JPH09237988A - 送信電力増幅器の放熱構造 - Google Patents
送信電力増幅器の放熱構造Info
- Publication number
- JPH09237988A JPH09237988A JP8043052A JP4305296A JPH09237988A JP H09237988 A JPH09237988 A JP H09237988A JP 8043052 A JP8043052 A JP 8043052A JP 4305296 A JP4305296 A JP 4305296A JP H09237988 A JPH09237988 A JP H09237988A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat
- transmission power
- power amplifier
- case
- active element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Transmitters (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 マザーボードの一部分へ熱が集中することを
防止して、マザーボード上の他のデバイス等への影響を
防ぎ、ハイパワーな能動素子が搭載可能な送信電力増幅
器を実現することを目的とする。 【構成】 トランジスタやＦＥＴ２３，２４等の能動素
子をＰＡ基板２１上に搭載し、該能動素子上面にケース
２６をかぶせた後、マザーボード６上に実装される送信
電力増幅器の放熱構造において、熱伝導率の高い熱伝導
樹脂２５，２７等を前記能動素子の上面に設置して、前
記能動素子の上面から直に前記ケース２６側へ熱を逃が
す熱伝導経路を設ける。
防止して、マザーボード上の他のデバイス等への影響を
防ぎ、ハイパワーな能動素子が搭載可能な送信電力増幅
器を実現することを目的とする。 【構成】 トランジスタやＦＥＴ２３，２４等の能動素
子をＰＡ基板２１上に搭載し、該能動素子上面にケース
２６をかぶせた後、マザーボード６上に実装される送信
電力増幅器の放熱構造において、熱伝導率の高い熱伝導
樹脂２５，２７等を前記能動素子の上面に設置して、前
記能動素子の上面から直に前記ケース２６側へ熱を逃が
す熱伝導経路を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、トランジスタや電
界効果トランジスタ（以下、ＦＥＴと称す）等の能動素
子を基板上に搭載し、マザーボード上に実装される送信
電力増幅器（以下、ＰＡと称す）の放熱構造に関する。
界効果トランジスタ（以下、ＦＥＴと称す）等の能動素
子を基板上に搭載し、マザーボード上に実装される送信
電力増幅器（以下、ＰＡと称す）の放熱構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４はこの種のＰＡの放熱構造の従来例
を示す側面図、図５は同従来例の部分斜視図、図６は同
従来例の作用を示す側面図である。図において、１はＰ
Ａ基板であり、材質はガラスエポキシで、誘電率は４．
８であり、２層構造で層厚は０．８である。
を示す側面図、図５は同従来例の部分斜視図、図６は同
従来例の作用を示す側面図である。図において、１はＰ
Ａ基板であり、材質はガラスエポキシで、誘電率は４．
８であり、２層構造で層厚は０．８である。
【０００３】２，３は能動素子であるＧａＡｓ−ＦＥＴ
であり、２は初段ＧａＡｓ−ＦＥＴ、３は終段ＧａＡｓ
−ＦＥＴである。１５は整合回路を構成するチップ部品
である。このＰＡは、ＳＡＷフィルタをＰＡ内部に内蔵
する構成となっており、入力段にＳＡＷフィルタ４を内
蔵している。７〜１４は、信号入出力及び電源の端子で
あり、ＰＡ基板側面部に並べて形成している。ＧａＡｓ
−ＦＥＴ、チップ部品等の搭載終了後にケース５をかぶ
せて、はんだ付けし、マザーボード６上に実装される。
であり、２は初段ＧａＡｓ−ＦＥＴ、３は終段ＧａＡｓ
−ＦＥＴである。１５は整合回路を構成するチップ部品
である。このＰＡは、ＳＡＷフィルタをＰＡ内部に内蔵
する構成となっており、入力段にＳＡＷフィルタ４を内
蔵している。７〜１４は、信号入出力及び電源の端子で
あり、ＰＡ基板側面部に並べて形成している。ＧａＡｓ
−ＦＥＴ、チップ部品等の搭載終了後にケース５をかぶ
せて、はんだ付けし、マザーボード６上に実装される。
【０００４】以上の構成により、従来は、図６に矢印で
示す如く、初段ＧａＡｓ−ＦＥＴ２と終段ＧａＡｓ−Ｆ
ＥＴ３から発生する熱を、ＰＡ基板１に設けられた図示
せぬ熱伝導用のスルーホールを通して、マザーボード６
へ逃がしていた。
示す如く、初段ＧａＡｓ−ＦＥＴ２と終段ＧａＡｓ−Ｆ
ＥＴ３から発生する熱を、ＰＡ基板１に設けられた図示
せぬ熱伝導用のスルーホールを通して、マザーボード６
へ逃がしていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た構成の従来技術によれば、熱をマザーボードへ逃がす
構造なので、ハイパワーな能動素子の放熱には不十分で
あり、熱がマザーボードの一部分に集中してしまい、マ
ザーボード上の他のデバイス等への影響がでてくるとい
う問題があった。
た構成の従来技術によれば、熱をマザーボードへ逃がす
構造なので、ハイパワーな能動素子の放熱には不十分で
あり、熱がマザーボードの一部分に集中してしまい、マ
ザーボード上の他のデバイス等への影響がでてくるとい
う問題があった。
【０００６】本発明は、以上の問題点に鑑み、マザーボ
ードの一部分へ熱が集中することのない構成を得て、マ
ザーボード上の他のデバイス等への影響を防ぎ、ハイパ
ワーな能動素子が搭載可能な送信電力増幅器を実現する
ことを目的とする。
ードの一部分へ熱が集中することのない構成を得て、マ
ザーボード上の他のデバイス等への影響を防ぎ、ハイパ
ワーな能動素子が搭載可能な送信電力増幅器を実現する
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、ケース側へ高放熱するようにする。すな
わち、本発明は、トランジスタやＦＥＴ等の能動素子を
基板上に搭載し、該能動素子上面にケースをかぶせた
後、マザーボード上に実装される送信電力増幅器の放熱
構造において、熱伝導率の高い熱伝導樹脂等を前記能動
素子の上面に設置する等して、前記能動素子の上面から
直に前記ケース側へ熱を逃がす熱伝導経路を設けたこと
を特徴とする。
め、本発明は、ケース側へ高放熱するようにする。すな
わち、本発明は、トランジスタやＦＥＴ等の能動素子を
基板上に搭載し、該能動素子上面にケースをかぶせた
後、マザーボード上に実装される送信電力増幅器の放熱
構造において、熱伝導率の高い熱伝導樹脂等を前記能動
素子の上面に設置する等して、前記能動素子の上面から
直に前記ケース側へ熱を逃がす熱伝導経路を設けたこと
を特徴とする。
【０００８】このとき、ケース表面に凹凸を設けると良
い。
い。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態を図面に
従って説明する。図１は本発明の第１の実施の形態を示
す側面図、図２は同実施の形態の部分斜視図である。図
において、２１はＰＡ基板、２２はＳＡＷフィルタ等の
ＰＡ内蔵デバイス、２３，２４は能動素子であるＦＥＴ
であり、２３は初段ＦＥＴ、２４は終段ＦＥＴである。
ＰＡ基板２１には、これらＰＡ内蔵デバイス２２、初段
ＦＥＴ２３、終段ＦＥＴ２４、その他インピーダンス整
合用のチップ部品等が搭載され、表層にマイクロストリ
ップラインによって接続されている。
従って説明する。図１は本発明の第１の実施の形態を示
す側面図、図２は同実施の形態の部分斜視図である。図
において、２１はＰＡ基板、２２はＳＡＷフィルタ等の
ＰＡ内蔵デバイス、２３，２４は能動素子であるＦＥＴ
であり、２３は初段ＦＥＴ、２４は終段ＦＥＴである。
ＰＡ基板２１には、これらＰＡ内蔵デバイス２２、初段
ＦＥＴ２３、終段ＦＥＴ２４、その他インピーダンス整
合用のチップ部品等が搭載され、表層にマイクロストリ
ップラインによって接続されている。
【００１０】７〜１４は、信号入出力端子及び電源端子
であり、ＰＡ基板２１側面部に並べて形成している。２
５は初段ＦＥＴ２３の上面に設置した熱伝導率の高い熱
伝導樹脂であり、該熱伝導樹脂２５は、初段ＦＥＴ２３
の上面とケース２６の底面に接触している。２７は終段
ＦＥＴ２４の上面に設置した熱伝導率の高い熱伝導樹脂
であり、該熱伝導樹脂２７は、終段ＦＥＴ２４の上面と
ケース２６の底面に接触している。
であり、ＰＡ基板２１側面部に並べて形成している。２
５は初段ＦＥＴ２３の上面に設置した熱伝導率の高い熱
伝導樹脂であり、該熱伝導樹脂２５は、初段ＦＥＴ２３
の上面とケース２６の底面に接触している。２７は終段
ＦＥＴ２４の上面に設置した熱伝導率の高い熱伝導樹脂
であり、該熱伝導樹脂２７は、終段ＦＥＴ２４の上面と
ケース２６の底面に接触している。
【００１１】上記ＰＡは、前記ＰＡ内蔵デバイス２２、
初段ＦＥＴ２３、終段ＦＥＴ２４、その他インピーダン
ス整合用のチップ部品、熱伝導樹脂２５，２７等の搭載
終了後にケース２６をかぶせて、はんだ付けし、マザー
ボード６上に実装される。以上の構成による本実施の形
態の作用は以下の如くである。初段ＦＥＴ２３，終段Ｆ
ＥＴ２４から発生した熱は、ＰＡ基板２１に設けられた
図示せぬ熱伝導用のスルーホールからマザーボード６へ
逃げる経路に加えて、初段ＦＥＴ２３，終段ＦＥＴ２４
上面から熱伝導樹脂２５，２７を伝わってケース２６へ
逃げる。ケース２６へ逃げた熱は、ケース２６表面から
空気中へ逃げる。ケース２６は表面積が広いため放熱効
果が高い。
初段ＦＥＴ２３、終段ＦＥＴ２４、その他インピーダン
ス整合用のチップ部品、熱伝導樹脂２５，２７等の搭載
終了後にケース２６をかぶせて、はんだ付けし、マザー
ボード６上に実装される。以上の構成による本実施の形
態の作用は以下の如くである。初段ＦＥＴ２３，終段Ｆ
ＥＴ２４から発生した熱は、ＰＡ基板２１に設けられた
図示せぬ熱伝導用のスルーホールからマザーボード６へ
逃げる経路に加えて、初段ＦＥＴ２３，終段ＦＥＴ２４
上面から熱伝導樹脂２５，２７を伝わってケース２６へ
逃げる。ケース２６へ逃げた熱は、ケース２６表面から
空気中へ逃げる。ケース２６は表面積が広いため放熱効
果が高い。
【００１２】図３は本発明の第２の実施の形態を示す要
部斜視図である。図において、２６ａはケース２６に設
けた凹凸である。この凹凸２６ａ以外の構成は図１で示
す第１の実施の形態と同様である。上述した構成の第２
の実施の形態では、ケース２６の表面に設けた凹凸２６
ａによりケース２６の表面積が大きくなるので、空気中
への放熱効率がさらに上がる。
部斜視図である。図において、２６ａはケース２６に設
けた凹凸である。この凹凸２６ａ以外の構成は図１で示
す第１の実施の形態と同様である。上述した構成の第２
の実施の形態では、ケース２６の表面に設けた凹凸２６
ａによりケース２６の表面積が大きくなるので、空気中
への放熱効率がさらに上がる。
【００１３】
【発明の効果】以上の構成により、本発明は、トランジ
スタやＦＥＴ等の能動素子を基板上に搭載し、該能動素
子上面にケースをかぶせた後、マザーボード上に実装さ
れる送信電力増幅器の放熱構造において、熱伝導率の高
い熱伝導樹脂等を前記能動素子の上面に設置する等し
て、前記能動素子の上面から直に前記ケース側へ熱を逃
がす熱伝導経路を設けたので、ケース側へ高放熱するこ
とができる。
スタやＦＥＴ等の能動素子を基板上に搭載し、該能動素
子上面にケースをかぶせた後、マザーボード上に実装さ
れる送信電力増幅器の放熱構造において、熱伝導率の高
い熱伝導樹脂等を前記能動素子の上面に設置する等し
て、前記能動素子の上面から直に前記ケース側へ熱を逃
がす熱伝導経路を設けたので、ケース側へ高放熱するこ
とができる。
【００１４】これにより、マザーボードの一部分へ熱が
集中することが無くなり、マザーボード上の他のデバイ
ス等への影響を防ぎ、ハイパワーな能動素子が搭載可能
な送信電力増幅器を実現するという効果がある。さら
に、上記の構成に加えてケースの表面に凹凸を設ける
と、ケースの表面積を大きくでき、放熱効率をさらに向
上させるという効果がある。
集中することが無くなり、マザーボード上の他のデバイ
ス等への影響を防ぎ、ハイパワーな能動素子が搭載可能
な送信電力増幅器を実現するという効果がある。さら
に、上記の構成に加えてケースの表面に凹凸を設ける
と、ケースの表面積を大きくでき、放熱効率をさらに向
上させるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す側面図であ
る。
る。
【図２】本発明の第１の実施の形態を示す部分斜視図で
ある。
ある。
【図３】本発明の第２の実施の形態を示す要部斜視図で
ある。
ある。
【図４】従来例を示す側面図である。
【図５】従来例を示す部分斜視図である。
【図６】従来例の作用を示す側面図である。
６ マザーボード ７〜１４ 端子 ２１ ＰＡ基板 ２２ ＰＡ内蔵デバイス ２３ 初段ＦＥＴ ２４ 終段ＦＥＴ ２５，２７ 熱伝導樹脂 ２６ ケース ２６ａ 凹凸
Claims (3)
- 【請求項１】 トランジスタやＦＥＴ等の能動素子をＰ
Ａ基板上に搭載し、該能動素子上面にケースをかぶせた
後、マザーボード上に実装される送信電力増幅器の放熱
構造において、 前記能動素子の上面から直に前記ケース側へ熱を逃がす
熱伝導経路を設けたことを特徴とする送信電力増幅器の
放熱構造。 - 【請求項２】 熱伝導率の高い熱伝導樹脂等を前記能動
素子の上面に設置して、前記熱伝導経路を設けたことを
特徴とする請求項１記載の送信電力増幅器の放熱構造。 - 【請求項３】 ケース表面に凹凸を設けたことを特徴と
する請求項１記載の送信電力増幅器の放熱構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8043052A JPH09237988A (ja) | 1996-02-29 | 1996-02-29 | 送信電力増幅器の放熱構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8043052A JPH09237988A (ja) | 1996-02-29 | 1996-02-29 | 送信電力増幅器の放熱構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09237988A true JPH09237988A (ja) | 1997-09-09 |
Family
ID=12653120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8043052A Pending JPH09237988A (ja) | 1996-02-29 | 1996-02-29 | 送信電力増幅器の放熱構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09237988A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011078256A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Hitachi Koki Co Ltd | 作業機械 |
-
1996
- 1996-02-29 JP JP8043052A patent/JPH09237988A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011078256A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Hitachi Koki Co Ltd | 作業機械 |
| US9160211B2 (en) | 2009-09-30 | 2015-10-13 | Hitachi Koki Co., Ltd. | Work machine and brushless motor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5513070A (en) | Dissipation of heat through keyboard using a heat pipe | |
| US7209354B2 (en) | Ball grid array package with heat sink device | |
| JPH10125832A (ja) | 熱伝導方法および装置 | |
| JPH06252285A (ja) | 回路基板 | |
| US6097603A (en) | Heat sink for direct attachment to surface mount electronic device packages | |
| JPH09213851A (ja) | Ｉｃデバイスの放熱方法及び放熱手段 | |
| JPH0736468U (ja) | 電子部品の放熱構造 | |
| JPH02291160A (ja) | 半導体装置 | |
| US7019390B2 (en) | Silicon nitride insulating substrate for power semiconductor module | |
| JPH0529502A (ja) | プリント基板 | |
| US5057970A (en) | Electronic power component circuit | |
| JPH0837387A (ja) | 電力増幅器の放熱実装構造 | |
| JP2970530B2 (ja) | 高出力電力増幅器 | |
| JP3135195B2 (ja) | マイクロ波集積回路 | |
| JP2798464B2 (ja) | 電力増幅モジュール構造 | |
| JP2000252657A (ja) | 制御機器の放熱装置 | |
| JPH11186479A (ja) | 放熱板付き表面実装部品 | |
| JPS63289847A (ja) | Ｌｓｉパッケ−ジの放熱構造 | |
| JPH0627956Y2 (ja) | 電子回路モジュール | |
| JPH04114463A (ja) | モノリシックマイクロ波集積回路 | |
| JPS59155158A (ja) | 半導体装置の冷却構造 | |
| JPS641804Y2 (ja) | ||
| JP2000031374A (ja) | 集積回路装置 | |
| FR3152637B1 (fr) | Boitier pour circuit integre avec dissipation thermique | |
| JP2001257490A (ja) | 電子機器の放熱構造 |