JPH09243654A - 加速度センサ - Google Patents
加速度センサInfo
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- JPH09243654A JPH09243654A JP8079373A JP7937396A JPH09243654A JP H09243654 A JPH09243654 A JP H09243654A JP 8079373 A JP8079373 A JP 8079373A JP 7937396 A JP7937396 A JP 7937396A JP H09243654 A JPH09243654 A JP H09243654A
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- sensor chip
- sensor
- package
- acceleration
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
- G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 周波数応答性が良好で、信頼性の高い加速度
センサを提供すること 【解決手段】 加速度により変位する可動電極付きの重
り部を有するシリコン基板1の両側に固定電極を有する
ガラス基板2,3を接合して形成されるセンサチップ1
1を、ベースプレート13の上に固定し、ベースプレー
トの上部にカバー14を被せ、両者13,14をハーメ
チックシールし密封する。この密封処理を減圧空間内で
行うことにより、パッケージの内部を減圧状態にする。
センサチップに形成されたスルーホール9を介してセン
サチップの周囲と内部が導通されているが、そのセンサ
チップの内部は、パッケージ内の減圧状態となるので、
重り部が変位する際に気体の粘性を受けにくくなり、周
波数応答性が良好となる。また、パッケージの外部の雰
囲気の状態に関係なく内部空間は安定しているので、長
期にわたって、安定した特性が得られる。
センサを提供すること 【解決手段】 加速度により変位する可動電極付きの重
り部を有するシリコン基板1の両側に固定電極を有する
ガラス基板2,3を接合して形成されるセンサチップ1
1を、ベースプレート13の上に固定し、ベースプレー
トの上部にカバー14を被せ、両者13,14をハーメ
チックシールし密封する。この密封処理を減圧空間内で
行うことにより、パッケージの内部を減圧状態にする。
センサチップに形成されたスルーホール9を介してセン
サチップの周囲と内部が導通されているが、そのセンサ
チップの内部は、パッケージ内の減圧状態となるので、
重り部が変位する際に気体の粘性を受けにくくなり、周
波数応答性が良好となる。また、パッケージの外部の雰
囲気の状態に関係なく内部空間は安定しているので、長
期にわたって、安定した特性が得られる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、加速度センサに関する
もので、例えば自動車等の加速度や振動を検知するため
に用いられる加速度センサに関するものである。
もので、例えば自動車等の加速度や振動を検知するため
に用いられる加速度センサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の加速度センサとしては、例えば、
図6に示すような構造のものがある。図示のものは容量
型の加速度センサで、シリコン基板1の下面に、第1の
ガラス基板2が接合され、シリコン基板1の上面に第2
のガラス基板3が接合されている。第1のガラス基板2
はシリコン基板1と略同一の平面形状を有し、第2のガ
ラス基板3は、シリコン基板1よりも長辺方向が短くな
っている。これにより、シリコン基板1の上面の一部が
露出する。
図6に示すような構造のものがある。図示のものは容量
型の加速度センサで、シリコン基板1の下面に、第1の
ガラス基板2が接合され、シリコン基板1の上面に第2
のガラス基板3が接合されている。第1のガラス基板2
はシリコン基板1と略同一の平面形状を有し、第2のガ
ラス基板3は、シリコン基板1よりも長辺方向が短くな
っている。これにより、シリコン基板1の上面の一部が
露出する。
【0003】そして、同図(B)に示すように、シリコ
ン基板1は、エッチング加工により平面がロ字状に形成
された支持枠1aに重り部1bが梁部1cを介して片持
ち支持状に連結された構造に形成されている。さらに、
重り部1bの上下両面と、対向する両ガラス基板2,3
の対向面との間には、所定の隙間を形成している。これ
により、加速度を受けると梁部1cが撓み、重り部1b
が変位し、前記隙間の距離が変化するようにしている。
ン基板1は、エッチング加工により平面がロ字状に形成
された支持枠1aに重り部1bが梁部1cを介して片持
ち支持状に連結された構造に形成されている。さらに、
重り部1bの上下両面と、対向する両ガラス基板2,3
の対向面との間には、所定の隙間を形成している。これ
により、加速度を受けると梁部1cが撓み、重り部1b
が変位し、前記隙間の距離が変化するようにしている。
【0004】そして、重り部1bの両表面が可動電極5
となっている。この可動電極5と対向するように、第1
のガラス基板2と第2のガラス基板3の内側面にそれぞ
れ第1の固定電極6と第2の固定電極7が形成されてい
る。従って、上記したように、重り部1bが変位して隙
間の距離が変化すると、可動電極5と第1の固定電極6
間の距離並びに可動電極5と第2の固定電極7間の距離
が変化し、両者間の静電容量も変化する。よって、その
静電容量の変化を検出することにより、重り部1bの変
位量、すなわち、加速度を検出することができるように
なる。
となっている。この可動電極5と対向するように、第1
のガラス基板2と第2のガラス基板3の内側面にそれぞ
れ第1の固定電極6と第2の固定電極7が形成されてい
る。従って、上記したように、重り部1bが変位して隙
間の距離が変化すると、可動電極5と第1の固定電極6
間の距離並びに可動電極5と第2の固定電極7間の距離
が変化し、両者間の静電容量も変化する。よって、その
静電容量の変化を検出することにより、重り部1bの変
位量、すなわち、加速度を検出することができるように
なる。
【0005】そして、各電極間の静電容量の変化に基づ
く信号を外部に取り出すための構造としては、まず、可
動電極5は一体となったシリコン基板1に接続されたボ
ンディングワイヤ8aに導通され、そのボンディングワ
イヤ8aを介して外部回路(信号処理回路等)に接続可
能となる。また、第1の固定電極6は、第1のガラス基
板2に形成されたスルーホール9を介して第1のガラス
基板2の下面に成膜された電極薄膜10aに導通され、
その第1のガラス基板2の下面を基板上に面実装するこ
とにより外部回路と接続可能となる。さらに、第2の固
定電極7は、第2のガラス基板3に形成されたスルーホ
ール9を介して第1のガラス基板3の上面に成膜された
電極薄膜10bに導通され、その第2のガラス基板3の
電極薄膜10bに接続されたボンディングワイヤ8bを
介して外部回路に接続可能となっている。そして、この
構成のセンサでは、スルーホール9を介してセンサ内部
が大気開放している。
く信号を外部に取り出すための構造としては、まず、可
動電極5は一体となったシリコン基板1に接続されたボ
ンディングワイヤ8aに導通され、そのボンディングワ
イヤ8aを介して外部回路(信号処理回路等)に接続可
能となる。また、第1の固定電極6は、第1のガラス基
板2に形成されたスルーホール9を介して第1のガラス
基板2の下面に成膜された電極薄膜10aに導通され、
その第1のガラス基板2の下面を基板上に面実装するこ
とにより外部回路と接続可能となる。さらに、第2の固
定電極7は、第2のガラス基板3に形成されたスルーホ
ール9を介して第1のガラス基板3の上面に成膜された
電極薄膜10bに導通され、その第2のガラス基板3の
電極薄膜10bに接続されたボンディングワイヤ8bを
介して外部回路に接続可能となっている。そして、この
構成のセンサでは、スルーホール9を介してセンサ内部
が大気開放している。
【0006】また、容量型加速度センサの別の構造の1
例としては、図7に示すようなものもある。この図示の
センサは、上記した図6のタイプと相違して、センサ内
部が外気と遮断された密閉型のものである。
例としては、図7に示すようなものもある。この図示の
センサは、上記した図6のタイプと相違して、センサ内
部が外気と遮断された密閉型のものである。
【0007】すなわち、同図に示すように、シリコン基
板1の両面に第1のガラス基板2,第2のガラス基板3
を陽極接合して一体化する点では、共通する。そして、
可動電極5及び両固定電極6,7は、ガラス基板に形成
されたスルーホール9a,9b,…を介して第2のガラ
ス基板3の上面に形成された電極薄膜10に接続され、
その電極薄膜10に接続されたボンディングワイヤ8
a,8b等を介して外部回路と導通するようになってい
る。
板1の両面に第1のガラス基板2,第2のガラス基板3
を陽極接合して一体化する点では、共通する。そして、
可動電極5及び両固定電極6,7は、ガラス基板に形成
されたスルーホール9a,9b,…を介して第2のガラ
ス基板3の上面に形成された電極薄膜10に接続され、
その電極薄膜10に接続されたボンディングワイヤ8
a,8b等を介して外部回路と導通するようになってい
る。
【0008】具体的には、可動電極5は、一体となった
支持枠1aに接続されたスルーホール9aを介してボン
ディングワイヤ8aに接続される。そして、スルーホー
ル9aの底面は、支持枠1aにより塞がれる。また、第
2の固定電極7は、スルーホール9bを介してボンディ
ングワイヤ8bに接続される。そして、スルーホール9
bの底面は、シリコン基板1を加工する際に同時に形成
された封止ブロック1dにより塞がれる。さらに、図示
省略するが、第1の固定電極6は、例えば図6に示すも
のと同様にスルーホール9bと対向しない第1のガラス
基板2の所定位置に形成されたスルーホールを介して第
1のガラス基板2の下面の電極薄膜に接続させるととも
に、そのスルーホールを封止ブロックで塞ぐように構成
する。
支持枠1aに接続されたスルーホール9aを介してボン
ディングワイヤ8aに接続される。そして、スルーホー
ル9aの底面は、支持枠1aにより塞がれる。また、第
2の固定電極7は、スルーホール9bを介してボンディ
ングワイヤ8bに接続される。そして、スルーホール9
bの底面は、シリコン基板1を加工する際に同時に形成
された封止ブロック1dにより塞がれる。さらに、図示
省略するが、第1の固定電極6は、例えば図6に示すも
のと同様にスルーホール9bと対向しない第1のガラス
基板2の所定位置に形成されたスルーホールを介して第
1のガラス基板2の下面の電極薄膜に接続させるととも
に、そのスルーホールを封止ブロックで塞ぐように構成
する。
【0009】なお、封止ブロックはシリコンで形成され
導電性を有するので、固定電極とスルーホールとの電気
的接続は、封止ブロックの接触面を介してより確実に行
われる。さらに、封止ブロックが固定電極とスルーホー
ルとの接続経路の一部の機能を有するため、第1の固定
電極6を外部に接続するためのスルーホールを第2のガ
ラス基板側に設けることもできる。これにより、各電極
の取出し面を第2のガラス基板3の上面に統一できるよ
うにすることもできる。
導電性を有するので、固定電極とスルーホールとの電気
的接続は、封止ブロックの接触面を介してより確実に行
われる。さらに、封止ブロックが固定電極とスルーホー
ルとの接続経路の一部の機能を有するため、第1の固定
電極6を外部に接続するためのスルーホールを第2のガ
ラス基板側に設けることもできる。これにより、各電極
の取出し面を第2のガラス基板3の上面に統一できるよ
うにすることもできる。
【0010】そして、いずれの構成をとった場合でも、
上記したようにセンサ内部と外部をつなぐスルーホール
が支持枠1a,封止ブロック1dによって閉塞している
ので、センサ内部は密閉されている。よって、センサを
組み立てる際に減圧された室内で行うことによりセンサ
内部も減圧状態にすることが可能となる。
上記したようにセンサ内部と外部をつなぐスルーホール
が支持枠1a,封止ブロック1dによって閉塞している
ので、センサ内部は密閉されている。よって、センサを
組み立てる際に減圧された室内で行うことによりセンサ
内部も減圧状態にすることが可能となる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の容量型加速度センサでは、以下に示す問題があ
る。すなわち、図6に示す容量型加速度センサでは、セ
ンサ内部が解放されており、センサ内部には空気等の気
体が存在する。そのため、加速度を受けて重り部1bが
変位しようとした際に、その気体の粘性によりその変位
が遅れるので、周波数応答特性は劣化してしまう。ま
た、粘性は気体の状態、すなわち、周囲の雰囲気により
左右されるので、同一の加速度が加わっても周囲の雰囲
気の状態によって出力が変動するおそれもある。
た従来の容量型加速度センサでは、以下に示す問題があ
る。すなわち、図6に示す容量型加速度センサでは、セ
ンサ内部が解放されており、センサ内部には空気等の気
体が存在する。そのため、加速度を受けて重り部1bが
変位しようとした際に、その気体の粘性によりその変位
が遅れるので、周波数応答特性は劣化してしまう。ま
た、粘性は気体の状態、すなわち、周囲の雰囲気により
左右されるので、同一の加速度が加わっても周囲の雰囲
気の状態によって出力が変動するおそれもある。
【0012】一方、図7に示す密閉型の容量型加速度セ
ンサでは、センサの周囲の雰囲気の影響を受けにくいた
め、特性は図6に示す構造のものに比べると安定する。
そして、センサ内部を減圧すると、気体の粘性の影響も
受けにくくなり、応答特性も良好となる。
ンサでは、センサの周囲の雰囲気の影響を受けにくいた
め、特性は図6に示す構造のものに比べると安定する。
そして、センサ内部を減圧すると、気体の粘性の影響も
受けにくくなり、応答特性も良好となる。
【0013】しかし、シリコン基板1とガラス基板2,
3の陽極接合を行う場合、対向する基板の接合面全面に
均一に電圧が印加されず(電流が流れず)、接合不良部
分が存在することがある。すると、時間の経過ととも
に、接合不良の部分からセンサ内部に徐々にセンサ周囲
の気体が侵入してしまう。すると、開放状態となり上記
したのと同様の問題を生じる。
3の陽極接合を行う場合、対向する基板の接合面全面に
均一に電圧が印加されず(電流が流れず)、接合不良部
分が存在することがある。すると、時間の経過ととも
に、接合不良の部分からセンサ内部に徐々にセンサ周囲
の気体が侵入してしまう。すると、開放状態となり上記
したのと同様の問題を生じる。
【0014】本発明は、上記した背景に鑑みてなされた
もので、その目的とするところは、上記した問題点を解
決し、センサ内部を減圧状態にして周波数応答特性を良
好にするとともに、係る減圧状態を保持して、長期にわ
たって加速度センサの信頼性を高めることができる容量
型加速度センサを提供することにある。
もので、その目的とするところは、上記した問題点を解
決し、センサ内部を減圧状態にして周波数応答特性を良
好にするとともに、係る減圧状態を保持して、長期にわ
たって加速度センサの信頼性を高めることができる容量
型加速度センサを提供することにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ため、本発明に係る加速度センサでは、加速度を受けて
変位する重り部を有し、その重り部の変位量に応じた信
号を出力可能としたセンサチップを、密閉されたパッケ
ージの内部に封入し、前記パッケージの内部が減圧状態
に保持するように構成した(請求項1)。
ため、本発明に係る加速度センサでは、加速度を受けて
変位する重り部を有し、その重り部の変位量に応じた信
号を出力可能としたセンサチップを、密閉されたパッケ
ージの内部に封入し、前記パッケージの内部が減圧状態
に保持するように構成した(請求項1)。
【0016】センサチップとしては、重り部の変位に基
づいて加速度が検出できるものであれば、その構造は問
わず、空気抵抗(粘性)により変位量が影響されやすい
容量型の半導体加速度センサ,ピエゾ抵抗型の半導体加
速度センサ等の半導体センサが特に好ましい。また、第
3の実施の形態で一例を例示したように、部品を組み立
てるタイプのものでも、全体的に小型で板バネが変形し
やすいような場合にも本発明が有効に機能する。
づいて加速度が検出できるものであれば、その構造は問
わず、空気抵抗(粘性)により変位量が影響されやすい
容量型の半導体加速度センサ,ピエゾ抵抗型の半導体加
速度センサ等の半導体センサが特に好ましい。また、第
3の実施の形態で一例を例示したように、部品を組み立
てるタイプのものでも、全体的に小型で板バネが変形し
やすいような場合にも本発明が有効に機能する。
【0017】また、検出対象の加速度は、文字通り物体
が移動などしたときに生じる加速度はもちろんのこと、
振動のように連続的に発生する加速度を時系列的に検出
するようなものや、傾きのように重力加速度を検出する
ものなど多種のものを含む。
が移動などしたときに生じる加速度はもちろんのこと、
振動のように連続的に発生する加速度を時系列的に検出
するようなものや、傾きのように重力加速度を検出する
ものなど多種のものを含む。
【0018】そして、好ましくは、前記センサチップ
が、前記重り部を密閉状態で内蔵した構造からなり、前
記センサチップの内部も所定の減圧状態に保持するよう
に構成することである(請求項2)。なお、センサチッ
プ内部の減圧の程度とパッケージ内部の減圧の程度は同
じにしていてもよく、或いは異ならせていてもよい。
が、前記重り部を密閉状態で内蔵した構造からなり、前
記センサチップの内部も所定の減圧状態に保持するよう
に構成することである(請求項2)。なお、センサチッ
プ内部の減圧の程度とパッケージ内部の減圧の程度は同
じにしていてもよく、或いは異ならせていてもよい。
【0019】加速度を検出する機能を持つセンサチップ
を、内部が減圧状態にされたパッケージに封入すると、
たとえセンサチップが開放しており、センサチップの周
囲の期待がセンサ内部に侵入可能としたタイプであって
も、そのセンサチップの内部の状態は、パッケージ内部
の同様の減圧状態になる。
を、内部が減圧状態にされたパッケージに封入すると、
たとえセンサチップが開放しており、センサチップの周
囲の期待がセンサ内部に侵入可能としたタイプであって
も、そのセンサチップの内部の状態は、パッケージ内部
の同様の減圧状態になる。
【0020】従って、大気に開放されることはなく、空
気の粘性は減少する。そのため、重り部は与えられた加
速度に対して敏速に反応(移動)することができ、加速
度センサの周波数応答特性は良好となる。
気の粘性は減少する。そのため、重り部は与えられた加
速度に対して敏速に反応(移動)することができ、加速
度センサの周波数応答特性は良好となる。
【0021】また、センサチップ自体を密閉するものに
比べ、パッケージを密封することは容易かつ確実に行う
ことができる。従って、従来の密閉型タイプの加速度セ
ンサよりも長期にわたる信頼性が確保できる。
比べ、パッケージを密封することは容易かつ確実に行う
ことができる。従って、従来の密閉型タイプの加速度セ
ンサよりも長期にわたる信頼性が確保できる。
【0022】また、請求項2に記載したように構成する
と、センサチップ自体でも減圧状態にあるので、請求項
1と同様に周波数応答性がよくなる。さらに、センサチ
ップとパッケージで二重の減圧状態の密閉空間を構成し
ているので、減圧状態の保持の確実性が増す。そして、
仮にセンサチップの気密状態が解除されたとしても、そ
のセンサチップの周囲には、パッケージで形成された減
圧状態となっているので、従来のようにすぐに大気開放
することはない。
と、センサチップ自体でも減圧状態にあるので、請求項
1と同様に周波数応答性がよくなる。さらに、センサチ
ップとパッケージで二重の減圧状態の密閉空間を構成し
ているので、減圧状態の保持の確実性が増す。そして、
仮にセンサチップの気密状態が解除されたとしても、そ
のセンサチップの周囲には、パッケージで形成された減
圧状態となっているので、従来のようにすぐに大気開放
することはない。
【0023】
【発明の実施の形態】図1,図2は、本発明に係る加速
度センサの第1の実施の形態を示している。本実施の形
態では、センサチップ11をパッケージ12により封入
するようにしている。
度センサの第1の実施の形態を示している。本実施の形
態では、センサチップ11をパッケージ12により封入
するようにしている。
【0024】センサチップ11は、可動電極5付きの重
り部1cが形成されたシリコン基板1の上下に固定電極
6,7を設けたガラス基板2,3を接合して一体化した
もので、図6に示した従来のセンサチップと同様の構成
である。そして、このセンサチップ11は、内部がスル
ーホール9を介して外部に開放されたタイプのものであ
る。なお、具体的なセンサチップの詳細な構造は、上記
した従来ものと同様であるので、同一符号を付して説明
を省略する。
り部1cが形成されたシリコン基板1の上下に固定電極
6,7を設けたガラス基板2,3を接合して一体化した
もので、図6に示した従来のセンサチップと同様の構成
である。そして、このセンサチップ11は、内部がスル
ーホール9を介して外部に開放されたタイプのものであ
る。なお、具体的なセンサチップの詳細な構造は、上記
した従来ものと同様であるので、同一符号を付して説明
を省略する。
【0025】パッケージ12は、センサチップ11を設
置するベースプレート13と、そのベースプレート13
に取り付けられ、ベースプレート13の上方空間を閉塞
するカバー14とを有している。
置するベースプレート13と、そのベースプレート13
に取り付けられ、ベースプレート13の上方空間を閉塞
するカバー14とを有している。
【0026】ベースプレート13は、平面が略正方形状
の扁平な板体からなり、その上面の外周縁13aは、1
段低くなっている。そしてこのベースプレートの4隅の
近傍に上下に貫通するようにリードピン15を取り付け
ている。なお、リードピン15とベースプレート13と
の間に形成されるわずかな隙間は、例えば樹脂封入した
り、両者を固定する接着剤或いはハンダ等により封止さ
れ、気密性が確保されている。
の扁平な板体からなり、その上面の外周縁13aは、1
段低くなっている。そしてこのベースプレートの4隅の
近傍に上下に貫通するようにリードピン15を取り付け
ている。なお、リードピン15とベースプレート13と
の間に形成されるわずかな隙間は、例えば樹脂封入した
り、両者を固定する接着剤或いはハンダ等により封止さ
れ、気密性が確保されている。
【0027】センサチップ11は、ベースプレート13
の上面中央に導電性接着剤などを用いて固定されてい
る。そして第1のガラス基板2の下面が面実装され、ベ
ースプレート13の上面に形成されたプリント配線パタ
ーンと直接導通されるようになっており、そのプリント
範囲線パターンを介して所定のリードピンに導通するよ
うになっている。また、センサチップ11の所定位置に
接続されるボンディングワイヤ8a,8bの他端は、そ
れぞれ所定のリードピン15の上端にボンディングされ
ている。これにより、センサチップ11の可動電極5と
第1,第2の固定電極6,7間の静電容量の変化が、リ
ードピン15を介して、外部に取り出すことができるよ
うになっている。
の上面中央に導電性接着剤などを用いて固定されてい
る。そして第1のガラス基板2の下面が面実装され、ベ
ースプレート13の上面に形成されたプリント配線パタ
ーンと直接導通されるようになっており、そのプリント
範囲線パターンを介して所定のリードピンに導通するよ
うになっている。また、センサチップ11の所定位置に
接続されるボンディングワイヤ8a,8bの他端は、そ
れぞれ所定のリードピン15の上端にボンディングされ
ている。これにより、センサチップ11の可動電極5と
第1,第2の固定電極6,7間の静電容量の変化が、リ
ードピン15を介して、外部に取り出すことができるよ
うになっている。
【0028】一方、カバー14は、下方が開口した矩形
の箱状からなり、その底面が全周にわたって外側に突出
するフランジ部14aが形成されている。そして、その
フランジ部14aが、ベースプレート13の外周縁13
aと符合して面接触するように形成されている。
の箱状からなり、その底面が全周にわたって外側に突出
するフランジ部14aが形成されている。そして、その
フランジ部14aが、ベースプレート13の外周縁13
aと符合して面接触するように形成されている。
【0029】そして、上記した構造のベースプレート1
3とカバー14を一体化する際に、センサチップ11を
設置したベースプレート13を減圧された作業空間に配
置し、係るカバー14をベースプレート13の上面に被
せる。このとき、フランジ部14aとベースプレート1
3の外周縁13bとを面接触させる。そしてその接合部
分をハーメチックシールすることにより、密着状態で接
合一体化する。これにより、ベースプレート13及びカ
バー14内を完全に密閉し、センサチップ11の配置空
間を完全に密封するパッケージ12を形成する。
3とカバー14を一体化する際に、センサチップ11を
設置したベースプレート13を減圧された作業空間に配
置し、係るカバー14をベースプレート13の上面に被
せる。このとき、フランジ部14aとベースプレート1
3の外周縁13bとを面接触させる。そしてその接合部
分をハーメチックシールすることにより、密着状態で接
合一体化する。これにより、ベースプレート13及びカ
バー14内を完全に密閉し、センサチップ11の配置空
間を完全に密封するパッケージ12を形成する。
【0030】なお、ベースプレート13とカバー14と
を気密に一体化する手法は、上記以外に例えば、接着剤
を用いたり、所定の圧力で両者13a,14aを挟持し
た状態で加熱して接触面を溶融させた後冷却して一体化
したり、ハンダ付けを行ったり、溶接したりするなどの
他種々の方式をとることができる。そして、ベースプレ
ート13とカバー14の材質等を考慮し、簡単かつ確実
に長期にわたって気密状態を保持することができるもの
を適宜選択することになる。
を気密に一体化する手法は、上記以外に例えば、接着剤
を用いたり、所定の圧力で両者13a,14aを挟持し
た状態で加熱して接触面を溶融させた後冷却して一体化
したり、ハンダ付けを行ったり、溶接したりするなどの
他種々の方式をとることができる。そして、ベースプレ
ート13とカバー14の材質等を考慮し、簡単かつ確実
に長期にわたって気密状態を保持することができるもの
を適宜選択することになる。
【0031】そして、上記した作業は減圧された空間で
行われるので、パッケージ12内部は減圧状態のまま密
閉される。そのため、スルーホール9によりセンサチッ
プ11内部も減圧状態であるので、可動電極5が形成さ
れた重り部1bは空気の粘性による影響を受けにくくな
る。よって、本加速度センサが加速度や振動を受ける
と、瞬時に位置が変化されるので、周波数応答特性は良
好となる。
行われるので、パッケージ12内部は減圧状態のまま密
閉される。そのため、スルーホール9によりセンサチッ
プ11内部も減圧状態であるので、可動電極5が形成さ
れた重り部1bは空気の粘性による影響を受けにくくな
る。よって、本加速度センサが加速度や振動を受ける
と、瞬時に位置が変化されるので、周波数応答特性は良
好となる。
【0032】また、パッケージ12には未接着箇所が存
在しないので、時間の経過によって、パッケージ12の
外部の空気がパッケージ12内部に侵入することはな
く、係る容量型加速度センサは信頼性が高くなる。
在しないので、時間の経過によって、パッケージ12の
外部の空気がパッケージ12内部に侵入することはな
く、係る容量型加速度センサは信頼性が高くなる。
【0033】図3は、本発明に係る加速度センサの第2
の実施の形態を示している。本形態では、図7に示した
従来の加速度センサ(センサ内部を密閉した型)を構成
するセンサチップ11′を、第1の実施の形態で用いら
れたパッケージ12で内包している。
の実施の形態を示している。本形態では、図7に示した
従来の加速度センサ(センサ内部を密閉した型)を構成
するセンサチップ11′を、第1の実施の形態で用いら
れたパッケージ12で内包している。
【0034】本実施の形態では、センサチップ11′自
身で減圧状態を有するものの、各種の原因によりその減
圧状態が、解除されてしまっても、上記した第1の実施
の形態と同様の動作原理に従い、パッケージ12により
減圧状態が保持される。従って、より確実に長期にわた
ってセンサチップ11′内の減圧状態が保持されるの
で、信頼性が向上する。
身で減圧状態を有するものの、各種の原因によりその減
圧状態が、解除されてしまっても、上記した第1の実施
の形態と同様の動作原理に従い、パッケージ12により
減圧状態が保持される。従って、より確実に長期にわた
ってセンサチップ11′内の減圧状態が保持されるの
で、信頼性が向上する。
【0035】さらに、センサチップ11′の内部の減圧
状態の方を高く(気圧が低い)すると、当初は、センサ
チップ11′自体が保持する高い減圧状態で、高性能な
センシングが可能となり、その後何らかの原因により、
センサチップ11′の気密性がなくなっても、パッケー
ジ12内で形成される減圧状態になるので、従来のよう
にすぐに大気開放されることはなく、比較的高性能なセ
ンシングができる。
状態の方を高く(気圧が低い)すると、当初は、センサ
チップ11′自体が保持する高い減圧状態で、高性能な
センシングが可能となり、その後何らかの原因により、
センサチップ11′の気密性がなくなっても、パッケー
ジ12内で形成される減圧状態になるので、従来のよう
にすぐに大気開放されることはなく、比較的高性能なセ
ンシングができる。
【0036】図4は、本発明に係る加速度センサの第3
の実施の形態を示している。上記した各実施の形態は、
半導体プロセスを用いてシリコン基板を加工し、加速度
により重り部を変位させる機構を一体的に形成するよう
にしたが、本実施の形態では、各種部品を機械的に組み
立てることにより、センサチップ20を構成するように
している。
の実施の形態を示している。上記した各実施の形態は、
半導体プロセスを用いてシリコン基板を加工し、加速度
により重り部を変位させる機構を一体的に形成するよう
にしたが、本実施の形態では、各種部品を機械的に組み
立てることにより、センサチップ20を構成するように
している。
【0037】具体的には、センサチップ20は、2枚の
固定基板21,22の間に、絶縁体からなる支持部材2
3を介して弾力性を有する板バネ24をサンドイッチ状
に支持する。そして、板バネ24の上面及び下面の中央
にそれぞれ重り部25を溶接して一体化する。また、固
定基板21,22及び重り部25を、ともに所定の厚さ
を有する金属板で構成する。
固定基板21,22の間に、絶縁体からなる支持部材2
3を介して弾力性を有する板バネ24をサンドイッチ状
に支持する。そして、板バネ24の上面及び下面の中央
にそれぞれ重り部25を溶接して一体化する。また、固
定基板21,22及び重り部25を、ともに所定の厚さ
を有する金属板で構成する。
【0038】係る構成にすると、センサチップ20が加
速度を受けると、重り部25が所定方向に移動しようと
し、それに伴い板バネ24が弾性変形し、重り部25の
変位が許容される。すると、重り部25と、上下に配置
された固定基板21,22の間隔が変化する。
速度を受けると、重り部25が所定方向に移動しようと
し、それに伴い板バネ24が弾性変形し、重り部25の
変位が許容される。すると、重り部25と、上下に配置
された固定基板21,22の間隔が変化する。
【0039】この時、固定基板21,22並びに重り部
25が金属で構成されているので、両基板21,22の
表面が固定電極26,27として機能し、重り部25の
表面が可動電極28として機能する。従って、上記した
重り部25の変位に基づき、両電極間の静電容量が変化
するので、上記した各センサチップ11,11′と同様
の原理に従い、加速度を検出できる。
25が金属で構成されているので、両基板21,22の
表面が固定電極26,27として機能し、重り部25の
表面が可動電極28として機能する。従って、上記した
重り部25の変位に基づき、両電極間の静電容量が変化
するので、上記した各センサチップ11,11′と同様
の原理に従い、加速度を検出できる。
【0040】さらに第2の固定基板22の上面には、ワ
ッシャー30を介して信号処理回路31が実装された回
路基板32が取り付けられる。そして、その信号処理回
路31と、各電極26〜28との接続は板バネ24及び
第1の固定基板25に接続されたリード線33を介し
て、並びに第2の固定基板26の上面から直接行われる
ようになり、さらに信号処理回路31は、2本の電源線
35aと、1本の信号線35bを介して外部回路と接続
されるようになっている。
ッシャー30を介して信号処理回路31が実装された回
路基板32が取り付けられる。そして、その信号処理回
路31と、各電極26〜28との接続は板バネ24及び
第1の固定基板25に接続されたリード線33を介し
て、並びに第2の固定基板26の上面から直接行われる
ようになり、さらに信号処理回路31は、2本の電源線
35aと、1本の信号線35bを介して外部回路と接続
されるようになっている。
【0041】ここで本形態では、上記センサチップ20
を、減圧状態で密閉されたパッケージ40内に収納する
ようにしている。本例で用いるパッケージ40は、上部
開放したカップ状の容器本体41と、下方開口されたカ
ップ状の蓋体42とを有し、容器本体41の上端縁及び
蓋体42の下端縁は、それぞれ外側に突出する同一形状
のフランジ部41a,42aが形成されている。さら
に、容器本体41の底面には、絶縁性の台座43が固定
されている。また、蓋体42の天面中央には、透孔42
bが形成されている。
を、減圧状態で密閉されたパッケージ40内に収納する
ようにしている。本例で用いるパッケージ40は、上部
開放したカップ状の容器本体41と、下方開口されたカ
ップ状の蓋体42とを有し、容器本体41の上端縁及び
蓋体42の下端縁は、それぞれ外側に突出する同一形状
のフランジ部41a,42aが形成されている。さら
に、容器本体41の底面には、絶縁性の台座43が固定
されている。また、蓋体42の天面中央には、透孔42
bが形成されている。
【0042】そして、センサチップ20をパッケージ4
0内に収納するには、まずセンサチップ20を容器本体
21の台座43の上に固定する。また、電源線35a,
信号線35bを蓋体42に形成された透孔42bに通
し、その先端を蓋体42の外部に引き出すとともに透孔
42bに樹脂44等を充填し密閉する。そして、上記し
た各実施の形態と同様に、減圧状態にされた作業空間内
で、容器本体41の上側に蓋体42を被せるとともに、
両フランジ部41a,42aを面接触させる。そして、
ハーメチックシールを行い、フランジ部41a,42a
の面接触した部分を隙間なく接着させ、完全に密閉した
パッケージ40を形成する。
0内に収納するには、まずセンサチップ20を容器本体
21の台座43の上に固定する。また、電源線35a,
信号線35bを蓋体42に形成された透孔42bに通
し、その先端を蓋体42の外部に引き出すとともに透孔
42bに樹脂44等を充填し密閉する。そして、上記し
た各実施の形態と同様に、減圧状態にされた作業空間内
で、容器本体41の上側に蓋体42を被せるとともに、
両フランジ部41a,42aを面接触させる。そして、
ハーメチックシールを行い、フランジ部41a,42a
の面接触した部分を隙間なく接着させ、完全に密閉した
パッケージ40を形成する。
【0043】上記した作業は減圧状態で行われるためパ
ッケージ40の内部は減圧状態となる。よって第1の形
態と同様にセンサチップ20内部も減圧状態となり、重
り部25は空気の粘性による影響を受けず、加速度セン
サの周波数応答特性は良好となる。
ッケージ40の内部は減圧状態となる。よって第1の形
態と同様にセンサチップ20内部も減圧状態となり、重
り部25は空気の粘性による影響を受けず、加速度セン
サの周波数応答特性は良好となる。
【0044】図5は、本発明の第4の実施の形態を示し
ている。本実施の形態では、第2の実施の形態において
用いられたパッケージ12を構成するベースプレート1
3の上面に、所定回路が印刷された基板45を配置す
る。そして、係る基板45の上面に、密閉型のセンサチ
ップ11′及び信号処理回路46を配置する。そして、
センサチップ11′及び信号処理部46を構成する各回
路素子は、ボンディングワイヤ47或いは基板45上に
形成されたプリント配線により接続されている。さら
に、ボンディングワイヤ47によりリードピン15にも
接続されており、係る信号処理部46で処理された信号
を外部に送出したり、外部から電源の供給を受けたりす
るようになっている。
ている。本実施の形態では、第2の実施の形態において
用いられたパッケージ12を構成するベースプレート1
3の上面に、所定回路が印刷された基板45を配置す
る。そして、係る基板45の上面に、密閉型のセンサチ
ップ11′及び信号処理回路46を配置する。そして、
センサチップ11′及び信号処理部46を構成する各回
路素子は、ボンディングワイヤ47或いは基板45上に
形成されたプリント配線により接続されている。さら
に、ボンディングワイヤ47によりリードピン15にも
接続されており、係る信号処理部46で処理された信号
を外部に送出したり、外部から電源の供給を受けたりす
るようになっている。
【0045】本実施の形態でも、パッケージ12内部は
減圧状態が保持されているので、長期にわたって応答性
の良好な状態が維持される。なお、センサチップ11′
並びにパッケージ12の構成並びに作用効果は、上記し
た各実施の形態と同様であるのでその詳細な説明を省略
する。
減圧状態が保持されているので、長期にわたって応答性
の良好な状態が維持される。なお、センサチップ11′
並びにパッケージ12の構成並びに作用効果は、上記し
た各実施の形態と同様であるのでその詳細な説明を省略
する。
【0046】また、このように信号処理回路を同封する
ためのセンサチップの構造としては、図示した密封型に
限ることはなく、図6に示した開放型のものでももちろ
んよい。また、第3の実施の形態では、センサチップ2
0と信号処理回路31をパッケージ40内に同封した
が、センサチップ20のみを密封するようにしてももち
ろんよい。
ためのセンサチップの構造としては、図示した密封型に
限ることはなく、図6に示した開放型のものでももちろ
んよい。また、第3の実施の形態では、センサチップ2
0と信号処理回路31をパッケージ40内に同封した
が、センサチップ20のみを密封するようにしてももち
ろんよい。
【0047】さらにまた、半導体型の加速度センサとし
ては、上記した容量型のものに限らず、梁部等の変形す
る箇所にピエゾ素子を設置し、そのピエゾ素子の抵抗の
変化から加速度を検出するようにしたタイプのものでも
よく、その他各種の構造のものを用いることができる。
ては、上記した容量型のものに限らず、梁部等の変形す
る箇所にピエゾ素子を設置し、そのピエゾ素子の抵抗の
変化から加速度を検出するようにしたタイプのものでも
よく、その他各種の構造のものを用いることができる。
【0048】なおまた、上記した各実施の形態では、い
ずれも可動電極と固定電極を2組有する静電容量型のセ
ンサを示したが、一対の可動電極と固定電極を有したセ
ンサチップでもよいのはもちろんである。
ずれも可動電極と固定電極を2組有する静電容量型のセ
ンサを示したが、一対の可動電極と固定電極を有したセ
ンサチップでもよいのはもちろんである。
【0049】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る容量型加速
度センサでは、加速度を検出するセンサをパッケージで
内包するとともに、係るパッケージ内部を減圧状態にし
ているので、センサチップの内部(可動電極の配置され
た空間)も減圧状態となり、可動電極の位置は敏速に変
化するので、周波数応答特性を良好にすることができ
る。
度センサでは、加速度を検出するセンサをパッケージで
内包するとともに、係るパッケージ内部を減圧状態にし
ているので、センサチップの内部(可動電極の配置され
た空間)も減圧状態となり、可動電極の位置は敏速に変
化するので、周波数応答特性を良好にすることができ
る。
【0050】また、センサチップの内部が密閉されると
ともに減圧状態にされているものを用いる場合(請求項
2)には、たとえセンサチップの気密性がなくなり、開
放状態となっても、センサチップの周囲はパッケージで
形成された減圧状態になっているので、センサ内部にパ
ッケージ外部の空気が侵入することはなくなり、長期に
わたって信頼性が確保される。
ともに減圧状態にされているものを用いる場合(請求項
2)には、たとえセンサチップの気密性がなくなり、開
放状態となっても、センサチップの周囲はパッケージで
形成された減圧状態になっているので、センサ内部にパ
ッケージ外部の空気が侵入することはなくなり、長期に
わたって信頼性が確保される。
【図1】本発明に係る容量型加速度センサの第1の実施
の形態を示す斜視図である。
の形態を示す斜視図である。
【図2】図1の断面図である。
【図3】本発明に係る容量型加速度センサの第2実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図4】本発明に係る容量型加速度センサの第3実施例
を示す図である。
を示す図である。
【図5】本発明に係る容量型加速度センサの一例を示す
図である。
図である。
【図6】(A)は従来の容量型加速度センサの1形態を
示す図である。(B)はその断面図である。
示す図である。(B)はその断面図である。
【図7】従来の容量型加速度センサの1形態を示す図で
ある。
ある。
【符号の説明】 1b,25 重り部 11,11′ センサチップ 12,40 パッケージ
Claims (2)
- 【請求項1】 加速度を受けて変位する重り部を有し、
その重り部の変位量に応じた信号を出力可能としたセン
サチップを、密閉されたパッケージの内部に封入し、 前記パッケージの内部が減圧状態に保持されていること
を特徴とする加速度センサ。 - 【請求項2】 前記センサチップが、前記重り部を密閉
状態で内蔵した構造からなり、 前記センサチップの内部も所定の減圧状態に保持されて
いることを特徴とする請求項1に記載の加速度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8079373A JPH09243654A (ja) | 1996-03-08 | 1996-03-08 | 加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8079373A JPH09243654A (ja) | 1996-03-08 | 1996-03-08 | 加速度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09243654A true JPH09243654A (ja) | 1997-09-19 |
Family
ID=13688078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8079373A Pending JPH09243654A (ja) | 1996-03-08 | 1996-03-08 | 加速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09243654A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007513321A (ja) * | 2003-05-22 | 2007-05-24 | ファールプール・ソシエダッド・アノニマ | センサアッセンブリ,流体ポンプ及び冷却器 |
| WO2013073163A1 (ja) * | 2011-11-14 | 2013-05-23 | 富士電機株式会社 | 加速度センサ |
| JP2015210115A (ja) * | 2014-04-24 | 2015-11-24 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| WO2018092572A1 (ja) * | 2016-11-16 | 2018-05-24 | 株式会社大真空 | 水晶振動デバイス |
-
1996
- 1996-03-08 JP JP8079373A patent/JPH09243654A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007513321A (ja) * | 2003-05-22 | 2007-05-24 | ファールプール・ソシエダッド・アノニマ | センサアッセンブリ,流体ポンプ及び冷却器 |
| WO2013073163A1 (ja) * | 2011-11-14 | 2013-05-23 | 富士電機株式会社 | 加速度センサ |
| JP2015210115A (ja) * | 2014-04-24 | 2015-11-24 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| WO2018092572A1 (ja) * | 2016-11-16 | 2018-05-24 | 株式会社大真空 | 水晶振動デバイス |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030318 |