JPH09237231A - Backup device - Google Patents
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- JPH09237231A JPH09237231A JP8042537A JP4253796A JPH09237231A JP H09237231 A JPH09237231 A JP H09237231A JP 8042537 A JP8042537 A JP 8042537A JP 4253796 A JP4253796 A JP 4253796A JP H09237231 A JPH09237231 A JP H09237231A
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- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims abstract description 25
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 10
- 230000001934 delay Effects 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 9
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
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- Dram (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 バックアップ装置において、システム全体の
小型化や製造コストおよび消費電力の低減を実現する。
【解決手段】 集積回路1に内蔵されて、クロック信号
生成部46からのクロック信号に基づいて、DRAM4
2をバックアップするためのバックアップ時リフレッシ
ュ用制御信号を作出するバックアップ時リフレッシュ用
制御信号作出部45と、集積回路1に内蔵されて、非バ
ックアップ時には、DRAMコントローラ回路2からの
非バックアップ時リフレッシュ用制御信号をDRAM4
2に供給し、バックアップ時には、バックアップ時リフ
レッシュ用制御信号作出部45からのバックアップ時リ
フレッシュ用制御信号をDRAM42に供給するセレク
タ回路8と、クロック信号生成部46とバックアップ時
リフレッシュ用制御信号作出部45とセレクタ回路8と
にバックアップ電源Vcc1,Vcc2を供給するバッ
クアップ電源手段とを設けた。
(57) Abstract: In a backup device, downsizing of the entire system and reduction of manufacturing cost and power consumption are realized. A DRAM (4) built in an integrated circuit (1) and based on a clock signal from a clock signal generation unit (46).
2. A backup refresh control signal generator 45 for generating a backup refresh control signal for backing up 2 and a non-backup refresh control from the DRAM controller circuit 2 which is built in the integrated circuit 1 and is not backed up. Signal to DRAM4
2 and supplies the backup refresh control signal from the backup refresh control signal generator 45 to the DRAM 42 during backup, the clock signal generator 46, and the backup refresh control signal generator 45. And a backup power supply means for supplying backup power supplies Vcc1 and Vcc2 to the selector circuit 8.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、停電時などに、ダ
イナミック・ランダム・アクセス・メモリ(以下「DR
AM」と記す)などのリフレッシュが必要な記憶素子を
バックアップするバックアップ装置に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dynamic random access memory (hereinafter referred to as "DR
AM)) and the like for a backup device that backs up a storage element that requires refreshing.
【0002】[0002]
【従来の技術】たとえばファクシミリ装置などの通信装
置や情報処理装置などの各種電子機器には、データを記
憶させておくために記憶素子が用いられる場合が多い。2. Description of the Related Art A storage element is often used for storing data in various electronic devices such as a communication device such as a facsimile device and an information processing device.
【0003】このような記憶素子には、種々のものが存
在するが、書込および読出自在で、しかもアクセス速度
が高速な記憶素子として、ランダム・アクセス・メモリ
(以下「RAM」と記す)が多用されている。特に、大
量のデータを処理する場合、RAMのなかでも比較的安
価なDRAMが頻繁に用いられる。There are various types of such storage elements, but a random access memory (hereinafter referred to as "RAM") is a storage element that is writable and readable and has a high access speed. It is used a lot. In particular, when processing a large amount of data, a relatively inexpensive DRAM is often used among the RAMs.
【0004】ところが、RAMは電源が遮断されると記
憶内容が消失してしまうので、停電対策などのためにバ
ックアップが必要である。特にDRAMは、周知の通り
リフレッシュが必要であるので、バックアップ時にもリ
フレッシュ用の制御信号を供給しなければならない。However, the contents of the RAM are lost when the power is cut off, so that the RAM must be backed up as a measure against power failure. In particular, the DRAM needs to be refreshed, as is well known, and therefore a control signal for refreshing must be supplied also at the time of backup.
【0005】このため従来は、バックアップ装置とし
て、タイマーICや遅延回路や論理回路やセレクタなど
をバックアップ用に特別に設け、バックアップ時にこれ
らをバックアップ用の電源で駆動することにより、リフ
レッシュ用の制御信号を生成してDRAMに供給してい
た。Therefore, conventionally, as a backup device, a timer IC, a delay circuit, a logic circuit, a selector, and the like are specially provided for backup, and these are driven by a backup power supply at the time of backup, thereby providing a refresh control signal. Was generated and supplied to the DRAM.
【0006】すなわち、電源遮断時に、タイマーICに
より生成されるクロック信号を遅延回路により遅延させ
て遅延クロック信号を作出し、この遅延クロック信号と
クロック信号との論理積を演算するなどしてリフレッシ
ュ用の制御信号としてのCAS信号およびRAS信号を
生成し、これらをDRAMに供給することによりDRA
Mをリフレッシュしていた。要するに、クロック信号生
成部を備えている集積回路を用いた場合でも、そのクロ
ック信号生成部を利用することなく、消費電力の大きな
タイマーICなどを別途設けていたのである。That is, when the power is cut off, a clock signal generated by the timer IC is delayed by a delay circuit to generate a delayed clock signal, and a logical product of the delayed clock signal and the clock signal is calculated to perform refreshing. By generating a CAS signal and a RAS signal as control signals for the
M was refreshing. In short, even when an integrated circuit having a clock signal generation unit is used, a timer IC with large power consumption is separately provided without using the clock signal generation unit.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
バックアップ装置では、たとえばCPUを含む集積回路
などのように、クロック信号を生成するクロック信号生
成部を含む集積回路によりDRAMを制御する場合であ
っても、バックアップ用にタイマーICなどを別途設け
ていたので、基板面積が大きくなってシステム全体の小
型化を阻害する要因となり、しかも製造コストが高価に
なるという課題があった。またこの場合、バックアップ
用タイマーICなどが電力を多く消費することにより、
バックアップ時の消費電力が大きくなるという課題もあ
った。However, in the conventional backup device, when the DRAM is controlled by an integrated circuit including a clock signal generation unit for generating a clock signal, such as an integrated circuit including a CPU, for example. However, since a timer IC and the like are separately provided for backup, there is a problem that the substrate area becomes large, which hinders downsizing of the entire system, and the manufacturing cost becomes high. In this case, the backup timer IC consumes a lot of power,
There was also a problem that power consumption during backup increased.
【0008】本発明は、上記の点に鑑みて提案されたも
のであって、システム全体の小型化や、製造コストおよ
び消費電力の低減を図ることのできるバックアップ装置
を提供することを、目的としている。The present invention has been proposed in view of the above points, and it is an object of the present invention to provide a backup device capable of downsizing the entire system and reducing manufacturing cost and power consumption. There is.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1に記載した発明のバックアップ装置は、集
積回路と、リフレッシュが必要な記憶素子とを含み、集
積回路に、少なくとも、非バックアップ時に記憶素子を
リフレッシュするための非バックアップ時リフレッシュ
用制御信号を生成するリフレッシュ用制御信号生成部
と、所定周期のクロック信号を生成するクロック信号生
成部とを内蔵したシステムにおいて、電源遮断時に記憶
素子をバックアップするバックアップ装置であって、ク
ロック信号生成部からのクロック信号に基づいて、記憶
素子をバックアップするためのバックアップ時リフレッ
シュ用制御信号を作出するバックアップ時リフレッシュ
用制御信号作出手段と、クロック信号生成部とバックア
ップ時リフレッシュ用制御信号作出部とにバックアップ
電源を供給するバックアップ電源手段とを設けたもので
ある。In order to achieve the above object, a backup device according to the invention described in claim 1 includes an integrated circuit and a storage element that needs refreshing, and at least the non-backup device in the integrated circuit. In a system that includes a refresh control signal generation unit that generates a non-backup refresh control signal for refreshing the storage element at times and a clock signal generation unit that generates a clock signal of a predetermined cycle, the storage element when the power is cut off And a backup-refresh-time control signal generating means for generating a backup-time-refresh control signal for backing up a storage element based on a clock signal from a clock signal generator, and a clock signal generator. For department and backup refresh To a control signal produced unit is provided with a the backup power supply means for supplying a backup power.
【0010】このバックアップ装置によれば、バックア
ップ時リフレッシュ用制御信号作出手段が、集積回路に
内蔵されたクロック信号生成部からのクロック信号に基
づいて、バックアップ時に記憶素子をバックアップする
ためのバックアップ時リフレッシュ用制御信号を作出す
るので、集積回路とは別にタイマーICを設ける必要が
ないことから、タイマーICの基板上における設置面積
が不要となってシステム全体の小型化を図ることができ
ると共に、タイマーICの製作あるいは購入コストが不
要となってシステム全体の製造コストの低減を図ること
ができる。しかも、従来から備えられていたクロック信
号生成部などを利用することにより、消費電力の大きい
タイマーICを不要にしたので、低消費電力化を実現で
きる。According to this backup device, the control signal generating means for refreshing at backup is refreshed at backup time for backing up the storage element at the time of backup based on the clock signal from the clock signal generating section built in the integrated circuit. Since the timer control IC is generated, it is not necessary to provide the timer IC separately from the integrated circuit. Therefore, the installation area of the timer IC on the substrate is not required, and the entire system can be downsized and the timer IC can be achieved. It is possible to reduce the manufacturing cost of the entire system by eliminating the manufacturing or purchasing cost. Moreover, since the timer IC that consumes a large amount of power is not needed by using the clock signal generator that has been provided conventionally, low power consumption can be realized.
【0011】集積回路は、たとえばファクシミリ装置の
全体を制御するCPUを含む集積回路などのように、ク
ロック信号を生成し、またDRAMなどのリフレッシュ
を行うものであるが、必ずしもCPUを含む集積回路で
なくてもよいことはもちろんである。また、ファクシミ
リ装置に限らず、他の通信装置や情報処理装置などの各
種電子機器に用いられる集積回路であってもよいことは
もちろんである。また、記憶素子は、DRAMに限ら
ず、たとえば疑似SRAMなど、リフレッシュが必要な
ものを全て含む。The integrated circuit generates a clock signal and refreshes the DRAM or the like, such as an integrated circuit including a CPU that controls the entire facsimile machine. However, the integrated circuit does not necessarily include the CPU. Of course, you don't have to. Further, not limited to the facsimile device, it goes without saying that it may be an integrated circuit used in various electronic devices such as other communication devices and information processing devices. Further, the storage element is not limited to DRAM, and includes, for example, all that need refreshing, such as pseudo SRAM.
【0012】バックアップ電源手段としては、たとえば
充電式の電池や乾電池などを用いることができる。As the backup power source means, for example, a rechargeable battery or a dry battery can be used.
【0013】また、請求項2に記載した発明のバックア
ップ装置は、集積回路と、リフレッシュが必要な記憶素
子とを含み、集積回路に、少なくとも、非バックアップ
時に記憶素子をリフレッシュするための非バックアップ
時リフレッシュ用制御信号を生成する非バックアップ時
リフレッシュ用制御信号生成部と、所定周期のクロック
信号を生成するクロック信号生成部とを内蔵したシステ
ムにおいて、電源遮断時に記憶素子をバックアップする
バックアップ装置であって、集積回路に内蔵されて、ク
ロック信号生成部からのクロック信号に基づいて、記憶
素子をバックアップするためのバックアップ時リフレッ
シュ用制御信号を作出するバックアップ時リフレッシュ
用制御信号作出部と、集積回路に内蔵されて、非バック
アップ時には、非バックアップ時リフレッシュ用制御信
号生成部からの非バックアップ時リフレッシュ用制御信
号を記憶素子に供給し、バックアップ時には、バックア
ップ時リフレッシュ用制御信号作出部からのバックアッ
プ時リフレッシュ用制御信号を記憶素子に供給する切替
部と、クロック信号生成部とバックアップ時リフレッシ
ュ用制御信号作出部と切替部とにバックアップ電源を供
給するバックアップ電源手段とを設けたものである。A backup device of the invention described in claim 2 includes an integrated circuit and a storage element that needs refreshing, and the integrated circuit has at least a non-backup time for refreshing the storage element during non-backup time. A backup device for backing up a storage element when power is cut off in a system including a non-backup refresh control signal generation unit for generating a refresh control signal and a clock signal generation unit for generating a clock signal of a predetermined cycle. , Built-in integrated circuit, and a backup-refresh-time control signal generator for generating a backup-time-refresh control signal for backing up a memory element based on a clock signal from a clock signal generator, and an integrated circuit Being backed up, non backup Switching that supplies the non-backup refresh control signal from the backup refresh control signal generator to the storage element, and supplies the backup refresh control signal from the backup refresh control signal generator to the storage element during backup And a clock signal generation unit, a backup refresh control signal generation unit, and a switching unit.
【0014】このバックアップ装置によれば、バックア
ップ時リフレッシュ用制御信号作出部および切替部をも
集積回路に内蔵したので、タイマーICばかりでなく、
バックアップ時リフレッシュ用制御信号作出部および切
替部をも別途設ける必要がなく、したがってシステム全
体の小型化および製造コストの低減を一層顕著に実現で
きる。すなわち、従来のバックアップ装置のようにタイ
マーICや遅延回路や論理回路やセレクタなどを別途設
ける必要がない。According to this backup device, since the backup refresh control signal generating section and the switching section are also incorporated in the integrated circuit, not only the timer IC but also
It is not necessary to separately provide a control signal generating unit for refreshing at backup and a switching unit, and therefore, the size reduction of the entire system and the reduction of manufacturing cost can be more significantly realized. That is, it is not necessary to separately provide a timer IC, a delay circuit, a logic circuit, a selector, etc., unlike the conventional backup device.
【0015】更に、請求項3に記載した発明のバックア
ップ装置は、請求項2記載のバックアップ装置であっ
て、クロック信号生成部は、集積回路の外部に設置され
た水晶発振子を利用してクロック信号を生成するもので
ある。Further, the backup device of the invention described in claim 3 is the backup device according to claim 2, wherein the clock signal generator uses a crystal oscillator installed outside the integrated circuit to generate a clock signal. It is for generating a signal.
【0016】このバックアップ装置によれば、水晶発振
子を利用してクロック信号を生成するので、正確に記憶
素子のリフレッシュを行え、消費電力を低減できる。こ
れは、クロック信号の精度が高く、それを用いて作出さ
れるバックアップ時リフレッシュ用制御信号の精度も高
いので、必要最小限のリフレッシュ回数により確実にリ
フレッシュを行えるからである。すなわち、一般的なD
RAMをリフレッシュするためには、ほぼ15.6μs
ec毎に1回以上のCAS信号およびRAS信号をDR
AMに供給する必要がある。ところが従来のタイマーI
Cを用いたバックアップ装置の場合、タイマーICによ
り得られるクロック信号の精度が低く、ばらつきが大き
いので、平均して8〜9μsec毎にCAS信号および
RAS信号を生成するように調整しなければ、15.6
μsec毎に1回以上のCAS信号およびRAS信号の
生成を保証できず、リフレッシュのミスにより記憶内容
が消失するおそれがある。このため、リフレッシュの回
数が無駄に多くなり、それだけ消費電力が大きくなるの
である。According to this backup device, since the clock signal is generated by using the crystal oscillator, the storage element can be refreshed accurately and the power consumption can be reduced. This is because the precision of the clock signal is high and the precision of the backup refresh control signal generated using the clock signal is also high, so that the refresh can be reliably performed with the minimum necessary number of refreshes. That is, general D
It takes about 15.6 μs to refresh the RAM
DR the CAS signal and RAS signal one or more times per ec
Must be supplied to AM. However, the conventional timer I
In the case of a backup device using C, the accuracy of the clock signal obtained by the timer IC is low and the variation is large. Therefore, if it is not adjusted to generate the CAS signal and the RAS signal every 8 to 9 μsec on average, 15 .6
The generation of the CAS signal and the RAS signal cannot be guaranteed once or more every μsec, and there is a possibility that the stored contents may be lost due to a refresh error. Therefore, the number of times of refreshing is unnecessarily increased, and the power consumption increases accordingly.
【0017】また、請求項4に記載した発明のバックア
ップ装置は、請求項2または請求項3記載のバックアッ
プ装置であって、クロック信号生成部は、クロック信号
として、基本周波数クロック信号と、この基本周波数ク
ロック信号を分周した分周周波数クロック信号とを選択
的にバックアップ時リフレッシュ用制御信号作出部に供
給するものである。Further, the backup device of the invention described in claim 4 is the backup device according to claim 2 or 3, wherein the clock signal generating section uses, as a clock signal, a basic frequency clock signal and the basic frequency clock signal. A frequency-divided frequency clock signal obtained by frequency-dividing the frequency clock signal is selectively supplied to the backup-time refresh control signal generator.
【0018】このバックアップ装置によれば、基本周波
数クロック信号と分周周波数クロック信号とを選択的に
使用できるので、バックアップ時リフレッシュ用制御信
号の周期を切り替えることができ、リフレッシュ周期の
異なる記憶素子に対応可能である。すなわち、低消費電
力タイプのDRAMの場合、通常のDRAMと比較して
8倍の周期でリフレッシュを行えばよいので、基本周波
数クロック信号を8分周して分周周波数クロック信号を
作出し、それを用いてCAS信号およびRAS信号を作
出すればよい。もちろん、分周周波数クロック信号は基
本周波数クロック信号の8倍の周期とは限らず、使用す
る記憶素子のリフレッシュ周期に応じて適宜決定すれば
よい。また、基本周波数クロック信号を分周することに
より相互に周期の異なる複数の分周周波数クロック信号
を作出すれば、相互にリフレッシュ周期の異なる3種類
以上の記憶素子に対応できることになる。According to this backup device, since the basic frequency clock signal and the divided frequency clock signal can be selectively used, it is possible to switch the cycle of the refresh-time control signal at the time of backup, so that the storage elements having different refresh cycles can be used. It is possible. That is, in the case of a low power consumption type DRAM, refreshing may be performed at a cycle eight times that of a normal DRAM. Therefore, the basic frequency clock signal is divided by 8 to generate a divided frequency clock signal. To generate a CAS signal and a RAS signal. Of course, the frequency-divided frequency clock signal is not limited to a cycle eight times as long as the basic frequency clock signal, and may be appropriately determined according to the refresh cycle of the storage element used. Further, by generating a plurality of divided frequency clock signals having mutually different cycles by dividing the basic frequency clock signal, it is possible to cope with three or more kinds of memory elements having mutually different refresh cycles.
【0019】更に、請求項5に記載した発明のバックア
ップ装置は、請求項2ないし請求項4のいずれかに記載
のバックアップ装置であって、バックアップ時リフレッ
シュ用制御信号作出部は、クロック信号生成部からのク
ロック信号と、このクロック信号を集積回路の外部に設
置された外部遅延素子により遅延させた遅延クロック信
号とを用いてバックアップ時リフレッシュ用制御信号を
作出するものである。Further, the backup device of the invention described in claim 5 is the backup device according to any one of claims 2 to 4, wherein the control signal generating section for refreshing at backup is a clock signal generating section. And a delayed clock signal obtained by delaying this clock signal by an external delay element installed outside the integrated circuit to generate a backup refresh control signal.
【0020】このバックアップ装置によれば、クロック
信号を遅延させてバックアップ時リフレッシュ用制御信
号を作出するための遅延素子を集積回路の外部に設けた
ので、集積回路の内部で遅延素子を構成する場合のよう
に、回路規模が大きくならず、集積回路を小型化でき
る。すなわち、この遅延素子による遅延時間は、一般的
なDRAMのバックアップ時リフレッシュ用制御信号を
作出する場合には100〜200nsec程度必要であ
り、これを実現するための遅延素子を集積回路に内蔵し
ようとすれば回路規模が大きくなってしまうのである
が、集積回路の外部に設ける場合は、たとえば集積回路
に抵抗器とキャパシタとを外付けすればよく、極めて簡
単に実現できる。According to this backup device, since the delay element for delaying the clock signal to generate the backup refresh control signal is provided outside the integrated circuit, the delay element is formed inside the integrated circuit. As described above, the circuit scale is not increased, and the integrated circuit can be downsized. That is, the delay time by this delay element is required to be about 100 to 200 nsec when a general DRAM refresh control signal is generated, and an attempt is made to incorporate a delay element for realizing this in an integrated circuit. If this is done, the circuit scale will become large, but when it is provided outside the integrated circuit, it is only necessary to externally attach a resistor and a capacitor to the integrated circuit, and this can be realized very easily.
【0021】また、請求項6に記載した発明のバックア
ップ装置は、請求項2ないし請求項5のいずれかに記載
のバックアップ装置であって、バックアップ電源手段か
らのバックアップ電圧が所定値以下に低下したときに、
クロック信号生成部にのみバックアップ電源を供給する
ものである。A backup device according to a sixth aspect of the present invention is the backup device according to any one of the second to fifth aspects, in which the backup voltage from the backup power supply means is reduced to a predetermined value or less. sometimes,
The backup power is supplied only to the clock signal generator.
【0022】このバックアップ装置によれば、記憶回路
のバックアップが不可能な程度にバックアップ電圧が低
下した状況であっても、クロック信号生成部のバックア
ップが可能であり、たとえば現在時刻を計時する時計機
能だけは保持できる。すなわち、一般的な安価なDRA
Mをバックアップするためには4〜5ボルト程度の電圧
が必要であるが、クロック信号生成部、およびそのクロ
ック信号を利用する時計回路は1〜2ボルト程度の電圧
で動作可能であるので、バックアップ時間が長くなって
バックアップ電圧が低下したときにも、時計機能だけは
失われないようにでき、この結果、電源回復時における
時刻合わせが不要になり、しかも時計機能を利用したタ
イマー機能も維持できる。According to this backup device, the clock signal generator can be backed up even in a situation where the backup voltage has dropped to the extent that backup of the memory circuit is impossible. For example, a clock function for measuring the present time. Can only hold. That is, a general inexpensive DRA
Although a voltage of about 4 to 5 volts is required to back up M, the clock signal generation unit and the clock circuit using the clock signal can operate at a voltage of about 1 to 2 volts, so the backup is performed. Even if the backup voltage drops due to a long time, only the clock function can be prevented from being lost, and as a result, time adjustment is not required when power is restored, and the timer function that uses the clock function can be maintained. .
【0023】[0023]
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態を、図面を参照しつつ具体的に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be specifically described below with reference to the drawings.
【0024】図1は、本発明に係るバックアップ装置を
含む集積回路の要部の回路ブロック図であって、この集
積回路1には、DRAMコントローラ回路2、時計回路
3、分周回路4、レジスタ5、セレクタ回路6、遅延回
路7、セレクタ回路8、インバータ10〜12、論理積
回路13、排他的論理和回路14、および論理和回路1
5,16が内蔵されており、さらに、端子21〜35が
設けられている。端子24には、水晶発振子41の一端
とキャパシタC1の一端とが接続されており、端子25
には、水晶発振子41の他端とキャパシタC2の一端と
が接続されている。キャパシタC1,C2の他端は接地
されている。端子27には、抵抗器R1の一端が接続さ
れており、端子28には、抵抗器R1の他端とキャパシ
タC3の一端とが接続されている。キャパシタC3の他
端は接地されている。端子32〜35はDRAM42に
接続されている。FIG. 1 is a circuit block diagram of a main part of an integrated circuit including a backup device according to the present invention. The integrated circuit 1 includes a DRAM controller circuit 2, a clock circuit 3, a frequency dividing circuit 4, and a register. 5, selector circuit 6, delay circuit 7, selector circuit 8, inverters 10 to 12, AND circuit 13, exclusive OR circuit 14, and OR circuit 1
5, 16 are built in, and terminals 21-35 are further provided. One end of the crystal oscillator 41 and one end of the capacitor C1 are connected to the terminal 24, and the terminal 25
Is connected to the other end of the crystal oscillator 41 and one end of the capacitor C2. The other ends of the capacitors C1 and C2 are grounded. One end of the resistor R1 is connected to the terminal 27, and the other end of the resistor R1 and one end of the capacitor C3 are connected to the terminal 28. The other end of the capacitor C3 is grounded. The terminals 32 to 35 are connected to the DRAM 42.
【0025】集積回路1は、たとえばファクシミリ装置
全体を制御するCPU(図示せず)を含んでおり、DR
AM42へのデータの読出および書込などを行う。DR
AMコントローラ回路2は、DRAM42へのデータの
読出および書込ならびに非バックアップ時におけるリフ
レッシュのためのREAD信号、WRITE信号、CA
S信号、RAS信号を出力する。時計回路3は、分周回
路4からのクロック信号に基づいて現在時刻を計時し、
さらに、分周回路4からのクロック信号をそのままある
いは加工して所要箇所に供給する。分周回路4は、イン
バータ11を介して供給されるクロック信号を8倍の周
期に分周する。レジスタ5は、DRAM42のリフレッ
シュの周期に対応する数値をセレクト信号として記憶し
ている。セレクタ回路6は、レジスタ5からのセレクト
信号に応じて、インバータ11からのクロック信号と分
周回路4からのクロック信号とを選択的に出力する。遅
延回路7は、排他的論理和回路14からの出力を10〜
20nsec程度の所定時間遅延させる。セレクタ回路
8は、端子29からのセレクト信号SELに応じて、D
RAMコントローラ回路2からのCAS信号およびRA
S信号と排他的論理和回路14からのCAS信号および
遅延回路7からのRAS信号とを選択的に出力する。The integrated circuit 1 includes, for example, a CPU (not shown) that controls the entire facsimile apparatus, and DR
Data is read from and written into the AM 42. DR
The AM controller circuit 2 uses a READ signal, a WRITE signal, a CA signal for reading and writing data to the DRAM 42 and for refreshing when not backing up.
The S signal and the RAS signal are output. The clock circuit 3 measures the current time based on the clock signal from the frequency dividing circuit 4,
Furthermore, the clock signal from the frequency dividing circuit 4 is supplied to a required place as it is or after being processed. The frequency divider circuit 4 divides the clock signal supplied via the inverter 11 into eight times the period. The register 5 stores a numerical value corresponding to the refresh cycle of the DRAM 42 as a select signal. The selector circuit 6 selectively outputs the clock signal from the inverter 11 and the clock signal from the frequency dividing circuit 4 according to the select signal from the register 5. The delay circuit 7 outputs the output from the exclusive OR circuit 14 by 10 to 10.
A predetermined time of about 20 nsec is delayed. The selector circuit 8 receives the D signal in response to the select signal SEL from the terminal 29.
CAS signal from RAM controller circuit 2 and RA
The S signal, the CAS signal from the exclusive OR circuit 14 and the RAS signal from the delay circuit 7 are selectively output.
【0026】端子21には、電源Vcc0が供給され、
この電源Vcc0は、DRAMコントローラ回路2な
ど、集積回路1内のバックアップされていない回路に供
給される。端子22には、電源Vcc1が供給され、こ
の電源Vcc1は、遅延回路7、インバータ12、排他
的論理和回路14、および論理和回路15,16からな
るバックアップ時リフレッシュ用制御信号作出部45
と、セレクタ回路8からなる切替部と、DRAM42と
に供給される。端子23には、電源Vcc2が供給さ
れ、この電源Vcc2は、時計回路3、分周回路4、レ
ジスタ5、セレクタ回路6、インバータ10,11、お
よび論理積回路13からなるクロック信号生成部46に
供給される。端子26には、状態制御信号MC1が供給
され、この状態制御信号MC1は論理積回路13の一方
の入力端に入力される。端子30には、状態制御信号M
C2が供給され、この状態制御信号MC2は論理和回路
16の一方の入力端に入力される。端子31には、状態
制御信号MC3が供給され、この状態制御信号MC3は
論理和回路15の一方の入力端に入力される。端子32
には、セレクタ回路8からCAS信号が出力され、この
CAS信号はDRAM42に供給される。端子33に
は、セレクタ回路8からRAS信号が出力され、このR
AS信号はDRAM42に供給される。端子34には、
論理和回路16を介してREAD信号が出力され、この
READ信号はDRAM42に供給される。端子35に
は、論理和回路15を介してWRITE信号が出力さ
れ、このWRITE信号はDRAM42に供給される。
インバータ10と水晶発振子41とキャパシタC1,C
2とは発振回路を構成しており、この発振回路は一般的
な時計回路用のリアルタイムクロック回路の発振部と同
様に32.768KHzの発振周波数で発振する。抵抗
器R1とキャパシタC3とは外部遅延素子として遅延回
路を構成しており、この遅延回路は、100〜200n
sec程度の所定時間、論理積回路13の出力を遅延さ
せる。A power supply Vcc0 is supplied to the terminal 21,
This power supply Vcc0 is supplied to a circuit that is not backed up in the integrated circuit 1, such as the DRAM controller circuit 2. The power supply Vcc1 is supplied to the terminal 22, and the power supply Vcc1 is supplied with the delay refresh circuit 7, the inverter 12, the exclusive OR circuit 14, and the OR circuit 15, 16 for the backup time refresh control signal generator 45.
And the switching unit including the selector circuit 8 and the DRAM 42. The power supply Vcc2 is supplied to the terminal 23, and the power supply Vcc2 is supplied to the clock signal generation unit 46 including the clock circuit 3, the frequency dividing circuit 4, the register 5, the selector circuit 6, the inverters 10 and 11, and the AND circuit 13. Supplied. The state control signal MC1 is supplied to the terminal 26, and the state control signal MC1 is input to one input terminal of the AND circuit 13. The terminal 30 has a state control signal M
C2 is supplied, and the state control signal MC2 is input to one input terminal of the OR circuit 16. The state control signal MC3 is supplied to the terminal 31, and the state control signal MC3 is input to one input terminal of the OR circuit 15. Terminal 32
, The selector circuit 8 outputs a CAS signal, and the CAS signal is supplied to the DRAM 42. The RAS signal is output from the selector circuit 8 to the terminal 33.
The AS signal is supplied to the DRAM 42. The terminal 34 has
A READ signal is output via the OR circuit 16, and this READ signal is supplied to the DRAM 42. A WRITE signal is output to the terminal 35 via the OR circuit 15, and the WRITE signal is supplied to the DRAM 42.
Inverter 10, crystal oscillator 41, capacitors C1, C
2 constitutes an oscillation circuit, and this oscillation circuit oscillates at an oscillation frequency of 32.768 KHz, like the oscillation section of a real-time clock circuit for a general clock circuit. The resistor R1 and the capacitor C3 constitute a delay circuit as an external delay element, and this delay circuit is 100 to 200n.
The output of the AND circuit 13 is delayed for a predetermined time of about sec.
【0027】次に、このように構成されたバックアップ
装置の動作について説明する。先ず、非バックアップ時
には、端子21に印加される電源Vcc0、端子22に
印加される電源Vcc1、および端子23に印加される
電源Vcc2が全て5ボルトであり、端子29に入力さ
れるセレクト信号SELはハイレベル、端子30,31
に入力される状態制御信号MC2,MC3はローレベル
である。したがって、セレクタ回路8によりDRAMコ
ントローラ回路2からのRAS信号およびCAS信号が
選択されてDRAM42に供給されるとともに、DRA
Mコントローラ回路2からのREAD信号およびWRI
TE信号が適宜DRAM42に供給され、DRAM42
の読出および書込の動作が必要に応じて実行される。Next, the operation of the backup device thus constructed will be described. First, at the time of non-backup, the power supply Vcc0 applied to the terminal 21, the power supply Vcc1 applied to the terminal 22, and the power supply Vcc2 applied to the terminal 23 are all 5 volts, and the select signal SEL input to the terminal 29 is High level, terminals 30, 31
The state control signals MC2 and MC3 input to are at low level. Therefore, the RAS signal and the CAS signal from the DRAM controller circuit 2 are selected by the selector circuit 8 and are supplied to the DRAM 42.
READ signal from the M controller circuit 2 and WRI
The TE signal is appropriately supplied to the DRAM 42, and the DRAM 42
Read and write operations are performed as necessary.
【0028】一方、水晶発振子41などからなる発振回
路からのクロック信号は、インバータ11により反転さ
れ、分周回路4により8倍の周期に分周されて時計回路
3に供給され、現在時刻の計時動作が実行されるととも
に、時計回路3から集積回路1内の所定の回路に供給さ
れる。On the other hand, the clock signal from the oscillation circuit including the crystal oscillator 41 is inverted by the inverter 11, divided by the frequency dividing circuit 4 into a cycle of 8 times, and supplied to the clock circuit 3 for the current time. The timekeeping operation is executed and is supplied from the clock circuit 3 to a predetermined circuit in the integrated circuit 1.
【0029】バックアップ時には、端子21に印加され
る電源Vcc0は0ボルト、端子22に印加される電源
Vcc1および端子23に印加される電源Vcc2は
4.5ボルトであり、端子29に入力されるセレクト信
号SELはローレベル、端子26,30,31に入力さ
れる状態制御信号MC1,MC2,MC3はハイレベル
である。ここで、DRAM42が低消費電力タイプでな
い通常のタイプの場合、レジスタ5にはたとえば「1」
が記憶されており、セレクタ回路6が、インバータ11
からのクロック信号を選択して論理積回路13の他方の
入力端に出力する。論理積回路13の一方の入力端には
端子26を介してハイレベルの状態制御信号MC1が入
力されているので、論理積回路13からはセレクタ回路
6からのクロック信号がそのまま出力される。このクロ
ック信号は、排他的論理和回路14の一方の端子に入力
されるとともに、抵抗器R1およびキャパシタC3から
なる遅延回路により100〜200nsec程度の所定
時間遅延され、更にインバータ12により反転されて排
他的論理和回路14の他方の入力端に入力される。At the time of backup, the power supply Vcc0 applied to the terminal 21 is 0 V, the power supply Vcc1 applied to the terminal 22 and the power supply Vcc2 applied to the terminal 23 are 4.5 V, and the select input to the terminal 29 is selected. The signal SEL is at low level, and the state control signals MC1, MC2, MC3 input to the terminals 26, 30, 31 are at high level. Here, when the DRAM 42 is a normal type other than the low power consumption type, the register 5 is set to, for example, "1".
Are stored in the selector 11 and the selector circuit 6
And outputs it to the other input terminal of the AND circuit 13. Since the high-level state control signal MC1 is input to one input terminal of the AND circuit 13 via the terminal 26, the AND circuit 13 outputs the clock signal from the selector circuit 6 as it is. This clock signal is input to one terminal of the exclusive OR circuit 14, delayed by a delay circuit including the resistor R1 and the capacitor C3 for a predetermined time of about 100 to 200 nsec, and further inverted by the inverter 12 to be exclusive. It is input to the other input terminal of the logical OR circuit 14.
【0030】ここで、論理積回路13からのクロック信
号が図2の(a)に示すような波形であると、それを遅
延させて反転させた波形は図2の(b)に示すようにな
り、排他的論理和回路14の出力は図2の(c)に示す
ような波形になる。図2の(a)に示すクロック信号は
周波数が32.768KHzであるので、図2の(c)
に示す波形は周波数が65.536KHzとなり、この
周期はほぼ15.26μsecである。Here, if the clock signal from the AND circuit 13 has a waveform as shown in FIG. 2A, the inverted and inverted waveform thereof is as shown in FIG. 2B. Therefore, the output of the exclusive OR circuit 14 has a waveform as shown in FIG. Since the frequency of the clock signal shown in (a) of FIG. 2 is 32.768 KHz, (c) of FIG.
The waveform shown in (1) has a frequency of 65.536 KHz, and this period is approximately 15.26 μsec.
【0031】排他的論理和回路14の出力は、バックア
ップ時におけるCAS信号としてセレクタ回路8に供給
されるとともに、遅延回路7により10〜20nsec
程度の所定時間遅延されて、バックアップ時におけるR
AS信号としてセレクタ回路8に供給される。ここで、
端子29を介してセレクタ回路8に供給されるセレクト
信号SELはローレベルであるので、セレクタ回路8に
より排他的論理和回路14からのバックアップ時におけ
るCAS信号および遅延回路7からのバックアップ時に
おけるRAS信号が選択されてDRAM42に供給され
る。また、論理和回路15,16の一方の端子に入力さ
れる状態制御信号MC2,MC3がハイレベルであるの
で、論理和回路15,16からDRAM42にハイレベ
ルの信号がWRITE信号およびREAD信号として供
給される。これによりDRAM42は、バックアップ時
におけるCAS信号およびRAS信号により所定の周期
でリフレッシュされる。ここで、排他的論理和回路14
からのクロック信号すなわちバックアップ時におけるC
AS信号の周期は、上記のようにほぼ15.26μse
cであり、DRAM42に必要な15.6μsec毎に
1回以上のリフレッシュが確実になされることになり、
しかも無駄に多くのリフレッシュがなされることもな
い。なお、DRAM42のリフレッシュは通常のCBR
方式であり、リフレッシュ時におけるREAD信号はロ
ーレベルでもハイレベルでもよいのであるが、リフレッ
シュの確実性を向上させるためにハイレベルにしてい
る。The output of the exclusive OR circuit 14 is supplied to the selector circuit 8 as a CAS signal at the time of backup, and is 10 to 20 nsec by the delay circuit 7.
R is delayed at the time of backup for a certain time.
The AS signal is supplied to the selector circuit 8. here,
Since the select signal SEL supplied to the selector circuit 8 via the terminal 29 is at a low level, the selector circuit 8 causes the CAS signal during backup from the exclusive OR circuit 14 and the RAS signal during backup from the delay circuit 7. Is selected and supplied to the DRAM 42. Further, since the state control signals MC2 and MC3 input to one terminal of the OR circuits 15 and 16 are at the high level, the high level signals are supplied from the OR circuits 15 and 16 to the DRAM 42 as the WRITE signal and the READ signal. To be done. As a result, the DRAM 42 is refreshed at a predetermined cycle by the CAS signal and the RAS signal at the time of backup. Here, the exclusive OR circuit 14
Clock signal from C, ie C at backup
The period of the AS signal is approximately 15.26 μse as described above.
c, which means that one or more refreshes are surely performed every 15.6 μsec required for the DRAM 42,
Moreover, many refreshes are not wasted. The DRAM 42 is refreshed in the normal CBR.
The READ signal at the time of refreshing may be at a low level or at a high level, but is set at a high level in order to improve the reliability of the refresh.
【0032】また、DRAM42として低消費電力タイ
プのものを用いている場合は、レジスタ5にたとえば
「0」を記憶させておく。これにより、セレクタ回路6
が分周回路4からのクロック信号を選択して論理積回路
13の他方の入力端に出力するので、DRAM42に供
給されるバックアップ時におけるCAS信号およびRA
S信号の周期が8倍になり、低消費電力タイプのDRA
M42に最適なリフレッシュがなされる。すなわち、確
実にDRAM42の記憶内容を保持でき、しかも無駄に
多くのリフレッシュがなされることもない。When a low power consumption type DRAM is used as the DRAM 42, "0" is stored in the register 5, for example. As a result, the selector circuit 6
Selects the clock signal from the frequency dividing circuit 4 and outputs it to the other input terminal of the AND circuit 13, so that the CAS signal and RA at the time of backup supplied to the DRAM 42 are supplied.
Low power consumption type DRA with 8 times longer S signal cycle
Optimal refresh is performed for M42. That is, the contents stored in the DRAM 42 can be reliably held, and a large number of refreshes will not be unnecessarily performed.
【0033】ここで、バックアップが長時間に及ぶなど
の原因で、バックアップ電圧がDRAM42のリフレッ
シュに必要な電圧よりも低下した場合、端子21に印加
される電源Vcc0は0ボルトのままで、端子22に印
加される電源Vcc1が0ボルト、端子23に印加され
る電源Vcc2が2ボルトになる。また、端子26に入
力される状態制御信号MC1がローレベルになる。この
結果、DRAM42のリフレッシュはなされないが、時
計回路3や分周回路4などは2ボルトの電源で動作可能
であるので、時計回路3は正常に機能する。なお、状態
制御信号MC1により論理積回路13の出力をローレベ
ルにしているのは、消費電力の低減のためである。If the backup voltage becomes lower than the voltage required for refreshing the DRAM 42 due to the backup taking a long time, the power supply Vcc0 applied to the terminal 21 remains at 0 volt, and the terminal 22 is maintained. The power supply Vcc1 applied to the terminal 23 is 0V, and the power supply Vcc2 applied to the terminal 23 is 2V. Further, the state control signal MC1 input to the terminal 26 becomes low level. As a result, the DRAM 42 is not refreshed, but the clock circuit 3 and the frequency dividing circuit 4 can be operated with a power supply of 2 volts, so that the clock circuit 3 functions normally. The output of the AND circuit 13 is set to the low level by the state control signal MC1 in order to reduce the power consumption.
【0034】ところで、集積回路1の端子21〜31に
供給される電源Vcc0〜Vcc2や状態制御信号MC
1〜MC3やセレクト信号SELは、集積回路1の外部
に設けられた図3に示すような電源制御回路により生成
される。すなわち、図外の商用電源から得られた5ボル
トの直流電力と、バックアップ用の電池51からの4.
5ボルトの直流電力とは、電源切替回路52に入力され
る。電源切替回路52は、商用電源から得られた5ボル
トの直流電力を検出し、その直流電力が入力されていれ
ば、その直流電力を電源Vcc0〜Vcc2として集積
回路1の端子21〜23に供給する。また、停電などに
より商用電源から得られた5ボルトの直流電力が入力さ
れなくなれば、電池51からの4.5ボルトの直流電力
を電圧検出回路53に出力する。電圧検出回路53は、
電源切替回路52からの直流電力の電圧を検出し、それ
が所定値を越えていれば、その直流電力を電源Vcc
1,Vcc2として集積回路1の端子22,23に供給
し、所定値以下であれば、その直流電力を定電圧回路5
4に出力する。定電圧回路54は、電圧検出回路53か
らの直流電力を2ボルトの直流電力に変換し、その直流
電力を電源Vcc2として集積回路1の端子23に供給
する。また、電源切替回路52、電圧検出回路53、お
よび定電圧回路54からの電源Vcc2は、コントロー
ルロジック回路55にも電源として供給され、このコン
トロールロジック回路55は、電源切替回路52および
電圧検出回路53による検出結果に応じて、選択信号S
ELを集積回路1の端子29に出力するとともに、状態
制御信号MC1〜MC3を集積回路1の端子26,3
0,31に出力する。なお、コントロールロジック回路
55は集積回路1の内部に形成してもよい。また、図3
においては、制御信号線を一点鎖線で示している。By the way, the power supplies Vcc0 to Vcc2 supplied to the terminals 21 to 31 of the integrated circuit 1 and the state control signal MC.
1 to MC3 and the select signal SEL are generated by a power supply control circuit provided outside the integrated circuit 1 as shown in FIG. That is, DC voltage of 5 V obtained from a commercial power source (not shown) and 4.
The 5-volt DC power is input to the power supply switching circuit 52. The power supply switching circuit 52 detects the DC power of 5 V obtained from the commercial power supply, and supplies the DC power to the terminals 21 to 23 of the integrated circuit 1 as the power supplies Vcc0 to Vcc2 if the DC power is input. To do. Further, when the 5V DC power obtained from the commercial power supply is not input due to a power failure or the like, the 4.5V DC power from the battery 51 is output to the voltage detection circuit 53. The voltage detection circuit 53
The voltage of the DC power from the power supply switching circuit 52 is detected, and if it exceeds a predetermined value, the DC power is supplied to the power supply Vcc.
1, Vcc2 to the terminals 22 and 23 of the integrated circuit 1, and if the voltage is less than or equal to a predetermined value, the DC power is supplied to the constant voltage circuit 5
4 is output. The constant voltage circuit 54 converts the DC power from the voltage detection circuit 53 into 2 V DC power, and supplies the DC power to the terminal 23 of the integrated circuit 1 as the power supply Vcc2. The power supply Vcc2 from the power supply switching circuit 52, the voltage detection circuit 53, and the constant voltage circuit 54 is also supplied to the control logic circuit 55 as a power supply, and the control logic circuit 55 has the power supply switching circuit 52 and the voltage detection circuit 53. According to the detection result by the selection signal S
The EL is output to the terminal 29 of the integrated circuit 1, and the status control signals MC1 to MC3 are output to the terminals 26 and 3 of the integrated circuit 1.
Output to 0, 31. The control logic circuit 55 may be formed inside the integrated circuit 1. FIG.
In, the control signal line is indicated by a chain line.
【0035】[0035]
【発明の効果】以上説明したように請求項1に記載した
発明のバックアップ装置によれば、クロック信号生成部
からのクロック信号に基づいて、記憶素子をバックアッ
プするためのバックアップ時リフレッシュ用制御信号を
作出するバックアップ時リフレッシュ用制御信号作出手
段と、クロック信号生成部とバックアップ時リフレッシ
ュ用制御信号作出部とにバックアップ電源を供給するバ
ックアップ電源手段とを設けたので、バックアップ時リ
フレッシュ用制御信号作出手段が、集積回路に内蔵され
たクロック信号生成部からのクロック信号に基づいて、
バックアップ時に記憶素子をバックアップするためのバ
ックアップ時リフレッシュ用制御信号を作出することか
ら、集積回路とは別にタイマーICを設ける必要がな
く、タイマーICの設置面積が不要となってシステム全
体の小型化を図ることができると共に、タイマーICの
製作あるいは購入コストが不要となってシステム全体の
製造コストの低減を図ることができる。しかも、従来か
ら備えられているクロック信号生成部を利用して、消費
電力の大きなタイマーICなどを不要にしたので、バッ
クアップ時の消費電力を良好に低減させることができ
る。As described above, according to the backup apparatus of the invention described in claim 1, the backup refresh control signal for backing up the memory element is provided on the basis of the clock signal from the clock signal generating section. Since the backup refresh control signal generating means and the backup power supply means for supplying the backup power to the clock signal generating section and the backup refresh control signal generating section are provided, the backup refresh control signal generating means is provided. , Based on the clock signal from the clock signal generator built into the integrated circuit,
Since a control signal for refreshing at the time of backup for backing up the storage element at the time of backup is generated, it is not necessary to provide a timer IC separately from the integrated circuit, the installation area of the timer IC is unnecessary, and the entire system can be downsized. In addition, it is possible to reduce the manufacturing cost of the entire system because the cost of manufacturing or purchasing the timer IC is unnecessary. Moreover, since the conventional clock signal generation unit is used to eliminate the need for a timer IC that consumes a large amount of power, the power consumption during backup can be favorably reduced.
【0036】また、請求項2に記載した発明のバックア
ップ装置によれば、集積回路に内蔵されて、クロック信
号生成部からのクロック信号に基づいて、記憶素子をバ
ックアップするためのバックアップ時リフレッシュ用制
御信号を作出するバックアップ時リフレッシュ用制御信
号作出部と、集積回路に内蔵されて、非バックアップ時
には、非バックアップ時リフレッシュ用制御信号生成部
からの非バックアップ時リフレッシュ用制御信号を記憶
素子に供給し、バックアップ時には、バックアップ時リ
フレッシュ用制御信号作出部からのバックアップ時リフ
レッシュ用制御信号を記憶素子に供給する切替部と、ク
ロック信号生成部とバックアップ時リフレッシュ用制御
信号作出部と切替部とにバックアップ電源を供給するバ
ックアップ電源手段とを設けたので、バックアップ時リ
フレッシュ用制御信号作出部および切替部をも集積回路
に内蔵したことから、タイマーICばかりでなく、バッ
クアップ時リフレッシュ用制御信号作出部および切替部
をも別途設ける必要がなく、したがってシステム全体の
小型化や、製造コストおよび消費電力の低減を一層顕著
に実現できる。Further, according to the backup device of the invention described in claim 2, the backup refresh control for backing up the memory element is built in the integrated circuit, and backs up the memory element based on the clock signal from the clock signal generating section. A backup refresh control signal generator that generates a signal and a built-in integrated circuit that supplies a non-backup refresh control signal from the non-backup refresh control signal generator to the storage element when not backing up, During backup, backup power is supplied to the switching unit that supplies the backup refresh control signal from the backup refresh control signal generator to the storage element, the clock signal generator, the backup refresh control signal generator and the switch unit. Backup power supply to supply Since the backup refresh control signal generator and the switching unit are incorporated in the integrated circuit, it is necessary to separately provide the backup refresh control signal generator and the switching unit in addition to the timer IC. Therefore, the overall size of the system can be reduced, and the manufacturing cost and power consumption can be significantly reduced.
【0037】更に、請求項3に記載した発明のバックア
ップ装置によれば、クロック信号生成部は、集積回路の
外部に設置された水晶発振子を利用してクロック信号を
生成するので、請求項2記載のバックアップ装置による
効果に加えて、水晶発振子を利用してクロック信号を生
成することから、正確に記憶素子のリフレッシュを行
え、消費電力を低減できる。Further, according to the backup device of the invention described in claim 3, since the clock signal generating section generates the clock signal by utilizing the crystal oscillator installed outside the integrated circuit, In addition to the effect of the backup device described above, since the clock signal is generated using the crystal oscillator, the storage element can be refreshed accurately and the power consumption can be reduced.
【0038】また、請求項4に記載した発明のバックア
ップ装置によれば、クロック信号生成部は、クロック信
号として、基本周波数クロック信号と、この基本周波数
クロック信号を分周した分周周波数クロック信号とを選
択的にバックアップ時リフレッシュ用制御信号作出部に
供給するので、請求項2または請求項3記載のバックア
ップ装置による効果に加えて、基本周波数クロック信号
と分周周波数クロック信号とを選択的に使用できること
から、バックアップ時リフレッシュ用制御信号の周期を
切り替えることができ、リフレッシュ周期の異なる記憶
素子に対応可能である。Further, according to the backup device of the invention described in claim 4, the clock signal generation unit, as the clock signal, the basic frequency clock signal and the divided frequency clock signal obtained by dividing the basic frequency clock signal. Is selectively supplied to the control signal generator for refreshing during backup, so that in addition to the effect of the backup device according to claim 2 or 3, the basic frequency clock signal and the divided frequency clock signal are selectively used. As a result, the cycle of the backup-time refresh control signal can be switched, and it is possible to accommodate storage elements having different refresh cycles.
【0039】更に、請求項5に記載した発明のバックア
ップ装置によれば、バックアップ時リフレッシュ用制御
信号作出部は、クロック信号生成部からのクロック信号
と、このクロック信号を集積回路の外部に設置された外
部遅延素子により遅延させた遅延クロック信号とを用い
てバックアップ時リフレッシュ用制御信号を作出するの
で、請求項2ないし請求項4のいずれかに記載のバック
アップ装置による効果に加えて、クロック信号を遅延さ
せてバックアップ時リフレッシュ用制御信号を作出する
ための遅延素子を集積回路の外部に設けたことから、集
積回路の内部で遅延素子を構成する場合のように、回路
規模が大きくならず、集積回路を小型化できる。Further, according to the backup apparatus of the invention described in claim 5, the backup refresh control signal generating section is provided with the clock signal from the clock signal generating section and the clock signal outside the integrated circuit. The control signal for refreshing during backup is generated by using the delayed clock signal delayed by the external delay element. Therefore, in addition to the effect of the backup device according to any one of claims 2 to 4, Since the delay element for delaying and generating the control signal for refreshing at backup is provided outside the integrated circuit, the circuit scale does not increase as in the case where the delay element is configured inside the integrated circuit, The circuit can be miniaturized.
【0040】また、請求項6に記載した発明のバックア
ップ装置によれば、バックアップ電源手段からのバック
アップ電圧が所定値以下に低下したときに、クロック信
号生成部にのみバックアップ電源を供給するので、請求
項2ないし請求項5のいずれかに記載のバックアップ装
置による効果に加えて、記憶回路のバックアップが不可
能な程度にバックアップ電圧が低下した状況であって
も、クロック信号生成部のバックアップが可能であり、
たとえば現在時刻を計時する時計機能だけは保持でき
る。Further, according to the backup device of the invention described in claim 6, when the backup voltage from the backup power supply means drops below a predetermined value, the backup power is supplied only to the clock signal generating section. In addition to the effect of the backup device according to any one of claims 2 to 5, the clock signal generation unit can be backed up even in a situation where the backup voltage drops to such an extent that backup of the memory circuit is impossible. Yes,
For example, only the clock function for measuring the current time can be retained.
【図1】本発明に係るバックアップ装置を含む集積回路
の要部の回路ブロック図である。FIG. 1 is a circuit block diagram of a main part of an integrated circuit including a backup device according to the present invention.
【図2】図1に示す集積回路の要部の信号波形図であ
る。FIG. 2 is a signal waveform diagram of a main part of the integrated circuit shown in FIG.
【図3】図1に示す集積回路に電源などを供給する電源
制御回路の回路ブロック図である。FIG. 3 is a circuit block diagram of a power supply control circuit that supplies power to the integrated circuit shown in FIG.
1 集積回路 2 DRAMコントローラ回路 3 時計回路 4 分周回路 5 レジスタ 6 セレクタ回路 7 遅延回路 8 セレクタ回路 41 水晶発振子 42 DRAM 51 電池 1 integrated circuit 2 DRAM controller circuit 3 clock circuit 4 frequency divider circuit 5 register 6 selector circuit 7 delay circuit 8 selector circuit 41 crystal oscillator 42 DRAM 51 battery
Claims (6)
素子とを含み、前記集積回路に、少なくとも、非バック
アップ時に前記記憶素子をリフレッシュするための非バ
ックアップ時リフレッシュ用制御信号を生成する非バッ
クアップ時リフレッシュ用制御信号生成部と、所定周期
のクロック信号を生成するクロック信号生成部とを内蔵
したシステムにおいて、電源遮断時に前記記憶素子をバ
ックアップするバックアップ装置であって、 前記クロック信号生成部からのクロック信号に基づい
て、前記記憶素子をバックアップするためのバックアッ
プ時リフレッシュ用制御信号を作出するバックアップ時
リフレッシュ用制御信号作出手段と、 前記クロック信号生成部と前記バックアップ時リフレッ
シュ用制御信号作出部とにバックアップ電源を供給する
バックアップ電源手段とを設けたことを特徴とするバッ
クアップ装置。1. A non-backup time, which includes an integrated circuit and a storage element requiring refresh, and which generates at least a non-backup refresh control signal for refreshing the storage element in the integrated circuit during non-backup time. In a system having a refresh control signal generation unit and a clock signal generation unit that generates a clock signal of a predetermined cycle, a backup device that backs up the storage element when the power is cut off, and a clock from the clock signal generation unit. A backup-time refresh control signal generating means for generating a backup-time refresh control signal for backing up the storage element based on a signal, and a backup to the clock signal generator and the backup-time refresh control signal generator. Supply power Backup unit, characterized in that provided a backup power supply means for.
素子とを含み、前記集積回路に、少なくとも、非バック
アップ時に前記記憶素子をリフレッシュするための非バ
ックアップ時リフレッシュ用制御信号を生成する非バッ
クアップ時リフレッシュ用制御信号生成部と、所定周期
のクロック信号を生成するクロック信号生成部とを内蔵
したシステムにおいて、電源遮断時に前記記憶素子をバ
ックアップするバックアップ装置であって、 前記集積回路に内蔵されて、前記クロック信号生成部か
らのクロック信号に基づいて、前記記憶素子をバックア
ップするためのバックアップ時リフレッシュ用制御信号
を作出するバックアップ時リフレッシュ用制御信号作出
部と、 前記集積回路に内蔵されて、非バックアップ時には、前
記非バックアップ時リフレッシュ用制御信号生成部から
の非バックアップ時リフレッシュ用制御信号を前記記憶
素子に供給し、バックアップ時には、前記バックアップ
時リフレッシュ用制御信号作出部からのバックアップ時
リフレッシュ用制御信号を前記記憶素子に供給する切替
部と、 前記クロック信号生成部と前記バックアップ時リフレッ
シュ用制御信号作出部と前記切替部とにバックアップ電
源を供給するバックアップ電源手段とを設けたことを特
徴とするバックアップ装置。2. A non-backup time, which includes an integrated circuit and a storage element that needs refreshing, and which generates at least a non-backup time refresh control signal for refreshing the storage element in the integrated circuit in the non-backup time. In a system including a refresh control signal generation unit and a clock signal generation unit that generates a clock signal of a predetermined cycle, a backup device that backs up the storage element when power is cut off, and is incorporated in the integrated circuit, A backup-time refresh control signal generation unit for generating a backup-time refresh control signal for backing up the storage element based on a clock signal from the clock signal generation unit, and a non-backup function built in the integrated circuit. Sometimes, the above A non-backup refresh control signal from the reshuffle control signal generator is supplied to the storage element, and a backup refresh control signal from the backup refresh control signal generator is supplied to the storage element during backup. A backup device comprising: a switching unit, a clock signal generation unit, a backup refresh control signal generation unit, and a backup power supply unit that supplies backup power to the switching unit.
路の外部に設置された水晶発振子を利用して前記クロッ
ク信号を生成することを特徴とする請求項2に記載のバ
ックアップ装置。3. The backup device according to claim 2, wherein the clock signal generating unit generates the clock signal by using a crystal oscillator installed outside the integrated circuit.
ク信号として、基本周波数クロック信号と、この基本周
波数クロック信号を分周した分周周波数クロック信号と
を選択的に前記バックアップ時リフレッシュ用制御信号
作出部に供給することを特徴とする請求項2または請求
項3に記載のバックアップ装置。4. The clock signal generation unit selectively generates, as the clock signal, a basic frequency clock signal and a divided frequency clock signal obtained by dividing the basic frequency clock signal by the backup refresh control signal. The backup device according to claim 2 or 3, wherein the backup device is supplied to a unit.
信号作出部は、前記クロック信号生成部からのクロック
信号と、このクロック信号を前記集積回路の外部に設置
された外部遅延素子により遅延させた遅延クロック信号
とを用いて前記バックアップ時リフレッシュ用制御信号
を作出することを特徴とする請求項2ないし請求項4の
いずれかに記載のバックアップ装置。5. The backup-time refresh control signal generating section delays the clock signal from the clock signal generating section and the clock signal by an external delay element provided outside the integrated circuit. 5. The backup device according to claim 2, wherein the backup refresh control signal is generated by using and.
アップ電圧が所定値以下に低下したときに、前記クロッ
ク信号生成部にのみ前記バックアップ電源を供給するこ
とを特徴とする請求項2ないし請求項5のいずれかに記
載のバックアップ装置。6. The backup power supply is supplied only to the clock signal generator when the backup voltage from the backup power supply unit drops below a predetermined value. Backup device described in.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8042537A JPH09237231A (en) | 1996-02-29 | 1996-02-29 | Backup device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8042537A JPH09237231A (en) | 1996-02-29 | 1996-02-29 | Backup device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09237231A true JPH09237231A (en) | 1997-09-09 |
Family
ID=12638829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8042537A Pending JPH09237231A (en) | 1996-02-29 | 1996-02-29 | Backup device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09237231A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108803420A (en) * | 2018-06-02 | 2018-11-13 | 新乡市光明电器有限公司 | Military mobile unit collection control circuit |
-
1996
- 1996-02-29 JP JP8042537A patent/JPH09237231A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108803420A (en) * | 2018-06-02 | 2018-11-13 | 新乡市光明电器有限公司 | Military mobile unit collection control circuit |
| CN108803420B (en) * | 2018-06-02 | 2024-05-10 | 新乡市光明电器有限公司 | Centralized control circuit for military vehicle-mounted equipment |
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