JPH09236820A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

Info

Publication number
JPH09236820A
JPH09236820A JP4255796A JP4255796A JPH09236820A JP H09236820 A JPH09236820 A JP H09236820A JP 4255796 A JP4255796 A JP 4255796A JP 4255796 A JP4255796 A JP 4255796A JP H09236820 A JPH09236820 A JP H09236820A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
electrode
crystal display
display device
pixel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP4255796A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3877798B2 (ja
Inventor
Takanobu Nakagawa
卓宣 中川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hosiden Corp
Original Assignee
Hosiden Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hosiden Corp filed Critical Hosiden Corp
Priority to JP4255796A priority Critical patent/JP3877798B2/ja
Publication of JPH09236820A publication Critical patent/JPH09236820A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3877798B2 publication Critical patent/JP3877798B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 横電界印加方式により視野角依存性を解消し
た液晶表示装置の開口率を高め、明るい画像を得る。 【解決手段】 対向電極と画素電極との間で横電界を発
生させ、この横電界によって液晶の分子の姿勢を透明基
板の板面と平行した姿勢を保持した状態のまま、液晶の
配向を制御して各画素毎に輝度を制御する構成とした、
横電界印加方式を採る液晶表示装置において、ソースバ
スラインとこのソースバスラインと平行する部分の対向
電極の位置を重ね合せ、電極による遮光部分の面積を小
さくすることにより開口率の高い液晶表示素子を提供す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は各種の映像機器或
はパーソナルコンピュータ等の表示手段として利用する
液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より液晶表示装置では透明基板(一
般にガラス)間に液晶を挟み込み、その液晶に画素単位
毎に透明基板の板面に対して垂直方向の縦電界を形成
し、この縦電界により液晶分子の配列を制御して光の透
過、不透明を画素単位毎に制御し、画像、文字等を表示
している。
【0003】透明基板に対して垂直方向の縦電界により
液晶分子の配列を制御した場合、棒形状の液晶分子は透
明基板の板面と平行した姿勢から透明基板の板面間方向
に斜めに差し渡された姿勢に変位する。液晶分子が透明
基板間に斜めに差し渡された姿勢を採るとき、見る角度
によって光学特性が異なり視野角依存性が発生する。こ
の視野角依存性の存在により液晶表示装置は視野角が狭
く、この点で陰極線管方式の表示器に対して見劣りがす
る。
【0004】ところでこの欠点を解決する技術として横
電界印加方式の液晶表示装置が提案されている。この横
電界印加方式とは透明基板の一方の内面に画素電極と対
向電極の双方を同一面上に形成し、これら同一面上に形
成した画素電極と対向電極間に電位を与え、透明基板の
板面と平行する方向の横電界を液晶に印加して液晶分子
の配列を制御する方式である。
【0005】この横電界印加方式を採ることにより棒状
の液晶分子は透明基板の板面と平行した姿勢を保って軸
線方向を変更するためどの方向から見ても光学特性が変
化せず、従って視野角依存性は解消される。この結果と
してどこから見ても画質が劣化しない液晶表示装置を得
ることができる。図5及び図6にNIKKEI MIC
RODEVICES(1995年12月号、13頁)に
掲載された横電界印加方式の液晶表示装置に用いられる
電極構造を示す。図中1Aは2枚の透明基板の中の一方
の透明基板を示し、図示する各電極はこの透明基板1A
の内面に形成される。
【0006】図中2は対向電極、3はゲートバスライ
ン、4はソースバスライン、5は画素電極、6はTFT
と呼ばれる半導体スイッチ素子をそれぞれ示す。対向電
極2とゲートバスライン3は透明基板1Aの面に直接被
着形成され、ソースバスライン4と画素電極5は絶縁層
(特に図示しない)を介してこの絶縁層の上側に被着形
成される。
【0007】図5の例では画素電極5を角形の枠形状に
形成し、この枠の内側を一画素として動作させる場合を
示す。つまり、画素電極5が形成する枠の中央に対向電
極2を細条に形成し、対向電極2に例えば共通電位(コ
モン電圧)を与え、画素電極5に画素電圧を与えること
により、枠形の画素電極5の長辺部分と対向電極2との
間で横電界Eを発生させる構造とした場合を示す。尚、
画素電極5と対向電極2をその短辺部分で絶縁層を介し
て対向させ、この対向部分で画素容量(画素電極5に与
えられた画素信号の電圧を維持するための静電容量)を
形成している。
【0008】図6の例では対向電極2を枠形に形成し、
この枠の中央に画素電極5を細条に形成して配置した場
合を示す。この場合も対向電極2と画素電極5との間で
横電界Eを発生させる構成としている。また枠の短辺部
分で対向電極2と画素電極5とを対向させ、この対向部
分で画素容量を形成している。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】図5及び図6に示した
ように、先に提案されている横電界印加方式の液晶表示
装置では、図5の例ではソースバスライン4と画素電極
5が互に平行して配置され、また図6の例ではソースバ
スライン4と対向電極2とが平行して配置されている。
この2本の電極4と5又は4と2を配置しているため、
画素の開口率が悪くなる欠点がある。つまり、対向電極
2及び画素電極5を透明電極材料で形成すれば画素部分
の開口率を上げることができる。然したら、透明電極材
料は高価である上固有抵抗が大きいため、対向電極2と
画素電極5を透明基板1Aに形成した場合、例えば端の
部分と中央部分で抵抗のために電位差が発生し、表示駆
動動作が妨げられる不都合を生じる。このため一般には
対向電極2とゲートバスライン3、ソースバスライン
4、画素電極5は抵抗値の小さい金属材料によって形成
される。金属材料を用いた場合、金属材料は遮光性を持
ったことから画素部分の開口率が下がり、全体の輝度が
暗くなる不都合が生じる。
【0010】また、従来の電極構造によれば、図5の例
ではソースバスライン4と画素電極5とが面方向に並べ
て配置される。また、図6の例ではソースバスライン4
と対向電極2が互に面方向に並べて配置されるため、こ
れらの間で横電界を発生し、この横電界が画素部分に漏
れて画質を劣化させる不都合がある。この発明の目的は
対向電極2、ゲートバスライン3、ソースバスライン
4、画素電極5等を金属材料によって形成したとしても
画素部分の開口率の低下を抑えることができ、また、ソ
ースバスラインと対向電極との間又はソースバスライン
と画素電極との間の電界が画素部分に影響を与えること
のない液晶表示装置を提供しようとするものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】この発明では横電界印加
方式を採る液晶表示装置において、ソースバスラインを
透明基板に直接、被着形成すると共に、このソースバス
ラインの上に絶縁層を介して対向電極を細条に形成し、
ソースバスラインと対向電極とを上下に積み重ねた配置
とした構成を特徴とするものである。
【0012】この発明の構成によればソースバスライン
と対向電極とを上下に積み重ねた構造としたから、ソー
スバスラインに印加される駆動信号で発生する雑音電界
はソースバスラインと対向電極との間に縦方向に発生
し、画素部分に漏れる率を少なくすることができる。ま
たソースバスラインとゲートバスラインとによって囲ま
れて形成される画素部分の面積は、これらソースバスラ
インとゲートバスラインを構成する導体の線幅で決定さ
れ、対向電極によって塞がれる部分がない。これにより
画素部分の開口率が高められ、明るい画像を表示するこ
とができる。
【0013】
【発明の実施の形態】図1乃至図4にこの発明による横
電界印加方式の液晶表示装置の電極の配置構造を示す。
図1は電極構造を説明するための一方の透明基板1Aを
裏側から見た正面図、図2は図1に示したA−A線上の
断面図、図3は図1に示したB−B線上の断面図、図4
は図1に示したC−C線上の断面図を示す。図2乃至図
4に示すように、2枚の透明基板1Aと1Bが対向して
配置され、その対向面間に液晶7が封止される。液晶7
に接して液晶分子の配列を整列させる配向膜8A,8B
が配置される。電極を形成する側の透明基板、この例で
は1A側には配向膜8Aと透明基板1Aとの間に透明絶
縁層9を配置し、この透明絶縁層9によってソースバス
ライン4と対向電極2との間及び画素電極5との間をそ
れぞれ絶縁する構造としている。
【0014】この発明では図1乃至図4に示すように対
向電極2とソースバスライン4の位置を重ね合せて配置
した構造を提案するものである。このためには、この例
では図2に示すように、透明基板1Aの面にソースバス
ライン4を予め被着形成し、その被着形成面に透明絶縁
層9を被せ、透明絶縁層9の表面に対向電極2及び画素
電極5を形成する。この対向電極2を形成する場合、対
向電極2のソースバスライン4と平行する部分の位置を
ソースバスライン4の真上の位置に選定し、ソースバス
ライン4と対向電極2とを重ね合せた位置に形成する。
【0015】対向電極2はその長手方向の所定の寸法毎
に切離され、この切離しによって形成される間隙部分に
ゲートバスライン3を通過させて形成する。更に対向電
極2は切離された寸法の各中央部分において対向電極2
の配列方向に関して連結部材2Aによって連結し、この
連結によって各対向電極2は行方向に隣接する画素の相
互の対向電極2を兼ねることになる。連結部材2Aは各
対向電極2を行方向に接続し、画面の周縁部で列方向に
接続され、画面全体の対向電極2を共通電位に接続す
る。この連結部材2Aと画素電極5の延長端部5Aとの
対向部分で画素容量を形成する。ここでは画素電極5と
対向電極2は図2に示すように共に透明絶縁層9の面に
形成されるから、この画素容量を形成するためには図4
に示すように画素電極5の延長端部5Aを透明基板1A
に形成し、透明絶縁層9を挟んで下側に延長端部5A
を、上側に連結部材2Aを配置して静電容量を形成した
場合を示す。透明絶縁層9には例えばスルーホールのよ
うな接続孔5B(図4参照)を形成し、この接続孔5B
を通じて延長端部5Aを画素電極5に接続する。
【0016】画素電極5の他端側は図3に示すように、
同様に接続孔5Cを通じて半導体スイッチ素子6から導
出された例えばドレイン電極6Aに接続される。つま
り、透明基板1Aにはソースバスライン4の他に、半導
体スイッチ素子6に接続するドレイン電極6Aとソース
電極6Bを形成し、このドレイン電極6Aとソース電極
6Bの間に半導体層6Cを形成する。ドレイン電極6A
とソース電極6Bとの間はわずかな間隙に形成され、い
わゆるチャネルが構成される。このチャネルの上面側に
図3に示すように透明絶縁層9を介してゲート電極3A
を配置し、このゲート電極3Aに図1に示したゲートバ
スライン3から制御電圧を与えることによりドレイン電
極6Aとソース電極6Bの間をオン、オフ制御し、ソー
スバスライン4を通じて与えられる画素信号を画素電極
5に与える構造とされる。結局、ドレイン電極6Aと、
ソース電極6B、半導体層6C、ゲート電極3Aにより
半導体スイッチ素子6が形成される。このような半導体
スイッチ素子6をトップゲート型TFTと呼んでいる。
【0017】また、図1に示した実施例ではゲートバス
ライン3を挟んでその上側と下側の2個の画素によって
1ドットを表示するように構成した場合を示す。従って
図1に示すように各ゲートバスライン3にこれと直交す
る両方向にゲート電極3Aを突出形成し、各ゲート電極
Aを2つの画素部分に設けた半導体スイッチ素子6に接
続した場合を示す。
【0018】上述した構成によれば、画素電極5と対向
電極2との間に画素電圧を印加することにより、画素電
極5と対向電極2との間で透明基板1Aと1Bの板面と
平行する方向の横電界E1とE2を発生させることがで
きる。画素電圧の大小に応じて液晶7の分子の配向方向
が制御され、この結果、透明基板1Aと1Bの外側に設
ける偏光板(特に図示しない)の偏光軸との交叉角によ
って決まる光の透過量が制御されて、各画素毎の輝度が
制御され、視野角依存性のない横電界印加方式の液晶表
示装置として動作する。
【0019】
【発明の効果】上述したように、この発明によれば横電
界印加方式によって得られる視野角依存性のない表示が
得られる作用効果に加えて、対向電極2とソースバスラ
イン4の位置を重ね合せた位置に設定したことにより、
電極の存在によって発生する遮光部分の面積が小さくな
り、それだけ画素部分の開口率を高めることができ、新
たな作用効果を得ることができる。この結果画面全体の
輝度が明るくなり、暗から明までの階調範囲、つまり表
示し得る階調のダイナミックレンジが広い液晶表示装置
を提供することができる。
【0020】また対向電極2とソースバスライン4と重
ね合せた配置としたから、ソースバスライン4に供給さ
れる駆動信号によって発生する雑音電界は、ソースバス
ライン4と対向電極2との間で発生するだけで、他に漏
れることはない。従って画素部分に発生する横電界E
1,E2がソースバスライン4から発生する雑音電界に
よって影響を受ける率を図5及び図6に示した電極構造
の場合より大幅に低減することができ、これにより画質
の向上を期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の要部の実施例を説明するための正面
図。
【図2】図1に示したA−A線上の断面図。
【図3】図1に示したB−B線上の断面図。
【図4】図1に示したC−C線上の断面図。
【図5】先に提案されている横電界印加方式の液晶表示
装置に用いられた電極構造を説明するための正面図。
【図6】図5と同様の他の電極構造を説明するための正
面図。
【符号の説明】
1A,1B 透明基板 2 対向電極 3 ゲートバスライン 4 ソースバスライン 5 画素電極 6 半導体スイッチ素子 7 液晶 8A,8B 配向膜 9 透明絶縁層

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 2枚の透明基板間に封入した液晶と、一
    方の透明基板の内面に形成した対向電極及び画素電極
    と、上記画素電極に画素信号を与えるためのソースバス
    ラインと、このソースバスラインと上記画素電極との間
    に挿入され駆動信号によってオン、オフ制御される半導
    体スイッチ素子とを具備して構成され、上記画素電極と
    対向電極との間に印加される電圧によって上記透明基板
    の板面と平行する方向の横電界を発生させ、この横電界
    によって上記液晶の配向を制御して各画素の輝度を制御
    する横電界印加方式の液晶表示装置において、 上記対向電極を上記ソースバスラインと平行する細条電
    極によって構成し、上記対向電極とソースバスラインを
    透明絶縁層を介して積み重ね、光の透過方向に関して上
    記対向電極とソースバスラインとを同一位置に配置した
    ことを特徴とする液晶表示装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の液晶表示装置において、
    上記対向電極はその長手方向に関して所定距離毎に切離
    され、その切離されて形成された間隙部分に上記対向電
    極と直交する方向にゲートバスラインを形成したことを
    特徴とする液晶表示装置。
  3. 【請求項3】 請求項1記載の液晶表示装置において、
    上記対向電極はその長手方向に関して所定の距離毎に切
    離され、その切離しによって形成された間隙部分の相互
    間のほぼ中央において対向電極の長手方向と直交する方
    向に延長した連結部材によって互に連結し、隣接する画
    素の相互の対向電極を兼ねると共に、この連結によって
    形成される対向電極の行の相互を画面の周辺部で互に連
    結し、表示面上の全ての対向電極を同一電位に連結した
    ことを特徴とする液晶表示装置。
  4. 【請求項4】 請求項1記載の液晶表示装置において、
    上記対向電極の長手方向と直交する方向のほぼ中央部分
    に、上記対向電極と平行する細条の画素電極を配置し、
    この画素電極と上記対向電極との間で上記横電界を発生
    させることを特徴とする液晶表示装置。
  5. 【請求項5】 請求項3記載の液晶表示装置において、
    上記連結部材と絶縁層を介して対向して配置した電極を
    設け、この電極を上記対向電極と電気的に接続し、上記
    連結部材とこれと対向して設けた電極との間に形成され
    る静電容量を上記画素電極の電位を維持するための画素
    容量としたことを特徴とする液晶表示装置。
JP4255796A 1996-02-29 1996-02-29 液晶表示装置 Expired - Fee Related JP3877798B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4255796A JP3877798B2 (ja) 1996-02-29 1996-02-29 液晶表示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4255796A JP3877798B2 (ja) 1996-02-29 1996-02-29 液晶表示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09236820A true JPH09236820A (ja) 1997-09-09
JP3877798B2 JP3877798B2 (ja) 2007-02-07

Family

ID=12639353

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4255796A Expired - Fee Related JP3877798B2 (ja) 1996-02-29 1996-02-29 液晶表示装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3877798B2 (ja)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11194366A (ja) * 1998-01-07 1999-07-21 Seiko Epson Corp アクティブマトリックス基板およびその製造方法、液晶装置および電子機器
JP2002116450A (ja) * 2000-10-10 2002-04-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置およびその作製方法
JP2003241224A (ja) * 2003-03-24 2003-08-27 Seiko Epson Corp アクティブマトリックス基板、液晶装置、および電子機器
JP2004198845A (ja) * 2002-12-19 2004-07-15 Chi Mei Electronics Corp 液晶表示セルおよび液晶ディスプレイ
US6924863B2 (en) 2001-02-23 2005-08-02 Nec Lcd Technologies, Ltd. In-plane switching mode active matrix type liquid crystal display device and method of fabricating the same
KR100477130B1 (ko) * 1997-09-25 2005-08-29 삼성전자주식회사 평면구동방식액정표시장치의박막트랜지스터기판및제조방법
KR100521286B1 (ko) * 1998-11-27 2005-10-17 산요덴키가부시키가이샤 액정 표시 장치
KR100538292B1 (ko) * 1997-07-09 2006-02-28 삼성전자주식회사 평면내스위칭모드액정표시장치및제조방법
JP2006146283A (ja) * 2000-01-26 2006-06-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
JP2006350288A (ja) * 2005-06-14 2006-12-28 Lg Phillips Lcd Co Ltd 液晶表示素子及びその製造方法
JP2007047797A (ja) * 2005-08-09 2007-02-22 Samsung Electronics Co Ltd 薄膜トランジスタ表示板
US7362401B2 (en) 1997-10-16 2008-04-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha In plane switching liquid crystal displaying apparatus for improved luminance including a thin film transistor array substrate
JP2008170987A (ja) * 2007-12-21 2008-07-24 Mitsubishi Electric Corp 面内スイッチング型液晶表示装置
US7961263B2 (en) 1997-11-20 2011-06-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal displays and manufacturing methods thereof
JP2014052498A (ja) * 2012-09-06 2014-03-20 Japan Display Inc 液晶表示装置
JP2014089338A (ja) * 2012-10-30 2014-05-15 Japan Display Inc 液晶表示装置

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100538292B1 (ko) * 1997-07-09 2006-02-28 삼성전자주식회사 평면내스위칭모드액정표시장치및제조방법
KR100477130B1 (ko) * 1997-09-25 2005-08-29 삼성전자주식회사 평면구동방식액정표시장치의박막트랜지스터기판및제조방법
US7362401B2 (en) 1997-10-16 2008-04-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha In plane switching liquid crystal displaying apparatus for improved luminance including a thin film transistor array substrate
US7961263B2 (en) 1997-11-20 2011-06-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal displays and manufacturing methods thereof
JPH11194366A (ja) * 1998-01-07 1999-07-21 Seiko Epson Corp アクティブマトリックス基板およびその製造方法、液晶装置および電子機器
KR100521286B1 (ko) * 1998-11-27 2005-10-17 산요덴키가부시키가이샤 액정 표시 장치
JP2006146283A (ja) * 2000-01-26 2006-06-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
JP2002116450A (ja) * 2000-10-10 2002-04-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置およびその作製方法
US6924863B2 (en) 2001-02-23 2005-08-02 Nec Lcd Technologies, Ltd. In-plane switching mode active matrix type liquid crystal display device and method of fabricating the same
US7446833B2 (en) 2001-02-23 2008-11-04 Nec Lcd Technologies, Ltd. In-plane switching mode active matrix type liquid crystal display device and method of fabricating the same
US7619710B2 (en) 2001-02-23 2009-11-17 Nec Lcd Technologies, Ltd. In-plane switching mode active matrix type liquid crystal display device and method of fabricating the same
JP2004198845A (ja) * 2002-12-19 2004-07-15 Chi Mei Electronics Corp 液晶表示セルおよび液晶ディスプレイ
JP2003241224A (ja) * 2003-03-24 2003-08-27 Seiko Epson Corp アクティブマトリックス基板、液晶装置、および電子機器
JP2006350288A (ja) * 2005-06-14 2006-12-28 Lg Phillips Lcd Co Ltd 液晶表示素子及びその製造方法
US7649604B2 (en) 2005-06-14 2010-01-19 Lg Display Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating thereof
JP2007047797A (ja) * 2005-08-09 2007-02-22 Samsung Electronics Co Ltd 薄膜トランジスタ表示板
JP2008170987A (ja) * 2007-12-21 2008-07-24 Mitsubishi Electric Corp 面内スイッチング型液晶表示装置
JP2014052498A (ja) * 2012-09-06 2014-03-20 Japan Display Inc 液晶表示装置
JP2014089338A (ja) * 2012-10-30 2014-05-15 Japan Display Inc 液晶表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3877798B2 (ja) 2007-02-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10146097B2 (en) Liquid crystal display
JP3877798B2 (ja) 液晶表示装置
JP2003186038A (ja) 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板
US20110310075A1 (en) Liquid crystal display and driving method thereof
TWI432854B (zh) 液晶顯示裝置及其製造方法
JP2000231098A (ja) カラー液晶表示装置
KR20080033083A (ko) 전기 광학 장치 및 전자 기기
KR100595295B1 (ko) 멀티 도메인 액정표시장치 및 그 제조방법
US9625777B2 (en) Liquid crystal display
US20210142746A1 (en) Liquid crystal display device
JP2735099B2 (ja) 液晶表示装置
JP3828943B2 (ja) 液晶表示装置
US6704084B2 (en) Liquid-crystal display wherein a common potential is supplied to an alignment film
KR101157975B1 (ko) 액정표시소자의 구동방법
KR100920355B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 다이오드 표시판 및 이를 포함하는액정 표시 장치
JP2001166321A (ja) 液晶表示装置
US20150185534A1 (en) Liquid crystal display
US7804570B2 (en) Liquid crystal display device including superposition of pixel electrodes and signal lines
JP4326058B2 (ja) 垂直配向型液晶表示装置
US11201175B2 (en) Array substrate with capacitance forming portion to hold potential at electrode
JP2005134882A (ja) 液晶表示装置
KR20050067908A (ko) 칼라필터 어레이 기판
JP2008096616A (ja) 電気光学装置及び電子機器
JP4442600B2 (ja) 電気光学装置及び電子機器
KR101025126B1 (ko) 액정표시소자

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050609

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050616

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20050915

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20050921

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060223

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060623

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20060803

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20061003

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20061101

R150 Certificate of patent (=grant) or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091110

Year of fee payment: 3

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091110

Year of fee payment: 3

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091110

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091110

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101110

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111110

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121110

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121110

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131110

Year of fee payment: 7

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees