レンズパターン ２０ｃ マイクロレンズ ３０ 第１の平坦化層 ３１ 擬似凸レンズ ３２ 第１の平坦化層 ３３ 擬似凸レンズ ５０ マイクロレンズ
Claims (16)
- 【請求項１】 入射された光を電荷に変換する受光部
と、前記受光部に光を集めるマイクロレンズとを備えた
固体撮像装置において、 前記マイクロレンズの底面は方形状であり、 前記マイクロレンズの高さは、該マイクロレンズの底面
の短辺の半分以上であることを特徴とする固体撮像装
置。 - 【請求項２】 入射された光を電荷に変換する受光部を
有し受光部領域が凹状に形成された半導体基板と、前記
半導体基板上に形成され受光部領域が凹状に窪んでいる
絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され該絶縁膜の表面を平
坦にする平坦化層とを備えた固体撮像装置において、 前記平坦化層は、前記絶縁膜よりも屈折率の高い材料に
より形成されていることを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項３】 受光部に光を集めるマイクロレンズをさ
らに備え、 前記マイクロレンズの底面は方形状であり、 前記マイクロレンズの高さは、該マイクロレンズの底面
の短辺の半分以上であることを特徴とする請求項２に記
載の固体撮像装置。 - 【請求項４】 入射された光を電荷に変換する受光部を
有し受光部領域が凹状に形成された半導体基板と、前記
半導体基板上に形成され受光部領域が凹状に窪んでいる
絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され該絶縁膜の表面を平
坦にする平坦化層とを備えた固体撮像装置において、 前記平坦化層は、前記絶縁膜よりも屈折率が高く且つ加
熱により液状に溶解する材料により形成されていること
を特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項５】 受光部に光を集めるマイクロレンズをさ
らに備え、 前記マイクロレンズの底面は方形状であり、 前記マイクロレンズの高さは、該マイクロレンズの底面
の短辺の半分以上であることを特徴とする請求項４に記
載の固体撮像装置。 - 【請求項６】 半導体基板上に形成された受光部の上方
にレンズレジストを塗布するレジスト塗布工程と、前記
レンズレジストを所定形状にパターン化してレンズパタ
ーンを形成するパターン形成工程と、前記レンズパター
ンを加熱することにより前記受光部に光を集めるための
マイクロレンズを形成するレンズ形成工程とを備えた固
体撮像装置の製造方法において、 前記レンズ形成工程は、前記レンズパターンがほぼ完全
に溶解する温度よりも低い温度下において前記マイクロ
レンズを形成する工程を含むことを特徴とする固体撮像
装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記レンズ形成工程は、 前記レンズパターン同士の間隔と、形成されるマイクロ
レンズ同士の間隔とを変化させないように前記マイクロ
レンズを形成する工程を含むことを特徴とする請求項６
に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記レジスト塗布工程は、 前記レンズ形成工程において形成されるマイクロレンズ
の方形状の底面の短辺の半分以上の厚さを持つように前
記レンズレジストを塗布する工程を含むことを特徴とす
る請求項６に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項９】 受光部を有し受光部領域が凹状に形成さ
れた半導体基板上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程
と、前記絶縁膜上に該絶縁膜の表面を平坦にする平坦化
層を形成する平坦化層形成工程とを備えた固体撮像装置
の製造方法において、 前記平坦化層形成工程は、前記平坦化層を前記絶縁膜よ
りも屈折率の高い材料により形成する工程を含むことを
特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項１０】 受光部を有し受光部領域が凹状に形成
された半導体基板上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程
と、前記絶縁膜上に該絶縁膜の表面を平坦にする平坦化
層を形成する平坦化層形成工程と、前記受光部の上方に
レンズレジストを塗布するレジスト塗布工程と、前記レ
ンズレジストを所定形状にパターン化してレンズパター
ンを形成するパターン形成工程と、前記レンズパターン
を加熱することにより前記受光部に光を集めるためのマ
イクロレンズを形成するレンズ形成工程とを備えた固体
撮像装置の製造方法において、 前記平坦化層形成工程は、前記平坦化層を前記絶縁膜よ
りも屈折率の高い材料により形成する工程を含み、 前記レンズ形成工程は、前記レンズパターンがほぼ完全
に溶解する温度よりも低い温度下において前記マイクロ
レンズを形成する工程を含むことを特徴とする固体撮像
装置の製造方法。 - 【請求項１１】 レンズ形成工程は、 レンズパターン同士の間隔と、形成されるマイクロレン
ズ同士の間隔とを変化させないように前記マイクロレン
ズを形成する工程を含むことを特徴とする請求項１０に
記載の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項１２】 前記レジスト塗布工程は、 前記レンズ形成工程において形成されるマイクロレンズ
の方形状の底面の短辺の半分以上の厚さを持つように前
記レンズレジストを塗布する工程を含むことを特徴とす
る請求項１０に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項１３】 受光部を有し受光部領域が凹状に形成
された半導体基板上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程
と、前記絶縁膜上に該絶縁膜の表面を平坦にする平坦化
層を形成する平坦化層形成工程とを備えた固体撮像装置
の製造方法において、 前記平坦化層形成工程は、前記平坦化層を前記絶縁膜よ
りも屈折率が高く且つ加熱により液状に溶解する材料に
より形成し、加熱により該材料を溶解して前記平坦化層
表面を平坦にする工程を含むことを特徴とする固体撮像
装置の製造方法。 - 【請求項１４】 受光部を有し受光部領域が凹状に形成
された半導体基板上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程
と、前記絶縁膜上に該絶縁膜の表面を平坦にする平坦化
層を形成する平坦化層形成工程と、前記受光部の上方に
レンズレジストを塗布するレジスト塗布工程と、前記レ
ンズレジストを所定形状にパターン化してレンズパター
ンを形成するパターン形成工程と、前記レンズパターン
を加熱することにより前記受光部に光を集めるためのマ
イクロレンズを形成するレンズ形成工程とを備えた固体
撮像装置の製造方法において、 前記平坦化層形成工程は、前記平坦化層を前記絶縁膜よ
りも屈折率が高く且つ加熱により液状に溶解する材料に
より形成し、加熱により該材料を溶解して前記平坦化層
表面を平坦にする工程を含み、 前記レンズ形成工程は、前記レンズパターンがほぼ完全
に溶解する温度よりも低い温度下において前記マイクロ
レンズを形成する工程を含むことを特徴とする固体撮像
装置の製造方法。 - 【請求項１５】 前記レンズ形成工程は、 前記レンズパターン同士の間隔と、形成される前記マイ
クロレンズ同士の間隔とを変化させないように前記マイ
クロレンズを形成する工程を含むことを特徴とする請求
項１４に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項１６】 前記レジスト塗布工程は、 前記レンズ形成工程において形成されるマイクロレンズ
の方形状の底面の短辺の半分以上の厚さを持つように前
記レンズレジストを塗布する工程を含むことを特徴とす
る請求項１４に記載の固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09973096A JP3672663B2 (ja) | 1995-05-02 | 1996-04-22 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| TW85105144A TW311286B (en) | 1996-04-22 | 1996-04-30 | Solid-state photograph device and method of making the same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10839095 | 1995-05-02 | ||
| JP7-108390 | 1995-05-02 | ||
| JP09973096A JP3672663B2 (ja) | 1995-05-02 | 1996-04-22 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0922995A true JPH0922995A (ja) | 1997-01-21 |
| JP3672663B2 JP3672663B2 (ja) | 2005-07-20 |
Family
ID=26440834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09973096A Expired - Lifetime JP3672663B2 (ja) | 1995-05-02 | 1996-04-22 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3672663B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2002100755A (ja) * | 2000-08-18 | 2002-04-05 | Hynix Semiconductor Inc | Ｃｍｏｓイメージセンサ及びその製造方法 |
| KR100437819B1 (ko) * | 1999-06-23 | 2004-06-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 고체 촬상 소자 및 그의 제조 방법 |
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| JP2017212291A (ja) * | 2016-05-24 | 2017-11-30 | 凸版印刷株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
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-
1996
- 1996-04-22 JP JP09973096A patent/JP3672663B2/ja not_active Expired - Lifetime
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