JPH06244093A - 基板保持方法ならびにそれを用いた薄膜多層基板の製造方法および装置 - Google Patents
基板保持方法ならびにそれを用いた薄膜多層基板の製造方法および装置Info
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- JPH06244093A JPH06244093A JP2777793A JP2777793A JPH06244093A JP H06244093 A JPH06244093 A JP H06244093A JP 2777793 A JP2777793 A JP 2777793A JP 2777793 A JP2777793 A JP 2777793A JP H06244093 A JPH06244093 A JP H06244093A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 表裏両面に薄膜層による製品パターンが形成
される薄膜多層基板の基板処理工程において、基板を真
空吸着する場合に製品パターン部の汚染、損傷を防止し
て製品不良を低減できる薄膜多層基板の製造技術を提供
する。 【構成】 基板の薄膜製造工程のレジスト塗布、現像、
エッチング、絶縁膜塗布のように基板を回転させて表面
処理を行なう工程に用いられる製造装置であって、基板
１の裏面周辺の複数個所を吸着する複数の真空吸着パッ
ド２〜５を有し、この複数の真空吸着パッド２〜５が独
立に動作可能な機能を有するスピンチャック６などから
構成されている。そして、基板１との隙間がある真空吸
着パッド２を上下動作させて隙間を全てなくした後に、
管通路７を通じて真空源８により基板１が真空吸着パッ
ド２〜５に吸着保持される。
される薄膜多層基板の基板処理工程において、基板を真
空吸着する場合に製品パターン部の汚染、損傷を防止し
て製品不良を低減できる薄膜多層基板の製造技術を提供
する。 【構成】 基板の薄膜製造工程のレジスト塗布、現像、
エッチング、絶縁膜塗布のように基板を回転させて表面
処理を行なう工程に用いられる製造装置であって、基板
１の裏面周辺の複数個所を吸着する複数の真空吸着パッ
ド２〜５を有し、この複数の真空吸着パッド２〜５が独
立に動作可能な機能を有するスピンチャック６などから
構成されている。そして、基板１との隙間がある真空吸
着パッド２を上下動作させて隙間を全てなくした後に、
管通路７を通じて真空源８により基板１が真空吸着パッ
ド２〜５に吸着保持される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板保持方法およびそ
れを用いた薄膜多層基板の製造技術に関し、特にセラミ
ック基板などの表裏両面に薄膜層を積層する薄膜多層基
板の製造工程において、製品パターン部の汚染、損傷防
止による製品不良の低減が可能とされる基板保持方法な
らびにそれを用いた薄膜多層基板の製造方法および装置
に適用して有効な技術に関する。
れを用いた薄膜多層基板の製造技術に関し、特にセラミ
ック基板などの表裏両面に薄膜層を積層する薄膜多層基
板の製造工程において、製品パターン部の汚染、損傷防
止による製品不良の低減が可能とされる基板保持方法な
らびにそれを用いた薄膜多層基板の製造方法および装置
に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、半導体などの薄膜製造工程の
レジスト塗布、現像、エッチング、絶縁膜塗布などの様
に基板を回転させて表面処理を行なう工程においては、
特開昭５９−８３４０号公報に記載されるエッチング装
置のように、真空吸着チャックにより基板裏面の中央付
近を吸着する基板保持方法が用いられている。
レジスト塗布、現像、エッチング、絶縁膜塗布などの様
に基板を回転させて表面処理を行なう工程においては、
特開昭５９−８３４０号公報に記載されるエッチング装
置のように、真空吸着チャックにより基板裏面の中央付
近を吸着する基板保持方法が用いられている。
【０００３】この基板保持方法は、基板裏面に製品パタ
ーンを形成しない基板に対しては有効な方法であり、最
も広く用いられている。しかしながら、基板裏面に製品
パターンを形成する基板に対しては、製品パターン部を
汚染、損傷し、製品不良となる恐れがある。
ーンを形成しない基板に対しては有効な方法であり、最
も広く用いられている。しかしながら、基板裏面に製品
パターンを形成する基板に対しては、製品パターン部を
汚染、損傷し、製品不良となる恐れがある。
【０００４】これを解決する第１の方法として、基板裏
面に予めレジスト膜を形成して保護膜とし、基板裏面吸
着時の製品パターン部の汚染、損傷を防止して製品不良
をなくし、保護膜が不要となった時点で保護膜を除去す
る方法が考えられる。
面に予めレジスト膜を形成して保護膜とし、基板裏面吸
着時の製品パターン部の汚染、損傷を防止して製品不良
をなくし、保護膜が不要となった時点で保護膜を除去す
る方法が考えられる。
【０００５】また、第２の方法として、製品として使用
する基板裏面の中央付近は吸着せず、製品として使用し
ない基板裏面の周辺部のみを吸着する基板保持方法が考
えられる。
する基板裏面の中央付近は吸着せず、製品として使用し
ない基板裏面の周辺部のみを吸着する基板保持方法が考
えられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記のよう
な従来技術、たとえば第１の保護膜法においては、製造
工程数が多くなり、製品パターン部の膜構成によっては
保護性と除去性を両立させることができず、製品パター
ン部の汚染、損傷を完全に防止して製品不良をなくすこ
とが困難である。
な従来技術、たとえば第１の保護膜法においては、製造
工程数が多くなり、製品パターン部の膜構成によっては
保護性と除去性を両立させることができず、製品パター
ン部の汚染、損傷を完全に防止して製品不良をなくすこ
とが困難である。
【０００７】一方、第２の基板裏面周辺吸着法において
は、一般に基板周辺では基板の平坦性が悪く、このよう
に基板の平坦性が悪い場合には基板と吸着パッドの間に
隙間ができて真空漏れとなり、基板吸着が不十分で基板
保持ができなくなる。
は、一般に基板周辺では基板の平坦性が悪く、このよう
に基板の平坦性が悪い場合には基板と吸着パッドの間に
隙間ができて真空漏れとなり、基板吸着が不十分で基板
保持ができなくなる。
【０００８】従って、従来の保護膜法および基板裏面周
辺吸着法は、いずれも薄膜多層配線基板のように基板の
表裏両面に製品パターンが有る基板の製造工程における
基板処理には良好に適用できないという問題がある。
辺吸着法は、いずれも薄膜多層配線基板のように基板の
表裏両面に製品パターンが有る基板の製造工程における
基板処理には良好に適用できないという問題がある。
【０００９】そこで、本発明の目的は、特に表裏両面に
薄膜層による製品パターンが形成される薄膜多層基板の
基板処理工程において、基板処理面の反対側の面を真空
吸着する基板保持方法を用いる場合でも、製品パターン
部の汚染、損傷を防止して製品不良を低減することがで
きる基板保持方法ならびにそれを用いた薄膜多層基板の
製造方法および装置を提供することにある。
薄膜層による製品パターンが形成される薄膜多層基板の
基板処理工程において、基板処理面の反対側の面を真空
吸着する基板保持方法を用いる場合でも、製品パターン
部の汚染、損傷を防止して製品不良を低減することがで
きる基板保持方法ならびにそれを用いた薄膜多層基板の
製造方法および装置を提供することにある。
【００１０】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００１２】すなわち、本発明の基板保持方法は、基板
の裏面周辺の複数個所を吸着する複数の真空吸着パッド
を有し、この複数の真空吸着パッドが独立に動作可能な
機能を有するチャックを備え、このチャックにより基板
を保持するものである。
の裏面周辺の複数個所を吸着する複数の真空吸着パッド
を有し、この複数の真空吸着パッドが独立に動作可能な
機能を有するチャックを備え、このチャックにより基板
を保持するものである。
【００１３】この場合に、前記複数の真空吸着パッドの
うちの３個所を固定し、残りの真空吸着パッドを独立に
動作可能とするようにしたものである。
うちの３個所を固定し、残りの真空吸着パッドを独立に
動作可能とするようにしたものである。
【００１４】さらに、前記複数の真空吸着パッド毎に独
立な真空源により真空吸着するようにしたものである。
立な真空源により真空吸着するようにしたものである。
【００１５】また、本発明の薄膜多層基板の製造方法お
よび装置は、前記基板保持方法を用い、基板の薄膜製造
に用いられるレジスト塗布装置、現像装置、エッチング
装置、絶縁膜塗布装置のように、レジスト塗布、現像、
エッチング、絶縁膜塗布などの表面処理工程において、
チャックの回転により基板を回転させて表面処理を行な
うものである。
よび装置は、前記基板保持方法を用い、基板の薄膜製造
に用いられるレジスト塗布装置、現像装置、エッチング
装置、絶縁膜塗布装置のように、レジスト塗布、現像、
エッチング、絶縁膜塗布などの表面処理工程において、
チャックの回転により基板を回転させて表面処理を行な
うものである。
【００１６】この場合に、前記基板として表裏両面に厚
膜パターンを有する厚膜配線基板を用い、この厚膜配線
基板の表裏両面の周辺の複数個所にダミーパターンを形
成するか、または厚膜パターンを形成しないようにした
ものである。
膜パターンを有する厚膜配線基板を用い、この厚膜配線
基板の表裏両面の周辺の複数個所にダミーパターンを形
成するか、または厚膜パターンを形成しないようにした
ものである。
【００１７】また、前記基板として表裏両面に厚膜パタ
ーンを有する下地基板の両面に導体膜パターンまたは導
体膜パターンと絶縁膜とからなる薄膜層を有する薄膜多
層基板を用い、この薄膜多層基板の表裏両面の周辺の複
数個所にダミーパターンを形成するか、または薄膜層を
形成しないようにしたものである。
ーンを有する下地基板の両面に導体膜パターンまたは導
体膜パターンと絶縁膜とからなる薄膜層を有する薄膜多
層基板を用い、この薄膜多層基板の表裏両面の周辺の複
数個所にダミーパターンを形成するか、または薄膜層を
形成しないようにしたものである。
【００１８】
【作用】前記した基板保持方法ならびにそれを用いた薄
膜多層基板の製造方法および装置によれば、チャックに
独立に動作可能な複数の真空吸着パッドが備えられるこ
とにより、基板の反りなどにより平坦性が悪い場合に、
基板の保持面と真空吸着パッドとの隙間をなくすことが
でき、基板の吸着不良を防止することができる。
膜多層基板の製造方法および装置によれば、チャックに
独立に動作可能な複数の真空吸着パッドが備えられるこ
とにより、基板の反りなどにより平坦性が悪い場合に、
基板の保持面と真空吸着パッドとの隙間をなくすことが
でき、基板の吸着不良を防止することができる。
【００１９】この場合に、３個所を除く残りの真空吸着
パッドのみが独立に動作可能とされることにより、真空
吸着パッドの動作を最小限に抑え、基板の平坦性が悪い
場合でも基板の吸着不良をなくし、基板を確実に吸着保
持することができる。
パッドのみが独立に動作可能とされることにより、真空
吸着パッドの動作を最小限に抑え、基板の平坦性が悪い
場合でも基板の吸着不良をなくし、基板を確実に吸着保
持することができる。
【００２０】さらに、複数の真空吸着パッド毎に独立に
真空吸着可能な真空源が接続されることにより、ある真
空吸着パッドと基板の保持面との隙間によって真空漏れ
が発生した場合でも、残りの真空吸着パッドにおいては
真空漏れが発生しないので、基板の吸着不良を防止して
確実な吸着保持が可能となる。
真空吸着可能な真空源が接続されることにより、ある真
空吸着パッドと基板の保持面との隙間によって真空漏れ
が発生した場合でも、残りの真空吸着パッドにおいては
真空漏れが発生しないので、基板の吸着不良を防止して
確実な吸着保持が可能となる。
【００２１】これにより、特に基板の薄膜製造工程にお
けるレジスト塗布、現像、エッチング、絶縁膜塗布など
の表面処理工程において、基板の平坦度の影響を少なく
して基板の吸着不良の発生を抑制し、かつ所定の保持部
分を吸着することによって製品エリアの汚染、損傷を防
止して製品品質の向上を図ることができる。
けるレジスト塗布、現像、エッチング、絶縁膜塗布など
の表面処理工程において、基板の平坦度の影響を少なく
して基板の吸着不良の発生を抑制し、かつ所定の保持部
分を吸着することによって製品エリアの汚染、損傷を防
止して製品品質の向上を図ることができる。
【００２２】
【実施例１】図１は本発明の一実施例である基板保持方
法を用いた薄膜多層基板の製造装置の要部を示す側面
図、図２は本実施例の薄膜多層基板の製造装置に用いら
れる厚膜配線基板を示す平面図である。
法を用いた薄膜多層基板の製造装置の要部を示す側面
図、図２は本実施例の薄膜多層基板の製造装置に用いら
れる厚膜配線基板を示す平面図である。
【００２３】まず、図１により本実施例の薄膜多層基板
の製造装置の要部構成を説明する。
の製造装置の要部構成を説明する。
【００２４】本実施例の薄膜多層基板の製造装置は、た
とえば基板の薄膜製造工程のレジスト塗布、現像、エッ
チング、絶縁膜塗布のように基板を回転させて表面処理
を行なう工程に用いられる製造装置とされ、基板１の裏
面周辺の複数個所を吸着する複数の真空吸着パッド２〜
５を有し、この複数の真空吸着パッド２〜５が独立に動
作可能な機能を有するスピンチャック６などから構成さ
れている。
とえば基板の薄膜製造工程のレジスト塗布、現像、エッ
チング、絶縁膜塗布のように基板を回転させて表面処理
を行なう工程に用いられる製造装置とされ、基板１の裏
面周辺の複数個所を吸着する複数の真空吸着パッド２〜
５を有し、この複数の真空吸着パッド２〜５が独立に動
作可能な機能を有するスピンチャック６などから構成さ
れている。
【００２５】基板１は、真空吸着パッド２〜５（但し、
５は３の陰で見えない）の４個の上下方向に動作可能
で、基板１との接触を感知できる真空吸着パッド２〜５
を有する回転自由なスピンチャック６の上に搭載されて
おり、これらの真空吸着パッド２〜５およびスピンチャ
ック６は管通路７を介して真空源８に接続され、さらに
基板１の上方には薬液９を供給するノズル１０が配置さ
れている。
５は３の陰で見えない）の４個の上下方向に動作可能
で、基板１との接触を感知できる真空吸着パッド２〜５
を有する回転自由なスピンチャック６の上に搭載されて
おり、これらの真空吸着パッド２〜５およびスピンチャ
ック６は管通路７を介して真空源８に接続され、さらに
基板１の上方には薬液９を供給するノズル１０が配置さ
れている。
【００２６】また、この場合の基板１としては、表裏両
面に厚膜パターンを有するセラミック基板などの厚膜配
線基板が用いられ、たとえば図２に示すように基板１の
表面は、厚膜製品パターン部１１と、４組の厚膜ダミー
パターン部１２および真空吸着パッド接触部１３とから
構成されている。なお、基板１の裏面も同様の構成とな
っている。
面に厚膜パターンを有するセラミック基板などの厚膜配
線基板が用いられ、たとえば図２に示すように基板１の
表面は、厚膜製品パターン部１１と、４組の厚膜ダミー
パターン部１２および真空吸着パッド接触部１３とから
構成されている。なお、基板１の裏面も同様の構成とな
っている。
【００２７】次に、本実施例の作用について説明する。
【００２８】まず、基板１を搬送アーム（図示せず）に
よって搬送し、基板１の裏面の厚膜製品パターン部１１
に接触せずに、厚膜ダミーパターン部１２の真空吸着パ
ッド接触部１３に合わせて真空吸着パッド２〜５を介し
てスピンチャック６の上に搭載する。
よって搬送し、基板１の裏面の厚膜製品パターン部１１
に接触せずに、厚膜ダミーパターン部１２の真空吸着パ
ッド接触部１３に合わせて真空吸着パッド２〜５を介し
てスピンチャック６の上に搭載する。
【００２９】そして、真空吸着パッド２〜５の接触セン
サー（図示せず）により基板１と真空吸着パッド２〜５
との隙間の有無をチェックし、たとえば隙間がある真空
吸着パッド２を上に動作させて４個所の真空吸着パッド
２〜５の隙間を全てなくした後、管通路７の開閉弁（図
示せず）を開いて真空源８により基板１を真空吸着パッ
ド２〜５に吸着保持する。
サー（図示せず）により基板１と真空吸着パッド２〜５
との隙間の有無をチェックし、たとえば隙間がある真空
吸着パッド２を上に動作させて４個所の真空吸着パッド
２〜５の隙間を全てなくした後、管通路７の開閉弁（図
示せず）を開いて真空源８により基板１を真空吸着パッ
ド２〜５に吸着保持する。
【００３０】さらに、たとえばレジストなどの薬液９を
ノズル１０から基板１上に供給し、スピンチャック６を
予め設定した回転条件で回転させて基板１上に薬液９を
所望の厚さに塗布する。これにより、基板１の表裏両面
にレジスト膜を形成することができる。
ノズル１０から基板１上に供給し、スピンチャック６を
予め設定した回転条件で回転させて基板１上に薬液９を
所望の厚さに塗布する。これにより、基板１の表裏両面
にレジスト膜を形成することができる。
【００３１】従って、本実施例の薄膜多層基板の製造装
置によれば、複数の真空吸着パッド２〜５が独立に動作
可能なようにスピンチャック６に設けられることによ
り、基板１のソリが大きな場合でも４個所の真空吸着パ
ッド２〜５により基板１を確実に吸着保持できるので、
回転中に基板１がスピンチャック６から外れて飛ばされ
るようなことがなく、基板１を損傷する恐れがなくな
る。
置によれば、複数の真空吸着パッド２〜５が独立に動作
可能なようにスピンチャック６に設けられることによ
り、基板１のソリが大きな場合でも４個所の真空吸着パ
ッド２〜５により基板１を確実に吸着保持できるので、
回転中に基板１がスピンチャック６から外れて飛ばされ
るようなことがなく、基板１を損傷する恐れがなくな
る。
【００３２】その上、基板１の保持面の厚膜製品パター
ン部１１に接触せずに、厚膜ダミーパターン部１２の真
空吸着パッド接触部１３で基板１を吸着保持できるの
で、品質の良好な薄膜多層基板を得ることができる。
ン部１１に接触せずに、厚膜ダミーパターン部１２の真
空吸着パッド接触部１３で基板１を吸着保持できるの
で、品質の良好な薄膜多層基板を得ることができる。
【００３３】
【実施例２】図３は本発明の他の実施例である基板保持
方法を用いた薄膜多層基板の製造装置の要部を示す側面
図、図４は本実施例の薄膜多層基板の製造装置に用いら
れる薄膜多層基板を示す平面図である。
方法を用いた薄膜多層基板の製造装置の要部を示す側面
図、図４は本実施例の薄膜多層基板の製造装置に用いら
れる薄膜多層基板を示す平面図である。
【００３４】本実施例の薄膜多層基板の製造装置は、実
施例１と同様に基板の薄膜製造工程のレジスト塗布、現
像、エッチング、絶縁膜塗布のように基板を回転させて
表面処理を行なう工程に用いられ、基板１ａの裏面周辺
の複数個所を吸着する複数の真空吸着パッド２，３ａ〜
５ａを有するスピンチャック６ａなどから構成され、実
施例１との相違点は、複数の真空吸着パッド２，３ａ〜
５ａのうちの真空吸着パッド３ａ〜５ａの３個所を固定
し、残りの真空吸着パッド２のみを独立に動作可能とす
る点である。
施例１と同様に基板の薄膜製造工程のレジスト塗布、現
像、エッチング、絶縁膜塗布のように基板を回転させて
表面処理を行なう工程に用いられ、基板１ａの裏面周辺
の複数個所を吸着する複数の真空吸着パッド２，３ａ〜
５ａを有するスピンチャック６ａなどから構成され、実
施例１との相違点は、複数の真空吸着パッド２，３ａ〜
５ａのうちの真空吸着パッド３ａ〜５ａの３個所を固定
し、残りの真空吸着パッド２のみを独立に動作可能とす
る点である。
【００３５】すなわち、図３に示すように、基板１ａは
上下方向に動作可能な真空吸着パッド２と、動作固定の
真空吸着パッド３ａ〜５ａ（但し、５ａは３ａの陰で見
えない）との合計４個の基板１ａとの接触を感知できる
真空吸着パッド２，３ａ〜５ａを有する回転自由なスピ
ンチャック６ａの上に搭載されている。
上下方向に動作可能な真空吸着パッド２と、動作固定の
真空吸着パッド３ａ〜５ａ（但し、５ａは３ａの陰で見
えない）との合計４個の基板１ａとの接触を感知できる
真空吸着パッド２，３ａ〜５ａを有する回転自由なスピ
ンチャック６ａの上に搭載されている。
【００３６】また、この場合の基板１ａとしては、表裏
両面に厚膜パターンを有する下地基板の両面に導体膜パ
ターンまたは導体膜パターンと絶縁膜とからなる薄膜層
を有する薄膜多層基板が用いられ、たとえば図４に示す
ように基板１ａの表面は、厚膜製品パターン部１１の上
に形成された薄膜製品パターン部１４と、４組の厚膜ダ
ミーパターン部１２の上に形成された薄膜ダミーパター
ン部１５、および真空吸着パッド接触部１３とから構成
されている。なお、基板１ａの裏面も同様の構成となっ
ている。
両面に厚膜パターンを有する下地基板の両面に導体膜パ
ターンまたは導体膜パターンと絶縁膜とからなる薄膜層
を有する薄膜多層基板が用いられ、たとえば図４に示す
ように基板１ａの表面は、厚膜製品パターン部１１の上
に形成された薄膜製品パターン部１４と、４組の厚膜ダ
ミーパターン部１２の上に形成された薄膜ダミーパター
ン部１５、および真空吸着パッド接触部１３とから構成
されている。なお、基板１ａの裏面も同様の構成となっ
ている。
【００３７】そして、基板１ａをスピンチャック６ａの
上に搭載する場合には、基板１ａの裏面の薄膜製品パタ
ーン部１４に接触せずに、薄膜ダミーパターン部１５の
真空吸着パッド接触部１３に合わせて真空吸着パッド
２，３ａ〜５ａを介してスピンチャック６ａの上に搭載
する。
上に搭載する場合には、基板１ａの裏面の薄膜製品パタ
ーン部１４に接触せずに、薄膜ダミーパターン部１５の
真空吸着パッド接触部１３に合わせて真空吸着パッド
２，３ａ〜５ａを介してスピンチャック６ａの上に搭載
する。
【００３８】その後、真空吸着パッド２，３ａ〜５ａの
接触センサー（図示せず）により基板１ａと真空吸着パ
ッド２，３ａ〜５ａとの隙間の有無をチェックし、真空
吸着パッド２のみを上下に動作させることにより、４個
所の真空吸着パッド２，３ａ〜５ａの隙間を全てなくし
て基板１ａを真空吸着パッド２，３ａ〜５ａに吸着保持
することができる。
接触センサー（図示せず）により基板１ａと真空吸着パ
ッド２，３ａ〜５ａとの隙間の有無をチェックし、真空
吸着パッド２のみを上下に動作させることにより、４個
所の真空吸着パッド２，３ａ〜５ａの隙間を全てなくし
て基板１ａを真空吸着パッド２，３ａ〜５ａに吸着保持
することができる。
【００３９】従って、本実施例の薄膜多層基板の製造装
置によれば、上下方向に動作可能な真空吸着パッド２と
動作固定の真空吸着パッド３ａ〜５ａとがスピンチャッ
ク６ａに設けられることにより、真空吸着パッド２を最
小限に動作させ、実施例１と同様に、基板１ａの平坦性
が悪い場合でも基板１ａを確実に吸着保持して損傷を防
止することができ、かつ基板１ａの薄膜製品パターン部
１４に接触することがないので、品質の良好な薄膜多層
基板を得ることができる。
置によれば、上下方向に動作可能な真空吸着パッド２と
動作固定の真空吸着パッド３ａ〜５ａとがスピンチャッ
ク６ａに設けられることにより、真空吸着パッド２を最
小限に動作させ、実施例１と同様に、基板１ａの平坦性
が悪い場合でも基板１ａを確実に吸着保持して損傷を防
止することができ、かつ基板１ａの薄膜製品パターン部
１４に接触することがないので、品質の良好な薄膜多層
基板を得ることができる。
【００４０】さらに、この薄膜多層基板を用いることに
より、汎用大形計算機などの装置の高性能化および省ス
ペース化を図ることができる。
より、汎用大形計算機などの装置の高性能化および省ス
ペース化を図ることができる。
【００４１】
【実施例３】図５は本発明のさらに他の実施例である基
板保持方法を用いた薄膜多層基板の製造装置の要部を示
す側面図、図６は本実施例の薄膜多層基板の製造装置に
おける変形例を示す側面図である。
板保持方法を用いた薄膜多層基板の製造装置の要部を示
す側面図、図６は本実施例の薄膜多層基板の製造装置に
おける変形例を示す側面図である。
【００４２】本実施例の薄膜多層基板の製造装置は、実
施例１および２と同様に基板の薄膜製造工程のレジスト
塗布、現像、エッチング、絶縁膜塗布のように基板を回
転させて表面処理を行なう工程に用いられ、基板１ａの
裏面周辺の複数個所を吸着する複数の真空吸着パッド２
〜５を有するスピンチャック６ｂなどから構成され、実
施例１および２との相違点は、真空吸着パッド２〜５毎
に独立な真空源８ａ〜８ｄにより真空吸着する点であ
る。
施例１および２と同様に基板の薄膜製造工程のレジスト
塗布、現像、エッチング、絶縁膜塗布のように基板を回
転させて表面処理を行なう工程に用いられ、基板１ａの
裏面周辺の複数個所を吸着する複数の真空吸着パッド２
〜５を有するスピンチャック６ｂなどから構成され、実
施例１および２との相違点は、真空吸着パッド２〜５毎
に独立な真空源８ａ〜８ｄにより真空吸着する点であ
る。
【００４３】すなわち、図５に示すように、基板１ａは
上下方向に動作可能な真空吸着パッド２〜５（但し、５
は３の陰で見えない）の合計４個の基板１ａとの接触を
感知できる真空吸着パッド２〜５を有する回転自由なス
ピンチャック６ｂの上に搭載されており、これらの真空
吸着パッド２〜５は管通路７ａ〜７ｄを介して独立の真
空源８ａ〜８ｄにそれぞれ接続されている。
上下方向に動作可能な真空吸着パッド２〜５（但し、５
は３の陰で見えない）の合計４個の基板１ａとの接触を
感知できる真空吸着パッド２〜５を有する回転自由なス
ピンチャック６ｂの上に搭載されており、これらの真空
吸着パッド２〜５は管通路７ａ〜７ｄを介して独立の真
空源８ａ〜８ｄにそれぞれ接続されている。
【００４４】そして、基板１ａをスピンチャック６ｂの
上に搭載する場合には、まず基板１ａを搬送アーム（図
示せず）によって搬送し、スピンチャック６ｂの上方に
移動させる。その後、搬送アームの爪（図示せず）の
内、真空吸着パッド２に対応するもののみを基板１ａか
ら外して遠ざけて真空吸着パッド２を上方に動かし、接
触センサー（図示せず）により基板１ａと真空吸着パッ
ド２の隙間なしをチェックした後、管通路７ａの開閉弁
（図示せず）を開いて真空源８ａにより基板１ａを真空
吸着パッド２に吸着保持する。
上に搭載する場合には、まず基板１ａを搬送アーム（図
示せず）によって搬送し、スピンチャック６ｂの上方に
移動させる。その後、搬送アームの爪（図示せず）の
内、真空吸着パッド２に対応するもののみを基板１ａか
ら外して遠ざけて真空吸着パッド２を上方に動かし、接
触センサー（図示せず）により基板１ａと真空吸着パッ
ド２の隙間なしをチェックした後、管通路７ａの開閉弁
（図示せず）を開いて真空源８ａにより基板１ａを真空
吸着パッド２に吸着保持する。
【００４５】同様にして、搬送アームの爪の内、順に真
空吸着パッド３〜５に対応するもののみを基板１ａから
外して遠ざけて真空吸着パッド３〜５を上方に動かし、
基板１ａと真空吸着パッド３〜５の隙間なしをチェック
した後、管通路７ｂ〜７ｄを通じて真空源８ｂ〜８ｄに
より基板１ａを真空吸着パッド３〜５に吸着保持する。
以上のようにして、真空吸着パッド２〜５は対応する搬
送アームの爪から基板１ａを順次受け取り、吸着保持す
ることができる。
空吸着パッド３〜５に対応するもののみを基板１ａから
外して遠ざけて真空吸着パッド３〜５を上方に動かし、
基板１ａと真空吸着パッド３〜５の隙間なしをチェック
した後、管通路７ｂ〜７ｄを通じて真空源８ｂ〜８ｄに
より基板１ａを真空吸着パッド３〜５に吸着保持する。
以上のようにして、真空吸着パッド２〜５は対応する搬
送アームの爪から基板１ａを順次受け取り、吸着保持す
ることができる。
【００４６】従って、本実施例の薄膜多層基板の製造装
置によれば、上下方向に動作可能な真空吸着パッド２〜
５が独立の真空源８ａ〜８ｄにそれぞれ接続されること
により、実施例１および２と同様に、基板１ａの平坦性
が悪い場合でも基板１ａを確実に吸着保持して損傷を防
止することができ、かつ基板１ａの搬送時と処理時とで
基板１ａの同一の薄膜ダミーパターン部１５に接触する
のみで、基板１ａの薄膜製品パターン部１４に接触せず
に基板１ａを吸着保持できるので、有効製品面積の広い
品質の良好な薄膜多層基板を得ることができる。
置によれば、上下方向に動作可能な真空吸着パッド２〜
５が独立の真空源８ａ〜８ｄにそれぞれ接続されること
により、実施例１および２と同様に、基板１ａの平坦性
が悪い場合でも基板１ａを確実に吸着保持して損傷を防
止することができ、かつ基板１ａの搬送時と処理時とで
基板１ａの同一の薄膜ダミーパターン部１５に接触する
のみで、基板１ａの薄膜製品パターン部１４に接触せず
に基板１ａを吸着保持できるので、有効製品面積の広い
品質の良好な薄膜多層基板を得ることができる。
【００４７】その上、たとえば１個所の真空吸着パッド
２と基板１ａとの隙間により真空漏れが発生した場合で
も、他の真空吸着パッド３〜５においては真空漏れが発
生しないので、残りの３個所の真空吸着パッド３〜５に
より確実に吸着して基板１ａの吸着不良を防止すること
ができる。
２と基板１ａとの隙間により真空漏れが発生した場合で
も、他の真空吸着パッド３〜５においては真空漏れが発
生しないので、残りの３個所の真空吸着パッド３〜５に
より確実に吸着して基板１ａの吸着不良を防止すること
ができる。
【００４８】この場合に、たとえば図６に示すように、
スピンチャック６ｃの全ての真空吸着パッド２ａ〜５ａ
を動作固定とした場合にも、基板１ａの平坦性が悪く、
たとえ真空吸着パッド２ａと基板１ａとの隙間により真
空漏れが発生しても、残りの真空吸着パッド３ａ〜５ａ
により基板１ａを確実に吸着保持することが可能とな
る。
スピンチャック６ｃの全ての真空吸着パッド２ａ〜５ａ
を動作固定とした場合にも、基板１ａの平坦性が悪く、
たとえ真空吸着パッド２ａと基板１ａとの隙間により真
空漏れが発生しても、残りの真空吸着パッド３ａ〜５ａ
により基板１ａを確実に吸着保持することが可能とな
る。
【００４９】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例１〜３に基づき具体的に説明したが、本発明は前記
実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例１〜３に基づき具体的に説明したが、本発明は前記
実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００５０】たとえば、前記実施例の薄膜多層基板の製
造装置については、スピンチャック６，６ａ〜６ｃによ
り基板１，１ａを回転させて表面処理を行なう場合につ
いて説明したが、本発明は前記実施例に限定されるもの
ではなく、単に基板１を保持する図７〜図１０のような
チャック１６，１６ａ〜１６ｃを備えた装置などについ
ても広く適用可能である。
造装置については、スピンチャック６，６ａ〜６ｃによ
り基板１，１ａを回転させて表面処理を行なう場合につ
いて説明したが、本発明は前記実施例に限定されるもの
ではなく、単に基板１を保持する図７〜図１０のような
チャック１６，１６ａ〜１６ｃを備えた装置などについ
ても広く適用可能である。
【００５１】すなわち、図７の場合には、基板１を保持
するチャック１６に、基板１の裏面周辺の複数個所を吸
着する複数の真空吸着パッド２〜５が独立に動作可能に
設けられた構造になっており、基板１の製品パターン部
に接触することなく、これらの真空吸着パッド２〜５を
上下動作させることによって基板１を確実に保持するこ
とができる。同様に、図８の構造は、３個所の真空吸着
パッド３ａ〜５ａを固定し、残りの真空吸着パッド２を
独立に動作可能としたチャック１６ａの場合である。
するチャック１６に、基板１の裏面周辺の複数個所を吸
着する複数の真空吸着パッド２〜５が独立に動作可能に
設けられた構造になっており、基板１の製品パターン部
に接触することなく、これらの真空吸着パッド２〜５を
上下動作させることによって基板１を確実に保持するこ
とができる。同様に、図８の構造は、３個所の真空吸着
パッド３ａ〜５ａを固定し、残りの真空吸着パッド２を
独立に動作可能としたチャック１６ａの場合である。
【００５２】さらに、図９のチャック１６ｂは、真空吸
着パッド２，３ａ〜５ａ毎に独立な真空源８ａ〜８ｄに
より真空吸着するものであり、いずれかの真空吸着パッ
ド２と基板１との間で真空漏れが発生した場合でも、他
の真空吸着パッド３ａ〜５ａにより確実に基板１を吸着
保持することができる。また、これらを組み合わせたも
のが、図１０のような全ての真空吸着パッド２ａ〜５ａ
が固定されたチャック１６ｃによる構造となっている。
着パッド２，３ａ〜５ａ毎に独立な真空源８ａ〜８ｄに
より真空吸着するものであり、いずれかの真空吸着パッ
ド２と基板１との間で真空漏れが発生した場合でも、他
の真空吸着パッド３ａ〜５ａにより確実に基板１を吸着
保持することができる。また、これらを組み合わせたも
のが、図１０のような全ての真空吸着パッド２ａ〜５ａ
が固定されたチャック１６ｃによる構造となっている。
【００５３】また、実施例１においては、基板１の表面
に厚膜ダミーパターン部１２を形成した厚膜配線基板と
し、さらに実施例２の基板には、厚膜ダミーパターン部
１２の上に薄膜ダミーパターン部１５を形成した薄膜多
層基板を用いた場合について説明したが、厚膜および薄
膜ダミーパターン部１２，１５を形成する代わりに、厚
膜層および薄膜層を形成しない場合についても適用可能
である。
に厚膜ダミーパターン部１２を形成した厚膜配線基板と
し、さらに実施例２の基板には、厚膜ダミーパターン部
１２の上に薄膜ダミーパターン部１５を形成した薄膜多
層基板を用いた場合について説明したが、厚膜および薄
膜ダミーパターン部１２，１５を形成する代わりに、厚
膜層および薄膜層を形成しない場合についても適用可能
である。
【００５４】以上の説明では、主として本発明者によっ
てなされた発明をその利用分野である基板の薄膜製造工
程のレジスト塗布、現像、エッチング、絶縁膜塗布など
に用いられる製造装置に適用した場合について説明した
が、これに限定されるものではなく、表裏両面に製品パ
ターンを有する他の基板、他の表面処理工程などの製造
装置についても広く適用可能であり、特に厚膜パターン
を有する下地基板の両面に導体膜パターンまたは導体膜
パターンと絶縁膜とからなる薄膜層を有する多層基板の
製造技術として良好である。
てなされた発明をその利用分野である基板の薄膜製造工
程のレジスト塗布、現像、エッチング、絶縁膜塗布など
に用いられる製造装置に適用した場合について説明した
が、これに限定されるものではなく、表裏両面に製品パ
ターンを有する他の基板、他の表面処理工程などの製造
装置についても広く適用可能であり、特に厚膜パターン
を有する下地基板の両面に導体膜パターンまたは導体膜
パターンと絶縁膜とからなる薄膜層を有する多層基板の
製造技術として良好である。
【００５５】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００５６】(1).基板の裏面周辺の複数個所を吸着する
複数の真空吸着パッドを有し、この複数の真空吸着パッ
ドが独立に動作可能な機能を有するチャックを備え、こ
のチャックによって基板を保持することにより、基板の
平坦性が悪い場合でも、基板の保持面と真空吸着パッド
との隙間をなくすことができるので、基板の吸着不良を
防止することが可能となる。
複数の真空吸着パッドを有し、この複数の真空吸着パッ
ドが独立に動作可能な機能を有するチャックを備え、こ
のチャックによって基板を保持することにより、基板の
平坦性が悪い場合でも、基板の保持面と真空吸着パッド
との隙間をなくすことができるので、基板の吸着不良を
防止することが可能となる。
【００５７】(2).複数の真空吸着パッドのうちの３個所
を固定し、残りの真空吸着パッドを独立に動作可能とす
ることにより、真空吸着パッドの動作を最小限に抑え、
基板の平坦性が悪い場合でも吸着不良をなくすことがで
きるので、基板を確実に吸着保持することが可能とな
る。
を固定し、残りの真空吸着パッドを独立に動作可能とす
ることにより、真空吸着パッドの動作を最小限に抑え、
基板の平坦性が悪い場合でも吸着不良をなくすことがで
きるので、基板を確実に吸着保持することが可能とな
る。
【００５８】(3).複数の真空吸着パッド毎に独立な真空
源によって真空吸着することにより、いずれかの真空吸
着パッドと基板の保持面との隙間によって真空漏れが発
生した場合でも、残りの真空吸着パッドにおいては真空
漏れが発生しないので、基板の吸着不良を防止して確実
な吸着保持が可能となる。
源によって真空吸着することにより、いずれかの真空吸
着パッドと基板の保持面との隙間によって真空漏れが発
生した場合でも、残りの真空吸着パッドにおいては真空
漏れが発生しないので、基板の吸着不良を防止して確実
な吸着保持が可能となる。
【００５９】(4).特に基板の薄膜製造工程におけるレジ
スト塗布、現像、エッチング、絶縁膜塗布のように基板
を回転させて表面処理を行なう工程に用いることによ
り、基板の平坦度の影響を少なくして基板の吸着不良の
発生を抑制し、処理工程中に基板の落下などによる損傷
がないので、製造される基板の歩留の向上が可能とされ
る薄膜多層基板の製造方法および装置を得ることができ
る。
スト塗布、現像、エッチング、絶縁膜塗布のように基板
を回転させて表面処理を行なう工程に用いることによ
り、基板の平坦度の影響を少なくして基板の吸着不良の
発生を抑制し、処理工程中に基板の落下などによる損傷
がないので、製造される基板の歩留の向上が可能とされ
る薄膜多層基板の製造方法および装置を得ることができ
る。
【００６０】(5).前記(4) により、基板の周辺部分の製
品パターン以外の一部のみを確実に吸着保持できるの
で、基板の表裏両面に製品パターンを形成する場合でも
製品パターンの損傷、汚染がなく、製造される基板の品
質の向上が可能とされる薄膜多層基板の製造方法および
装置を得ることができる。
品パターン以外の一部のみを確実に吸着保持できるの
で、基板の表裏両面に製品パターンを形成する場合でも
製品パターンの損傷、汚染がなく、製造される基板の品
質の向上が可能とされる薄膜多層基板の製造方法および
装置を得ることができる。
【００６１】(6).前記(4) により、基板の吸着保持部分
のトータル面積が小さくなるので、製品エリア面積の拡
大が可能とされる薄膜多層基板の製造方法および装置を
得ることができる。
のトータル面積が小さくなるので、製品エリア面積の拡
大が可能とされる薄膜多層基板の製造方法および装置を
得ることができる。
【００６２】(7).前記(4) により、従来のように基板の
吸着保持面に保護膜を形成する必要がないので、製造工
数の低減が可能とされる薄膜多層基板の製造方法および
装置を得ることができる。
吸着保持面に保護膜を形成する必要がないので、製造工
数の低減が可能とされる薄膜多層基板の製造方法および
装置を得ることができる。
【００６３】(8).前記(4) により、たとえば自動化装置
などに用いた場合に、自動化装置が基板の吸着不良など
で停止することがないので、自動化装置による無人運転
および省力化が可能とされる薄膜多層基板の製造方法お
よび装置を得ることができる。
などに用いた場合に、自動化装置が基板の吸着不良など
で停止することがないので、自動化装置による無人運転
および省力化が可能とされる薄膜多層基板の製造方法お
よび装置を得ることができる。
【図１】本発明の実施例１である基板保持方法を用いた
薄膜多層基板の製造装置の要部を示す側面図である。
薄膜多層基板の製造装置の要部を示す側面図である。
【図２】実施例１の薄膜多層基板の製造装置に用いられ
る厚膜配線基板を示す平面図である。
る厚膜配線基板を示す平面図である。
【図３】本発明の実施例２である基板保持方法を用いた
薄膜多層基板の製造装置の要部を示す側面図である。
薄膜多層基板の製造装置の要部を示す側面図である。
【図４】実施例２の薄膜多層基板の製造装置に用いられ
る薄膜多層基板を示す平面図である。
る薄膜多層基板を示す平面図である。
【図５】本発明の実施例３である基板保持方法を用いた
薄膜多層基板の製造装置の要部を示す側面図である。
薄膜多層基板の製造装置の要部を示す側面図である。
【図６】実施例３の薄膜多層基板の製造装置における変
形例を示す側面図である。
形例を示す側面図である。
【図７】本発明において、基板保持方法における製造装
置の要部を示す側面図である。
置の要部を示す側面図である。
【図８】本発明において、基板保持方法における他の製
造装置の要部を示す側面図である。
造装置の要部を示す側面図である。
【図９】本発明において、基板保持方法におけるさらに
他の製造装置の要部を示す側面図である。
他の製造装置の要部を示す側面図である。
【図１０】本発明において、基板保持方法におけるさら
に他の製造装置の要部を示す側面図である。
に他の製造装置の要部を示す側面図である。
１，１ａ 基板 ２，２ａ 真空吸着パッド ３，３ａ 真空吸着パッド ４，４ａ 真空吸着パッド ５，５ａ 真空吸着パッド ６，６ａ〜６ｃ スピンチャック ７，７ａ〜７ｄ 管通路 ８，８ａ〜８ｄ 真空源 ９ 薬液 １０ ノズル １１ 厚膜製品パターン部 １２ 厚膜ダミーパターン部 １３ 真空吸着パッド接触部 １４ 薄膜製品パターン部 １５ 薄膜ダミーパターン部 １６，１６ａ〜１６ｃ チャック
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｙ 6921−4Ｅ // Ｂ２３Ｑ 3/08 Ａ 8612−3Ｃ (72)発明者 井上 隆史 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 三浦 慎也 神奈川県秦野市堀山下１番地 株式会社日 立製作所汎用コンピュータ事業部内
Claims (7)
- 【請求項１】 基板の裏面周辺の複数個所を吸着する複
数の真空吸着パッドを有し、該複数の真空吸着パッドが
独立に動作可能な機能を有するチャックを備え、該チャ
ックにより前記基板を保持することを特徴とする基板保
持方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の基板保持方法において、
前記複数の真空吸着パッドのうちの３個所を固定し、残
りの真空吸着パッドを独立に動作可能とすることを特徴
とする基板保持方法。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の基板保持方法に
おいて、前記複数の真空吸着パッド毎に独立な真空源に
より真空吸着することを特徴とする基板保持方法。 - 【請求項４】 請求項１、２または３記載の基板保持方
法を用い、前記基板の薄膜製造工程のレジスト塗布、現
像、エッチング、絶縁膜塗布のように基板を回転させて
表面処理を行なう工程において、前記チャックの回転に
より前記基板を回転させて表面処理を行なうことを特徴
とする薄膜多層基板の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１、２または３記載の基板保持方
法を用い、前記基板の薄膜製造に用いられるレジスト塗
布装置、現像装置、エッチング装置、絶縁膜塗布装置の
ように基板を回転させて表面処理を行なう装置におい
て、前記チャックの回転により前記基板を回転させて表
面処理を行なうことを特徴とする薄膜多層基板の製造装
置。 - 【請求項６】 請求項５記載の薄膜多層基板の製造装置
において、前記基板として表裏両面に厚膜パターンを有
する厚膜配線基板を用い、該厚膜配線基板の表裏両面の
周辺の複数個所にダミーパターンを形成するか、または
前記厚膜パターンを形成しないことを特徴とする基板保
持方法を用いた薄膜多層基板の製造装置。 - 【請求項７】 請求項５記載の薄膜多層基板の製造装置
において、前記基板として表裏両面に厚膜パターンを有
する下地基板の両面に導体膜パターンまたは導体膜パタ
ーンと絶縁膜とからなる薄膜層を有する薄膜多層基板を
用い、該薄膜多層基板の表裏両面の周辺の複数個所にダ
ミーパターンを形成するか、または前記薄膜層を形成し
ないことを特徴とする基板保持方法を用いた薄膜多層基
板の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2777793A JPH06244093A (ja) | 1993-02-17 | 1993-02-17 | 基板保持方法ならびにそれを用いた薄膜多層基板の製造方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2777793A JPH06244093A (ja) | 1993-02-17 | 1993-02-17 | 基板保持方法ならびにそれを用いた薄膜多層基板の製造方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06244093A true JPH06244093A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=12230410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2777793A Pending JPH06244093A (ja) | 1993-02-17 | 1993-02-17 | 基板保持方法ならびにそれを用いた薄膜多層基板の製造方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06244093A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11150176A (ja) * | 1997-11-18 | 1999-06-02 | Tokyo Electron Ltd | 基板保持方法，基板保持装置及び基板処理方法 |
| JP2001113435A (ja) * | 1999-10-13 | 2001-04-24 | Ibiden Co Ltd | 基板の吸着部材，固定装置及び切断装置 |
| JP2011253841A (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-15 | Sumco Corp | ウェーハ保持具 |
| CN102403252A (zh) * | 2011-10-19 | 2012-04-04 | 嘉兴科民电子设备技术有限公司 | 一种辅助刻蚀工艺的自动硅片装片机 |
| WO2014152977A1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for wafer chucking on a susceptor for ald |
| JP2020031150A (ja) * | 2018-08-23 | 2020-02-27 | 日本特殊陶業株式会社 | 真空チャック及びその製造方法 |
| US11251058B1 (en) | 2020-08-27 | 2022-02-15 | Shin-Etsu Engineering Co., Ltd. | Workpiece-separating device and workpiece-separating method |
| JP2022533537A (ja) * | 2019-05-10 | 2022-07-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板構造化方法 |
-
1993
- 1993-02-17 JP JP2777793A patent/JPH06244093A/ja active Pending
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| US11251058B1 (en) | 2020-08-27 | 2022-02-15 | Shin-Etsu Engineering Co., Ltd. | Workpiece-separating device and workpiece-separating method |
| JP2022039031A (ja) * | 2020-08-27 | 2022-03-10 | 信越エンジニアリング株式会社 | ワーク分離装置及びワーク分離方法 |
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