JPH09237748A - 薄膜形成装置および薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成装置および薄膜形成方法Info
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- JPH09237748A JPH09237748A JP8042921A JP4292196A JPH09237748A JP H09237748 A JPH09237748 A JP H09237748A JP 8042921 A JP8042921 A JP 8042921A JP 4292196 A JP4292196 A JP 4292196A JP H09237748 A JPH09237748 A JP H09237748A
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
- B05D3/04—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to gases
- B05D3/0493—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to gases using vacuum
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 装置の小型化が実現できる薄膜形成装置を提
供する。さらに、生産性が向上できる薄膜形成方法を提
供する。 【解決手段】 薄膜形成装置は基板ステージ１、処理液
供給手段（スリットコーター２）およびチャンバ室蓋３
を備える。基板ステージ１は基板４を保持するとともに
開閉可能な減圧チャンバ室の下側チャンバを形成する。
処理液供給手段は減圧チャンバ室が開いた状態において
基板ステージ１に保持された基板４の表面に薄膜を塗布
する。チャンバ室蓋３は基板ステージ１とともに減圧チ
ャンバ室を形成する。減圧チャンバ室は閉止状態におい
て基板４の表面に塗布された薄膜に減圧乾燥を行う。さ
らに、薄膜形成方法は、基板４に薄膜を塗布した直後に
この塗布した場所で薄膜に減圧乾燥を行う。
供する。さらに、生産性が向上できる薄膜形成方法を提
供する。 【解決手段】 薄膜形成装置は基板ステージ１、処理液
供給手段（スリットコーター２）およびチャンバ室蓋３
を備える。基板ステージ１は基板４を保持するとともに
開閉可能な減圧チャンバ室の下側チャンバを形成する。
処理液供給手段は減圧チャンバ室が開いた状態において
基板ステージ１に保持された基板４の表面に薄膜を塗布
する。チャンバ室蓋３は基板ステージ１とともに減圧チ
ャンバ室を形成する。減圧チャンバ室は閉止状態におい
て基板４の表面に塗布された薄膜に減圧乾燥を行う。さ
らに、薄膜形成方法は、基板４に薄膜を塗布した直後に
この塗布した場所で薄膜に減圧乾燥を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜形成装置およ
び薄膜形成方法に関し、特に基板の表面に薄膜を塗布し
この薄膜を乾燥する薄膜形成装置および薄膜形成方法に
関する。
び薄膜形成方法に関し、特に基板の表面に薄膜を塗布し
この薄膜を乾燥する薄膜形成装置および薄膜形成方法に
関する。
【０００２】
【技術の技術】フォトリソグラフィ技術において使用さ
れるフォトレジスト薄膜の塗布には一般的にスピンコー
ターが使用される。スピンコーターは、基板表面に塗布
液を供給した後に基板を回転させ、基板表面にフォトレ
ジスト薄膜を形成する。フォトレジスト薄膜は液晶表示
装置のガラス基板、プリント配線基板、半導体基板、フ
ォトマスクのガラス基板、サーマルヘッド製造用のセラ
ミックス基板などの基板表面に塗布される。このフォト
レジスト薄膜には乾燥処理、露光処理、現像処理、洗浄
処理などの各種処理が行われ、基板表面に導電性パター
ン、絶縁性パターンなどのパターンが形成される。
れるフォトレジスト薄膜の塗布には一般的にスピンコー
ターが使用される。スピンコーターは、基板表面に塗布
液を供給した後に基板を回転させ、基板表面にフォトレ
ジスト薄膜を形成する。フォトレジスト薄膜は液晶表示
装置のガラス基板、プリント配線基板、半導体基板、フ
ォトマスクのガラス基板、サーマルヘッド製造用のセラ
ミックス基板などの基板表面に塗布される。このフォト
レジスト薄膜には乾燥処理、露光処理、現像処理、洗浄
処理などの各種処理が行われ、基板表面に導電性パター
ン、絶縁性パターンなどのパターンが形成される。
【０００３】液晶表示装置などの大型化に伴い、基板サ
イズも大型化し、そのため、スピンコーターにより回転
処理することが困難になってきた。そこで、近年におい
ては、スリットコーターと呼ばれる薄膜塗布装置の開発
が行われている。スリットコーターは基板表面上を特定
の幅をもって移動し、移動しながらスリットコーターの
スリットノズルから特定の幅でフォトレジスト薄膜が基
板表面に塗布される。つまり、スリットコーターは一度
で最終目的とする膜厚を有するフォトレジスト薄膜を塗
布できる特徴がある。
イズも大型化し、そのため、スピンコーターにより回転
処理することが困難になってきた。そこで、近年におい
ては、スリットコーターと呼ばれる薄膜塗布装置の開発
が行われている。スリットコーターは基板表面上を特定
の幅をもって移動し、移動しながらスリットコーターの
スリットノズルから特定の幅でフォトレジスト薄膜が基
板表面に塗布される。つまり、スリットコーターは一度
で最終目的とする膜厚を有するフォトレジスト薄膜を塗
布できる特徴がある。
【０００４】通常、スリットコーターで塗布された直後
のフォトレジスト薄膜はウエット状態にあり、スリット
コーターから次段の減圧乾燥処理装置に搬送され、この
減圧乾燥処理装置においてフォトレジスト薄膜の減圧乾
燥が行われる。スリットコーターから減圧乾燥処理装置
への基板の搬送には自動搬送を目的としてロボットが使
用され、ロボットのハンドに基板が保持され、基板の搬
送が行われる。
のフォトレジスト薄膜はウエット状態にあり、スリット
コーターから次段の減圧乾燥処理装置に搬送され、この
減圧乾燥処理装置においてフォトレジスト薄膜の減圧乾
燥が行われる。スリットコーターから減圧乾燥処理装置
への基板の搬送には自動搬送を目的としてロボットが使
用され、ロボットのハンドに基板が保持され、基板の搬
送が行われる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】液晶表示装置のガラス
基板として１辺の長さが２００ｍｍ〜７００ｍｍの範囲
で形成される矩形状の基板が使用される場合、前述のス
リットコーターにおいては、基板表面の周縁から中心側
に向かって２〜５ｍｍの幅寸法で基板表面の周囲に渡っ
てフォトレジスト薄膜が塗布されない領域を確保する必
要がある。この領域はロボットのハンドにより基板を保
持する保持領域である。スリットコーターにより塗布さ
れた直後のフォトレジスト薄膜はウエット状態であり、
このウエット状態のフォトレジスト薄膜にロボットのハ
ンドが接触した場合には双方に温度差が存在しかつハン
ドが硬質であるためにフォトレジスト薄膜に膜厚の変
動、痕跡などが発生する。このようなロボットによる搬
送で発生するフォトレジスト薄膜の損傷は前述の保持領
域を基板表面に予め設定することにより未然に回避でき
る。
基板として１辺の長さが２００ｍｍ〜７００ｍｍの範囲
で形成される矩形状の基板が使用される場合、前述のス
リットコーターにおいては、基板表面の周縁から中心側
に向かって２〜５ｍｍの幅寸法で基板表面の周囲に渡っ
てフォトレジスト薄膜が塗布されない領域を確保する必
要がある。この領域はロボットのハンドにより基板を保
持する保持領域である。スリットコーターにより塗布さ
れた直後のフォトレジスト薄膜はウエット状態であり、
このウエット状態のフォトレジスト薄膜にロボットのハ
ンドが接触した場合には双方に温度差が存在しかつハン
ドが硬質であるためにフォトレジスト薄膜に膜厚の変
動、痕跡などが発生する。このようなロボットによる搬
送で発生するフォトレジスト薄膜の損傷は前述の保持領
域を基板表面に予め設定することにより未然に回避でき
る。
【０００６】しかしながら、前述の液晶表示装置に使用
されるガラス基板などの基板は大型化の傾向にあり、基
板表面に実際にパターンを形成する有効領域はできる限
り確保する必要があるので、前述の保持領域は逆に充分
な面積を確保できない。このため、ロボットのハンドに
よる基板のハンドリングが難しくなり、基板搬送に際し
て基板の取り扱いに制限を受けるので、基板の搬送がス
ムースに行われず、生産性が低下するという問題があっ
た。
されるガラス基板などの基板は大型化の傾向にあり、基
板表面に実際にパターンを形成する有効領域はできる限
り確保する必要があるので、前述の保持領域は逆に充分
な面積を確保できない。このため、ロボットのハンドに
よる基板のハンドリングが難しくなり、基板搬送に際し
て基板の取り扱いに制限を受けるので、基板の搬送がス
ムースに行われず、生産性が低下するという問題があっ
た。
【０００７】さらに、スリットコーターによりウエット
状態のフォトレジスト薄膜が塗布された基板は基板搬送
装置としてのロボットにより次段の減圧乾燥処理装置に
搬送される。このため、スリットコーターおよび減圧乾
燥処理装置がそれぞれ別々に基板処理ラインシステム上
に組み込まれるので、基板処理ラインシステムが大型に
なるという問題があった。
状態のフォトレジスト薄膜が塗布された基板は基板搬送
装置としてのロボットにより次段の減圧乾燥処理装置に
搬送される。このため、スリットコーターおよび減圧乾
燥処理装置がそれぞれ別々に基板処理ラインシステム上
に組み込まれるので、基板処理ラインシステムが大型に
なるという問題があった。
【０００８】本発明は上記課題を解決するためになされ
たものである。従って、本発明は装置の小型化が実現で
きる薄膜形成装置の提供を目的とする。さらに、本発明
は基板の取り扱いがスムースに行え生産性が向上できる
薄膜形成方法の提供を目的とする。
たものである。従って、本発明は装置の小型化が実現で
きる薄膜形成装置の提供を目的とする。さらに、本発明
は基板の取り扱いがスムースに行え生産性が向上できる
薄膜形成方法の提供を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１に記載された発明は、基板の表面に薄膜を
形成する薄膜形成装置において、前記基板を保持する基
板保持部と、一方向に延びる処理液供給口を有し、前記
基板保持部に保持された前記基板の表面に沿って相対移
動しながら前記基板の表面に処理液を供給するノズルを
含む処理液供給手段と、前記基板保持部に保持された前
記基板をその表面側の空間とともに密閉するチャンバ室
と、前記チャンバ室内を減圧する減圧手段と、を備えた
ことを特徴とする。
に、請求項１に記載された発明は、基板の表面に薄膜を
形成する薄膜形成装置において、前記基板を保持する基
板保持部と、一方向に延びる処理液供給口を有し、前記
基板保持部に保持された前記基板の表面に沿って相対移
動しながら前記基板の表面に処理液を供給するノズルを
含む処理液供給手段と、前記基板保持部に保持された前
記基板をその表面側の空間とともに密閉するチャンバ室
と、前記チャンバ室内を減圧する減圧手段と、を備えた
ことを特徴とする。
【００１０】請求項２に記載された発明は、請求項１に
記載の薄膜形成装置において、前記基板保持部が基板を
傾斜させた姿勢で保持することを特徴とする。
記載の薄膜形成装置において、前記基板保持部が基板を
傾斜させた姿勢で保持することを特徴とする。
【００１１】請求項３に記載された発明は、請求項２に
記載の薄膜形成装置において、前記減圧手段により前記
チャンバ室を減圧した際に基板保持部から基板が脱落す
ることを防止する基板ストッパーを有することを特徴と
する。
記載の薄膜形成装置において、前記減圧手段により前記
チャンバ室を減圧した際に基板保持部から基板が脱落す
ることを防止する基板ストッパーを有することを特徴と
する。
【００１２】請求項４に記載された発明は、請求項１か
ら請求項３のいずれかに記載の薄膜形成装置において、
閉止状態で前記基板保持部とともに前記チャンバ室を形
成する開閉自在なチャンバ蓋を有することを特徴とす
る。
ら請求項３のいずれかに記載の薄膜形成装置において、
閉止状態で前記基板保持部とともに前記チャンバ室を形
成する開閉自在なチャンバ蓋を有することを特徴とす
る。
【００１３】請求項５に記載された発明は、基板の表面
に薄膜を形成する薄膜形成方法において、基板保持部に
保持された基板の表面に帯状に処理液を供給して、基板
の表面のほぼ全面に亘って処理液を塗布する処理液塗布
工程と、前記基板保持部に保持された前記基板をその表
面側の空間とともに密閉するチャンバ室を形成するチャ
ンバ室形成工程と、前記チャンバ室内を減圧して、基板
の表面に塗布された処理液を減圧乾燥する減圧乾燥工程
と、を含むことを特徴とする。
に薄膜を形成する薄膜形成方法において、基板保持部に
保持された基板の表面に帯状に処理液を供給して、基板
の表面のほぼ全面に亘って処理液を塗布する処理液塗布
工程と、前記基板保持部に保持された前記基板をその表
面側の空間とともに密閉するチャンバ室を形成するチャ
ンバ室形成工程と、前記チャンバ室内を減圧して、基板
の表面に塗布された処理液を減圧乾燥する減圧乾燥工程
と、を含むことを特徴とする。
【００１４】請求項６に記載された発明は、前記処理液
塗布工程が基板保持手段により基板を傾斜させた姿勢で
保持しつつ行われることを特徴とする。
塗布工程が基板保持手段により基板を傾斜させた姿勢で
保持しつつ行われることを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】実施形態１ 以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は本
発明の実施形態１に係る縦型（垂直型）薄膜形成装置の
概略構成図である。図１に示すように、縦型薄膜形成装
置は基板ステージ１、スリットコーター２およびチャン
バ室蓋３を備える。
発明の実施形態１に係る縦型（垂直型）薄膜形成装置の
概略構成図である。図１に示すように、縦型薄膜形成装
置は基板ステージ１、スリットコーター２およびチャン
バ室蓋３を備える。
【００１６】前記縦型薄膜形成装置の基板ステージ１に
は基板４が載置保持され、基板ステージ１は基板保持部
として使用される。基板ステージ１は本実施形態におい
て傾斜した状態で図示しない装置本体フレームに支持さ
れ、この基板ステージ１は水平姿勢よりも大きく垂直姿
勢までの範囲（垂直姿勢も含む）において基板４を傾斜
した姿勢で保持できる。本実施形態において基板４には
液晶表示装置に使用されるガラス基板が使用される。ま
た、基板には他にプリント配線基板、半導体基板、フォ
トマスクのガラス基板、サーマルヘッド製造用のセラミ
ックス基板などの基板が使用できる。
は基板４が載置保持され、基板ステージ１は基板保持部
として使用される。基板ステージ１は本実施形態におい
て傾斜した状態で図示しない装置本体フレームに支持さ
れ、この基板ステージ１は水平姿勢よりも大きく垂直姿
勢までの範囲（垂直姿勢も含む）において基板４を傾斜
した姿勢で保持できる。本実施形態において基板４には
液晶表示装置に使用されるガラス基板が使用される。ま
た、基板には他にプリント配線基板、半導体基板、フォ
トマスクのガラス基板、サーマルヘッド製造用のセラミ
ックス基板などの基板が使用できる。
【００１７】基板ステージ１には厚さ方向に貫通する複
数の吸着孔１７および複数のリフトピンガイド孔１８が
配設される。前記吸着孔１７には吸着用配管１１および
バルブ１２を通して吸着装置１３が連接される。基板ス
テージ１の表面上に載置された基板４は吸着装置１３に
より基板ステージ１の表面上に吸着保持される。
数の吸着孔１７および複数のリフトピンガイド孔１８が
配設される。前記吸着孔１７には吸着用配管１１および
バルブ１２を通して吸着装置１３が連接される。基板ス
テージ１の表面上に載置された基板４は吸着装置１３に
より基板ステージ１の表面上に吸着保持される。
【００１８】前記リフトピンガイド孔１８は前記吸着孔
１７とは別に配設され、このリフトピンガイド孔１８に
おいてはリフトピン１４が基板ステージ１の表面に対し
て直交する方向にガイドされる。リフトピン１４にはこ
のリフトピン１４を上記直交する方向に駆動するリフト
ピン駆動装置１５が連結される。リフトピン１４の上側
先端はリフトピン駆動装置１５により基板ステージ１の
表面よりも上方向に突出しまた表面よりも下方向に降下
する。つまり、リフトピン１４は基板ステージ１の表面
上に吸着保持され基板ステージ１に密着した基板４を裏
面側から押し上げて基板ステージ１の表面から基板４を
離脱する。リフトピン駆動装置１５には例えば空気圧シ
リンダーなどの駆動装置、モーター及びこのモーターの
回転運動を上下方向の運動に変換する変換機構を備えた
駆動装置などが使用できる。
１７とは別に配設され、このリフトピンガイド孔１８に
おいてはリフトピン１４が基板ステージ１の表面に対し
て直交する方向にガイドされる。リフトピン１４にはこ
のリフトピン１４を上記直交する方向に駆動するリフト
ピン駆動装置１５が連結される。リフトピン１４の上側
先端はリフトピン駆動装置１５により基板ステージ１の
表面よりも上方向に突出しまた表面よりも下方向に降下
する。つまり、リフトピン１４は基板ステージ１の表面
上に吸着保持され基板ステージ１に密着した基板４を裏
面側から押し上げて基板ステージ１の表面から基板４を
離脱する。リフトピン駆動装置１５には例えば空気圧シ
リンダーなどの駆動装置、モーター及びこのモーターの
回転運動を上下方向の運動に変換する変換機構を備えた
駆動装置などが使用できる。
【００１９】基板ステージ１の表面上の下部には基板ス
トッパー１６が配設され、この基板ストッパー１６は基
板ステージ１に傾斜した姿勢で載置保持された基板４の
脱落を防止する。特に基板ストッパー１６においては、
後述する減圧チャンバ室内部が減圧され減圧チャンバ室
内部の圧力と基板４を吸着保持する吸着孔１７内の圧力
との間の圧力差が小さくなり、基板４の吸着保持が維持
できずに基板４が脱落する場合に効果を発揮する。基板
ストッパー１６はピン、板状部材などで形成される。
トッパー１６が配設され、この基板ストッパー１６は基
板ステージ１に傾斜した姿勢で載置保持された基板４の
脱落を防止する。特に基板ストッパー１６においては、
後述する減圧チャンバ室内部が減圧され減圧チャンバ室
内部の圧力と基板４を吸着保持する吸着孔１７内の圧力
との間の圧力差が小さくなり、基板４の吸着保持が維持
できずに基板４が脱落する場合に効果を発揮する。基板
ストッパー１６はピン、板状部材などで形成される。
【００２０】さらに、前記基板ステージ１は減圧チャン
バ室の下側チャンバを形成し、基板ステージ１はチャン
バ室蓋３とともに開閉可能な減圧チャンバ室を形成す
る。本実施形態においては下側チャンバを形成する基板
ステージ１は装置本体フレームに固定され、チャンバ室
蓋３が基板ステージ１の表面に対して垂直方向に移動
し、減圧チャンバ室の開閉動作が行われる。
バ室の下側チャンバを形成し、基板ステージ１はチャン
バ室蓋３とともに開閉可能な減圧チャンバ室を形成す
る。本実施形態においては下側チャンバを形成する基板
ステージ１は装置本体フレームに固定され、チャンバ室
蓋３が基板ステージ１の表面に対して垂直方向に移動
し、減圧チャンバ室の開閉動作が行われる。
【００２１】前記スリットコーター２は、傾斜した姿勢
において基板ステージ１に載置保持された基板４の表面
上にフォトレジスト薄膜２１を供給し、このフォトレジ
スト薄膜２１を塗布する。スリットコーター２はコータ
ー駆動装置２２に連結され、このスリットコーター２は
コーター駆動装置２２により基板４の表面上を上側から
下側に向かって移動しながら一度で最終目的の膜厚を有
するフォトレジスト薄膜２１を塗布する。スリットコー
ター２において塗布された直後のフォトレジスト薄膜２
１はウエット状態である。なお、スリットコーター２に
は、基板ステージ１の表面に載置保持された基板４の表
面上において、左右に移動する方式のものが使用でき
る。
において基板ステージ１に載置保持された基板４の表面
上にフォトレジスト薄膜２１を供給し、このフォトレジ
スト薄膜２１を塗布する。スリットコーター２はコータ
ー駆動装置２２に連結され、このスリットコーター２は
コーター駆動装置２２により基板４の表面上を上側から
下側に向かって移動しながら一度で最終目的の膜厚を有
するフォトレジスト薄膜２１を塗布する。スリットコー
ター２において塗布された直後のフォトレジスト薄膜２
１はウエット状態である。なお、スリットコーター２に
は、基板ステージ１の表面に載置保持された基板４の表
面上において、左右に移動する方式のものが使用でき
る。
【００２２】前記チャンバ室蓋３は前述のように下側チ
ャンバとしても使用される基板ステージ１とともに開閉
可能な減圧チャンバ室を形成する。チャンバ室蓋３はチ
ャンバ駆動装置３４に連結され、このチャンバ駆動装置
３４はチャンバ室蓋３を基板ステージ１の表面に対して
垂直方向に移動し減圧チャンバ室の開閉動作を行う。チ
ャンバ駆動装置３４には前述と同様に空気圧シリンダー
などの駆動装置が使用できる。チャンバ室蓋３には厚さ
方向に減圧孔３５が配設され、この減圧孔３５には減圧
配管３１およびバルブ３２を通して減圧装置３３が連接
される。減圧装置３３は基板ステージ１およびチャンバ
室蓋３で形成される閉止状態の減圧チャンバ室内部を減
圧する。減圧チャンバ室においては、基板４の表面上に
塗布されたウエット状態のフォトレジスト薄膜２１に減
圧乾燥が行われる。
ャンバとしても使用される基板ステージ１とともに開閉
可能な減圧チャンバ室を形成する。チャンバ室蓋３はチ
ャンバ駆動装置３４に連結され、このチャンバ駆動装置
３４はチャンバ室蓋３を基板ステージ１の表面に対して
垂直方向に移動し減圧チャンバ室の開閉動作を行う。チ
ャンバ駆動装置３４には前述と同様に空気圧シリンダー
などの駆動装置が使用できる。チャンバ室蓋３には厚さ
方向に減圧孔３５が配設され、この減圧孔３５には減圧
配管３１およびバルブ３２を通して減圧装置３３が連接
される。減圧装置３３は基板ステージ１およびチャンバ
室蓋３で形成される閉止状態の減圧チャンバ室内部を減
圧する。減圧チャンバ室においては、基板４の表面上に
塗布されたウエット状態のフォトレジスト薄膜２１に減
圧乾燥が行われる。
【００２３】次に、前述の縦型薄膜形成装置の薄膜形成
方法について説明する。図２乃至図５は各工程ごとに示
す薄膜形成装置の概略構成図である。
方法について説明する。図２乃至図５は各工程ごとに示
す薄膜形成装置の概略構成図である。
【００２４】（１）まず、図２に示すように、基板ステ
ージ１およびチャンバ室蓋３で形成される減圧チャンバ
室が開いた状態において、基板ステージ１の表面上に基
板４が傾斜した姿勢で載置され、この基板４が基板ステ
ージ１に保持される。基板４の載置は図示しない基板搬
送用ロボットにより自動的に行われる。基板４の保持は
前述の図１に示す吸着装置１３により行われる。
ージ１およびチャンバ室蓋３で形成される減圧チャンバ
室が開いた状態において、基板ステージ１の表面上に基
板４が傾斜した姿勢で載置され、この基板４が基板ステ
ージ１に保持される。基板４の載置は図示しない基板搬
送用ロボットにより自動的に行われる。基板４の保持は
前述の図１に示す吸着装置１３により行われる。
【００２５】（２）図３に示すように、減圧チャンバ室
が開いた状態において、基板ステージ１に傾斜した姿勢
で載置保持された基板４の表面上にスリットコーター２
によりフォトレジスト薄膜２１が塗布される。スリット
コーター２は前述の図１に示すコーター駆動装置２２に
より基板４の上側から下側に向かって移動しながら一度
に最終目的の膜厚を有するフォトレジスト薄膜２１を塗
布する。フォトレジスト薄膜２１は基板４のほぼ全面に
亘って帯状に塗布される。塗布直後のフォトレジスト薄
膜２１はウエット状態である。
が開いた状態において、基板ステージ１に傾斜した姿勢
で載置保持された基板４の表面上にスリットコーター２
によりフォトレジスト薄膜２１が塗布される。スリット
コーター２は前述の図１に示すコーター駆動装置２２に
より基板４の上側から下側に向かって移動しながら一度
に最終目的の膜厚を有するフォトレジスト薄膜２１を塗
布する。フォトレジスト薄膜２１は基板４のほぼ全面に
亘って帯状に塗布される。塗布直後のフォトレジスト薄
膜２１はウエット状態である。
【００２６】（３）スリットコーター２が待機位置に戻
ると、この後に図４に示すようにチャンバ室蓋３が基板
ステージ１の表面に向って移動し、このチャンバ室蓋３
が基板ステージ１の表面に当接することにより減圧チャ
ンバ室が閉止され、減圧チャンバ室内部が気密状態に維
持される。ウエット状態にありかつ傾斜した姿勢で基板
ステージ１に保持される基板４はそのまま減圧チャンバ
室内部に収納される。チャンバ室蓋３の移動、つまり減
圧チャンバ室の閉止は前述の図１に示すチャンバ駆動装
置３４により行われる。そして、図１に示す減圧装置３
３により減圧チャンバ室内部が減圧され、基板４の表面
に塗布されたフォトレジスト薄膜２１に減圧乾燥処理が
施され、フォトレジスト薄膜２１の減圧乾燥が行われ
る。
ると、この後に図４に示すようにチャンバ室蓋３が基板
ステージ１の表面に向って移動し、このチャンバ室蓋３
が基板ステージ１の表面に当接することにより減圧チャ
ンバ室が閉止され、減圧チャンバ室内部が気密状態に維
持される。ウエット状態にありかつ傾斜した姿勢で基板
ステージ１に保持される基板４はそのまま減圧チャンバ
室内部に収納される。チャンバ室蓋３の移動、つまり減
圧チャンバ室の閉止は前述の図１に示すチャンバ駆動装
置３４により行われる。そして、図１に示す減圧装置３
３により減圧チャンバ室内部が減圧され、基板４の表面
に塗布されたフォトレジスト薄膜２１に減圧乾燥処理が
施され、フォトレジスト薄膜２１の減圧乾燥が行われ
る。
【００２７】この時、減圧チャンバ室内部が減圧され減
圧チャンバ室の圧力と基板４を吸着保持する吸着孔１７
内の圧力（真空圧）との間の圧力差が小さくなり、基板
４の吸着保持力が低下するが、基板ステージ１には基板
ストッパー１６が配設されているので、基板４が基板ス
テージ１から脱落することがない。
圧チャンバ室の圧力と基板４を吸着保持する吸着孔１７
内の圧力（真空圧）との間の圧力差が小さくなり、基板
４の吸着保持力が低下するが、基板ステージ１には基板
ストッパー１６が配設されているので、基板４が基板ス
テージ１から脱落することがない。
【００２８】（４）そして、図５に示すようにチャンバ
室蓋３が移動し、減圧チャンバ室が開放される。基板４
は吸着保持により基板ステージ１の表面に密着してしま
うので、リフトピン１４を基板ステージ１の表面よりも
突出させ基板４の裏面を押し上げることにより基板ステ
ージ１の表面から基板４が離脱する。この後に図示しな
い基板搬送用ロボットのハンドに基板４が挟持され、次
段の処理装置に基板４が搬送される。
室蓋３が移動し、減圧チャンバ室が開放される。基板４
は吸着保持により基板ステージ１の表面に密着してしま
うので、リフトピン１４を基板ステージ１の表面よりも
突出させ基板４の裏面を押し上げることにより基板ステ
ージ１の表面から基板４が離脱する。この後に図示しな
い基板搬送用ロボットのハンドに基板４が挟持され、次
段の処理装置に基板４が搬送される。
【００２９】このように、本実施形態に係る縦型薄膜形
成装置においては、スリットコーター２および減圧チャ
ンバ室（下側チャンバを形成する基板ステージ１および
チャンバ室蓋３）がほぼ同一スペースに配置され、スリ
ットコーター２により基板４の表面にフォトレジスト薄
膜２１を塗布した後、この塗布した場所でフォトレジス
ト薄膜２１の減圧乾燥処理が行われる。従って、縦型薄
膜形成装置の小型化が実現できる。さらに、縦型薄膜形
成装置は基板４を傾斜した姿勢で保持できる構成を採用
しているので、装置全体の占有面積が減少し、より一層
小型化が実現できる。
成装置においては、スリットコーター２および減圧チャ
ンバ室（下側チャンバを形成する基板ステージ１および
チャンバ室蓋３）がほぼ同一スペースに配置され、スリ
ットコーター２により基板４の表面にフォトレジスト薄
膜２１を塗布した後、この塗布した場所でフォトレジス
ト薄膜２１の減圧乾燥処理が行われる。従って、縦型薄
膜形成装置の小型化が実現できる。さらに、縦型薄膜形
成装置は基板４を傾斜した姿勢で保持できる構成を採用
しているので、装置全体の占有面積が減少し、より一層
小型化が実現できる。
【００３０】さらに、前記縦型薄膜形成装置において
は、基板４にフォトレジスト薄膜２１を塗布した後に塗
布した場所でフォトレジスト薄膜２１が乾燥できるの
で、フォトレジスト薄膜２１に与える損傷が減少し、基
板４の取り扱いが簡単に行える。従って、基板４の搬送
がスムースに行えるので、生産性が向上できる。
は、基板４にフォトレジスト薄膜２１を塗布した後に塗
布した場所でフォトレジスト薄膜２１が乾燥できるの
で、フォトレジスト薄膜２１に与える損傷が減少し、基
板４の取り扱いが簡単に行える。従って、基板４の搬送
がスムースに行えるので、生産性が向上できる。
【００３１】実施形態２ 本実施形態２は横型（水平型）薄膜形成装置について説
明する。図６は本発明の実施形態２に係る横型薄膜形成
装置の概略構成図である。図６に示す横型薄膜形成装置
の基本的構造は前述の縦型薄膜形成装置の構造と同様で
あるが、横型薄膜形成装置は基板４を水平姿勢に保持す
る構成が縦型薄膜形成装置の構成と異なる。つまり、横
型薄膜形成装置においては、基板ステージ１は水平姿勢
で基板４を載置保持し、スリットコーター２は水平姿勢
に保持された基板４の表面にフォトレジスト薄膜２１を
塗布し、チャンバ室蓋３は基板ステージ１の表面に対し
て上下方向に移動し減圧チャンバ室の開閉を行う。
明する。図６は本発明の実施形態２に係る横型薄膜形成
装置の概略構成図である。図６に示す横型薄膜形成装置
の基本的構造は前述の縦型薄膜形成装置の構造と同様で
あるが、横型薄膜形成装置は基板４を水平姿勢に保持す
る構成が縦型薄膜形成装置の構成と異なる。つまり、横
型薄膜形成装置においては、基板ステージ１は水平姿勢
で基板４を載置保持し、スリットコーター２は水平姿勢
に保持された基板４の表面にフォトレジスト薄膜２１を
塗布し、チャンバ室蓋３は基板ステージ１の表面に対し
て上下方向に移動し減圧チャンバ室の開閉を行う。
【００３２】
【発明の効果】請求項１に記載された発明においては、
前記基板を載置保持する基板保持部が減圧チャンバ室の
一部を形成し、基板保持部に基板を載置保持した状態で
基板の表面に薄膜が塗布され、この薄膜が塗布された位
置において薄膜の減圧乾燥が行える。従って、処理液供
給手段と減圧チャンバ室とが重複したスペースに配置で
きるので、薄膜形成装置の小型化が図れる。
前記基板を載置保持する基板保持部が減圧チャンバ室の
一部を形成し、基板保持部に基板を載置保持した状態で
基板の表面に薄膜が塗布され、この薄膜が塗布された位
置において薄膜の減圧乾燥が行える。従って、処理液供
給手段と減圧チャンバ室とが重複したスペースに配置で
きるので、薄膜形成装置の小型化が図れる。
【００３３】請求項２に記載された発明においては、前
記基板を傾斜した姿勢にしたまま基板の表面に薄膜が塗
布されかつ薄膜の減圧乾燥が行えるので、基板保持部、
処理液供給手段、チャンバ室蓋が集中的に配設でき、こ
れらの配置面積が減少できるので、より一層基板処理装
置の小型化が図れる。
記基板を傾斜した姿勢にしたまま基板の表面に薄膜が塗
布されかつ薄膜の減圧乾燥が行えるので、基板保持部、
処理液供給手段、チャンバ室蓋が集中的に配設でき、こ
れらの配置面積が減少できるので、より一層基板処理装
置の小型化が図れる。
【００３４】請求項３に記載された発明においては、基
板保持部に傾斜した姿勢で保持された基板が減圧乾燥処
理中に脱落することを防止できる。
板保持部に傾斜した姿勢で保持された基板が減圧乾燥処
理中に脱落することを防止できる。
【００３５】請求項５に記載された発明においては、基
板保持部に載置保持された基板表面に処理液供給手段に
より薄膜が塗布され、この直後に薄膜が表面に塗布され
た基板に減圧乾燥が行えるので、薄膜が乾燥した状態に
おいて基板の取り扱いが行える。この結果、基板がスム
ースに搬送できるので、生産性が向上できる。
板保持部に載置保持された基板表面に処理液供給手段に
より薄膜が塗布され、この直後に薄膜が表面に塗布され
た基板に減圧乾燥が行えるので、薄膜が乾燥した状態に
おいて基板の取り扱いが行える。この結果、基板がスム
ースに搬送できるので、生産性が向上できる。
【図１】 本発明の実施形態１に係る縦型薄膜形成装置
の概略構成図である。
の概略構成図である。
【図２】 薄膜形成方法を説明する第１工程における縦
型薄膜形成装置の概略構成図である。
型薄膜形成装置の概略構成図である。
【図３】 第２工程における縦型薄膜形成装置の概略構
成図である。
成図である。
【図４】 第３工程における縦型薄膜形成装置の概略構
成図である。
成図である。
【図５】 第４工程における縦型薄膜形成装置の概略構
成図である。
成図である。
【図６】 本発明の実施形態２に係る横型薄膜形成装置
の概略構成図である。
の概略構成図である。
１ 基板ステージ、１３ 吸着装置、１４ リフトピ
ン、１５ リフトピン駆動装置、１６ 基板ストッパ
ー、２ スリットコーター、２１ フォトレジスト薄
膜、２２ コーター駆動装置、３ チャンバ室蓋、３３
減圧装置。
ン、１５ リフトピン駆動装置、１６ 基板ストッパ
ー、２ スリットコーター、２１ フォトレジスト薄
膜、２２ コーター駆動装置、３ チャンバ室蓋、３３
減圧装置。
Claims (6)
- 【請求項１】 基板の表面に薄膜を形成する薄膜形成装
置において、 前記基板を保持する基板保持部と、 一方向に延びる処理液供給口を有し、前記基板保持部に
保持された前記基板の表面に沿って相対移動しながら前
記基板の表面に処理液を供給するノズルを含む処理液供
給手段と、 前記基板保持部に保持された前記基板をその表面側の空
間とともに密閉するチャンバ室と、 前記チャンバ室内を減圧する減圧手段と、を備えたこと
を特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の薄膜形成装置におい
て、 前記基板保持部が基板を傾斜させた姿勢で保持すること
を特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項３】 請求項２に記載の薄膜形成装置におい
て、 前記減圧手段により前記チャンバ室を減圧した際に基板
保持部から基板が脱落することを防止する基板ストッパ
ーを有することを特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項４】 請求項１から請求項３のいずれかに記載
の薄膜形成装置において、 閉止状態で前記基板保持部とともに前記チャンバ室を形
成する開閉自在なチャンバ蓋を有することを特徴とする
薄膜形成装置。 - 【請求項５】 基板の表面に薄膜を形成する薄膜形成方
法において、 基板保持部に保持された基板の表面に帯状に処理液を供
給して、基板の表面のほぼ全面に亘って処理液を塗布す
る処理液塗布工程と、 前記基板保持部に保持された前記基板をその表面側の空
間とともに密閉するチャンバ室を形成するチャンバ室形
成工程と、 前記チャンバ室内を減圧して、基板の表面に塗布された
処理液を減圧乾燥する減圧乾燥工程と、を含むことを特
徴とする薄膜形成方法。 - 【請求項６】 請求項５の薄膜形成方法において、 前記処理液塗布工程が基板保持手段により基板を傾斜さ
せた姿勢で保持しつつ行われることを特徴とする薄膜形
成方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04292196A JP3462657B2 (ja) | 1996-02-29 | 1996-02-29 | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
| US08/807,321 US6120834A (en) | 1996-02-29 | 1997-02-27 | Apparatus for forming film and method for forming film |
| KR1019970006623A KR100319483B1 (ko) | 1996-02-29 | 1997-02-28 | 박막형성장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04292196A JP3462657B2 (ja) | 1996-02-29 | 1996-02-29 | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09237748A true JPH09237748A (ja) | 1997-09-09 |
| JP3462657B2 JP3462657B2 (ja) | 2003-11-05 |
Family
ID=12649494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04292196A Expired - Fee Related JP3462657B2 (ja) | 1996-02-29 | 1996-02-29 | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6120834A (ja) |
| JP (1) | JP3462657B2 (ja) |
| KR (1) | KR100319483B1 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020008780A (ko) * | 2000-07-20 | 2002-01-31 | 조셉 제이. 스위니 | 기판을 디처킹하기 위한 방법 및 장치 |
| JP2007271774A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Hoya Corp | マスクブランク及びフォトマスク |
| US7416758B2 (en) | 2004-12-31 | 2008-08-26 | Lg Display Co., Ltd. | Slit coater |
| US7449069B2 (en) | 2004-12-28 | 2008-11-11 | Lg Display Co., Ltd. | Slit coater having apparatus for supplying a coating solution |
| US7647884B2 (en) | 2004-12-31 | 2010-01-19 | Lg. Display Co., Ltd. | Slit coater with a standby unit for a nozzle and a coating method using the same |
| US7914843B2 (en) | 2004-12-31 | 2011-03-29 | Lg Display Co., Ltd. | Slit coater having pre-applying unit and coating method using the same |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19906398B4 (de) * | 1999-02-16 | 2004-04-29 | Steag Hamatech Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Substraten |
| KR100664423B1 (ko) * | 1999-09-27 | 2007-01-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치의 배향막 형성방법 |
| TW471015B (en) * | 1999-10-26 | 2002-01-01 | Tokyo Electron Ltd | Solution processing apparatus |
| US6676757B2 (en) * | 1999-12-17 | 2004-01-13 | Tokyo Electron Limited | Coating film forming apparatus and coating unit |
| US6709699B2 (en) | 2000-09-27 | 2004-03-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Film-forming method, film-forming apparatus and liquid film drying apparatus |
| JP3967618B2 (ja) * | 2001-04-17 | 2007-08-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の処理方法及び基板の処理システム |
| KR100566840B1 (ko) | 2002-01-30 | 2006-04-03 | 가부시끼가이샤 도시바 | 성막 방법 및 성막 장치 |
| KR100550548B1 (ko) * | 2003-09-30 | 2006-02-10 | 엘지전자 주식회사 | 평판 디스플레이 패널의 형광막 형성장치 |
| US7699021B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-04-20 | Sokudo Co., Ltd. | Cluster tool substrate throughput optimization |
| US7819079B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-10-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes |
| US7798764B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool |
| US7651306B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian robot cluster tool architecture |
| US20060130767A1 (en) | 2004-12-22 | 2006-06-22 | Applied Materials, Inc. | Purged vacuum chuck with proximity pins |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4696885A (en) * | 1983-09-06 | 1987-09-29 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method of forming a large surface area integrated circuit |
| US4858558A (en) * | 1988-01-25 | 1989-08-22 | Nippon Kokan Kabushiki Kaisha | Film forming apparatus |
| JP2756596B2 (ja) * | 1989-09-13 | 1998-05-25 | 東京応化工業 株式会社 | 被膜形成装置 |
| TW254030B (en) * | 1994-03-18 | 1995-08-11 | Anelva Corp | Mechanic escape mechanism for substrate |
| JP3029767B2 (ja) * | 1994-04-07 | 2000-04-04 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 薄膜形成装置 |
| JP3492771B2 (ja) * | 1994-07-15 | 2004-02-03 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板への塗布液塗布装置 |
| US5591362A (en) * | 1995-02-03 | 1997-01-07 | The Miller Group, Ltd. | Idle solenoid for engine driven welder |
-
1996
- 1996-02-29 JP JP04292196A patent/JP3462657B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-02-27 US US08/807,321 patent/US6120834A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-02-28 KR KR1019970006623A patent/KR100319483B1/ko not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3462657B2 (ja) | 2003-11-05 |
| US6120834A (en) | 2000-09-19 |
| KR970063518A (ko) | 1997-09-12 |
| KR100319483B1 (ko) | 2002-04-22 |
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