JPH09231937A - イオンビームの誘導方法とそれに用いるイオンビームリペラー及びイオン注入装置 - Google Patents

イオンビームの誘導方法とそれに用いるイオンビームリペラー及びイオン注入装置

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JPH09231937A
JPH09231937A JP9007395A JP739597A JPH09231937A JP H09231937 A JPH09231937 A JP H09231937A JP 9007395 A JP9007395 A JP 9007395A JP 739597 A JP739597 A JP 739597A JP H09231937 A JPH09231937 A JP H09231937A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】中和電子の逆流を阻止して、イオンビームを誘
導する方法及びそのためのイオンビームリペラーとイオ
ン注入装置を提供すること。 【解決手段】イオン源12から加工片がイオンビームで処
理されるイオン注入部16までのイオンビーム経路に沿っ
てイオンビームを維持する。ビーム注入部16の上流側に
イオンビーム中和器44が配置されて、中和電子をイオン
ビームへ噴射する。イオンビーム中和器44の位置の上流
側に、中和電子の上流向き移動を防止するための磁界が
形成される。電子の移動を防止する磁界を形成するため
に、離設された第１及び第２永久磁石を用いている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、注入ターゲットの
表面全体においてイオン注入添加量の均一性を許容限度
内に維持しながら、イオン注入装置におけるイオンビー
ム伝達を向上させるための方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】高電流イオン注入装置では、イオンビー
ムはイオン源から加工片へビームプラズマを介して伝播
する。そのようなプラズマでは、イオンで発生した正空
間電荷が、イオンビーム内及びその周囲を軌道運動する
電子によって発生する負空間電荷によって補正される。
これらの電子は準定常状態にあり、イオンビーム伝播方
向に沿って移動しない。
【０００３】これらの電子がビーム空間から除去される
と、イオンによって発生して補正されない空間電荷が、
ビーム中心に向かう半径方向の電界を発生するであろ
う。そのような電界の影響を受けて、イオンはビーム中
心から離れる方向に逸れるため、ビームが拡散して断面
が大きくなり、やがて使用可能な物理的包絡線内にはま
らなくなる。この事象は一般的に「ビームブローアッ
プ」と呼ばれる。
【０００４】ビームターゲットすなわち加工片は、ＣＭ
ＯＳ集積回路を作製する電気的絶縁シリコンウェハであ
ることが多い。正荷電イオンビームがシリコンウェハに
衝突した時、ウェハは実効正電荷を獲得する。この電荷
を獲得することによって、ウェハの領域内に電界が発生
し、これが中和電子をビームプラズマから引き付ける結
果、ビームブローアップが発生する。
【０００５】ＣＭＯＳ集積回路が正に荷電することの第
２の結果として、回路が破損する可能性がある。実効正
電荷が回路内に集まると、ウェハの表面に大きな電界が
発達し、このため、それらの発生中に装置の接合部及び
ゲートが破損する可能性がある。
【０００６】実効正電荷を有するイオンビームによって
発生する損傷を防止するため、従来の注入装置は、「電
子シャワー」または「電子フラッド」を用いてきた。そ
のような装置は、ターゲットのすぐ上流側に配置され、
正イオンビーム流に等しい電子流を与えることによっ
て、結果的に得られたイオンビームの実効電荷がゼロに
なるようにするものである。
【０００７】イオン注入装置用の電子シャワーは、従来
の注入装置に使用されてある程度の成功を収めている
が、それらの使用には幾つかの問題点がある。電子シャ
ワーは、イオン流を完全に中和するだけの十分な電子流
を与えない場合がある。これが発生した時、ビームは部
分的にブローアップして、許容できない注入添加量の不
均一が発生する。従来の注入装置の経験から、ビームが
完全には中和されていない場合でも、ビームブローアッ
プの長さを限定すれば、ビームの均一性に対する悪影響
が軽減されることがわかっている。
【０００８】中和されていないビームによって発生する
部分ブローアップの影響を限定するため、一般的に電子
シャワーの上流側（イオン源の方向）に「バイアス開
口」が配置されている。この開口は、ビームを包囲する
負荷電金属リングである。この開口によってビームの中
心に負の電位が発生し、このために、いずれの側（上流
側または下流側）の電子もリングを通過して伝播されな
くなる。この現象が、電子シャワーの上流側に配置され
た代表的な従来形電子抑制リングを説明している図２に
示されている。
【０００９】図２では、リングＲは、２つの接地導体部
材Ｃ１、Ｃ２の間に配置されている。リングＲは、大地
より２．５キロボルト低い電位に維持されており、従っ
て、図２の電子の移動で示されているように、電子はリ
ングＲの平面から離れる方向に逸れる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】残念ながら、電子がバ
イアスを掛けたリングＲを通過して伝播するのを防止す
る同じ磁界が、バイアスリングＲの約１リング直径分の
距離内の電子を排除する。リングＲのこの距離内では、
正イオン空間電荷が完全には補正されず、ビームのブロ
ーアップが発生するであろう。このビームブローアップ
によって発生する問題は、低エネルギイオン注入ビーム
の場合の方が顕著である。
【００１１】このような事情に鑑みて、本発明は、中和
電子の逆流を阻止してイオンビームを誘導する方法及び
そのためのイオンビームリペラーとイオン注入装置を提
供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の方法は、中和電
子の逆流を阻止するが、負バイアスを掛けた電極を使用
した場合とは異なって、イオンビームのある領域のすべ
ての電子を排除することはない。
【００１３】本発明の方法によれば、イオンビームが、
イオン源からイオンビーム処理を行うためにターゲット
加工片が置かれている注入部までビーム移動経路に沿っ
て誘導される。イオンビームがターゲット加工片に接す
る前の中和位置で、中和電子がイオンビーム内へ噴射さ
れる。中和電子の逆流を防止するため、中和位置の上流
側に磁界が形成される。
【００１４】磁界の形成は最も好ましくは、ビームがビ
ーム中和器に達する直前の位置でイオンビームの各側に
永久磁石を配置することによって行われる。磁石は、イ
オンビームが通過する領域内に磁界を形成する。この磁
界によって、電子は螺旋経路に沿って前後移動するが、
それらがイオンビーム内のそれらの位置からはじき出さ
れることはない。しかし、ビーム中和器の領域から離れ
てイオンビームを逆流する電子は、永久磁石によって発
生した磁界によってはじき出される。
【００１５】高密度集中磁力線がイオンビーム空間の領
域の外側に位置する磁界を設けることによって、磁石の
領域内の電子損失はさらに防止される。
【００１６】本発明の上記及び他の目的、利点及び特徴
は、添付の図面を参照した本発明の好適な実施例の詳細
な説明から理解されるであろう。
【００１７】
【発明の実施の形態】次に、図面を参照しながら説明す
ると、図１はイオン注入装置１０を示しており、これ
は、イオンビーム１４を形成するイオンを放出するイオ
ン源１２を設けており、イオンビーム１４はイオンビー
ム経路を通って注入部１６へ進む。制御電子装置（図示
せず）が、注入部１６の処理室１７内でウェハが受け取
るイオン添加量を監視及び制御する。
【００１８】イオン源１２には、原料物質がイオン化さ
れるように噴射されるプラズマ室１８が設けられてい
る。原料物質は、イオン化ガスまたは気化原料物質を含
むことができる。原料物質にエネルギを加えると、正荷
電イオンがプラズマ室１８内に発生する。正荷電イオン
は、プラズマ室１８の開放側に重ねられたカバープレー
ト２０の楕円形アークスリットを通ってプラズマ室内部
から出る。
【００１９】プラズマ室１８内のイオンは、プラズマ室
のカバープレート２０のアークスリットから引き出され
て、プラズマ室のカバープレート２０に近接した１組の
電極によって質量分析磁石２２に向けて加速される。質
量分析磁石２２は、磁石ハウジング３２内に支持されて
いる。磁界の強さは、イオン注入装置の制御電子装置に
よって制御される。磁界は、磁石の界磁巻線を流れる電
流を調節することによって制御される。質量分析磁石２
２は、イオンビーム１４に沿って進むイオンを湾曲軌道
で移動させることによって、適当な原子質量を備えたイ
オンだけがイオン注入部１６に到達する。
【００２０】注入部に達する前に、イオンビーム１４は
さらに成形、評価され、また質量分析磁石ハウジング３
２の高圧から接地された注入室までの電圧降下によって
加速される。イオン源から注入室１７までのイオンビー
ム経路は、ビーム線に沿って離設された真空ポンプＰ
１、Ｐ２によって低圧に維持されている。
【００２１】イオン注入装置は、磁石２２の下流側に、
四極子アセンブリ４０と、回動形ファラディーカップ４
２と、イオンビーム中和器４４とを有している。四極子
アセンブリ４０は、イオンビーム１４の周囲に向けて配
置された磁石組を備えており、それらが制御電子装置
（図示せず）によって選択的に励磁されることによっ
て、イオンビーム１４の高さを調節することができる。
四極子アセンブリ４０は、注入装置ハウジング５０内に
支持されている。磁石２２に面した四極子アセンブリ４
０の端部にイオンビームシールドプレート５２が連結さ
れている。シールドプレート５２は、質量分析磁石２２
と協働して、イオンビーム１４から望ましくない種類の
イオンを除去することができる。
【００２２】従って、質量分析磁石２２、四極子アセン
ブリ４０、およびシールドプレート５２によってイオン
ビーム形成構造部が構成される。
【００２３】ファラデーカップ４２は、四極子アセンブ
リ４０とイオンビーム中和器４４との間に配置されてい
る。ファラデーカップは、ハウジング５０に回動可能に
連結されて、ビーム特性を測定するためにイオンビーム
１４を遮る位置へ回動させることができ、測定が満足で
きるものであれば、注入室１７でのウェハの注入を邪魔
しないようにビーム線から後退する位置へ揺動すること
ができる。
【００２４】一般的に電子シャワーと呼ばれる従来のイ
オンビーム中和器４４が、１９９２年１１月１７日に発
行されかつ本発明の譲受人に譲渡されている、ベンベニ
ステ（Benveniste) の米国特許第５，１６４，５９９号
に開示されている。その開示内容全体は、参考として本
説明に含まれる。
【００２５】プラズマ室１８から引き出されたイオンは
正に帯電している。イオンの正電荷がウェハの注入前に
中和されない場合、ドーピングを行ったウェハは実効正
電荷を示す。上記のように、またベンベニステの米国特
許第５，１６４，５９９号に記載されているように、ウ
ェハ上のそのような実効正電荷は望ましくない特性を備
えている。
【００２６】従来のイオンビーム中和器が、１９９５年
８月２８日にブレイク(Blake) が出願した同時係属中の
米国特許出願第０８／５１９，７０８号に開示されてい
る。この同時係属中の米国特許出願の開示内容は参考と
して本説明に含まれる。
【００２７】中和器４４のすぐ上流側に磁気リペラー１
１０が配置されている。リペラー（repeller) １１０の
構成要素が、図３に概略的に示されている。リペラー１
１０には、中和器から電子が逆流しないようにするため
の永久磁石Ｍ１、Ｍ２が設けられている。磁石Ｍ１、Ｍ
２は、図２に関連して説明されているバイアスリング開
口Ｒに代わるものである。
【００２８】図１に開示されている中和器４４は、中和
電子がイオンビーム内へ噴射される間、ビームが邪魔さ
れないで通過できるようにする大きさの端部開放形の円
筒状内部領域を形成している。中和器４４及びリペラー
１１０は、図１には一体装置として示されて、ハウジン
グ５０に取り付けられた共通ベース５２によって支持さ
れている。
【００２９】注入室１７内にディスク形のウェハ支持体
（図示せず）が回転可能に支持されている。ビームで処
理されたウェハは、ウェハ支持体の周縁部付近に配置さ
れ、支持体はモータ（図示せず）によって約１２００Ｒ
ＰＭで回転する。イオンビーム１４が円形経路で回転中
のウェハに衝突してそれを処理する。多数のウェハがウ
ェハ支持体の縁部の周りに支持されて、ローディング及
びアンローディング中もビーム線を真空中に維持できる
ようにするため、ロードロックを介してローディング及
びアンローディングが行われる。
【００３０】注入部１６は、ハウジング５０に対して回
動可能であり、それに可撓性ベローズ９２で連結されて
いる。注入部１６を回動させることができることによっ
て、注入室内でビームがウェハに衝突する時のイオンビ
ーム１４の入射角を調節することができる。
【００３１】磁気リペラー１１０ 図３は、磁石手段としての磁気リペラー１１０の作用を
概略的に示している。２つの永久磁石Ｍ１、Ｍ２が、イ
オンビーム１４の各側に離設されている。第１磁石Ｍ１
のＮ極面１２２がイオンビームの一方側に面しており、
第２磁石Ｍ２のＳ極面１２４がイオンビームの他方側に
面している。２つの磁石間の磁力線が図３に示されてい
る。磁気リペラー１１０の上流側または下流側の位置か
らイオンビームを通過する電子は、それらが磁石Ｍ１、
Ｍ２間の磁界に入った時に力を受ける。
【００３２】本発明の重要な利点が図３に説明されてい
る。既に２つの磁石Ｍ１、Ｍ２間にある電子は、イオン
ビーム内のそれらの位置から取り除かれない。磁界内の
負に荷電した電子は、それらが移動中でなければ力を受
けない。これらの荷電した電子がイオンビーム内での任
意移動のために力を実際に受けた場合、それらは螺旋経
路１３０に沿って前後移動しながらイオンビーム１４を
横切ろうとする。これらの電子は、従来形抑制電極すな
わちリングＲ（図２）によって形成された磁界の存在に
よってビームから取り除かれるのではなく、ビームの中
和を助け続ける。
【００３３】図４及び図５は、２つの細長い棒磁石Ｍ
１、Ｍ２を囲む磁界形成構造体を備えた磁気リペラーの
変更実施例を示している。強磁性材からなる細長いバー
（磁界調整部材としての第１，第２強磁性体）１４２、
１４４が、磁力線をイオンビーム１４の側部に集中させ
る。磁気バーの存在によって、磁力線がＳ極からＮ極へ
横切ることができるが、高密度集中磁力線が発生する領
域が制限される。
【００３４】図７〜図９は、中和器４４から分離した磁
石手段としてのリペラー１４０を取り付けるための現時
点で好適な変更構造を示している。注入装置ハウジング
５０によって支持された金属ベース１５０に設けられた
内向き表面１５２が、ハウジング５０のアクセス開口の
周囲に当接している。磁気リペラー１１０，１４０は、
磁気抑制電極としての機能を果たしている。
【００３５】ベース１５０は、ハウジング５０の適当な
位置の開口にはめ込まれたねじコネクタ１５４によって
注入装置ハウジング５０に固定されている。ベースの溝
１６２（図８）にエラストマーガスケット１６０がはめ
込まれて注入装置の内部を密封していることによって、
注入装置１０を常態大気圧以下の圧力まで減圧すること
ができる。リペラー１４０を取り外すためには、コネク
タ１５４を緩めて、ベースを注入装置ハウジング５０か
ら持ち上げる。鉛シールド１６２がベース１５０の上に
重なって、注入装置の領域内のイオン化照射を受けない
ようにリペラー１４０の領域を遮蔽している。
【００３６】ベース１５０に取り付けられたブラケット
１７０が、支持フレーム１７２で連結されている。支持
フレーム１７２には４辺が設けられ、図９に示されてい
るように、平面図はほぼ矩形である。４つの連結された
側壁１７３〜１７６が、イオンビーム１４を包囲して、
リペラー１４０を直接的に支持している。このようにし
て、金属ベース１５０とブラケット１７０により、リペ
ラー１４０の支持構造部が形成される。
【００３７】リペラー１４０には、フレーム１７２によ
って支持された２つの磁石Ｍ１、Ｍ２と２つのグラファ
イトシールド１８０、１８２とが設けられている。グラ
ファイトシールド１８０、１８２は、グラファイトシー
ルド手段を構成し、イオンビーム１４が磁石Ｍ１、Ｍ２
と直接接触しないようにする。磁石Ｍ１、Ｍ２は、磁石
間の領域内にほぼ均一な双極子磁界を形成する。この磁
界によって形成された磁力線が、リペラー１４０の図９
に示されている。
【００３８】図７の磁石Ｍ１のような各磁石は、図８に
点線で示されている２つの突き合わせ棒磁石１９０、１
９２で形成されている。磁石１９０、１９２は、一方の
磁石のＳ極が他方の磁石のＮ極に当接するようにして、
端部同士で整合している。リペラーは、好ましくはサマ
リウムコバルトからなる表面磁界強さが少なくとも２５
００ガウスの４つの同一磁石を用いている。一般的な注
入装置では、イオンビームは中和器４４を通過する位置
の幅が約０．７インチになるように成形される。イオン
ビームが磁気リペラー１４０を邪魔されないで通過でき
るようにするため、２つの磁石Ｍ１、Ｍ２の間隔を約
２．８インチにする。
【００３９】図６は、イオンビーム伝達量を質量分析磁
石２２から出たビームの割合で示すグラフである。この
効率がビームエネルギｋｅｖの関数として描かれてい
る。２種類のデータが記入されている。負電位のバイア
スを掛けた抑制電極すなわちリングＲを用いた従来のイ
オン注入装置のデータ点が、グラフに「ｘ」で示されて
いる。グラフ上に「ｏ」で示されているデータ点は、図
７〜図９に示されているリペラー１４０などの磁気リペ
ラーを備えたイオン注入装置のものである。伝達効率
は、従来の注入装置の場合の約６０％から磁気リペラー
１４０を用いた注入装置の場合の８０％以上まで向上し
ていることがわかる。
【００４０】以上に本発明をある程度特定化して説明し
てきたが、添付の請求項に記載されている発明の特許請
求の範囲内において追加、変更、削除を加えることがで
きることは当業者には理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】イオン源、ビーム形成及び成形構造部及び注入
室を備えたイオン注入装置の、一部断面図で示す上面図
である。
【図２】イオン注入装置のイオンビーム中和器より上流
側に位置する従来形抑制電極の領域の拡大断面図であ
る。
【図３】イオンビーム中和器からの逆流を防止するため
の磁界が形成されている領域におけるイオンビーム注入
装置の拡大断面図である。
【図４】イオンビーム経路の永久磁石付近の領域の斜視
図である。
【図５】電子の逆流を防止する磁界の磁力線がイオンビ
ーム経路の外側に集中している領域におけるイオン注入
装置の拡大断面図である。
【図６】２つの電子逆流制御を対比した、すなわち一方
は、従来技法であり、他方は本発明に従って実行される
技法である場合の伝達効率をイオンビームエネルギの関
数として示したグラフである。
【図７】本発明に従って構成された好適な磁気リペラー
の断面図である。
【図８】図７の８−８面から見た好適な磁気リペラーの
図面である。
【図９】図８の９−９面から見た磁気リペラーの図面で
ある。
【符号の説明】
１０ イオン注入装置 １２ イオン源 １４ イオンビーム経路 １６ 注入部 ２２ 質量分析磁石 ４０ 四極子アセンブリ ４４ 中和器 ５２ シールドプレート １１０，１４０ 磁気リペラー １４２，１４４ 細長いバー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 390033020 Ｅａｔｏｎ Ｃｅｎｔｅｒ，Ｃｌｅｖｅｌ ａｎｄ，Ｏｈｉｏ 44114，Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者 ジョング チエン アメリカ合衆国 マサチューセッツ 01915 ベベリー ブロートン ドライブ 303 (72)発明者 トーマス ネイル ホースキー アメリカ合衆国 マサチューセッツ 01719 ボックスボーロー デッポット ロード 816 (72)発明者 ウイリアム エドワード レイノルズ アメリカ合衆国 マサチューセッツ 01983 トップスフィールド パーキンズ ロウ 210

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 イオンビーム（１４）内の中和電子の移
    動を制御することによって、イオン源（１２）から加工
    片のイオンビーム処理を行う処理部へイオンビーム（１
    ４）を誘導する方法であって、 ａ）イオンビームをイオン源（１２）からイオンビーム
    処理を行うためにターゲット加工片が置かれている注入
    部（１６）までイオンビーム経路に沿って誘導する段階
    と、 ｂ）イオンビームがターゲット加工片に接する前の中和
    位置で中和電子をイオンビーム内へ噴射する段階と、 ｃ）イオンが中和位置に達する前でイオンビームに隣接
    する地点に磁気抑制電極（１１０、１４０）を配置する
    ことによって、中和電子が中和位置から離れて上流側へ
    移動するのを防止するための磁界を形成する段階とを有
    していることを特徴とする方法。
  2. 【請求項２】 磁界を形成する段階は、イオンビーム経
    路の各側の離設位置に第１及び第２永久磁石（Ｍ１、Ｍ
    ２）を取り付けることによって実施されることを特徴と
    する請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】 磁界を形成する段階は、イオンビーム経
    路と交差する双極子磁界を形成することによって実施さ
    れることを特徴とする請求項１記載の方法。
  4. 【請求項４】 イオン注入位置（１６）で加工片にイオ
    ンを衝突させることによって加工片を処理するためのイ
    オン注入装置（１０）であって、 ａ）イオンを放出するイオン源（１２）と、 ｂ）イオンビームが進むイオン注入装置の排気内部領域
    を形成している構造体を含む、イオン源から放出された
    イオンからイオンビーム（１４）を形成するイオンビー
    ム形成構造部（２２、４０、５２）と、 ｃ）イオンビーム（１４）でビーム処理を行う位置に１
    つまたは複数の加工片を配置するための注入部（１６）
    と、 ｄ）注入部より上流側においてイオンビームの中和領域
    内へ中和電子を噴射するためのイオンビーム中和器（４
    ４）と、 ｅ）イオンビーム中和器（４４）より上流側に配置され
    て、イオンビーム中和器（４４）より上流側の領域でイ
    オンビーム（１４）と交差する磁界を形成することによ
    って、イオンビームの中和領域から離れる方向への中和
    電子の移動を阻止する磁石手段（１１０、１４０）とを
    有することを特徴とするイオン注入装置。
  5. 【請求項５】 磁石手段は、イオンビーム（１４）の各
    側に離設された第１及び第２磁石（Ｍ１、Ｍ２）を備え
    て、イオンビーム中和器（４４）から離れる方向への電
    子の移動に影響を与えるように第１及び第２磁石（Ｍ
    １、Ｍ２）間の領域に磁界を形成するようにしたことを
    特徴とする請求項４記載のイオン注入装置。
  6. 【請求項６】 第１及び第２磁石（Ｍ１、Ｍ２）は、内
    向きの極面を備えてその間に双極子磁界を形成するため
    の永久磁石であることを特徴とする請求項５記載のイオ
    ン注入装置。
  7. 【請求項７】 さらに、第１及び第２磁石（Ｍ１、Ｍ
    ２）に近接した位置に支持されて、第１及び第２磁石間
    の領域での磁界集中を調節する磁界調節部材として第１
    及び第２の強磁性体（１４２、１４４）を有しているこ
    とを特徴とする請求項５記載のイオン注入装置。
  8. 【請求項８】 第１及び第２永久磁石は細長い棒磁石で
    あることを特徴とする請求項６記載のイオン注入装置。
  9. 【請求項９】 さらに、磁力線をイオンビームが占める
    領域に沿って集中させるために細長い棒磁石に隣接配置
    された強磁性体（１４２、１４４）を有していることを
    特徴とする請求項８記載のイオン注入装置。
  10. 【請求項１０】 強磁性体は、棒磁石の各々の両側に配
    置された強磁性バーであることを特徴とする請求項９記
    載のイオン注入装置。
  11. 【請求項１１】 磁石手段（１１０、１４０）は、 ａ）細長い第１及び第２永久磁石（Ｍ１、Ｍ２）を有し
    ており、イオンビーム内のイオンが前記細長い第１及び
    第２永久磁石間を通過でき、また前記細長い永久磁石間
    の磁界領域内に電子反発磁界を形成するように、イオン
    ビーム経路に対して細長い第１及び第２永久磁石の向き
    が定められており、さらに、 ｂ）イオンビームが細長い永久磁石間の磁界領域に入る
    際に通過する入口窓を形成することによって、イオンビ
    ーム内のイオンと直接接触しないように磁石を遮蔽する
    グラファイトシールド手段と、 ｃ）イオンビームに沿った電子の流れを阻止するため
    に、細長い第１及び第２永久磁石（Ｍ１、Ｍ２）とグラ
    ファイトシールド手段とをイオンビームに対して支持す
    る支持構造部（１５０、１７０）とを有していることを
    特徴とする請求項４記載のイオンビームリペラー。
  12. 【請求項１２】 グラファイトシールド手段は、細長い
    第１及び第２永久磁石（Ｍ１、Ｍ２）をイオンビーム経
    路から分離させる支持構造部に連結された第１及び第２
    グラファイトシールド（１８０、１８２）であることを
    特徴とする請求項１１記載のイオンビームリペラー。
  13. 【請求項１３】 さらに、磁力線をイオンビームが占め
    る領域に沿って集中させるために永久磁石に隣接配置さ
    れた強磁性体（１４２、１４４）を有していることを特
    徴とする請求項１２記載のイオンビームリペラー。
  14. 【請求項１４】 磁石に隣接配置された強磁性体（１４
    ２、１４４）は、各棒磁石の両側に配置された強磁性バ
    ーであることを特徴とする請求項１３記載のイオンビー
    ムリペラー。
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