JPH09230386A - アレイ回路を含む製品 - Google Patents

アレイ回路を含む製品

Info

Publication number
JPH09230386A
JPH09230386A JP8318145A JP31814596A JPH09230386A JP H09230386 A JPH09230386 A JP H09230386A JP 8318145 A JP8318145 A JP 8318145A JP 31814596 A JP31814596 A JP 31814596A JP H09230386 A JPH09230386 A JP H09230386A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
line
array
lines
size
light active
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8318145A
Other languages
English (en)
Inventor
Russel A Martin
エー．マーティン ラッセル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xerox Corp
Original Assignee
Xerox Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xerox Corp filed Critical Xerox Corp
Publication of JPH09230386A publication Critical patent/JPH09230386A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134336—Matrix
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1306—Details
    • G02F1/1309—Repairing; Testing
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G02F1/136272—Auxiliary lines
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/123—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 セルが異なるサイズを有する場合、画像品質
を低下させるアーチファクト（人工的生成物）が起こる
可能性を軽減するためのアレイを提供する。 【解決手段】 隣接する第一及び第二の光アクティブユ
ニット２０及び２８は、中間光アクティブユニットのサ
ブアレイ２２〜２６が第一の光アクティブユニット２０
から第二の光アクティブユニット２８まで延在する光ア
クティブユニットのシリーズ２２〜２６を形成するよう
に離間されて分離されている。各中間光アクティブユニ
ット２２〜２６は、このシリーズ内で先行する光アクテ
ィブユニットの有効サイズより第一のサイズ差分小さく
且つ後続の光アクティブユニットの有効サイズよりも第
二のサイズ差分大きい有効サイズを有する。各中間光ア
クティブユニット２２〜２６の第一及び第二のサイズ差
は、画像サイズを有する画像においてアーチファクトを
生成するためには不十分である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板の上に製造さ
れた回路のアレイに関連する。
【０００２】
【従来の技術】コックス他（米国特許番号第５、４６
４、９８４号）は、センサアレイを有するＸ線画像形成
システムを記載している。第６２行目から始まるカラム
１０で記載されるように、隣接するエッジ間の放射電磁
界検出を有する広域アレイを製造することが望ましい。
このために、センサタイルの非画像形成Ｉ／Ｏ回路は、
ピクセルアレイの画像形成領域に割り込んで配置されな
ければならない。関連するＩ／Ｏパッド及び回路が画像
形成平面上にスペースをとれば、解像度の損失及び／又
はデッドスポットが画像内で生じるおそれがある。図９
に関連して図示され且つ記載されるように、八角形のピ
クセル構成は、ピクセル間の適切な非画像形成領域が周
辺Ｉ／Ｏ回路を形成するのを可能にしながら高充填率を
維持することができる。第一列と第二列との間に加えら
れた移送ゲートは、第一列を読出し可能にするために使
用され、次に出力シフトレジスターとして使用される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、基板の上に
製造された光アクティブセルから成るアレイにおいて起
こる問題を取り扱う。従来のアレイは、一般に全ての光
アクティブセルが同じサイズを有するように構成される
が、セルが異なるサイズを有しなければならない状況が
ある。セルが異なるサイズを有する場合、画像品質を低
下させるアーチファクト（人工的生成物）が起こる可能
性がある。例えば、ディスプレイされた画像は、異なる
セルサイズにより知覚できるアーチファクトを有する場
合がある。
【０００４】このようなアーチファクトは、ディスプレ
イアレイが別々のパーツから構成される場合に生じ得
る。パーツの間の境界の小さな付加スペースがセルの隣
接する列をわずかに拡大するので、知覚可能なラインが
パーツの間の境界に沿って生じ得る。
【０００５】上記に引用されたコックス他の特許は、各
タイルのＩ／Ｏパッド及び回路が画像形成平面上にスペ
ースをとる場合に、タイル状のセンサアレイに生じる同
様のアーチファクトについて述べている。解像度は失わ
れ、デッドスポットが生じ得る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の第一の態様は、
異なるセルサイズの問題を軽減することができる一般的
な技術の発見に基づく。この技術は、セルのシリーズに
渡ってセルのサイズ差を分散させ、アーチファクトを排
除するものである。
【０００７】本技術は、基板及び該基板の表面にアレイ
回路を含む製品において実施されることができる。アレ
イ回路は光アクティブユニットからなるアレイを含み、
各光アクティブユニットは有効サイズを有する。また、
前記アレイ回路は前記光アクティブユニットから信号を
受信したり該ユニットに信号を送信したりするための信
号回路を含む。この光アクティブユニットからなるアレ
イは、共に画像サイズの画像とインタラクトし、そのた
めに隣接する光アクティブユニット同士の間に特有の最
小サイズ差があり、この最小サイズ差は該アレイが使用
されるアプリケーションにおいてアーチファクトを生成
するのに十分なサイズである。このサイズ差は、本明細
書において「最小アーチファクト差」と呼ばれる。
【０００８】第一の光アクティブユニットは第一の有効
サイズを有し、第二の光アクティブユニットは第一の有
効サイズより全サイズ差分だけ小さな第二の有効サイズ
を有する。全サイズ差は、画像サイズを有する画像にア
ーチファクトを生成するのに十分なサイズであり、第一
及び第二の光アクティブユニットは互いに隣接してい
る。しかし、第一及び第二の光アクティブユニットは、
中間光アクティブユニットのサブアレイが第一の光アク
ティブユニットから第二の光アクティブユニットまで延
在する光アクティブユニットのシリーズを形成するよう
に離間されて分離されている。各中間光アクティブユニ
ットは、このシリーズ内で先行する光アクティブユニッ
トの有効サイズより第一のサイズ差分小さく且つ後続の
光アクティブユニットの有効サイズよりも第二のサイズ
差分大きい有効サイズを有する。各中間光アクティブユ
ニットの第一及び第二のサイズ差は、画像サイズを有す
る画像においてアーチファクトを生成するためには不十
分である。
【０００９】この差がアーチファクトを生成するために
不十分であるため、全サイズ差から生じたアーチファク
トは排除される。
【００１０】該信号回路は二セットの交差するラインを
含むことができ、各ラインセットの一つには各光アクテ
ィブユニットがそれぞれ接続されている。光アクティブ
ユニットは、該光アクティブユニットが接続されている
ラインが交差する領域に隣接して配置されることができ
る。
【００１１】製品は、アクティブマトリクス液晶ディス
プレイ（ＡＭＬＣＤ）のようなディスプレイでもよく、
各光アクティブユニットは画像のセグメントのプレゼン
テーションを制御することができる。各ユニットの有効
サイズはそのアパーチャ領域であることができ、アパー
チャ領域境界ライン同士の間を離間することによって又
はダークマトリクスによって画定されたアパーチャ境界
により、決定される。全サイズ差は、一対の走査ライン
又は当該走査ラインに沿って平行な修正ラインによって
生じる。
【００１２】本発明の第二の態様は、先に記載した技術
がディスプレイされた画像に知覚可能な特殊なタイプの
アーチファクトを生成し得るという認識に基づく。人間
の知覚システムは特にラインアーチファクトに敏感であ
る。ディスプレイ内の光制御ユニット同士間の僅かな位
置合わせのずれは、ラインの破損又は折れ欠陥として知
覚可能なアーチファクトを生成し得る。
【００１３】第二の態様はさらに、光制御ユニットのア
パーチャが異なるサイズを有する場合でもこれらのライ
ンアーチファクトを減少することができるという発見に
基づく。光制御ユニットアパーチャの有効中心が均一に
離間されれば、ラインアーチファクトは削除されないに
しても大幅に減少することができる。
【００１４】先に記載された技術は、光制御ユニットの
有効サイズが異なることによってアーチファクトを生じ
ることなく、分割ラインにそって修正ライン又は一対の
走査ラインをＡＭＬＣＤに提供することができるので、
有利である。当技術は、接合する又は結合する二つのア
レイ部分によって分割アレイが形成されるときに生じる
アーチファクトの可視性を減少するであろう。
【００１５】
【発明の実施の形態】「アレイ」及び「セル」という用
語は関連性がある。「アレイ」は、「セル」の配列を含
む製品である。例えば、「二次元アレイ」即ち「２Ｄア
レイ」は、二次元のセルの配列を含む。回路の２Ｄアレ
イは列及びカラムを含むことができ、各列及び各カラム
は一本ずつラインを有する。一方向のラインは「データ
ライン」であり、セルはこのデータラインを介してその
状態を決定したり示したりする信号を受信したり送信し
たりする。他の方向のラインは「走査ライン」であり、
セルはこの走査ラインを介して信号を受信し、そのデー
タラインに信号を送ったり該データラインから信号を受
信したりすることを可能にする。
【００１６】回路のアレイでは、光を感知したり光を発
光したり、又は反射光又は発光された光を修正したりす
ることによって光とインタラクトすることができる回路
をセルが含む場合、セルは「光アクティブユニット」で
ある。
【００１７】光アクティブユニットの「有効サイズ」
は、光アクティブユニットがインタラクトする画像のセ
グメントのサイズである。二次元光アクティブユニット
の「有効領域」は、二次元で測定されたその有効サイズ
である。光アクティブユニットの有効領域の「境界」
は、その有効領域を囲むラインである。
【００１８】アレイにおいて、「スペース」が光アクテ
ィブユニットの有効領域の境界間の最短距離を意味する
のであれば、二つの光アクティブユニットは「スペース
を開けることによってアレイ内で分離される」。
【００１９】「光アクティブユニットのシリーズ」とは
第一光アクティブユニットから最終光アクティブユニッ
トまで延在する複数の光アクティブユニットであり、こ
の中で各中間光アクティブユニットは先行光アクティブ
ユニット及び後続光アクティブユニットを有し、この中
では隣接する光アクティブユニット間のスペースは更に
光アクティブユニットを追加できるほど大きくはない。
【００２０】第一光アクティブユニットから第二光アク
ティブユニットまで延在する光アクティブユニットのシ
リーズがこの二つに加えて中間光アクティブユニットの
みを含む場合、第一光アクティブユニットと第二光アク
ティブユニットとの間のスペースにある中間光アクティ
ブユニットは、”第一光アクティブユニットから第二光
アクティブユニットまである光アクティブユニットのシ
リーズを形成する”。
【００２１】「アーチファクト」とは、画像についての
情報項目、又は画像から生成された画像又は他の効果
（画像自体からではなく隣接する光アクティブユニット
とインタラクトするセグメント間の境界又は他の差異に
よって起こったもの）である。アーチファクトは、画像
セグメントのアレイとして画像とインタラクトすること
に固有のサンプリングから一般に結果として起こる。ア
ーチファクトは画像に加えられる空間的に一定なある種
のノイズであると考えられる。
【００２２】共に画像サイズの画像とインタラクトする
光アクティブユニットのアレイでは、光アクティブユニ
ットが隣接している場合に当該アレイを通常使用すると
サイズの差によってアーチファクトが生成される場合、
二つの光アクティブユニットの間のサイズ差は「画像サ
イズを有する画像内にアーチファクトを生成するのに充
分」である。
【００２３】画像サイズの画像と光アクティブユニット
アレイとのインタラクションのための「最小アーチファ
クト差」は隣接する光アクティブユニット間の特有の最
小サイズ差であり、この最小サイズ差は該アレイが使用
されるアプリケーションにおいてアーチファクトを生成
するのに十分な差である。
【００２４】「光制御ユニット」は、単色又は複数色の
セットの画像セグメントを提供することによって信号を
受信したりその信号に応答したりするよう構成された光
アクティブユニットであり、モノクロのディスプレイで
はカラーは単一色の異なるレベルの明度で識別される。
【００２５】光制御ユニットの「有効アパーチャ領域」
は、光制御ユニットが提示する画像セグメントの有効領
域である。
【００２６】光制御ユニットの有効アパーチャ領域は、
ラインを隔てている間隔内にあるならば、一方向に延び
る「ラインによって境界が定められる」。
【００２７】「ダークマトリクス」は、ほとんど全ての
光が伝送又は反射されずに吸収される画像領域を画定す
るディスプレイのコンポーネントである。ダークマトリ
クスが光制御ユニットの有効アパーチャ領域と周囲のダ
ークエリアとの間の境界を画定するならば、ダークマト
リクスが光制御ユニットの「アパーチャ境界」を定義す
る。
【００２８】光制御ユニットの「アパーチャ中心」は、
光制御ユニットの有効アパーチャ領域の中心である。
【００２９】光制御ユニットのシリーズの隣接するユニ
ット間のスペースが全てほぼ等間隔であれば、当該光ア
クティブユニットのアパーチャ中心は「等間隔に配置さ
れる」。
【００３０】図１〜図３は、本発明の一般的な特徴を示
す。図１は、隣接ユニット間のサイズ差が最小アーチフ
ァクト差より少ない光アクティブユニットのシリーズを
有するアレイを示す。図２は、ライン間のスペースのサ
イズ差が最小アーチファクト差より少ないディスプレイ
アレイを示す。図３は、アパーチャ領域間のサイズ差が
最小アーチファクト差より少なく、アパーチャ中心が等
間隔に配置されるディスプレイアレイを示す。
【００３１】図１は、表面上に回路が形成される基板１
２を有する製品１０を示す。回路は光アクティブユニッ
トのアレイ１４を含み、このシリーズがより詳細に図示
されている。また、回路はアレイ１４内の光アクティブ
ユニットから信号を受信したり該ユニットに信号を送信
したりするための信号回路を含む。
【００３２】アレイ１４は、（ｎ＋１）個の光アクティ
ブユニット２０、２２、２４、２６及び２８のシリーズ
を含む。図示された各光アクティブユニットの有効サイ
ズはｓ1 に関連して図示され、ｓ1 はこのシリーズの中
で一番大きい光アクティブユニット２０の有効サイズで
ある。光アクティブユニット２２は第一の差δ1 分だけ
光アクティブユニット２０より小さく、光アクティブユ
ニット２４は第二の差δ2 分だけ光アクティブユニット
２２より小さく、といったふうにこのシリーズの他の中
間光アクティブユニットのサイズは順に小さくなってい
る。従って、光アクティブユニット２６は（ｎ−１）番
目の差δn-1 分だけ小さく、最小の光アクティブユニッ
ト２８はｎ番目の差δn 分だけ小さい。２０〜２２まで
のＭ本のラインのは第一セットであり、２４〜２６まで
のＮ本のラインは第二セットである。一般に、シリーズ
を通してサイズ差が単純に増加し、光アクティブユニッ
ト２０と２８の間のシリーズの各中間ユニットがシリー
ズにおいてそのユニットに先行するユニットより小さく
且つそのユニットに後続するユニットより大きい有効サ
イズを有するように、δi ＞δi-1 である。
【００３３】また、図１は画像サイズ３０を示し、この
画像サイズ３０でアレイ１４はインタラクトする。画像
サイズ３０内には、隣接する光アクティブユニットの有
効サイズ間の主な差異を表わす三つのバーを有する棒グ
ラフがある。左側のバーはサイズ差δn を表し、このサ
イズ差δn は光アクティブユニット２０及び２８が隣接
する場合に生じる。真ん中のバーは最小アーチファクト
差（”ＭＡＤ”）を表し、これは製品１０が使用されて
いるときに画像サイズ３０でアーチファクトが生成され
る隣接光アクティブユニット間の最小のサイズ差異を意
味する。右側のバーは２０〜２８までのユニットのシリ
ーズにおける隣接する光アクティブユニット間の最大サ
イズ差を表わし、Ｍａｘi ＝1 to n （δi −δi-1 ）
で表すことができる。図示されるように、δn ＞ＭＡＤ
＞Ｍａｘi ＝1 to n （δi −δ i-1 ）である。従っ
て、光アクティブユニット２０及び２８のアレイ１４内
には、隣接していればアーチファクトを生成するであろ
う全サイズ差δn が有るにもかかわらず、ユニット２０
〜ユニット２８までのシリーズ内の隣接するユニット
は、アーチファクトを生成するのには不十分な有効サイ
ズ差を有する。
【００３４】図２は、表面でアレイ回路５４が光制御ユ
ニットのアレイを提供する基板５２を有するディスプレ
イアレイ５０を示す。アレイ回路５４のための信号回路
は、左右に延びるラインの第一セット及び上下に延びる
ラインの第二セットを有する。ラインの第一セットは例
えば走査ラインであってもよく、ラインの第二セットは
データラインであってもよい。図示されるように、信号
回路は一対のライン５６及び５８を含み、この一対のラ
イン５６及び５８は互いに並列して伸び、光制御ユニッ
トの列によって分離されてはいない。一対のライン５６
及び５８は両方とも第一のラインセットに含まれること
ができるが、アレイ内の分割ラインで分離されるため、
光制御ユニットの列によって分離されてはいない。又
は、一対のライン５６及び５８のうちの一つがラインの
第一セットに含まれ、もう一方を修正ラインのような追
加のラインにすることもできる。
【００３５】アレイ回路５４の領域６０は、図２の右側
により詳細に図示されている。領域６０は、左右に延び
る一対のライン５６及び５８に加えて、単一の左右に延
びるライン６２、６４、６６、６８、７０、７２及び上
下に延びるライン８０、８２を含む。ライン５６と６２
は光制御ユニットの列によって分離され、ライン５８と
６４、ライン６４と６６、ライン６６と６８、ライン７
０と７２もそれぞれ光制御ユニットによって分離され
る。ライン８０と８２は、光制御ユニットのカラムによ
って分離される。
【００３６】一対のライン５６と５８があるため、それ
らのすぐ上及びすぐ下のスペース（それぞれｈで示され
る）はアレイ回路５４内の任意の場所にある隣接する左
右のライン間のスペースより小さい。対になったライン
がなければ、左右に延びるラインの間のスペースは全て
最大値Ｈ（ライン８０と８２の間のスペース）をとり、
左右に延びるラインは一定のピッチを有することができ
る。
【００３７】一次近似として、各列の光制御ユニットの
有効サイズは、その列のすぐ上及びすぐ下のライン間の
スペースに比例し、上下のラインは全てライン８０及び
８２のスペースと同じスペースで等間隔で配置されてい
ると仮定する。従って、ディスプレイアレイ５０によっ
て提供された画像サイズの最小アーチファクト差よりも
全体の差異（Ｈ−ｈ）が大きくても、一対のライン５６
及び５８の近くの列のピッチを僅かに修正することによ
って、隣接する列の間のスペースの差全てを最小アーチ
ファクト差より少なくすることが可能である。実際、一
対のライン５６及び５８付近の列のピッチは追加のライ
ンを補うために僅かに広げられることができ、反対に次
の列のピッチは追加のラインを含まないために僅かに狭
められてスペースを狭くすることができ、これによって
適切な有効サイズを提供することができる。
【００３８】図２に図示されるように、ライン６４と６
６との間のスペースはａ1 Δ分だけｈより広く、ライン
６６と６８との間のスペースはａ2 Δ分だけ広く、ライ
ン７０と７２との間のスペースはａn Δ分だけ広い。ａ
n Δはｈ＋ａn Δ＝Ｈになるように、全体の差（Ｈ−
ｈ）に等しい。例えばａi ＝ｉならば、隣接する列間の
スペースの差全てはΔに等しく、Δが最小アーチファク
ト差より小さければ、知覚可能なアーチファクトを生成
するには不十分な差異である。このように差が等しけれ
ば、任意の特定の距離に渡って有効サイズの変化率を最
小限にするので、有利である。より一般的に、Δが最小
アーチファクトよりも小さくて、ａi −ａ i-1 ＜１．０
（ｉは１〜ｎ）であれば、スペースの各差異は知覚可能
なアーチファクトを生成するには不十分な差異である。
【００３９】しかし、図２においてピッチを変えてアプ
ローチすることによってアパーチャが均一に離間されな
くなれば、ライン欠陥のアーチアーチファクトにつなが
り得る。各光制御ユニットの有効サイズがそのアパーチ
ャ領域に依存し、且つ各光制御ユニットの効果的な位置
がそのアパーチャ領域の中心であるため、より効果的な
アプローチによって可能な限りピッチを一定に保ちなが
ら図３に図示されるように光制御ユニットのアパーチャ
を形成することができるであろう。
【００４０】図３は図２のラインと同じライン、及びア
パーチャ領域９０、９２、９４、９６及び９８を図示
し、これらのアパーチャ領域は前記ライン上にダークマ
トリクスが適用された後に残る。ライン７０の中心と７
２の中心との間のピッチはＬであり、Ｌはアパーチャ領
域９０の中心と９２の中心との間のピッチ、アパーチャ
領域９２の中心と９４の中心との間のピッチ、アパーチ
ャ領域９４の中心と９６の中心との間のピッチ、と同じ
である。しかし、アパーチャ領域９０及び９２はそれら
の間に各アパーチャ領域の中心のｈ／２上及び下に一対
のライン５６及び５８が在るのでサイズｈに減少され
る。図を見れば分かるように、アパーチャ領域９０はラ
イン５６からよりライン６２から広く離間されて配置さ
れ、同様に、アパーチャ領域９２はライン５８からより
ライン６４から広く離間されて配置されている。
【００４１】アパーチャ領域９４は高さｈ＋ａ1 Δを有
し、再度その中心から等しく上下に分割される。アパー
チャ領域９６は高さｈ＋ａ2 Δを有し、再度その中心か
ら等しく上下に分割される。また、アパーチャ領域９８
は高さｈ＋ａn Δを有し、その中心から等しく上下に分
割される。これらの高さによって、図２に適用された分
析と同じ分析が図３にも適用される。例えばａi ＝ｉな
らば、隣接する列間のスペースの全差はΔと等しく、Δ
が最小アーチファクト差よりも小さければ、知覚可能な
アーチファクトを生成するには不十分な差である。より
一般に、Δが最小アーチファクト差よりも小さく且つａ
i −ａ i-1 ＜１．０（ｉは１〜ｎ）であれば、スペース
の各差は知覚可能なアーチファクトを生成するには不十
分な差である。
【００４２】先に記載された一般的な特徴は、ほとんど
全ての従来のＡＭＬＣＤ技術を用いて実施されることが
できるが、先に述べたように修正が行われることができ
るようにアレイ領域内に一つ以上の修正構造を加える。
【００４３】図４〜図６は、分割アレイのレイアウトの
特徴を示す。図４は、基板上のアレイ回路のレイアウト
を示す。図５は、修正ラインが交差するセルのレイアウ
トを示す。図６は、ゲートライン及び修正ラインを含む
最下金属パターンにおけるラインの間のスペースを示
す。
【００４４】図４におけるディスプレイアレイ１５０
は、透明ガラス薄板等の基板１５２を含む。基板１５２
の表面上のアレイ領域１５４は、分割ライン１５６に沿
って上側のアレイ領域及び下側のアレイ領域に分割され
る。左側に信号リードs1〜s409 6 を有し、右側に信号リ
ードs'1 〜s'4096を有する４０９６本の走査ラインは、
分割ライン１５６より上に２０４８本及び該分割ライン
１５６の下に２０４８本に分かれてアレイ領域１５４を
横切って延在する。アレイ領域１５４の各パーツを横切
って伸びる６１４４本のデータラインは、分割ライン１
５６の上側に信号リードｄ1 〜ｄ6144を有し、分割ライ
ン１５６の下側に信号リードｄ'1〜ｄ’61 44を有し、分
割ライン１５６の上下の該データラインは同一直線上に
ある。
【００４５】アレイ領域１５４における回路はまた二つ
の修正構造を含む。上方の修正構造は分割ライン１５６
の上側に沿っており、アレイ領域１５４に修正ライン１
６０及び１６２を含み、アレイ領域１５４の外側に接続
リード１６４及び１６６を含む。下方の修正構造は分割
ライン１５６の下側に沿っており、アレイ領域１５４内
に修正ライン１７０及び１７２含み、アレイ領域１５４
の外側に接続リード１７４及び１７６を含む。
【００４６】図５は、光制御ユニットのためのレイアウ
トを示す。図５は、該基板の表面から最も遠い上部層の
いくつかの層を示す。図５に示された一番上の層は、光
制御ユニットを切り換えるアモルファスシリコン（a-S
i）トランジスタのチャネルリードに接続されたデータ
ライン２００を形成する最上金属層である。該最上金属
層はまた、後に記載するいくつかの他の特徴を形成す
る。次の図示された層は、透明電極２０２を形成するイ
ンジウム酸化錫（ＩＴＯ）の層である。その次の層は、
該トランジスタの一部である絶縁島２０４を形成する最
上窒化物層である。該最上窒化物層は、下記に言及され
るような他の特徴を形成することができる絶縁層であ
る。図示された一番下の層は最下金属層であり、ゲート
ライン２０１、修正ライン２０８、及びゲートライン２
０１に接続されたゲートリード２１０を形成し、該ゲー
トリード２１０は該トランジスタのゲートリードの役割
をする。
【００４７】データライン２００は光制御ユニットのコ
ラムにデータ信号を送信し、そのうちの一つが図５に図
示されている。ゲートリード２１０上に延在するデータ
ライン２００の一部は、該トランジスタの一つのチャネ
ルリードに接続する。同様に、ゲートライン２０１は光
制御ユニットの１列に走査信号を送信する。
【００４８】データライン２００及びゲートライン２０
１は図示されるように各幅１０μｍであり、図示される
ように修正ライン２０８はそれとほぼ同じ幅であること
ができる。データライン２００はクロスオーバー領域２
２０でゲートライン２０１の上に交差し、修正交差領域
２２２において修正ライン２０８の上に交差する。クロ
スオーバー領域２２０及び修正交差領域２２２はそれぞ
れ、前記最上窒化物層によって形成される絶縁層、及び
該ラインが適切に信号を伝導して該ライン内の信号が干
渉しないように必要な他の特徴、を含むことができる。
【００４９】透明電極２０２は、該最上金属層によって
形成されるライン２３０を介してトランジスタのもう一
方のチャネルリードに接続する。従って、ゲートライン
２０１によってゲートリード２１０に提供された走査信
号によって該トランジスタが導通するとき、透明電極２
０２はライン２３０を介してデータライン２００のから
駆動信号を受信し記憶する。
【００５０】透明電極２０２はまた充電リード２３２に
接続し、該充電リード２３２は記憶コンデンサの一つの
電極を実施し、該最上金属層によって形成される。最下
金属層によって形成されるゲートライン２３４は記憶コ
ンデンサのもう一方の電極を実施し、ゲートライン２３
４もまた同じコラム内の次の光制御ユニットに走査信号
を送信する。
【００５１】図５に図示された光制御ユニットは四角形
であり、同じ光制御ユニットのアレイは列方向及びコラ
ム方向９０μｍＸ９０μｍの有効幅を有する。
【００５２】図５において、最下層の金属パターンは修
正ライン２０８を含み、またアレイ領域の外側でデータ
ラインに交差する周辺ラインを含むこともできる。
【００５３】図６は、分割ライン１５６に沿った最下金
属パターンのレイアウトの一部をより詳細に示す。分割
ライン１５６に沿って修正ライン２５０及び２５２があ
り、これらは図５に図示された形態でレイアウトされ
る。修正ライン２５０及び２５２に沿ってそれぞれ平行
に走査ライン２５４及び２５６がある。
【００５４】各光制御ユニットは分割ライン１５６に対
称に図５に図示されるように配置される。この場合、走
査ライン２６０及び２６２は分割ライン１５６に沿った
光制御ユニットの第一列を制御する一方、走査ライン２
５４及び２５６はダミー走査ラインであってそれ自体は
走査信号を送信しないが光制御ユニットの第一列のため
にコンデンサ電極を提供するために必要である。走査ラ
イン２６４及び２６６は走査ライン２６０及び２６２に
よってそれぞれ境界付けられた光制御ユニットの第二列
を制御する。同様に、走査ライン２７０及び２７２は、
走査ライン２６４及び２６６によってそれぞれ境界付け
られた光制御ユニットの第三列を制御する。走査ライン
２８０及び２８２は光制御ユニットの第ｎ番目の列を制
御し、走査ライン２８４及び２８６は走査ライン２８０
及び２８２によって境界付けられた光制御ユニットの
（ｎ＋１）番目の列を制御する。
【００５５】また、分割ライン１５６に沿った第一列の
光制御ユニットは、該第一列を駆動する走査ラインに沿
って修正ラインを配置してもよく、この場合、走査ライ
ン２５４及び２５６は光制御ユニットの第一列を制御
し、走査ライン２６０及び２６２は第二列を制御し、走
査ライン２６４及び２６６は第三列を制御し、第四
列．．．と続く。
【００５６】図６は、最下金属パターンにおける隣接ラ
インの間の光制御ユニットの列のｙ方向におけるサイズ
を示す。図示されたサイズは、隣接のラインの間のｙ方
向における実際のスペース又はｙ方向におけるアパーチ
ャのサイズを示し、ｘ−方向の実際のアパーチャサイズ
が与えられる場合に、該ライン間の各光制御ユニットの
実際のアパーチャ領域を生成する。いずれにせよこれら
のサイズは、人間が通常の視覚で通常の視距離でディス
プレイアレイ１５０を見ても、一方ではライン２６０、
２６２、２６４、２６６、２７０、２７２、２８０、２
８２、２８４及び２８６のような単一のライン間の、他
方では２５０、２５２、２５４及び２５６のような集合
ライン間の、差異を知覚できないようなサイズである。
【００５７】隣接ライン２８０、２８４の間及び隣接ラ
イン２８２、２８６の間の光制御ユニットの列のサイズ
は、ｈMAX であり、これは該アレイで生じる最も大きい
サイズである。上記に説明されるように、ライン２８０
及び２８２の間に光制御ユニットが２ｎ列位置し、分割
ライン１５６の下にｎ列及び該分割ライン１５６の上に
ｎ列ある。分割ライン１５６の次の列（先に第一列と呼
ばれた）は図示された最も小さいサイズであるサイズ
（ｈMAX −δn ）を有する。第二列はサイズ（ｈ MAX −
δn-1 ）、第三列はサイズ（ｈMAX −δn-2 ）を有し、
第ｎ番目の列がサイズ（ｈMAX −δ1 ）を有するまで続
く。ライン２８０及び２８２の中心が正確に２ｎ（ｈ
MAX ＋ｈLINE）離間されていれば、ｈLINEを各ラインの
幅として、２ｎ（ｈMAX ＋ｈLINE）＝（２ｎ＋２）ｈ
LINE＋（２ｎｈMAX −２Σδi ）である（ｉは１〜ｎで
ある）。従って、ｈLINE＝Σδi となり、分割ライン１
５６の各サイドのδi のトータルが一つのラインの幅と
同じになる。
【００５８】δi は、δ1 からδn に単純に増加する。
δi が等しい増加量Δ＝δ1 ずつ増加するなら、Σδi
＝（ｎ2 ＋ｎ）Δとなり、δi ＝ｉΔ＝（ｉｈLINE）／
（ｎ 2 ＋ｎ）という方程式が得られる。図５のレイアウ
トでは、例えばｎ＝１０ならΔ＝０．０９μｍとなり、
最小サイズ（ｈMAX −δn ）＝７０．１μｍになるよう
に、ｈLINE＝１０μｍ及びｈMAX ＝８０μｍである。８
０μｍの光制御ユニットと７０．１μｍの光制御ユニッ
トとの間の差は並列されれば知覚できるかもしれない
が、それらの間の遷移が０．０９μｍずつ増加している
とき、知覚できる可能性は減少する。
【００５９】一方、最小マスク解像度が０．５μｍであ
れば、該増加量は、０．５μｍ以上でありうる。増加量
が最小マスク分解能によって制限される場合、各１０列
目毎後等のような列グループの後、等しい増加量Δ＝δ
1 毎にδi が増加することが望ましい。これに類似する
状況において、ｎ= １００のようにｎの値が大きめであ
ることが妥当であろう。このアプローチは大きめの領域
上の差異を広げるため、知覚できる可能性もまた小さく
なる。
【００６０】中心からずれた光制御ユニットのせいで知
覚可能なアーチファクトを避けるために、各単一のライ
ン又はライングループは適当な位置の上にセンタリング
され、該光制御ユニットのアパーチャが調整されること
ができる。
【００６１】分割ライン１５６に沿って集められた四本
のラインを用いて、図６のアプローチは、光制御ユニッ
トの隣接する列の間の形状差が比較的小さいので、大き
なアパーチャ領域を有し且つ比較的狭いラインに分離さ
れる光制御ユニットに最も良好に機能する。比較的広い
ラインによって分離された光制御ユニットの場合、四本
のラインのグループよりは３対のラインを残して分割ラ
イン１５６から修正ラインを離して移動させることが望
ましい。但し、修正ラインによっていくらかのキャパシ
タンスが追加されることがある。
【００６２】図７及び図８は上記のように配置された構
造の特徴を示す。図７は、図５におけるラインＢ−Ｂに
沿って切り取った断面図を示す。図８は、図５における
ラインＣ−Ｃに沿って切り取った断面図を示す。両図に
おいては、同じ材料でできた層は同様に影が付けられ且
つ同じ照合番号が付けられている。
【００６３】基板３００は薄膜構造が形成される表面３
０２を有し、最下金属層３０４から始まる。図７は図５
における修正ライン２０８の最下金属層３０４の一部を
示し、図８は右側が修正ライン２０８及び左側が走査ラ
イン２３４を示す。最下金属層３０４の上に最下窒化物
層３１０があり、その上にドーピングされていないアモ
ルファスシリコン層３１２が重ねられている。アモルフ
ァスシリコン層３１２の上には最上窒化物層３１４があ
る。最上窒化物層８１４の存在領域上且つアモルファス
シリコン層３１２の上の任意の場所にｎ＋アモルファス
シリコン層３２０がある。ｎ＋層３２０の上には最上金
属層３２２がある。最上金属層３２２の上及び他の露出
した層は不活性化層（図示されていない）であってもよ
い。
【００６４】図９及び図１０は修正技術の特徴を示す。
図９は、先に述べたように修正ラインを用いて分割アレ
イを検査し修正する動作を示す。図１０は、修正された
アレイを示す。
【００６５】図９のボックス３５０の動作は、走査ライ
ンに平行且つデータラインに交差する修正ラインを含む
分割アレイを生成することから始まる。ボックス３５０
の動作は、図４〜図６に関連して先に述べたように実施
されることができる。
【００６６】次にボックス３５２における動作は、デー
タラインの欠陥を検出するために分割アレイを検査す
る。各データラインは唯一のアクセス可能なリードのみ
を有するので、これは従来の導通試験では不可能であ
る。その代わりに、カリフォルニア州ミルピタス（Milp
itas）のフォトンダイナミックス社（Photon Dynamics,
Inc．）から入手可能なインプロセステスター（In-Pro
cess Tester,ＩＰＴ）のような検査装置を、アレイ内の
欠陥を検出するために使用することもできる。ボンド，
ジェイ．及びレベンソン医学博士による”The US gear
up to challenge Japan in flat panel displays”（So
lid State Technology, １９９３年１２月発行、３７、
３８、４０〜４３頁）に説明されるように、ＩＰＴはセ
ルアセンブリの前にＡＭＬＣＤ上に電圧画像を形成する
ノンコンタクト（noncontact）方法を用いることができ
る。ＩＰＴは、全てのデータラインをテストしてライン
欠陥の位置及び種類についてのデータを収集するために
光を用いて基板を走査することができる。
【００６７】ボックス３５４の動作は、レーザ機械加工
によって各ショートを排除することでデータラインのシ
ョートを修正する。この動作は、例えばデータラインを
カットして各側面上に切れ目を生成する場合もある。シ
ェング他の上記文献に述べられた集中レーザトリム（Ｉ
ＬＴ）機能を利用するPhoton Dynamics のＬＣＤパネル
修正システムを用いてこの動作を達成することができ
る。
【００６８】ボックス３６０の動作はデータラインの切
れ目（ボックス３５４において生成されたもの全てを含
む）を修正し、切れた当該データラインが交差する修正
ライン及び切れた当該データラインが交差する周辺ライ
ンに各切れたデータラインをレーザーによって溶接す
る。この動作もまた、Photon Dynamics のＬＣＤパネル
修正システムを用いて成すことができるが、上記のシェ
ング他の文献に述べられた集中レーザ溶接（ＩＬＷ）機
能を使用して交差するライン間の導電性パスを生成す
る。
【００６９】次に、ボックス３６２の動作は米国特許番
号第５，４８６，９３９号及び第５，４９１，３４７号
に記載された方法でＬＣＤを組立てるが、先に述べたよ
うにＴＡＢで分割アレイ上のリードを該分割アレイのエ
ッジの周りのＰＣＢ上の駆動回路に接続する。分割アレ
イの各部における各データラインが駆動されなければな
らないので、データドライバは対向端から交互に駆動さ
れたデータラインでインターディジット構成されること
ができない。その代わりに、各データラインは分割アレ
イの頂部及び底部の両方から駆動されなければならな
い。従って、データドライバは９０μｍのピッチで駆動
しなければならず、並行なタブドライバ又は細かいピッ
チのタブで達成されるであろう。データ駆動回路もま
た、他の技術を用いて接続されることができる。
【００７０】ボックス３６４の動作は、ＰＣＢ上の一つ
以上の高導電性ラインがデータラインの修正ラインの接
続リードとデータラインの周辺ラインのリードとの間に
電気的に接続されるように、各切れたデータラインのた
めの接続ワイヤによってデータラインの切れ目の修正を
完了させる。
【００７１】図１０は、図４のアレイ１５０を用いて図
９の技術によって修正されたアレイの特徴が示されてお
り、基板１５２の表面上にアレイ領域１５４を有し、修
正ライン１６０、１６２、１７０及び１７２が接続リー
ド１６４、１６６、１７４及び１７６をそれぞれ有す
る。ＰＣＢは、図１及び図８におけるようにタブによっ
て基板１５２のエッジのまわりに接続される。
【００７２】切れたライン３８２、３８４、３８６及び
３８８はレーザ溶接３９０、３９２、３９４及び３９６
によって、修正ライン１６０、１６２、１７０及び１７
２にそれぞれ電気的に接続される。切れたライン３８
２、３８４、３８６及び３８８もまたレーザ溶接４１
０、４１２、４１４及び４１６によって、周辺ライン４
００、４０２、４０４及び４０６にそれぞれ電気的に接
続される。
【００７３】周辺ライン４００上のリード４２０は、ワ
イヤ４２６によって導電性ライン４２４上のリード４２
２に電気的に接続される。導電性ライン４２４上のリー
ド４３０は次に、ワイヤ４３６によって導電性ライン４
３４上のリード４３２に接続される。導電性ライン４３
４上のリード４４０は、次にワイヤ４４２によって接続
リード１６４に接続され、切れたライン３８２の修正を
完了する。
【００７４】周辺ライン４０４上のリード４５０は、ワ
イヤ４５６によって導電性ライン４５４上のリード４５
２に電気的に接続される。導電性ライン４５４上のリー
ド４６０は、次にワイヤ４６６によって導電性ライン４
６４上のリード４６２に接続される。導電性ライン４６
４上のリード４７０は、次にワイヤ４７２によって接続
リード１７４に接続され、切れたライン３８６の修正を
完了する。
【００７５】周辺ライン４０６上のリード４８０は、ワ
イヤ４８６によって導電性ライン４８４上のリード４８
２に電気的に接続される。導電性ライン４８４上のリー
ド４９０は、次にワイヤ４９６によって導電性ライン４
９４上のリード４９２に接続される。導電性ライン４９
４上のリード５００は、次にワイヤ５０２によって接続
リード１７６に接続され、切れたライン３８８の修正を
完了する。
【００７６】周辺ライン４０２上のリード５１０は、ワ
イヤ５１６によって導電性ライン５１４上のリード５１
２に電気的に接続される。導電性ライン５１４上のリー
ド５２０は、次にワイヤ５２６によって導電性ライン５
２４上のリード５２２に接続される。導電性ライン５２
４上のリード５３０は、次にワイヤ５３２によって接続
リード１６６に接続され、切れたライン３８４の修正を
完了する。
【００７７】上記の実施によってＡＭＬＣＤに適当なア
レイが提供されるが、本発明は他のタイプのディスプレ
イアレイ、他のタイプの光バルブアレイ、又は光アクテ
ィブユニットが画像とインタラクトできる他のアレイに
おいて実施されることができる。
【００７８】上記の実施によって、セルのアレイに特定
の寸法及び密度が供給される。本発明は、様々なアレイ
のサイズ並びに形、セルのサイズ並びに形、及びセルの
密度で実施することができる。
【００７９】上記の実施によって、四本のラインからな
るグループに従ってセルのサイズが調整される。本発明
は、ラインが対になっていたり、光アクティブユニット
の有効サイズが該ユニットの中心に交差するラインによ
って縮小されるような状況を含む、様々な他の状況にお
いて適切なサイズの光アクティブユニットを提供するこ
とができる。
【００８０】上記の実施によって、分割ラインに沿って
四本の修正ラインを有する分割アレイを提供する。しか
し、本発明は、分割されないアレイで実施されてもよ
く、またアレイ内の任意の場所にこれより多い若しくは
少ない修正ラインを有するアレイにおいて実施されるこ
ともできる。
【００８１】本発明は、データラインに交差するグルー
プ化されたラインから生じるアーチファクトを排除する
が、本発明は、走査ラインに交差するグループ化された
ラインから生じるアーチファクトを排除するために実施
されることができる。
【００８２】上記の実施は活性マトリクスアレイを提供
するが、しかし本発明は不活性マトリックスアレイにお
いても実施されることができる。
【００８３】上記の実施は薄膜構造において特定の物質
を使用するが、しかし本発明を実施するために他の物質
が他のタイプの構造において使用されることもできる。
いくつかの例は、米国特許番号第５，４９１，３４７号
において述べられている。例えば、アレイがアモルファ
スシリコンＴＦＴではなくポリシリコンＴＦＴで実施さ
れてもよく、及びいくつかの駆動回路は該アレイと同じ
基板上で一体化されてもよい。データライン及び走査ラ
インは、金属ラインではなく、ドーピングされた半導電
性物質のような他の導電性物質を含んでもよい。絶縁層
は、窒化シリコンではなく他の絶縁体を含んでもよい。
【００８４】上記の実施によって、絶縁性基板上に薄膜
回路が提供される。本発明は、他のタイプの基板上の他
のタイプの回路で実施されることができる。
【００８５】上記の実施によって、回路に特定の幾何学
的特性を提供するが、本発明は他の幾何学的形状で実施
することができる。
【００８６】上記の実施はアレイにおける各セルのため
の特定のレイアウトを用いるが、しかし図６に関連して
上記に言及したように、修正ラインがセルの反対側に沿
ったレイアウトを含む他のレイアウトが使用されてもよ
い。
【００８７】先に記載された実施の形態は特定のシーケ
ンスの層を含むが、しかし最上ゲートのＴＦＴ構造又は
走査ラインがデータライン上で交差する構造を生成する
こと等によって層のシーケンスは修正されてもよい。
【００８８】本発明は、ディスプレイアレイ、光バルブ
アレイ、及び画像とインタラクトする他のアレイ内のア
ーチファクトの削除を含む、様々な方法で適用されるこ
とができる。
【００８９】発明品は薄膜構造の実施に関して記載され
たが、本発明は単結晶技術によって実施されることもで
きるであろう。
【００９０】
【本発明の効果】上記に述べたように、本発明によって
画像品質を低下させるアーチファクトを排除することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 全サイズ差が最小アーチファクト差より大
きい場合でも、アレイ内の光アクティブユニットのシリ
ーズが最小アーチファクト差より小さい隣接ユニットの
有効サイズにおける差をどのように有することができる
か示す概略図である。
【図２】 対になったラインを有するディスプレイア
レイの概略図であり、隣接する光制御ユニットのサイズ
さが最小アーチファクト差より小さくなるようにライン
が離間されているところが詳細に示されている。
【図３】 図２のディスプレイアレイの他の細部を示
し、ダークマトリクスによって最小アーチファクト差よ
り隣接する光制御ユニットのサイズ差が小さくなるよう
に画定されたアパーチャ境界を示す。
【図４】 ２つの修正構造を有する４０９６Ｘ６１４
４の分割アレイを示す概略図であり、各修正構造は分割
ラインにそって二つずつ修正ラインを有する。
【図５】 図４のアレイにおけるセルを示す略配置図
であり、修正ラインが走査ラインに沿って平行に延びて
いる。
【図６】 図４のアレイにおける分割ラインのそばの
光制御ユニットの列のサイズを示している略配置図であ
る。
【図７】 図５のラインＢ−Ｂに沿って切り取った断
面図である。
【図８】 図５のラインＣ−Ｃに沿って切り取った断
面図である。
【図９】 図４のアレイにおける切れたデータライン
を修正する際の動作を示すフローチャート図である。
【図１０】 図９の技術によって修正されたアレイを
示す概略図である。
【符号の説明】
５０、１５０ ディスプレイ １４、１５４ アレイ領域 １２、５２、１５２、３００ 基板

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 製品であって、 回路が形成されることができる面を有する基板を含み、 前記基板の表面に形成されたアレイ回路を含み、前記ア
    レイ回路が、 光アクティブユニットからなるアレイを含み、各光アク
    ティブユニットが有効サイズを有し、光アクティブユニ
    ットが共に画像サイズを有する画像とインタラクトし、
    及び、 前記光アクティブユニットに信号を送信する又は該光ア
    クティブユニットから信号を受信するための信号回路を
    含み、 前記光アクティブユニットのアレイが、 第一の有効サイズを有する第一の光アクティブユニット
    を含み、 第一の有効サイズより全サイズ差分小さい第二の有効サ
    イズを有する第二の光アクティブユニットを含み、第一
    及び第二の光アクティブユニットが互いに隣接している
    場合に前記全サイズ差は画像サイズを有する画像にアー
    チファクトを生成するために十分な差であり、第一及び
    第二の光アクティブユニットがアレイにおいてスペース
    によって分離されており、及び、 第一の光アクティブユニットから第二の光アクティブユ
    ニットまで延在する光アクティブユニットのシリーズを
    形成する中間光アクティブユニットのサブアレイをスペ
    ース内に含み、各中間光アクティブユニットが前記シリ
    ーズにおいてそれに先行する光アクティブユニットの有
    効サイズよりも第一のサイズ差分小さく且つそれに後続
    する光アクティブユニットの有効サイズよりも第二のサ
    イズ差分大きい有効サイズを有し、各中間光アクティブ
    ユニットの第一及び第二の前記サイズ差が、画像サイズ
    を有する画像にアーチファクトを生成するには不十分で
    ある、 製品。
JP8318145A 1995-12-21 1996-11-28 アレイ回路を含む製品 Pending JPH09230386A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/579,048 US5731803A (en) 1995-12-21 1995-12-21 Array with light active units sized to eliminate artifact from size difference
US579048 2000-05-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09230386A true JPH09230386A (ja) 1997-09-05

Family

ID=24315372

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8318145A Pending JPH09230386A (ja) 1995-12-21 1996-11-28 アレイ回路を含む製品

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5731803A (ja)
EP (1) EP0780904B1 (ja)
JP (1) JPH09230386A (ja)
DE (1) DE69637835D1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI223713B (en) * 2003-03-31 2004-11-11 Toppoly Optoelectronics Corp Method and system for testing driver circuits of AMOLED
US8228350B2 (en) * 2008-06-06 2012-07-24 Omnivision Technologies, Inc. Data dependent drive scheme and display
US10926357B2 (en) * 2017-04-12 2021-02-23 Dpix, Llc Method and functional architecture for inline repair of defective imaging arrays

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60218626A (ja) * 1984-04-13 1985-11-01 Sharp Corp カラ−液晶表示装置
US5464984A (en) * 1985-12-11 1995-11-07 General Imaging Corporation X-ray imaging system and solid state detector therefor
US5602679A (en) * 1987-12-31 1997-02-11 Projectavision, Inc. High efficiency light valve projection system
JPH0823643B2 (ja) * 1989-03-28 1996-03-06 シャープ株式会社 アクティブマトリクス表示装置
DE3910418A1 (de) * 1989-03-31 1990-10-04 Licentia Gmbh Anzeigevorrichtung
EP0404528B1 (en) * 1989-06-20 1994-10-12 Sharp Kabushiki Kaisha Matrix-type display device
JPH03107189A (ja) * 1989-09-20 1991-05-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表示装置
CA2075441A1 (en) * 1991-12-10 1993-06-11 David D. Lee Am tft lcd universal controller
JP3206976B2 (ja) * 1992-07-28 2001-09-10 京セラ株式会社 液晶表示素子
NL194873C (nl) * 1992-08-13 2003-05-06 Oki Electric Ind Co Ltd Dunnefilmtransistorenreeks en daarvan gebruikmakende vloeibare kristalweergeefinrichting.
JPH06282245A (ja) * 1993-03-25 1994-10-07 Toshiba Corp 画像表示装置および画像処理システム
EP0641046B1 (en) * 1993-08-31 1998-04-08 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus for modifying an electrical signal
US5485293A (en) * 1993-09-29 1996-01-16 Honeywell Inc. Liquid crystal display including color triads with split pixels
US5475246A (en) * 1993-12-20 1995-12-12 General Electric Company Repair line structure for thin film electronic devices
WO1995017768A1 (en) * 1993-12-20 1995-06-29 General Electronic Company Address line repair structure and method for thin film imager devices
US5381014B1 (en) * 1993-12-29 1997-06-10 Du Pont Large area x-ray imager and method of fabrication
JPH09511616A (ja) * 1994-03-31 1997-11-18 イメイション・コーポレイション 可変の電極配列および処理を用いるイメージングシステム
US5491347A (en) * 1994-04-28 1996-02-13 Xerox Corporation Thin-film structure with dense array of binary control units for presenting images
US5486939A (en) * 1994-04-28 1996-01-23 Xerox Corporation Thin-film structure with insulating and smoothing layers between crossing conductive lines
US5473452A (en) * 1994-12-21 1995-12-05 Goldstar Co., Ltd. Liquid crystal display device with repair structure
US5648674A (en) * 1995-06-07 1997-07-15 Xerox Corporation Array circuitry with conductive lines, contact leads, and storage capacitor electrode all formed in layer that includes highly conductive metal
US5608245A (en) * 1995-12-21 1997-03-04 Xerox Corporation Array on substrate with repair line crossing lines in the array

Also Published As

Publication number Publication date
EP0780904A2 (en) 1997-06-25
DE69637835D1 (de) 2009-04-02
EP0780904B1 (en) 2009-02-18
US5731803A (en) 1998-03-24
EP0780904A3 (en) 1999-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7894034B2 (en) Thin film transistor array panel with improved connection to test lines having auxiliary test line with plural extending conductive layers in contact with at least one test line
US7362393B2 (en) Four color liquid crystal display
US8174631B2 (en) Touch panel with improved reliability and display device employing the touch panel
US20230154438A1 (en) Display device
US6836300B2 (en) Data wire of sub-pixel matrix array display device
US7889183B2 (en) Liquid crystal display including sensing unit and image data line arrangement
US5517341A (en) Liquid crystal display with TFT and capacitor electrodes with redundant connection
US8330691B2 (en) Display panel including dummy pixels and display device having the panel
KR100298995B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그 검사 방법
US7989809B2 (en) Thin film transistor array panel including assistant lines
US10698545B2 (en) Display device with position input function
JP6681926B2 (ja) アクティブマトリクス基板及び表示パネル
US20060081850A1 (en) Display device and driving method thereof
US20020047838A1 (en) Array substrate of liquid crystal display device
US20080180372A1 (en) Display device
JP2006511829A (ja) 液晶表示装置及びその駆動方法
JP2007298791A (ja) 液晶表示装置及びその欠陥修復方法
US20130249817A1 (en) Photosensor, display device including the same, and driving method thereof
KR20080061325A (ko) 터치 패널 장치
JPH09230386A (ja) アレイ回路を含む製品
KR101964766B1 (ko) 표시 장치 및 그 구동 방법
CN114387936B (zh) 一种像素结构及显示面板
KR101157248B1 (ko) 액정표시장치의 ｍｐｓ 검사배선 구조
KR100637529B1 (ko) 액정 표시 장치 및 이의 구동방법
EP4636742A1 (en) Display device

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060516

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20060816

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20060821

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070213