JPH09244707A

JPH09244707A - 処理装置

Info

Publication number: JPH09244707A
Application number: JP4931396A
Authority: JP
Inventors: Shohei Miwa; 昇平三輪
Original assignee: Denso Ten Ltd
Current assignee: Denso Ten Ltd
Priority date: 1996-03-06
Filing date: 1996-03-06
Publication date: 1997-09-19

Abstract

(57)【要約】【課題】被制御装置の制御のために用いられる値など
を継続的に記憶することができ、かつ不揮発性メモリの
書込み回数を削減することができる処理装置を提供す
る。【解決手段】ＥＣＵ２１は、入力インタフェイス２
３，２４に接続される各センサなどによって検出された
値などによって、演算が行われ出力インタフェイス２６
に接続される各装置の制御を行う。制御される装置の状
態によって定められる学習値は、ＳＲＡＭ３２に書込ま
れるが、タイマ３４によって定められる時間毎にＳＲＡ
Ｍ３２からフラッシュＰＲＯＭ３３に書込まれる。フラ
ッシュＰＲＯＭ３３に対する書込み回数を削減しつつ学
習値を記憶させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、自動車などの車両
に搭載され、車両におけるエンジンなどの被制御装置に
取付けられたセンサからの情報に基づいて演算を行い、
演算結果によって被制御装置を制御する処理装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、自動車などの車両において、エン
ジンなどの動作制御を行うためにＥＣＵ（Electric Con
trol Unit）が設けられることが多くなっている。車両
に搭載されるＥＣＵの１つであるエンジン制御用ＥＣＵ
では、たとえば空気を吸入した量およびエンジンの回転
数などの情報に基づいて演算を行い、エンジンに供給す
る燃料量および点火時期などを制御している。前記演算
は、空気の吸入管などに取付けられる検出器などからの
情報と、ＥＣＵのＲＯＭ（リードオンリメモリ）などに
予め格納されている基本値とに基づいて行われる。前記
演算を行うための演算式もＲＯＭに予め格納されてい
る。

【０００３】前記ＥＣＵでは、理論空燃比への制御精度
をさらに向上させるために学習制御が行われている。学
習制御を行うには、まず理論空燃比からの空燃比ずれ量
を求め、空燃比ずれ量から理論空燃比へと修正するため
の補正係数を求め、前記演算を行う際に補正係数を用い
て演算結果を修正する。前記補正係数は、ＥＣＵが制御
しようとする、たとえばエンジンの状態には関係なく定
められており、補正係数による修正を行っても実際に制
御しようとするエンジンの理論空燃比とすることができ
ない。したがって、前記補正係数に加えてさらに、制御
しようとするエンジンの状態にあわせて補正を行わなけ
ればならない。前記補正を行うための係数は、前記エン
ジンの状態変化をいわゆる学習して定められる。

【０００４】前記学習して定められる補正係数は、エン
ジン・ＥＦＩ（Electric FuelInjection）部品の使用過
程での特性変化によって起こる空燃比ずれ修正を持続的
に行うために、ＥＣＵに電源が供給されない状態でも消
去されないようにする必要がある。

【０００５】前述した学習補正係数をＥＣＵに記憶させ
ておく方法として、ＥＣＵに揮発性メモリ、たとえばＲ
ＡＭ（ランダムアクセスメモリ）を搭載し、揮発性メモ
リに対して常時電源を供給して記憶内容を保持させてお
く方法と、書換え可能な不揮発性メモリ、たとえばＥＥ
ＰＲＯＭ（Electoric Elesable Programable ROM）を搭
載して記憶内容を保持させておく方法とがある。

【０００６】図２３は、第１の先行技術であるＥＣＵ１
の概略的な構成を示すブロック図である。ＥＣＵ１は、
ＣＰＵ（中央演算処理装置）２と、ＳＲＡＭ（Static R
AM）３と、入出力処理回路（以下、「Ｉ／Ｏ」と称す
る）４と、第１電源回路５と、第２電源回路６とを含ん
で構成される。

【０００７】ＥＣＵ１において、外部のセンサなどから
の信号は、Ｉ／Ｏ４を介してＣＰＵ２に与えられる。Ｃ
ＰＵ２は、前記信号に基づいて処理を行って、処理結果
をＩ／Ｏ４を介して出力することによって被制御装置の
制御を行う。バッテリ７は、たとえば１２Ｖの電圧を出
力する。バッテリ７の出力は、第１電源回路５にはイグ
ニッションスイッチ８を介して供給され、第２電源回路
６には直接供給される。ＣＰＵ２は、第１電源回路５か
ら供給される電力によって動作し、ＳＲＡＭ３は第２電
源回路６から供給される電力によって記憶内容を保持す
る。

【０００８】第１および第２電源回路５，６は、バッテ
リ７から与えられる１２Ｖの電圧をたとえば５Ｖに変換
してＣＰＵ２などに供給する。バッテリ７と第１電源回
路５との間には、イグニッションスイッチ８が介挿され
ているので、イグニッションスイッチ８が遮断される
と、ＣＰＵ２などに電力が供給されなくなり、ＥＣＵ１
の動作が停止する。バッテリ７と第２電源回路６とは直
接接続されているので、イグニッションスイッチ８の導
通／遮断に関係なく第２電源回路６からは電力がＳＲＡ
Ｍ３に与えられている。揮発性メモリであるＳＲＡＭ３
に常に電力が供給されているので、前述のように学習値
などを記憶しておくことができる。

【０００９】図２４は、第２の先行技術であるＥＣＵ１
１の概略的な構成を示すブロック図である。ＥＣＵ１１
において、ＥＣＵ１と同一の構成要素には同一の参照符
を付して説明を省略する。ＥＣＵ１１の特徴は、ＳＲＡ
Ｍ３に置換えて、ＥＥＰＲＯＭ１２が設けられているこ
とである。また、ＥＣＵ１１では、バッテリ７からイグ
ニッションスイッチ８を介して１２Ｖの電圧が供給され
ている電源回路１３からＣＰＵ２およびＥＥＰＲＯＭ１
２などにたとえば５Ｖの電圧が与えられている。ＥＥＰ
ＲＯＭ１２は、不揮発性のメモリであるので、イグニッ
ションスイッチ８が遮断されて電力が供給されなくなっ
ても前記学習値などを記憶しておくことができる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】前述の第１の先行技術
では、バッテリ７から供給される１２Ｖの電圧を５Ｖに
変換して出力する電源回路が２つ必要となるという問題
点がある。また、バッテリ７を取外すと、データが消去
されてしまうという問題点があり、たとえば学習補正係
数による空燃比ずれ修正の持続が不可能となる。

【００１１】前述の第２の先行技術では、第１の先行技
術における２つの問題点は解決されるが、ＥＥＰＲＯＭ
１２には、ＥＥＰＲＯＭ１２の構成によって定められ
る、たとえば１０万回という書込み回数の制限があり、
学習値を頻繁に書換えてそのときの被制御装置の状況に
応じた細かい制御を行うには適していない。

【００１２】本発明の目的は、被制御装置の制御のため
に用いられる値などを記憶することで継続的な制御を可
能とし、かつ前記値が記憶される不揮発性メモリの書込
み回数を削減することができる処理装置を提供すること
である。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、情報を検出し
て出力する１または複数の検出手段からの情報に基づい
て定められる基本値と、基本値を定める情報と同一かも
しくは異なる情報に基づいて定められる補正値とに基づ
いて演算を行い、演算結果に基づいて被制御装置を制御
する処理装置であって、前記基本値と前記補正値に基づ
いて求められる学習値とが記憶されており、書換えを指
示する信号が与えられると学習値が書換えられる書換え
可能な不揮発性メモリと、前記基本値と補正値と学習値
とが一時的に記憶される揮発性メモリと、予め定める電
圧の電力を供給する電源手段と、前記電源手段からの電
圧の供給が開始されると、不揮発性メモリに記憶されて
いる学習値を読出して揮発性メモリに書込み、前記補正
値と基本値と学習値とに基づいて演算を行い、演算結果
に基づいて被制御装置を制御し、補正値に基づいて揮発
性メモリに記憶されている学習値を書換え、１または複
数の予め定める条件のうちの少なくとも１つが満たされ
る度に不揮発性メモリに前記書換えを指示する信号を与
え、揮発性メモリに記憶されている前記学習値を不揮発
性メモリに書込む制御手段とを含むことを特徴とする処
理装置である。本発明に従えば、制御手段は電源手段からの電圧の供給
が開始されると、不揮発性メモリに記憶されている学習
値を読出して揮発性メモリに書込み、前記補正値と基本
値と学習値とに基づいて演算を行い、演算結果に基づい
て被制御装置を制御する。また、補正値に基づいて揮発
性メモリに記憶されている学習値を書換え、１または複
数の予め定める条件のうちの少なくとも１つが満たされ
た場合には、不揮発性メモリに前記書換えを指示する信
号を与えて、揮発性メモリに記憶されている前記学習値
を不揮発性メモリに書込む。したがって、処理装置が制
御しようとする被制御装置毎に定められる学習値は、１
または複数の条件のうち少なくとも１つが満たされる度
に書換え可能な不揮発性メモリに書込まれるので、学習
値を用いて被制御装置に対して継続的な制御を行うこと
ができ、かつ前記補正値に基づいて変更される学習値を
不揮発性メモリに書込む回数を削減することができる。

【００１４】本発明は、電源手段からの電力の供給が開
始されると計時を開始する計時手段を備え、前記制御手
段は、計時手段の出力が予め定める時間の経過を示した
ことを前記予め定める条件とすることを特徴とする。本発明に従えば、制御手段は、計時手段の出力が予め定
める時間が経過したことを示すと、前記予め定める条件
が満たされたとして、揮発性メモリに記憶されている学
習値を不揮発性メモリに書込む。したがって、予め定め
る時間毎に学習値が不揮発性メモリに書き込まれること
となり、不揮発性メモリに書込みを行う回数を削減しつ
つ確実に学習値を不揮発性メモリに記憶させることがで
きる。不揮発性メモリに学習値が記憶されるので、学習
値を用いて被制御装置に対して継続的な制御を行うこと
ができる。

【００１５】本発明は、前記制御手段は、予め定める時
間よりも充分に長く定められる予め定める期間が経過す
ると、前記予め定める時間に予め定める追加時間を追加
することを特徴とする。本発明に従えば、制御手段は予め定める期間が経過する
までは予め定める時間毎に学習値を不揮発性メモリに書
込み、予め定める期間が経過した後は予め定める時間に
追加時間を足合わせた時間毎に学習値を不揮発性メモリ
に書込む。したがって、被制御装置の制御を開始したと
きには比較的頻繁に不揮発性メモリに学習値を書込むこ
とによって、被制御装置に応じた学習値へと変更するこ
とができ、予め定める期間の経過後は学習値を不揮発性
メモリに書込む時間間隔を長くすることによって、書込
み回数を削減しつつ学習値を記憶することができる。

【００１６】本発明は、前記制御手段と電源手段との間
に介挿され、導通／遮断を制御するスイッチング手段を
備え、スイッチング手段によって電源の供給が開始され
るたびに不揮発性メモリに記憶されている起動回数値を
１増加し、起動回数値が予め定める値となると、前記予
め定める時間に予め定める追加時間を追加することを特
徴とする。本発明に従えば、制御手段は起動回数が予め定める値と
なるまでは予め定める時間毎に学習値を不揮発性メモリ
に書込み、予め定める値となった後は予め定める時間に
追加時間を足合わせた時間毎に学習値を不揮発性メモリ
に書込む。したがって、起動回数が少ないときには比較
的頻繁に不揮発性メモリに学習値を書込むことによっ
て、被制御装置に応じた学習値へと変更することがで
き、起動回数が予め定める値となった後は、学習値を不
揮発性メモリに書込む時間間隔を長くすることによっ
て、書込み回数を削減しつつ学習値を記憶することがで
きる。

【００１７】本発明は、前記制御手段は、不揮発性メモ
リに記憶されている学習値と、揮発性メモリに記憶され
ている学習値との比較を行い、２つの学習値に予め定め
る値以上の差が生じたことを前記予め定める条件とする
ことを特徴とする。本発明に従えば、制御手段は、不揮発性メモリに記憶さ
れている学習値と、揮発性メモリに記憶されている学習
値との比較を行い、２つの学習値に予め定める値以上の
差が生じていると予め定める条件を満たしたとして、揮
発性メモリに記憶されている学習値を不揮発性メモリに
書込む。したがって、揮発性メモリに記憶されている学
習値と、不揮発性メモリに記憶されている学習値との差
が予め定める値以上となったときのみ不揮発性メモリに
書込みが行われるので、不揮発性メモリに対する書込み
回数を削減することができる。

【００１８】本発明は、前記計時手段の出力に基づい
て、予め定める時間間隔毎に前記比較を行うことを特徴
とする。本発明に従えば、制御手段は予め定める時間間隔毎に揮
発性メモリに記憶されている学習値と不揮発性メモリに
記憶されている学習値との比較を行う。したがって、予
め定める時間間隔毎に行われる比較によって、揮発性メ
モリに記憶されている学習値と、不揮発性メモリに記憶
されている学習値との差が予め定める値以上であると判
断されたときのみ不揮発性メモリに書込みが行われるの
で、不揮発性メモリに対する書込み回数を削減すること
ができる。

【００１９】本発明は、前記制御手段と電源手段との間
に介挿され、導通／遮断を制御するスイッチング手段
と、制御手段と電源手段との間で、かつスイッチング手
段と並列に介挿され、前記スイッチング手段が遮断され
ると、予め定める第１の時間導通して制御手段に電力を
供給する電力供給手段とを備え、前記制御手段は、スイ
ッチング手段によって電源手段からの電力の供給が停止
されたことを前記予め定める条件とし、電力供給手段を
介して供給される電力によって、揮発性メモリに記憶さ
れている学習値を不揮発性メモリに書込むことを特徴と
する。本発明に従えば、スイッチング手段によって電源手段か
ら制御手段への電力の供給が停止されると、電力供給手
段によって第１の時間だけ制御手段へと電力が供給され
る。制御手段は、スイッチング手段が遮断されたことに
応答して、第１の時間の間に、揮発性メモリに記憶され
ている学習値を不揮発性メモリに書込む。したがって、
不揮発性メモリに書込まれる学習値は、最も最新の学習
値であるスイッチング手段が遮断されたときの学習値で
あるので、次にスイッチング手段が導通されて制御を開
始するときに、最新の学習値を用いて制御を開始するこ
とができる。また、スイッチング手段が遮断されたとき
に書込みを行うので不揮発性メモリに対する書込み回数
を削減することができる。

【００２０】本発明は、前記検出手段と制御手段との間
に介挿され、検出手段によって検出された情報が予め定
める範囲内の値であるかどうかを判定する判定手段を備
え、前記揮発性および不揮発性メモリは、前記予め定め
る範囲外の値が前記検出手段で検出されたことを示す異
状検出情報が書込まれる異状検出情報記憶領域を含んで
構成され、前記制御手段は、検出手段からの情報が判定
手段によって予め定める範囲内の値ではないと判定され
ると、異状検出情報を揮発性および不揮発性メモリの異
状検出情報記憶領域に書込み、以後は補正値と学習値と
に換えて予め定める範囲内の値である設定値を用いて前
記演算を行うことを特徴とする。本発明に従えば、制御手段は、検出手段からの情報が判
定手段によって予め定める範囲内の値ではないと判定さ
れると、異状検出情報を揮発性および不揮発性メモリの
異状検出情報記憶領域に書込み、揮発性メモリに記憶さ
れている学習値を不揮発性メモリに書込む。以後の制御
は、補正値と学習値とに置換えて予め定める範囲内の値
である設定値を用いて行う。したがって、前記情報が予
め定める範囲内の値でない場合には、学習値が不揮発性
メモリに記憶され、以後の制御が設定値を用いて行われ
るので、異常な情報を用いて被制御装置の制御を行うこ
とがなく、また異常な情報によって学習値が不所望な値
となることを防止することができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】図１は本発明の実施の第１の形態
であるＥＣＵ２１の構成を示すブロック図であり、図２
はＥＣＵ２１に関連する構成の一例を示すブロック図で
ある。図２は、水冷式の火花点火内燃機関についての構
造を示している。

【００２２】図２において、吸気口４２から導入された
燃焼用空気は、エアクリーナ４３で浄化され、吸気管４
４を介して、吸気管４４に介在されるスロットル弁４５
でその流入量が調整された後、サージタンク４６に流入
する。サージタンク４６から流出した燃焼用空気は、吸
気管４７に介在される燃料噴射弁４８から噴射される燃
料と混合され、吸気弁４９を介して内燃機関５０の燃焼
室５１に供給される。燃焼室５１には、点火プラグ５２
が設けられていて、点火プラグ５２からの火花によって
燃焼室５１で空気と燃料とが燃焼する。この燃焼室５１
からの排気ガスは、排気弁５３を介して排出され、排気
管５４から三元触媒５５を経て大気中に放出される。

【００２３】前記吸気管４４には、吸入空気の温度を検
出する吸気温度検出器６１が設けられ、前記スロットル
弁４５に関連してスロットル弁開度検出器６２が設けら
れ、サージタンク４６には、吸気管４７の圧力を検出す
る吸気圧検出器６３が設けられる。また前記燃焼室５１
付近には冷却水温度検出器６４が設けられる。排気管５
４において、三元触媒５５より上流側には、酸素濃度検
出器６５が設けられ、三元触媒５５より下流側には、排
気温度検出器６６が設けられる。内燃機関５０における
回転速度、すなわち単位時間当たりの回転数は、クラン
ク角検出器６７によって検出される。

【００２４】ＥＣＵ２１には、前記各検出器６１〜６７
とともに、車速検出器６８と、内燃機関５０を始動させ
るスタータモータ７３が起動されているかどうかを検出
するスタート検出器６９と、冷房機の使用などを検出す
る空調検出器７０と、内燃機関５０が搭載される自動車
が自動変速機付きであるときには、その自動変速機の変
則段がニュートラル位置であるか否かを検出するニュー
トラル検出器７１とからの検出結果が入力される。

【００２５】さらにまた、このＥＣＵ２１は、バッテリ
７４によって電力付勢されており、前記各検出器６１〜
７１の検出結果および電圧検出器６０によって検出され
るバッテリ７４の電源電圧などに基づいて、燃料噴射量
や点火時期などを演算し、前記燃料噴射弁８および点火
プラグ１２などを制御する。ＥＣＵ２１はまた、内燃機
関５０が運転されているときには、燃料ポンプ７２を駆
動する。

【００２６】また、吸気管４７と排気管５４との間は、
側路７７によってバイパスされている。この側路７７に
は、該側路７７を介して再循環される排気ガスの流量を
調整制御するためのＥＧＲ弁７８が設けられている。

【００２７】ＥＧＲ弁７８は、たとえばダイヤフラムを
用いて構成されており、ダイヤフラム室に吸気負圧を導
入するバキュームスイッチングバルブを通電／非通電制
御することによって、開度が制御される。このようにＥ
ＧＲ弁７８が開度制御されることによって、吸入空気に
混入される排気ガス量が変化され、空燃比を変化させる
ことができる。

【００２８】ＥＣＵ２１は、制御回路２２と、入力イン
タフェイス回路２３，２４と、アナログ−デジタル変換
回路（以下、「ＡＤＣ」と称する）２５と、出力インタ
フェイス回路２６と、電源回路２７とを含んで構成され
る。また、制御回路２２は、ＣＰＵ３１と、ＳＲＡＭ３
２と、フラッシュＰＲＯＭ３３と、タイマ３４と、Ｉ／
Ｏ（入出力回路）３５とを含んで構成される。

【００２９】前記各検出器６０〜７１などにおいてアナ
ログ値を出力する検出器からの出力は、入力インタフェ
イス回路２３からＡＤＣ２５を介してデジタル値へと変
換されて制御回路２２に与えられる。また、前記各検出
器６０〜７１などにおいてデジタル値を出力する検出器
からの出力は入力インタフェイス回路２４を介して制御
回路２２に与えられる。

【００３０】ＥＣＵ２１には、バッテリ７４から供給さ
れる電力がイグニッションスイッチ７５を介して与えら
れている。前記供給された電力は、電源回路２７で電圧
がたとえば５Ｖへと変換されて制御回路２２などに与え
られる。制御回路２２では、ＡＤＣ２５および入力イン
タフェイス回路２４を介してＩ／Ｏ３５に与えられる信
号に基づいてＣＰＵ３１が予め定める処理を行う。処理
の結果は、Ｉ／Ｏ３５を介して出力インタフェイス回路
２６へと与えられる。出力インタフェイス回路２６の出
力が、前記燃料噴射弁４８に与えられることによって、
燃料噴射量が制御される。また、前記出力がＥＧＲ弁７
８に与えられてＥＧＲ量が制御される。さらに、前記出
力によって燃料ポンプ７２が駆動される。

【００３１】ＥＣＵ２１の制御回路２２では、電源投入
時には、電気的に書込み消去可能な不揮発性メモリであ
るフラッシュＰＲＯＭ３３から前述した学習値などが読
出されてＳＲＡＭ３２に書込まれる。ＣＰＵ１１は、Ｉ
／Ｏ３５を介して供給される各検出器の出力およびＳＲ
ＡＭ３２に記憶されている学習値などに基づいて前記処
理を行う。計時手段であるタイマ３４は、時間を計時し
ており、プログラムの割り込みタイミングなどをＣＰＵ
３１に報知する。

【００３２】図３は、ＥＣＵ２１によって行われる制御
の一例を説明するためのタイミングチャートである。図
３（１）に示す波形は、酸素センサである前述の酸素濃
度検出器６５の出力電圧の波形であり、この出力電圧は
ＡＤＣ２５に与えられる。ＡＤＣ２５の出力である図３
（２）に示す波形は、酸素濃度検出器６５の出力電圧が
基準電圧以上となる期間がハイレベルとなり、基準電圧
未満となる期間がローレベルとなる。前記基準電圧は、
理論空燃比であるときの酸素濃度検出器２５のとるべき
出力電圧を示す。したがって、ＡＤＣ２５の出力がハイ
レベルであるときには、理論空燃比に対して燃料量が多
いリッチの状態であり、ローレベルであるときには空気
の量が多いリーン状態である。

【００３３】図３（３）に示す波形は、前記酸素濃度に
基づいて求められる燃料噴射時間の補正値ＦＡＦの値を
示している。補正値ＦＡＦは、ＡＤＣ２５の出力がハイ
レベルからローレベルへと切換わるとき、たとえば時刻
ｔ０，ｔ２では、その値が０．１減少され、ローレベル
からハイレベルへと切換わるとき、たとえば時刻ｔ１，
ｔ３ではその値が０．１増加される。

【００３４】補正値ＦＡＦは、時刻ｔ０，ｔ１，ｔ２，
ｔ３で値が大きく増減しているが、これは酸素濃度検出
器６５が内燃機関５０の下流側に位置していることによ
って、あるタイミングで酸素濃度検出器６５が検出する
酸素濃度と、そのタイミングで内燃機関５０に吸入され
る酸素濃度とにずれが生じるのを補正するためであり、
ＡＤＣ２５の出力がリッチとリーンとで切換わるとき
に、補正値ＦＡＦの値を０．１ずつ増加もしくは減少さ
せている。

【００３５】たとえば、ＡＤＣ２５の出力がハイレベル
である時刻ｔ０から時刻ｔ１までの期間Ｗ１では、時刻
ｔ０における値から後述する図４に示す割り込み処理が
行われる度に０．００２ずつ減少する。なお、ＡＤＣ２
５の出力が、ローレベルとなる時刻ｔ１からｔ２までの
期間Ｗ２では、時刻ｔ１における値から０．００２ずつ
増加する。なお、期間Ｗ１，Ｗ２は、たとえば１秒間で
ある。

【００３６】図３（４）に示す波形は、学習値ＦＡＦＢ
Ｇの値を示している。学習値ＦＡＦＢＧは、補正値ＦＡ
Ｆに基づいて、後述する図４のフローチャートによって
定められる値である。学習値ＦＡＦＢＧは、ＡＤＣ２５
の出力レベルが切換わる毎に、その値が０．００２ずつ
変化する。学習値ＦＡＦＢＧの値の変化については後述
する。

【００３７】図４は、たとえば後述する図７のフローチ
ャートとして示されるメインプログラムに対して予め定
める時間毎に割り込んで行われるプログラムのフローチ
ャートである。この割り込み処理は、メインプログラム
の実行中に、タイマ３４によって測定される、たとえば
１６ｍｓ毎に割り込んで行われる。ステップｓ１では、
ＡＤＣ２５の出力に基づいて、酸素濃度がリッチである
かリーンであるかを判定する。酸素濃度がリッチである
場合には、ステップｓ２に進む。

【００３８】ステップｓ２では、前回の割り込み処理時
の判定がリッチであったかどうかをＳＲＡＭ３２を参照
することによって判定する。前回の割り込み処理時の酸
度濃度がリッチである場合にはステップｓ３に進む。ス
テップｓ３では、補正値ＦＡＦを０．００２減少させ
る。ステップｓ３の処理の終了後、メインプログラムの
処理に戻る。

【００３９】ステップｓ２において、前回の割り込み処
理時の酸素濃度がリーンである場合にはステップｓ４に
進む。ステップｓ４では、補正値ＦＡＦを０．１減少さ
せる。続くステップｓ５では、ステップｓ１において判
定した結果を、たとえばＳＲＡＭ３２に書込んで記憶す
る。ステップｓ６では、前回までの補正値ＦＡＦの相加
平均値に対して検出回数を掛けて求めた値と、今回の補
正値ＦＡＦとを足し合わせた値を、検出回数を１増加さ
せた値で割ることによって今回までの補正値ＦＡＦの相
加平均を求めている。ステップｓ６において求められた
相加平均は、ＳＲＡＭ３２に書込まれて記憶される。前
記検出回数を予め定める回数としてもよい。

【００４０】ステップｓ７では、ステップｓ６で求めた
相加平均が１．０を超えているか１．０未満であるかに
よってリッチであるかリーンであるかを判定する。相加
平均が１．０を超える値である場合にはステップｓ８に
進む。ステップｓ８では、学習値ＦＡＦＢＧを０．００
２減少させる。ステップｓ８の処理の終了後、メインプ
ログラムの処理に戻る。

【００４１】ステップｓ７において、相加平均が１．０
未満であるときには、ステップｓ９に進む。ステップｓ
９では、学習値ＦＡＦＢＧを０．００２増加させる。ス
テップｓ９の処理の終了後、メインプログラムの処理に
戻る。

【００４２】ステップｓ１において、今回の酸素濃度が
リーンであると判定された場合は、ステップｓ１０に進
む。ステップｓ１０では、ＳＲＡＭ３２を参照すること
によって、前回の酸素濃度がリーンであったかどうかを
判定する。前回の酸素濃度がリッチであった場合は、補
正値ＦＡＦを０．１増加させる。ステップｓ１１の処理
の終了後、ステップｓ５以降の処理を行う。また、ステ
ップｓ１０における判定で前回の酸素濃度がリーンであ
ると判定された場合は、補正値ＦＡＦを０．００２増加
させる。ステップｓ１２の処理の終了後、メインプログ
ラムの処理に戻る。

【００４３】図５は、燃料の噴射時間を定めるためのフ
ローチャートである。図５に示すフローチャートは、た
とえば図７に示すメインプログラムのフローチャートの
実行中に、割り込み処理として行われる。ステップｐ１
では、以下に示す式（１）に基づいて燃料噴射弁４８か
らの燃料の噴射時間Ｔｃを求める。

【００４４】Ｔｃ＝Ｔｐ×ＦＡＦ×ＦＡＦＢＧ＋Ｔｂ …（１）式（１）において、Ｔｐは、吸気口４２から吸入した空
気量に基づいて定められる燃料噴射時間である。基本値
である燃料噴射時間Ｔｐは、たとえばフラッシュＰＲＯ
Ｍ３３などに前記空気量に対応付けて予め格納されてい
る。燃料噴射時間Ｔｐは、たとえば前述のスロットル弁
開度検出器６２によって検出される前記空気量に基づい
て読出される。また、Ｔｂは実際の噴射時間（Ｔｐ×Ｆ
ＡＦ×ＦＡＦＢＧ）を求めた時刻に対して、燃料噴射弁
４８が実際に燃料を噴射する時刻までの応答遅れを補正
するための時間である。

【００４５】ステップｐ２では、ＥＣＵ２１から予め定
める信号を出力して噴射時間Ｔｃの間、燃料噴射弁４８
から燃料を噴射させる。ステップｐ２の処理の終了後、
メインプログラムの処理に戻る。

【００４６】図６はＥＣＵ２１におけるメインプログラ
ムのフローチャートであり、図７はメインプログラムに
おける初期設定処理についてのフローチャートである。
なお、図６、図７に示すフローチャートでは、特に本発
明の特徴となる処理について示す。

【００４７】後述する図６に示すメインプログラムのフ
ローチャートで、ステップｍ１として行われる初期設定
処理として、ステップｑ１では、フラッシュＰＲＯＭ３
３のアドレス￥２０００〜￥２ＦＦＦに記憶されている
データをＳＲＡＭ３２のアドレス￥１０００〜￥１ＦＦ
Ｆに書込む。なお、本明細書において「￥」は、引続く
数字および記号がアドレスを示す１６進数の値であるこ
とを示す。ステップｑ２では、計時手段であるタイマ３
４を初期化して時間Ａを０にする。初期設定処理の終了
後は、図６に示すフローチャートに処理を移す。

【００４８】図６に示すフローチャートにおいて、ステ
ップｍ１では、前述の初期設定処理を行う。ステップｍ
２では、初期設定処理において初期化されたタイマ３４
による計時動作を開始する。ステップｍ３では、タイマ
３４によって計時されている時間Ａが、予めフラッシュ
ＰＲＯＭ３３への書込み設定時間として設定されている
時間Ｂ以上になったかどうかを判断している。時間Ｂ
は、たとえば１時間に定められる。ステップｍ３におい
て、計数時間Ａが設定時間Ｂ以上となった場合には、ス
テップｍ４に進む。

【００４９】ステップｍ４では、ＳＲＡＭ３２のアドレ
ス￥１０００〜￥１ＦＦＦに記憶されているデータを、
フラッシュＰＲＯＭ３３のアドレス￥２０００〜￥２Ｆ
ＦＦに書込んでデータを保存する。

【００５０】ステップｍ５では、新たに時間を測定する
ために計時時間Ａをリセットして０とする。ステップｍ
５の処理の終了後は、図示しない他の処理を行った後、
ステップｍ３以降の処理を繰り返し行う。ステップｍ３
において、計時時間Ａが設定時間Ｂ未満であると判断さ
れた場合には、ステップｍ５以降の図示しない他の処理
を行った後、ステップｍ３以降の処理を行う。

【００５１】以上のように本発明の実施の第１の形態に
よれば、各センサ６１〜７１などによって検出された値
および検出された値に基づいて求められる値は、ＥＣＵ
２１のＳＲＡＭ３２に書込まれ、演算が行われる。ＳＲ
ＡＭ３２に書込まれている学習値を含む各値は、タイマ
３４の計時時間Ａが予め設定されている時間Ｂ以上とな
ったときに、ＳＲＡＭ３２から読出され、フラッシュＰ
ＲＯＭ３３に書込まれるので、書換え可能な不揮発性メ
モリであるフラッシュＰＲＯＭ３３の書込み回数による
制限を受けることなく、かつイグニッションスイッチ７
５がオフされてバッテリ７４からの電力の供給が停止し
た場合であっても、学習値などを保存しておくことがで
き、制御を行おうとする装置に対して継続的な制御を行
うことができる。

【００５２】本発明の実施の第２の形態であるＥＣＵ１
２１は、図１に示すＥＣＵ２１と同一の構成要素を含ん
で構成されているので、ＥＣＵ２１と同一の各構成要素
についての説明は省略する。ＥＣＵ１２１は、ＥＣＵ２
１の構成にさらに電源１２２と、メモリ１２３とを含ん
で構成される。

【００５３】電源回路１２２は、イグニッションスイッ
チ７５を介さずにバッテリ７４から直接電力が供給され
ている。電源回路１２２は、メモリ１２３に電力を供給
する。メモリ１２３は、たとえばＳＲＡＭなどで構成さ
れる揮発性のメモリである。メモリ１２３は、Ｉ／Ｏ３
５を介してデータの書込みおよび読出しが行われる。メ
モリ１２３には常に電力が供給されることとなり、バッ
テリ７４からの電力の供給が停止しない限り記憶内容が
保持される。

【００５４】ＥＣＵ１２１の特徴は、イグニッションス
イッチ７５がオンされた回数をフラッシュＰＲＯＭ３３
などに記憶しておき、記憶されている前記回数が予め定
める回数以上となると、ＳＲＡＭ３２からフラッシュＰ
ＲＯＭ３３への書込みの時間間隔を変更して長くしてい
ることである。前記イグニッションスイッチ７５がオン
された回数を以後起動回数と称する。なお、起動回数を
前記メモリ１２３に記憶するようにして、予め定める回
数毎にフラッシュＰＲＯＭ３３に書込まれている起動回
数を１増加させるようにしてもよい。メモリ１２３に起
動回数を一時的に書込んでからフラッシュＰＲＯＭ３３
に書込むことによって、フラッシュＰＲＯＭ３３にデー
タが書込まれる回数を削減することができる。

【００５５】図８は、ＥＣＵ１２１の動作を説明するた
めのタイミングチャートである。図８のタイミングチャ
ートにおいて、横軸はイグニッションスイッチ７５をオ
ンした累積の回数を示し、縦軸はフラッシュＰＲＯＭ３
３に書込みを行う時間間隔を示す。イグニッションスイ
ッチ７５をオンした累積の回数とは、ＥＣＵ１２１が製
造され、たとえば車両などに搭載された状態で、最初に
イグニッションスイッチ７５をオンしてバッテリ７４か
ら電力が供給されたのを１回目として、以降、イグニッ
ションスイッチ７５がオンされる度に１ずつ増加させた
ものである。

【００５６】最初にイグニッションスイッチ７５をオン
してから予め定める回数Ｃまでは、書込み間隔を時間Ｅ
１とし、時間Ｅ１が経過する度にＳＲＡＭ３２に書込ま
れているデータをフラッシュＰＲＯＭ３３に書込む。前
記起動回数が予め定める回数Ｃとなると書込み間隔を変
更し、時間Ｅ１から時間Ｆ増加した時間Ｅ２とする。以
後の起動時には時間Ｅ２が経過する度に前記書込み動作
を行う。

【００５７】前記予め定める回数Ｃは、たとえば９０回
ぐらいに定められ、およそ１カ月ぐらいは時間Ｅ１、た
とえば１０分毎に書込み動作を行い、起動回数が９０回
となると時間Ｆ、たとえば５０分を時間Ｅ１に足合わせ
て時間Ｅ２として、その後は時間Ｅ２として１時間毎に
書込み動作を行う。

【００５８】図９はＥＣＵ１２１におけるメインプログ
ラムのフローチャートであり、図１０はメインプログラ
ムにおいて電源投入直後に行われる初期設定処理のフロ
ーチャートである。図９および図１０のフローチャート
では特に本発明の特徴となる処理について示した。

【００５９】後述する図９に示すメインプログラムのフ
ローチャートで、ステップｋ１として行われる初期設定
処理として、ステップｎ１では、フラッシュＰＲＯＭ３
３のアドレス￥２０００〜￥２ＦＦＦに記憶されている
データをＳＲＡＭ３２のアドレス￥１０００〜￥１ＦＦ
Ｆに書込む。ステップｎ２では、ＳＲＡＭ３２のアドレ
ス￥１０００に記憶されている累積された起動回数Ｄを
読出す。ステップｎ３では、起動回数Ｄを１増加させて
ＳＲＡＭ３２のアドレス￥１０００に書込む。ステップ
ｎ４では、タイマ３４を初期化して時間Ａを０とする。
初期設定処理の終了後は、図９に示すフローチャートに
処理を移す。

【００６０】図９のフローチャートにおいて、ステップ
ｋ１では前述の初期設定処理を行う。続くステップｋ２
では、初期設定処理において初期化されたタイマ３４に
よる計時動作を開始する。ステップｋ３では、起動回数
Ｄが予め定める回数Ｃ以上となっているかどうかを判定
する。起動回数Ｄが、予め定める回数Ｃ以上である場合
は、ステップｋ４に進む。

【００６１】ステップｋ４では、時間Ｅ１に時間Ｆを足
し合わせて時間Ｅ２を定めている。ステップｋ５では、
タイマ３４によって計時される時間Ａと時間Ｅとを比較
することによって計時動作が開始されてから時間Ｅが経
過したかどうかを判断している。時間Ｅは、起動回数Ｄ
が回数Ｃ未満であるときには、時間Ｅ１であり、起動回
数Ｄが回数Ｃ以上であるときには、時間Ｅ２である。

【００６２】ステップｋ５において時間Ａが時間Ｅ以上
であると判断された場合は、ステップｋ６に進む。ステ
ップｋ６では、ＳＲＡＭ３２のアドレス￥１０００〜￥
１ＦＦＦに記憶されているデータをフラッシュＰＲＯＭ
３３のアドレス￥２０００〜￥２ＦＦＦに書込む。ステ
ップｋ７では、計時時間Ａをリセットして０として計時
を再開する。ステップｋ７の処理の終了後は、図示しな
い他の処理を行い、その後ステップｋ３以降の処理を行
う。

【００６３】ステップｋ３において、起動回数Ｄが予め
定める回数Ｃ未満である場合は、ステップｋ５以降の処
理を行う。また、ステップｋ５において、計時動作が開
始されてから時間Ｅが経過していない場合には、図示し
ない他の処理を行い、その後ステップｋ３以降の処理を
行う。

【００６４】以上のように本発明の実施の第２の形態に
よれば、各センサ６１〜７１などによって検出された値
および検出された値に基づいて求められる値は、ＥＣＵ
２１のＳＲＡＭ３２に書込まれ、演算が行われる。ＳＲ
ＡＭ３２に書込まれている学習値を含む各値は、起動回
数Ｄが予め定める回数Ｃ未満であるときには、時間Ｅ１
毎にＳＲＡＭ３２に書込まれているデータをフラッシュ
ＰＲＯＭ３３に書込み、起動回数Ｄが予め定める回数Ｃ
以上であるときには、時間Ｅ２毎にＳＲＡＭ３２に書込
まれているデータをフラッシュＰＲＯＭ３３に書込むの
で、書換え可能な不揮発性メモリであるフラッシュＰＲ
ＯＭ３３の書込み回数による制限を受けることなく、か
つイグニッションスイッチ７５がオフされてバッテリ７
４からの電力の供給が停止した場合であっても、学習値
などを保存しておくことができ、制御を行おうとする装
置に対して継続的な制御を行うことができる。

【００６５】また、本発明の実施の第２の形態では、起
動回数Ｄが少ないうちはＳＲＡＭ３２からフラッシュＰ
ＲＯＭ３３への書込みの時間間隔を短くして、頻繁にフ
ラッシュＰＲＯＭ３３の内容を書換えているので、ＥＣ
Ｕ１２１が制御しようとする被制御装置の特性のばらつ
きによる影響を補正して制御を行うことができる。ま
た、起動回数Ｄが予め定める回数Ｃ以上となったときに
は特性のばらつきを補正する値の変化が小さくなったと
して、フラッシュＰＲＯＭ３３にデータが書込まれる時
間間隔を長くして書込みの回数を削減しているので、フ
ラッシュＰＲＯＭ３３の書込み回数制限の影響を受ける
ことなく、かつ被制御装置の経年的な変化に対しても学
習値を書換えることによって、前記変化の影響を補正し
て制御を行うことができる。

【００６６】本発明の実施の第３の形態であるＥＣＵ１
３１は、図１に示すＥＣＵ２１と同一の構成であるの
で、構成についての説明を省略する。ＥＣＵ１３１の特
徴は、メインプログラムの実行中にＳＲＡＭ３２に記憶
されている第１のデータと、第１のデータと対応するフ
ラッシュＰＲＯＭ３３に記憶されている第２のデータと
の比較を行い、予め定める値以上の差があるときには、
前記第１のデータをフラッシュＰＲＯＭ３３の第２のデ
ータに置換えて書込むことである。

【００６７】図１１はＥＣＵ１３１におけるメインプロ
グラムのフローチャートであり、図１２はメインプログ
ラムにおいて電源投入直後に行われる初期設定処理のフ
ローチャートである。図１１および図１２のフローチャ
ートでは特に本発明の特徴となる処理について示した。

【００６８】後述する図１１に示すメインプログラムの
フローチャートで、ステップｈ１として行われる初期設
定処理として、ステップｊ１では、フラッシュＰＲＯＭ
３３のアドレス￥２０００〜￥２ＦＦＦに記憶されてい
るデータをＳＲＡＭ３２のアドレス￥１０００〜￥１Ｆ
ＦＦに書込む。ステップｊ２では、アドレス値ＡＳを￥
１０００とする。続くステップｎ３では、アドレス値Ａ
Ｅを￥２０００とする。初期設定処理の終了後は、図１
１に示すフローチャートに処理を移す。

【００６９】図１１のフローチャートにおいて、ステッ
プｈ１では前述の初期設定処理を行う。続くステップｈ
２では、比較データＧとしてＳＲＡＭ３２においてアド
レス値ＡＳで示されるアドレスに格納されているデータ
を読込む。ステップｈ３では、比較データＨとしてフラ
ッシュＰＲＯＭ３３においてアドレス値ＡＥで示される
アドレスに格納されているデータを読込む。

【００７０】ステップｈ４では、比較データＧと比較デ
ータＨとの差の絶対値と、予め定める値Ｊとの比較を行
う。前記絶対値が、予め定める値Ｊよりも大きいときに
はステップｈ５に進む。ステップｈ５では、前記比較デ
ータＧをアドレス値ＡＥに書込む。

【００７１】ステップｈ６では、アドレス値ＡＳを１増
加させる。ステップｈ７では、アドレス値ＡＳが￥２０
００番地を示す用になったかどうかを判断する。￥２０
００番地である場合にはステップｈ８に進む。ステップ
ｈ８では、アドレス値ＡＳを￥１０００番地に定めてい
る。ステップｈ９では、アドレス値ＡＥをアドレス値Ａ
Ｓの示すアドレスの番地＋￥１０００番地と定めてい
る。ステップｈ９の処理の終了後、図示しない他の処理
を行い、ステップｈ２以降の処理を再び行う。

【００７２】ステップｈ４において、前記絶対値が予め
定める値Ｊよりも小さいときには、ステップｈ６以降の
処理を行う。ステップｈ７において、アドレス値ＡＳが
￥２０００番地を示していない場合にはステップｈ９以
降の処理を行う。

【００７３】以上のように本発明の実施の第３の形態に
よれば、各センサ６１〜７１などによって検出された値
および検出された値に基づいて求められる値は、ＥＣＵ
２１のＳＲＡＭ３２に書込まれ、演算が行われる。ＳＲ
ＡＭ３２に書込まれているデータとフラッシュＰＲＯＭ
３３に書込まれているデータとに予め定める値Ｊ以上の
差があるときにはＳＲＡＭ３２のデータをフラッシュＰ
ＲＯＭ３３に書込むようにしているので、学習値などが
大きく変化したときのみフラッシュＰＲＯＭ３３に書込
みを行うようになり、フラッシュＰＲＯＭ３３に対する
書込み回数を削減しつつ、フラッシュＰＲＯＭ３３の書
込み回数による制限を受けることなく、かつイグニッシ
ョンスイッチ７５がオフされてバッテリ７４からの電力
の供給が停止した場合であっても、学習値などを保存し
ておくことができ、制御を行おうとする装置に対して継
続的な制御を行うことができる。

【００７４】図１３は、本発明の実施の第４の形態であ
るＥＣＵ８１の構成を示すブロック図である。ＥＣＵ８
１において、前述のＥＣＵ２１と同一の構成要素には同
一の参照符を付して説明を省略する。

【００７５】ＥＣＵ８１の特徴は、リレー回路８２と、
ディレイ回路８３とが設けられていて、イグニッション
スイッチ７５をオフした後、予め定める時間の間に、Ｓ
ＲＡＭ３２に記憶されているデータを、フラッシュＰＲ
ＯＭ３３に書込むようにしていることである。

【００７６】リレー回路８２は、リレースイッチ８４と
リレーコイル８５とを含んで構成される。イグニッショ
ンスイッチ７５が導通するとディレイ回路８３に電力が
供給され、リレーコイル８５に所定の電圧が供給され、
リレースイッチ８４が導通し、バッテリ７４からの電力
が電源回路２７に与えられる。イグニッションスイッチ
７５が遮断されると、ディレイ回路８３によって予め定
める時間はリレーコイル８５に前記電圧が供給される。
したがって、前記予め定める時間の間は、バッテリ７４
からの電力が電源回路２７に与えられることとなる。な
お、ＥＣＵ８１では、イグニッションスイッチ７５がオ
ンされたかオフされたかを示す情報が制御回路２２に与
えられる。

【００７７】図１４は、ＥＣＵ８１の動作を説明するた
めのタイミングチャートである。図１４（１）は、イグ
ニッションスイッチ７５が導通しているかどうかを示す
信号ＩＧの波形図であり、図１４（２）は電源電圧レベ
ルを示す。

【００７８】時刻ｔ１０でイグニッションスイッチ７５
がオフされると信号ＩＧはＯＮレベルからＯＦＦレベル
となる。ディレイ回路８３によって、時刻ｔ１０から時
刻ｔ１１までの期間Ｗ１１の間リレーコイル８５に電圧
が供給され、電源電圧レベルがハイレベルのままとな
る。この期間Ｗ１１の間に前記書込み動作を行う。

【００７９】図１５は、ＥＣＵ８１で行われる初期設定
処理のフローチャートである。本発明を説明するために
必要となる部分の処理を示す。ステップｃ１において、
フラッシュＰＲＯＭ３３のアドレス￥２０００〜￥２Ｆ
ＦＦに記憶されているデータをＳＲＡＭ３２のアドレス
￥１０００〜￥１ＦＦＦに書込む。ステップｃ１の処理
の終了後、たとえば図６、図９、図１１に示すフローチ
ャートに処理を移す。

【００８０】図１６は、イグニッションスイッチ７５が
オフされたときの処理を示すフローチャートである。た
とえば図６、図９、図１１のようなメインプログラムの
実行中に、イグニッションスイッチ７５がオフされる
と、ステップｄ１の処理が行われる。ステップｄ１で
は、ＳＲＡＭ３２のアドレス￥１０００〜￥１ＦＦＦに
記憶されているデータをフラッシュＰＲＯＭ３３のアド
レス￥２０００〜￥２ＦＦＦに書込む。データの書込み
終了後、処理を終了する。

【００８１】以上のように本発明の実施の第４の形態に
よれば、イグニッションスイッチ７５をオフした後も予
め定める時間、たとえば期間Ｗ１１の間、電力が供給さ
れるので、イグニッションスイッチ７５がオフされたこ
とに応答して、ＳＲＡＭ３２に記憶されているデータを
フラッシュＰＲＯＭ３３に書込むことができる。フラッ
シュＰＲＯＭ３３に書込まれるデータは、イグニッショ
ンスイッチ７５がオンである間でＳＲＡＭ３２に最後に
書込まれた値であるので、もっとも最新の学習値を用い
て次にイグニッションスイッチ７５がオンしてからの制
御を開始することができる。

【００８２】図１７は、本発明の実施の第５の形態であ
るＥＣＵ９１におけるＳＲＡＭ９２およびフラッシュＰ
ＲＯＭ９３の構造を示す図である。ＥＣＵ９１は、ＳＲ
ＡＭ９２およびフラッシュＰＲＯＭ９３を除いては、図
１に示すＥＣＵ２１と同一の構成要素によって構成され
るので、各構成要素についての説明を省略する。

【００８３】ＥＣＵ９１の特徴は、車両各部に取付けら
れているセンサからの出力が異常であると判断すると、
ＳＲＡＭ９２の領域９４ｂに記憶されているフラグを異
常が発生したことを示す状態へと書換え、以後の制御を
予め定める正常な値で行うことである。

【００８４】図１７（１）に示すＳＲＡＭ９２は、アド
レス￥１０００〜￥１Ｆ００までの領域９４ａと、アド
レス￥１Ｆ００〜￥１ＦＦＦまでの領域９４ｂとを含ん
で構成される。領域９４ａには、前述の各実施例におけ
るＳＲＡＭ３２と同様に学習値などが書込まれる。領域
９４ｂには、異常を検出したことを示すフラグが記憶さ
れる。前記フラグは、ＥＣＵ９１が制御しようとする装
置において発生すると考えられる異常の種類毎に定めら
れる。

【００８５】図１７（２）に示すフラッシュＰＲＯＭ９
３は、アドレス￥２０００〜￥２Ｆ００までの領域９５
ａと、アドレス￥２Ｆ００〜￥２ＦＦＦまでの領域９５
ｂとを含んで構成される。領域９５ａには、前述の領域
９４ａに記憶されている学習値などが書込まれる。領域
９５ｂには、前述の領域９４ｂに記憶されているフラグ
が記憶される。

【００８６】図１８はＥＣＵ９１の動作を説明するため
のＥＣＵ９１と冷却水温度検出器６４との接続関係を示
す図であり、図１９は冷却水温度検出器６４の出力が有
効となる範囲を説明するためのグラフである。

【００８７】入力バッファ回路２３は、たとえば予め定
める抵抗値を有する抵抗９６，９７を含んで構成され
る。冷却水温度検出器６４から端子９８を介してＥＣＵ
２１に与えられたアナログの信号は、入力バッファ回路
２３において抵抗９７を介してＡＤＣ２５に与えられ
る。前記信号は、ＡＤＣ２５でデジタルの信号へと変換
され、制御回路２２へと与えられる。入力バッファ回路
２３においては、電源回路２７から供給される電源電圧
が抵抗９６を介して所定の電流値の電流として抵抗９２
に与えられる。抵抗９６およびＡＤＣ２５には、電源回
路２７から、たとえば５Ｖの電圧が与えられる。

【００８８】図１９において、縦軸はＡＤＣ２５に入力
される電圧を示し、横軸は水温を示す。冷却水温度検出
器６４から出力される電圧に基づいて内燃機関５０にお
ける冷却媒体である冷却水の温度を算出することができ
る。ＥＣＵ２１では、水温が−３０度未満となった場合
と、１２０度を超えた場合とを異常である状態としてい
る。ＡＤＣ２５に入力される電圧値は、水温が−３０度
である場合には４．７Ｖであり、１２０度である場合に
は０．３Ｖである。冷却水温度検出器６４の誤差などを
考慮して±０．２Ｖ分正常と認める範囲を広げている。
したがって、電圧値が４．９Ｖを超える場合と、０．１
Ｖ未満である場合とが異常状態であると判断される。

【００８９】図２０は、冷却水温度検出器６４について
の制御回路２２における処理を示すフローチャートであ
る。本フローチャートは、たとえば図６などに示すメイ
ンプログラムのフローチャートの実行中に、たとえば１
６ｍｓ毎に割込んで行われる。

【００９０】ステップｇ１では、冷却水温度検出器６４
の出力を読込む。ステップｇ２では、冷却水温度検出器
６４の出力である電圧が、０．１Ｖから４．９Ｖまでの
範囲にあるかどうかを判断する。ステップｇ２におい
て、検出された値が前記範囲内の値であると判断された
場合には、ステップｇ３に進む。ステップｇ３では冷却
水温度検出器６４からの出力を実際の温度に換算する。
ステップｇ３の処理の終了後メインプログラムの処理に
戻る。

【００９１】ステップｇ２において、前記電圧が０．１
Ｖ未満であるか、４．９Ｖを超えていると判断されたと
きにはステップｇ４に進む。ステップｇ４では、冷却水
の温度が異常である判定する。続くステップｇ５では、
異常である冷却水温度検出器６４の出力に換えて、予め
定める設定値を冷却水の温度として定める。以後のメイ
ンプログラムの処理では、設定値に基づいて演算が行わ
れる。ＥＣＵ９１では、たとえば前記設定値として示さ
れる温度を８０度とする。

【００９２】ステップｇ６では、ＳＲＡＭ３２における
冷却水の温度に異常が発生したことを示すフラグを変化
させて、異常が発生したことを記憶する。ステップｇ７
では、フラッシュＰＲＯＭ３３における冷却水の温度に
異常が発生したことを示すフラグを変化させて、異常が
発生したことを記憶する。ステップｇ７の処理の終了後
メインプログラムの処理に戻る。

【００９３】ＥＣＵ９１におけるメインプログラムの処
理および初期設定処理としては、前述の図６および図７
に示すフローチャートの処理が行われる。

【００９４】以上のように本発明の実施の第５の形態に
よれば、各センサ６１〜７１などによって検出された値
が予め定める範囲内の値であるかどうかによって検出さ
れた値が正常であるかどうかを判断し、正常である場合
には検出された値を用いて演算を行い、異常である場合
には予め定める設定値を用いて演算を行うようにし、異
常を検出したことをＳＲＡＭ３２の領域９４ｂおよびフ
ラッシュＰＲＯＭ３３の領域９５ｂにそれぞれ記憶する
ので、異常を検出したことを示す情報を継続的に記憶し
ておくことができ、点検などを行う際に参照して整備を
行うことができる。

【００９５】なお、上述の第１〜第５の各実施の形態に
ついて、それぞれ単独で実施した場合について示した
が、それぞれ１または複数の実施の形態を組合わせて行
うようにしてもよい。

【００９６】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、処理装置
が制御しようとする被制御装置毎に定められる学習値
は、１または複数の条件のうち少なくとも１つが満たさ
れるごとに書換え可能な不揮発性メモリに書込まれるの
で、学習値を用いて被制御装置に対して継続的な制御を
行うことができ、かつ前記補正値に基づいて変更される
学習値を不揮発性メモリに書込む回数を削減することが
できる。

【００９７】また本発明によれば、予め定める時間毎に
学習値が不揮発性メモリに書き込まれることとなり、不
揮発性メモリに書込みを行う回数を削減しつつ確実に学
習値を不揮発性メモリに記憶させることができる。ま
た、不揮発性メモリに学習値が記憶されるので、学習値
を用いて被制御装置に対して継続的な制御を行うことが
できる。

【００９８】さらに本発明によれば、制御手段は予め定
める期間が経過するまでは予め定める時間毎に学習値を
不揮発性メモリに書込むことによって、被制御装置に応
じた学習値へと変更することができ、予め定める期間が
経過した後は予め定める時間に追加時間を足合わせた時
間毎に学習値を不揮発性メモリに書込むことによって、
書込み回数を削減しつつ学習値を記憶することができ
る。

【００９９】さらに本発明によれば、制御手段は起動回
数が予め定める値となるまでは予め定める時間毎に学習
値を不揮発性メモリに書込むことによって、被制御装置
に応じた学習値へと変更することができ、起動回数が予
め定める値となった後は予め定める時間に追加時間を足
合わせた時間毎に学習値を不揮発性メモリに書込むこと
によって、書込み回数を削減しつつ学習値を記憶するこ
とができる。

【０１００】さらに本発明によれば、揮発性メモリに記
憶されている学習値と、不揮発性メモリに記憶されてい
る学習値との差が予め定める値以上となったときのみ不
揮発性メモリに書込みが行われるので、学習値を不揮発
性メモリに記憶しつつ不揮発性メモリに対する書込み回
数を削減することができる。

【０１０１】さらに本発明によれば、予め定める時間間
隔毎に行われる比較によって、揮発性メモリに記憶され
ている学習値と、不揮発性メモリに記憶されている学習
値との差が予め定める値以上であると判断されたときの
み不揮発性メモリに書込みが行われるので、学習値を不
揮発性メモリに記憶しつつ不揮発性メモリに対する書込
み回数を削減することができる。

【０１０２】さらに本発明によれば、不揮発性メモリに
書込まれる学習値は、最も最新の学習値であるスイッチ
ング手段が遮断されたときの学習値であるので、次にス
イッチング手段が導通されて制御を開始するときに、最
新の学習値を用いて制御を開始することができる。ま
た、スイッチング手段が遮断されたときに書込みを行う
ので不揮発性メモリに対する書込み回数を削減すること
ができる。

【０１０３】さらに本発明によれば、前記情報が予め定
める範囲内の値でない場合には、学習値が不揮発性メモ
リに記憶され、以後の制御が設定値を用いて行われるの
で、異常な情報を用いて被制御装置の制御を行うことが
なく、また異常な情報によって学習値が不所望な値とな
ることを防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の第１の形態であるＥＣＵ２１お
よびＥＣＵ８１，１２１の構成を示すブロック図であ
る。

【図２】ＥＣＵ２１に関連する構成の一例を示すブロッ
ク図である。

【図３】ＥＣＵ２１によって行われる制御の一例を説明
するためのタイミングチャートである。

【図４】酸素濃度についての処理を示すフローチャート
である。

【図５】ＥＣＵ２１における燃料の噴射時間を定めるた
めのフローチャートである。

【図６】ＥＣＵ２１におけるメインプログラムのフロー
チャートである。

【図７】ＥＣＵ２１における初期設定処理のフローチャ
ートである。

【図８】本発明の実施の第２の形態であるＥＣＵ１２１
の動作を説明するためのタイミングチャートである。

【図９】ＥＣＵ１２１におけるメインプログラムのフロ
ーチャートである。

【図１０】ＥＣＵ１２１における初期設定処理のフロー
チャートである。

【図１１】本発明の実施の第３の形態であるＥＣＵ１３
１におけるメインプログラムのフローチャートである。

【図１２】ＥＣＵ１３１における初期設定処理のフロー
チャートである。

【図１３】本発明の実施の第４の形態であるＥＣＵ８１
の構成を示すブロック図である。

【図１４】ＥＣＵ８１の動作を説明するためのタイミン
グチャートである。

【図１５】ＥＣＵ８１における初期設定処理のフローチ
ャートである。

【図１６】ＥＣＵ８１においてイグニッションスイッチ
７５がオフされたときの処理を示すフローチャートであ
る。

【図１７】本発明の実施の第５の形態であるＥＣＵ９１
におけるＳＲＡＭ３２およびフラッシュＰＲＯＭ３３の
構造を示す図である。

【図１８】ＥＣＵ９１と冷却水温度検出器６４との接続
関係を示す図である。

【図１９】冷却水温度検出器６４の出力が有効となる範
囲を説明するためのグラフである。

【図２０】冷却水温度検出器６４についての制御回路２
２における処理を示すフローチャートである。

【図２１】第１の先行技術であるＥＣＵ１の構造を示す
ブロック図である。

【図２２】第２の先行技術であるＥＣＵ１１の構造を示
すブロック図である。

【符号の説明】

２１，８１，９１，１２１，１３１ＥＣＵ２２制御回路２３，２４入力インタフェイス２５ＡＤＣ２６出力インタフェイス２７電源回路３１Ｉ／Ｏ３２ＳＲＡＭ３３フラッシュＰＲＯＭ３４タイマ７４バッテリ７５イグニッションキー

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】情報を検出して出力する１または複数の
検出手段からの情報に基づいて定められる基本値と、基
本値を定める情報と同一かもしくは異なる情報に基づい
て定められる補正値とに基づいて演算を行い、演算結果
に基づいて被制御装置を制御する処理装置であって、前記基本値と前記補正値に基づいて求められる学習値と
が記憶されており、書換えを指示する信号が与えられる
と学習値が書換えられる書換え可能な不揮発性メモリ
と、前記基本値と補正値と学習値とが一時的に記憶される揮
発性メモリと、予め定める電圧の電力を供給する電源手段と、前記電源手段からの電圧の供給が開始されると、不揮発
性メモリに記憶されている学習値を読出して揮発性メモ
リに書込み、前記補正値と基本値と学習値とに基づいて
演算を行い、演算結果に基づいて被制御装置を制御し、
補正値に基づいて揮発性メモリに記憶されている学習値
を書換え、１または複数の予め定める条件のうちの少な
くとも１つが満たされる度に不揮発性メモリに前記書換
えを指示する信号を与え、揮発性メモリに記憶されてい
る前記学習値を不揮発性メモリに書込む制御手段とを含
むことを特徴とする処理装置。
【請求項２】電源手段からの電力の供給が開始される
と計時を開始する計時手段を備え、前記制御手段は、計時手段の出力が予め定める時間の経
過を示したことを前記予め定める条件とすることを特徴
とする請求項１記載の処理装置。
【請求項３】前記制御手段は、予め定める時間よりも
充分に長く定められる予め定める期間が経過すると、前
記予め定める時間に予め定める追加時間を追加すること
を特徴とする請求項２記載の処理装置。
【請求項４】前記制御手段と電源手段との間に介挿さ
れ、導通／遮断を制御するスイッチング手段を備え、ス
イッチング手段によって電源の供給が開始されるたびに
不揮発性メモリに記憶されている起動回数値を１増加
し、起動回数値が予め定める値となると、前記予め定め
る時間に予め定める追加時間を追加することを特徴とす
る請求項２記載の処理装置。
【請求項５】前記制御手段は、不揮発性メモリに記憶
されている学習値と、揮発性メモリに記憶されている学
習値との比較を行い、２つの学習値に予め定める値以上
の差が生じたことを前記予め定める条件とすることを特
徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の処理装
置。
【請求項６】前記計時手段の出力に基づいて、予め定
める時間間隔毎に前記比較を行うことを特徴とする請求
項５記載の処理装置。
【請求項７】前記制御手段と電源手段との間に介挿さ
れ、導通／遮断を制御するスイッチング手段と、制御手段と電源手段との間で、かつスイッチング手段と
並列に介挿され、前記スイッチング手段が遮断される
と、予め定める第１の時間導通して制御手段に電力を供
給する電力供給手段とを備え、前記制御手段は、スイッチング手段によって電源手段か
らの電力の供給が停止されたことを前記予め定める条件
とし、電力供給手段を介して供給される電力によって、
揮発性メモリに記憶されている学習値を不揮発性メモリ
に書込むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つ
に記載の処理装置。
【請求項８】前記検出手段と制御手段との間に介挿さ
れ、検出手段によって検出された情報が予め定める範囲
内の値であるかどうかを判定する判定手段を備え、前記揮発性および不揮発性メモリは、前記予め定める範
囲外の値が前記検出手段で検出されたことを示す異状検
出情報が書込まれる異状検出情報記憶領域を含んで構成
され、前記制御手段は、検出手段からの情報が判定手段によっ
て予め定める範囲内の値ではないと判定されると、異状
検出情報を揮発性および不揮発性メモリの異状検出情報
記憶領域に書込み、以後は補正値と学習値とに換えて予
め定める範囲内の値である設定値を用いて前記演算を行
うことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載
の処理装置。