JPH09246264A - 低誘電率非晶質フッ素化炭素皮膜およびその製法 - Google Patents

低誘電率非晶質フッ素化炭素皮膜およびその製法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 フッ素化環式炭化水素前駆物質から、電子装
置に誘電絶縁層として使用する非晶質フッ素化炭素皮膜
を形成する。 【解決手段】 この前駆物質は、ヘキサフルオロベンゼ
ン、１，２−ジエチニルテトラフルオロベンゼン、およ
び１，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンからな
るグループから選択することができる。皮膜は、イオン
・ビームを使用する付着技術、レーザを使用する付着技
術、およびプラズマを使用する化学的気相付着技術など
の、放射またはビームを使用する付着技術により付着さ
せる。この皮膜は４００℃までの非酸化雰囲気中では熱
に対して安定であり、誘電率が３．０より小さい。 【効果】 この皮膜は、相互接続構造中の導体を分離す
るための絶縁体として使用するのに適する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は非晶質フッ素化炭素
皮膜およびその製法に関するものであり、さらに詳細に
は熱安定性が高く、誘電率が低い、電子装置の絶縁層と
して使用するのに適した非晶質フッ素化炭素皮膜および
そのような皮膜の製法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップは、金属配線のパターンに
より接点が相互接続された装置のアレイにより構成され
ている。たとえば、ＶＬＳＩチップでは、金属パターン
が多層化され、誘電率が低いことを特徴とする絶縁材料
の層により分離されている。金属配線パターン間の層間
接点は、絶縁材料の層をエッチングした貫通孔によりつ
くられる。代表的なチップの設計では、１層または複数
の配線層がある。誘電率の低い絶縁材料が、同一レベル
の配線間にも、各種の配線レベルの間にも使用されてい
る。
【０００３】代表的なＶＬＳＩチップでは、この絶縁材
料は誘電率が約３．９ないし約４．１の二酸化シリコン
である。チップの速度は絶縁体のＲＣ値により影響を受
けるので、速度性能を増大させるにはキャパシタンス
（Ｃ）を減少させることが必要である。チップの集積度
を高めるための探求の結果、寸法が縮小すると、絶縁体
の誘電率を著しく減少させない限り、キャパシタンス値
を増大させる傾向がある。さらに、チップの設計に大規
模集積の使用が増大するにつれて、バックエンド配線密
度が増大する。配線密度が増大すると、ＶＬＳＩおよび
ＵＬＳＩ装置の性能を改善するため、これまでより誘電
率が低い絶縁材料、すなわち層間誘電（ＩＬＤ）材料の
必要性が生じる。
【０００４】二酸化シリコンに代わる可能性のある材料
として、誘電率の低い各種の材料が検討されている。た
とえば、ＩＬＤ材料の候補中では、フッ素化炭素重合体
の誘電率が最も低く、３未満であると考えられる。しか
し、フッ素化重合体など、誘電率の著しく低い材料はほ
とんどが、３５０℃を超えるチップ加工温度では熱に不
安定で、このため現在の半導体製造技術での集積には適
当でない。このような技術では、ＢＥＯＬ誘電体を付着
させた後、４００℃を超える加工温度での熱に耐えるこ
とが必要とされる場合が多い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、電子装置の誘電絶縁層として使用するための、
従来の技術による誘電体材料の欠点を持たない、低誘電
率の絶縁材料を提供することにある。
【０００６】本発明の他の目的は、電子装置の誘電絶縁
層として使用するための、半導体加工温度において熱的
に安定な低誘電率の絶縁材料を提供することにある。
【０００７】本発明の他の目的は、半導体装置の誘電絶
縁層として使用するための、４００℃までの非酸化雰囲
気中で熱に対して安定な低誘電率の絶縁材料を提供する
ことにある。
【０００８】本発明の他の目的は、半導体装置の層間に
も層内にも適用される誘電絶縁材料として使用するため
の、非酸化雰囲気中で熱に対して安定な低誘電率の絶縁
材料を提供することにある。
【０００９】本発明の他の目的は、半導体装置の誘電絶
縁層として使用するための、誘電率が３．０より小さい
低誘電率の絶縁材料を提供することにある。
【００１０】本発明の他の目的は、半導体装置の１層ま
たは複数レベルの導体を分離するための低誘電率の絶縁
材料を提供することにある。
【００１１】本発明の他の目的は、半導体装置の誘電絶
縁層として使用するための、フッ素化環式炭化水素前駆
物質から生成することができる低誘電率の非晶質フッ素
化炭素材料を提供することにある。
【００１２】本発明の他の目的は、半導体装置の誘電絶
縁層として使用するための、前記フッ素化環式炭化水素
が、ヘキサフルオロベンゼン、１，２−ジエチニルテト
ラフルオロベンゼン、および１，４−ビス（トリフルオ
ロメチル）ベンゼンなどのフッ素化環式炭化水素前駆物
質から生成することができる低誘電率の非晶質フッ素化
炭素材料を提供することにある。
【００１３】本発明の他の目的は、ＶＬＳＩまたはＵＬ
ＳＩ装置の誘電絶縁層として使用するための、放射また
はビームを使用する付着技術により付着させることがで
きる低誘電率の非晶質フッ素化炭素材料を提供すること
にある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、半導体
装置の誘電絶縁層として使用するための、フッ素化環式
炭化水素前駆物質から形成された非晶質フッ素化炭素皮
膜およびその製法が提供される。
【００１５】好ましい実施例では、誘電絶縁層として使
用するための非晶質フッ素化炭素皮膜が、ヘキサフルオ
ロベンゼン、１，２−ジエチニルテトラフルオロベンゼ
ン、および１，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼ
ンからなるグループから選択された前駆物質から生成さ
れる。この皮膜は、レーザを使用する付着技術、および
プラズマを使用する化学的気相付着技術などの放射また
はビームを使用する付着技術により形成される。付着し
た皮膜は、４００℃までの非酸化雰囲気中では熱に対し
て安定で、誘電率が３．０より小さい。この皮膜は、相
互接続構造中の導体を分離するための絶縁体など、電子
装置の相互接続誘電層として使用することができる。
【００１６】代替実施例では、非晶質フッ素化炭素皮膜
が、フッ素化されないダイアモンド状炭素の中間層の
上、または２層のフッ素化されないダイアモンド状炭素
層の中間に付着される。
【００１７】他の代替実施例では、フッ素化炭素層と、
フッ素化されないダイアモンド状炭素層との間に、勾配
層がさらに付着される。
【００１８】本発明はさらに、上面が、露出した第１の
金属層である基板と、フッ素化環式炭化水素前駆物質か
ら形成された非晶質フッ素化炭素の絶縁層と、絶縁層の
上に複数の導体を形成するようにパターン形成された第
２の金属層とからなる、電子装置中の１層以上の導体を
分離するための絶縁体に関するものである。この基板
は、上面に、露出した第１の金属領域と、露出した第２
の絶縁体領域を有するものであってもよい。第２の絶縁
体領域は、層内の絶縁の目的で使用される。絶縁体はさ
らに、２層の誘電層の接着を改善するため、フッ素化炭
素層と、フッ素化されないダイアモンド状炭素層との間
に、勾配層をさらに有するものであってもよい。２層の
誘電層の間の勾配層により、連続的な転移が得られる。
【００１９】本発明はさらに、基板と、基板の上面に付
着させた第１の導電材料の層と、第１の導電材料の層の
上面に付着させた、フッ素化環式炭化水素前駆物質から
形成した非晶質フッ素化炭素の層と、非晶質フッ素化炭
素の層の上に付着させた、第２の導電材料の層と、第１
の導電材料の層と第２の導電材料の層とを接続する金属
スタッドとからなる、集積回路装置に使用する相互接続
構造に関するものである。第１および第２の導電性材料
は、アルミニウム、銅、タングステン、タンタル、チタ
ン、これらの合金、および導電性の金属窒化物とするこ
とができる。この非晶質フッ素化炭素の層は誘電率が
３．０より低く、層によっては誘電率が２．８より低い
ものもある。この非晶質フッ素化炭素の層は４００℃ま
での非酸化雰囲気中では熱に対して安定である。代替実
施例のひとつでは、フッ素化炭素の層が、フッ素化され
ないダイアモンド状炭素の中間層の上、または２層のフ
ッ素化されないダイアモンド状炭素層の中間に付着され
る。他の代替実施例では、フッ素化炭素層と、フッ素化
されないダイアモンド状炭素層との間に、勾配層がさら
に付着される。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明は、フッ素化環式炭化水素
前駆物質から形成される電子装置の誘電絶縁層として使
用するための、非晶質フッ素化炭素皮膜と、その製法を
提供するものである。
【００２１】本発明は、ＶＬＳＩおよびＵＬＳＩ相互接
続の誘電体として適した、新規の、熱安定性の高い低誘
電率の材料の製法を開示する。本発明によれば、熱に安
定な非晶質フッ素化炭素（ａ−Ｆ：Ｃ）材料の皮膜は、
イオン・ビームを使用する付着技術、レーザを使用する
付着技術、プラズマを使用する化学的気相付着技術（Ｐ
ＡＣＶＤ）などの放射またはビームを使用する付着技術
によりフッ素化環式炭化水素から形成される。好ましい
技術はＰＡＣＶＤで、これによれば低イプシロンの材料
を広い面積に均一に付着させることができる。非晶質フ
ッ素化炭素皮膜を形成するための代表的な前駆物質は、
ヘキサフルオロベンゼン（Ｃ6Ｆ6）、１，２−ジエチニ
ルテトラフルオロベンゼン（Ｃ6Ｆ4（Ｃ2Ｈ）2）、およ
び１，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン（Ｃ6
Ｈ4（ＣＦ3）2）である。
【００２２】本皮膜およびその製法は、半導体製造技術
における集積に適している。本皮膜は、高周波または直
流ＰＡＣＶＤにより、好ましくは負にバイアスした基板
上の広い面積に均一に付着させることができる。基板の
温度は、室温と２５０℃の間に設定することができる。
このようにして作成した架橋皮膜は誘電率が低く、構造
的異方性がなく、電気抵抗率が高く、化学的に不活性で
ある特徴を有する。
【００２３】代表的なＰＡＣＶＤ工程では、最初に半導
体装置を平行板プラズマ反応装置に入れ、電極のひとつ
になるように電気的に接続する。反応装置が負の圧力に
なるように減圧した後、フッ素化環式炭化水素の蒸気お
よび水素の適当な反応気体の混合物を、反応装置に流入
させ、反応装置内の圧力を約３０ミリトルないし約３０
０ミリトルの範囲のプリセットした値に保持する。次に
コーティングされる装置がアースまたは反応装置の他の
部分に対して負にバイアスされるように、直流または高
周波電力を反応装置の電極に供給して、プラズマを点火
する。所期の厚さのコーティングが得られるまで、装置
をプラズマ中に保持する。好ましいコーティングの厚さ
は、１層当たり約０．３μｍないし約１．５μｍであ
る。
【００２４】例１ ８インチのウェーハにａ−Ｆ：Ｃを付着させる方法の一
例は、平行板高周波ＰＡＣＶＤ装置を使用し、ヘキサフ
ルオロベンゼンを前駆物質として、下記の条件で行うも
のである。 流速＝１０ｓｃｃｍ 圧力＝３０ミリトル 基板バイアス＝直流−１００Ｖ 高周波電力＝２５Ｗ 基板温度＝１８０℃
【００２５】２０分の付着時間の後、厚さが１μｍの非
晶質フッ素化炭素皮膜が得られる。
【００２６】例２ ８インチのウェーハにａ−Ｆ：Ｃを付着させる方法の他
の例は、平行板直流ＰＡＣＶＤ装置を使用し、ヘキサフ
ルオロベンゼンを前駆物質として、下記の条件で行うも
のである。 流速＝２０ｓｃｃｍ 圧力＝１００ミリトル 基板バイアス＝直流−５００Ｖまたは直流−８００Ｖ 高周波電力密度＝０．１Ｗ／ｃｍ2 基板温度＝２５０℃
【００２７】２０分の付着時間の後、厚さが１μｍの非
晶質フッ素化炭素皮膜が得られる。
【００２８】付着した皮膜の誘電率は２．８以下で、真
空またはヘリウム中、４００℃で少なくとも４時間熱的
に安定である。非晶質フッ素化炭素皮膜は、酸素反応性
イオン・エッチング技術を使用してバイアを形成するた
めのパターン形成、および（または）平坦化することが
できる。したがって、この皮膜は集積電子装置またはパ
ッケージングの等方性の誘電率の低い絶縁体として、た
とえばＣＭＯＳ装置に接触させるためのバックエンド構
造として、使用するために適している。本発明の新規の
非晶質フッ素化炭素皮膜はまた、相互接続構造中で絶縁
層として使用することもできる。相互接続構造は通常、
上面が、露出した第１の金属層である基板と、絶縁材料
の露出した第２の領域と、基板の上面上に形成した非晶
質フッ素化炭素の第１の層と、フッ素化炭素の層の上に
複数の導体を形成するためにパターンを形成した金属の
第２の層と、選択した第１の領域を複数の導体の１個以
上に電気的に接続する金属スタッドを有する。
【００２９】上述の集積半導体装置を図１に示す。集積
半導体装置１０は、露出した金属の第１の領域１６と、
露出した絶縁材料の第２の領域１８を含む上面１４を有
する基板１２を有する。フッ素化炭素材料の層２０を基
板の上面１４上に付着させる。金属スタッド２４は、フ
ッ素化炭素材料の層２０を貫通して、露出した第１の領
域１６を、引き続き形成される第２の金属層２２と接続
するために形成される。本発明の相互接続構造に使用で
きる適当な金属は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、これ
らの合金、および導電性の金属窒化物である。これらの
金属は、スパッタリングまたは化学的気相付着技術を用
いて付着させることができる。
【００３０】非晶質フッ素化炭素皮膜には、濃度範囲が
約０ないし約２０原子％、好ましくは約０ないし約５原
子％の、少量の水素を含有することが望ましい。このよ
うな少量の水素は、皮膜の強度を改善することが知られ
ている。しかし、皮膜の誘電率は一般に水素含有量とと
もに増大するため、水素の全含有量は限定される。
【００３１】電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）における
本発明の非晶質フッ素化炭素皮膜の第２の応用例を図２
に示す。このＦＥＴは、集積回路チップの１レベル以上
の導体を分離するための絶縁体を含む。図２は、ソース
およびドレイン領域３４を注入した基板３２、多結晶シ
リコンのゲート領域３６、および埋め込まれた酸化物領
域３８を有するＦＥＴ装置３０を示す。このＦＥＴ装置
３０はさらに、ＣＶＤによるタングステンのトレンチ充
填物４０、二酸化シリコンまたは窒化シリコンのパッシ
ベーション層４１、銅、アルミニウムまたはチタンの相
互接続４２および４３、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗまたはこれらの
化合物もしくは合金の金属ライナ４４、Ｗ、Ａｌ、また
はＣｕを充填したレベル間バイア４５、フッ素化炭素層
４６、およびフッ素化炭素材料、二酸化シリコン、窒化
シリコン、窒化ホウ素、またはこれらの化合物のキャッ
ピング層４７を有する。ＦＥＴ装置３０のフッ素化炭素
層４６は、ＦＥＴ装置の接点レベル４２と４３を分離す
るための絶縁体として機能する。フッ素化炭素絶縁体
は、すべての方向に均一な低い誘電率を有する。したが
って、本発明に教示するフッ素化炭素絶縁体は、従来の
技術による絶縁体と比較して、顕著な改善を示す。
【００３２】ＵＬＳＩ相互接続構造における本発明の非
晶質フッ素化炭素皮膜の第３の応用例を図３に示す。こ
のＵＬＳＩ相互接続構造５０は、基板５２、Ｃｕの相互
接続およびスタッド５４、Ｔａのライナ５６、フッ素化
炭素のレベル間およびレベル内誘電層５８、Ｓｉをドー
ピングしたフッ素化炭素またはＳｉをドーピングした非
フッ素化ダイアモンド状炭素の反応性イオン・エッチン
グのエッチ・ストップ、およびバリア層６０を有する。
非晶質フッ素化炭素皮膜は、非フッ素化ダイアモンド状
炭素の中間層上、または２層の非フッ素化ダイアモンド
状炭素層の間に形成されることに注目すべきである。相
互接続層はさらに、フッ素化炭素層と非フッ素化ダイア
モンド状炭素層の間に勾配層を有するものでもよい。勾
配層の使用は、２層の誘電層間に連続的な転移を行うこ
とにより２層の間の接着を改善することにある。
【００３３】本発明について説明のための様式で説明を
行ったが、使用した用語は、限定のためではなく、説明
のための用語の本質として使用することを意図したもの
であることを理解すべきである。
【００３４】さらに、本発明は好ましい実施例と、その
いくつかの代替実施例について記載されているが、当業
者は容易にこれらの教示を他の可能な本発明の変形に適
用することができる。たとえば、フッ素化炭素皮膜と非
フッ素化ダイアモンド状炭素皮膜の他の多層構造を使用
することも、さらに、他のコーティング法を使用して、
皮膜を付着させ、しかも本発明の好ましい結果と実質的
に同様の結果を得ることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体装置の２層の金属領域を分離する絶縁層
として、非晶質フッ素化炭素の層を有する半導体装置を
示す拡大断面図である。
【図２】第１および第２の誘電絶縁層として、非晶質フ
ッ素化炭素の層を有するＣＭＯＳ構造の電界効果トラン
ジスタを示す拡大断面図である。
【図３】レベル間およびレベル内の誘電層として、非晶
質フッ素化炭素の層を有するＵＬＳＩ相互接続構造を示
す拡大断面図である。
【符号の説明】
１０ 集積半導体装置 １２ 基板 １４ 基板上面 １６ 金属領域 １８ 絶縁材料領域 ２０ フッ素化炭素層 ２２ 第２金属領域 ３０ ＦＥＴ装置 ３２ 基板 ３４ ソースおよびドレイン領域 ３６ 多結晶シリコンのゲート領域 ３８ 酸化物領域 ４０ タングステン・トレンチ充填物 ４１ パッシベーション層 ４２ 相互接続 ４３ 相互接続 ４４ 金属ライナ ４５ バイア ４６ フッ素化炭素層 ４７ キャッピング層 ５２ 基板 ５４ スタッド ５６ Ｔａライナ ５８ フッ素化炭素レベル内、レベル間絶縁層 ６０ バリア層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/768 7106−4Ｈ Ｃ０７Ｃ 22/08 // Ｃ０７Ｃ 22/08 7106−4Ｈ 25/13 25/13 Ｈ０１Ｌ 21/90 Ｖ (72)発明者 ヴィシュヌバーイ・ヴィッタルバーイ・パ テル アメリカ合衆国10598 ニューヨーク州ヨ ークタウン ウィロウェイ・ストリート 2289

Claims (27)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】フッ素化環式炭化水素前駆物質から形成さ
    れた非晶質フッ素化炭素皮膜。
  2. 【請求項２】前記フッ素化環式炭化水素が、ヘキサフル
    オロベンゼン、１，２−ジエチニルテトラフルオロベン
    ゼン、および１，４−ビス（トリフルオロメチル）ベン
    ゼンからなるグループから選択されたものであることを
    特徴とする、請求項１に記載の非晶質フッ素化炭素皮
    膜。
  3. 【請求項３】濃度が約０ないし約２０原子％の範囲の水
    素をさらに含有することを特徴とする、請求項１に記載
    の非晶質フッ素化炭素皮膜。
  4. 【請求項４】前記皮膜が、放射またはビームを使用する
    付着技術により形成されることを特徴とする、請求項１
    に記載の非晶質フッ素化炭素皮膜。
  5. 【請求項５】前記皮膜が、イオン・ビームを使用する付
    着技術、レーザを使用する付着技術、およびプラズマを
    使用する化学的気相付着技術からなるグループから選択
    した技術により形成されることを特徴とする、請求項１
    に記載の非晶質フッ素化炭素皮膜。
  6. 【請求項６】前記皮膜が、４００℃までの非酸化雰囲気
    中では熱に対して安定であることを特徴とする、請求項
    １に記載の非晶質フッ素化炭素皮膜。
  7. 【請求項７】前記皮膜の誘電率が３．０より小さいこと
    を特徴とする、請求項１に記載の非晶質フッ素化炭素皮
    膜。
  8. 【請求項８】フッ素化環式炭化水素前駆体物質から形成
    された非晶質フッ素化炭素を含む、電子装置中の１層以
    上の導体を分離するための絶縁体。
  9. 【請求項９】前記フッ素化環式炭化水素が、ヘキサフル
    オロベンゼン、１，２−ジエチニルテトラフルオロベン
    ゼン、および１，４−ビス（トリフルオロメチル）ベン
    ゼンからなるグループから選択されたものであることを
    特徴とする、請求項８に記載の絶縁体。
  10. 【請求項１０】前記基板の上面が、金属の露出した第１
    の領域と、絶縁体の露出した第２の領域とを有すること
    を特徴とする、請求項８に記載の絶縁体。
  11. 【請求項１１】前記絶縁層の誘電率が３．０より小さい
    ことを特徴とする、請求項８に記載の絶縁体。
  12. 【請求項１２】前記非晶質フッ素化炭素層が、４００℃
    までの非酸化雰囲気中では熱に対して安定であることを
    特徴とする、請求項８に記載の絶縁体。
  13. 【請求項１３】前記絶縁体はフッ素化されないダイアモ
    ンド状炭素の層を含み、 前記非晶質フッ素化炭素層が、前記フッ素化されないダ
    イアモンド状炭素層の上に形成されることを特徴とす
    る、請求項８に記載の絶縁体。
  14. 【請求項１４】前記フッ素化炭素層と、前記フッ素化さ
    れないダイアモンド状炭素層との間に、勾配層をさらに
    有することを特徴とする、請求項１３に記載の絶縁体。
  15. 【請求項１５】反応室にフッ素化環式炭化水素前駆物質
    を流し、前記前駆物質を反応させて非晶質フッ素化炭素
    皮膜を形成する工程からなる、放射またはビームを使用
    する方法による、非晶質フッ素化炭素皮膜の製造方法。
  16. 【請求項１６】前記フッ素化環式炭化水素前駆物質が、
    ヘキサフルオロベンゼン、１，２−ジエチニルテトラフ
    ルオロベンゼン、および１，４−ビス（トリフルオロメ
    チル）ベンゼンからなるグループから選択されたもので
    あることを特徴とする、請求項１５に記載の方法。
  17. 【請求項１７】前記放射またはビームを使用する方法
    が、イオン・ビームを使用する付着技術、レーザを使用
    する付着技術、およびプラズマを使用する化学的気相付
    着技術からなるグループから選択されたものであること
    を特徴とする、請求項１５に記載の方法。
  18. 【請求項１８】付着させた前記非晶質フッ素化炭素層の
    誘電率が３．０より小さいことを特徴とする、請求項１
    ５に記載の方法。
  19. 【請求項１９】上面を有する基板と、 前記基板の上面に付着させた第１の導電材料の層と、 前記第１の導電材料の層の上面に、フッ素化環式炭化水
    素前駆物質から形成した非晶質フッ素化炭素の層と、 前記非晶質フッ素化炭素の層の上に付着させた、第２の
    導電材料の層と、 前記第１の導電材料の層と第２の導電材料の層とを接続
    する金属スタッドとを含む、集積回路装置に使用する相
    互接続構造。
  20. 【請求項２０】前記フッ素化環式炭化水素前駆物質が、
    ヘキサフルオロベンゼン、１，２−ジエチニルテトラフ
    ルオロベンゼン、および１，４−ビス（トリフルオロメ
    チル）ベンゼンからなるグループから選択されたもので
    あることを特徴とする、請求項１９に記載の相互接続構
    造。
  21. 【請求項２１】前記第１および第２の導電材料が、Ａ
    ｌ、Ｃｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、これらの合金、および導電
    性の金属窒化物であることを特徴とする、請求項１９に
    記載の相互接続構造。
  22. 【請求項２２】前記基板が集積回路チップであることを
    特徴とする、請求項１９に記載の相互接続構造。
  23. 【請求項２３】前記非晶質フッ素化炭素層の誘電率が
    ３．０より小さいことを特徴とする、請求項１９に記載
    の相互接続構造。
  24. 【請求項２４】前記非晶質フッ素化炭素層が、４００℃
    までの非酸化雰囲気中では熱に対して安定であることを
    特徴とする、請求項１９に記載の相互接続構造。
  25. 【請求項２５】前記非晶質フッ素化炭素層が、フッ素化
    されないダイアモンド状炭素の中間層の上に付着される
    ことを特徴とする、請求項１９に記載の相互接続構造。
  26. 【請求項２６】前記非晶質フッ素化炭素層が、２層のフ
    ッ素化されないダイアモンド状炭素層の中間に付着され
    ることを特徴とする、請求項１９に記載の相互接続構
    造。
  27. 【請求項２７】前記非晶質フッ素化炭素層と、前記フッ
    素化されないダイアモンド状炭素層との間に、勾配層を
    さらに有することを特徴とする、請求項２５または２６
    に記載の相互接続構造。
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