JPH09232207A - アライメント・マークの形成方法 - Google Patents
アライメント・マークの形成方法Info
- Publication number
- JPH09232207A JPH09232207A JP8035947A JP3594796A JPH09232207A JP H09232207 A JPH09232207 A JP H09232207A JP 8035947 A JP8035947 A JP 8035947A JP 3594796 A JP3594796 A JP 3594796A JP H09232207 A JPH09232207 A JP H09232207A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alignment mark
- insulating film
- alignment
- wiring
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W46/00—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7084—Position of mark on substrate, i.e. position in (x, y, z) of mark, e.g. buried or resist covered mark, mark on rearside, at the substrate edge, in the circuit area, latent image mark, marks in plural levels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W46/00—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification
- H10W46/501—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification for use before dicing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 アライメント・マークの形成方法に関し、ア
ライメント・マークを占有面積上から見て効率良く配置
し、且つ、アライメント精度を向上させようとする。 【解決手段】 ウエハ１１に下側配線を形成する第一層
目配線材料層を利用して第一層目配線及びアライメント
・マーク１３Ｍを同時に形成し、全面に第二層目絶縁膜
１４を形成してから平坦化し、第二層目絶縁膜１４上に
第二層目配線材料層を利用して第二層目配線及びアライ
メント・マーク１５Ｍ及びアライメント・マーク１３Ｍ
を覆うアライメント・マーク被覆膜１５Ｃを同時に形成
し、全面に第三層目絶縁膜１６を形成し、第三層目絶縁
膜１６を利用してアライメント・マーク被覆膜１５Ｃ上
にアライメント・マーク１６Ｍを形成する。
ライメント・マークを占有面積上から見て効率良く配置
し、且つ、アライメント精度を向上させようとする。 【解決手段】 ウエハ１１に下側配線を形成する第一層
目配線材料層を利用して第一層目配線及びアライメント
・マーク１３Ｍを同時に形成し、全面に第二層目絶縁膜
１４を形成してから平坦化し、第二層目絶縁膜１４上に
第二層目配線材料層を利用して第二層目配線及びアライ
メント・マーク１５Ｍ及びアライメント・マーク１３Ｍ
を覆うアライメント・マーク被覆膜１５Ｃを同時に形成
し、全面に第三層目絶縁膜１６を形成し、第三層目絶縁
膜１６を利用してアライメント・マーク被覆膜１５Ｃ上
にアライメント・マーク１６Ｍを形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に超ＬＳＩ（ｌ
ａｒｇｅ ｓｃａｌｅ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄｃｉｒｃ
ｕｉｔ）を製造する工程中で適用されるリソグラフィ技
術を実施する際に用いて好適なアライメント・マークの
形成方法に関する。
ａｒｇｅ ｓｃａｌｅ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄｃｉｒｃ
ｕｉｔ）を製造する工程中で適用されるリソグラフィ技
術を実施する際に用いて好適なアライメント・マークの
形成方法に関する。
【０００２】一般に、超ＬＳＩの微細化が進むにつれ、
そのパターンを形成する際のアライメント精度に厳密さ
が要求されるのは当然である。
そのパターンを形成する際のアライメント精度に厳密さ
が要求されるのは当然である。
【０００３】アライメント精度を向上させる為には、ア
ライメント・マークの形成方法、例えば配置の仕方など
についても検討が必要であり、また、アライメント・マ
ークが占有する面積を最小限に留めるようにすること
で、チップ・サイズの小型化を図る必要があり、本発明
は、このような要求に応える一手段を提供する。
ライメント・マークの形成方法、例えば配置の仕方など
についても検討が必要であり、また、アライメント・マ
ークが占有する面積を最小限に留めるようにすること
で、チップ・サイズの小型化を図る必要があり、本発明
は、このような要求に応える一手段を提供する。
【０００４】
【従来の技術】図１０は従来の技術を解説する為の工程
要所に於けるウエハを表す要部切断側面図である。
要所に於けるウエハを表す要部切断側面図である。
【０００５】図に於いて、１はＳｉからなるウエハ、２
は例えばＳｉＯ2 系からなる第一層目絶縁膜、３Ｍは例
えばＡｌ系からなる第一層目配線で形成したアライメン
ト・マーク、４は例えばＳｉＯ2 系からなる第二層目絶
縁膜、４Ｍは第二層目絶縁膜４で形成したアライメント
・マーク、５Ｍは例えばＡｌ系からなる第二層目配線で
形成したアライメント・マーク、６は例えばＳｉＯ2 系
からなる第三層目絶縁膜、６Ｍは第三層目絶縁膜６で形
成したアライメント・マーク、Ｐ１乃至Ｐ４はアライメ
ント・マークが占める領域をそれぞれ示している。
は例えばＳｉＯ2 系からなる第一層目絶縁膜、３Ｍは例
えばＡｌ系からなる第一層目配線で形成したアライメン
ト・マーク、４は例えばＳｉＯ2 系からなる第二層目絶
縁膜、４Ｍは第二層目絶縁膜４で形成したアライメント
・マーク、５Ｍは例えばＡｌ系からなる第二層目配線で
形成したアライメント・マーク、６は例えばＳｉＯ2 系
からなる第三層目絶縁膜、６Ｍは第三層目絶縁膜６で形
成したアライメント・マーク、Ｐ１乃至Ｐ４はアライメ
ント・マークが占める領域をそれぞれ示している。
【０００６】図から明らかなように、アライメント・マ
ークを形成する場合、さきに形成したアライメント・マ
ークとは異なる場所に等ピッチ、即ち、等間隔で配置す
るようにしている。
ークを形成する場合、さきに形成したアライメント・マ
ークとは異なる場所に等ピッチ、即ち、等間隔で配置す
るようにしている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術に依ってア
ライメント・マークを形成する場合、必要とされるアラ
イメント・マークの個数と同じ数の占有領域が必要であ
り、図１０に於いては、４個のアライメント・マーク３
Ｍ、４Ｍ、５Ｍ、６Ｍが存在する為、それぞれが一つの
占有領域を必要とし、従って、全部で四つの占有領域を
用いている。
ライメント・マークを形成する場合、必要とされるアラ
イメント・マークの個数と同じ数の占有領域が必要であ
り、図１０に於いては、４個のアライメント・マーク３
Ｍ、４Ｍ、５Ｍ、６Ｍが存在する為、それぞれが一つの
占有領域を必要とし、従って、全部で四つの占有領域を
用いている。
【０００８】例えば、ロジック系の品種では、通常、五
層分の加工工程を必要とするものが多く、その場合、ア
ライメント・マークは８個を必要とし、その占有面積
は、例えば２００〔μｍ2 〕／個であるから、全部で２
００×８＝１６００〔μｍ2 〕にもなってしまい、かな
りの大きさである。
層分の加工工程を必要とするものが多く、その場合、ア
ライメント・マークは８個を必要とし、その占有面積
は、例えば２００〔μｍ2 〕／個であるから、全部で２
００×８＝１６００〔μｍ2 〕にもなってしまい、かな
りの大きさである。
【０００９】また、アライメント・マークが、露光のシ
ョット中心を原点とするＸ軸及びＹ軸からずれて配置さ
れた場合、測定マーク座標に倍率成分が含まれてしまう
為、正確な並進成分を捕らえることが不可能になり、ア
ライメント・エラーの補正を正確に行うことができな
い。
ョット中心を原点とするＸ軸及びＹ軸からずれて配置さ
れた場合、測定マーク座標に倍率成分が含まれてしまう
為、正確な並進成分を捕らえることが不可能になり、ア
ライメント・エラーの補正を正確に行うことができな
い。
【００１０】更にまた、前記のように問題を生ずるおそ
れがあるアライメント・マークを例えば８個も軸上から
ずれないように形成する作業には、多くの困難が随伴す
るであろうことは云うまでもない。
れがあるアライメント・マークを例えば８個も軸上から
ずれないように形成する作業には、多くの困難が随伴す
るであろうことは云うまでもない。
【００１１】本発明は、アライメント・マークを占有面
積から見て効率良く配置し、且つ、アライメント精度を
向上させようとする。
積から見て効率良く配置し、且つ、アライメント精度を
向上させようとする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明では、アライメン
ト・マークを形成する為の条件として、金属配線層を形
成する為の下地は、平坦化されていなければならない。
ト・マークを形成する為の条件として、金属配線層を形
成する為の下地は、平坦化されていなければならない。
【００１３】従って、絶縁膜を成膜した工程の後、或い
は、ＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎｉｎｓｕｌａｔｏ
ｒ）ウエハを得る為にＳｉウエハを貼り合わせた工程の
後には、ＣＭＰ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃ
ａｌ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法などを適用して平坦化す
ることが必要である。
は、ＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎｉｎｓｕｌａｔｏ
ｒ）ウエハを得る為にＳｉウエハを貼り合わせた工程の
後には、ＣＭＰ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃ
ａｌ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法などを適用して平坦化す
ることが必要である。
【００１４】その後、ある層の金属配線を形成した際の
金属配線層を利用して形成したアライメント・マーク上
に次の層の金属配線を形成する為の金属配線層を部分的
に残して覆った状態とし、そのアライメント・マークを
覆っている金属配線層部分上に次の層の層間絶縁膜を利
用したアライメント・マークを形成することが基本にな
っている。
金属配線層を利用して形成したアライメント・マーク上
に次の層の金属配線を形成する為の金属配線層を部分的
に残して覆った状態とし、そのアライメント・マークを
覆っている金属配線層部分上に次の層の層間絶縁膜を利
用したアライメント・マークを形成することが基本にな
っている。
【００１５】図１は本発明の原理を解説する為の工程要
所に於けるウエハを表す要部切断側面図である。
所に於けるウエハを表す要部切断側面図である。
【００１６】図に於いて、１１は例えばＳｉからなるウ
エハ、１２は例えばＳｉＯ2 系からなる第一層目絶縁
膜、１３Ｍは例えばＡｌ系からなる第一層目配線材料層
で形成したアライメント・マーク、１４は例えばＳｉＯ
2 系からなる第二層目絶縁膜、１４Ｍは第二層目絶縁膜
１４で形成したアライメント・マーク、１５Ｍは例えば
Ａｌ系からなる第二層目配線材料層で形成したアライメ
ント・マーク、１５Ｃは同じくＡｌ系からなる第二層目
配線材料層で形成したアライメント・マーク被覆膜、１
６は例えばＳｉＯ2 系からなる第三層目絶縁膜、１６Ｍ
は第三層目絶縁膜１６で形成したアライメント・マー
ク、Ｐ１１乃至Ｐ１３はアライメント・マークが占める
領域、即ち、アライメント・マーク占有領域をそれぞれ
示している。
エハ、１２は例えばＳｉＯ2 系からなる第一層目絶縁
膜、１３Ｍは例えばＡｌ系からなる第一層目配線材料層
で形成したアライメント・マーク、１４は例えばＳｉＯ
2 系からなる第二層目絶縁膜、１４Ｍは第二層目絶縁膜
１４で形成したアライメント・マーク、１５Ｍは例えば
Ａｌ系からなる第二層目配線材料層で形成したアライメ
ント・マーク、１５Ｃは同じくＡｌ系からなる第二層目
配線材料層で形成したアライメント・マーク被覆膜、１
６は例えばＳｉＯ2 系からなる第三層目絶縁膜、１６Ｍ
は第三層目絶縁膜１６で形成したアライメント・マー
ク、Ｐ１１乃至Ｐ１３はアライメント・マークが占める
領域、即ち、アライメント・マーク占有領域をそれぞれ
示している。
【００１７】図から明らかなように、本発明に依るアラ
イメント・マークの形成方法では、アライメント・マー
クは１３Ｍ、１４Ｍ、１５Ｍ、１６Ｍの４個を形成して
あるが、その占有領域はＰ１１、Ｐ１２、Ｐ１３の三つ
であって、それ等の数は対応せず、占有領域の方が少な
くなっている。
イメント・マークの形成方法では、アライメント・マー
クは１３Ｍ、１４Ｍ、１５Ｍ、１６Ｍの４個を形成して
あるが、その占有領域はＰ１１、Ｐ１２、Ｐ１３の三つ
であって、それ等の数は対応せず、占有領域の方が少な
くなっている。
【００１８】その理由は、云うまでもなく、アライメン
ト・マーク１３Ｍ及び１６Ｍが、占有領域Ｐ１１を共有
し、ウエハ１側から順に積層された状態に形成されてい
ることに依るものであって、このように、アライメント
・マーク１３Ｍと１６Ｍとを同一の占有領域Ｐ１１に形
成しても、それらの間にはＡｌ系からなる第二層目配線
を利用して形成したアライメント・マーク被覆膜１５Ｃ
が介在していることから、アライメント・マークとして
の機能は些かも影響を受けない。
ト・マーク１３Ｍ及び１６Ｍが、占有領域Ｐ１１を共有
し、ウエハ１側から順に積層された状態に形成されてい
ることに依るものであって、このように、アライメント
・マーク１３Ｍと１６Ｍとを同一の占有領域Ｐ１１に形
成しても、それらの間にはＡｌ系からなる第二層目配線
を利用して形成したアライメント・マーク被覆膜１５Ｃ
が介在していることから、アライメント・マークとして
の機能は些かも影響を受けない。
【００１９】図２は図１について説明したアライメント
・マークの作用について解説する為の工程要所に於ける
ウエハを表す要部切断側面図であり、図１に於いて用い
た記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つ
ものとする。
・マークの作用について解説する為の工程要所に於ける
ウエハを表す要部切断側面図であり、図１に於いて用い
た記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つ
ものとする。
【００２０】図に於いて、３０はレジスト膜、Ｌ１はア
ライメント入射光、Ｌ２はアライメント透過光、Ｌ３は
アライメント透過光分反射光、Ｌ４はアライメント反射
光をそれぞれ示している。
ライメント入射光、Ｌ２はアライメント透過光、Ｌ３は
アライメント透過光分反射光、Ｌ４はアライメント反射
光をそれぞれ示している。
【００２１】図示のアライメント・マーク１３Ｍを機能
させる場合には、少なくとも、アライメント・マーク被
覆膜１５Ｃや第三層目絶縁膜１６などが存在しない状態
であるから、その作用については何らの問題も生じな
い。
させる場合には、少なくとも、アライメント・マーク被
覆膜１５Ｃや第三層目絶縁膜１６などが存在しない状態
であるから、その作用については何らの問題も生じな
い。
【００２２】図示された各光のうち、アライメント透過
光Ｌ２は殆ど０であり、従って、アライメント透過光分
反射光Ｌ３も殆ど０であるから、アライメント入射光Ｌ
１をアライメント・マーク１６Ｍに照射したことに依る
情報は、アライメント・マーク１３Ｍに擾乱されること
なく、アライメント反射光Ｌ４のみに依って正確に得る
ことができる。
光Ｌ２は殆ど０であり、従って、アライメント透過光分
反射光Ｌ３も殆ど０であるから、アライメント入射光Ｌ
１をアライメント・マーク１６Ｍに照射したことに依る
情報は、アライメント・マーク１３Ｍに擾乱されること
なく、アライメント反射光Ｌ４のみに依って正確に得る
ことができる。
【００２３】このように、本発明では、アライメント・
マークが２個以上重なって配置されることになるが、下
側アライメント・マークと上側アライメント・マークと
の間に形成された層間絶縁膜が平坦化されていること、
又、アライメント光を透過しない金属配線材料層を選択
的に残すことに依って、上側アライメント・マークを機
能させる場合、下側アライメント・マークに起因する反
射光や回折光の影響を完全に排除するか、或いは、大き
く低減することが可能である。
マークが２個以上重なって配置されることになるが、下
側アライメント・マークと上側アライメント・マークと
の間に形成された層間絶縁膜が平坦化されていること、
又、アライメント光を透過しない金属配線材料層を選択
的に残すことに依って、上側アライメント・マークを機
能させる場合、下側アライメント・マークに起因する反
射光や回折光の影響を完全に排除するか、或いは、大き
く低減することが可能である。
【００２４】前記したように、金属配線材料層を形成す
る下地は、ＣＭＰ法などを利用して平坦化するので、工
程の前歴、例えば、トランジスタ或いはメモリ・キャパ
シタの形成など、凹凸が生成されるような工程を経て
も、その影響を受けることは皆無であり、例えば、厚い
層間絶縁膜を有する半導体装置、或いは、ウエハ貼り合
わせを必要とする半導体装置に於いても本発明を適用す
ることができる。
る下地は、ＣＭＰ法などを利用して平坦化するので、工
程の前歴、例えば、トランジスタ或いはメモリ・キャパ
シタの形成など、凹凸が生成されるような工程を経て
も、その影響を受けることは皆無であり、例えば、厚い
層間絶縁膜を有する半導体装置、或いは、ウエハ貼り合
わせを必要とする半導体装置に於いても本発明を適用す
ることができる。
【００２５】また、金属配線を形成する為の金属配線材
料層を三層以上繰り返し形成する多層工程が必要である
場合、金属配線材料層毎にアライメント・マークを形成
する筈であるから、本発明では、従来の技術に比較し、
その金属配線層数の約１／２個分のアライメント・マー
ク占有領域を節減することができる。
料層を三層以上繰り返し形成する多層工程が必要である
場合、金属配線材料層毎にアライメント・マークを形成
する筈であるから、本発明では、従来の技術に比較し、
その金属配線層数の約１／２個分のアライメント・マー
ク占有領域を節減することができる。
【００２６】図３はアライメント・マーク占有領域を節
減できることを説明する為の工程要所に於けるウエハを
表す要部切断側面図であり、図１及び図２に於いて用い
た記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つ
ものとする。尚、ここでは、７層の金属配線を形成する
場合が対象になっている。
減できることを説明する為の工程要所に於けるウエハを
表す要部切断側面図であり、図１及び図２に於いて用い
た記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つ
ものとする。尚、ここでは、７層の金属配線を形成する
場合が対象になっている。
【００２７】図に於いて、１７Ｍは例えばＡｌ系からな
る第三層目配線材料層で形成したアライメント・マー
ク、１７Ｃは同じくＡｌ系からなる第三層目配線材料層
で形成したアライメント・マーク被覆膜、１８は第四層
目絶縁膜、１８Ｍは第四層目絶縁膜１８で形成したアラ
イメント・マーク、１９Ｍは例えばＡｌ系からなる第四
層目配線材料層で形成したアライメント・マーク、１９
Ｃは同じくＡｌ系からなる第四層目配線材料層で形成し
たアライメント・マーク被覆膜、２０は第五層目絶縁
膜、２０Ｍは第五層目絶縁膜２０で形成したアライメン
ト・マーク、２１Ｍは例えばＡｌ系からなる第五層目配
線材料層で形成したアライメント・マーク、２１Ｃは同
じくＡｌ系からなる第五層目配線材料層で形成したアラ
イメント・マーク被覆膜、２２は第六層目絶縁膜、２２
Ｍは第六層目絶縁膜２２で形成したアライメント・マー
ク、２３Ｍは例えばＡｌ系からなる第六層目配線材料層
で形成したアライメント・マーク、２３Ｃは同じくＡｌ
系からなる第六層目配線材料層で形成したアライメント
・マーク被覆膜、２４は第七層目絶縁膜、２４Ｍは第七
層目絶縁膜２４で形成したアライメント・マーク、２５
Ｍは例えばＡｌ系からなる第七層目配線材料層で形成し
たアライメント・マーク、２５Ｃは同じくＡｌ系からな
る第七層目配線材料層で形成したアライメント・マーク
被覆膜、２６は第八層目絶縁膜、２６Ｍは第八層目絶縁
膜２６で形成したアライメント・マーク、Ｐ１１乃至Ｐ
１８はアライメント・マーク占有領域をそれぞれ示し、
又、○付き数字は、金属配線材料層で形成するアライメ
ント・マーク及び絶縁膜で形成するアライメント・マー
クの形成順を指示するものである。
る第三層目配線材料層で形成したアライメント・マー
ク、１７Ｃは同じくＡｌ系からなる第三層目配線材料層
で形成したアライメント・マーク被覆膜、１８は第四層
目絶縁膜、１８Ｍは第四層目絶縁膜１８で形成したアラ
イメント・マーク、１９Ｍは例えばＡｌ系からなる第四
層目配線材料層で形成したアライメント・マーク、１９
Ｃは同じくＡｌ系からなる第四層目配線材料層で形成し
たアライメント・マーク被覆膜、２０は第五層目絶縁
膜、２０Ｍは第五層目絶縁膜２０で形成したアライメン
ト・マーク、２１Ｍは例えばＡｌ系からなる第五層目配
線材料層で形成したアライメント・マーク、２１Ｃは同
じくＡｌ系からなる第五層目配線材料層で形成したアラ
イメント・マーク被覆膜、２２は第六層目絶縁膜、２２
Ｍは第六層目絶縁膜２２で形成したアライメント・マー
ク、２３Ｍは例えばＡｌ系からなる第六層目配線材料層
で形成したアライメント・マーク、２３Ｃは同じくＡｌ
系からなる第六層目配線材料層で形成したアライメント
・マーク被覆膜、２４は第七層目絶縁膜、２４Ｍは第七
層目絶縁膜２４で形成したアライメント・マーク、２５
Ｍは例えばＡｌ系からなる第七層目配線材料層で形成し
たアライメント・マーク、２５Ｃは同じくＡｌ系からな
る第七層目配線材料層で形成したアライメント・マーク
被覆膜、２６は第八層目絶縁膜、２６Ｍは第八層目絶縁
膜２６で形成したアライメント・マーク、Ｐ１１乃至Ｐ
１８はアライメント・マーク占有領域をそれぞれ示し、
又、○付き数字は、金属配線材料層で形成するアライメ
ント・マーク及び絶縁膜で形成するアライメント・マー
クの形成順を指示するものである。
【００２８】図から明らかなように、７層の多層配線を
形成し、且つ、アライメント・マークを１４個形成する
のに必要なアライメント・マーク占有領域は８個である
が、従来の技術に依った場合、アライメント・マーク占
有領域の個数は、アライメント・マークと同数、即ち、
１４個が必要である。
形成し、且つ、アライメント・マークを１４個形成する
のに必要なアライメント・マーク占有領域は８個である
が、従来の技術に依った場合、アライメント・マーク占
有領域の個数は、アライメント・マークと同数、即ち、
１４個が必要である。
【００２９】前記したところから、本発明に依るアライ
メント・マークの形成方法に於いては、
メント・マークの形成方法に於いては、
【００３０】（１）半導体ウエハ上に下側配線を形成す
る金属系配線材料層（例えばＡｌ系からなる第一層目配
線材料層）を利用して該下側配線（例えば第一層目配
線）及び下側アライメント・マーク（例えばアライメン
ト・マーク１３Ｍ）を同時に形成する工程と、次いで、
該下側配線及び下側アライメント・マークを含む全面に
下側層間絶縁膜（例えばＳｉＯ2 系からなる第二層目絶
縁膜１４）を形成してから該下側層間絶縁膜を平坦化す
る工程と、次いで、該平坦化された下側層間絶縁膜上に
上側配線を形成する金属系配線材料層（例えばＡｌ系か
らなる第二層目配線材料層）を利用して該上側配線（例
えば第二層目配線）及び上側アライメント・マーク（例
えばアライメント・マーク１５Ｍ）及び該下側アライメ
ント・マークを覆うアライメント・マーク被覆膜（例え
ばアライメント・マーク被覆膜１５Ｃ）を同時に形成す
る工程と、次いで、該上側配線及び上側アライメント・
マーク及び該下側アライメント・マークを覆うアライメ
ント・マーク被覆膜を含む全面に上側層間絶縁膜（例え
ばＳｉＯ2 からなる第三層目絶縁膜１６）を形成する工
程と、次いで、該上側層間絶縁膜を利用して該アライメ
ント・マーク被覆膜上にアライメント・マーク（例えば
アライメント・マーク１６Ｍ）を形成する工程とが含ま
れてなることを特徴とするか、或いは、
る金属系配線材料層（例えばＡｌ系からなる第一層目配
線材料層）を利用して該下側配線（例えば第一層目配
線）及び下側アライメント・マーク（例えばアライメン
ト・マーク１３Ｍ）を同時に形成する工程と、次いで、
該下側配線及び下側アライメント・マークを含む全面に
下側層間絶縁膜（例えばＳｉＯ2 系からなる第二層目絶
縁膜１４）を形成してから該下側層間絶縁膜を平坦化す
る工程と、次いで、該平坦化された下側層間絶縁膜上に
上側配線を形成する金属系配線材料層（例えばＡｌ系か
らなる第二層目配線材料層）を利用して該上側配線（例
えば第二層目配線）及び上側アライメント・マーク（例
えばアライメント・マーク１５Ｍ）及び該下側アライメ
ント・マークを覆うアライメント・マーク被覆膜（例え
ばアライメント・マーク被覆膜１５Ｃ）を同時に形成す
る工程と、次いで、該上側配線及び上側アライメント・
マーク及び該下側アライメント・マークを覆うアライメ
ント・マーク被覆膜を含む全面に上側層間絶縁膜（例え
ばＳｉＯ2 からなる第三層目絶縁膜１６）を形成する工
程と、次いで、該上側層間絶縁膜を利用して該アライメ
ント・マーク被覆膜上にアライメント・マーク（例えば
アライメント・マーク１６Ｍ）を形成する工程とが含ま
れてなることを特徴とするか、或いは、
【００３１】（２）前記（１）に於いて、表面にアライ
メント・マーク（例えばアライメント・マーク４２Ｍ）
が形成された第一の半導体ウエハ（例えばＳｉウエハ４
１）を絶縁膜（例えばＢＰＳＧからなる絶縁膜４３）を
介して第二の半導体ウエハ（例えばＳｉウエハ４４）と
貼り合わせる工程と、次いで、該アライメント・マーク
を残して第一の半導体ウエハを除去してから該アライメ
ント・マークを含む全面に層間絶縁膜（例えばＳｉＯ2
からなる層間絶縁膜４５）を形成する工程とが前挿さ
れ、その後、下側配線を形成する金属系配線材料層（例
えばＡｌ合金膜）を利用して該下側配線及び下側アライ
メント・マーク（例えばアライメント・マーク４６Ｍ）
及び第二の半導体ウエハ上に在って該層間絶縁膜（例え
ばＳｉＯ2 からなる層間絶縁膜４５）で覆われたアライ
メント・マーク（例えばアライメント・マーク４２Ｍ）
を覆うアライメント・マーク被覆膜（例えばアライメン
ト・マーク被覆膜４６Ｃ）を同時に形成する工程に連な
ることを特徴とするか、或いは、
メント・マーク（例えばアライメント・マーク４２Ｍ）
が形成された第一の半導体ウエハ（例えばＳｉウエハ４
１）を絶縁膜（例えばＢＰＳＧからなる絶縁膜４３）を
介して第二の半導体ウエハ（例えばＳｉウエハ４４）と
貼り合わせる工程と、次いで、該アライメント・マーク
を残して第一の半導体ウエハを除去してから該アライメ
ント・マークを含む全面に層間絶縁膜（例えばＳｉＯ2
からなる層間絶縁膜４５）を形成する工程とが前挿さ
れ、その後、下側配線を形成する金属系配線材料層（例
えばＡｌ合金膜）を利用して該下側配線及び下側アライ
メント・マーク（例えばアライメント・マーク４６Ｍ）
及び第二の半導体ウエハ上に在って該層間絶縁膜（例え
ばＳｉＯ2 からなる層間絶縁膜４５）で覆われたアライ
メント・マーク（例えばアライメント・マーク４２Ｍ）
を覆うアライメント・マーク被覆膜（例えばアライメン
ト・マーク被覆膜４６Ｃ）を同時に形成する工程に連な
ることを特徴とするか、或いは、
【００３２】（３）前記（１）又は（２）に於いて、ア
ライメント・マーク被覆膜（例えばアライメント・マー
ク被覆膜１５Ｃやアライメント・マーク被覆膜４６Ｃ）
は少なくとも被覆対象であるアライメント・マーク（例
えばアライメント・マーク１３Ｍやアライメント・マー
ク４２Ｍ）で反射されたアライメント光が検知されない
厚さをもって形成されることを特徴とする。
ライメント・マーク被覆膜（例えばアライメント・マー
ク被覆膜１５Ｃやアライメント・マーク被覆膜４６Ｃ）
は少なくとも被覆対象であるアライメント・マーク（例
えばアライメント・マーク１３Ｍやアライメント・マー
ク４２Ｍ）で反射されたアライメント光が検知されない
厚さをもって形成されることを特徴とする。
【００３３】前記手段を採ることに依り、アライメント
・マークを効率良く配設することができ、しかも、配設
に於ける自由度は大きくなるので、所望の配設、或い
は、それに近い配設が可能となる。又、アライメント・
マークを露光のショット中心を原点とするＸ軸及びＹ軸
からずれないように配設すると、位置ずれ成分の並進分
から倍率分を排除できるので、アライメント精度は向上
する。更にまた、アライメント・マークの占有面積は、
従来の技術に依存した場合に比較し、略１／２に近い程
度にすることが可能になるので、パターンに余裕をもた
せることが可能になる。
・マークを効率良く配設することができ、しかも、配設
に於ける自由度は大きくなるので、所望の配設、或い
は、それに近い配設が可能となる。又、アライメント・
マークを露光のショット中心を原点とするＸ軸及びＹ軸
からずれないように配設すると、位置ずれ成分の並進分
から倍率分を排除できるので、アライメント精度は向上
する。更にまた、アライメント・マークの占有面積は、
従来の技術に依存した場合に比較し、略１／２に近い程
度にすることが可能になるので、パターンに余裕をもた
せることが可能になる。
【００３４】
【発明の実施の形態】図４は本発明に於ける一実施の形
態を説明する為の工程要所に於けるウエハを表す要部説
明図である。
態を説明する為の工程要所に於けるウエハを表す要部説
明図である。
【００３５】図に於いて、（Ａ）はウエハの要部切断側
面、（Ｂ）はアライメント・マークの寸法を説明する為
の平面、３１はウエハ、３２はｎ−１層目層間絶縁膜、
３３Ｍはｎ−１層目配線の配線材料層を利用して形成し
たアライメント・マーク、３４はｎ層目層間絶縁膜、３
５Ｍはｎ層目配線の配線材料層を利用して形成したアラ
イメント・マーク、３５Ｃはｎ層目配線の配線材料層を
利用して形成したアライメント・マーク被覆膜、３６は
ｎ＋１層目層間絶縁膜、３６Ｍはｎ＋１層目層間絶縁膜
３６で形成したアライメント・マーク、ＡＭはアライメ
ント・マーク、ＡＭ１，ＡＭ２・・・はアライメント・
マークＡＭに於けるバー、Ｌ１はアライメント・マーク
の横方向長さ、Ｌ２はアライメント・マークの縦方向長
さ、ｐはピッチ、ｓはスペース、ｌはラインをそれぞれ
示している。
面、（Ｂ）はアライメント・マークの寸法を説明する為
の平面、３１はウエハ、３２はｎ−１層目層間絶縁膜、
３３Ｍはｎ−１層目配線の配線材料層を利用して形成し
たアライメント・マーク、３４はｎ層目層間絶縁膜、３
５Ｍはｎ層目配線の配線材料層を利用して形成したアラ
イメント・マーク、３５Ｃはｎ層目配線の配線材料層を
利用して形成したアライメント・マーク被覆膜、３６は
ｎ＋１層目層間絶縁膜、３６Ｍはｎ＋１層目層間絶縁膜
３６で形成したアライメント・マーク、ＡＭはアライメ
ント・マーク、ＡＭ１，ＡＭ２・・・はアライメント・
マークＡＭに於けるバー、Ｌ１はアライメント・マーク
の横方向長さ、Ｌ２はアライメント・マークの縦方向長
さ、ｐはピッチ、ｓはスペース、ｌはラインをそれぞれ
示している。
【００３６】前記説明したウエハに於ける各部分の主要
なデータを例示すると次の通りである。
なデータを例示すると次の通りである。
【００３７】（１） ウエハ３１について 材料：Ｓｉ
【００３８】（２） ｎ−１層目層間絶縁膜３２につい
て 材料：ＳｉＯ2 系 厚さ：０．５〔μｍ〕
て 材料：ＳｉＯ2 系 厚さ：０．５〔μｍ〕
【００３９】（３） アライメント・マーク３３Ｍにつ
いて 材料：Ａｌ合金系 厚さ：〜１〔μｍ〕
いて 材料：Ａｌ合金系 厚さ：〜１〔μｍ〕
【００４０】（４） ｎ層目層間絶縁膜３４について 材料：ＳｉＯ2 系 厚さ：０．５〔μｍ〕
【００４１】（５） アライメント・マーク３５Ｍ及び
アライメント・マーク被覆膜３５Ｃについて 材料：Ａｌ合金系 厚さ：〜１〔μｍ〕
アライメント・マーク被覆膜３５Ｃについて 材料：Ａｌ合金系 厚さ：〜１〔μｍ〕
【００４２】（６） ｎ＋１層目層間絶縁膜３６及びア
ライメント・マーク３６Ｍについて 材料：ＳｉＯ2 系 厚さ：０．５〔μｍ〕
ライメント・マーク３６Ｍについて 材料：ＳｉＯ2 系 厚さ：０．５〔μｍ〕
【００４３】図示の構成を得るに際しては、通常の技
術、例えば化学気相堆積（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏ
ｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）法、真空蒸着法、
ウエット・エッチング法、ドライ・エッチング法などを
適用すれば容易に実現できるのであるが、少なくともｎ
層目層間絶縁膜３４は、例えば〜２〔μｍ〕程度成長さ
せてからＣＭＰ法を適用して厚さが０．５〔μｍ〕にな
るよう研磨し、表面を平坦化する。
術、例えば化学気相堆積（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏ
ｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）法、真空蒸着法、
ウエット・エッチング法、ドライ・エッチング法などを
適用すれば容易に実現できるのであるが、少なくともｎ
層目層間絶縁膜３４は、例えば〜２〔μｍ〕程度成長さ
せてからＣＭＰ法を適用して厚さが０．５〔μｍ〕にな
るよう研磨し、表面を平坦化する。
【００４４】このようにすることで、その上に形成され
るアライメント・マーク被覆膜３５Ｃの表面も平坦にな
るから、それを下地とするアライメント・マーク３６Ｍ
の機能には何らの問題も発生しない。
るアライメント・マーク被覆膜３５Ｃの表面も平坦にな
るから、それを下地とするアライメント・マーク３６Ｍ
の機能には何らの問題も発生しない。
【００４５】図４の（Ｂ）には、アライメント・マーク
ＡＭの平面が表されていて、その横方向長さＬ１は例え
ば２２０〔μｍ〕、縦方向長さＬ２は例えば３６〔μ
ｍ〕、ピッチｐは１２〔μｍ〕、ラインｌ：スペースｓ
＝５：７であり、バーＡＭ１、ＡＭ２・・・・は８個含
まれている。尚、図４の（Ａ）は、（Ｂ）に見られる線
Ｘ−Ｘ方向で切断した側面である。
ＡＭの平面が表されていて、その横方向長さＬ１は例え
ば２２０〔μｍ〕、縦方向長さＬ２は例えば３６〔μ
ｍ〕、ピッチｐは１２〔μｍ〕、ラインｌ：スペースｓ
＝５：７であり、バーＡＭ１、ＡＭ２・・・・は８個含
まれている。尚、図４の（Ａ）は、（Ｂ）に見られる線
Ｘ−Ｘ方向で切断した側面である。
【００４６】アライメント光としては、４００〔ｎｍ〕
〜８００〔ｎｍ〕の単波長光、或いは、多波長光が用い
られるので、厚さが〜１〔μｍ〕であるＡｌ合金系のア
ライメント・マーク被覆膜３５Ｃやアライメント・マー
ク３５Ｍを透過することはない。
〜８００〔ｎｍ〕の単波長光、或いは、多波長光が用い
られるので、厚さが〜１〔μｍ〕であるＡｌ合金系のア
ライメント・マーク被覆膜３５Ｃやアライメント・マー
ク３５Ｍを透過することはない。
【００４７】従って、約０．５〔μｍ〕のＳｉＯ2 から
なる層間絶縁膜３６を利用し、アライメント・マーク被
覆膜３５Ｃ上に形成したアライメント・マーク３６Ｍは
正確に機能し、その下方に在るアライメント・マーク３
３Ｍの影響を受けることはない。
なる層間絶縁膜３６を利用し、アライメント・マーク被
覆膜３５Ｃ上に形成したアライメント・マーク３６Ｍは
正確に機能し、その下方に在るアライメント・マーク３
３Ｍの影響を受けることはない。
【００４８】図５は本発明に於ける他の実施の形態を説
明する為の工程要所に於けるＳＯＩウエハを表す要部説
明図である。尚、ここに開示する実施の形態は、例え
ば、４ＧなどのＤＲＡＭ（ｄｙｎａｍｉｃ ｒａｎｄｏ
ｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ）を製造する場合に特
に有用と考えられる。
明する為の工程要所に於けるＳＯＩウエハを表す要部説
明図である。尚、ここに開示する実施の形態は、例え
ば、４ＧなどのＤＲＡＭ（ｄｙｎａｍｉｃ ｒａｎｄｏ
ｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ）を製造する場合に特
に有用と考えられる。
【００４９】図に於いて、４２Ｍは貼り合わせウエハを
作成する前に形成したアライメント・マーク、４３はＢ
ＰＳＧ（ｂｏｒｏｐｈｏｓｐｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ ｇ
ｌａｓｓ）からなる絶縁膜、４４はＳｉからなるウエ
ハ、４５はＳｉＯ2 からなる層間絶縁膜、４６Ｍは配線
（図示せず）を得る為の配線材料層を利用して形成した
アライメント・マーク、４６Ｃは同じく配線（図示せ
ず）を得る為の配線材料層を利用して形成したアライメ
ント・マーク被覆膜、４７はＳｉＯ2 からなる層間絶縁
膜、４７Ｍは層間絶縁膜４７で形成したアライメント・
マークをそれぞれ示している。
作成する前に形成したアライメント・マーク、４３はＢ
ＰＳＧ（ｂｏｒｏｐｈｏｓｐｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ ｇ
ｌａｓｓ）からなる絶縁膜、４４はＳｉからなるウエ
ハ、４５はＳｉＯ2 からなる層間絶縁膜、４６Ｍは配線
（図示せず）を得る為の配線材料層を利用して形成した
アライメント・マーク、４６Ｃは同じく配線（図示せ
ず）を得る為の配線材料層を利用して形成したアライメ
ント・マーク被覆膜、４７はＳｉＯ2 からなる層間絶縁
膜、４７Ｍは層間絶縁膜４７で形成したアライメント・
マークをそれぞれ示している。
【００５０】図６乃至図９は図５に見られるＳＯＩウエ
ハの製造について説明する為の工程要所に於けるＳＯＩ
ウエハを表す要部切断側面図であり、以下、これ等の図
を参照しつつ解説する。
ハの製造について説明する為の工程要所に於けるＳＯＩ
ウエハを表す要部切断側面図であり、以下、これ等の図
を参照しつつ解説する。
【００５１】図６（Ａ）参照 ６−（１） ＣＶＤ法を適用することに依り、Ｓｉウエハ４１上にＳ
ｉＯ2 からなるパッド膜及び厚さが例えば１１５〔ｎ
ｍ〕であるＳｉ3 Ｎ4 膜を形成する。
ｉＯ2 からなるパッド膜及び厚さが例えば１１５〔ｎ
ｍ〕であるＳｉ3 Ｎ4 膜を形成する。
【００５２】６−（２） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、並び
に、エッチング・ガスをＣＦ4 系とする反応性イオン・
エッチング（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎ
ｇ：ＲＩＥ）法を適用することに依り、工程６−（１）
で形成したＳｉ3 Ｎ4 膜などのエッチングを行って、フ
ィールド絶縁膜形成領域上及びアライメント・マーク形
成領域上に在るものを除去する。
に、エッチング・ガスをＣＦ4 系とする反応性イオン・
エッチング（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎ
ｇ：ＲＩＥ）法を適用することに依り、工程６−（１）
で形成したＳｉ3 Ｎ4 膜などのエッチングを行って、フ
ィールド絶縁膜形成領域上及びアライメント・マーク形
成領域上に在るものを除去する。
【００５３】６−（３） 工程６−（１）及び６−（２）で形成したＳｉ3 Ｎ4 膜
を耐酸化性マスクとする選択的熱酸化（ｌｏｃａｌ ｏ
ｘｉｄａｔｉｏｎ ｏｆ ｓｉｌｉｃｏｎ：ＬＯＣＯ
Ｓ）法を適用することに依り、ＳｉＯ2 からなるフィー
ルド絶縁膜（図示せず）及びアライメント・マーク４２
を形成する。
を耐酸化性マスクとする選択的熱酸化（ｌｏｃａｌ ｏ
ｘｉｄａｔｉｏｎ ｏｆ ｓｉｌｉｃｏｎ：ＬＯＣＯ
Ｓ）法を適用することに依り、ＳｉＯ2 からなるフィー
ルド絶縁膜（図示せず）及びアライメント・マーク４２
を形成する。
【００５４】６−（４） 工程６−（３）で実施した選択酸化に於いて耐酸化性マ
スクとして利用したＳｉ3 Ｎ4 膜などを除去する。
スクとして利用したＳｉ3 Ｎ4 膜などを除去する。
【００５５】６−（３） ＣＶＤ法を適用することに依り、厚さが例えば２〔μ
ｍ〕のＢＰＳＧからなる絶縁膜４３を形成する。
ｍ〕のＢＰＳＧからなる絶縁膜４３を形成する。
【００５６】図６（Ｂ）参照 ６−（４） ＣＭＰ法を適用することに依り、ＢＰＳＧからなる絶縁
膜４３の研磨を行って、厚さ例えば１〔μｍ〕を残し、
他を除去する。
膜４３の研磨を行って、厚さ例えば１〔μｍ〕を残し、
他を除去する。
【００５７】図７（Ａ）参照 ７−（１） ＢＰＳＧからなる絶縁膜４３に新たなＳｉウエハ４４を
対向させて貼り合わせる。
対向させて貼り合わせる。
【００５８】図７（Ｂ）参照 ７−（２） ＣＭＰ法を適用することに依って、アライメント・マー
ク４２Ｍを形成したＳｉウエハ４１の研磨を行って全て
除去する。
ク４２Ｍを形成したＳｉウエハ４１の研磨を行って全て
除去する。
【００５９】図８（Ａ）参照 ８−（１） ＣＶＤ法を適用することに依って、厚さが例えば５００
〔ｎｍ〕であるＳｉＯ2 からなる層間絶縁膜４５を形成
する。
〔ｎｍ〕であるＳｉＯ2 からなる層間絶縁膜４５を形成
する。
【００６０】図８（Ｂ）参照 ８−（２） ＣＶＤ法を適用することに依って、層間絶縁膜４５上に
厚さが例えば１００〔ｎｍ〕であるＴｉ化合物系膜を形
成する。
厚さが例えば１００〔ｎｍ〕であるＴｉ化合物系膜を形
成する。
【００６１】８−（３） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、及び、
エッチング・ガスをＣｌ2 系ガスとするＲＩＥ法を適用
することに依り、工程８−（２）で形成したＴｉ化合物
系膜のエッチングを行ってアライメント・マーク４６Ｍ
及びアライメント・マーク被覆膜４６Ｃを形成する。
エッチング・ガスをＣｌ2 系ガスとするＲＩＥ法を適用
することに依り、工程８−（２）で形成したＴｉ化合物
系膜のエッチングを行ってアライメント・マーク４６Ｍ
及びアライメント・マーク被覆膜４６Ｃを形成する。
【００６２】勿論、アライメント・マーク被覆膜４６Ｃ
は、アライメント・マーク４２Ｍを覆い隠すような位置
に形成される。
は、アライメント・マーク４２Ｍを覆い隠すような位置
に形成される。
【００６３】図９参照 ９−（１） ＣＶＤ法を適用することに依って、厚さが例えば１．５
〔μｍ〕程度であるＳｉＯ2 からなる絶縁膜４７を形成
する。
〔μｍ〕程度であるＳｉＯ2 からなる絶縁膜４７を形成
する。
【００６４】９−（２） ＣＭＰ法を適用することに依り、ＳｉＯ2 からなる絶縁
膜４７の研磨を行って、厚さ例えば１〔μｍ〕を残し、
他を除去する。
膜４７の研磨を行って、厚さ例えば１〔μｍ〕を残し、
他を除去する。
【００６５】９−（３） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、及び、
エッチング・ガスをＣＦ4 系ガスとするＲＩＥ法を適用
することに依って、アライメント・マーク被覆膜４６Ｃ
上に在る絶縁膜４７をエッチングしてアライメント・マ
ーク４７Ｍを形成する。
エッチング・ガスをＣＦ4 系ガスとするＲＩＥ法を適用
することに依って、アライメント・マーク被覆膜４６Ｃ
上に在る絶縁膜４７をエッチングしてアライメント・マ
ーク４７Ｍを形成する。
【００６６】９−（４） この後、必要あれば、前記同様、多層配線を形成するこ
とができる。
とができる。
【００６７】
【発明の効果】本発明に依るアライメント・マークの形
成方法に於いては、下側配線を形成する金属系配線材料
層を利用して該下側配線及び下側アライメント・マーク
を同時に形成し、全面に下側層間絶縁膜を形成してから
平坦化し、その下側層間絶縁膜上に上側配線を形成する
金属系配線材料層を利用して上側配線及び上側アライメ
ント・マーク及び下側アライメント・マークを覆うアラ
イメント・マーク被覆膜を同時に形成し、上側層間絶縁
膜を形成し、その上側層間絶縁膜を利用してアライメン
ト・マーク被覆膜上にアライメント・マークを形成す
る。
成方法に於いては、下側配線を形成する金属系配線材料
層を利用して該下側配線及び下側アライメント・マーク
を同時に形成し、全面に下側層間絶縁膜を形成してから
平坦化し、その下側層間絶縁膜上に上側配線を形成する
金属系配線材料層を利用して上側配線及び上側アライメ
ント・マーク及び下側アライメント・マークを覆うアラ
イメント・マーク被覆膜を同時に形成し、上側層間絶縁
膜を形成し、その上側層間絶縁膜を利用してアライメン
ト・マーク被覆膜上にアライメント・マークを形成す
る。
【００６８】前記構成を採ることに依り、アライメント
・マークを効率良く配設することができ、しかも、配設
に於ける自由度は大きくなるので、所望の配設、或い
は、それに近い配設が可能となる。又、アライメント・
マークを露光のショット中心を原点とするＸ軸及びＹ軸
からずれないように配設すると、位置ずれ成分の並進分
から倍率分を排除できるので、アライメント精度は向上
する。更にまた、アライメント・マークの占有面積は、
従来の技術に依存した場合に比較し、略１／２に近い程
度にすることが可能になるので、他のパターンに余裕を
与えることができるし、また、チップ・サイズを小型化
する場合には、多くの制約を取り払うことを可能にす
る。
・マークを効率良く配設することができ、しかも、配設
に於ける自由度は大きくなるので、所望の配設、或い
は、それに近い配設が可能となる。又、アライメント・
マークを露光のショット中心を原点とするＸ軸及びＹ軸
からずれないように配設すると、位置ずれ成分の並進分
から倍率分を排除できるので、アライメント精度は向上
する。更にまた、アライメント・マークの占有面積は、
従来の技術に依存した場合に比較し、略１／２に近い程
度にすることが可能になるので、他のパターンに余裕を
与えることができるし、また、チップ・サイズを小型化
する場合には、多くの制約を取り払うことを可能にす
る。
【図１】本発明の原理を解説する為の工程要所に於ける
ウエハを表す要部切断側面図である。
ウエハを表す要部切断側面図である。
【図２】図１について説明したアライメント・マークの
作用について解説する為の工程要所に於けるウエハを表
す要部切断側面図である。
作用について解説する為の工程要所に於けるウエハを表
す要部切断側面図である。
【図３】アライメント・マーク占有領域を節減できるこ
とを説明する為の工程要所に於けるウエハを表す要部切
断側面図である。
とを説明する為の工程要所に於けるウエハを表す要部切
断側面図である。
【図４】本発明に於ける一実施の形態を説明する為の工
程要所に於けるウエハを表す要部説明図である。
程要所に於けるウエハを表す要部説明図である。
【図５】本発明に於ける他の実施の形態を説明する為の
工程要所に於けるＳＯＩウエハを表す要部説明図であ
る。
工程要所に於けるＳＯＩウエハを表す要部説明図であ
る。
【図６】図５に見られるＳＯＩウエハの製造について説
明する為の工程要所に於けるＳＯＩウエハを表す要部切
断側面図である。
明する為の工程要所に於けるＳＯＩウエハを表す要部切
断側面図である。
【図７】図５に見られるＳＯＩウエハの製造について説
明する為の工程要所に於けるＳＯＩウエハを表す要部切
断側面図である。
明する為の工程要所に於けるＳＯＩウエハを表す要部切
断側面図である。
【図８】図５に見られるＳＯＩウエハの製造について説
明する為の工程要所に於けるＳＯＩウエハを表す要部切
断側面図である。
明する為の工程要所に於けるＳＯＩウエハを表す要部切
断側面図である。
【図９】図５に見られるＳＯＩウエハの製造について説
明する為の工程要所に於けるＳＯＩウエハを表す要部切
断側面図である。
明する為の工程要所に於けるＳＯＩウエハを表す要部切
断側面図である。
【図１０】従来の技術を解説する為の工程要所に於ける
ウエハを表す要部切断側面図である。
ウエハを表す要部切断側面図である。
１１ ウエハ １２ 第一層目絶縁膜 １３Ｍ アライメント・マーク １４ 第二層目絶縁膜 １４Ｍ アライメント・マーク １５Ｍ アライメント・マーク １５Ｃ アライメント・マーク被覆膜 １６ 第三層目絶縁膜 １６Ｍ アライメント・マーク Ｐ１１乃至Ｐ１３はアライメント・マーク占有領域 ３０ レジスト膜 Ｌ１ アライメント入射光 Ｌ２ アライメント透過光 Ｌ３ アライメント透過光分反射光 Ｌ４ アライメント反射光
Claims (3)
- 【請求項１】半導体ウエハ上に下側配線を形成する金属
系配線材料層を利用して該下側配線及び下側アライメン
ト・マークを同時に形成する工程と、 次いで、該下側配線及び下側アライメント・マークを含
む全面に下側層間絶縁膜を形成してから該下側層間絶縁
膜を平坦化する工程と、 次いで、該平坦化された下側層間絶縁膜上に上側配線を
形成する金属系配線材料層を利用して該上側配線及び上
側アライメント・マーク及び該下側アライメント・マー
クを覆うアライメント・マーク被覆膜を同時に形成する
工程と、 次いで、該上側配線及び上側アライメント・マーク及び
該下側アライメント・マークを覆うアライメント・マー
ク被覆膜を含む全面に上側層間絶縁膜を形成する工程
と、 次いで、該上側層間絶縁膜を利用して該アライメント・
マーク被覆膜上にアライメント・マークを形成する工程
とが含まれてなることを特徴とするアライメント・マー
クの形成方法。 - 【請求項２】表面にアライメント・マークが形成された
第一の半導体ウエハを絶縁膜を介して第二の半導体ウエ
ハと貼り合わせる工程と、 次いで、該アライメント・マークを残して第一の半導体
ウエハを除去してから該アライメント・マークを含む全
面に層間絶縁膜を形成する工程とが前挿され、 その後、下側配線を形成する金属系配線材料層を利用し
て該下側配線及び下側アライメント・マーク及び第二の
半導体ウエハ上に於いて該層間絶縁膜で覆われたアライ
メント・マークを覆うアライメント・マーク被覆膜を同
時に形成する工程に連なることを特徴とする請求項１記
載のアライメント・マークの形成方法。 - 【請求項３】アライメント・マーク被覆膜は少なくとも
被覆対象であるアライメント・マークで反射されたアラ
イメント光が検知されない厚さをもって形成されること
を特徴とする請求項１或いは２記載のアライメント・マ
ークの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03594796A JP3572555B2 (ja) | 1996-02-23 | 1996-02-23 | アライメント・マークの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03594796A JP3572555B2 (ja) | 1996-02-23 | 1996-02-23 | アライメント・マークの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09232207A true JPH09232207A (ja) | 1997-09-05 |
| JP3572555B2 JP3572555B2 (ja) | 2004-10-06 |
Family
ID=12456192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03594796A Expired - Lifetime JP3572555B2 (ja) | 1996-02-23 | 1996-02-23 | アライメント・マークの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3572555B2 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001067509A1 (fr) * | 2000-03-09 | 2001-09-13 | Fujitsu Limited | Dispositif semi-conducteur et procede de fabrication |
| JP2001358048A (ja) * | 2000-06-13 | 2001-12-26 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2002299203A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US6677682B1 (en) | 2000-01-28 | 2004-01-13 | Renesas Technology Corp. | Multilayer interconnection structure including an alignment mark |
| WO2005106929A1 (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Fujitsu Limited | 半導体ウェハ及びその製造方法 |
| KR100608350B1 (ko) * | 2002-11-25 | 2006-08-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 오버레이 판독 정확도 개선용 오버레이 버어니어 및 그제조방법 |
| WO2006105326A1 (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-05 | Sandisk 3D, Llc | Masking of repeated overlay and alignment marks to allow reuse of photomasks in a vertical structure |
| KR100734078B1 (ko) * | 2001-12-24 | 2007-07-02 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 금속 배선 마스크의 정렬 키 형성 방법 |
| JP2009027028A (ja) * | 2007-07-20 | 2009-02-05 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2010225800A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Toshiba Corp | 位置合わせマーク、半導体装置の製造方法およびマスクセット |
| US9401332B2 (en) | 2013-11-22 | 2016-07-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing semiconductor device and alignment mark of semiconductor device |
| US9929104B2 (en) | 2016-02-02 | 2018-03-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device including an optical measurement pattern |
| JP2020072111A (ja) * | 2018-10-29 | 2020-05-07 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置および機器 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5685811B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2015-03-18 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-02-23 JP JP03594796A patent/JP3572555B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6677682B1 (en) | 2000-01-28 | 2004-01-13 | Renesas Technology Corp. | Multilayer interconnection structure including an alignment mark |
| US6706610B2 (en) | 2000-03-09 | 2004-03-16 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and fabrication process thereof |
| US7005755B2 (en) | 2000-03-09 | 2006-02-28 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and fabrication process thereof |
| WO2001067509A1 (fr) * | 2000-03-09 | 2001-09-13 | Fujitsu Limited | Dispositif semi-conducteur et procede de fabrication |
| EP1164639A3 (en) * | 2000-06-13 | 2007-07-18 | NEC Electronics Corporation | Alignment marks for manufacturing semiconductor device |
| JP2001358048A (ja) * | 2000-06-13 | 2001-12-26 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2002299203A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| KR100734078B1 (ko) * | 2001-12-24 | 2007-07-02 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 금속 배선 마스크의 정렬 키 형성 방법 |
| KR100608350B1 (ko) * | 2002-11-25 | 2006-08-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 오버레이 판독 정확도 개선용 오버레이 버어니어 및 그제조방법 |
| WO2005106929A1 (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Fujitsu Limited | 半導体ウェハ及びその製造方法 |
| WO2006105326A1 (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-05 | Sandisk 3D, Llc | Masking of repeated overlay and alignment marks to allow reuse of photomasks in a vertical structure |
| US7553611B2 (en) | 2005-03-31 | 2009-06-30 | Sandisk 3D Llc | Masking of repeated overlay and alignment marks to allow reuse of photomasks in a vertical structure |
| US7982273B2 (en) | 2005-03-31 | 2011-07-19 | Sandisk 3D Llc | Masking of repeated overlay and alignment marks to allow reuse of photomasks in a vertical structure |
| JP2009027028A (ja) * | 2007-07-20 | 2009-02-05 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2010225800A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Toshiba Corp | 位置合わせマーク、半導体装置の製造方法およびマスクセット |
| US8373288B2 (en) | 2009-03-23 | 2013-02-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Alignment mark, method of manufacturing semiconductor device, and mask set |
| US9401332B2 (en) | 2013-11-22 | 2016-07-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing semiconductor device and alignment mark of semiconductor device |
| US9929104B2 (en) | 2016-02-02 | 2018-03-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device including an optical measurement pattern |
| JP2020072111A (ja) * | 2018-10-29 | 2020-05-07 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置および機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3572555B2 (ja) | 2004-10-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5847466A (en) | Semiconductor device and manufacturing method for the same | |
| CN1800972B (zh) | 用于制造半导体器件的相移掩模 | |
| US6982476B2 (en) | Integrated circuit feature layout for improved chemical mechanical polishing | |
| JP3572555B2 (ja) | アライメント・マークの形成方法 | |
| JP2001358048A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| KR100267108B1 (ko) | 다층배선을구비한반도체소자및그제조방법 | |
| JPH10209273A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100532728B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP3481812B2 (ja) | 配線層にスリットを有する半導体装置または半導体ウエーハ及びその製造方法 | |
| CN101176196A (zh) | 半导体产品的局部和全局布线的形成 | |
| US6143622A (en) | Method for forming alignment mark | |
| US7588950B2 (en) | Test pattern for reliability measurement of copper interconnection line having moisture window and method for manufacturing the same | |
| JP3665551B2 (ja) | 半導体ウエハ用評価パターン及びそれを用いた半導体ウエハの評価方法 | |
| US6495928B1 (en) | Transfer mark structure for multi-layer interconnecting and method for the manufacture thereof | |
| JP3334339B2 (ja) | 半導体装置の配線レイアウト方法及び製造方法 | |
| JP2002025888A (ja) | アライメントマークおよびその形成方法、並びに半導体装置の製造方法 | |
| JP2006108571A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2000150358A (ja) | パターン形成方法およびそれを用いた半導体装置 | |
| US6383930B1 (en) | Method to eliminate copper CMP residue of an alignment mark for damascene processes | |
| JP2743895B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3955360B2 (ja) | レチクルの配線パターンの製造方法 | |
| JP3983701B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR0179707B1 (ko) | 반도체 장치의 다층 배선구조 및 그 제조방법 | |
| JP2000100820A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| KR100187684B1 (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040330 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040601 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040618 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080709 Year of fee payment: 4 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090709 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100709 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100709 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110709 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110709 Year of fee payment: 7 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110709 Year of fee payment: 7 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110709 Year of fee payment: 7 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120709 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120709 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130709 Year of fee payment: 9 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |