JPH09230361A - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 信号線の断線に起因する液晶表示パネルの不
良を低減した液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 第１の基板（ＳＵＢ１）と第２の基板
（ＳＵＢ２）とからなる一対の基板と、一対の基板間に
挟持される液晶層（ＬＣ）とを有し、複数の画素がマト
リクス状に配設された液晶表示パネル（ＰＮＬ）を具備
し、複数の画素のそれぞれに、各画素内の液晶層を駆動
する信号電圧を供給する複数の主信号線（ＤＬ，ＧＬ，
ＣＬ）が、第１の基板あるいは第２の基板のいずれか一
方の基板上に設けられたアクティブマトリクス型液晶表
示装置において、主信号線と平面的にほぼ重畳し、互い
に独立した複数の補助信号線（ＳＵＬ）を第２の基板上
に設け、主信号線と補助信号線とを、主信号線の入力端
および出力端の双方で、それぞれ電気的に接続する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係わ
り、特に、横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表
示装置に適用して有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に代表され
るアクティブ素子を用いたアクティブマトリクス型液晶
表示装置は薄い、軽量という特徴とブラウン管に匹敵す
る高画質という点から、ＯＡ機器等の表示端末装置とし
て広く普及し始めている。

【０００３】このアクティブマトリクス型液晶表示装置
の表示方式には、大別して、次の２通りの表示方式が知
られている。

【０００４】１つは、２つの透明電極が形成された一対
の基板間に液晶層を封入し、２つの透明電極に駆動電圧
を印加することにより、基板界面にほぼ直角な方向の電
界により液晶層を駆動し、透明電極を透過し液晶層に入
射した光を変調して表示する方式（以下、縦電界方式と
称する）であり、現在、普及している製品が全てこの方
式を採用している。

【０００５】この縦電界方式を採用したアクティブマト
リクス型液晶表示装置の液晶表示パネルにおいては、複
数の映像信号線（ＤＬ）および走査信号線（ＧＬ）が一
方の基板（ＴＦＴ基板）上に設けられる。

【０００６】また、もう１つは、一対の基板間に液晶層
を封入し、同一基板あるいは両基板上に形成された２つ
の電極に駆動電圧を印加することにより、基板界面にほ
ぼ平行な方向の電界により液晶層を駆動し、２つの電極
の隙間から液晶層に入射した光を変調して表示する方式
（以下、横電界方式と称する）であり、この横電界方式
のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、広視野角、
低負荷容量等の特徴を有している。

【０００７】この横電界方式を採用したアクティブマト
リクス型液晶表示装置の液晶表示パネルにおいても、一
般的に、複数の映像信号線（ＤＬ）、走査信号線（Ｇ
Ｌ）および対向電圧信号線（ＣＬ）が、一方の基板（Ｔ
ＦＴ基板）上に設けられる。

【０００８】前記横電界方式を採用したアクティブマト
リクス型液晶表示装置の特徴に関しては、特許出願公表
平５−５０５２４７号公報、特公昭６３−２１９０７号
公報および特開平６ー１６０８７８公報を参照された
い。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】縦電界方式のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置の液晶表示パネル、あるい
は、横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置
の液晶表示パネルにおいては、一方の基板上に多数の信
号線（配線層）を形成する必要があるため、これら信号
線のうちの１つ断線が生じれば、それは配線欠陥とな
り、即ち、当該液晶表示パネル全体の不良となり、歩留
まりの低下をもたらすという問題点があった。

【００１０】本発明は、前記従来技術の問題点を解決す
るためになされたものであり、本発明の目的は、液晶表
示装置において、信号線の断線に起因する液晶表示パネ
ルの不良を低減することが可能となる技術を提供するこ
とにある。

【００１１】本発明の前記目的並びにその他の目的及び
新規な特徴は、本明細書の記載及び添付図面によって明
らかにする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち，代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１３】（１）第１の基板と第２の基板とからなる
一対の基板と、前記一対の基板間に挟持される液晶層と
を有し、複数の画素がマトリクス状に設けられた液晶表
示パネルを具備するアクティブマトリクス型液晶表示装
置であって、前記複数の画素のそれぞれに、各画素内の
液晶層を駆動する信号電圧を供給する複数の主信号線
が、前記第１の基板あるいは前記第２の基板のいずれか
一方の基板上に設けられたアクティブマトリクス型液晶
表示装置において、前記主信号線と平面的にほぼ重畳
し、互いに独立した複数の補助信号線が前記第２の基板
上に設けられ、前記主信号線と前記補助信号線とが、前
記主信号線の入力端および出力端の双方で、それぞれ電
気的に接続されていることを特徴とする。

【００１４】（２）前記（１）の手段において、前記第
２の基板上に遮光膜が設けられ、前記遮光膜が絶縁性材
料で構成されることを特徴とする。

【００１５】（３）前記（１）または（２）の手段にお
いて、前記補助信号線が前記第２の基板上に直接形成さ
れ、さらに、前記第２の基板上の前記主信号線と前記補
助信号線とがそれぞれ電気的に接続される領域以外の領
域に前記補助信号線を覆って遮光膜が形成され、また、
前記一方の基板上の前記主信号線と前記補助信号線とが
それぞれ電気的に接続される領域において、前記主信号
線が露出されていることを特徴とする。

【００１６】（４）前記（１）または（２）の手段にお
いて、前記第２の基板上の前記主信号線と前記補助信号
線とがそれぞれ電気的に接続される領域以外の領域に遮
光膜が直接形成され、さらに、前記補助信号線が前記遮
光膜の上に形成され、また、前記一方の基板上の前記主
信号線と前記補助信号線とがそれぞれ電気的に接続され
る領域において、前記主信号線が露出されていることを
特徴とする。

【００１７】（５）前記（１）または（２）の手段にお
いて、前記第２の基板上の前記主信号線と前記補助信号
線とがそれぞれ電気的に接続される領域を含む領域に遮
光膜が直接形成され、さらに、前記補助信号線が前記遮
光膜の上に形成され、また、前記一方の基板上の前記主
信号線と前記補助信号線とがそれぞれ電気的に接続され
る領域において、前記主信号線が露出されていることを
特徴とする。

【００１８】（６）前記（１）ないし（５）の手段にお
いて、前記補助信号線が、金属材料で構成されているこ
とを特徴とする。

【００１９】（７）前記（１）ないし（５）の手段にお
いて、前記補助信号線が、透明導電材料で構成されてい
ることを特徴とする。

【００２０】（８）前記（１）ないし（６）の手段にお
いて、前記主信号線と前記補助信号線とがそれぞれ電気
的に接続される領域において、前記主信号線あるいは前
記補助信号線の少なくとも一方が、透明導電材料で構成
されていることを特徴とする。

【００２１】（９）前記（１）ないし（８）の手段にお
いて、前記主信号線と前記補助信号線とが、一対の基板
面に垂直な方向には導電性を有し、一対の基板面に平行
な方向には導電性を有さない異方性導電性材料により、
前記主信号線の入力端及び出力端の双方で、それぞれ電
気的に接続されていることを特徴とする。

【００２２】（１０）前記（９）の手段において、前記
異方性導電性材料が、導電性ビーズを分散したシール材
であることを特徴とする。

【００２３】（１１）前記（９）の手段において、前記
異方性導電性材料が、導電性ファイバを分散したシール
材であることを特徴とする。

【００２４】（１２）前記（１）ないし（１１）の手段
において、前記複数の画素のそれぞれが、画素電極と、
前記画素電極との間で前記一対の基板面にほぼ平行な電
界を液晶層に印加する対向電極とを、さらに有すること
を特徴とする。

【００２５】（１３）前記（１）ないし（１２）の手段
において、前記主信号線が、映像信号線であることを特
徴とする。

【００２６】（１４）前記（１）ないし（１２）の手段
において、前記主信号線が、走査信号線であることを特
徴とする。

【００２７】（１５）前記（１２）の手段において、前
記主信号線が、対向電極に対向電圧を供給する対向電圧
信号線であることを特徴とする。

【００２８】前記手段によれば、アクティブマトリクス
型液晶表示装置の液晶表示パネルにおいて、主信号線
（映像信号線、走査信号線あるいは対向電圧信号線）に
対応して、第２の基板上に補助信号線を設け、主信号線
と補助信号線とを、主信号線の入力端および出力端の双
方で電気的に接続し、主信号線の入力端及び出力端の双
方から各画素内の液晶層を駆動する信号電圧を主信号線
に供給するようにしたので、２箇所の接続領域間のいず
れかの領域で主信号線に１箇所の断線が生じても、主信
号線に信号電圧を供給することが可能となる。

【００２９】これにより、液晶表示パネルの歩留まりを
向上させることが可能となる。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、本発明を横電界方式のアク
ティブマトリクス型液晶表示装置に適用した発明の実施
の形態を図面を参照して詳細に説明する。

【００３１】なお、発明の実施の形態を説明するための
全図において、同一機能を有するものは同一符号を付
け、その繰り返しの説明は省略する。

【００３２】［発明の実施の形態１］まず始めに、本発
明の実施の形態１で構成した横電界方式のアクティブマ
トリクス型液晶表示装置の概略を説明する。

【００３３】《マトリクス部（画素部）の平面構成》図
１は、本発明の一発明の実施の形態（発明の実施の形態
１）である横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表
示装置の液晶表示パネルにおける一画素とその周辺を示
す平面図である。

【００３４】同図において、実線は下部基板である下部
透明ガラス基板（ＳＵＢ１）側に形成される構成を示
し、破線は上部基板である上部透明基板ガラス（ＳＵＢ
２）側に形成される構成を示している。

【００３５】図１に示すように、各画素は隣接する２本
の走査信号線（ゲート信号線または水平信号線）（Ｇ
Ｌ）と、隣接する２本の映像信号線（ドレイン信号線ま
たは垂直信号線）（ＤＬ）との交差領域内（４本の信号
線で囲まれた領域内）に配置される。

【００３６】各画素は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、
蓄積容量（Ｃｓｔｇ）、画素電極（ＰＸ）、対向電極
（ＣＴ）および対向電圧信号線（コモン信号線）（Ｃ
Ｌ）とを含んでいる。

【００３７】ここで、走査信号線（ＧＬ）、対向電圧信
号線（ＣＬ）は、図１においては左右方向に延在し、上
下方向に複数本配置され、映像信号線（ＤＬ）は、上下
方向に延在し、左右方向に複数本配置されている。

【００３８】また、画素電極（ＰＸ）は、薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ）のソース電極（ＳＤ１）と接続され、さ
らに、対向電極（ＣＴ）は、対向電圧信号線（ＣＬ）と
一体に構成されている。

【００３９】画素電極（ＰＸ）と対向電極（ＣＴ）とは
互いに対向し、各画素電極（ＰＸ）と対向電極（ＣＴ）
との間の電界により液晶層（ＬＣ）の光学的な状態を制
御し、表示を制御する。

【００４０】画素電極（ＰＸ）と対向電極（ＣＴ）とは
櫛歯状に構成され、それぞれ、図１においては上下方向
に長細い電極となっている。

【００４１】本発明の実施の形態１の液晶表示パネルで
は、画素電極（ＰＸ）は下開きのコの字型、対向電極
（ＣＴ）は対向電圧信号線（ＣＬ）から下方向に突起し
た櫛歯形の形状をしており、画素電極（ＰＸ）と対向電
極（ＣＴ）の間の領域は１画素内で４分割されている。

【００４２】《表示マトリクス部（画素部；ＡＲ）の断
面構成》図２は、図１に示す３−３切断線における断面
を示す断面図、図３は、図１に示す４−４切断線におけ
る薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の断面を示す断面図、図
４は、図１に示す５−５切断線における蓄積容量（Ｃｓ
ｔｇ）の断面を示す断面図である。

【００４３】図２〜図４に示すように、液晶層（ＬＣ）
を基準にして下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）側には、
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、蓄積容量（Ｃｓｔｇ）お
よび電極群が設けられ、上部透明ガラス基板（ＳＵＢ
２）側には、カラーフィルタ（ＦＩＬ）、遮光膜（ブラ
ックマトリクスパターン；ＢＭ）、補助信号線（ＳＵ
Ｌ）が設けられる。

【００４４】また、透明ガラス基板（ＳＵＢ１、ＳＵＢ
２）のそれぞれの内側（液晶層（ＬＣ）側）の表面に
は、液晶の初期配向を制御する配向膜（ＯＲＩ１、ＯＲ
Ｉ２）が設けられており、透明ガラス基板（ＳＵＢ１、
ＳＵＢ２）のそれぞれの外側の表面には、それぞれ偏光
板（ＰＯＬ１、ＰＯＬ２）が設けられている。

【００４５】以下、下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）
（ＴＦＴ基板）側の構成を詳しく説明する。

【００４６】《薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）》薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ）は、ゲート電極（ＧＴ）に正のバイ
アスを印加すると、ソース−ドレイン間のチャネル抵抗
が小さくなり、バイアスを零にすると、チャネル抵抗は
大きくなるように動作する。

【００４７】薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、図３に示
すように、ゲート電極（ＧＴ）、ゲート絶縁膜（Ｇ
Ｉ）、ｉ型（真性、ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ、導電型決定不
純物がドープされていない）非晶質シリコン（Ｓｉ）か
らなるｉ型半導体層（ＡＳ）、一対のソース電極（ＳＤ
１）、ドレイン電極（ＳＤ２）を有する。

【００４８】なお、ソース電極（ＳＤ１）、ドレイン電
極（ＳＤ２）は本来その間のバイアス極性によって決ま
るもので、この液晶表示装置の回路ではその極性は動作
中反転するので、ソース電極（ＳＤ１）、ドレイン電極
（ＳＤ２）は動作中入れ替わるが、以下の説明では、便
宜上一方をソース電極（ＳＤ１）、他方をドレイン電極
（ＳＤ２）と固定して表現する。

【００４９】なお、本発明の実施の形態１の液晶表示パ
ネルでは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）として、非晶質
（アモルファス）シリコン薄膜トランジスタ素子を用い
たが、これに限定されず、ポリシリコン薄膜トランジス
タ素子、シリコンウエハ上のＭＯＳ型トランジスタ、有
機ＴＦＴ、または、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａ
ｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）ダイオード等の２端子素子（厳密
にはアクティブ素子ではないが、本発明ではアクティブ
素子とする）を用いることも可能である。

【００５０】《ゲート電極（ＧＴ）》ゲート電極（Ｇ
Ｔ）は、走査信号線（ＧＬ）と連続して構成されてお
り、走査信号線（ＧＬ）の一部の領域がゲート電極（Ｇ
Ｔ）となるように構成されている。

【００５１】ゲート電極（ＧＴ）は、薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）の能動領域を超える部分であり、ｉ型半導体
層（ＡＳ）を完全に覆う（下方からみて）ように、それ
より大き目に形成されている。

【００５２】これにより、ゲート電極（ＧＴ）の役割の
ほかに、ｉ型半導体層（ＡＳ）に外光やバックライト光
が当たらないように工夫されている。

【００５３】本発明の実施の形態１の液晶表示パネルで
は、ゲート電極（ＧＴ）は、単層の導電膜（ｇ１）で形
成されており、導電膜（ｇ１）としては、例えば、スパ
ッタリングで形成されたアルミニウム（Ａｌ）系の導電
膜が用いられ、その上にはアルミニウム（Ａｌ）の陽極
酸化膜（ＡＯＦ）が設けられている。

【００５４】《走査信号線（ＧＬ）》走査信号線（Ｇ
Ｌ）は、導電膜（ｇ１）で構成されており、この走査信
号線（ＧＬ）の導電膜（ｇ１）は、ゲート電極（ＧＴ）
の導電膜（ｇ１）と同一製造工程で形成され、かつ一体
に構成されている。

【００５５】この走査信号線（ＧＬ）により、外部回路
からゲート電圧をゲート電極（ＧＴ）に供給する。

【００５６】また、走査信号線（ＧＬ）上にもアルミニ
ウム（Ａｌ）の陽極酸化膜（ＡＯＦ）が設けられてい
る。

【００５７】《対向電極（ＣＴ）》対向電極（ＣＴ）
は、ゲート電極（ＧＴ）および走査信号線（ＧＬ）と同
層の導電膜（ｇ１）で構成されている。

【００５８】また、対向電極（ＣＴ）上にもアルミニウ
ム（Ａｌ）の陽極酸化膜（ＡＯＦ）が設けられている。

【００５９】《対向電圧信号線（ＣＬ）》対向電圧信号
線（ＣＬ）は、導電膜（ｇ１）で構成されている。

【００６０】この対向電圧信号線（ＣＬ）の導電膜（ｇ
１）は、ゲート電極（ＧＴ）、走査信号線（ＧＬ）およ
び対向電極（ＣＴ）の導電膜（ｇ１）と同一製造工程で
形成され、かつ対向電極（ＣＴ）と一体に構成されてい
る。

【００６１】この対向電圧信号線（ＣＬ）により、外部
回路から対向電圧（Ｖｃｏｍ）を対向電極（ＣＴ）に供
給する。

【００６２】また、対向電圧信号線（ＣＬ）上にもアル
ミニウム（Ａｌ）の陽極酸化膜（ＡＯＦ）が設けられて
いる。

【００６３】なお、対向電圧信号線（ＣＬ）はクロム
（Ｃｒ）で形成してもよく、また、対向電極（ＣＴ）お
よび対向電圧信号線（ＣＬ）は、上部透明ガラス基板
（ＳＵＢ２）（カラーフィルタ基板）側に形成してもよ
い。

【００６４】《絶縁膜（ＧＩ）》絶縁膜（ＧＩ）は、薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ）において、ゲート電極（Ｇ
Ｔ）と共に半導体層（ＡＳ）に電界を与えるためのゲー
ト絶縁膜として使用される。

【００６５】絶縁膜（ＧＩ）は、ゲート電極（ＧＴ）お
よび走査信号線（ＧＬ）の上層に形成されており、絶縁
膜（ＧＩ）としては、例えば、プラズマＣＶＤで形成さ
れた窒化シリコン膜が選ばれ、１２００〜２７００オン
グストロームの厚さに形成される。

【００６６】ゲート絶縁膜（ＧＩ）は、表示マトリクス
部（ＡＲ）の全体を囲むように形成され、周辺部は映像
信号線（ＤＬ）の接続用端子（ＤＴＭ）および走査信号
線（ＧＬ）の接続用端子（ＧＴＭ）が露出されるように
除去されている。

【００６７】絶縁膜（ＧＩ）は、走査信号線（ＧＬ）お
よび対向電圧信号線（ＣＬ）と、映像信号線（ＤＬ）と
の電気的絶縁にも寄与している。

【００６８】《ｉ型半導体層（ＡＳ）》ｉ型半導体層
（ＡＳ）は、非晶質シリコンで、２００〜２２００オン
グストロームの厚さに形成される。

【００６９】層（ｄ０）は、オーミックコンタクト用の
リン（Ｐ）をドープしたＮ（＋）型非晶質シリコン半導
体層であり、下側にｉ型半導体層（ＡＳ）が存在し、上
側に導電膜（ｄ１、ｄ２）が存在するところのみに残さ
れている。

【００７０】また、ｉ型半導体層（ＡＳ）を、走査信号
線（ＧＬ）および対向電圧信号線（ＣＬ）と映像信号線
（ＤＬ）との交差部（クロスオーバ部）の両者間にも設
けても良く、この場合には、交差部における走査信号線
（ＧＬ）および対向電圧信号線（ＣＬ）と映像信号線
（ＤＬ）との短絡を低減することができる。

【００７１】《ソース電極（ＳＤ１）、ドレイン電極
（ＳＤ２）》ソース電極（ＳＤ１）、ドレイン電極（Ｓ
Ｄ２）のそれぞれは、Ｎ（＋）型半導体層（ｄ０）に接
触する導電膜（ｄ１）とその上に形成された導電膜（ｄ
２）とから構成されている。

【００７２】導電膜（ｄ１）は、スパッタリングで形成
したクロム（Ｃｒ）膜を用い、５００〜１０００オング
ストロームの厚さに形成される。

【００７３】クロム（Ｃｒ）膜は、膜厚を厚く形成する
とストレスが大きくなるので、２０００オングストロー
ム程度の膜厚を越えない範囲で形成する。

【００７４】クロム（Ｃｒ）膜は、Ｎ（＋）型半導体層
（ｄ０）との接着性を良好にし、アルミニウム（Ａｌ）
系の導電膜（ｄ２）におけるアルミニウム（Ａｌ）がＮ
（＋）型半導体層（ｄ０）に拡散することを防止する
（いわゆるバリア層の）目的で使用される。

【００７５】導電膜（ｄ１）として、クロム（Ｃｒ）膜
の他に、高融点金属（モリブテン（Ｍｏ）、チタン（Ｔ
ｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ））膜、高
融点金属シリサイド（ＭｏＳｉ２、ＴｉＳｉ２、ＴａＳ
ｉ２、ＷＳｉ２）膜を用いてもよい。

【００７６】導電膜（ｄ２）としては、アルミニウム
（Ａｌ）系の導電膜をスパッタリングで３０００〜５０
００オングストロームの厚さに形成する。

【００７７】アルミニウム（Ａｌ）系の導電膜は、クロ
ム（Ｃｒ）膜に比べてストレスが小さく、厚い膜厚に形
成することが可能で、ソース電極（ＳＤ１）、ドレイン
電極（ＳＤ２）および映像信号線（ＤＬ）の抵抗値を低
減したり、ゲート電極（ＧＴ）やｉ型半導体層（ＡＳ）
に起因する段差乗り越えを確実にする（ステップカバー
レッジを良くする）働きがある。

【００７８】また、導電膜（ｄ１）、導電膜（ｄ２）を
同じマスクパターンでパターニングした後、同じマスク
を用いて、あるいは、導電膜（ｄ１）、導電膜（ｄ２）
をマスクとして、Ｎ（＋）型半導体層（ｄ０）が除去さ
れる。

【００７９】つまり、ｉ型半導体層（ＡＳ）上に残って
いたＮ（＋）型半導体層（ｄ０）は導電膜（ｄ１）、導
電膜（ｄ２）以外の部分がセルフアラインで除去され
る。

【００８０】このとき、Ｎ（＋）型半導体層（ｄ０）は
その厚さ分は全て除去されるようエッチングされるの
で、ｉ型半導体層（ＡＳ）も若干その表面部分がエッチ
ングされるが、その程度はエッチング時間で制御すれば
よい。

【００８１】《映像信号線（ＤＬ）》映像信号線（Ｄ
Ｌ）は、ソース電極（ＳＤ１）およびドレイン電極（Ｓ
Ｄ２）と同層に形成され、ソース電極（ＳＤ１）および
ドレイン電極（ＳＤ２）と同じく、導電膜（ｄ１）と、
その上に形成された導電膜（ｄ２）とで構成されてい
る。

【００８２】《画素電極（ＰＸ）》画素電極（ＰＸ）
は、ソース電極（ＳＤ１）およびドレイン電極（ＳＤ
２）と同層に形成され、ソース電極（ＳＤ１）およびド
レイン電極（ＳＤ２）と同じく、導電膜（ｄ１）と、そ
の上に形成された導電膜（ｄ２）とで構成されている。

【００８３】《蓄積容量（Ｃｓｔｇ）》画素電極（Ｐ
Ｘ）は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と接続される端部
と反対側の端部において、対向電圧信号線（ＣＬ）と重
なるように構成されている。

【００８４】この重ね合わせは、図４からも明らかなよ
うに、画素電極（ＰＸ）を一方の電極（ＰＬ２）とし、
対向電圧信号（ＣＬ）を他方の電極（ＰＬ１）とする蓄
積容量（静電容量素子）（Ｃｓｔｇ）を構成する。

【００８５】この蓄積容量（Ｃｓｔｇ）の誘電体膜は、
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のゲート絶縁膜として使用
される絶縁膜（ＧＩ）および陽極酸化膜（ＡＯＦ）で構
成されている。

【００８６】この蓄積容量（Ｃｓｔｇ）は、画素に書き
込まれた（薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）がオフした後
の）映像情報を、長く蓄積するために設けられる。

【００８７】本発明の実施の形態１の液晶表示パネルの
ように、電界を基板面と平行に印加する方式では、電界
を基板面に垂直に印加する方式と異なり、画素電極（Ｐ
Ｘ）と対向電極（ＣＴ）とで構成される容量（いわゆる
液晶容量（Ｃｐｉｘ））がほとんどないため、蓄積容量
（Ｃｓｔｇ）がないと映像情報を画素に蓄積することが
できない。

【００８８】したがって、電界を基板面と平行に印加す
る方式では、蓄積容量（Ｃｓｔｇ）は必須の構成要素で
ある。

【００８９】また、蓄積容量（Ｃｓｔｇ）は、薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ）がスイッチングするとき、画素電極
電位（Ｖｓ）に対するゲート電位変化（ΔＶG）の影響
を低減するようにも働く。

【００９０】そして、ゲート電位変化（ΔＶG）による
画素電極電位の変化分（ΔＶｓ）は、液晶層（ＬＣ）に
加わる直流成分の原因となるが、蓄積容量（Ｃｓｔｇ）
を大きくすればする程、その値を小さくすることができ
る。

【００９１】液晶層（ＬＣ）に印加される直流成分の低
減は、液晶層（ＬＣ）の寿命を向上し、液晶表示画面の
切り替え時に前の画像が残るいわゆる焼き付きを低減す
ることができる。

【００９２】また、前記したように、ゲート電極（Ｇ
Ｔ）は、ｉ型半導体層（ＡＳ）を完全に覆うよう大きく
されている分、ソース電極（ＳＤ１）、ドレイン電極
（ＳＤ２）とのオーバラップ面積が増え、従ってゲート
・ソース間の寄生容量（Ｃｇｓ）が大きくなり、画素電
極電位（Ｖｓ）は、ゲート電圧（走査信号電圧）（Ｖ
G）の影響を受け易くなるという逆効果が生じる。

【００９３】しかし、蓄積容量（Ｃｓｔｇ）を設けるこ
とによりこのデメリットも解消することができる。

【００９４】《保護膜（ＰＳＶ）》薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）上には、保護膜（ＰＳＶ）が設けられてい
る。

【００９５】保護膜（ＰＳＶ）は、主に薄膜トランジス
タ（ＴＦＴ）を湿気等から保護するために設けられてお
り、透明性が高く、しかも、耐湿性の良いものを使用す
る。

【００９６】保護膜（ＰＳＶ）は、例えば、プラズマＣ
ＶＤ装置で形成した酸化シリコン膜や窒化シリコン膜で
形成されており、１μｍ程度の膜厚に形成する。

【００９７】保護膜（ＰＳＶ）は、表示マトリクス部
（ＡＲ）の全体を囲むように形成され、周辺部は映像信
号線（ＤＬ）の接続用端子（ＤＴＭ）および走査信号線
（ＧＬ）の接続用端子（ＧＴＭ）が露出されるように除
去されている。

【００９８】保護膜（ＰＳＶ）とゲート絶縁膜（ＧＩ）
の厚さ関係に関しては、前者は保護効果を考え厚くさ
れ、後者はトランジスタの相互コンダクタンス（ｇｍ）
を考え薄くされる。

【００９９】従って、保護効果の高い保護膜（ＰＳＶ）
は、周辺部もできるだけ広い範囲に亘って保護するよう
ゲート絶縁膜（ＧＩ）よりも大きく形成されている。

【０１００】次に、図１、図２に戻り、上部透明ガラス
基板（ＳＵＢ２）側（カラーフィルタ基板）の構成を詳
しく説明する。

【０１０１】《遮光膜（ＢＭ）》上部透明ガラス基板
（ＳＵＢ２）側には、不要な間隙部（画素電極（ＰＸ）
と対向電極（ＣＴ）の間以外の隙間）からの透過光が表
示面側に出射して、コントラスト比等を低下させないよ
うに遮光膜（ＢＭ）（いわゆるブラックマトリクスパタ
ーン）が形成される。

【０１０２】遮光膜（ＢＭ）は、外部光またはバックラ
イト光がｉ型半導体層（ＡＳ）に入射しないようにする
役割も果たしている。

【０１０３】すなわち、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の
ｉ型半導体層（ＡＳ）は上下にある遮光膜（ＢＭ）およ
び大き目のゲート電極（ＧＴ）によってサンドイッチに
され、外部の自然光やバックライト光が当たらなくな
る。

【０１０４】図１に示す遮光膜（ＢＭ）の閉じた多角形
の輪郭線は、その内側が遮光膜（ＢＭ）が形成されない
開口を示している。

【０１０５】図５は、図１において、遮光層（ＢＭ）を
強調して示す図である。

【０１０６】遮光膜（ＢＭ）は、各画素の周囲に格子状
に形成され、この格子で１画素の有効表示領域が仕切ら
れており、したがって、各画素の輪郭が遮光膜（ＢＭ）
によってはっきりとする。

【０１０７】即ち、遮光膜（ＢＭ）は、ブラックマトリ
クスとｉ型半導体層（ＡＳ）に対する遮光との２つの機
能を持っている。

【０１０８】この遮光膜（ＢＭ）は、光に対する遮蔽性
を有し、かつ、画素電極（ＰＸ）と対向電極（ＣＴ）の
間の電界に影響を与えないように絶縁性の高い膜で形成
されており、本発明の実施の形態１の液晶表示パネルで
は、遮光膜（ＢＭ）は、黒色顔料を分散した絶縁性の有
機樹脂（レジスト材）で構成され、１．２μｍ程度の厚
さに形成されている。

【０１０９】《カラーフィルタ（ＦＩＬ）》カラーフィ
ルタ（ＦＩＬ）は、画素に対向する位置に赤、緑、青の
繰り返しでストライプ状に構成され、また、カラーフィ
ルタ（ＦＩＬ）は、遮光膜（ＢＭ）のエッジ部分と重な
るように構成されている。

【０１１０】カラーフィルタ（ＦＩＬ）は、次のように
して形成することができる。

【０１１１】まず、上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）の
表面にアクリル系樹脂等の染色基材を形成し、フォトリ
ソグラフィ技術で赤色フィルタ形成領域以外の染色基材
を除去する。

【０１１２】この後、染色基材を赤色染料で染め、固着
処理を施し、赤色フィルタ（Ｒ）を形成する。

【０１１３】つぎに、同様な工程を施すことによって、
緑色フィルタ（Ｇ）、青色フィルタ（Ｂ）を順次形成す
る。

【０１１４】《オーバーコート膜（平坦化膜；ＯＣ）》
オーバーコート膜（ＯＣ）は、カラーフィルタ（ＦＩ
Ｌ）から染料が液晶層（ＬＣ）へ漏洩するのを防止し、
および、カラーフィルタ（ＦＩＬ）、遮光膜（ＢＭ）に
よる段差を平坦化するために設けられている。

【０１１５】オーバーコート膜（ＯＣ）はたとえばアク
リル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂材料で形成されて
いる。

【０１１６】《表示マトリクス部（ＡＲ）周辺の構成》
図６は、本発明の実施の形態１の液晶表示パネルにおけ
る、上下透明ガラス基板（ＳＵＢ１、ＳＵＢ２）を含む
表示マトリクス（ＡＲ）部周辺の要部平面を示す図であ
る。

【０１１７】図６は、上下透明ガラス基板（ＳＵＢ１、
ＳＵＢ２）の切断後を表しており、図６に示すＬＮは両
基板の切断前の縁を示す。

【０１１８】図６に示す液晶表示パネルにおいて、完成
状態では外部接続端子群（Ｔｇ、Ｔｄ）および端子（Ｃ
ＴＭ）が存在する（図で上辺と左辺の）部分は、それら
が露出されるように上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）の
大きさが下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）よりも内側に
制限されている。

【０１１９】走査信号線（ＧＬ）の接続用端子（ＧＴ
Ｍ）および映像信号線（ＤＬ）の接続用端子（ＤＴＭ）
は、集積回路チップ（ＣＨＩ）が搭載されたテープキャ
リアパッケージ（ＴＣＰ）の単位に複数本まとめられ
た、外部接続端子群（Ｔｇ、Ｔｄ）を構成する。

【０１２０】表示マトリクス部（ＡＲ）の対向電圧信号
線（ＣＬ）は、接続用端子（ＧＴＭ）の反対側（図では
右側）に引き出し、各対向電圧信号線（ＣＬ）を第１の
共通バスライン（ＣＢ１）（対向電極接続信号線）で一
纏めにして、対向電極端子（ＣＴＭ）に接続している。

【０１２１】ここで、対向電極端子（ＣＴＭ）は、対向
電圧信号線（ＣＬ）を介して対向電極（ＣＴ））に対向
電圧（Ｖｃｏｍ）を外部回路から与えるための端子であ
る。

【０１２２】上下透明ガラス基板（ＳＵＢ１、ＳＵＢ
２）の間にはその縁に沿って、液晶封入口（ＩＮＪ）を
除き、液晶層（ＬＣ）を封止するようにシールパターン
（シール材；ＳＬ）が設けられる。

【０１２３】配向膜（ＯＲＩ１、ＯＲＩ２）の層は、シ
ールパターン（ＳＬ）の内側に形成され、また、偏光板
（ＰＯＬ１、ＰＯＬ２）は、それぞれ下部透明ガラス基
板（ＳＵＢ１）、上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）の外
側の表面に形成されている。

【０１２４】液晶層（ＬＣ）は、液晶分子の向きを設定
する下部配向膜（ＯＲＩ１）と上部配向膜（ＯＲＩ２）
との間でシールパターン（ＳＬ）で仕切られた領域に封
入される。

【０１２５】下部配向膜（ＯＲＩ１）は、下部透明ガラ
ス基板（ＳＵＢ１）側の保護膜（ＰＳＶ）の上部に形成
される。

【０１２６】本発明の実施の形態１の液晶表示パネルで
は、下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）、上部透明ガラス
基板（ＳＵＢ２）を別個に種々の層を積み重ねて形成し
た後、シールパターン（ＳＬ）を上部透明ガラス基板
（ＳＵＢ２）側に形成し、下部透明ガラス基板（ＳＵＢ
１）と上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）とを重ね合わ
せ、シールパターン（ＳＬ）の開口部（ＩＮＪ）から液
晶（ＬＣ）を注入し、注入口（ＩＮＪ）をエポキシ樹脂
などで封止し、上下基板を切断することによって組み立
てられる。

【０１２７】《表示装置全体等価回路》図７は、本発明
の実施の形態１の液晶表示パネルにおける表示マトリク
ス部（ＡＲ）の等価回路とその周辺回路の結線図を示す
図である。

【０１２８】なお、図７は、回路図ではあるが、実際の
幾何学的配置に対応して描かれている。

【０１２９】図７において、ＡＲは、複数の画素が２次
元状に配置された表示マトリクス部（マトリクス・アレ
イ）を示している。

【０１３０】また、ＰＸは画素電極を示し、添字Ｒ，Ｇ
およびＢが、それぞれ赤、緑および青の画素に対応して
付加されている。

【０１３１】また、マトリクス状に設けられた薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ）の中の列方向毎の複数の薄膜トラン
ジスタ（ＴＦＴ）のドレイン電極は、同じ映像信号線
（ＤＬ）に接続され、前記複数の映像信号線（ＤＬ）
は、液晶表示パネルの上部で、映像信号駆動回路（ドレ
インドライバ；Ｈ）に接続される。

【０１３２】ここで、映像信号線（ＤＬ）の出力端に
は、上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）側に設けられた補
助信号線（ＳＵＬ）を介して、映像信号（階調電圧）が
供給される。

【０１３３】また、マトリクス状に設けられた薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ）の中の行方向毎の複数の薄膜トラン
ジスタ（ＴＦＴ）のゲート電極は、同じ走査信号線（Ｇ
Ｌ）に接続され、前記複数の走査信号線（ＧＬ）は、液
晶表示パネルの一方の側面部で、垂直走査回路（ゲート
ドライバ；Ｖ）に接続される。

【０１３４】さらに、液晶層に基板と平行な方向に電界
を印加する対向電極（ＣＴ）が、前記マトリクス状に配
列された複数の画素電極（ＰＸ）毎に設けられ、前記マ
トリクス状に配列された画素の中の行方向毎の複数の画
素電極（ＰＸ）と対向する複数の対向電極（ＣＴ）は、
同じ対向電圧信号線（ＣＬ）に接続される。

【０１３５】前記したように、この対向電圧信号線（Ｃ
Ｌ）は、液晶表示パネルの他方の側面部で第１の共通バ
スライン（ＣＢ１）で一纏めされ、対向電極端子（ＣＴ
Ｍ）に引き出され、この対向電極端子（ＣＴＭ）には、
回路（ＳＵＰ）からの対向電圧（Ｖｃｏｍ）が印加され
る。

【０１３６】回路（ＳＵＰ）は、１つの電圧源から複数
の分圧した安定化された電圧源を得るための液晶駆動電
源回路や、ホスト（上位演算処理装置）からのＣＲＴ
（陰極線管）用の画像情報（表示用データ、制御信号）
を液晶表示装置用の画像情報（表示用データ、制御信
号）に変換する回路を含む回路である。

【０１３７】なお、垂直走査回路（Ｖ）および映像信号
駆動回路（Ｈ）は、回路（ＳＵＰ）の液晶駆動電源回路
から走査信号（走査電圧）および映像信号（階調電圧）
が供給され、また、前記対向電圧信号線（ＣＬ）に印加
される対向電圧（Ｖｃｏｍ）も回路（ＳＵＰ）の液晶駆
動電源回路から供給される。

【０１３８】さらに、回路（ＳＵＰ）は、ホストから画
像情報（表示用データ、制御信号）を液晶表示装置用の
画像情報（表示用データ、制御信号）に変換し、当該液
晶表示装置用の表示用データを映像信号駆動回路（Ｈ）
に、当該液晶表示装置用の制御信号を、垂直走査回路
（Ｖ）および映像信号駆動回路（Ｈ）に出力する。

【０１３９】図７に示す液晶表示パネルにおいては、情
報処理装置から回路（ＳＵＰ）に入力される制御信号に
基づき、垂直駆動回路（Ｖ）から前記複数の走査信号線
（ＧＬ）に順次走査信号（走査電圧）を印加して、走査
信号線（ＧＬ）に接続された複数の薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）を「ＯＮ」、「ＯＦＦ」し、そのタイミング
に合わせて映像信号駆動回路（Ｈ）から映像信号線（Ｄ
Ｌ）に映像信号（階調電圧）を印加して、前記画素電極
（ＰＸ）に階調電圧を印加する。

【０１４０】ここで、走査信号線（ＧＬ）のｙ０、ｙ
２、…ｙｅｎｄは走査タイミングの順序を示している。

【０１４１】《液晶層》液晶層（ＬＣ）の液晶材料とし
ては、誘電率異方性Δεが正で、その値が７．３（１ｋ
Ｈｚ）、屈折率異方性（Δｎ）が０．０７３（５８９ｎ
ｍ、２０℃）のネマチック液晶を用いる。

【０１４２】なお、液晶層（ＬＣ）の厚み（ギャップ）
は、ポリマビーズで制御している。

【０１４３】また、液晶層（ＬＣ）の液晶材料は、特に
限定したものではなく、誘電率異方性Δεは負でもよ
い。

【０１４４】さらに、誘電率異方性（Δε）は、その値
が大きいほうが、駆動電圧が低減でき、また、屈折率異
方性（Δｎ）は小さいほうが、液晶層（ＬＣ）の厚み
（ギャップ）を厚くでき、液晶の封入時間が短縮され、
かつギャップばらつきを少なくすることができる。

【０１４５】《初期配向方向》配向膜（ＯＲＩ１，ＯＲ
Ｉ２）としては、ポリイミドを用いる。

【０１４６】本発明の実施の形態１の液晶表示パネルで
は、上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）側の上部配向膜
（ＯＲＩ２）と、下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）側の
下部配向膜（ＯＲＩ１）との両方に、ラビング処理を施
すことにより、液晶分子の初期配向方向（φＬＣ）を制
御する。

【０１４７】図８は、本発明の実施の形態１の液晶表示
パネルにおける印加電界方向（ＥＤＲ）、ラビング方向
（ＲＤＲ）、偏光透過軸（ＭＡＸ１、ＭＡＸ２）の関係
を示す図である。

【０１４８】本発明の実施の形態１の液晶表示パネルで
は、画素電極（ＰＸ）と対向電極（ＣＴ）と間に印加さ
れる電界の方向（ＥＤＲ）に対して、配向膜（ＯＲＩ
１，ＯＲＩ２）のラビング方向（ＲＤＲ）の角度（φＬ
Ｃ）は、いずれも８５度となっている。

【０１４９】なお、ラビング方向（ＲＤＲ）と印加電界
方向（ＥＤＲ）とのなす角度は、液晶材料の誘電率異方
性Δεが正であれば、４５℃以上９０℃未満または、９
０°を超え１３５°以下、誘電率異方性Δεが負であれ
ば、液晶分子が電界方向に直交する方向に回転するの
で、０°を超え４５°以下または１４５℃以上１８０℃
未満でなければならない。

【０１５０】《偏光板》図８に示すように、偏光板（Ｐ
ＯＬ）としては、下側の偏光板（ＰＯＬ１）の偏光透過
軸（ＭＡＸ１）と印加電界方向（ＥＤＲ）となす角度
（φＰ）は、角度（φＬＣ）と等しく、上側の偏向板
（ＰＯＬ２）の偏光透過軸（ＭＡＸ２）は、それに直交
するように設定する。

【０１５１】そして、図９に示すように、下部透明ガラ
ス基板（ＳＵＢ１）に形成された対向電極（ＣＴ）と画
素電極（ＰＸ）との間に電圧を印加することによって、
液晶層（ＬＣ）に、上下透明ガラス基板（ＳＵＢ１，Ｓ
ＵＢ２）と平行な電界（Ｅ）を発生させ、これにより、
液晶層（ＬＣ）を透過する光を変調させて、画素に印加
される電圧（画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間の電圧）
を増加させるに伴い、透過率が上昇するノーマリクロー
ズ特性を得ることができた。

【０１５２】この場合に、偏光板（ＰＯＬ１，ＰＯＬ
２）の偏光透過軸と液晶分子の長軸方向のなす角が４５
°になるとき最大透過率を得ることができ、可視光の範
囲ないで波長依存性がほとんどない透過光を得ることが
できる。

【０１５３】なお、図９においては、液晶層（ＬＣ）の
層厚よりも画素電極（ＰＸ）と対向電極（ＣＴ）との平
面的に見た離間距離が小さく描かれているが、実際には
液晶層（ＬＣ）の層厚に対して画素電極（ＰＸ）と対向
電極（ＣＴ）との平面的に見た離間距離はかなり大きく
なっており、このため、前記電界（Ｅ）は上下透明ガラ
ス基板（ＳＵＢ１，ＳＵＢ２）に対して平行に発生する
ようになっている。

【０１５４】《補助信号線（ＳＵＬ）、シールパターン
（ＳＬ）》次に、本発明の特徴である補助信号線（ＳＵ
Ｌ）、シールパターン（ＳＬ）について説明する。

【０１５５】《補助信号線（ＳＵＬ）》本発明の実施の
形態１の液晶表示パネルは、主信号線として映像信号線
（ＤＬ）を選択し、映像信号線（ＤＬ）に対して補助信
号線（ＳＵＬ）を適用するようにした発明の実施の形態
である。

【０１５６】本発明の実施の形態１の液晶表示パネルで
は、上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）の液晶層（ＬＣ）
側の面に、相互に独立した補助信号線（ＳＵＬ）が、映
像信号線（ＤＬ）と平面的に見てほぼ重畳された配置で
形成されている。

【０１５７】即ち、本発明では、上部透明ガラス基板
（ＳＵＢ２）側の表面に、映像信号線（ＤＬ）と平行に
配置された補助信号線（ＳＵＬ）、補助信号線（ＳＵ
Ｌ）を覆って形成された遮光層（ＢＭ）、遮光層（Ｂ
Ｍ）の間に形成されるカラーフィルタ（ＦＩＲ）、遮光
層（ＢＭ）及びカラーフィルタ（ＦＩＲ）を被って形成
されたオーバーコート膜（ＯＣ）が設けられる。

【０１５８】図１０は、図１において、補助信号線（Ｓ
ＵＬ）を強調して示す図である。

【０１５９】また、本発明の実施の形態１の液晶表示パ
ネルでは、上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）に直接補助
信号線（ＳＵＬ）を形成している。

【０１６０】このため、本発明の実施の形態１の液晶表
示パネルでは、補助信号線（ＳＵＬ）の材料として、金
属材料、透明導電材料のいずれも用いることができ、補
助信号線（ＳＵＬ）の材料選択の自由度が増大する。

【０１６１】さらに、補助信号線（ＳＵＬ）と上部透明
ガラス基板（ＳＵＢ２）との密着力が充分確保できるた
め、補助信号線（ＳＵＬ）のはがれ、断線等の不良を最
小限に押さえることもできる。

【０１６２】補助信号線（ＳＵＬ）としては、クロム
（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、高融点金属（モリブ
テン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タ
ングステン（Ｗ））、あるいは、数元素からなる合金を
用いることがきる。

【０１６３】本発明の実施の形態１の液晶表示パネルで
は、補助信号線（ＳＵＬ）の材料として、クロム（Ｃ
ｒ）を用いて、補助信号線（ＳＵＬ）の抵抗率を低減さ
せている。

【０１６４】さらに、補助信号線（ＳＵＬ）として、高
融点金属シリサイド（ＭｏＳｉ２、ＴｉＳｉ２、ＴａＳ
ｉ２、ＷＳｉ２）膜を用いることもできる。

【０１６５】《シールパターン（ＳＬ）》本発明の実施
の形態１の液晶表示パネルでは、シールパターン（Ｓ
Ｌ）は、上下透明ガラス基板（ＳＵＢ１，ＳＵＢ２）の
基板面と垂直な方向に導電性を有し、上下透明ガラス基
板（ＳＵＢ１，ＳＵＢ２）の基板面と平行な方向には導
電性を有さない、異方性導電性材料で構成される。

【０１６６】映像信号線（ＤＬ）の入力端及び出力端に
相当する領域は、映像信号線（ＤＬ）と補助信号線（Ｓ
ＵＬ）の接続領域（ＣＮＡ）を構成する。

【０１６７】図１１は、本発明の実施の形態１の液晶表
示パネルにおける映像信号線（ＤＬ）と補助信号線（Ｓ
ＵＬ）との関係を示す模式断面図である。

【０１６８】なお、図１１においては、接続領域（ＣＮ
Ａ）間のパネル内部の構造は、模式図として説明するた
め簡略化して示してある。

【０１６９】即ち、図１１では、接続領域（ＣＮＡ）に
おける映像信号線（ＤＬ）と補助信号線（ＳＵＬ）の接
続を示すのが目的であるため、表示マトリクス部（Ａ
Ｒ）は省略してある。

【０１７０】図１１に示すように、接続領域（ＣＮＡ）
の下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）には、配向膜（ＯＲ
１）と保護膜（ＰＳＶ）がなく、映像信号線（ＤＬ）が
露出している。

【０１７１】また、接続領域（ＣＮＡ）の上部透明ガラ
ス基板（ＳＵＢ２）には、遮光層（ＢＭ）、オーバーコ
ート膜（ＯＣ）、配向膜（ＯＲ２）がなく、補助信号線
（ＳＵＬ）が露出している。

【０１７２】図１２は、本発明の実施の形態１の液晶表
示パネルにおける露出された映像信号線（ＤＬ）と補助
信号線（ＳＵＬ）とが異方性導電性材料で構成されるシ
ールパターン（ＳＬ）により接続される接続領域（ＣＮ
Ａ）の模式平面図である。

【０１７３】図１２に示すように、本発明の実施の形態
１の液晶表示パネルでは、露出した映像信号線（ＤＬ）
と補助信号線（ＳＵＬ）とが、入力端及び出力端の双方
でシールパターン（ＳＬ）を介してそれぞれ相互に接続
される。

【０１７４】したがって、図７に示すように、本発明の
実施の形態１の液晶表示パネルでは、入力端および補助
信号線（ＳＵＬ）を介して出力端から、映像信号線（Ｄ
Ｌ）に映像信号（階調電圧）が供給される。

【０１７５】本発明の実施の形態１の液晶表示パネルに
おいては、例えば、導電性ビーズ（ＡＣＢ）が分散され
た合成樹脂を、シールパターン（ＳＬ）を構成する異方
性導電性材料として使用することができる。

【０１７６】この場合に、合成樹脂に分散される導電性
ビーズ（ＡＣＢ）の分散量を適切に設定することによ
り、接続領域（ＣＮＡ）で露出した映像信号線（ＤＬ）
と補助信号線（ＳＵＬ）との接続を行い、かつ、隣接す
る露出した映像信号線（ＤＬ）間および露出した補助信
号線（ＳＵＬ）間での短絡を防ぐことが可能である。

【０１７７】図１３は、本発明の実施の形態１の液晶表
示パネルにおいて、シールパターン（ＳＬ）を構成する
異方性導電性材料として、導電性ビーズ（ＡＣＢ）が分
散された合成樹脂を使用した場合の、合成樹脂中の導電
性ビーズ（ＡＣＢ）の分散の様子を示す図である。

【０１７８】図１３に示す導電性ビーズ（ＡＣＢ）とし
ては、透明導電膜を塗布したビーズ、金属分を塗布した
ビーズ、カーボンを塗布したビーズ、あるいは、金属製
のビーズ等の導電性を有するビーズであれば、全て使用
可能である。

【０１７９】また、本発明の実施の形態１の液晶表示パ
ネルにおいては、図１３に示す導電性ビーズ（ＡＣＢ）
の代わりに、導電性ファイバ（ＡＣＦ）を用いることが
できる。

【０１８０】図１４は、本発明の実施の形態１の液晶表
示パネルにおいて、シールパターン（ＳＬ）を構成する
異方性導電性材料として、導電性ファイバ（ＡＣＦ）が
分散された合成樹脂を使用した場合の、合成樹脂中の導
電性ファイバ（ＡＣＦ）の分散の様子を示す図である。

【０１８１】図１３に示す導電性ビーズ（ＡＣＢ）に代
えて、導電性ファイバ（ＡＣＦ）を使用することによ
り、ギャップ長の均一性を向上させることが可能であ
る。

【０１８２】以上説明したように、本発明の実施の形態
１における横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表
示装置の液晶表示パネルでは、映像信号線（ＤＬ）の出
力端に、補助信号線（ＳＵＬ）を介して映像信号（階調
電圧）が供給されるので、映像信号線（ＤＬ）の入力端
および出力端の双方から映像信号（階調電圧）を供給す
ることが可能となる。

【０１８３】補助信号線（ＳＵＬ）を有さない従来の横
電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置の液晶
表示パネルにおいては、映像信号線（ＤＬ）の入力端と
出力端の間のいずれかの領域で１箇所の切断が生じた場
合、それは即配線欠陥となり、液晶表示パネル全体が不
良となって、歩留まりの低減を招いていた。

【０１８４】しかしながら、本発明の実施の形態１の横
電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置の液晶
表示パネルでは、２箇所の接続領域（ＣＮＡ）間のいず
れかの領域で映像信号線（ＤＬ）に１箇所の断線が生じ
ても、それにより即配線欠陥となることはない。

【０１８５】したがって、従来の横電界方式のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置の液晶表示パネルに比べ、
本発明の実施の形態１の液晶表示パネルでは歩留まりを
大幅に向上させることが可能となる。

【０１８６】なお、本発明の実施の形態１において、遮
光膜（ＢＭ）として金属等の導電性を有する材料を使用
すると、遮光膜（ＢＭ）と補助信号線（ＳＵＬ）が、相
異なる補助信号線（ＳＵＬ）と遮光膜（ＢＭ）間で短絡
した場合に、配線欠陥となり、歩留まり低下の危険があ
る。

【０１８７】また、短絡しない場合においても、遮光膜
（ＢＭ）と補助信号線（ＳＵＬ）間の容量が大きくなる
ため、補助信号線（ＳＵＬ）の負荷が増大することにな
る。

【０１８８】これはすなわち、補助信号線（ＳＵＬ）と
接続された映像信号線（ＤＬ）の負荷が増大することで
あり、この場合映像信号線（ＤＬ）の信号波形に遅延が
生じ、画質が劣化することになる。

【０１８９】これらの理由より、本発明の実施の形態１
において、遮光膜（ＢＭ）として絶縁性材料を使用して
いる。

【０１９０】［発明の実施の形態２］前記発明の実施の
形態１の液晶表示パネルでは、主信号線として映像信号
線（ＤＬ）を選択し、映像信号線（ＤＬ）に対して補助
信号線（ＳＵＬ）を適用するようにしたが、主信号線と
して走査信号線（ＧＬ）あるいは対向電圧信号線（Ｃ
Ｌ）を選択し、走査信号線（ＧＬ）あるいは対向電圧信
号線（ＣＬ）に対して補助信号線（ＳＵＬ）を適用する
ことも可能である。

【０１９１】本発明の実施の形態２の液晶表示パネル
は、主信号線として走査信号線（ＧＬ）を選択し、走査
信号線（ＧＬ）に対して補助信号線（ＳＵＬ）を適用し
た発明の実施の形態である。

【０１９２】図１５は、本発明の他の実施の形態（発明
の実施の形態２）である横電界方式のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置における液晶表示パネルの走査信号
線（ＧＬ）と補助信号線（ＳＵＬ）との関係を示す模式
断面図である。

【０１９３】なお、図１５においても、接続領域（ＣＮ
Ａ）間のパネル内部の構造は、模式図として説明するた
め簡略化し、表示マトリクス部（ＡＲ）は省略してあ
る。

【０１９４】本発明の実施の形態２の液晶表示パネル
は、絶縁膜（ＧＩ）が保護膜（ＰＳＶ）と積層されてい
る点で、前記本発明の実施の形態１の液晶表示パネルと
相違している。

【０１９５】なお、走査信号線（ＧＬ）と対向電圧信号
線（ＣＬ）とを、下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）上に
同層に構成し、また、対向電圧信号線（ＣＬ）を、表示
マトリクス部（ＡＲ）の他方の側面部に引き出し第１の
共通バスライン（ＣＢ１）で一纏めにし、対向電極端子
（ＣＴＭ）に接続する場合には、走査信号線（ＧＬ）の
接続用端子（ＧＴＭ）の反対側の端部に走査信号線（Ｇ
Ｌ）を引き出すことができない。

【０１９６】そのため、本発明の実施の形態２の液晶表
示パネルでは、走査信号線（ＧＬ）の出力端側の下部透
明ガラス基板（ＳＵＢ１）の構成において、走査信号線
（ＧＬ）の接続用端子（ＧＴＭ）の反対側の端部に走査
信号線（ＧＬ）を引き出せるような構成が必要となる。

【０１９７】図１６は、本発明の実施の形態２の液晶表
示パネルにおける走査信号線（ＧＬ）の出力端側の下部
透明ガラス基板（ＳＵＢ１）の一例の概略構成を示す模
式図であり、図１６（ａ）は、その模式平面図、図１６
（ｂ）は、図１６（ａ）に示すＡ−Ａ’切断線における
模式断面図、図１６（ｃ）は、図１６（ａ）に示すＢ−
Ｂ’切断線における模式断面図である。

【０１９８】図１６に示す例では、第１の共通バスライ
ン（ＣＢ１）を絶縁膜（ＧＩ）の上に設け、スルーホー
ルを介して各対向電圧信号線（ＣＬ）と第１の共通バス
ライン（ＣＢ１）とを接続し、また、第１の共通バスラ
イン（ＣＢ１）の外側に、走査信号線（ＧＬ）の出力端
側の接続領域（ＣＮＡ）を設け、この接続領域（ＣＮ
Ａ）において、シールパターン（ＳＬ）を介して、走査
信号線（ＧＬ）と補助信号線（ＳＵＬ）とを接続するよ
うにしたものである。

【０１９９】［発明の実施の形態３］前記発明の実施の
形態２の液晶表示パネルでは、主信号線として走査信号
線（ＧＬ）を選択し、走査信号線（ＧＬ）に対して補助
信号線（ＳＵＬ）を適用したが、本発明の実施の形態３
の液晶表示パネルは、走査信号線（ＧＬ）と対向電圧信
号線（ＣＬ）とを、下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）上
に同層に構成し、主信号線として対向電圧信号線（Ｃ
Ｌ）を選択し、対向電圧信号線（ＣＬ）に対して補助信
号線（ＳＵＬ）を適用した場合の実施の形態である。

【０２００】本発明の実施の形態３の液晶表示パネルに
おける対向電圧信号線（ＣＬ）と補助信号線（ＳＵＬ）
との関係は、前記図１４と同様の構成となる。

【０２０１】なお、本発明の実施の形態３の液晶表示パ
ネルでは、走査信号線（ＧＬ）の入力端側で、走査信号
線（ＧＬ）と対向電圧信号線（ＣＬ）とが近接してい
る。

【０２０２】そのため、走査信号線（ＧＬ）の入力端側
で、対向電圧信号線（ＣＬ）と補助信号線（ＳＵＬ）と
をシールパターン（ＳＬ）を介して接続する場合には、
例えば、絶縁膜（ＧＩ）にスルーホールを設け、当該ス
ルーホールによりシールパターン（ＳＬ）を介して対向
電圧信号線（ＣＬ）と補助信号線（ＳＵＬ）とを接続す
る等、走査信号線（ＧＬ）の入力端側の下部透明ガラス
基板（ＳＵＢ１）の構成において、対向電圧信号線（Ｃ
Ｌ）と補助信号線（ＳＵＬ）との短絡を防止するための
構成が必要である。

【０２０３】図１７は、本発明の他の実施の形態（発明
の実施の形態３）である横電界方式のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置の液晶表示パネルにおける、走査信
号線（ＧＬ）の入力端側の下部透明ガラス基板（ＳＵＢ
１）の一例の概略構成を示す模式図であり、図１７
（ａ）は、その模式平面図を、図１７（ｂ）は、図１７
（ａ）に示すＣ−Ｃ’切断線における模式断面図であ
る。

【０２０４】図１７に示す例では、走査信号線（ＧＬ）
の入力端側の絶縁膜（ＧＩ）の上に第２の共通バスライ
ン（ＣＢ２）を設け、スルーホールを介して各対向電圧
信号線（ＣＬ）出力端と第２の共通バスライン（ＣＢ
２）とを接続し、また、第２の共通バスライン（ＣＢ
２）の上にシールパターン（ＳＬ）を設け、シールパタ
ーン（ＳＬ）を介して、対向電圧信号線（ＣＬ）と補助
信号線（ＳＵＬ）とを接続するようにしたものである。

【０２０５】なお、この場合に、各対向電圧信号線（Ｃ
Ｌ）には、同じ対向電圧（Ｖｃｏｍ）が供給されるの
で、補助信号線（ＳＵＬ）を各対向電圧信号線（ＣＬ）
毎に設けずに、複数本設けるようにしてもよく、また、
第１の第１の共通バスライン（ＣＢ１）上にシールパタ
ーン（ＳＬ）を設けるようにしてもよい。

【０２０６】［発明の実施の形態４］図１８は、本発明
の他の実施の形態（発明の実施の形態４）である横電界
方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置の液晶表示
パネルにおける映像信号線（ＤＬ）と補助信号線（ＳＵ
Ｌ）との関係を示す模式断面図である。

【０２０７】なお、図１８においても、接続領域（ＣＮ
Ａ）間のパネル内部の構造は、模式図として説明するた
め簡略化し、表示マトリクス部（ＡＲ）は省略してあ
る。

【０２０８】本発明の他の実施の形態４の液晶表示パネ
ルは、補助信号線（ＳＵＬ）をオーバーコート膜（Ｏ
Ｃ）の上に設けるようにした点で、前記発明の実施の形
態１の液晶表示パネルと相違する。

【０２０９】本発明の他の実施の形態４の液晶表示パネ
ルでは、遮光膜（ＢＭ）が下部透明ガラス基板（ＳＵＢ
１）上に直接形成されるため、遮光膜（ＢＭ）の密着性
を向上させることができるので、遮光膜（ＢＭ）のはが
れに起因する不良を低減することが可能となる。

【０２１０】［発明の実施の形態５］図１９は、本発明
の他の実施の形態（発明の実施の形態５）である横電界
方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置における液
晶表示パネルの映像信号線（ＤＬ）と補助信号線（ＳＵ
Ｌ）との関係を示す模式断面図である。

【０２１１】なお、図１９においても、接続領域（ＣＮ
Ａ）間のパネル内部の構造は、模式図として説明するた
め簡略化し、表示マトリクス部（ＡＲ）は省略してあ
る。

【０２１２】本発明の実施の形態５の液晶表示パネル
は、接続領域（ＣＮＡ）において、補助信号線（ＳＵ
Ｌ）の下に遮光膜（ＢＭ）およびオーバーコート膜（Ｏ
Ｃ）を設けるようにした点で、前記発明の実施の形態４
の液晶表示パネルと相違している。

【０２１３】前記発明の実施の形態４の液晶表示パネル
場合には、下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）から補助信
号線（ＳＵＬ）までの厚みが、液晶層（ＬＣ）内部と接
続領域（ＣＮＡ）とで異なるため、液晶層（ＬＣ）のギ
ャップ精度が低下するという問題が生じる。

【０２１４】しかしながら、本発明の実施の形態５の液
晶表示パネルでは、下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）か
ら補助信号線（ＳＵＬ）までの厚みが、液晶層（ＬＣ）
内部と接続領域（ＣＮＡ）で同一となるため、前記発明
の実施の形態４の場合よりも、液晶層（ＬＣ）ギャップ
精度を向上させることができ、表示むらを低減すること
が可能となる。

【０２１５】［発明の実施の形態６］図２０は、本発明
の他の実施の形態（発明の実施の形態６）である横電界
方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置における液
晶表示パネルの映像信号線（ＤＬ）と補助信号線（ＳＵ
Ｌ）との関係を示す模式断面図である。

【０２１６】なお、図２０においても、接続領域（ＣＮ
Ａ）間のパネル内部の構造は、模式図として説明するた
め簡略化し、表示マトリクス部（ＡＲ）は省略してあ
る。

【０２１７】本発明の実施の形態６の液晶表示パネル
は、接続領域（ＣＮＡ）における補助信号線（ＳＵＬ）
を、透明導電体（ＴＥＣ）で構成した点で、前記発明の
実施の形態５の液晶表示パネルと相違する。

【０２１８】これにより、本発明の実施の形態６の液晶
表示パネルでは、接続領域（ＣＮＡ）における補助信号
線（ＳＵＬ）の腐食を防止することが可能となる。

【０２１９】なお、本発明の実施の形態６の液晶表示パ
ネルでは、透明導電体（ＴＥＣ）として、ＩＴＯ（Ｉｎ
ｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、酸化スズ（Ｓｎ
Ｏ₂）あるいは酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）等を主成分
とする酸化物透明導電体が使用可能である。

【０２２０】［発明の実施の形態７］図２１は、本発明
の他の実施の形態（発明の実施の形態７）である横電界
方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置における液
晶表示パネルの映像信号線（ＤＬ）と補助信号線（ＳＵ
Ｌ）との関係を示す模式断面図である。

【０２２１】なお、図２１においても、接続領域（ＣＮ
Ａ）間のパネル内部の構造は、模式図として説明するた
め簡略化し、表示マトリクス部（ＡＲ）は省略してあ
る。

【０２２２】本発明の実施の形態７の液晶表示パネル
は、接続領域（ＣＮＡ）において、補助信号線（ＳＵ
Ｌ）に対する主信号線である映像信号線（ＤＬ）も透明
導電体（ＴＥＣ）で構成した点で、前記発明の実施の形
態６の液晶表示パネルと相違する。

【０２２３】これにより、本発明の実施の形態７の液晶
表示パネルでは、接続領域（ＣＮＡ）での主信号線であ
る映像信号線（ＤＬ）の腐食も防止することができ、長
期的信頼性を大幅に向上させることが可能となる。

【０２２４】なお、本発明の実施の形態７の液晶表示パ
ネルでも、透明導電体（ＴＥＣ）として、ＩＴＯ（Ｉｎ
ｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、酸化スズ（Ｓｎ
Ｏ₂）あるいは酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）等を主成分
とする酸化物透明導電体が使用可能である。

【０２２５】［発明の実施の形態８］図２２は、本発明
の他の実施の形態（発明の実施の形態８）である横電界
方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置における液
晶表示パネルの映像信号線（ＤＬ）と補助信号線（ＳＵ
Ｌ）との関係を示す模式断面図である。

【０２２６】なお、図２２においても、接続領域（ＣＮ
Ａ）間のパネル内部の構造は、模式図として説明するた
め簡略化し、表示マトリクス部（ＡＲ）は省略してあ
る。

【０２２７】本発明の実施の形態８の液晶表示パネル
は、補助信号線（ＳＵＬ）そのものを、透明導電体（Ｔ
ＥＣ）で構成した点で、前記発明の実施の形態７の液晶
表示パネルと相違する。

【０２２８】これにより、本発明の実施の形態８の液晶
表示パネルでは、補助信号線（ＳＵＬ）を１種類の材料
で構成できるため、工程が簡略化でき、長期的信頼性と
生産性の両立を図ることが可能となる。

【０２２９】さらに、接続領域（ＣＮＡ）での主信号線
である映像信号線（ＤＬ）の腐食も防止することがで
き、長期的信頼性を大幅に向上させることが可能とな
る。

【０２３０】なお、本発明の実施の形態８の液晶表示パ
ネルでも、透明導電体（ＴＥＣ）として、ＩＴＯ（Ｉｎ
ｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、酸化スズ（Ｓｎ
Ｏ₂）あるいは酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）等を主成分
とする酸化物透明導電体が使用可能である。

【０２３１】また、前記各発明の実施の形態では、本発
明を、横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装
置に適用した場合について説明したが、本発明を、縦電
界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置に適用し
て、主信号線に対して、断線に対する冗長性を持たせる
ことも可能である。

【０２３２】ただし、縦電界方式のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の液晶表示パネルでは、その原理上、
補助信号線（ＳＵＬ）を形成する上部透明ガラス基板
（ＳＵＢ２）側に透明導電体による共通電極（ＣＯＭ）
を形成することが必要である。

【０２３３】したがって、縦電界方式のアクティブマト
リクス型液晶表示装置に、本発明を適用する場合には、
共通電極（ＣＯＭ）と補助信号線（ＳＵＬ）間の短絡を
防ぐための構成が必要となる。

【０２３４】具体的には、補助信号線（ＳＵＬ）と共通
電極（ＣＯＭ）とを絶縁材料で異層化する必要がある
が、しかしながら、この場合には、補助信号線（ＳＵ
Ｌ）と共通電極（ＣＯＭ）との間の負荷容量が増大す
る。

【０２３５】また、補助信号線（ＳＵＬ）と共通電極
（ＣＯＭ）とが１箇所でも短絡した場合には、即、主信
号線（映像信号線（ＤＬ）あるいは走査信号線（Ｇ
Ｌ））と共通電極（ＣＯＭ）との短絡となって、配線欠
陥となり、当該液晶表示パネル全体が不良となる。

【０２３６】このことを考慮すると、本発明を、縦電界
方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置の液晶表示
パネルに適用した場合には、場合によっては本発明は歩
留まりの改善に結び付かないこともありうる。

【０２３７】したがって、本発明は、上部透明ガラス基
板（ＳＵＢ２）側に対向電極（ＣＴ）を設けていない、
横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置の液
晶表示パネルに適用して最も効果を発揮する。

【０２３８】さらに、横電界方式のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の液晶表示パネルでは、信号線の配線
間交差乗り越え部が増大するため、本来縦電界方式のア
クティブマトリクス型液晶表示装置の液晶表示パネルよ
りも信号線の断線確率が増大するが、本発明を適用する
ことにより、主信号線に対して、断線に対する冗長性を
持たせることができるため、むしろ縦電界方式のアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置の液晶表示パネルより
も、信号線の断線を起因とする不良率を低減することも
可能である。

【０２３９】以上、本発明を発明の実施の形態に基づき
具体的に説明したが、本発明は、前記発明の実施の形態
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更し得ることは言うまでもない。

【０２４０】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。

【０２４１】（１）本発明によれば、アクティブマトリ
クス型液晶表示装置の液晶表示パネルにおいて、主信号
線に対して、断線に対する冗長性を持たせることができ
るので、液晶表示パネルの歩留まりを向上させることが
可能となる。

【０２４２】特に、横電界方式のアクティブマトリクス
型液晶表示装置に使用される液晶表示パネルの歩留りを
大幅に向上させることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一発明の実施の形態（発明の実施の形
態１）である横電界方式のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の液晶表示パネルにおける一画素とその周辺を
示す平面図である。

【図２】図１に示す３−３切断線における断面を示す断
面図である。

【図３】図１に示す４−４切断線における薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ）の断面を示す断面図である。

【図４】図１に示す５−５切断線における蓄積容量（Ｃ
ｓｔｇ）の断面を示す断面図である。

【図５】図１において、遮光層（ＢＭ）を強調して示す
図である。

【図６】本発明の実施の形態１の液晶表示パネルにおけ
る、上下透明ガラス基板（ＳＵＢ１、ＳＵＢ２）を含む
表示マトリクス（ＡＲ）部周辺の要部平面を示す図であ
る。

【図７】本発明の実施の形態１の液晶表示パネルにおけ
る表示マトリクス部（ＡＲ）の等価回路とその周辺回路
の結線図を示す図である。

【図８】本発明の実施の形態１の液晶表示パネルにおけ
る印加電界方向（ＥＤＲ）、ラビング方向（ＲＤＲ）、
偏光透過軸（ＭＡＸ１、ＭＡＸ２）の関係を示す図であ
る。

【図９】本発明の実施の形態１の液晶表示パネルにおけ
る液晶層（ＬＣ）に印加される電界を説明するための図
である。

【図１０】図１において、補助信号線（ＳＵＬ）を強調
して示す図である。

【図１１】本発明の実施の形態１の液晶表示パネルにお
ける映像信号線（ＤＬ）と補助信号線（ＳＵＬ）との関
係を示す模式断面図である。

【図１２】本発明の実施の形態１の液晶表示パネルにお
ける露出された映像信号線（ＤＬ）と補助信号線（ＳＵ
Ｌ）とが異方性導電性材料で構成されるシールパターン
（ＳＬ）により接続される接続領域（ＣＮＡ）の模式平
面図である。

【図１３】本発明の実施の形態１の液晶表示パネルにお
いて、シールパターン（ＳＬ）を構成する異方性導電性
材料として、導電性ビーズ（ＡＣＢ）が分散された合成
樹脂を使用した場合の、合成樹脂中の導電性ビーズ（Ａ
ＣＢ）の分散の様子を示す図である。

【図１４】本発明の実施の形態１の液晶表示パネルにお
いて、シールパターン（ＳＬ）を構成する異方性導電性
材料として、導電性ファイバ（ＡＣＦ）が分散された合
成樹脂を使用した場合の、合成樹脂中の導電性ファイバ
（ＡＣＦ）の分散の様子を示す図である。

【図１５】本発明の他の実施の形態（発明の実施の形態
２）である横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表
示装置の液晶表示パネルにおける走査信号線（ＧＬ）と
補助信号線（ＳＵＬ）との関係を示す模式断面図であ
る。

【図１６】本発明の実施の形態２の液晶表示パネルにお
ける走査信号線（ＧＬ）の出力端側の下部透明ガラス基
板（ＳＵＢ１）の一例の概略構成を示す模式図である。

【図１７】本発明の他の実施の形態（発明の実施の形態
３）である横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表
示装置の液晶表示パネルにおける、走査信号線（ＧＬ）
の入力端側の下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）の一例の
概略構成を示す模式図である。

【図１８】本発明の他の実施の形態（発明の実施の形態
４）である横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表
示装置の液晶表示パネルにおける映像信号線（ＤＬ）と
補助信号線（ＳＵＬ）との関係を示す模式断面図であ
る。

【図１９】本発明の他の実施の形態（発明の実施の形態
５）である横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表
示装置の液晶表示パネルにおける映像信号線（ＤＬ）と
補助信号線（ＳＵＬ）との関係を示す模式断面図であ
る。

【図２０】本発明の他の実施の形態（発明の実施の形態
６）である横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表
示装置の液晶表示パネルにおける映像信号線（ＤＬ）と
補助信号線（ＳＵＬ）との関係を示す模式断面図であ
る。

【図２１】本発明の他の実施の形態（発明の実施の形態
７）である横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表
示装置の液晶表示パネルにおける映像信号線（ＤＬ）と
補助信号線（ＳＵＬ）との関係を示す模式断面図であ
る。

【図２２】本発明の他の実施の形態（発明の実施の形態
８）である横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表
示装置の液晶表示パネルにおける映像信号線（ＤＬ）と
補助信号線（ＳＵＬ）との関係を示す模式断面図であ
る。

【符号の説明】

ＳＵＢ…透明ガラス基板、ＧＬ…走査信号線、ＤＬ…映
像信号線、ＣＬ…対向電圧信号線、ＰＸ…画素電極、Ｃ
Ｔ…対向電極、ＧＩ…絶縁膜、ＧＴ…ゲート電極、ＡＳ
…ｉ型半導体層、ＳＤ…ソース電極またはドレイン電
極、ＰＯＬ…偏光板、ＯＲＩ…配向膜、ＯＣ…オーバー
コート膜、ＰＳＶ…保護膜、ＢＭ…遮光膜、ＦＩＬ…カ
ラーフィルタ、ＬＣ…液晶層、ＴＦＴ…薄膜トランジス
タ、Ｃｓｔｇ…蓄積容量、ＡＯＦ…陽極酸化膜、ＣＢ…
共通バスライン、ＣＴＭ…対向電極端子、ＰＮＬ…液晶
表示パネル、ＳＵＬ…補助信号線、ＡＣＢ…導電性ビー
ズ、ＡＣＦ…導電性ファイバ、ＴＥＣ…透明導電体。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２Ｃ (72)発明者 芦沢 啓一郎 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 志村 正人 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の基板と第２の基板とからなる一対
   の基板と、前記一対の基板間に挟持される液晶層とを有
   し、複数の画素がマトリクス状に設けられた液晶表示パ
   ネルを具備するアクティブマトリクス型液晶表示装置で
   あって、前記複数の画素のそれぞれに、各画素内の液晶
   層を駆動する信号電圧を供給する複数の主信号線が、前
   記第１の基板あるいは前記第２の基板のいずれか一方の
   基板上に設けられたアクティブマトリクス型液晶表示装
   置において、前記主信号線と平面的にほぼ重畳し、互い
   に独立した複数の補助信号線が前記第２の基板上に設け
   られ、前記主信号線と前記補助信号線とが、前記主信号
   線の入力端および出力端の双方で、それぞれ電気的に接
   続されていることを特徴とするアクティブマトリクス型
   液晶表示装置。
2. 【請求項２】 前記第２の基板上に遮光膜が設けられ、
   前記遮光膜が絶縁性材料で構成されることを特徴とする
   請求項１に記載されたアクティブマトリクス型液晶表示
   装置。
3. 【請求項３】 前記補助信号線が前記第２の基板上に直
   接形成され、さらに、前記第２の基板上の前記主信号線
   と前記補助信号線とがそれぞれ電気的に接続される領域
   以外の領域に前記補助信号線を覆って遮光膜が形成さ
   れ、また、前記一方の基板上の前記主信号線と前記補助
   信号線とがそれぞれ電気的に接続される領域において、
   前記主信号線が露出されていることを特徴とする請求項
   １または請求項２に記載されたアクティブマトリクス型
   液晶表示装置。
4. 【請求項４】 前記第２の基板上の前記主信号線と前記
   補助信号線とがそれぞれ電気的に接続される領域以外の
   領域に遮光膜が直接形成され、さらに、前記補助信号線
   が前記遮光膜の上に形成され、また、前記一方の基板上
   の前記主信号線と前記補助信号線とがそれぞれ電気的に
   接続される領域において、前記主信号線が露出されてい
   ることを特徴とする請求項１または請求項２に記載され
   たアクティブマトリクス型液晶表示装置。
5. 【請求項５】 前記第２の基板上の前記主信号線と前記
   補助信号線とがそれぞれ電気的に接続される領域を含む
   領域に遮光膜が直接形成され、さらに、前記補助信号線
   が前記遮光膜の上に形成され、また、前記一方の基板上
   の前記主信号線と前記補助信号線とがそれぞれ電気的に
   接続される領域において、前記主信号線が露出されてい
   ることを特徴とする請求項１または請求項２に記載され
   たアクティブマトリクス型液晶表示装置。
6. 【請求項６】 前記補助信号線が、金属材料で構成され
   ていることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいず
   れか１項に記載されたアクティブマトリクス型液晶表示
   装置。
7. 【請求項７】 前記金属材料が、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｔ
   ａ，Ｗ，Ｔｉの中のいずれかの金属、もしくは、数元素
   からなる合金であることを特徴とする請求項６に記載さ
   れたアクティブマトリクス型液晶表示装置。
8. 【請求項８】 前記補助信号線が、透明導電材料で構成
   されていることを特徴とする請求項１ないし請求項５の
   いずれか１項に記載されたアクティブマトリクス型液晶
   表示装置。
9. 【請求項９】 前記主信号線と前記補助信号線とがそれ
   ぞれ電気的に接続される領域において、前記主信号線あ
   るいは前記補助信号線の少なくとも一方が、透明導電材
   料で構成されていることを特徴とする請求項１ないし請
   求項７のいずれか１項に記載されたアクティブマトリク
   ス型液晶表示装置。
10. 【請求項１０】 前記透明導電材料が、ＩＴＯ，ＳｎＯ
    ₂，Ｉｎ₂Ｏ₃の中のいずれかの材料を主成分とする透明
    導電体であることを特徴とする請求項８または請求項９
    に記載されたアクティブマトリクス型液晶表示装置。
11. 【請求項１１】 前記主信号線と前記補助信号線とが、
    一対の基板面に垂直な方向には導電性を有し、一対の基
    板面に平行な方向には導電性を有さない異方性導電性材
    料により、前記主信号線の入力端及び出力端の双方で、
    それぞれ電気的に接続されていることを特徴とする請求
    項１ないし請求項１０のいずれか１項に記載されたアク
    ティブマトリクス型液晶表示装置。
12. 【請求項１２】 前記異方性導電性材料が、導電性ビー
    ズを分散したシール材であることを特徴とする請求項１
    １に記載されたアクティブマトリクス型液晶表示装置。
13. 【請求項１３】 前記異方性導電性材料が、導電性ファ
    イバを分散したシール材であることを特徴とする請求項
    １１に記載されたアクティブマトリクス型液晶表示装
    置。
14. 【請求項１４】 前記複数の画素のそれぞれが、画素電
    極と、前記画素電極との間で前記一対の基板面にほぼ平
    行な電界を液晶層に印加する対向電極とを、さらに有す
    ることを特徴とする請求項１ないし請求項１３のいずれ
    か１項に記載されたアクティブマトリクス型液晶表示装
    置。
15. 【請求項１５】 前記主信号線が、映像信号線であるこ
    とを特徴とする請求項１ないし請求項１４のいずれか１
    項に記載されたアクティブマトリクス型液晶表示装置。
16. 【請求項１６】 前記主信号線が、走査信号線であるこ
    とを特徴とする請求項１ないし請求項１４のいずれか１
    項に記載されたアクティブマトリクス型液晶表示装置。
17. 【請求項１７】 前記主信号線が、対向電極に対向電圧
    を供給する対向電圧信号線であることを特徴とする請求
    項１４に記載された液晶表示装置。