JPH09234667A - 半導体ウェハの研磨方法 - Google Patents
半導体ウェハの研磨方法Info
- Publication number
- JPH09234667A JPH09234667A JP8445596A JP8445596A JPH09234667A JP H09234667 A JPH09234667 A JP H09234667A JP 8445596 A JP8445596 A JP 8445596A JP 8445596 A JP8445596 A JP 8445596A JP H09234667 A JPH09234667 A JP H09234667A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- semiconductor wafer
- backing pad
- compressibility
- cloth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P90/00—Preparation of wafers not covered by a single main group of this subclass, e.g. wafer reinforcement
- H10P90/12—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H10P90/129—Preparing bulk and homogeneous wafers by polishing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウェハの外周部に生じる面だれを防止
し、高平坦度の半導体ウェハを研磨できる半導体ウェハ
の研磨方法を提供する。 【解決手段】 研磨ブロック１をセラミックプレート１
１とバッキングパッド１２とテンプレート１３とから構
成する。バッキングパッド１２として研磨クロス２より
その圧縮率が大きいものを使用する。研磨ブロック１に
半導体ウェハ３を装着する。半導体ウェハ３を研磨クロ
ス２に押圧して研磨する。
し、高平坦度の半導体ウェハを研磨できる半導体ウェハ
の研磨方法を提供する。 【解決手段】 研磨ブロック１をセラミックプレート１
１とバッキングパッド１２とテンプレート１３とから構
成する。バッキングパッド１２として研磨クロス２より
その圧縮率が大きいものを使用する。研磨ブロック１に
半導体ウェハ３を装着する。半導体ウェハ３を研磨クロ
ス２に押圧して研磨する。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、表面を研磨して得られ
る半導体ウェハの研磨方法に関するものである。
る半導体ウェハの研磨方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウェハの表面を研磨するに
当たっては、その裏面をワックスによりセラミック製の
貼付ブロックに貼り付け、研磨面を研磨クロスに当接さ
せ、これを研磨機により押圧して研磨していた。ところ
がこのワックスを使用した研磨では、その研磨工程の前
に半導体ウェハの貼り付け工程、研磨工程の後に半導体
ウェハの剥がし工程およびワックスの除去工程が必要と
なり効率が悪く、またワックスの剥離剤といった人体に
有害な溶解剤を使用する必要があった。
当たっては、その裏面をワックスによりセラミック製の
貼付ブロックに貼り付け、研磨面を研磨クロスに当接さ
せ、これを研磨機により押圧して研磨していた。ところ
がこのワックスを使用した研磨では、その研磨工程の前
に半導体ウェハの貼り付け工程、研磨工程の後に半導体
ウェハの剥がし工程およびワックスの除去工程が必要と
なり効率が悪く、またワックスの剥離剤といった人体に
有害な溶解剤を使用する必要があった。
【０００３】そこで、近年このワックスを使用しないワ
ックスレス研磨が多く用いられるようになってきてい
る。このワックスレス研磨の一つの方法としては、図３
（ａ）に示すようにセラミックプレート６１と、バッキ
ングパッド６２と、テンプレート６３とからなる研磨ブ
ロック６を使用するものがある。これは、半導体ウェハ
７の周縁部をテンプレート６３により位置決めして保持
し、その裏面７ｂをバッキングパッド６２に当接させ、
図３（ｂ）に示すように研磨面６ａを研磨クロス８に押
圧して研磨するものである。したがって、ワックスを一
切使用せずに１度に複数の半導体ウェハを研磨できるた
め効率が良く、さらに溶解剤を使用する必要もない。
ックスレス研磨が多く用いられるようになってきてい
る。このワックスレス研磨の一つの方法としては、図３
（ａ）に示すようにセラミックプレート６１と、バッキ
ングパッド６２と、テンプレート６３とからなる研磨ブ
ロック６を使用するものがある。これは、半導体ウェハ
７の周縁部をテンプレート６３により位置決めして保持
し、その裏面７ｂをバッキングパッド６２に当接させ、
図３（ｂ）に示すように研磨面６ａを研磨クロス８に押
圧して研磨するものである。したがって、ワックスを一
切使用せずに１度に複数の半導体ウェハを研磨できるた
め効率が良く、さらに溶解剤を使用する必要もない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た研磨ブロック６による研磨では、下盤８１の研磨クロ
ス８が弾性体であるために、図３（ｂ）に示すように半
導体ウェハ７との当接面８ａが凹み、押圧荷重が均一に
かからず外周部７１に集中するため、図３（ｃ）に示す
ように研磨された半導体ウェハ７の外周部７１に面だれ
が生じるという問題点があった。本発明は、上記問題に
鑑みてなされたもので、半導体ウェハの外周部に生じる
面だれを防止し、高平坦度の半導体ウェハを研磨できる
半導体ウェハの研磨方法を提供することを目的とするも
のである。
た研磨ブロック６による研磨では、下盤８１の研磨クロ
ス８が弾性体であるために、図３（ｂ）に示すように半
導体ウェハ７との当接面８ａが凹み、押圧荷重が均一に
かからず外周部７１に集中するため、図３（ｃ）に示す
ように研磨された半導体ウェハ７の外周部７１に面だれ
が生じるという問題点があった。本発明は、上記問題に
鑑みてなされたもので、半導体ウェハの外周部に生じる
面だれを防止し、高平坦度の半導体ウェハを研磨できる
半導体ウェハの研磨方法を提供することを目的とするも
のである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このため本発明では、セ
ラミックプレートと、バッキングパッドと、テンプレー
トとからなる研磨ブロックにより半導体ウェハを保持
し、研磨クロスに半導体ウェハを押圧して研磨する半導
体ウェハの研磨方法において、バッキングパッドの圧縮
率を研磨クロスの圧縮率より大きくしたものである。
ラミックプレートと、バッキングパッドと、テンプレー
トとからなる研磨ブロックにより半導体ウェハを保持
し、研磨クロスに半導体ウェハを押圧して研磨する半導
体ウェハの研磨方法において、バッキングパッドの圧縮
率を研磨クロスの圧縮率より大きくしたものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面に基
づいて説明する。図１は本発明に係る研磨方法を示す側
断面図、図２は実施例におけるＴＴＶを比較したグラフ
である。
づいて説明する。図１は本発明に係る研磨方法を示す側
断面図、図２は実施例におけるＴＴＶを比較したグラフ
である。
【０００７】図１（ａ）に示すように、本実施の形態の
研磨方法では、セラミックプレート１１と、バッキング
パッド１２と、テンプレート１３とからなる研磨ブロッ
ク１に半導体ウェハ３を装着させ、研磨クロス２を固着
した下定盤４に押圧盤５により押圧して研磨する。バッ
キングパッド１２には研磨クロス２よりその圧縮率の大
きいものが使用されている。
研磨方法では、セラミックプレート１１と、バッキング
パッド１２と、テンプレート１３とからなる研磨ブロッ
ク１に半導体ウェハ３を装着させ、研磨クロス２を固着
した下定盤４に押圧盤５により押圧して研磨する。バッ
キングパッド１２には研磨クロス２よりその圧縮率の大
きいものが使用されている。
【０００８】このため図１（ｂ）に示すように、半導体
ウェハ３を研磨クロス２に押圧すると、半導体ウェハ３
と当接したバッキングパッド１２のパッド当接面１２ａ
が凹む。これにより従来技術で発生していた研磨クロス
２側の凹みが生じることはなく、半導体ウェハ３と当接
した研磨クロス２のクロス当接面２ａは平坦に保たれ、
半導体ウェハ３の研磨面３ａには均一な押圧荷重がかか
った状態で研磨される。
ウェハ３を研磨クロス２に押圧すると、半導体ウェハ３
と当接したバッキングパッド１２のパッド当接面１２ａ
が凹む。これにより従来技術で発生していた研磨クロス
２側の凹みが生じることはなく、半導体ウェハ３と当接
した研磨クロス２のクロス当接面２ａは平坦に保たれ、
半導体ウェハ３の研磨面３ａには均一な押圧荷重がかか
った状態で研磨される。
【０００９】研磨を終了し研磨ブロック１を上げると、
図１（ｃ）に示すように、半導体ウェハ３の外周部３１
に面だれを生じることはなく、高い平坦度の研磨面３ａ
が得られる。
図１（ｃ）に示すように、半導体ウェハ３の外周部３１
に面だれを生じることはなく、高い平坦度の研磨面３ａ
が得られる。
【００１０】尚、本発明における研磨クロス２及びバッ
キングパッド１２の圧縮率については、ＪＩＳ規格Ｌ−
１０９６に基づく測定値により特定し、その単位を
「％」により表現する。
キングパッド１２の圧縮率については、ＪＩＳ規格Ｌ−
１０９６に基づく測定値により特定し、その単位を
「％」により表現する。
【００１１】本発明の研磨方法では研磨クロス２より圧
縮率が大きいバッキングパッド１２を使用することによ
り、平坦度の高い半導体ウェハ３を研磨しているが、バ
ッキングパッド１２側が十分に凹まなくてはならないた
め、研磨クロス２とバッキングパッド１２との圧縮率の
差は０．５％以上であることが望ましい。
縮率が大きいバッキングパッド１２を使用することによ
り、平坦度の高い半導体ウェハ３を研磨しているが、バ
ッキングパッド１２側が十分に凹まなくてはならないた
め、研磨クロス２とバッキングパッド１２との圧縮率の
差は０．５％以上であることが望ましい。
【００１２】また、その反面、バッキングパッド１２の
圧縮率が大き過ぎると外周部３１がかえって研磨されな
いことになるため、その圧縮率の差は３．０％以下とす
ることが望ましい。
圧縮率が大き過ぎると外周部３１がかえって研磨されな
いことになるため、その圧縮率の差は３．０％以下とす
ることが望ましい。
【００１３】さらに、製造効率と、研磨面３ａにおける
マイクロラフネスなどの仕上げ状態を考慮すると、研磨
クロス２の圧縮率は２．０〜５．０％とするのが望まし
く。バッキングパッド１２の圧縮率は３．０〜８．０％
とするのが望ましい。
マイクロラフネスなどの仕上げ状態を考慮すると、研磨
クロス２の圧縮率は２．０〜５．０％とするのが望まし
く。バッキングパッド１２の圧縮率は３．０〜８．０％
とするのが望ましい。
【００１４】
【実施例】本実施例は、圧縮率が３．０％の研磨クロス
に対して圧縮率が１．０％、３．０％、５．０％、８．
０％、１０．０％のバッキングパッドをそれぞれ使用し
て研磨し、それぞれの平坦度を測定比較したものであ
る。その結果を示すグラフでは研磨を終了した半導体ウ
ェハのＴＴＶを指数により表している。図２に示すよう
に、圧縮率が５．０％のバッキングパッドを使用した研
磨が最も平坦度が高く、圧縮率が１．０％、３．０％の
バッキングパッドを使用した研磨では面だれを生じ、そ
の反面、圧縮率が８．０％、１０．０％のバッキングパ
ッドを使用した研磨では中凹となり、それぞれの圧縮率
の差が大きいほどその指数も大きくなることがわかる。
に対して圧縮率が１．０％、３．０％、５．０％、８．
０％、１０．０％のバッキングパッドをそれぞれ使用し
て研磨し、それぞれの平坦度を測定比較したものであ
る。その結果を示すグラフでは研磨を終了した半導体ウ
ェハのＴＴＶを指数により表している。図２に示すよう
に、圧縮率が５．０％のバッキングパッドを使用した研
磨が最も平坦度が高く、圧縮率が１．０％、３．０％の
バッキングパッドを使用した研磨では面だれを生じ、そ
の反面、圧縮率が８．０％、１０．０％のバッキングパ
ッドを使用した研磨では中凹となり、それぞれの圧縮率
の差が大きいほどその指数も大きくなることがわかる。
【００１５】
【発明の効果】本発明では以上のように構成したので、
半導体ウェハの外周部に生じる面だれを防止し、高平坦
度の半導体ウェハを研磨できるという優れた効果があ
る。
半導体ウェハの外周部に生じる面だれを防止し、高平坦
度の半導体ウェハを研磨できるという優れた効果があ
る。
【図１】本発明に係る研磨方法を示す側断面図ある。
【図２】実施例による面だれの量を比較したグラフであ
る。
る。
【図３】従来技術の研磨方法を示す側断面図ある。
１‥‥‥研磨ブロック １１‥‥セラミックプレート １２‥‥バッキングパッド １２ａ‥パッド当接面 １３‥‥テンプレート ２‥‥‥研磨クロス ２ａ‥‥クロス当接面 ３‥‥‥半導体ウェハ ３ａ‥‥研磨面 ３１‥‥外周部 ４‥‥‥下定盤
Claims (4)
- 【請求項１】 セラミックプレートと、バッキングパッ
ドと、テンプレートとからなる研磨ブロックにより半導
体ウェハを保持し、研磨クロスに半導体ウェハを押圧し
て研磨する半導体ウェハの研磨方法において、バッキン
グパッドの圧縮率を研磨クロスの圧縮率より大きくした
ことを特徴とする半導体ウェハの研磨方法。 - 【請求項２】 研磨クロスとバッキングパッドとの圧縮
率の差がＪＩＳ規格Ｌ−１０９６に基づく測定値で０．
５〜３．０％であることを特徴とする請求項１記載の半
導体ウェハの研磨方法。 - 【請求項３】 バッキングパッドのＪＩＳ規格Ｌ−１０
９６に基づく圧縮率の測定値が３〜８％であることを特
徴とする請求項１記載の半導体ウェハの研磨方法。 - 【請求項４】 研磨クロスのＪＩＳ規格Ｌ−１０９６に
基づく圧縮率の測定値が２〜５％であことを特徴とする
請求項１記載の半導体ウェハの研磨方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8445596A JPH09234667A (ja) | 1996-02-29 | 1996-02-29 | 半導体ウェハの研磨方法 |
| TW085115126A TW374042B (en) | 1996-02-29 | 1996-12-06 | Method for polishing semiconductor wafer |
| US08/805,676 US5814240A (en) | 1996-02-29 | 1997-02-27 | Method for polishing a semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8445596A JPH09234667A (ja) | 1996-02-29 | 1996-02-29 | 半導体ウェハの研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09234667A true JPH09234667A (ja) | 1997-09-09 |
Family
ID=13831105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8445596A Pending JPH09234667A (ja) | 1996-02-29 | 1996-02-29 | 半導体ウェハの研磨方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5814240A (ja) |
| JP (1) | JPH09234667A (ja) |
| TW (1) | TW374042B (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5948699A (en) * | 1997-11-21 | 1999-09-07 | Sibond, L.L.C. | Wafer backing insert for free mount semiconductor polishing apparatus and process |
| JPH11302878A (ja) * | 1998-04-21 | 1999-11-02 | Speedfam-Ipec Co Ltd | ウエハ平坦化方法，ウエハ平坦化システム及びウエハ |
| US6281128B1 (en) * | 1999-06-14 | 2001-08-28 | Agere Systems Guardian Corp. | Wafer carrier modification for reduced extraction force |
| JP7757902B2 (ja) * | 2022-08-09 | 2025-10-22 | 株式会社Sumco | ウェーハの片面研磨方法、ウェーハの製造方法、およびウェーハの片面研磨装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6023664A (ja) * | 1983-07-16 | 1985-02-06 | Ntn Toyo Bearing Co Ltd | 速度調整装置 |
| JP3024373B2 (ja) * | 1992-07-07 | 2000-03-21 | 信越半導体株式会社 | シート状弾性発泡体及びウェーハ研磨加工用治具 |
| US5635083A (en) * | 1993-08-06 | 1997-06-03 | Intel Corporation | Method and apparatus for chemical-mechanical polishing using pneumatic pressure applied to the backside of a substrate |
| JP2849533B2 (ja) * | 1993-08-18 | 1999-01-20 | 長野電子工業株式会社 | ウェーハの研磨方法 |
| JPH07263386A (ja) * | 1994-03-18 | 1995-10-13 | Mitsubishi Materials Shilicon Corp | 半導体ウェーハの表面基準研磨装置 |
| JPH08339982A (ja) * | 1995-06-13 | 1996-12-24 | Toshiba Corp | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
-
1996
- 1996-02-29 JP JP8445596A patent/JPH09234667A/ja active Pending
- 1996-12-06 TW TW085115126A patent/TW374042B/zh active
-
1997
- 1997-02-27 US US08/805,676 patent/US5814240A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5814240A (en) | 1998-09-29 |
| TW374042B (en) | 1999-11-11 |
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