JPH09235143A - 反射防止膜形成用塗布液、反射防止膜及び陰極線管 - Google Patents
反射防止膜形成用塗布液、反射防止膜及び陰極線管Info
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- JPH09235143A JPH09235143A JP8043489A JP4348996A JPH09235143A JP H09235143 A JPH09235143 A JP H09235143A JP 8043489 A JP8043489 A JP 8043489A JP 4348996 A JP4348996 A JP 4348996A JP H09235143 A JPH09235143 A JP H09235143A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】膜厚が均一でかつ強度と耐候性に優れた膜が形
成可能な反射防止膜形成用塗布液を提供する。 【解決手段】アルキルシリケートと、炭素数１〜３の低
級アルコールを５０〜８０重量％と、プロピレングリコ
ールエーテル及び／又はプロピレングリコールエーテル
アセテートを１０〜３０重量％と、ジアセトンアルコー
ルを２〜２０重量％と、水、酸を含む塗布液とした。
成可能な反射防止膜形成用塗布液を提供する。 【解決手段】アルキルシリケートと、炭素数１〜３の低
級アルコールを５０〜８０重量％と、プロピレングリコ
ールエーテル及び／又はプロピレングリコールエーテル
アセテートを１０〜３０重量％と、ジアセトンアルコー
ルを２〜２０重量％と、水、酸を含む塗布液とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、テレビジョン放送
等の受信に用いる陰極線管、液晶ディスプレイ、プラズ
マディスプレイ等の画像表示装置の、画像表示域外面に
設けられ、帯電防止効果又は電磁波遮蔽効果を付与でき
る反射防止膜形成用塗布液、反射防止膜及び陰極線管に
関する。
等の受信に用いる陰極線管、液晶ディスプレイ、プラズ
マディスプレイ等の画像表示装置の、画像表示域外面に
設けられ、帯電防止効果又は電磁波遮蔽効果を付与でき
る反射防止膜形成用塗布液、反射防止膜及び陰極線管に
関する。
【０００２】
【従来の技術】ブラウン管は作動電圧として２５〜３２
ｋＶ程度の高電圧が印加されるため、その表面に帯電し
た静電気により粉塵が付着し画像が見にくくなったり、
外表面に人体が触れた際の放電により電気ショックを受
けることがあるため、その表面に導電膜を形成してこれ
を防止することが広く行われている。
ｋＶ程度の高電圧が印加されるため、その表面に帯電し
た静電気により粉塵が付着し画像が見にくくなったり、
外表面に人体が触れた際の放電により電気ショックを受
けることがあるため、その表面に導電膜を形成してこれ
を防止することが広く行われている。
【０００３】また、ブラウン管の前面ガラスであるパネ
ルの表面で外光が反射し、画像が見にくくなるので、長
時間の視覚は眼精疲労を招きやすい。その防止策とし
て、帯電防止処理とともに可視光域での低反射処理を行
うことも必要となっている。加えて、人体の安全性の点
から、ブラウン管のフライバックトランスと偏向ヨーク
コイルから発生する電磁波の漏洩の防止が望まれてき
た。
ルの表面で外光が反射し、画像が見にくくなるので、長
時間の視覚は眼精疲労を招きやすい。その防止策とし
て、帯電防止処理とともに可視光域での低反射処理を行
うことも必要となっている。加えて、人体の安全性の点
から、ブラウン管のフライバックトランスと偏向ヨーク
コイルから発生する電磁波の漏洩の防止が望まれてき
た。
【０００４】電磁波の漏洩は、ブラウン管表面に透明導
電膜を形成することで防止できるが、一般に帯電防止に
は表面抵抗１０8 〜１０10Ω／□、電磁波遮蔽には表面
抵抗１０2 〜１０8 Ω／□、特には１０2 〜１０3 Ω／
□の膜が用いられている。
電膜を形成することで防止できるが、一般に帯電防止に
は表面抵抗１０8 〜１０10Ω／□、電磁波遮蔽には表面
抵抗１０2 〜１０8 Ω／□、特には１０2 〜１０3 Ω／
□の膜が用いられている。
【０００５】従来、このような低反射帯電防止膜として
は、屈折率と膜厚を所定の値に制御した複数の薄膜をガ
ラス表面に形成する方法が一般に知られている。
は、屈折率と膜厚を所定の値に制御した複数の薄膜をガ
ラス表面に形成する方法が一般に知られている。
【０００６】具体的には、特開平１−２９９８８７に記
載のように、湿式法（スプレー法、スピンコート法等に
よりガラス表面に透明導電膜及び低屈折率膜を形成する
方法）、乾式法（ＣＶＤ法、スパッタリング法、真空蒸
着法等で複数の薄膜を形成する方法）、及び湿式法と乾
式法の両者を組み合わせた方法等が挙げられる。
載のように、湿式法（スプレー法、スピンコート法等に
よりガラス表面に透明導電膜及び低屈折率膜を形成する
方法）、乾式法（ＣＶＤ法、スパッタリング法、真空蒸
着法等で複数の薄膜を形成する方法）、及び湿式法と乾
式法の両者を組み合わせた方法等が挙げられる。
【０００７】湿式法は、乾式法に比べ、高価な真空装置
を必要としないため、大量生産や設備コスト面で有利で
ある。湿式法の場合、周囲光に対するコントラストを向
上させるため、塗膜形成用の塗布液に無機顔料、有機顔
料、有機染料等を添加し、光吸収性を付与することが比
較的容易である。
を必要としないため、大量生産や設備コスト面で有利で
ある。湿式法の場合、周囲光に対するコントラストを向
上させるため、塗膜形成用の塗布液に無機顔料、有機顔
料、有機染料等を添加し、光吸収性を付与することが比
較的容易である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】低反射帯電防止膜とし
ては、空気側に低屈折率材料膜、透明基材側に高屈折率
で導電性材料からなる膜の２層膜構成、又は３層以上の
多層膜構成による光干渉膜が一般的である。このような
多層膜構成による表面反射防止法には、精密な膜厚制御
と塗布面全体の膜均一性が必要である。
ては、空気側に低屈折率材料膜、透明基材側に高屈折率
で導電性材料からなる膜の２層膜構成、又は３層以上の
多層膜構成による光干渉膜が一般的である。このような
多層膜構成による表面反射防止法には、精密な膜厚制御
と塗布面全体の膜均一性が必要である。
【０００９】スピンコートを行う際にパネル面上に異物
が存在すると、その周辺の膜厚が変化し干渉色の異なる
欠点が生じる。スピンコートの特徴として、ブラウン管
パネル表面に滴下された液は、パネルの回転によって生
じる遠心力により外周方向に広がるため、異物が存在す
るとそこを起点として外周方向に欠点が大きく拡大す
る。そこで、異物付着防止のために塗布環境のクリーン
化が必要となるが、高クリーン度を維持するコストが大
きいため、異物が存在しても欠点が拡大しにくい塗布液
が求められていた。
が存在すると、その周辺の膜厚が変化し干渉色の異なる
欠点が生じる。スピンコートの特徴として、ブラウン管
パネル表面に滴下された液は、パネルの回転によって生
じる遠心力により外周方向に広がるため、異物が存在す
るとそこを起点として外周方向に欠点が大きく拡大す
る。そこで、異物付着防止のために塗布環境のクリーン
化が必要となるが、高クリーン度を維持するコストが大
きいため、異物が存在しても欠点が拡大しにくい塗布液
が求められていた。
【００１０】一般に、塗布液をブラウン管に塗布後、塗
膜に焼成を施すが、ブラウン管に許容できる焼成温度は
２００℃程度である。２００℃程度の焼成温度は、充分
な膜強度を得るためには必ずしも高くないため、この程
度の温度でも充分に実用に耐える膜強度を付与する必要
がある。湿式法による２層膜の場合、耐擦傷試験を行う
と上層膜と下層膜の界面から剥離しやすい問題があっ
た。また上層膜は大気に接するため、耐擦傷性の他にも
耐候性等の安定性も要求されていた。
膜に焼成を施すが、ブラウン管に許容できる焼成温度は
２００℃程度である。２００℃程度の焼成温度は、充分
な膜強度を得るためには必ずしも高くないため、この程
度の温度でも充分に実用に耐える膜強度を付与する必要
がある。湿式法による２層膜の場合、耐擦傷試験を行う
と上層膜と下層膜の界面から剥離しやすい問題があっ
た。また上層膜は大気に接するため、耐擦傷性の他にも
耐候性等の安定性も要求されていた。
【００１１】本発明の目的は、従来技術の前述の欠点を
解決するために、ブラウン管表面等に均一でかつ高強度
で耐候性に優れた、帯電防止効果及び電磁波遮蔽効果を
付与できる反射防止膜形成用塗布液を提供することであ
る。
解決するために、ブラウン管表面等に均一でかつ高強度
で耐候性に優れた、帯電防止効果及び電磁波遮蔽効果を
付与できる反射防止膜形成用塗布液を提供することであ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、アルキルシリ
ケート及びその加水分解物から選ばれる１種以上と、炭
素数が１〜３の低級アルコールを５０〜８０重量％と、
プロピレングリコールエーテル及びプロピレングリコー
ルエーテルアセテートから選ばれる１種以上を１０〜３
０重量％以下と、ジアセトンアルコールを２〜２０重量
％と、水と、酸とを含有することを特徴とする反射防止
膜形成用塗布液を提供する。
ケート及びその加水分解物から選ばれる１種以上と、炭
素数が１〜３の低級アルコールを５０〜８０重量％と、
プロピレングリコールエーテル及びプロピレングリコー
ルエーテルアセテートから選ばれる１種以上を１０〜３
０重量％以下と、ジアセトンアルコールを２〜２０重量
％と、水と、酸とを含有することを特徴とする反射防止
膜形成用塗布液を提供する。
【００１３】また本発明は、透明基材の上に形成された
導電性酸化物被膜の表面に、前記反射防止膜形成用塗布
液を塗布、乾燥して形成してなることを特徴とする反射
防止膜を提供する。
導電性酸化物被膜の表面に、前記反射防止膜形成用塗布
液を塗布、乾燥して形成してなることを特徴とする反射
防止膜を提供する。
【００１４】さらに本発明は、陰極線管用パネルの画像
が表示されるフェース面に、前記反射防止膜が形成され
てなることを特徴とする陰極線管を提供する。
が表示されるフェース面に、前記反射防止膜が形成され
てなることを特徴とする陰極線管を提供する。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明者らは、上記組成の反射防
止膜形成用塗布液（以下、塗布液という）を使用して低
反射帯電防止膜又は低反射電磁波遮蔽膜を形成すること
により、膜厚ムラがなく、塗布時にパネル表面に異物が
存在しても欠点が目立ちにくく、また耐擦傷試験におい
ても強度が高く、耐候性試験においても安定で信頼性の
高いものが得られることを見いだした。
止膜形成用塗布液（以下、塗布液という）を使用して低
反射帯電防止膜又は低反射電磁波遮蔽膜を形成すること
により、膜厚ムラがなく、塗布時にパネル表面に異物が
存在しても欠点が目立ちにくく、また耐擦傷試験におい
ても強度が高く、耐候性試験においても安定で信頼性の
高いものが得られることを見いだした。
【００１６】本発明において、塗布液におけるアルキル
シリケートの加水分解物の平均分子量は、ポチスチレン
換算で４００〜２０００であることが好ましい。４００
未満では、沸騰水に浸漬した場合に膜表面が一部溶解す
るため膜の安定性に劣り、２０００超では、２層膜の上
層とした際に下層膜の微細な凹凸に充分食い込むことが
できずに強度が低くなる。アルキルシリケート及びその
加水分解物から選ばれる１種以上の量は、固形物換算で
０．０１〜２０重量％が好ましい。
シリケートの加水分解物の平均分子量は、ポチスチレン
換算で４００〜２０００であることが好ましい。４００
未満では、沸騰水に浸漬した場合に膜表面が一部溶解す
るため膜の安定性に劣り、２０００超では、２層膜の上
層とした際に下層膜の微細な凹凸に充分食い込むことが
できずに強度が低くなる。アルキルシリケート及びその
加水分解物から選ばれる１種以上の量は、固形物換算で
０．０１〜２０重量％が好ましい。
【００１７】本発明において、プロピレングリコールエ
ーテルは、プロピレングリコールモノメチルエーテル
（以下、ＰＧＭＭＥと略す）、プロピレングリコールモ
ノエチルエーテル（以下、ＰＧＭＥＥと略す）又はプロ
ピレングリコールモノプロピルエーテル（以下、ＰＧＭ
ＰＥと略す）であることが、均一な膜を得られる点で好
ましい。また、プロピレングリコールエーテルアセテー
トはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト（以下、ＰＧＭＭＥＡと略す）であることが均一な膜
を得られる点で好ましい。
ーテルは、プロピレングリコールモノメチルエーテル
（以下、ＰＧＭＭＥと略す）、プロピレングリコールモ
ノエチルエーテル（以下、ＰＧＭＥＥと略す）又はプロ
ピレングリコールモノプロピルエーテル（以下、ＰＧＭ
ＰＥと略す）であることが、均一な膜を得られる点で好
ましい。また、プロピレングリコールエーテルアセテー
トはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト（以下、ＰＧＭＭＥＡと略す）であることが均一な膜
を得られる点で好ましい。
【００１８】塗布液には硝酸が０．０１〜５重量％含ま
れることが好ましく、０．０１重量％未満ではシリケー
トが充分加水分解されない点で不都合であり、５重量％
超では経時的に重合が進んでしまう点で不都合である。
れることが好ましく、０．０１重量％未満ではシリケー
トが充分加水分解されない点で不都合であり、５重量％
超では経時的に重合が進んでしまう点で不都合である。
【００１９】またアルキルシリケート１モルに対し水を
４〜２４モル含むことが好ましく、４モル未満では基材
に対する濡れ性が劣る点で不都合であり、２４モル超で
も基材に対する濡れ性が劣る点で不都合である。
４〜２４モル含むことが好ましく、４モル未満では基材
に対する濡れ性が劣る点で不都合であり、２４モル超で
も基材に対する濡れ性が劣る点で不都合である。
【００２０】本発明のアルキルシリケートとしては、加
水分解反応によりシリカゾルとなりうるものであれば特
に限定されず、例えばメチルシリケート、エチルシリケ
ートに代表されるアルキルシリケートのモノマーや、メ
チルシリケート５１（以下、ＭＳ５１と略す）、エチル
シリケート４０（以下、ＥＳ４０と略す）、エチルシリ
ケート４５（以下、ＥＳ４５と略す）のような重合体が
好ましく使用できる。ここで、ＭＳ５１はシリケート１
００ｇ中にＳｉＯ2 （固形分）を５１ｇ含むものを意味
し、ＥＳ４０、ＥＳ４５も同様である。
水分解反応によりシリカゾルとなりうるものであれば特
に限定されず、例えばメチルシリケート、エチルシリケ
ートに代表されるアルキルシリケートのモノマーや、メ
チルシリケート５１（以下、ＭＳ５１と略す）、エチル
シリケート４０（以下、ＥＳ４０と略す）、エチルシリ
ケート４５（以下、ＥＳ４５と略す）のような重合体が
好ましく使用できる。ここで、ＭＳ５１はシリケート１
００ｇ中にＳｉＯ2 （固形分）を５１ｇ含むものを意味
し、ＥＳ４０、ＥＳ４５も同様である。
【００２１】本発明の塗布液は、上記のような成分、組
成を有するため、基体に対する塗れ性が良く、異物が存
在しても均一に成膜でき、また耐擦傷性や耐候性の優れ
た膜が形成できる。特にアンチモンドープ酸化錫粉末の
分散液又はインジウム錫酸化物の分散液を塗布、乾燥し
て形成された高屈折率の導電性酸化物被膜の上に塗布す
る場合、前記効果を付与した低反射帯電防止膜又は低反
射電磁波遮蔽膜を形成できる。
成を有するため、基体に対する塗れ性が良く、異物が存
在しても均一に成膜でき、また耐擦傷性や耐候性の優れ
た膜が形成できる。特にアンチモンドープ酸化錫粉末の
分散液又はインジウム錫酸化物の分散液を塗布、乾燥し
て形成された高屈折率の導電性酸化物被膜の上に塗布す
る場合、前記効果を付与した低反射帯電防止膜又は低反
射電磁波遮蔽膜を形成できる。
【００２２】さらに高屈折率の導電性酸化物導電膜が、
黒色顔料としてカーボンブラック及び／又はチタンブラ
ックを含む着色膜である場合、前記効果を付与した高コ
ントラストの低反射帯電防止膜又は低反射電磁波遮蔽膜
を形成できる。
黒色顔料としてカーボンブラック及び／又はチタンブラ
ックを含む着色膜である場合、前記効果を付与した高コ
ントラストの低反射帯電防止膜又は低反射電磁波遮蔽膜
を形成できる。
【００２３】本発明の塗布液は、塗布液の表面張力、粘
度、乾燥速度を最適に制御でき、均一な膜を形成でき
る。湿式法のなかでも代表的な成膜法であるスピンコー
ト法により、ブラウン管用パネル表面に膜を形成する場
合について詳細に説明すると、一般的には、パネルフェ
ースの外表面を洗浄し乾燥した後３０〜５０℃の温度に
保ち、ブラウン管を１００〜１５０ｒｐｍの低速で回転
させながらフェース面に対向して配置されたノズルから
塗布液を滴下する。
度、乾燥速度を最適に制御でき、均一な膜を形成でき
る。湿式法のなかでも代表的な成膜法であるスピンコー
ト法により、ブラウン管用パネル表面に膜を形成する場
合について詳細に説明すると、一般的には、パネルフェ
ースの外表面を洗浄し乾燥した後３０〜５０℃の温度に
保ち、ブラウン管を１００〜１５０ｒｐｍの低速で回転
させながらフェース面に対向して配置されたノズルから
塗布液を滴下する。
【００２４】フェース面にかけられた塗布液は回転によ
って生じる遠心力により、フェース面の外表面に沿って
周辺方向に流れ、周辺部から余剰の塗布液が飛散し、フ
ェース外表面には均一な塗膜が形成される。ブラウン管
表面上に形成された導電性酸化物被膜の上に、反射防止
膜用低屈折率膜として塗布する際は、ガラス表面に塗布
する場合と異なり、微粒子による微細な凹凸が存在する
ため、塗布液が均一に塗れ広がるためには表面張力、粘
度、乾燥速度を最適に制御することを要する。
って生じる遠心力により、フェース面の外表面に沿って
周辺方向に流れ、周辺部から余剰の塗布液が飛散し、フ
ェース外表面には均一な塗膜が形成される。ブラウン管
表面上に形成された導電性酸化物被膜の上に、反射防止
膜用低屈折率膜として塗布する際は、ガラス表面に塗布
する場合と異なり、微粒子による微細な凹凸が存在する
ため、塗布液が均一に塗れ広がるためには表面張力、粘
度、乾燥速度を最適に制御することを要する。
【００２５】そこで、沸点が低く蒸気圧の高い炭素数が
１〜３の低級アルコール、これより沸点が高く蒸気圧の
低いプロピレングリコールエーテル又はプロピレングリ
コールエーテルアセテート、これらよりさらに沸点が高
く蒸気圧の低いジアセトンアルコール（以下、ＤＡＡと
略す）を、本発明のように配合することにより、フェー
ス全面で膜厚偏差の少ない均一な膜が得られる。
１〜３の低級アルコール、これより沸点が高く蒸気圧の
低いプロピレングリコールエーテル又はプロピレングリ
コールエーテルアセテート、これらよりさらに沸点が高
く蒸気圧の低いジアセトンアルコール（以下、ＤＡＡと
略す）を、本発明のように配合することにより、フェー
ス全面で膜厚偏差の少ない均一な膜が得られる。
【００２６】また塗布時にフェース面に異物が存在する
と、外周方向に尾を引いたような欠点が発生するのが常
であるが、前記組成の塗布液は塗れ広がりと固化すなわ
ちゲル化の速度を最適に制御されているため、たとえ異
物が存在しても塗布液が固化する前に異物周辺に回り込
み、異物周辺における膜厚偏差を抑えうる。したがって
尾引きの長さも小さくきわめて目立ちにくく、大量生産
した場合の外観の歩留まりも飛躍的に向上させうる。
と、外周方向に尾を引いたような欠点が発生するのが常
であるが、前記組成の塗布液は塗れ広がりと固化すなわ
ちゲル化の速度を最適に制御されているため、たとえ異
物が存在しても塗布液が固化する前に異物周辺に回り込
み、異物周辺における膜厚偏差を抑えうる。したがって
尾引きの長さも小さくきわめて目立ちにくく、大量生産
した場合の外観の歩留まりも飛躍的に向上させうる。
【００２７】低反射帯電防止膜又は低反射電磁波遮蔽膜
は、下層に導電性酸化物微粒子を含む高屈折率の導電性
酸化物被膜を形成し、上層に本発明の塗布液からなる低
屈折率層を形成することにより構成される。この低反射
帯電防止膜又は低反射電磁波遮蔽膜の耐擦傷試験により
認められた傷を顕微鏡観察すると、一般には上層膜と下
層膜との界面から剥離する場合が多いことがわかる。
は、下層に導電性酸化物微粒子を含む高屈折率の導電性
酸化物被膜を形成し、上層に本発明の塗布液からなる低
屈折率層を形成することにより構成される。この低反射
帯電防止膜又は低反射電磁波遮蔽膜の耐擦傷試験により
認められた傷を顕微鏡観察すると、一般には上層膜と下
層膜との界面から剥離する場合が多いことがわかる。
【００２８】本発明は、水分量及び酸濃度を前述の通り
とすることにより、アルキルシリケートの加水分解率が
高く、平均分子量が４００〜２０００に制御された塗布
液が得られ、上層膜が下層膜の微細な凹凸に食い込み密
着性の高い膜が得られる。
とすることにより、アルキルシリケートの加水分解率が
高く、平均分子量が４００〜２０００に制御された塗布
液が得られ、上層膜が下層膜の微細な凹凸に食い込み密
着性の高い膜が得られる。
【００２９】酸としては、硝酸、塩酸以外にも硫酸、酢
酸等が挙げられるが、硫酸は揮発しにくく、酢酸は弱酸
で反応の進行が遅いので、硝酸又は塩酸が好ましい。
酸等が挙げられるが、硫酸は揮発しにくく、酢酸は弱酸
で反応の進行が遅いので、硝酸又は塩酸が好ましい。
【００３０】本発明の塗布液を、アンチモンドープ酸化
錫粉末の分散液又はインジウム錫酸化物の分散液を塗
布、乾燥して形成した高屈折率の導電性酸化物被膜（下
層膜）の上に塗布し、１００〜２００℃で焼成すること
により、均一性の高い、高強度の低反射帯電防止膜又は
低反射電磁波遮蔽膜となしうる。
錫粉末の分散液又はインジウム錫酸化物の分散液を塗
布、乾燥して形成した高屈折率の導電性酸化物被膜（下
層膜）の上に塗布し、１００〜２００℃で焼成すること
により、均一性の高い、高強度の低反射帯電防止膜又は
低反射電磁波遮蔽膜となしうる。
【００３１】下層膜に黒色顔料としてカーボンブラック
及び／又はチタンブラックを含有させることにより、外
光が吸収され反射特性がさらに向上し、周囲光に対する
コントラストも向上する。
及び／又はチタンブラックを含有させることにより、外
光が吸収され反射特性がさらに向上し、周囲光に対する
コントラストも向上する。
【００３２】本発明の反射防止膜を設けた陰極線管は、
低反射帯電防止効果、低反射電磁波遮蔽効果、高コント
ラスト等の優れた作用効果を有する。
低反射帯電防止効果、低反射電磁波遮蔽効果、高コント
ラスト等の優れた作用効果を有する。
【００３３】
【実施例】以下に実施例（例１〜８）、比較例（例９、
１０）を具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に
限定されない。
１０）を具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に
限定されない。
【００３４】（１）成膜法 ブラウン管フェースの外表面を洗浄し、乾燥後、３０〜
５０℃の温度に保ち、ブラウン管を１００〜１５０ｒｐ
ｍの低速で回転させながら、フェース面に対向して配置
されたノズルから導電性酸化物被膜形成用塗布液を滴下
した。塗膜の乾燥後、再度ブラウン管を１００〜１５０
ｒｐｍの低速で回転させながら本発明の反射防止膜形成
用塗布液を滴下した。次に、ブラウン管フェース面を１
６０℃で３０分保持することにより、表面に低反射帯電
防止膜又は低反射電磁波遮蔽膜を形成した。
５０℃の温度に保ち、ブラウン管を１００〜１５０ｒｐ
ｍの低速で回転させながら、フェース面に対向して配置
されたノズルから導電性酸化物被膜形成用塗布液を滴下
した。塗膜の乾燥後、再度ブラウン管を１００〜１５０
ｒｐｍの低速で回転させながら本発明の反射防止膜形成
用塗布液を滴下した。次に、ブラウン管フェース面を１
６０℃で３０分保持することにより、表面に低反射帯電
防止膜又は低反射電磁波遮蔽膜を形成した。
【００３５】（２）評価 （平均分子量）塗布液の平均分子量は、次の装置を用い
ゲル浸透クロマトグラフィで測定した。装置：ゲル・パ
ーミエイション・クロマトグラフＨＬＣ−８０２０（東
ソー社製）、カラム：ＴＳＫ−ゲル ２５００Ｈ及び３
０００Ｈ、溶媒：テトラヒドロフラン。
ゲル浸透クロマトグラフィで測定した。装置：ゲル・パ
ーミエイション・クロマトグラフＨＬＣ−８０２０（東
ソー社製）、カラム：ＴＳＫ−ゲル ２５００Ｈ及び３
０００Ｈ、溶媒：テトラヒドロフラン。
【００３６】（パネル面内の膜厚ムラ）イージー・アン
ド・ガンマ・サイエンス社製分光反射率測定システムに
より、パネル面内の反射特性を測定し、パネル面内にお
けるボトム波長の最大値と最小値を測定した。膜厚が厚
いほどボトム波長は長波長側にシフトし、膜厚が薄いほ
どボトム波長は短波長側にシフトするため、最大値と最
小値の差が少ないほど、均一な膜であるとした。
ド・ガンマ・サイエンス社製分光反射率測定システムに
より、パネル面内の反射特性を測定し、パネル面内にお
けるボトム波長の最大値と最小値を測定した。膜厚が厚
いほどボトム波長は長波長側にシフトし、膜厚が薄いほ
どボトム波長は短波長側にシフトするため、最大値と最
小値の差が少ないほど、均一な膜であるとした。
【００３７】（外観欠点の目立ちやすさ）クリーン度１
０００のブースの下で作成した膜の外観検査を行い、２
ｍｍ以上の尾引きを伴う欠点の個数を数えた。
０００のブースの下で作成した膜の外観検査を行い、２
ｍｍ以上の尾引きを伴う欠点の個数を数えた。
【００３８】（耐擦傷性）１ｋｇの荷重の下で、消しゴ
ムで膜表面を５０回往復後、その表面の傷の付き方を目
視で判定した。判定基準は、○：傷なし、△：多少傷あ
り、×：傷多数あり、とした。
ムで膜表面を５０回往復後、その表面の傷の付き方を目
視で判定した。判定基準は、○：傷なし、△：多少傷あ
り、×：傷多数あり、とした。
【００３９】（耐沸騰水性）膜を形成した５ｃｍ角のガ
ラスピースを沸騰水に３０分浸漬し、浸漬前後のボトム
波長の変化を測定した。
ラスピースを沸騰水に３０分浸漬し、浸漬前後のボトム
波長の変化を測定した。
【００４０】（３）塗布液の調製 導電性酸化物被膜形成用塗布液を次のようにして調製し
た。表１のＡ欄の原料をＢ欄のイオン交換水中に分散さ
せた後、Ｃ欄の原料を撹拌混合してＤ欄の名称の均一な
分散液を得た。なお表１の数字は原料量（単位：重量量
％）を示す。
た。表１のＡ欄の原料をＢ欄のイオン交換水中に分散さ
せた後、Ｃ欄の原料を撹拌混合してＤ欄の名称の均一な
分散液を得た。なお表１の数字は原料量（単位：重量量
％）を示す。
【００４１】［例１］表２に示す種類と量（単位：重量
％）の原料を混合、撹拌して加水分解、重合を行い、均
一な反射防止膜形成用塗布液を得た（塗布液Ｂ−１）。
塗布液Ａ−１（下層）と塗布液Ｂ−１（上層）を組み合
わせて、ブラウン管の表面に低反射電磁波遮蔽膜を形成
した。得られた膜の特性を表４に示す。
％）の原料を混合、撹拌して加水分解、重合を行い、均
一な反射防止膜形成用塗布液を得た（塗布液Ｂ−１）。
塗布液Ａ−１（下層）と塗布液Ｂ−１（上層）を組み合
わせて、ブラウン管の表面に低反射電磁波遮蔽膜を形成
した。得られた膜の特性を表４に示す。
【００４２】［例２］表２に示す種類と量（単位：重量
％）の原料を混合、撹拌して加水分解、重合を行い、均
一な反射防止膜形成用塗布液を得た（塗布液Ｂ−２）。
塗布液Ａ−２と塗布液Ｂ−２を組み合わせて、ブラウン
管の表面に低反射帯電防止膜を形成した。得られた膜の
特性を表４に示す。
％）の原料を混合、撹拌して加水分解、重合を行い、均
一な反射防止膜形成用塗布液を得た（塗布液Ｂ−２）。
塗布液Ａ−２と塗布液Ｂ−２を組み合わせて、ブラウン
管の表面に低反射帯電防止膜を形成した。得られた膜の
特性を表４に示す。
【００４３】［例３］表２に示す種類と量（単位：重量
％）の原料を混合、撹拌して加水分解、重合を行い、均
一な反射防止膜形成用塗布液を得た（塗布液Ｂ−３）。
塗布液Ａ−３と塗布液Ｂ−３を組み合わせて、ブラウン
管の表面に低反射帯電防止膜を形成した。得られた膜の
特性を表４に示す。
％）の原料を混合、撹拌して加水分解、重合を行い、均
一な反射防止膜形成用塗布液を得た（塗布液Ｂ−３）。
塗布液Ａ−３と塗布液Ｂ−３を組み合わせて、ブラウン
管の表面に低反射帯電防止膜を形成した。得られた膜の
特性を表４に示す。
【００４４】［例４］表２に示す種類と量（単位：重量
％）の原料を混合、撹拌して加水分解、重合を行い、均
一な反射防止膜形成用塗布液を得た（塗布液Ｂ−４）。
塗布液Ａ−４と塗布液Ｂ−４を組み合わせて、ブラウン
管の表面に低反射帯電防止膜を形成した。得られた膜の
特性を表４に示す。
％）の原料を混合、撹拌して加水分解、重合を行い、均
一な反射防止膜形成用塗布液を得た（塗布液Ｂ−４）。
塗布液Ａ−４と塗布液Ｂ−４を組み合わせて、ブラウン
管の表面に低反射帯電防止膜を形成した。得られた膜の
特性を表４に示す。
【００４５】［例５］表２に示す種類と量（単位：重量
％）の原料を混合、撹拌して加水分解、重合を行い、均
一な反射防止膜形成用塗布液を得た（塗布液Ｂ−５）。
塗布液Ａ−５と塗布液Ｂ−５を組み合わせて、ブラウン
管の表面に低反射電磁波遮蔽膜を形成した。得られた膜
の特性を表４に示す。
％）の原料を混合、撹拌して加水分解、重合を行い、均
一な反射防止膜形成用塗布液を得た（塗布液Ｂ−５）。
塗布液Ａ−５と塗布液Ｂ−５を組み合わせて、ブラウン
管の表面に低反射電磁波遮蔽膜を形成した。得られた膜
の特性を表４に示す。
【００４６】［例６］表３に示す種類と量（単位：重量
％）の原料を混合、撹拌して加水分解、重合を行い、均
一な反射防止膜形成用塗布液を得た（塗布液Ｂ−６）。
塗布液Ａ−５と塗布液Ｂ−６を組み合わせて、ブラウン
管の表面に低反射電磁波遮蔽膜を形成した。得られた膜
の特性を表４に示す。
％）の原料を混合、撹拌して加水分解、重合を行い、均
一な反射防止膜形成用塗布液を得た（塗布液Ｂ−６）。
塗布液Ａ−５と塗布液Ｂ−６を組み合わせて、ブラウン
管の表面に低反射電磁波遮蔽膜を形成した。得られた膜
の特性を表４に示す。
【００４７】［例７］表３に示す種類と量（単位：重量
％）の原料を混合、撹拌して加水分解、重合を行い、均
一な反射防止膜形成用塗布液を得た（塗布液Ｂ−７）。
塗布液Ａ−５と塗布液Ｂ−７を組み合わせて、ブラウン
管の表面に低反射帯電防止膜を形成した。得られた膜の
特性を表４に示す。
％）の原料を混合、撹拌して加水分解、重合を行い、均
一な反射防止膜形成用塗布液を得た（塗布液Ｂ−７）。
塗布液Ａ−５と塗布液Ｂ−７を組み合わせて、ブラウン
管の表面に低反射帯電防止膜を形成した。得られた膜の
特性を表４に示す。
【００４８】［例８］表３に示す種類と量（単位：重量
％）の原料を混合、撹拌して加水分解、重合を行い均一
な反射防止膜形成用塗布液を得た（塗布液Ｂ−８）。塗
布液Ａ−１と塗布液Ｂ−８を組み合わせて、ブラウン管
の表面に低反射電磁波遮蔽膜を形成した。得られた膜の
特性を表４に示す。
％）の原料を混合、撹拌して加水分解、重合を行い均一
な反射防止膜形成用塗布液を得た（塗布液Ｂ−８）。塗
布液Ａ−１と塗布液Ｂ−８を組み合わせて、ブラウン管
の表面に低反射電磁波遮蔽膜を形成した。得られた膜の
特性を表４に示す。
【００４９】［例９］表３に示す種類と量（単位：重量
％）の原料を混合、撹拌して加水分解、重合を行い、均
一な反射防止膜形成用塗布液を得た（塗布液Ｃ−１）。
塗布液Ａ−１と塗布液Ｃ−１を組み合わせて、ブラウン
管の表面に低反射帯電防止膜を形成した。得られた膜の
特性を表４に示す。
％）の原料を混合、撹拌して加水分解、重合を行い、均
一な反射防止膜形成用塗布液を得た（塗布液Ｃ−１）。
塗布液Ａ−１と塗布液Ｃ−１を組み合わせて、ブラウン
管の表面に低反射帯電防止膜を形成した。得られた膜の
特性を表４に示す。
【００５０】［例１０］表３に示す種類と量（単位：重
量％）の原料を混合、撹拌して加水分解、重合を行い、
均一な反射防止膜形成用塗布液を得た（塗布液Ｃ−
２）。塗布液Ａ−１と塗布液Ｃ−２を組み合わせて、ブ
ラウン管の表面に低反射帯電防止膜を形成した。得られ
た膜の特性を表４に示す。
量％）の原料を混合、撹拌して加水分解、重合を行い、
均一な反射防止膜形成用塗布液を得た（塗布液Ｃ−
２）。塗布液Ａ−１と塗布液Ｃ−２を組み合わせて、ブ
ラウン管の表面に低反射帯電防止膜を形成した。得られ
た膜の特性を表４に示す。
【００５１】
【表１】
【００５２】
【表２】
【００５３】
【表３】
【００５４】
【表４】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０９Ｋ 3/00 Ｃ０９Ｋ 3/00 Ｒ Ｇ０２Ｂ 1/11 Ｇ０２Ｆ 1/1335 Ｇ０２Ｆ 1/1335 Ｈ０１Ｊ 9/20 Ａ Ｈ０１Ｊ 9/20 29/88 29/88 Ｇ０２Ｂ 1/10 Ａ
Claims (8)
- 【請求項１】アルキルシリケート及びその加水分解物か
ら選ばれる１種以上と、炭素数が１〜３の低級アルコー
ルを５０〜８０重量％と、プロピレングリコールエーテ
ル及びプロピレングリコールエーテルアセテートから選
ばれる１種以上を１０〜３０重量％以下と、ジアセトン
アルコールを２〜２０重量％と、水と、酸とを含有する
ことを特徴とする反射防止膜形成用塗布液。 - 【請求項２】アルキルシリケートの加水分解物の平均分
子量が、ポリスチレン換算で４００〜２０００である請
求項１記載の反射防止膜形成用塗布液。 - 【請求項３】プロピレングリコールエーテルが、プロピ
レングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノエチルエーテル又はプロピレングリコールモノ
プロピルエーテルである請求項１又は２記載の反射防止
膜形成用塗布液。 - 【請求項４】プロピレングリコールエーテルアセテート
がプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
である請求項１、２、又は３記載の反射防止膜形成用塗
布液。 - 【請求項５】透明基材の上に形成された導電性酸化物被
膜の表面に、請求項１、２、３又は４記載の反射防止膜
形成用塗布液を塗布、乾燥して形成してなることを特徴
とする反射防止膜。 - 【請求項６】導電性酸化物被膜が、アンチモンドープ酸
化錫粉末の分散液又はインジウム錫酸化物の分散液を塗
布、乾燥して形成されてなることを特徴とする請求項５
記載の反射防止膜。 - 【請求項７】導電性酸化物被膜が、黒色顔料としてカー
ボンブラック及びチタンブラックから選ばれる１種以上
を含むことを特徴とする請求項５又は６記載の反射防止
膜。 - 【請求項８】陰極線管用パネルの画像が表示されるフェ
ース面に、請求項５、６又は７記載の反射防止膜が形成
されてなることを特徴とする陰極線管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8043489A JPH09235143A (ja) | 1996-02-29 | 1996-02-29 | 反射防止膜形成用塗布液、反射防止膜及び陰極線管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8043489A JPH09235143A (ja) | 1996-02-29 | 1996-02-29 | 反射防止膜形成用塗布液、反射防止膜及び陰極線管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09235143A true JPH09235143A (ja) | 1997-09-09 |
Family
ID=12665138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8043489A Pending JPH09235143A (ja) | 1996-02-29 | 1996-02-29 | 反射防止膜形成用塗布液、反射防止膜及び陰極線管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09235143A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1205961A1 (en) * | 2000-11-09 | 2002-05-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of treating surface of face panel used for image display device, and image display device comprising the treated face panel |
| JP2002294150A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-09 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 導電性被膜用塗料およびそれを用いた導電性被膜、陰極線管 |
| JP2015199916A (ja) * | 2014-04-02 | 2015-11-12 | Jsr株式会社 | 膜形成用組成物及びパターン形成方法 |
-
1996
- 1996-02-29 JP JP8043489A patent/JPH09235143A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1205961A1 (en) * | 2000-11-09 | 2002-05-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of treating surface of face panel used for image display device, and image display device comprising the treated face panel |
| JP2002294150A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-09 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 導電性被膜用塗料およびそれを用いた導電性被膜、陰極線管 |
| JP2015199916A (ja) * | 2014-04-02 | 2015-11-12 | Jsr株式会社 | 膜形成用組成物及びパターン形成方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041125 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050712 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050907 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051115 |