JPH09237162A - 走査型データ記憶システム、及びその針摩耗管理方法、媒体摩耗管理方法、並びに残存寿命表示装置 - Google Patents

走査型データ記憶システム、及びその針摩耗管理方法、媒体摩耗管理方法、並びに残存寿命表示装置

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JPH09237162A
JPH09237162A JP8061976A JP6197696A JPH09237162A JP H09237162 A JPH09237162 A JP H09237162A JP 8061976 A JP8061976 A JP 8061976A JP 6197696 A JP6197696 A JP 6197696A JP H09237162 A JPH09237162 A JP H09237162A
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Mitsuchika Saito
光親 斉藤
Naohiko Kamae
尚彦 釜江
Kiyoyuki Ihara
清幸 井原
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 針のアクセス動作回数の制限や記憶エリアの
被アクセス動作回数の制限に起因する装置寿命を効果的
に延ばすことができる走査型データ記憶システム、その
針摩耗管理方法、及びその媒体摩耗管理方法を提供す
る。 【解決手段】 記憶媒体表面に形成される記憶エリアに
対するデータの読出し／書込みのアクセス動作を、所定
の針群３１ごとに行う走査型データ記憶システムであっ
て、前記各針群３１ごとのアクセス動作回数をカウント
するカウンタ４１；アクセス動作回数が多い針群が受け
持つ前記記憶エリアのデータと、アクセス動作回数が少
ない針群が受け持つ前記記憶エリアのデータとを交換す
るデータ交換手段４３；前記記憶エリアの物理アドレス
と論理アドレスとを対応させるためのアドレス変換テー
ブルを記憶する手段であって、前記データの交換に際し
て、当該交換前の記憶エリアの物理アドレスが対応する
論理アドレスに、当該交換後の記憶エリアの物理アドレ
スを対応させて記憶する手段４２；を含むことを特徴と
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、データ読出し／書
込み用の針とデータ記憶媒体とを用いた走査型データ記
憶システム、その針摩耗管理方法、その媒体摩耗管理方
法、及びその残存寿命表示装置に関する。特に、前記針
のアクセス動作回数及び／又は前記記憶媒体の被アクセ
ス動作回数に制限がある場合において、該データ記憶シ
ステムの寿命を実質的に延ばすことができる、前記シス
テム、方法及び装置に関する。
【０００２】
【技術背景】現在、コンピュータの補助記憶装置とし
て、固定磁気ディスク装置（ＨＤＤ）が広く用いられて
いる。これに代わる記憶装置として、ＨＤＤよりも占有
面積が圧倒的に小さく、かつアクセス速度が大幅に大き
く、しかも記憶密度も高い走査型データ記憶装置が種々
提案されている（例えば、斉藤等による「走査型メモリ
装置」、特願平６−２７０２９７号参照）。
【０００３】走査型データ記憶装置は、多数のデータ読
出し／書込み用針（本明細書では、単に「針」と言う）
によりデータ記憶媒体（本明細書では、単に「記憶媒
体」と言う）に電気的な刺激を与えることで、データの
読出し／書込みを行う（本明細書では、針による読出し
／書込み動作を「アクセス動作」と言う）。この種のデ
ータ記憶装置の寿命は、針や記憶媒体の摩耗に大きく影
響される。
【０００４】ある針に注目すると、該針による記憶媒体
へのアクセス動作回数には、針の摩耗に起因する限界が
ある。また、ある記憶媒体の記憶エリアに注目すると、
該記憶媒体が針によりアクセス動作される回数には、前
記記憶エリアの摩耗に起因する限界がある（本明細書で
は、記憶媒体が針によりアクセス動作されることを「被
アクセス動作」と言う）。
【０００５】一般に、走査型データ記憶装置では、各針
についてアクセス動作回数の制限や各記憶エリアについ
て被アクセス動作回数の制限は同一であるが、アクセス
動作の頻度は全ての針について同一ではないし、また被
アクセス動作の頻度は全ての記憶エリアについて同一で
はない。例えば、データ記憶装置のある箇所に記憶され
たデータの中には、頻繁に読み出されるものもあるし稀
にしか読み出されないものもあり、また頻繁に書き変え
られるものあるし稀にしか書き変えられないものもあ
る。
【０００６】このため、例えば、ある針は、アクセス動
作回数が多いために、他の針よりも早期にアクセス動作
の制限回数に達することがある。逆に、ある針は、アク
セス動作回数が少ないため、他の針のアクセス動作が制
限回数に達しても、自己のアクセス動作の制限回数まで
には十分に余裕がある場合も生じる。同様に、ある記憶
エリアは、被アクセス動作回数が多いために、他の記憶
エリアよりも早期に被アクセス動作の制限回数に達する
ことがある。逆に、ある記憶エリアは、被アクセス動作
回数が少ないため、他の記憶エリアの被アクセス動作が
制限回数に達しても、自己の被アクセス動作の制限回数
までには十分に余裕がある場合も生じる。
【０００７】以上のように、従来の走査型データ記憶装
置は、アクセス動作が制限回数に達していない針、又は
被アクセス動作が制限回数に達していない記憶エリアが
多数あるにもかかわらず、極端に早期にその寿命を終え
る場合が生じる。即ち、従来の走査型データ記憶装置で
は、全ての針の寿命又は全ての記憶エリアの寿命を十分
に活用しないままに、その寿命を終えると言った不都合
がある。
【０００８】なお、前述した斉藤等による「走査型メモ
リ装置」では、ある動作回数（制限回数）に達した針を
無効とみなし、該無効とされた針がアクセス動作する記
憶エリアのデータを、スペアの記憶エリアに交換する方
法も行われる。ところが、この方法では、スペアの記憶
エリアが早期に使い尽くされる場合が生じる。スペアの
記憶エリアが全て使い尽くされた後において、新たに何
れかの針がアクセス動作の制限回数に達したときは、デ
ータ記憶装置は寿命を終えることになってしまう。
【０００９】
【発明の目的】本発明の目的は、針のアクセス動作回数
の制限や記憶エリアの被アクセス動作回数の制限に起因
する装置寿命を効果的に延ばすことができる、走査型デ
ータ記憶システム、その針摩耗管理方法、及びその媒体
摩耗管理方法を提供することにある。また、本発明の他
の目的は、特にユーザに、装置寿命の残存度合を知らせ
ることができる走査型データ記憶システムの残存寿命表
示装置を提供することにある。
【００１０】
【発明の概要】本発明の走査型データ記憶システムは、
針のアクセス動作回数又は記憶媒体の被アクセス動作回
数に着目したもので、記憶媒体と複数の針とを備え、前
記記憶媒体表面に形成される記憶エリアに対するデータ
の読出し／書込みのアクセス動作を、所定の針群ごとに
行う走査型データ記憶システムに応用される。本発明の
走査型データ記憶システムのうち、針のアクセス動作回
数に着目したものを第１システムと言い、記憶媒体の被
アクセス動作回数に着目したものを第２システムと言
う。
【００１１】第１及び第２システムは、カウンタと、デ
ータ交換手段と、アドレス変換テーブルを記憶するため
の手段（以下、「テーブル記憶手段」と言う）とを含ん
で構成される。第１及び第２システムでは、これらのカ
ウンタや各手段を、前記針（又は前記記憶媒体）が形成
されている半導体基板、又は該半導体基板を収納するパ
ッケージ内に設けた回路基板に形成することで、システ
ム構成要素の全てを１枚のカードに実装することもでき
る。また、カウンタ、データ交換手段、テーブル記憶手
段等のシステム構成要素の全部又は一部を、前記半導体
基板や前記回路基板（以下、これら基板を単に「基板部
材」と言う）以外、例えば走査型データ記憶システムが
使用されるコンピュータの本体に設けることもできる。
【００１２】カウンタは、第１システムにおいては所定
針群ごとにアクセス動作回数、第２システムにおいては
所定記憶エリアごとの被アクセス動作回数（アクセス動
作が行われた回数）をカウントする。なお、第２システ
ムにおける所定記憶エリアは、必ずしも針群が受け持つ
範囲全体ではなく、いわゆるトラック（針群により連続
してアクセス動作される記憶エリア）とすることができ
る。通常、これらカウンタには、初期化時（例えば、製
造時）から現在に至るまでのカウント値が記録される。
【００１３】第１システムでは、カウンタは例えば前記
基板部材等に設けた半導体回路により構成することがで
きる。第２システムでは、カウンタは前記半導体回路に
より構成できる他、基板部材等に設けたプロセッサと記
憶媒体に設けられた所定記憶エリア（被アクセス動作回
数を記憶するためのエリア）との組合せにより構成する
こともできる。この場合には、ある記憶エリアについて
の被アクセス動作回数は、前記プロセッサによりカウン
トされ、カウント値は被アクセスのたびに前記記憶エリ
アに記憶される。
【００１４】第１，第２システムとも、電源オフの期間
においては、通常、カウント値は、記憶媒体に設けられ
た所定記憶エリアに記憶されるが、前記記憶媒体以外の
記憶手段（例えば、基板部材に形成したＥＥＰＲＯＭ等
の記憶手段）に記憶することもできる。
【００１５】第１システムでは、データ交換手段は、
「アクセス動作回数が多い針群」が受け持つ記憶エリア
のデータと、「アクセス動作回数が少ない針群」が受け
持つ記憶エリアのデータとを相互に交換する。第２シス
テムでは、データ交換手段は、「被アクセス動作回数が
多い記憶エリア」のデータと、「被アクセス動作回数が
少ない記憶エリア」のデータとを相互に交換する。通
常、基板部材に形成したプロセッサや、走査型データ記
憶システムが使用されるコンピュータの本体のプロセッ
サがデータ交換手段として機能する。なお、上記データ
の交換は、データ記憶システムの稼働中の、例えばある
針群のアクセス動作や、所定記憶エリアの被アクセス動
作が、後述する第１の閾値に達したときに行ってもよい
し、これらアクセス動作や被アクセス動作とは無関係
に、稼働中の適時に行ってもよい。
【００１６】第１システムでは、他の針群と比較して
「アクセス動作回数が多い針群」、及び他の針群と比較
して「アクセス動作回数が少ない針群」の特定は、アク
セス動作回数監視のための手段（通常、前記プロセッサ
が該手段として機能する）により行われる。第２システ
ムでは、他の記憶エリアと比較して、「被アクセス動作
回数が多い記憶エリア」、及び他の記憶エリアと比較し
て「被アクセス動作回数が少ない記憶エリア」の特定
は、被アクセス動作回数監視のための手段（通常、前記
プロセッサが該手段として機能する）により行われる。
【００１７】第１，第２システムでは、「アクセス動作
回数が多い針群」や「アクセス動作回数が少ない針
群」、あるいは「被アクセス動作回数が多い記憶エリ
ア」や「被アクセス動作回数が少ない記憶エリア」の決
定方法は種々考えられる。「アクセス動作回数が多い針
群」や「被アクセス動作回数が多い記憶エリア」の決定
のために第１の閾値を、「アクセス動作回数が少ない針
群」や「被アクセス動作回数が少ない記憶エリア」の決
定のために第２の閾値（第１の閾値よりも小さい）を定
めることができる。
【００１８】例えば、第１システムでは、データ記憶シ
ステムの電源オンの間（稼働中）に、ある針群のアクセ
ス動作回数が第１の閾値に達したときに、その針群を
「アクセス動作回数が多い針群」とすることができる。
ここで、上記第１の閾値は、例えば、アクセス動作の制
限回数の所定割合（例えば、８０％）とすることができ
る。また、アクセス動作回数が第２の閾値以下の針群を
「アクセス動作回数が少ない針群」とすることができ
る。ここで、上記第２の閾値は、例えば、アクセス動作
の制限回数の所定割合（例えば、２０％）とすることが
できる。上記第１及び／又は第２の閾値を複数設定する
ことで、あるいは上記第１及び／又は第２の閾値をデー
タの交換回数の増加につれて適宜変更することで、より
効率的に走査型データ記憶システムの寿命を延ばすこと
ができる。
【００１９】第２システムにおける閾値の定め方は、上
記した第１システムにおける閾値の定め方をそのまま適
用することができる。また、第２システムにおいて、第
１及び第２の閾値を複数設定することで、又は第１及び
第２の閾値をデータの交換回数の増加につれて適宜変更
することで、より効率的に走査型データ記憶システムの
寿命を延ばすことができることも第１システムと同様で
ある。
【００２０】データ交換前の記憶エリアの物理アドレス
が対応する論理アドレスに、当該交換後の物理アドレス
を対応させるように、アドレス変換のための手段（通
常、前記プロセッサが該手段として機能する）がアドレ
ス変換テーブルを書き換える。なお、アドレス変換テー
ブルは、テーブル記憶手段（通常、記憶媒体の所定エリ
ア、又は前記基板部材に形成されたＥＥＰＲＯＭ等の記
憶手段）に記憶されている。アドレス変換テーブルは、
非稼働中は、記憶媒体の所定記憶エリアに記憶すること
が好ましい。上記アドレス変換テーブルは、電源オン時
にＳＲＡＭ等の記憶手段に、前記所定記憶エリアから読
み出される。上記のデータの交換があったときは、デー
タ記憶システムの稼働中に、アドレス変換テーブルの更
新を行い、電源オフ時のシーケンスにおいて、更新した
アドレス変換テーブルを前記所定のエリアに再び書き込
むことが、針や記録媒体の摩耗を低減する観点、又はデ
ータアクセスの速度向上の観点からも望ましい。
【００２１】第１，第２システムは、全ての針群につい
ての総アクセス動作回数（各針群についてのクセス動作
回数の合計値）を記憶する総アクセス動作回数保持手段
や、全ての前記記憶エリアについての総被アクセス動作
回数（各記憶エリアについての被クセス動作回数の合計
値）を記憶する総被アクセス動作回数保持手段を含むこ
とができる。これらの手段は、前記基板部材に設けたＥ
ＥＰＲＯＭ等の記憶手段とすることができるし、前記記
憶媒体の所定記憶エリアとすることもできる。本発明の
データ記憶システムが固定磁気ディスクの代替として使
用される場合においては、例えば、第１システムでは、
総アクセス動作回数の記憶エリアを記憶媒体に設けてお
く。総アクセス動作回数保持手段は電源オン時のシーケ
ンスにおいて、該記憶エリアに記憶されている総アクセ
ス動作回数を読み出す。また、電源オフ時のシーケンス
においては、総アクセス動作回数保持手段のカウント値
（総アクセス動作回数）を、前記総アクセス動作回数記
憶エリアに記憶することができる。第２システムでも、
総被アクセス動作回数の記憶エリアを記憶媒体に設けて
おくことで、上記と同様に総被アクセス動作回数の読出
しや記憶を行うことができる。例えばコンピュータの中
央処理装置や、周辺装置等の他の装置は、この総アクセ
ス動作回数保持手段や総被アクセス動作回数保持手段を
参照することで、総アクセス動作回数や総被アクセス動
作回数を監視等することができる。これにより、例え
ば、前記中央処理装置は、データ記憶システム等の寿命
を、ディスプレイ等を介してユーザに知らせることがで
きる。
【００２２】更に、第１，第２システムでは、前記アク
セス動作が制限回数に達したときは当該針群が受け持つ
記憶エリアを、あるいは前記被アクセス動作が制限回数
に達したときは当該記録エリアを、スペアの記憶エリア
と置き換えることもできる。これにより、例えば、ある
針群や記憶エリアが何らかの事情により極めて早期に使
用不能になったとしても、該針群や記憶エリアを使用し
ないようにできるので、データ記憶システム自体の寿命
が短くなることはない。なお、データの交換には、前述
のデータ交換手段を用いることができる。
【００２３】以上述べたように、第１，第２システムで
は、各針群のアクセス動作回数、あるいは所定記憶エリ
アの被アクセス動作回数を均一化することにより、デー
タ記憶システム自体の寿命を大幅に延ばすことができる
のである。
【００２４】本発明の走査型データ記憶システムの針摩
耗管理方法及び媒体摩耗管理方法は、典型的には第１シ
ステム及び第２システムを用いて実行される。以下、針
摩耗管理方法を第１方法と言い、媒体摩耗管理方法を第
２方法と言う。
【００２５】第１方法は、前記各針群ごとのアクセス動
作回数をカウントするステップと；他の針群と比較して
アクセス動作回数が多い針群、及び他の針群と比較して
アクセス動作回数が少ない針群を特定するステップと；
前記アクセス動作回数が多い針群が受け持つ前記記憶エ
リアのデータと、アクセス動作回数が少ない針群が受け
持つ前記記憶エリアのデータとを相互に交換するステッ
プと；を含むことを特徴とする。
【００２６】また、第２方法は、前記各針群によりアク
セス動作される所定記憶エリアごとの被アクセス動作回
数をカウントするステップと；他の記憶エリアと比較し
て、被アクセス動作回数が多い記憶エリア、及び他の記
憶エリアと比較して被アクセス動作回数が少ない記憶エ
リアを特定するステップと；前記被アクセス動作回数が
多い前記記憶エリアのデータと、前記被アクセス動作回
数が少ない前記記憶エリアのデータとを相互に交換する
ステップと；当該交換前の記憶エリアの物理アドレスが
対応する論理アドレスに、当該交換後の記憶エリアの物
理アドレスを対応させるステップと；を含むことを特徴
とする。
【００２７】本発明の走査型データ記憶システムの残存
寿命表示装置は、走査型データ記憶装置の寿命の残存度
合いをユーザに知らせるために用いられるもので、典型
的には、上記アクセス動作を各針群ごとに行う第１シス
テムや第２システムのようなシステムに応用される。
【００２８】本発明の残存寿命表示装置では、走査型デ
ータ記憶システムに警告表示手段を含む。この警告表示
手段は、前記総アクセス動作回数、又は、前記総被アク
セス動作回数が、所定回数（例えば、総アクセス動作回
数の所定割合として定められる閾値）に達したときに
は、装置のユーザに警告を発する。例えば、データ記憶
システムがＰＣＭＣＩＡカードのようなメモリカードと
して使用される場合、ユーザはメモリカードの寿命を知
りたいであろう。このような場合、総アクセス動作回数
をユーザに知らせる手段として、該カードにユーザが目
視できる寿命表示手段を設けることができる。総アクセ
ス動作回数は減ることがないから、該寿命表示手段とし
て例えば、マークを順次書き加えていく方法が好適であ
る。このようなマークの書き込み機構の駆動のために、
通常、メモリカードが使用されている本体（コンピュー
タ）側の電源が用いられる。もっとも、メモリカードに
電池が具備される場合には、寿命表示手段を液晶表示器
とすることもできる。
【００２９】第１システム、第２システム及び残存寿命
表示装置は、相互に組み合わせて使用することができ
る。第１、第２システムに用いるデータ交換手段、アド
レス変換のための手段等は両発明において共有すること
が可能であるので、両システムを併用することで、資源
の節約、装置の小型化を図ることができるのみならず、
針群と記憶媒体の双方の摩耗に起因するデータ記憶シス
テムの寿命を大幅に延ばすことが可能となる。また、残
存寿命表示装置は、第１システムにおける針群の総アク
セス動作回数のカウント値及び第２システムにおける所
定記憶エリアの総被アクセス動作回数のカウント値を使
用して、装置寿命を表示することができる。この場合に
も資源の節約、装置の小型化を図ることができるので、
第１及び第２システムとの併用は有意義である。
【００３０】一般に、放置しておけばある時間経過後に
データが失われるメモリの場合、データの再書込みをし
なければならない。本発明において用いられる記憶媒体
には、一般には数日程度しか情報を保持できないものも
ある。このために定期的に全データをリフレッシュしな
ければならない。記憶媒体をメモリカードとして用いる
場合には、該メモリカードが周辺装置から電源の供給が
受けられないことを考慮して、データ記憶システムに小
型電池と時計を内蔵しておき、定期的に全データをリフ
レッシュすることが好ましい。
【００３１】
【実施例】図１〜図６を参照して第１システム及び第１
方法の実施例（以下、「第１実施例」と言う）を説明す
る。第１実施例では、記憶媒体の摩耗は考慮せず、針の
摩耗のみを考慮して、データ記憶システムの寿命を延ば
す。
【００３２】第１実施例では、図１（Ａ）に示すよう
に、データ記憶システム１００は、２つの基板２００，
３００が対向配置されて構成され、基板２００の基板３
００との対向面側には記憶媒体２が、基板３００の基板
２００との対向面側には多数の針（これらの針をまとま
めて符号３で示す）が形成されている。図１（Ｂ）に示
すようにこれらの針は、アレイ状に形成されている。ま
た、基板３００には、半導体回路（図１では図示せず）
が形成されている。
【００３３】データ記憶システム１００では、適宜に選
ばれた針の群が記憶媒体２にアクセス動作する。ここで
のアクセス動作とは、針先端の記憶媒体２の表面に対す
る接触、相対的な移動、及び乖離の一連の動作である。
第１実施例では、同一行を構成する各針は同時に記憶媒
体２にアクセス動作するようにしてある（以下、「針
群」は同一行を構成する各針の集まりを意味し、図１
（Ｂ）において符号３１で示す）。なお、データ記憶シ
ステム１００のデータ読出しにおいては、記録媒体２の
種類によってはいわゆる破壊読出しが行われる。その場
合、読み出したデータは、適宜の手段を用いて再書込み
される。
【００３４】第１実施例では、メモリ媒体２を、各針群
３１がそれぞれ受け持つ記憶エリア（以下、「フィール
ド」と言う）に分割し、このフィールドを後述するよう
にデータ交換の単位としている。また、第１実施例で
は、論理アドレスは、論理フィールドアドレスと論理ト
ラックアドレスとを含むものとする。後述するアドレス
変換テーブルは、データ記憶システム１００が使用され
ているシステムにおけるアドレス（論理アドレス）と、
当該記憶媒体２００上の物理アドレスとを対応させる。
【００３５】図２は、針群３１と、半導体回路４と、各
フィールド２１との関係を模式的に示す図である。トラ
ック及びフィールドは外観上認識される記憶エリアの配
置とは異なっている。トラックは、一回のアクセス動作
（上述した、針先端の記憶媒体２の表面に対する接触、
相対的な移動、及び乖離の一連の動作）で読出し／書込
みが行われるデータビットの集合である。フィールド２
１は、トラックの集合である。
【００３６】図２に示すように、半導体回路４には、
（１）各針群３１ごとのアクセス動作回数をカウントす
るカウンタ４１、（２）アドレス変換テーブル用のメモ
リ４２、（３）（ｉ）他の針群と比較してアクセス動作
回数が多い針群、及び他の針群と比較してアクセス動作
回数が少ない針群の特定、（ｉｉ）アクセス動作回数が
多い針群がアクセス動作するフィールドのデータと、ア
クセス動作回数が少ない針群がアクセス動作するフィー
ルドのデータとの交換、（ｉｉｉ）データ交換前のフィ
ールドの物理アドレスが対応する論理アドレスに、当該
交換後のフィールドの物理アドレスを対応させるための
前記アドレス変換テーブルの書き換え、等を行うプロセ
ッサ４３、（４）総アクセス動作回数を記憶する総アク
セス動作回数保持手段（ここでは、総アクセス動作回数
カウンタ４４）、が形成されている。なお、第１実施例
では、カウンタ４４は、全ての針群３１についての総ア
クセス動作回数を、いつでも容易に知ることができるよ
うにするために設けているが、省略することもできる。
【００３７】半導体回路４に、上記各手段を形成するこ
とで、各針群３１のアクセス動作回数の監視に要する時
間、総アクセス動作回数の監視に要する時間を大幅に短
縮する。従って、第１実施例では、針の摩耗による装置
１００の寿命だけを問題とするので、アクセス動作回数
監視のために、プロセッサ４３は、記録媒体２の摩耗は
考慮することなく、針群３１ごとのアクセス動作回数を
監視すればよい。また、通常、針群３１の数は多くても
数百程度であり、この程度の数のカウンタ４１を半導体
回路４に形成することは容易である。上述したように、
プロセッサ４３は、各カウンタ４１の値を参照してアク
セス動作回数が少ない針群３１を特定することができ
る。
【００３８】物理アドレスが最も小さいフィールド２１
（図２では、最上行のフィールド）には、フィールドア
ドレス変換テーブル用の記憶エリア２１１、アクセス動
作回数記憶エリア２１２、総アクセス動作回数記憶エリ
ア２１３が設けられている。また、各フィールドにはト
ラックアドレス変換テーブル用の記憶エリア２１４が設
けられている。記憶エリア２１１と、記憶エリア２１４
とが、本発明におけるアドレス変換テーブルを構成して
いる。
【００３９】ここでは、記憶エリア２１１がトラック２
２１に、記憶エリア２１２がトラック２２２に、記憶エ
リア２１３がトラック２２３に、記憶エリア２１４がト
ラック２２４にそれぞれ設けられている。なお、第１実
施例では、針群単位のアクセス動作回数を最上行のフィ
ールドに一括して記憶しているが、針群単位のアクセス
動作回数は、該針群３１が対応するフィールドの所定ト
ラックに記憶することもできる。
【００４０】第１実施例では、後述する不良トラックと
良トラックとの置き換えを行う場合には、論理トラック
アドレスと、物理トラックアドレスとが異なることにな
る。即ち、この場合には、間接アドレッシングを行うこ
とになる。全てのトラックアドレスについて間接アドレ
ッシングを行う場合には、トラックの置き換えが各フィ
ールド内で行われるように設計しても、メモリ４２のメ
モリ容量は、フィールド数を１００、１つのフィールド
に含まれるトラック数を１０００とすると、約１メガビ
ットに達する。第１実施例では、不良トラック以外のト
ラックについては、トラックの置き換えを行わず、不良
トラックの物理トラックアドレスについてのみ、間接ア
ドレッシングを行っている。この場合には、上記メモリ
容量を大幅に小さくできる。なお、後述する第２実施例
では、不良トラック以外のトラックについても、被アク
セス動作回数に応じた置き換えが行われる。
【００４１】また、針群単位のアクセス動作回数は、カ
ウント回数を３０ビット（２３０回）とし、針群３１の
数を１００とすると、３Ｋビットである。この程度のビ
ット数のメモリを半導体回路として準備することは容易
なので、第１実施例では、アクセス動作回数記憶エリア
２１２に記憶された針群単位のアクセス動作回数を、カ
ウンタ４１に呼び出すようにしている。
【００４２】まず、第１実施例における初期化について
説明する。最初に各フィールドの全てのトラックについ
て、良／不良のテストを行い、各フィールドについて不
良トラック数を数え、不良トラック数が所定数（例えば
３０）を越えるフィールドは不良とみなし、この不良フ
ィールドが良スペアフィールドに置き換えられるように
フィールドアドレス変換テーブルを作成する。このフィ
ールドアドレス変換テーブルは、最も物理アドレスが小
さい良フィールド（図２では最上行のフィールド）の記
憶エリア２１１に書き込まれる。
【００４３】記憶エリア２１１自体が不良である場合に
は、該フィールド自体を不良フィールドとみなす。フィ
ールドの良／不良は、例えばそのフィールドの先頭の特
定の領域にフラグエリアを設けておき、そこに書き込ん
でおく。 以上でフィールドの置き換えに関する処理が
終了する。
【００４４】良フィールドの中の不良トラックについて
は、該不良トラックが同一フィールド内の良スペアトラ
ックに置き換えられるようにトラックアドレス変換テー
ブルを作成する。また、記憶エリア２１４自体が不良で
ある場合にも、フィールドについての上述した置き換え
処理と同様の処理を行う。
【００４５】また、記憶エリア２１２と、記憶エリア２
１３とに記憶される、針群のアクセス動作回数と総アク
セス動作回数は、初期化後はゼロとする。
【００４６】以下、図３〜図６を参照して、図１及び図
２に示した走査型データ記憶装置の動作を説明する。電
源オン時においては、以下のステップＳ１１〜Ｓ１４
（図３参照）が実行される。 〔ステップＳ１１〕 電源がオンされると、針群３１
は、最も物理アドレスが小さい有効フィールドをサーチ
する。第１実施例では、上述した最上行のフィールド２
１が最初の有効フィールドであるとしており、針群３１
はこのフィールド２１にアクセス動作を行う。 〔ステップＳ１２〕 記憶エリア２１３に記憶されてい
る総アクセス動作回数をカウンタ４４に読み出す。 〔ステップＳ１３〕 記憶エリア２１１に記憶されてい
るフィールドアドレス変換テーブル、及び各記憶エリア
２１４に記憶されているトラックアドレス変換テーブル
をメモリ４２に読み出す。 〔ステップＳ１４〕 記憶エリア２１２に記憶されてい
る針群のアクセス動作回数をカウンタ４１に読み出す。
これにより、電源オン時のシーケンスが終了する。各ス
テップの実行順は図３に示した順序には必ずしも限定さ
れない。なお、針群単位のメモリ４２の容量は、針群３
１の数を１００とすると、１キロビット以下である（な
お、ここではトラックアドレス変換テーブルの大きさは
小さいので考慮していない）。
【００４７】針群３１による、通常のアクセス動作時に
おいては、データ記憶システム１００にはバス４００か
ら論理アドレス（前述したように、論理フィールドアド
レスと論理トラックアドレスを含む）が読み込まれ、以
下のステップＳ２１〜Ｓ２６（図４参照）が実行され
る。
【００４８】〔ステップＳ２１〕 メモリ４２に格納さ
れているアドレス変換テーブルを参照して、論理フィー
ルドアドレスから物理フィールドアドレスを求める。以
下のステップでは、図２におけるフィールド２１ａに対
するアクセス動作に注目する。 〔ステップＳ２２〕 ステップＳ２１で求めた物理フィ
ールドアドレスと、物理トラックアドレス（上述したよ
うに、不良トラックが良スペアトラックに置き換えられ
た場合を除き、論理トラックアドレスと同一である）と
に基づき、当該物理アドレスに対して所定のデータの読
出し／書込みを行う。 〔ステップＳ２３〕 アクセス動作に係る針群３１に対
応するカウンタ４１のカウントを１増加する。これとと
もに、カウンタ４４のカウントを１増加する。 〔ステップＳ２４〕 プロセッサ４３は、当該カウント
が所定値（第１の閾値）に達したか否かを判断する。当
該カウントが上記所定値に達しないときは、処理を終え
る。 〔ステップＳ２５〕 上記カウントが上記所定値に達し
たときには、プロセッサ４３は、適宜の方法により、当
該針群３１が対応するフィールド（図２では、フィール
ド２１ａとする）のデータと、上記アクセス動作回数が
少ない針群３１が対応するフィールド（図２では、フィ
ールド２１ｂとする）のデータとを相互に交換する。 〔ステップＳ２６〕 メモリ４２内のアドレス変換テー
ブルのフィールドアドレスを更新する。
【００４９】上記ステップＳ２１〜Ｓ２６に示したよう
に、ある針群３１について第１の閾値より多い回数のア
クセス動作があると、該針群３１に対応するフィールド
２１は、アクセス動作回数が第２の閾値以下の針群３１
に対応するフィールド２１に置き換えられる。例えば、
ある針群３１についてのカウンタ４１のカウント値が、
予め定められたアクセス動作の制限回数の所定割合（例
えば８０％）として定められる回数（第１の閾値）に達
したとき、プロセッサ４３は、このフィールドを、アク
セス動作回数が上記制限回数の所定割合（例えば２０
％）以下の針群が対応する他のフィールドに置き換え
る。また、上記第１の閾値を複数設定する（例えば、閾
値を３つとし、上記制限回数の７０％の閾値をＨＡ、８
０％の閾値をＨＢ、９０％の閾値をＨＣとする）ことが
でき、上記第２の閾値を複数設定しておく（例えば、上
記制限回数の４０％の閾値をＬＡ、５５％の閾値をＬ
Ｂ、７０％の閾値をＬＣとする）こともできる。例え
ば、ある針群３１のアクセス動作回数が、第１の閾値Ｈ
Ａ，ＨＢ，ＨＣに達するたびに、該針群が対応するフー
ルドと、第２の閾値ＬＡよりアクセス動作回数が少ない
他の針群が対応するフィールドとの置き換えが行われ
る。ここで、フィールドの置き換えが繰り返し行われる
ことにより、アクセス動作回数が第２の閾値ＬＡ以下の
針群がなくなった場合、又はアクセス動作回数が第２の
閾値ＬＡ以下の針群が少なくなった場合は、第２の閾値
ＬＢよりアクセス動作回数が少ない他の針群が対応する
フィールドとの置き換えが行われる。
【００５０】アクセス動作回数が第２の閾値ＬＢ以下の
針群がなくなった場合や、アクセス動作回数が第２の閾
値ＬＢ以下の針群が少なくなった場合にも、第２の閾値
ＬＣよりアクセス動作回数が少ない他の針群が対応する
フィールドとの置き換えが行われる。第２の閾値以下の
針群の特定は、プロセッサ４３が各カウンタ４１を検索
することにより行うことができる。さらに、第１の閾値
及び／又は第２の閾値を、総アクセス動作回数が増加す
るに従って、適宜変更（値を増大する）することができ
る。例えば、総アクセス動作回数が所定数に達したとき
に、第１の閾値及び第２の閾値を増大させることもでき
る。上記の場合には、第２の閾値により「アクセス動作
回数が少ない針群」を決定したが、第２の閾値を定めな
いようにもできる。例えば、最もアクセス動作回数が少
ない針群を、カウンタ４１を検索することにより特定
し、この針群を「アクセス動作回数が少ない針群」とす
ることもできる。
【００５１】図５（Ａ）及び（Ｂ）は、システムの稼働
時間と、各針群３１ａ，３１ｂ，３１ｃのアクセス動作
回数との関係を、既存の走査型データ記憶システム及び
第１システムについて示すグラフである。ここで、第１
実施例をより分かり易く説明するため、便宜上、針群は
３１ａ，３１ｂ，３１ｃが３つのみであるものとする。
また、各針群により読出し／書込みされるデータをそれ
ぞれＡ，Ｂ，Ｃとし、これらデータは、Ａ，Ｂ，Ｃの順
で読出し／書込みの頻度が高いものとする。更に、第１
の閾値は１つのみとし、アクセス動作回数の多い針群が
対応するフィールドのデータは、最もアクセス動作回数
が少ない針群が対応するフィールドのデータと交換され
るものとする。既存の走査型データ記憶システムでは、
図５（Ａ）に示すように、データＡについての読出し／
書込みは、常に針群３１ａが行っているので、システム
の寿命（針群３１ａについてのアクセス動作が制限回数
に達するまでの時間）が短い。これに対し、第１システ
ムでは、図５（Ｂ）に示すように、データＡについての
読出し／書込みは、当初は針群３１ａにより行われてい
るが、針群３１ａが第１の閾値に達すると、この針群３
１ａが対応するフィールドのデータＡと針群３１ｃが対
応するフィールドのデータＢとの交換が行われる。これ
により、針群３１ａが第１の閾値に達した後には、デー
タＡについての読出し／書込みは、針群３１ｃにより行
われる。同様にして、針群３１ｃが第１の閾値に達した
後には、データＡについての読出し／書込みは、針群３
１ｂにより行われる。この結果、システムの寿命を、既
存システムに比べて格段に延ばすことができる。
【００５２】第１実施例では、針群３１のアクセス動作
回数が制限回数に達した場合には、当該針群３１は無効
針群とされる。プロセッサ４３は、該無効針群に対応す
るフィールドのデータをスペアのフィールド２１ｃ（図
２では、便宜上１つのスペアフィールドしか図示してい
ないが、通常は複数設けられる）に交換するとともに、
メモリ４２のフィールドアドレスを更新する。なお、該
無効針群に対応するフィールドは、データの保存のため
には通常使用しない。
【００５３】カウンタ４４には、総アクセス動作回数
（全ての針群３１のアクセス動作回数の合計値）が記憶
される。プロセッサ４３は、適時に上記総アクセス動作
回数を他の装置に知らせることができる。第１システム
及び第１方法では、ある針群３１のみのアクセス動作回
数が極端に多くなると言った不都合は生じない。換言す
るなら、全ての針群３１のアクセス動作回数は平均化さ
れる。従って、上記総アクセス動作回数が、データ記憶
システム１００の寿命の残存度合いとなる。コンピュー
タシステムは、カウンタ４４に記憶された総アクセス動
作回数を取得し、データ記憶システム１００等の寿命の
残存度合いをディスプレイ等を介してユーザに知らせる
ことができる。特に、データ記憶システム１００の寿命
が間もなく終了するときは、その旨をディスプレイに警
告表示することもできるし、スピーカからビープ音等の
警告音を発生させて、ユーザに伝えることもできる。な
お、上記寿命の残存度合いとともに、又は該残存度合い
に代えて、全針群数に対する有効針群数（全針群数から
無効針群数を差し引いた数）を表示することもできる。
【００５４】電源オフ時においては、以下のステップＳ
３１〜Ｓ３３（図６参照）が実行される。 〔ステップＳ３１〕 カウンタ４４の値（総アクセス動
作回数）を記憶エリア２１３に書き込む。 〔ステップＳ３２〕 メモリ４２の内容を記憶エリア２
１１、及び記憶エリア２１４に書き込む。 〔ステップＳ３３〕 各カウンタ４１の内容（各針群３
１のアクセス動作回数）を記憶エリア２１２に書き込
む。これにより、電源オフ時のシーケンスが終了する。
なお、各ステップの実行順は図６に示した順序には必ず
しも限定されない。
【００５５】図７〜図１０を参照して第２システム及び
第２方法の実施例（以下、「第２実施例」と言う）を説
明する。第２システム及び第２方法では、針の摩耗は考
慮せず、記憶媒体の摩耗のみを考慮して、データ記憶シ
ステムの寿命を延ばす。
【００５６】図示はしないが、２つの基板２００，３０
０が対向配置されてデータ記憶システム１００が構成さ
れること、アレイ状に形成された針の同一行を構成する
各針群３１が同時に記憶媒体２にアクセス動作すること
は第１実施例と同様である。また、トラック及びフィー
ルドの定義も第１実施例と同一である。
【００５７】図７は、針群３１及び半導体回路６と、各
フィールド７１及び各トラックとの関係を模式的に示す
図である。図７に示すように、半導体回路６には、
（１）各トラックごとのアクセス動作回数をカウントす
るカウンタ６１、（２）アドレス変換テーブル用のメモ
リ６２、（３）（ｉ）他のトラックと比較して被アクセ
ス動作回数が多いトラック、及び他のトラックと比較し
て被アクセス動作回数が少ないトラックの特定、（ｉ
ｉ）被アクセス動作回数が多いトラックのデータと、被
アクセス動作回数が少ないトラックのデータとの交換、
（ｉｉｉ）データ交換前のトラックの物理アドレスが対
応する論理アドレスに、当該交換後のトラックへの物理
アドレスを対応させるための前記アドレス変換テーブル
の書き換え、等を行うプロセッサ６３、（４）総被アク
セス動作回数（各トラックについての被クセス動作回数
の合計値）を記憶する総被アクセス動作回数保持手段
（総被アクセス動作回数カウンタ６４）、が形成されて
いる。なお、第２実施例においても、第１実施例の場合
と同様にカウンタ６４を設けているが、これを省略する
こともできる。
【００５８】第２実施例では、記憶媒体の摩耗による装
置１００の寿命だけを問題とするので、プロセッサ６３
はトラックごとの被アクセス動作回数を監視すればよ
い。第２実施例では、各フィールド内の各トラックにつ
いての被アクセス動作回数は、電源オフ時には当該フィ
ールド内の所定トラック８２２に設けられた被アクセス
動作回数記憶エリア８１２記録し、電源オン時には該動
作回数を半導体回路６に設けたカウンタ６１に読み出し
ている。
【００５９】物理アドレスが最も小さいフィールド７１
（図７では、最上行のフィールド）には、フィールドア
ドレス変換テーブル用の記憶エリア８１１、及び被アク
セス動作回数の総被アクセス動作回数記憶エリア８１３
が設けられている。ここでは、記憶エリア８１１がトラ
ック８２１に、記憶エリア８１３がトラック８２３に設
けられている。また、各フィールドの所定トラック８２
４にはトラックアドレス変換テーブル用の記憶エリア８
１４が設けられている。第１実施例と同様、記憶エリア
８１１と、記憶エリア８１４とが、本発明におけるアド
レス変換テーブルを構成している。
【００６０】第２実施例においては、フィールドアドレ
ス変換テーブル及びトラックアドレス変換テーブルをメ
モリ６２に記憶し、アクセスの際に該メモリ内のアドレ
ス変換テーブルを参照している。
【００６１】第２実施例では、各トラックの被アクセス
動作回数と総被アクセス動作回数が、初期化後はゼロと
される他は、第１実施例と概ね同様であるので、初期化
についての説明は省略する。
【００６２】以下、図７に示した走査型データ記憶装置
の動作を説明する。第２実施例では、電源オン時におい
ては、第１実施例におけるステップＳ１１〜Ｓ１４と同
様のステップが実行される。この場合、第２実施例にお
けるフィールド７１が第１実施例におけるフィールド２
１に、同様に記憶エリア８１１が記憶エリア２１１に、
記憶エリア８１２が記憶エリア２１２に、記憶エリア８
１３が記憶エリア２１３に、記憶エリア８１４が記憶エ
リア２１４に、カウンタ６１がカウンタ４１に、メモリ
６２がメモリ４２に、カウンタ６４がカウンタ４４に、
それぞれ対応する。参考のために、第１実施例における
図３に対応するフローチャートを図８（ステップＳ４１
〜Ｓ４３）に示しておく。
【００６３】通常の被アクセス動作時においては、デー
タ記憶システム１００はバス４００から論理アドレス
（前述したように、論理フィールドアドレスと論理トラ
ックアドレスとを含む）を読み込み、以下のステップＳ
５１〜Ｓ５６（図９参照）が実行される。 〔ステップＳ５１〕 メモリ６２に格納されているアド
レス変換テーブルを参照して、論理フィールドアドレス
及び論理トラックアドレスから物理フィールドアドレス
及び物理トラックアドレスを求める。ここでは、図７に
おけるフィールド７１ａのトラック８２ａに対する被ア
クセス動作に注目する。 〔ステップＳ５２〕 上記物理フィールドアドレス及び
物理トラックアドレスとに基づき、所定のデータの読出
し／書込みを行う。 〔ステップＳ５３〕 アクセスされたトラック８２ａに
対応するカウンタ６１の値を１増加させる。これととも
に、カウンタ６４の値を１増加させる。 〔ステップＳ５４〕 プロセッサ６３は、当該カウント
が所定値（第２の閾値）に達したか否かを判断する。当
該カウントが上記所定値に達しないときは、処理を終え
る。 〔ステップＳ５５〕上記カウントが上記所定値に達した
ときには、プロセッサ６３は、適宜の方法により、当該
トラック８２ａのデータと、被アクセス動作回数が少な
いトラック８２ｂのデータとを相互に交換する。 〔ステップＳ５６〕 メモリ６２内のアドレス変換テー
ブルのトラックアドレスを更新する。
【００６４】上記ステップＳ５１〜Ｓ５６に示したよう
に、あるトラックについて被アクセス動作回数が第１の
閾値に達すると、該トラックは、被アクセス動作回数が
第２の閾値以下のトラックに置き換えられる。第１の閾
値、第２の閾値の定め方は、第１実施例におけるアクセ
ス動作回数についての第１の閾値、第２の閾値と同様に
定めることができるので、説明は省略する。なお、第２
の閾値を定めずに、例えば最も被アクセス動作回数が少
ないトラックを、カウンタ６１を検索することにより特
定し、このトラックを「被アクセス動作回数が少ないト
ラック」とすることもできる。
【００６５】このような、データの置き換えを制御する
アルゴリズムは、記憶媒体の耐磨耗性や使用可能な半導
体メモリの容量に応じて種々のものが考えられる。アド
レス変換テーブルメモリの容量も、トラックの入れ換え
の単位を数トラックごとにする、又は置換相手のトラッ
クを物理的に近いトラックにする等の方法により、大幅
に削減することができる。
【００６６】第２実施例では、例えばフィールド７１ａ
の、あるトラックの被アクセス動作が制限回数に達した
場合には、当該トラックを無効トラックとし、そのトラ
ックのデータをスペアのトラック８２ｃ（図７では、便
宜上１つのスペアフィールドしか図示していないが、通
常は複数設けられる）に交換するとともに、メモリ６２
のトラックアドレスを更新する。なお、無効トラック
は、データの保存のためには通常使用しない。また、更
にスペアのトラックが無くなったフィールドについて、
被アクセス動作が制限回数に達したトラックが発生した
場合には、当該フィールドを無効フィールドとし、該フ
ィールドのデータをスペアフィールド７１ｃに交換する
とともに、メモリ６２のフィールドアドレスを更新す
る。
【００６７】カウンタ６４には、総被アクセス動作回数
（全てのトラックの被アクセス動作回数の合計値）が記
憶される。コンピュータシステム等の他の装置は、カウ
ンタ６４のカウント値を適時取得することができる。第
２実施例では、ある所定記憶エリア（ここではトラッ
ク）の被アクセス動作回数が極端に多くなると言った不
都合は生じない。換言するなら、全ての所定記憶エリア
（トラック）の被アクセス動作回数は平均化される。し
たがって、上記総被アクセス動作回数が、データ記憶シ
ステム１００の寿命の残存度合いの目安となる。第１実
施例と同様、コンピュータシステムは、カウンタ６４の
値（上記総被アクセス動作回数）を取得し、データ記憶
システム１００の寿命の残存度合いをディスプレイ等を
介してユーザに知らせることができる。
【００６８】第２実施例では、電源オフ時においては、
第１実施例と同様のステップが実行される。参考のため
に、第１実施例における図６に対応するフローチャート
を図１０（ステップＳ６１〜Ｓ６３）に示しておく。
【００６９】なお、上記第２実施例では、トラックアド
レス変換テーブルをメモリ６２に読み出し、アドレス変
換の際には該メモリ６２を参照し、また各トラックの被
アクセス動作回数をカウンタ６１にそれぞれ読み出し、
トラックへのアクセスがあるたびに該カウンタ６１の値
を１増加させるようにしている。第２システム及び第２
方法は、これに限定されるものではなく、トラックアド
レス変換テーブルをメモリ６３に読み出すことなく、ト
ラックアドレス変換テーブルが書き込まれている記憶エ
リア８１１に直接アクセスすることにより、トラックア
ドレス変換テーブルを参照するようにもでき、またカウ
ンタ６１を設けずに、トラックへのアクセスがあるたび
に、記憶エリア８１２に値を１増加させることもでき
る。この場合には、記憶エリア８１１及び／又は記憶エ
リア８１２を、それぞれのトラックの先頭にそれぞれ分
散して設けることが好ましい。トラックアドレス変換テ
ーブルを記憶エリア８１１のみに設けることで、あるい
はカウンタ６１を設けないことで、第２実施例と比べて
半導体回路の規模を小さくすることができる。なお、被
アクセス動作回数が前記第２の閾値より少ないトラック
を特定する場合において、カウンタ６１が設けられてい
ないときは、プロセッサ６３は記憶エリア８１２を検索
することで、該トラックの特定を行うことができる。
【００７０】さらに、上記第２実施例では、トラックの
置き換えは該トラックが属するフィールド内において行
っているが、第２システム及び第２方法はこれに限定さ
れるものではなく、異なるフィールド間でトラックの置
き換えを行うこともできる。
【００７１】図１１〜図１３を参照して本発明の残存寿
命表示装置の実施例を説明する。残存寿命表示装置は、
データ記憶システムの寿命の残存度合いをユーザに知ら
せるために用いられる。図１１は、残存寿命表示装置を
具備するデータ記憶システム１００及びこのデータ記憶
システムがセットされる装置５００の外観の一例を示し
ている。本実施例では、上述した第１実施例又は第２実
施例で説明したデータ記憶システム１００をＰＣＭＣＩ
Ａカード１００′に応用している。ＰＣＭＣＩＡカード
１００′の表面には、警告表示手段（ここでは、寿命表
示部９）が形成されている。寿命表示部９には、図１２
に示すように薄膜ヒータ９１と感熱フィルム９２とが内
蔵されている。例えば、図２に示したプロセッサ４３
は、カウンタ４４のカウント値（総アクセス動作回数）
が設定された閾値（１つの閾値であることもあるし、複
数の閾値であることもある）に達するたびに、装置５０
０から印刷配線９３を介して薄膜ヒータ９１を加熱し感
熱フィルム９２を発色させ、データ記憶システムの寿命
表示部９に寿命の残存度合いを透明窓９４を介して表示
することができる。また、図７に示したプロセッサ６３
も、カウンタ６４のカウント値が設定された閾値に達す
るたびに、上記と同様にしてデータ記憶システムの寿命
表示部９に残り寿命を表示することができる。なお、寿
命表示部を上述のように構成せず、装置５００から、直
接、ＰＣＭＣＩＡカード１００′の表面に寿命の残存度
合いを表示するようにもできる。
【００７２】例えば図１３に示すように、総アクセス動
作回数の制限回数を１００％として、総アクセス動作回
数が制限回数の所定割合（例えば、１０，２０，・・・
１００％）に達するたび、感熱フィルム９２が発色する
ようにして、寿命の残存度合いを表示することができ
る。
【００７３】以上、本発明の実施例を詳細に説明した
が、第１方法及び第２方法には、以下に述べるように種
々の実施態様が包含される。即ち、請求項１に記載の第
１方法は、〔１〕〜〔３〕のような好適な実施態様を有
する。
【００７４】〔１〕請求項１に記載の走査型データ記憶
システムの針摩耗管理方法において、更に、全ての前記
針群についての総アクセス動作回数を所定の記憶手段に
記憶するステップ；を含むことを特徴とする。
【００７５】〔２〕請求項１又は〔１〕に記載の走査型
データ記憶システムの針摩耗管理方法において、更に、
前記針群のアクセス動作が、制限回数に達したときは、
当該針群が受け持つ前記記憶エリアのデータを、スペア
の記憶エリアに交換するステップ；を含むことを特徴と
する。
【００７６】〔３〕請求項１，〔１〕又は〔２〕に記載
の走査型データ記憶システムの針摩耗管理方法におい
て、前記記憶媒体の所定記憶エリアに、初期化時から現
在に至るまでの各針群ごとのアクセス動作回数を記憶
し、又は該アクセス動作回数及び総アクセス動作回数を
記憶するステップと；前記記憶媒体の他の所定記憶エリ
アに、前記論理アドレスと記憶媒体の物理アドレスとを
対応させるためのアドレス変換テーブルを記憶するステ
ップと；を含むことを特徴とする走査型データ記憶シス
テムの針摩耗管理方法。
【００７７】また、請求項５に記載の第２方法は、
〔４〕〜〔６〕のような好適な実施態様を有する。
【００７８】〔４〕請求項５に記載の走査型データ記憶
システムの媒体摩耗管理方法において、更に、全ての記
憶エリアについての総被アクセス動作回数を記憶するス
テップ；を含むことを特徴とする走査型データ記憶シス
テムの媒体摩耗管理方法。
【００７９】〔５〕請求項５又は〔４〕に記載の走査型
データ記憶システムの媒体摩耗管理方法において、更
に、前記所定の記憶エリアの被アクセス動作が、制限回
数に達したときは、当該記憶エリアのデータを、スペア
の記憶エリアに交換するステップ；を含むことを特徴と
する走査型データ記憶システムの媒体摩耗管理方法。
【００８０】〔６〕請求項５，〔４〕又は〔５〕に記載
の走査型データ記憶システムの媒体摩耗管理方法におい
て、前記記憶媒体の所定記憶エリアに、初期化時から現
在に至るまでの前記各記憶エリアごとの被アクセス動作
回数を記憶し、又は該被アクセス動作回数及び総被アク
セス動作回数を記憶するステップと；前記記憶媒体の他
の所定記憶エリアに、前記論理アドレスと記憶媒体の物
理アドレスとを対応させるためのアドレス変換テーブル
を記憶するステップと；を含むことを特徴とする走査型
データ記憶システムの媒体摩耗管理方法。
【００８１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、針
のアクセス動作回数の制限や記憶エリアの被アクセス動
作回数の制限による装置寿命を、効果的に延ばすことが
できる。また、特にユーザに、装置寿命の残存度合を知
らせることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のデータ記憶システムを示す図であり、
（Ａ）は一部切り欠き概略図、（Ｂ）は針群が形成され
た基板を示す図である。
【図２】第１システム及び第１方法における針群及び半
導体回路と、各フィールドとの関係を模式的に示す図で
ある。
【図３】第１システム及び第１方法における電源オン時
の処理を示すフローチャートである。
【図４】第１システム及び第１方法における稼働中の処
理を示すフローチャートである。
【図５】（Ａ）は、第１システムの稼働時間と、各針群
のアクセス動作回数との関係を、既存の走査型データ記
憶システムについて示すグラフ、（Ｂ）は同じく第１シ
ステムについて示すグラフである。
【図６】第１システム及び第１方法における電源オフ時
の処理を示すフローチャートである。
【図７】第２システム及び第２方法における針群及び半
導体回路と、各フィールド及びトラックとの関係を模式
的に示す図である。
【図８】第２システム及び第２方法における電源オン時
の処理を示すフローチャートである。
【図９】第２システム及び第２方法における稼働中の処
理を示すフローチャートである。
【図１０】第２システム及び第２方法における電源オフ
時の処理を示すフローチャートである。
【図１１】残存寿命表示装置のデータ記憶システムを示
す図である。
【図１２】残存寿命表示装置における装置寿命表示の具
体的機構を示す図である。
【図１３】残存寿命表示装置における装置寿命表示の具
体的な実施例を示す図である。
【符号の説明】
２ 記憶媒体 ２１，２１ａ〜２１ｃ，７１，７１ａ，７１ｃ フィー
ルド ２２１〜２２４，８２１〜８２４，８２ａ〜８２ｃ ト
ラック ３，３１ 針群 ４，６ 半導体回路 ４１，４４，６４ カウンタ ４２，６２ メモリ ４３，６３ プロセッサ ２１１〜２１４，８１１〜８１４ 記憶エリア ９ 寿命表示部 ９１ 薄膜ヒータ ９２ 感熱フィルム ９３ 印刷配線 ９４ 透明窓 １００ データ記憶システム １００′ ＰＣＭＣＩＡカード ２００，３００ 基板 ４００ バス ５００ データ記憶システムがセットされる装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｃ 23/00 Ｇ０６Ｋ 19/00 Ｚ (72)発明者 井原 清幸 神奈川県川崎市高津区坂戸３丁目２番２号 ヒューレット・パッカードラボラトリー ズジャパンインク内

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 記憶媒体と複数の針とを備え、前記記憶
    媒体表面に形成される記憶エリアに対するデータの読出
    し／書込みのアクセス動作を、所定の針群ごとに行う走
    査型データ記憶システムであって、 前記各針群ごとのアクセス動作回数をカウントするカウ
    ンタと；アクセス動作回数が多い針群が受け持つ前記記
    憶エリアのデータと、アクセス動作回数が少ない針群が
    受け持つ前記記憶エリアのデータとを相互に交換するデ
    ータ交換手段と；前記記憶エリアの物理アドレスと論理
    アドレスとを対応させるためのアドレス変換テーブルを
    記憶する手段であって、前記データの交換に際して、当
    該交換前の記憶エリアの物理アドレスが対応する論理ア
    ドレスに、当該交換後の記憶エリアの物理アドレスを対
    応させて記憶する手段と；を含むことを特徴とする走査
    型データ記憶システム。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の走査型データ記憶シス
    テムにおいて、更に、 全ての前記針群についての総アクセス動作回数を記憶す
    る総アクセス動作回数保持手段；を含むことを特徴とす
    る走査型データ記憶システム。
  3. 【請求項３】 請求項１又は２に記載の走査型データ記
    憶システムにおいて、 前記記憶媒体に、 初期化時から現在に至るまでの前記各記憶エリアごとの
    被アクセス動作回数を記憶するエリア、又は、 初期化時から現在に至るまでの前記各記憶エリアごとの
    被アクセス動作回数を記憶するエリア及び全ての前記記
    憶エリアについての総被アクセス動作回数を記憶するエ
    リアと；前記アドレス変換テーブルを記憶するエリア
    と；が設けられたことを特徴とする走査型データ記憶シ
    ステム。
  4. 【請求項４】 記憶媒体と複数の針とを備え、前記記憶
    媒体表面に形成される記憶エリアに対するデータの読出
    し／書込みのアクセス動作を、各針群ごとに行う走査型
    データ記憶システムであって、 前記各針群によりアクセス動作される所定記憶エリアご
    との被アクセス動作回数をカウントするカウンタと；被
    アクセス動作回数が多い前記記憶エリアのデータと、被
    アクセス動作回数が少ない前記記憶エリアのデータとを
    相互に交換するデータ交換手段と；前記記憶エリアの物
    理アドレスと論理アドレスとを対応させるためのアドレ
    ス変換テーブルを記憶する手段であって、前記データの
    交換に際して、当該交換前の記憶エリアの物理アドレス
    が対応する論理アドレスに、当該交換後の記憶エリアの
    物理アドレスを対応させて記憶する手段と；を含むこと
    を特徴とする走査型データ記憶システム。
  5. 【請求項５】 請求項４に記載の走査型データ記憶シス
    テムにおいて、更に、 全ての前記記憶エリアについての総被アクセス動作回数
    を記憶する総被アクセス動作回数保持手段；を含むこと
    を特徴とする走査型データ記憶システム。
  6. 【請求項６】 請求項４又は５に記載の走査型データ記
    憶システムにおいて、 前記記憶媒体に、 初期化時から現在に至るまでの前記各記憶エリアごとの
    被アクセス動作回数を記憶するエリア、又は、 初期化時から現在に至るまでの前記各記憶エリアごとの
    被アクセス動作回数を記憶するエリア及び全ての前記記
    憶エリアについての総被アクセス動作回数を記憶するエ
    リアと；前記アドレス変換テーブルを記憶するエリア
    と；が設けられたことを特徴とする走査型データ記憶シ
    ステム。
  7. 【請求項７】 記憶媒体と複数の針とを備え、前記記憶
    媒体表面に形成される記憶エリアに対するデータの読出
    し／書込みのアクセス動作を、各針群ごとに行う走査型
    データ記憶システムの針摩耗管理方法であって、 前記各針群ごとのアクセス動作回数をカウントするステ
    ップと；他の針群と比較してアクセス動作回数が多い針
    群、及び他の針群と比較してアクセス動作回数が少ない
    針群を特定するステップと；前記アクセス動作回数が多
    い針群が受け持つ前記記憶エリアのデータと、アクセス
    動作回数が少ない針群が受け持つ前記記憶エリアのデー
    タとを相互に交換するステップと；当該交換前の記憶エ
    リアの物理アドレスが対応する論理アドレスに、当該交
    換後の記憶エリアの物理アドレスを対応させるステップ
    と；を含むことを特徴とする走査型データ記憶システム
    の針摩耗管理方法。
  8. 【請求項８】 記憶媒体と複数の針とを備え、前記記憶
    媒体表面に形成される記憶エリアに対するデータの読出
    し／書込みのアクセス動作を、所定の針群ごとに行う走
    査型データ記憶システムの媒体摩耗管理方法であって、 前記各針群によりアクセス動作される所定記憶エリアご
    との被アクセス動作回数をカウントするステップと；他
    の記憶エリアと比較して、被アクセス動作回数が多い記
    憶エリア、及び他の記憶エリアと比較して被アクセス動
    作回数が少ない記憶エリアを特定するステップと；前記
    被アクセス動作回数が多い前記記憶エリアのデータと、
    前記被アクセス動作回数が少ない前記記憶エリアのデー
    タとを相互に交換するステップと；当該交換前の記憶エ
    リアの物理アドレスが対応する論理アドレスに、当該交
    換後の記憶エリアの物理アドレスを対応させるステップ
    と；を含むことを特徴とする走査型データ記憶システム
    の媒体摩耗管理方法。
  9. 【請求項９】 記憶媒体と複数の針とを備え、前記記憶
    媒体表面に形成される記憶エリアに対するデータの読出
    し／書込みのアクセス動作を、所定の針群ごとに行う走
    査型データ記憶システムの残存寿命表示装置であって、 前記各針群全てについての総アクセス動作回数、又は／
    及び、前記記憶エリア全てについての総被アクセス動作
    回数が、所定回数に達したときには、ユーザに警告を発
    する警告表示手段；を含むことを特徴とする走査型デー
    タ記憶システムの残存寿命表示装置。
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