JPH09243809A - 結晶プリズムの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、結晶材料からなるプリズムを所定
の結晶軸の角度で、かつ、互いに平行でない２面に各々
異なった光学薄膜が施された結晶プリズムを製造できる
製造方法を提供する。 【解決手段】 発明に係る結晶プリズムの製造方法は、
結晶材料の光軸２に対し所定の面にオリエンテーション
フラット３ｃが設けられ、少なくとも一方の面が研磨面
である平面基板３を用意し、前記平面基板３の研磨面に
略全面に亘り光学薄膜を成膜し、前記平面基板３を前記
エンテーションフラット３ｃに対して所定の角度で等ピ
ッチで切断することにより所望の断面形状の棒状体を作
製し、この棒状体を研磨することにより前記成膜した研
磨面と平行でない別の研磨面を生成し、二つの研磨面を
具備した棒状体６を切断して、所望の断面形状で所望の
幅を有する結晶プリズムを製造するものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術の分野】本発明は結晶プリズムの製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のプリズム加工法は、特開平７−４
３５０８号公報に開示されているように、一定厚さの光
学ガラス板の表裏両面を同時に研磨加工して、各面に偏
光膜と反射膜とをそれぞれ成膜した成膜光学ガラス板を
得るとともに、また、各面に何も成膜のない非成膜ガラ
ス板を得た後、成膜ガラス板と非成膜ガラス板とを交互
に光学ガラス板の一枚の厚みの分だけ各端をずらせた状
態になるように階段状に重ね合わせて接着し、各重ね合
わせ接合面に偏光膜、反射膜が順次形成されるようにガ
ラス板積層体を形成して、それを所定間隔毎に重ね合わ
せ面に対して４５度の角度をもって斜めに切断して、両
切断面を同時に研磨加工することによって、コーティン
グ層（成膜層）が研磨表面に対して４５度傾斜した接合
プリズム構成体を形成する。そして、この接合プリズム
構成体を偏光膜と反射膜とを含むようにした非成膜ガラ
ス板の位置毎に研磨面に対して垂直に切断して、角棒状
プリズム体を形成し、この角棒状プリズム体を角棒状の
長さ方向で所定の間隔幅毎に切断するようにしたプリズ
ムの加工方法である。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の加工方法によれば、以下のような課題を有して
いる。即ち、前記従来の加工方法によれば、光学薄膜が
施されている面が平行に対向している形状のプリズムに
のみしか適用できない。即ち、互いに平行でない２面に
各々光学薄膜が施されるプリズムは、前記従来の加工方
法では全く製造できない。また、光軸を持つ結晶材料に
よるプリズムを製作する際の結晶軸の設定も行うことが
できない。

【０００４】本発明は前記従来の課題に鑑みてなされた
もので、結晶材料からなるプリズムを所定の結晶軸の角
度で、かつ、互いに平行でない２面に各々異なった光学
薄膜が施された結晶プリズムを製造できる製造方法を提
供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明に係
る結晶プリズムの製造方法は、結晶材料の光軸に対し所
定の面にオリエンテーションフラットが設けられ、少な
くとも一方の面が研磨面である平面基板を用意し、前記
平面基板の研磨面に略全面に亘り光学薄膜を成膜し、前
記平面基板を前記エンテーションフラットに対して所定
の角度で等ピッチで切断することにより所望の断面形状
の棒状体を作製し、この棒状体を研磨することにより前
記成膜した研磨面と平行でない別の研磨面を生成し、二
つの研磨面を具備した棒状体を切断して、所望の断面形
状で所望の幅を有する結晶プリズムを製造することを特
徴とするものである。

【０００６】請求項２記載の発明に係る結晶プリズムの
製造方法は、結晶材料の光軸に対し所定の面にオリエン
テーションフラットが設けられ、少なくとも一方の面が
研磨面である平面基板を用意し、前記平面基板の研磨面
に略全面に亘り光学薄膜を成膜し、前記平面基板を前記
オリエンテーションフラットに対して所定の角度で等ピ
ッチで切断することにより四角形断面の棒状体を作製
し、この棒状体を研磨することにより前記成膜した研磨
面と平行でない複数の研磨面を生成して所望の断面形状
となし、複数の研磨面のうちの少なくとも一方の面に光
学薄膜を成膜して平行でない２面に各々光学薄膜が成膜
された所望の断面形状の棒状体を作製し、作製した棒状
体をこの棒状体の長手方向と直角方向に、所望のピッチ
で切断することにより所望の断面で所望の幅を有する結
晶プリズムを製造することを特徴とするものである。

【０００７】以下に本発明の作用を説明する。まず、請
求項１に相当する作用を説明する。結晶材料の光軸に対
し所定の面にオリエンテーションフラット（以下「オリ
フラ」という。）が設けられているので、加工中に見え
ない光軸の方向をオリフラによって認識できる。

【０００８】次に、平面基板の研磨されている一方の面
に略全体に亘り光学薄膜を成膜することにより、簡単な
コーティングヤトイ冶具一つしか用いないで、一枚の前
記平面基板から作製できる複数個のプリズム完成品個々
における一つの光学薄膜を一遍に成膜できる。また、平
面基板のオリフラに対して所定の角度で所定の等間隔に
平面基板を切断することにより、結晶プリズムの基準面
と結晶材料の光学軸との角度を正しく形成でき、かつ、
棒状体を一つの切断工程で複数作製できる。

【０００９】次に、研磨することにより、光学薄膜が成
膜された研磨面とは平行でない研磨面を生成でき、この
工程で新たに生成された研磨面の少なくとも一方の面に
光学薄膜を成膜することにより、互いに平行でない研磨
面に各々光学薄膜が施されることになる。これにより最
終的な結晶プリズムが得られる。

【００１０】次に、請求項２に相当する作用を説明す
る。結晶材料の光軸に対し所定の面にオリフラが設けら
れていることにより、このオリフラによって加工中に見
えない光軸の方向を容易に認識できる。また、平面基板
の研磨されている一方の研磨面に略全体に亘り光学薄膜
を成膜することにより、簡単なコーティングヤトイ冶具
一つしか用いないで、一枚の平面基板から作製できる複
数個のプリズム完成品個々における一つの光学薄膜を一
遍に成膜できる。

【００１１】また、平面基板のオリフラに対して所定の
角度で、かつ、所定の等間隔で切断することにより、結
晶プリズムの基準面と結晶材料の光学軸との角度を正し
く形成でき、かつ、棒状体を一つの切断工程で複数作製
できる。

【００１２】次に、研磨することにより、光学薄膜が成
膜された研磨面とは平行でない別の複数の研磨面を生成
でき、この工程で生成された研磨面のうちの少なくとも
一方の面に光学薄膜を成膜することにより、互いに平行
でない研磨面に各々光学薄膜が施されることになる。そ
して、棒状体を長手方向と直角方向に所定の等間隔で切
断することにより、最終的な結晶プリズムを複数製造効
率良く得ることができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を詳
細に説明する。

【００１４】（実施の形態１）図１乃至図２１を参照し
て実施の形態１を説明する。まず、図１及び図２によ
り、作製するニオブ酸リチウム製の結晶マイクロプリズ
ム１について説明する。この結晶マイクロプリズム１
は、反射防止膜１ａが施された底面１ｂ、該底面１ｂと
４５度をなす偏光分離膜１ｃを設けた偏光分離面１ｄ、
前記底面１ｂと４５度をなす反射面１ｅ、及び、前記底
面１ｂと偏光分離面１ｄとの間の面取り面１ｆの４面か
らなる四角形形状で、幅が約１ｍｍの寸法となってい
る。

【００１５】また、図２に示すように、ニオブ酸リチウ
ム結晶の光軸２は、底面１ｂとａ度の角度を有する面内
にあり、また、図２に示すように、光軸２と底面１ｂの
法線とを含む面は、結晶マイクロプリズム１の側面１ｇ
に対しｂ度をなしている。

【００１６】結晶マイクロプリズム１を製造するには、
最初に、図３に示すニオブ酸リチウム結晶により形成さ
れ、その片面３ａを研磨面とした厚さ３ｍｍ、直径３イ
ンチの平面基板３を用意する。

【００１７】前記平面基板３は、ニオブ酸リチウム結晶
の光軸２が他面３ｂの法線に対し（９０−ａ）度傾いて
おり、該他面３ｂの法線と光軸２とを含む面が図４にも
示すようにオリフラ３ｃとして形成されている。

【００１８】次に、前記平面基板３を、図５に示すコー
ティングヤトイ治具４に装着し、蒸着装置のドーム５に
セットして蒸着処理を実施することにより、前記研磨面
３ａに平面基板３側からＳｉＯ₂ が光学的膜厚４７ｎ
ｍ、ＺＴ（ジルコニアと五酸化タンタルの９：１の混合
物）が光学的膜県４９５ｎｍの２層の反射防止膜３ｄを
成膜する。

【００１９】次に、前記平面基板３をダイシングソーの
ステージにセットし、オリフラ３ｃに対して（９０−ｂ
度）の角度の方向に４ｍｍピッチで切断し、前記方向と
直交する方向に図６に示すように、ピッチ４５ｍｍで切
断することにより、図７に示す３ｍｍ×４ｍｍ×４５ｍ
ｍの棒状体６を多数作製する。

【００２０】次に、前記棒状体６を、複数本まとめて図
８に示す第１の研磨治具７に貼り付け、点線部分まで研
磨して図９に示す第１の研磨面６ａを生成し、続いて、
図１０に示す第２の研磨治具８に貼り付け、点線部分ま
で研磨して図１１に示す第１の研磨面６ａと直角な第２
の研磨面６ｂを生成し、図１２に示す３つの研磨面を有
する直角三角形断面の棒状体６を作製する。

【００２１】次に、前記直角三角形断面の棒状体６の一
面に、図１３に示すようにレーザービーム９を入射し、
結晶材料内を透過屈折して常光と異常光との２本のビー
ムに分かれ他の面から出射した２本のビームを所定の位
置に配置したＣＣＤ１０に入射させ、２本のビームのＣ
ＣＤ１０の受光面上での間隔から、２本のビームの分離
角度を計算し、互いに直角をなす第１の研磨面６ａと第
２の研磨面６ｂの２つの面のどちらの面が偏光分離面１
ｄとなるべき面かを確認し、その面に対し所定の側の前
記直角三角形断面の棒状体６の一方の端面６ｃにグライ
ンダーで図１４に示す方向判別マーク１１を付す。

【００２２】次に、方向判別マーク１１を付けた直角三
角形断面の棒状体６を、前記方向判別マーク１１が同じ
側になるように図１５に示す第２の研磨治具８に貼り付
け、偏光分離面１ｄとなる研磨面と反射防止膜３ｄが施
された面とのなす頂角部６ｄに点線の位置まで面取りを
行い、図１６に示す状態として、図１７に示す四角形断
面の棒状体６を作製する。

【００２３】次に、前記四角形断面の棒状体６を図１８
に示すコーティングヤトイ治具１２に装着し蒸着装置の
ドーム５にセットして蒸着処理を実施することにより、
四角形断面の棒状体６の偏光分離面１ｄに多層膜による
偏光分離膜１ｃを成膜する。

【００２４】前記偏光分離膜１ｃは、４５度入射の波長
６８５ｎｍの光に対して、Ｓ偏光反射率が８０％、Ｐ偏
光透過率が１００％を目標値として設計されたもので、
ＴｉＯ₂ とＳｉＯ₂ とを交互に成膜した多層膜として設
計されている。

【００２５】以上によって、４面の内、一面に反射防止
膜３ｄが施され、他の一面に偏光分離膜１ｃが施された
図１９に示す四角形断面の棒状体６を得る。

【００２６】次に、前記四角形断面の棒状体６をシリコ
ン基板上にワックスで貼り付け、ダイシングソーのステ
ージにセットし、棒状体６の長手方向と直交する方向に
図２０に示すように１ｍｍピッチで切断し、図２１に示
す幅が略１ｍｍのニオブ酸リチウム製の結晶マイクロプ
リズム１を多数作製する。

【００２７】本実施の形態１によれば、第１の研磨面６
ａ及び第２の研磨面６ｂを生成した後、面取りを行う前
に、結晶軸方向の確認を行い、直後に方向判別マーク１
１を施すため、誤って本来面取りを行うべき頂角とは反
対側の頂角に面取りを施すというミスを防止することが
できる。

【００２８】次に、前記結晶マイクロプリズム１を使用
した光ヘッドの一例を図２２、図２３を参照して説明す
る。

【００２９】図２２は、前記結晶マイクロプリズム１を
使用してレーザディスク等の図２３に示す光磁気記録媒
体６０に対して情報の記録再生を行う光ヘッドの概略構
成を示し、図２３は前記結晶マイクロプリズム１を使用
した光ヘッドの要部を示すものである。

【００３０】図２２、図２３に示す光ヘッドは、半導体
基板５５上に、一軸性複屈折結晶としてのニオブ酸リチ
ウム製の結晶マイクロプリズム１と、第１の光検出器５
２、５２と、第２の光検出器５３と、第３の光検出器５
４とを配置するとともに、さらに、結晶マイクロプリズ
ム１の偏光分離面１ｄに形成した偏光分離膜１ｃに前記
半導体基板５５上に設置した台５８上の半導体レーザ５
０を対峙させている。

【００３１】また、前記光ヘッドは、前記結晶マイクロ
プリズム１の上方にホログラム５６及び集光手段（集光
レンズ）５７を配置し、この集光手段５７を光磁気記録
媒体６０に臨ませるようになっている。

【００３２】前記構成の光ヘッドにおいて、前記半導体
レーザ５０から結晶マイクロプリズム１に対して半導体
基板５５の上面と平行方向にレーザ光を出射し、偏光分
離膜１ｃにより前記レーザ光を略法線方向に反射させ
て、ホログラム５６、集光手段５７を経由して光磁気記
録媒体６０に入射させるようになっている。前記偏光分
離膜１ｃは、Ｓ偏光成分とＰ偏光成分の透過率を所定の
値に設定している。

【００３３】即ち、前記半導体レーザ５０からの出射光
は、結晶マイクロプリズム１の偏光分離面１ｄに形成し
た偏光分離膜１ｃで反射した後、ホログラム５６、集光
手段５７を経由して光磁気記録媒体６０にスポット光と
して入射される。また、光磁気記録媒体６０で反射した
戻り光は、集光手段５７を経てホログラム５６に入射
と、ここで回折され、＋１次の回折光、−１次の回折光
となり、これらの回折光は、第１の光検出器５２、５２
で受光され、この第１の光検出器５２、５２の検出出力
に基づいて前記集光手段５７の光磁気記録媒体６０に対
する相対的位置ずれを示すエラー信号が得られる。

【００３４】また、０次光は、前記偏光分離膜１ｃを透
過し、さらに、結晶マイクロプリズム１を屈折透過して
非点収差を有する常光及び異常光に分離され、これら常
光及び異常光が結晶マイクロプリズム１の底面１ｂから
出射して、非点収差の焦線位置近傍位置に配置された第
２の光検出器５３で受光され、この第２の光検出器５３
の検出出力に基づいて光磁気記録媒体６０に記録されて
いる光磁気信号を再生することが可能となる。

【００３５】また、前記半導体レーザ５０からの出射光
の一部は、結晶マイクロプリズム１の前記偏光分離膜１
ｃを透過し、この結晶マイクロプリズム１の反斜面１ｅ
で反射して、第３の光検出器５４で受光され、この第３
の光検出器５４の検出出力に基づいて前記半導体レーザ
５０の出射光のパワー制御が行われる。

【００３６】（実施の形態２）次に、本発明の実施の形
態２について、実施の形態１と共通部分は共通の図面を
参照して説明する。

【００３７】まず、作製するニオブ酸リチウム製の結晶
マイクロプリズム１は実施の形態１の場合と同じであ
る。

【００３８】また、その作製工程も図３乃至図７を参照
して説明した３ｍｍ×４ｍｍ×４５ｍｍの棒状体６を多
数作製する工程までは実施の形態１と同様である。

【００３９】次に、前記四角形断面の棒状体６の一方の
端面に、グラインダーにより図２４に示すような方向判
別マーク１１を付す。

【００４０】次に、前記棒状体６を複数本まとめて図２
５に示すように第１の研磨治具７に貼り付け、点線の位
置まで研磨して、２６に示すように第１の研磨面６ａを
生成し、続いて、図２７に示すように第２の研磨治具８
に貼り付け、点線の位置まで研磨して、図２８に示すよ
うに第２の研磨面６ｂを生成し、図２９に示すように３
つの研磨面を有する直角三角形断面の棒状体６を作製す
る。

【００４１】これ以降の工程は、実施の形態１の場合の
図１５に示す第２の研磨治具８に貼り付けるところか
ら、図２０に示す工程までと同様である。

【００４２】本実施の形態２によれば、２面の研磨が終
了し、面取りを行う前に、光軸の確認という工程が入ら
ないという点で、効率の良い加工を実行できる。

【００４３】（実施の形態３）次に、本発明の実施の形
態３について図３０及び図４５を参照して説明する。

【００４４】まず、図３０及び図３１を参照して、作製
するニオブ酸リチウム製の結晶マイクロプリズム１００
を説明する。

【００４５】この結晶マイクロプリズム１００は、反射
防止膜１００ａが施された斜面１００ｂ、該斜面１００
ｂと３０度の角度をなす偏光分離膜１００ｃを設けた偏
光分離面１００ｄ及びこの偏光分離面１００ｄと直角の
面１００ｅの３面からなる三角形断面で幅が約１ｍｍの
寸法である。

【００４６】また、図３１に示すように、ニオブ酸リチ
ウムの光軸２は、偏光分離面１００ｄとｂ度の角度を有
する面内にあり、さらに光軸２と偏光分離面１００ｄの
法線とを含む面は、結晶マイクロプリズム１００の側面
１００ｇに対してｂ度をなしている。

【００４７】この結晶マイクロプリズム１００を製造す
るには、図３２、図３３に示すように、ニオブ酸リチウ
ム結晶の片面（研磨面）３ａを研磨した厚さ３ｍｍ、直
径３インチの平面基板３を用意する。

【００４８】この平面基板３は、ニオブ酸リチウム結晶
の光軸２が他面３ｂの法線に対し（９０−ａ）度傾いて
おり、他面３ｂの法線と光軸２とを含む面がオリフラ３
ｃとして形成されている。

【００４９】次に、前記平面基板３を実施の形態１の場
合と同様、図５に示すコーティングヤトイ治具４に装着
し蒸着装置のドーム５にセットして蒸着処理を実施する
ことにより、前記研磨面３ａに多層膜による偏光分離膜
３ｄと同様な偏光分離膜３ｈを成膜する。

【００５０】前記偏光分離膜３ｈは、４５度入射の波長
７８５ｎｍの光に対して、Ｓ偏光反射率が８０％、Ｐ偏
光反射率が１００％を目標値として設計されたもので、
ＴｉＯ₂ とＳｉＯ₂ とを交互に成膜した多層膜として設
計されている。

【００５１】次に、前記平面基板３をダイシングソーの
ステージにセットし、図６に示すように、オリフラ３ｃ
に対して（９０−ｂ）度の角度の方向に３ｍｍピッチで
切断し、この方向と直交する方向にピッチ４５ｍｍで切
断することにより、図７に示すような３ｍｍ×３ｍｍ×
４５ｍｍの棒状体１０６を多数作製する。

【００５２】次に、前記棒状体１０６を複数本まとめて
図３４に示す第１の研磨治具１０７に貼り付け、点線の
位置まで研磨して、図３５に示す研磨面１０６ａを生成
し、図３６に示す２つの研磨面１０６ａ、１０６ｂを有
する直角三角形断面の棒状体１０６を作製する。

【００５３】次に、直角三角形断面の棒状体１０６を図
３７に示すコーティングヤトイ治具１２に装着し蒸着装
置のドーム５にセットして蒸着処理を実施することによ
り、この棒状体１０６の研磨面１０６ａに、ＺｒＯ₂ と
Ｔａ₂ Ｏ₅ とＡｌ₂ Ｏ₃ の８：１：１の混合物を光学的
膜厚２７２ｎｍの反射防止膜１００ａを成膜する。

【００５４】以上により、図３８に示すように一面に偏
光分離膜１００ｃ、他面に反射防止膜１００ａが成膜さ
れた直角三角形断面の棒状体１０６を得ることができ
る。

【００５５】次に、前記三角形断面の棒状体１０６をシ
リコン基板上にワックスで貼り付け、ダイシングソーの
ステージにセットし、図３９に示すように、棒状体１０
６の長手方向と直交する方向に１ｍｍピッチで切断し、
図４０に示す幅が略１ｍｍのニオブ酸リチウム製の結晶
マイクロプリズム１００を多数作製する。

【００５６】本実施の形態３によれば、三角形断面の結
晶プリズムも精度良く効率よく製造できる。

【００５７】（実施の形態４）次に、本発明の実施の形
態４について、図３乃至図５及び図４１乃至図４５を参
照して説明する。

【００５８】まず、図４４及び図４５により、本発明の
実施の形態４において作製するニオブ酸リチウム製の結
晶マイクロプリズム１１０について説明する。

【００５９】この結晶マイクロプリズム１１０は、反射
防止膜１ａが施された底面１ｂ、この底面１ｂと４５度
をなす斜面（第１の研磨面）１ｄ、斜面（第２の研磨
面）１ｅの３面からなる直角三角形断面で幅が約５ｍｍ
の寸法である。

【００６０】また、図４５に示すように、ニオブ酸リチ
ウム結晶の光軸２は、底面１ｂとａ度の角度を有する面
内にあり、図４５に示すように、光軸２と底面１ｂの法
線を含む面は該結晶マイクロプリズム１１０の側面１ｇ
に対し、（９０−ａ）度をなしている。

【００６１】この結晶マイクロプリズム１１０を作製す
るには、実施の形態１の場合と同様，図３、図４に示す
ように、最初にニオブ酸リチウム結晶の片面３ａ（研磨
面）を研磨した厚さ３ｍｍ、直径３インチの平面基板３
を用意する。

【００６２】前記平面基板３はニオブ酸リチウム結晶の
光軸２が平面３ｂの法線に対し（９０−ａ）度傾いてお
り、該平面３ｂの法線と前記光軸２とを含む面がオリフ
ラ３ｃとして形成されている。

【００６３】次に、図５に示すように、前記平面基板３
をコーティングヤトイ治具４に装着し蒸着装置のドーム
５にセットして蒸着処理を実施することにより、前記研
磨面３ａに平面基板３側からＳｉＯ₂ が光学的膜厚４７
ｎｍ、ＺＴ（ジルコニアと五酸化タンタルの９：１の混
合物）が光学的膜厚４９５ｎｍの２層の反射防止膜３ｄ
を成膜する。

【００６４】次に、前記平面基板３をダイシングソーの
ステージにセットし、図４１に示すように、オリフラ３
ｃに対して（９０−ｂ）度の角度の方向に４ｍｍピッチ
で切断し、さらに、この方向と直交する方向にピッチ５
ｍｍで切断することにより、図４２に示すように、３ｍ
ｍ×４ｍｍｘ５ｍｍの直方体１１６を作製する。

【００６５】次に、前記直方体１１６を複数まとめて実
施の形態１の場合と同様、図８に示す第１の研磨治具７
に貼り付け、図９に示す場合と同様にして、第１の研磨
面１ｄを生成し、続いて図１０に示す場合と同様にし
て、第２の研磨治具８に貼り付け、図１１に示す場合と
同様にして第２の研磨面１ｅを生成し、これにより、合
計３つの研磨面を有する図４３に示す直角三角形断面の
結晶マイクロプリズム１１０を作製する。

【００６６】

【発明の効果】以上説明した請求項１、２記載の発明に
よれば、結晶材料を基に、所定の結晶軸の角度で、か
つ、互いに平行でない２面に各々異なる光学薄膜が施さ
れた所望の断面形状、所望の幅を有する結晶プリズムを
製造可能な方法を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１の結晶マイクロプリズム
を示す側面図である。

【図２】本発明の実施の形態１の結晶マイクロプリズム
を投影的に表す説明図である。

【図３】本発明の実施の形態１の結晶マイクロプリズム
の素材である平面基板を示す平面図である。

【図４】本発明の実施の形態１の結晶マイクロプリズム
の素材である平面基板を示す正面図である。

【図５】本発明の実施の形態１の結晶マイクロプリズム
の製造工程を示す図である。

【図６】本発明の実施の形態１の結晶マイクロプリズム
の平面基板の切断工程を示す説明図である。

【図７】本発明の実施の形態１の結晶マイクロプリズム
の製造工程の途中で得られる棒状体の斜視図である。

【図８】本発明の実施の形態１の結晶マイクロプリズム
の製造工程を示す図である。

【図９】本発明の実施の形態１の結晶マイクロプリズム
の製造工程を示す図である。

【図１０】本発明の実施の形態１の結晶マイクロプリズ
ムの製造工程を示す図である。

【図１１】本発明の実施の形態１の結晶マイクロプリズ
ムの製造工程を示す図である。

【図１２】本発明の実施の形態１の結晶マイクロプリズ
ムを作製するための研磨面を形成した棒状体の斜視図で
ある。

【図１３】本発明の実施の形態１の研磨面を形成した棒
状体の偏光分離面を確認する工程を示す説明図である。

【図１４】本発明の実施の形態１の方向判別マークを付
した棒状体の斜視図である。

【図１５】本発明の実施の形態１の面取り工程を示す図
である。

【図１６】本発明の実施の形態１の面取り工程により面
取りをした状態を示す図である。

【図１７】本発明の実施の形態１の面取りをした棒状体
の斜視図である。

【図１８】本発明の実施の形態１の蒸着工程を示す図で
ある。

【図１９】本発明の実施の形態１の蒸着処理された棒状
体の斜視図である。

【図２０】本発明の実施の形態１の蒸着処理された棒状
体の切断工程を示す図である。

【図２１】本発明の実施の形態１で得られる結晶マイク
ロプリズムの斜視図である。

【図２２】本発明の実施の形態１の結晶マイクロプリズ
ムを使用した光ヘッドの概略構成図である。

【図２３】本発明の実施の形態１の結晶マイクロプリズ
ムを使用した光ヘッドの要部の拡大図である。

【図２４】本発明の実施の形態２おける方向判別マーク
を付した棒状体の斜視図である。

【図２５】本発明の実施の形態２の結晶マイクロプリズ
ムの製造工程を示す図である。

【図２６】本発明の実施の形態２の結晶マイクロプリズ
ムの製造工程を示す図である。

【図２７】本発明の実施の形態２の結晶マイクロプリズ
ムの製造工程を示す図である。

【図２８】本発明の実施の形態２の結晶マイクロプリズ
ムの製造工程を示す図である。

【図２９】本発明の実施の形態２で得られる結晶マイク
ロプリズムの斜視図である。

【図３０】本発明の実施の形態３の結晶マイクロプリズ
ムを示す側面図である。

【図３１】本発明の実施の形態３の結晶マイクロプリズ
ムを投影的に表す説明図である。

【図３２】本発明の実施の形態３の結晶マイクロプリズ
ムの素材である平面基板を示す平面図である。

【図３３】本発明の実施の形態３の結晶マイクロプリズ
ムの素材である平面基板を示す正面図である。

【図３４】本発明の実施の形態３の結晶マイクロプリズ
ムの製造工程を示す図である。

【図３５】本発明の実施の形態３の結晶マイクロプリズ
ムの製造工程を示す図である。

【図３６】本発明の実施の形態３の二つの研磨面を有す
る棒状体の斜視図である。

【図３７】本発明の実施の形態３の二つの研磨面を有す
る棒状体に対する蒸着工程を示す図である。

【図３８】本発明の実施の形態３の蒸着処理が行われた
棒状体の斜視図である。

【図３９】本発明の実施の形態３の蒸着処理が行われた
棒状体の切断工程を示す説明図である。

【図４０】本発明の実施の形態３の結晶マイクロプリズ
ムを示す斜視図である。

【図４１】本発明の実施の形態４の平面基板の切断工程
を示す説明図である。

【図４２】本発明の実施の形態４で得られる直方体の斜
視図である。

【図４３】本発明の実施の形態４の結晶マイクロプリズ
ムを示す斜視図である。

【図４４】本発明の実施の形態４の結晶マイクロプリズ
ムを示す側面図である。

【図４５】本発明の実施の形態４の結晶マイクロプリズ
ムを投影的に示す説明図である。

【符号の説明】

１ 結晶マイクロプリズム １ａ 反射防止膜 １ｂ 底面 １ｃ 偏光分離膜 １ｄ 偏光分離面 １ｅ 反射面 ２ 光軸 ３ 平面基板 ３ｃ オリフラ ６ 棒状体 ７ 第１の研磨治具 ８ 第２の研磨治具 ９ レーザビーム １０ ＣＣＤ １１ 方向判別マーク １２ コーティングヤトイ治具 ５０ 半導体レーザ ５２ 第１の光検出器 ５３ 第２の光検出器 ５４ 第３の光検出器 ５５ 半導体基板 ５６ ホログラム ５７ 集光手段 ６０ 光磁気記録媒体 １００ 結晶マイクロプリズム １１０ 結晶マイクロプリズム

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 結晶材料の光軸に対し所定の面にオリエ
   ンテーションフラットが設けられ、少なくとも一方の面
   が研磨面である平面基板を用意し、前記平面基板の研磨
   面に略全面に亘り光学薄膜を成膜し、前記平面基板を前
   記エンテーションフラットに対して所定の角度で等ピッ
   チで切断することにより所望の断面形状の棒状体を作製
   し、この棒状体を研磨することにより前記成膜した研磨
   面と平行でない別の研磨面を生成し、二つの研磨面を具
   備した棒状体を切断して、所望の断面形状で所望の幅を
   有する結晶プリズムを製造することを特徴とする結晶プ
   リズムの製造方法。
2. 【請求項２】 結晶材料の光軸に対し所定の面にオリエ
   ンテーションフラットが設けられ、少なくとも一方の面
   が研磨面である平面基板を用意し、前記平面基板の研磨
   面に略全面に亘り光学薄膜を成膜し、前記平面基板を前
   記オリエンテーションフラットに対して所定の角度で等
   ピッチで切断することにより四角形断面の棒状体を作製
   し、この棒状体を研磨することにより前記成膜した研磨
   面と平行でない複数の研磨面を生成して所望の断面形状
   となし、複数の研磨面のうちの少なくとも一方の面に光
   学薄膜を成膜して平行でない２面に各々光学薄膜が成膜
   された所望の断面形状の棒状体を作製し、作製した棒状
   体をこの棒状体の長手方向と直角方向に、所望のピッチ
   で切断することにより所望の断面で所望の幅を有する結
   晶プリズムを製造することを特徴とする結晶プリズムの
   製造方法。