JPH09246309A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来のワイヤボンディング装置には、ダイパ
ッドやインナーリードが酸化されるので、モールド工程
を経た半導体装置のモールド樹脂にひび割れが発生する
等の課題があった。 【解決手段】 ヒートブロック６表面に半導体チップ１
が固着されたダイパッド５とインナーリード２とを備え
たリードフレームを載置し、リード拘束治具７により加
圧固定する。ガス導入口１０，１２から導入した酸化防
止用ガス１４をガス吸引口１１，１３から排気すること
により、ダイパッド５下面やインナーリード２部にガス
の流路３１，３２を形成する。ダイパッド５やインナー
リード２は、このガスの流路３１，３２中にあるので酸
化を防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体製造装
置、特にワイヤボンディング装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図１３は、例えば特開昭６４−８１２３
５号公報に示された従来のワイヤボンディング装置を示
す構成図であり、図において、１は半導体チップ、２は
リードフレームのインナーリード、３は半導体チップ１
表面に設けられた電極とインナーリード２の端部とを接
続するボンディングワイヤ、４はワイヤボンディングを
行うためのボンディングツール、５はリードフレームの
中央に設けられ、半導体チップ１がダイボンドされるダ
イパッド、６はリードフレームが載置されるとともに、
これに熱エネルギーを与えるヒートブロック、７はイン
ナーリード２をヒートブロック６に加圧固定するリード
拘束治具、１０はダイパッド５の下面および周辺不活性
ガスを供給するダイパッド部ガス導入口、１２はインナ
ーリード２のワイヤボンディング部に不活性ガスを供給
するリード部ガス導入口である。

【０００３】このワイヤボンディング装置では、ヒート
ブロック６上に、半導体チップ１がダイボンドされたダ
イパッド５を載置し、インナーリード２をリード拘束治
具７で固定したのち、半導体チップ１上に設けられた電
極とインナーリード２とをボンディングツール４を用
い、ボンディングワイヤ３で接続する。ダイパッド部ガ
ス導入口１０は、図示しない不活性ガス供給装置に圧力
調整器を介して接続されており、インナーリード２、ダ
イパッド５、およびヒートブロック６によって形成され
る空間（ワイヤボンディング空間）内に不活性ガスを導
入する。このワイヤボンディング空間をカバー２３で部
分的に覆うことにより、不活性ガスを導入する空間を制
限して、ワイヤボンディング空間内の雰囲気中に混入す
る大気中の酸素濃度を低くする。これにより、ダイパッ
ド５およびインナーリード２の酸化を抑制する。

【０００４】しかしながら、この装置では、ワイヤボン
ディング時にボンディングツール４の移動などに伴って
ワイヤボンディング空間の不活性ガス雰囲気中へ大気が
混合するのを避けることができず、ワイヤボンディング
空間を所望の酸素濃度に維持することが困難である。ま
た、ダイパッド５に不活性ガスを吹き付ける構成である
ため、ダイパッド５がヒートブロック６から浮いた状態
となりやすく、ワイヤボンディングプロセスの安定性維
持が困難である。その結果、ダイパッド５の固定が不十
分となったり、超音波振動が不安定となったりするか
ら、ワイヤボンディングプロセスの歩留まりが低下す
る。

【０００５】図１４は、例えば特開昭６３−２６６８４
６号公報に示された従来のワイヤボンディング装置を示
す構成図である。図１３に示した従来の装置に相当する
部分には同一符号を付して、その説明を省略する。この
装置では、リード拘束治具７上に不活性ガス導入部２４
を設け、図中矢印で示すように、半導体チップ１および
ダイパッド５の上方に不活性ガスを吹き付けてエアカー
テンを形成する。同時にヒートブロック６に設けたダイ
パッド部ガス導入口１０およびリード部ガス導入口１２
からダイパッド５およびインナーリード２に不活性ガス
を吹き付ける。

【０００６】しかしながら、この装置では、エアカーテ
ンなどが作る空気や不活性ガスから成る気流のために、
半導体チップ１、ダイパッド５、およびインナーリード
２の温度を安定して維持するのが困難である。また、上
記の気流は大気を巻き込んだりするから、ワイヤボンデ
ィング空間の酸素濃度を所望の値に維持するのが困難で
ある。

【０００７】図１５は、例えば特開平１−９５５２７号
公報に示された従来のワイヤボンディング装置を示す構
成図である。図１３および図１４に示した従来の装置に
相当する部分には同一符号を付して、その説明を省略す
る。この装置には、リード拘束治具７に不活性ガス導入
口２５が設けられている。この不活性ガス導入口２５か
らインナーリード２、半導体チップ１、およびダイパッ
ド５に向けて不活性ガスを吹き付けることにより、イン
ナーリード２およびダイパッド５の酸化を防止する。

【０００８】しかしながら、この装置では、不活性ガス
導入口２５から吹き出す不活性ガスが大気を巻き込んだ
り、ボンディングツール４の移動に伴って不活性ガス雰
囲気中に大気が混合したりするのを避けられず、ワイヤ
ボンディング空間の酸素濃度を所望の値に維持するのが
困難である。

【０００９】図１６は、例えば特開平４−８０９３２号
公報に示された従来のワイヤボンディング装置を示す構
成図である。図１３から図１５に示した従来の装置に相
当する部分には同一符号を付して、その説明を省略す
る。この装置では、ワイヤボンディング部を覆うカバー
２６を設け、このカバー２６とヒートブロック６とでワ
イヤボンディング空間を形成する。ワイヤボンディング
プロセス中、カバー２６に設けたガス供給口２７から窒
素ガスを供給するとともに、接着剤などからのアウトガ
スが混入した窒素ガスをヒートブロック６に設けた排気
ダクト２８から排気する。

【００１０】しかしながら、この装置は、カバー２６を
必要とするために作業性が悪い。また、窒素ガスの供給
はアウトガスによる汚染を防ぐためのものであり、大気
の混入に対する配慮がなされていないから、インナーリ
ード２やダイパッド５が酸化するのを防ぐことはできな
い。

【００１１】上述した従来の技術のほかに、特開昭６４
−４０３３号公報には、ヒートブロックに吸引孔を設
け、ボンディング時にリードフレームをボンディングス
テージに吸着することにより作業の安定性を増したもの
が示されている。

【００１２】特開平１−２７４４４０号公報には、ヒー
トブロックに多数の気孔を有するポーラス部を設け、こ
のポーラス部でリードフレームを真空吸着するものが示
されている。しかしながら、この方法にはリードフレー
ムに与える熱を抑制してワイヤボンディングの安定性を
高める効果はあるが、ワイヤボンディング空間内の雰囲
気中の酸素がポーラス部を通って流れるため、リードフ
レームの酸化を抑制することは困難である。

【００１３】特開平４−９４５５０号公報には、ヒート
ブロックの、ダイパッド下面に向き合う位置に貫通孔を
開け、この貫通孔によりダイパッドを吸引してワイヤボ
ンディング時の安定性を高めたものが示されている。

【００１４】特開平４−１９２４３３号公報には、イン
ナーリードを固定する固定台に真空吸着用の小孔を設
け、インナーリードを吸着することによりワイヤボンデ
ィングの安定性を高めたものが示されている。しかしな
がら、これらの公報に示されたワイヤボンディング装置
では、リードフレームの酸化を防止するのに十分ではな
い。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】従来の熱圧着併用超音
波ワイヤボンディング装置においては、ボンディングに
必要な熱エネルギーがヒートブロックから与えられるた
め、リードフレームは、１チップを処理する数十秒から
数分の間、加熱環境にさらされる。このため、材料に銅
などを用いたリードフレームでは、表面の酸化が避けら
れない課題があった。

【００１６】ワイヤボンディング工程の後、モールド工
程で樹脂封止が行われる。モールド工程では、リードフ
レームは金型内に固定され、この金型内に加熱されて粘
度の低くなったモールド樹脂を加圧して押し込む。これ
により、半導体チップはモールド樹脂で完全に被覆され
る。この後のリフロー工程や輸送工程で高温多湿の環境
にさらされると、熱膨張差によって反りが生じ、ダイパ
ッドとモールド樹脂との間に熱応力が発生する。このと
きダイパッドの表面が酸化されていると、この表面酸化
皮膜が容易に剥離するため、ダイパッドとモールド樹脂
との間に隙間が発生する。その結果、モールド樹脂にひ
び割れが発生し、製品不良が発生する。この製品不良を
防ぐためには、ダイパッドの酸化防止を必要とする課題
があった。

【００１７】ダイパッドの酸化を防止するために、加熱
温度の低温化、ワイヤボンディング空間の雰囲気の不活
性化などが行われている。上記した従来技術のうち、酸
化防止のためにリードフレームの下面に不活性ガスを吹
き付けるものは、インナーリードやダイパッドをヒート
ブロックに安定して固定できない。従って、温度変化が
大きくなるから、ワイヤボンディング部の接合状態が不
安定になってしまう。また、超音波振動を安定して与え
られない。これらの結果、歩留まりの低下を招いてい
た。また、加熱温度を低くすると、ワイヤボンディング
に使われる熱エネルギーが低下するから、ワイヤボンデ
ィング部の接合強度が低下する課題があった。

【００１８】従来技術のうち、ワイヤボンディング部全
体を不活性ガス雰囲気で覆うものは作業性が悪い。ま
た、装置が大がかりになるから高価になってしまう課題
があった。

【００１９】従来技術のうち、ワイヤボンディング部上
に不活性ガスを吹き付けるものは、ボンディングツール
の移動などの際に空気を巻き込み、不活性ガスと空気と
の混合ガスを発生させる。この混合ガスがダイパッドに
供給されるために酸素濃度を下げることができないか
ら、ダイパッドの酸化を十分には防止できない課題があ
った。

【００２０】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、ダイパッドおよびインナーリード
を酸化させることなく、安定したワイヤボンディングを
行うことのできる半導体製造装置、特にワイヤボンディ
ング装置を得ることを目的とする。

【００２１】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明に係
る半導体製造装置は、ダイパッド上に固着された半導体
チップとインナーリードとをボンディングワイヤで接続
するワイヤボンディングを行うものであって、表面に半
導体チップが固着されたダイパッドとインナーリードと
を備えたリードフレームが載置されるとともに、載置さ
れたリードフレームに熱エネルギーを与えるヒートブロ
ックと、このヒートブロックの表面に、ダイパッドおよ
びインナーリードが酸化するのを防止するガスの流路を
形成するガス流路形成手段とを備えるものである。

【００２２】請求項２記載の発明に係る半導体製造装置
は、ガス流路形成手段を、ヒートブロックを貫通して設
けたガス導入口とガス吸引口とから構成したものであ
る。

【００２３】請求項３記載の発明に係る半導体製造装置
は、ガス導入口とガス吸引口とを、ヒートブロックのダ
イパッドが載置される表面に開口するように設けたもの
である。

【００２４】請求項４記載の発明に係る半導体製造装置
は、ヒートブロックの表面に、ダイパッドと重なる部分
が低くなるように段差を設けたものである。

【００２５】請求項５記載の発明に係る半導体製造装置
は、ダイパッドが載置されるヒートブロックの上部に、
底部にガス導入口が設けられ、断面が凹状のガス導入部
と、底部にガス吸引口が設けられ、断面が凹状のガス排
気部とを設けたものである。

【００２６】請求項６記載の発明に係る半導体製造装置
は、ガス導入部とガス排気部とを相互に分離する隔壁を
設け、ガス導入口からガス導入部へ酸化防止用ガスを導
入し、このガスをガス排気部の底部に設けられたガス吸
引口から排気し、ガス排気部のガス圧が大気圧より低く
なるようにしたものである。

【００２７】請求項７記載の発明に係る半導体製造装置
は、ヒートブロックの周辺内側を一周する形状に形成さ
れ、かつ底部にガス導入口が設けられ、断面が凹状のガ
ス導入部と、このガス導入部の内側に隔壁によって分離
して形成され、底部にガス吸引口が設けられた断面が凹
状のガス排気部とを備えたものである。

【００２８】請求項８記載の発明に係る半導体製造装置
は、ガス導入部とガス排気部とを相互に分離する隔壁
を、その高さがダイパッドが接触する部分で最も高くな
るように形成したものである。

【００２９】請求項９記載の発明に係る半導体製造装置
は、ヒートブロック表面のダイパッドと接触する部分に
弾性体を取り付けたものである。

【００３０】請求項１０記載の発明に係る半導体製造装
置は、リードフレームを構成するインナーリードおよび
タイバーをヒートブロックに加圧固定するリード拘束治
具と、タイバーと、ヒートブロックとで形成される空間
に開口するガス導入口を設け、インナーリード先端の下
部にガス吸引口を設けたものである。

【００３１】請求項１１記載の発明に係る半導体製造装
置は、リード拘束治具のタイバーと接触する部分に弾性
体を取り付けたものである。

【００３２】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。この発明に係るワイヤボンディング装置で
は、銅または銅合金などから成るリードフレームを用い
る。リードフレームには、半導体チップがダイボンドさ
れるダイパッドと、それを中心にして複数本のリードと
が放射状に設けられている。各リードはタイバーによっ
て互いに接続されており、タイバーの内側のリードがイ
ンナーリードであり、外側のリードがアウターリードで
ある。ワイヤボンディング装置は、ダイパッド上にダイ
ボンドされた半導体チップ上に設けられた電極とインナ
ーリードとをボンディングワイヤで接続する装置であ
る。

【００３３】実施の形態１．図１はこの発明の実施の形
態１による半導体製造装置を示す図であり、ワイヤボン
ディング装置の側面断面図である。図において、１は半
導体チップ、２はリードフレームのインナーリード、３
は半導体チップ１表面に設けられた電極とインナーリー
ド２の端部とを接続するボンディングワイヤ、４はワイ
ヤボンディングを行うためのボンディングツール、５は
リードフレームの中央に設けられ、半導体チップ１がダ
イボンドされるダイパッド、６はリードフレームが載置
されるとともに、これに熱エネルギーを与えるヒートブ
ロック、７はインナーリード２をヒートブロック６に加
圧固定するリード拘束治具、８はリードフレームのタイ
バー、９はリードフレームのアウターリード、１０はダ
イパッド５の下面および周辺部（ダイパッド部（ガスの
流路）３１）に酸化防止用ガスを導入するダイパッド部
ガス導入口（ガス導入口、ガス流路形成手段）、１１は
ダイパッド部３１からガスを排気するダイパッド部ガス
吸引口（ガス吸引口、ガス流路形成手段）、１２はヒー
トブロック６とリード拘束治具７とで形成される空間
（リード部（ガスの流路）３２）に酸化防止用ガスを供
給するリード部ガス導入口（ガス導入口、ガス流路形成
手段）、１３はリード部３２からガスを排気するリード
部ガス吸引口（ガス吸引口、ガス流路形成手段）、１４
は酸化防止用ガス、１５は半導体チップ１をダイパッド
５にダイボンドしているダイボンド材、１６は半導体チ
ップ１上に設けられ、ボンディングワイヤ３の一端がボ
ンディングされる第一の電極、１７はインナーリード２
上に設けられ、ボンディングワイヤ３の他端がボンディ
ングされる第二の電極である。

【００３４】この実施の形態１のワイヤボンディング装
置は、ヒートブロック６およびリード拘束治具７を主要
構成部品とする。ヒートブロック６は、その上に載置さ
れたリードフレームにワイヤボンディングに必要な熱エ
ネルギーを与える。また、ヒートブロック６には、ダイ
パッド部３１に酸化防止用ガス１４を導入するためのダ
イパッド部ガス導入口１０、ダイパッド部３１から酸化
防止用ガス１４を排気するためのダイパッド部ガス吸引
口１１、リード部３２に酸化防止用ガス１４を導入する
ためのリード部ガス導入口１２、およびリード部３２か
らガスを排気するためのリード部ガス吸引口１３がそれ
ぞれ貫通して形成されている。

【００３５】ダイパッド部ガス導入口１０およびリード
部ガス導入口１２は、例えば酸化防止用ガス１４を内蔵
したボンベと圧力調整弁などからなる酸化防止用ガス供
給手段に接続され、ダイパッド５とヒートブロック６と
の間の空間（ダイパッド部３１）内、およびリード拘束
治具７とヒートブロック６との間の空間（リード部３
２）内に酸化防止用ガス１４を導入する。ダイパッド部
ガス吸引口１１およびリード部ガス吸引口１３は、例え
ば排気ポンプなどに接続され、ダイパッド部３１内およ
びリード部３２内からガスを排気する。ダイパッド部ガ
ス導入口１０、リード部ガス導入口１２、ダイパッド部
ガス吸入口１１、およびリード部ガス吸入口１３をヒー
トブロック６を貫通して設けたから、ダイパッド５およ
びインナーリード２に接触してガスの供給および排気を
行うことができ、酸素の巻き込みを抑制するため、ワイ
ヤボンディング時により効果的にダイパッド５およびイ
ンナーリード２の酸化を防止できる。

【００３６】ダイパッド５およびインナーリード２が酸
化するのを防止するガスの流路を形成するガス流路形成
手段は、酸化防止用ガス１４を導入するダイパッド部ガ
ス導入口１０およびリード部ガス導入口１２と、酸化防
止用ガス１４を排気するダイパッド部ガス吸引口１１お
よびリード部ガス吸引口１３とで構成する。この実施の
形態１では、２つのガス流路を形成している。すなわ
ち、ダイパッド部ガス導入口１０から導入され、ダイパ
ッド部ガス吸引口１１から排気される酸化防止用ガス１
４が形成するダイパッド部３１と、リード部ガス導入口
１２から導入され、リード部ガス吸引口１３から排気さ
れる酸化防止用ガス１４が形成するリード部３２とであ
る。リード拘束治具７は、ワイヤボンディングを行う際
にリードフレームをヒートブロック６に加圧固定する。
ボンディングツール４は、半導体チップ１上に設けられ
た第一の電極１６とインナーリード２に形成された第二
の電極１７とをボンディングワイヤ３により接続するの
に用いる。

【００３７】次に動作について説明する。まず、ダイパ
ッド５上に半導体チップ１がダイボンドされたリードフ
レームをヒートブロック６上に載置し、リード拘束治具
７によりインナーリード２およびタイバー８を加圧固定
する。リード拘束治具７はインナーリード２をヒートブ
ロック６に密着するように押え付けて拘束するから、イ
ンナーリード２のがたつきがなくなる。従って、ワイヤ
ボンディング中に、インナーリード２に超音波振動を安
定して与えることができる。また、ワイヤボンディング
に必要な熱エネルギーの一部がヒートブロック６からリ
ード拘束治具７を介してインナーリード２に伝達され
る。

【００３８】ヒートブロック６およびリード拘束治具７
は、内部にインナーリード２が保持された空間、すなわ
ちリード部３２を形成する。リード拘束治具７をタイバ
ー８の全体にわたって隙間なく密着させることにより、
リード部３２のアウターリード９側の気密性を高めるこ
とができる。インナーリード２は断面が長方形でほぼ等
間隔に配置されているから、リード拘束治具７がインナ
ーリード２をヒートブロック６に押し付けると、リード
部３２のインナーリード２側の気密性が高まる。一方、
半導体チップ１がダイボンドされたダイパッド５がヒー
トブロック６上に載置され、ダイパッド５とヒートブロ
ック６との間に隙間、すなわちダイパッド部３１を形成
する。

【００３９】以上のようにしてリードフレームがヒート
ブロック６上に載置された状態で、ボンディングツール
４を用いて半導体チップ１上に設けられた第一の電極１
６とインナーリード２上に設けられた第二の電極１７と
をボンディングワイヤ３で接続する。ボンディングワイ
ヤ３には、金、銅、アルミニウムなどの金属、およびこ
れらの金属の合金などから成る細線を用いる。このと
き、ダイパッド部ガス導入口１０からダイパッド部３１
に酸化防止用ガス１４を導入する。また、リード部ガス
導入口１２からリード部３２にも酸化防止用ガス１４を
導入する。酸化防止用ガス１４としては、Ａｒなどの不
活性ガス、窒素ガス、窒素と水素との混合ガスから成る
還元性ガスなどを用いる。

【００４０】ダイパッド部３１に導入された酸化防止用
ガス１４は、ダイパッド部ガス吸引口１１から排気され
るから、ダイパッド部３１に酸化防止用ガス１４の流路
が形成される。この結果、ダイパッド部３１への空気の
流入がなくなるから、ダイパッド５の下面およびその周
辺部が接触する雰囲気の酸素濃度が低くなり、ダイパッ
ド５の酸化を防止することができる。

【００４１】リード部３２に導入された酸化防止用ガス
１４は、隣り合うインナーリード２間の隙間から吹き出
し、リード部ガス吸引口１３から排気される。これによ
り、インナーリード２に設けられた第二の電極１７の周
辺に酸化防止用ガス１４の流路が形成される。この酸化
防止用ガス１４の流路は、上述したようにリード部３２
の気密性が高いから、リード部ガス導入口１２へ導入す
るガス圧を高くしなくとも安定して形成することができ
る。この結果、インナーリード２のワイヤボンディング
が行われる部分が酸化防止用ガス１４によって大気から
保護され、接触する雰囲気の酸素濃度が低くなるから、
ワイヤボンディング時にインナーリード２の酸化を防止
することができる。

【００４２】以上のように、この実施の形態１によれ
ば、ワイヤボンディング時にリードフレームのダイパッ
ド５およびインナーリード２の酸化を防止することがで
きる。従って、ワイヤボンディング工程の後のモールド
工程で樹脂封止された半導体装置は、リフロー工程や輸
送工程で高温多湿の環境にさらされても、熱膨張差によ
って反りが生じたり、ダイパッドとモールド樹脂との間
に熱応力が発生したりしてもダイパッドとモールド樹脂
との間に隙間が発生することがないから、製品不良が発
生しない。従って、半導体装置の信頼性を高めることが
できる。また、従来例のように大がかりなカバーなどを
必要としないから、作業性の良好な装置を安価に提供で
きる。

【００４３】実施の形態２．図２および図３はこの発明
の実施の形態２による半導体製造装置を示す図であり、
図２は図１に示したワイヤボンディング装置のダイパッ
ド部３１下のヒートブロック６の部分平面図、図３は図
２のＡ−Ａ断面図である。ただし、見やすくするため
に、図２ではダイパッド５および半導体チップ１を省略
してある。この実施の形態２の装置では図２および図３
に示すように、ダイパッド５とヒートブロック６とで挟
まれたダイパッド部３１内に酸化防止用ガス１４を導入
するためのダイパッド部ガス導入口１０をヒートブロッ
ク６を貫通して設け、ダイパッド部３１からガスを排気
するためのダイパッド部ガス吸引口１１を、同じくヒー
トブロック６を貫通して設けている。図２および図３
は、平面が正方形のヒートブロック６の四隅および四辺
の中央に合計８個のダイパッド部ガス導入口１０を配置
し、ヒートブロック６の中心に１個のダイパッド部ガス
吸引口１１を配置した例を示している。

【００４４】酸化防止用ガス１４は、ダイパッド部ガス
導入口１０を通してダイパッド部３１内に導入され、ダ
イパッド部ガス吸引口１１を通して排気される。ダイパ
ッド部ガス吸引口１１を、例えば差圧式のガスポンプな
どに接続することにより、ダイパッド部３１内に導入す
る酸化防止用ガス１４の流量をダイパッド部ガス吸引口
１１から排気する流量より小さくすることができる。こ
の結果、ダイパッド部３１内のガス圧が大気より低くな
るから、ダイパッド５をヒートブロック６に密着させる
ことができる。ダイパッド５とヒートブロック６とが密
着すると、ダイパッド部３１内の酸素濃度を極めて低く
保つことができるから、ダイパッド５下面の酸化をより
効果的に防止することができる。

【００４５】図２および図３では、ダイパッド部ガス吸
引口１１をヒートブロック６の中心に１個設けた例を示
したが、これに限らず、ダイパッド５がヒートブロック
６にバランスよく固定される任意の位置に任意の個数設
けることができる。例えば、（１）正方形のヒートブロ
ック６の対角線上で中心から等距離の位置に偶数個設け
る。（２）正方形のヒートブロック６の各辺の中心を結
ぶ線上で中心から等距離の位置に偶数個設ける。（３）
正方形のヒートブロック６の中心、（１）の位置および
個数、および（２）の位置および個数を組み合わせてダ
イパッド５がヒートブロック６にバランスよく固定され
る位置に複数個設ける。

【００４６】ヒートブロック６に設けるダイパッド部ガ
ス導入口１０は、ダイパッド部３１内の酸素濃度がほぼ
均一になるように配置する。図２および図３では、ダイ
パッド５下面が対面するヒートブロック６の外周部に等
間隔に８個配置した例を示したが、上記の条件を満たす
任意の位置および個数にて配置することができる。

【００４７】また、図３に示すように、ヒートブロック
６の表面にダイパッド５と重なる部分が低くなるように
段差３３を設けると、ダイパッド部３１が大気と接触す
る部分を小さくできるから、ダイパッド部３１内の酸素
濃度をより低くできる。これによりダイパッド５下面の
酸化をより効果的に防止することが可能になる。この段
差３３を半導体チップ１上に形成された第一の電極（図
１の符号１６）の位置より内側の位置まで形成すると、
ワイヤボンディング時に安定した超音波の伝達および安
定した温度上昇が実現する。これにより安定したワイヤ
ボンディングが可能になる。

【００４８】実施の形態３．図４および図５はこの発明
の実施の形態３による半導体製造装置を示す図であり、
図４は図１に示すワイヤボンディング装置のダイパッド
部３１下のヒートブロック６の部分平面図、図５は図４
のＡ−Ａ断面図である。ただし、見やすくするために図
４では、ダイパッド５および半導体チップ１を省略して
ある。この実施の形態３の装置は、図４および図５に示
すように、ヒートブロック６の上面に、底部にダイパッ
ド部ガス導入口１０を設けた凹状のガス導入部１８、お
よび底部にダイパッド部ガス吸引口１１を設けた凹状の
ガス排気部１９をそれぞれ形成したものである。ガス導
入部１８およびガス排気部１９は、それぞれ複数個形成
する。図４は、一例としてガス導入部１８を８個、ガス
排気部１９を５個形成した例を示している。

【００４９】図４および図５に示すように、ガス導入部
１８およびガス排気部１９は隔壁２０により相互に分離
されている。ガス導入部１８にダイパッド部ガス導入口
１０から酸化防止用ガス１４を導入し、ダイパッド５に
接するガスの酸素濃度を低くすることによりダイパッド
５の酸化を防止する。導入した酸化防止用ガス１４は、
ガス排気部１９の底面に形成したダイパッド部ガス吸引
口１１から排気される。これによりガス排気部１９内は
負圧となり、ダイパッド５下面にかかるガス圧が低くな
るから、ダイパッド５をヒートブロック６に密着固定で
きる。

【００５０】また、ガス導入部１８とガス排気部１９と
は隔壁２０により分離されているから、ガス導入部１８
からガス排気部１９への酸化防止用ガス１４の流路の断
面を限定できる。これによりガス圧が高くなってもガス
の漏出を防止することができるから、酸化防止用ガス１
４の浪費をなくすことができる。さらに、酸化防止用ガ
ス１４の流量が小さくなった際に生じるダイパッド５の
温度変動を小さくすることができるから、ワイヤボンデ
ィングプロセスの安定性が増す。さらに、例えばスルー
ホールが設けられているような平坦でないダイパッド５
に対しても、ダイパッド５の平坦部に対応する位置にガ
ス排気部１９を配置することにより、ダイパッド５をヒ
ートブロック６に確実に固定することができる。

【００５１】図５では隔壁２０を凸型の断面形状に形成
した例を示したが、これに限らず、例えば断面形状を逆
Ｕ字型や逆Ｖ字型にすることができる。隔壁２０の断面
形状を逆Ｕ字型や逆Ｖ字型にすると、隔壁２０とダイパ
ッド５との間にゴミを挟み込むことを防止できるから、
ゴミに起因するダイパッド５のがたつきや、酸化防止用
ガス１４の流れの偏りを防ぐことができる。

【００５２】図４ではガス導入部１８およびガス排気部
１９の平面形状を正方形に形成した例を示したが、これ
に限らず、円形や三角形など任意の形状に形成すること
ができる。また、図４ではガス排気部１９をヒートブロ
ック６の中央部に５個設けた例を示したが、これに限ら
ず、ダイパッド５がヒートブロック６にバランスよく固
定される位置であれば任意の位置に任意の個数設けるこ
とができる。例えば、（１）正方形のヒートブロック６
の中心に１個設ける。（２）正方形のヒートブロック６
の対角線上で中心から等距離の位置に複数個設ける。
（３）正方形のヒートブロック６の各辺の中心を結ぶ線
上で中心から等距離の位置に複数個設ける。（４）正方
形のヒートブロック６の中心、（１）の位置および個
数、（２）の位置および個数、および（３）の位置およ
び個数を組み合わせてダイパッド５がヒートブロック６
にバランスよく固定される位置に複数個設ける。

【００５３】実施の形態４．図６および図７は、この発
明の実施の形態４による半導体製造装置を示す図であ
り、図６は図１に示すダイパッド部３１下のヒートブロ
ック６の部分平面図、図７は図６のＡ−Ａ断面図であ
る。ただし、見やすくするために図６では、ダイパッド
５および半導体チップ１を省略してある。この実施の形
態４の装置では、底部にダイパッド部ガス導入口１０が
形成されたガス導入部１８を、ヒートブロック６の周辺
内側を一周する形状に形成しており、このガス導入部１
８の内側にガス排気部１９を形成している。これによ
り、ガス排気部１９は大気と直接接触することがなくな
る。ダイパッド部ガス導入口１０からガス導入部１８に
導入された酸化防止用ガス１４は、ガス排気部１９方向
とダイパッド５外側方向との二方向に分流し、大気がダ
イパッド５下面に侵入することがないから、ダイパッド
５下面の酸化を効果的に防止することができる。

【００５４】この実施の形態４では、ダイパッド部ガス
導入口１０をガス導入部１８の底部にほぼ等間隔に配置
することにより、ガス導入部１８から導入された酸化防
止用ガス１４をヒートブロック６の周囲から大気中へ均
一かつ確実に流出させることが可能になる。これによ
り、ダイパッド５を安定してヒートブロック６に固着す
ることができる。

【００５５】また、ガス導入部１８は、その外周とヒー
トブロック６の外周との間の距離が、ダイパッド５が接
触するヒートブロック６表面の領域の全周にわたってほ
ぼ等しくなるように形成する。これにより、酸化防止用
ガス１４の流れがヒートブロック６の全面にわたって均
一になるから、ダイパッド５下の酸素濃度が全面にわた
って等しくなり、ダイパッド５下面の酸化をより効果的
に防止することが可能になる。

【００５６】また、図６ではガス導入部１８を直線状に
形成する例を示したが、これに限らず、ダイパッド５に
スルーホールが形成されているような場合には、スルー
ホールを避けて蛇行した形状に形成する。これにより、
ダイパッド５とヒートブロック６との密着性を高めるこ
とができる。

【００５７】また、図６ではガス排気部１９をヒートブ
ロック６の中央部に５個設けた例を示したが、これに限
らず、ダイパッド５がヒートブロック６にバランスよく
固定される位置であれば任意の位置に任意の個数設ける
ことができる。例えば、（１）正方形のヒートブロック
６の中心に１個設ける、（２）正方形のヒートブロック
６の対角線上で中心から等距離の位置に複数個設ける、
（３）正方形のヒートブロック６の各辺の中心を結ぶ線
上で中心から等距離の位置に複数個設ける、（４）正方
形のヒートブロック６の中心、（１）の位置および個
数、（２）の位置および個数、および（３）の位置およ
び個数を組み合わせてダイパッド５がヒートブロック６
にバランスよく固定される位置に複数個設ける。

【００５８】実施の形態５．図８および図９は、この発
明の実施の形態５による半導体製造装置を示す図であ
り、図８は図１に示すダイパッド部３１下のヒートブロ
ック６の部分平面図、図９は図８のＡ−Ａ断面図であ
る。ただし、見やすくするために図８では、ダイパッド
５および半導体チップ１を省略してある。この実施の形
態５の装置では、底部にダイパッド部ガス導入口１０が
形成されたガス導入部１８を、ヒートブロック６の周辺
内側を一周する形状に形成しており、このガス導入部１
８の内側にガス排気部１９を形成している。これによ
り、ガス排気部１９は大気と直接接触することがないか
ら、ダイパッド部ガス導入口１０からガス導入部１８に
導入された酸化防止用ガス１４は、ガス排気部１９方向
とダイパッド５外側方向との二方向に分流し、大気がダ
イパッド５下面に侵入することがないから、ダイパッド
５下面の酸化を効果的に防止することができる。

【００５９】また、図９に示すように、ガス導入部１８
とガス排気部１９とを分離する隔壁２０は、ヒートブロ
ック６とダイパッド５とが接触する面でその高さが最も
高くなるように形成してある。この結果、ダイパッド５
がヒートブロック６に良好に密着するとともに、ダイパ
ッド５の周辺部とヒートブロック６との間に隙間ができ
るから、ダイパッド部ガス導入口１０からガス導入部１
８に導入された酸化防止用ガス１４は、その大半が大気
中に流出する。これにより、ダイパッド５下面に大気が
流入するのを防ぐことができるから、ダイパッド５下面
の酸化を確実に防ぐことができる。

【００６０】ダイパッド５にスルーホール等が形成され
ており表面が平坦でない場合には、隔壁２０を、ダイパ
ッド５の平坦部と途切れることなく接する平面形状に形
成することにより、ダイパッド５とヒートブロック６と
の密着性を高め、ダイパッド５下面の酸素濃度を低く保
つことができる。また、ガス排気部１９をダイパッド５
のスルーホール部に重ならないように配置することによ
り、ダイボンド材１５がヒートブロック６ヘ付着するの
を防止することができる。

【００６１】また、ヒートブロック６とダイパッド５と
の接触面を水平に保つことにより、酸化防止用ガス１４
の流れをダイパッド５の周辺部に限定することができ
る。さらに、ヒートブロック６のダイパッド５と接触す
る面の面荒さを小さくすることにより、酸化防止用ガス
１４をヒートブロック６の周辺部方向へ確実に限定して
流すことができる。これらにより、酸化防止用ガス１４
を効率的に使用することが可能になる。

【００６２】実施の形態６．図１０はこの発明の実施の
形態６による半導体製造装置を示す図であり、図１に示
す装置のダイパッド５直下のヒートブロック６の部分断
面を示している。この実施の形態６の装置では、図１０
に示すように、ヒートブロック６表面のダイパッド５と
の接触部に弾性体２１を取り付ける。弾性体２１には、
例えばヤング率がヒートブロック６やダイパッド５より
も低いポリイミド樹脂などを用いる。弾性体２１を取り
付けることにより、ダイパッド５のひずみや平坦度のば
らつきが吸収され、圧力差のあるガス導入部１８とガス
排気部１９との間を確実に気密に保つことができる。ガ
ス導入部１８からガス排気部１９へのガスの流入をなく
すことができるから、ガス導入部１８内のガス圧を高め
ることができる。このため、ガス導入部１８内への大気
の流入を防ぐことができるから、ダイパッド５下面がさ
らされる雰囲気の酸素濃度が低くなり、ダイパッド５下
面の酸化を確実に防ぐことができる。

【００６３】弾性体２１としてポリイミド樹脂を用いる
例を示したが、これ以外に、ダイパッドがヒートブロッ
クに密着するために、ダイパッド５およびヒートブロッ
ク６よりも弾性率が低く、３００℃程度までの耐熱性を
備え、かつポリイミド樹脂と同等またはそれ以上の熱伝
導率を有する任意の材料を用いることができる。

【００６４】また、弾性体２１は、図６および図７に示
した実施の形態４の隔壁２０上部のダイパッド５との接
触部や、図８および図９に示した実施の形態５の隔壁２
０上部のダイパッド５との接触部に取り付けることがで
きる。

【００６５】実施の形態７．図１１はこの発明の実施の
形態７による半導体製造装置を示す図であり、図１に示
したワイヤボンディング装置のヒートブロック６、リー
ド拘束治具７、およびリードフレームから成る構成を示
す側面部分断面図である。リード拘束治具７、リードフ
レーム、およびヒートブロック６により形成される空
間、すなわちリード部３２内のアウターリード９方向へ
の気密は、タイバー８、ヒートブロック６およびリード
拘束治具７により保たれる。リード部３２内に設けられ
たリード部ガス導入口１２から導入された酸化防止用ガ
ス１４は、図中太矢印で示すように、リード拘束治具７
とヒートブロック６に押え付けられ、隣接するインナー
リード２間の隙間から流れ出し、インナーリード２の先
端が位置する部分に設けられたダイパッド部ガス吸引口
１１から排気される。このように、リード部３２内が酸
化防止用ガス１４で満たされ、酸素濃度が低くなるか
ら、リード部３２内のインナーリード２の酸化を防止す
ることができる。

【００６６】実施の形態８．図１２はこの発明の実施の
形態８による半導体製造装置を示す図であり、図１に示
したワイヤボンディング装置のヒートブロック６、リー
ド拘束治具７、およびリードフレームから成る構成を示
す側面部分断面図である。この実施の形態は、図１１に
示す実施の形態７の変形例であり、リード拘束治具７の
タイバー８と接触する部分に弾性体２１を設ける。これ
により、タイバー８、ヒートブロック６、およびリード
拘束治具７が確実に密着されるから、リード部３２の外
周方向への気密性が向上する。従って、インナーリード
２の酸化をより確実に防止することができる。弾性体２
１には、例えばポリイミド樹脂を用いるが、これ以外に
ダイパッド５およびヒートブロック６よりも弾性率が低
く、３００℃程度までの耐熱性を備えかつポリイミド樹
脂と同等またはそれ以上の熱伝導率を有する任意の材料
を用いることができる。

【００６７】上述したこの発明の実施の形態７および８
では、リード部ガス導入口１２をヒートブロック６を貫
通して設ける例について説明したが、これに限らず、例
えばリード部ガス導入口１２を、リード拘束治具７を貫
通して設けてもよいし、インナーリード２やダイパッド
５の近傍にノズルとして配設してもよい。

【００６８】

【発明の効果】以上のように、請求項１記載の発明によ
れば、表面に半導体チップが固着されたダイパッドとイ
ンナーリードを備えたリードフレームが載置されるとと
もに、載置されたリードフレームに熱エネルギーを与え
るヒートブロックの表面に酸化防止用ガスの流路を形成
するように構成したので、ワイヤボンディング時にリー
ドフレームのダイパッドおよびインナーリードの酸化を
防止する効果がある。従って、ワイヤボンディング工程
の後のモールド工程で樹脂封止された半導体装置は、リ
フロー工程や輸送工程で高温多湿の環境にさらされて
も、熱膨張差によって反りが生じたり、ダイパッドとモ
ールド樹脂との間に熱応力が発生したりしてもダイパッ
ドとモールド樹脂との間に隙間が発生することがないか
ら、製品不良が発生しない。従って、半導体装置の信頼
性を高めることができる効果がある。また、従来例のよ
うに大がかりなカバーなどを必要としないから、作業性
の良好な装置を安価に提供できる効果がある。

【００６９】請求項２記載の発明によれば、ガス流路形
成手段がヒートブロックを貫通して設けたガス導入口と
ガス吸引口とから成るように構成したので、ワイヤボン
ディング時に、より効果的にダイパッドおよびインナー
リードの酸化を防止する効果がある。

【００７０】請求項３記載の発明によれば、ガス導入口
とガス吸引口とを、ヒートブロックのダイパッドが載置
される表面に開口して設けるように構成したので、ダイ
パッドの下面および周辺部（ダイパッド部）内のガス圧
が大気より低くなるから、ダイパッドをヒートブロック
に密着させることができる。これにより、ダイパッド部
内の酸素濃度を極めて低く保つことができるから、ダイ
パッド下面の酸化をより効果的に防止する効果がある。

【００７１】請求項４記載の発明によれば、ヒートブロ
ックの表面に、ダイパッドと重なる部分が低くなるよう
に段差を設けるように構成したので、ダイパッドが大気
と接触する部分を小さくできるから、ダイパッドとヒー
トブロックとで囲まれる空間内の酸素濃度をより低くで
き、ダイパッド下面の酸化をより効果的に防止する効果
がある。

【００７２】請求項５記載の発明によれば、ダイパッド
が載置されるヒートブロックの上部に、底部にガス導入
口が設けられ、断面が凹状のガス導入部と、底部にガス
吸引口が設けられ、断面が凹状のガス排気部とを設ける
ように構成したので、ガス導入部内に導入した酸化防止
用ガスは、ガス排気部の底面に形成したガス吸引口から
排気される。これによりガス排気部内は負圧となり、ダ
イパッド下面にかかるガス圧が低くなるから、ダイパッ
ドをヒートブロックに密着固定できる効果がある。

【００７３】請求項６記載の発明によれば、ガス導入部
とガス排気部とを相互に分離する隔壁を設け、ガス導入
口からガス導入部へ酸化防止用ガスを導入し、このガス
をガス排気部の底部に設けられたガス吸引口から排気
し、ガス排気部のガス圧が大気圧より低くなるように構
成したので、ガス導入部から導入した酸化防止用ガス
は、ガス排気部の底面に形成したガス吸引口から排気さ
れる。これによりガス排気部内は負圧となり、ダイパッ
ド下面にかかるガス圧が低くなるから、ダイパッドをヒ
ートブロックに密着固定できる効果がある。

【００７４】さらに、ガス導入部とガス排気部とは隔壁
により分離されているから、ガス導入部からガス排気部
への酸化防止用ガスの流路の断面を限定できる。これに
よりガス圧が高くなってもガスの漏出を防止することが
できるから、酸化防止用ガスの浪費をなくすことができ
る効果がある。さらに、酸化防止用ガスの流量が小さく
なった際に生じるダイパッドの温度変動を小さくするこ
とができるから、ワイヤボンディングプロセスの安定性
が増す効果がある。さらに、平坦でないダイパッドに対
しても、ダイパッドの平坦部に対応する位置にガス排気
部を配置することにより、ダイパッドをヒートブロック
に確実に固定できる効果がある。

【００７５】請求項７記載の発明によれば、ヒートブロ
ックの周辺内側を一周する形状に形成され、底部にガス
導入口が設けられた断面が凹状のガス導入部と、このガ
ス導入部の内側に隔壁によって分離して形成され、底部
にガス吸引口が設けられた断面が凹状のガス排気部とを
備えるように構成したので、ガス排気部は大気と直接接
触することがなくなる。これによりダイパッド部ガス導
入口からガス導入部に導入された酸化防止用ガスは、ガ
ス排気部方向とダイパッド外側方向との二方向に分流
し、大気がダイパッド下面に侵入することがないから、
ダイパッド下面の酸化を効果的に防止する効果がある。

【００７６】また、ガス導入口をガス導入部の底部にほ
ぼ等間隔に配置すれば、ガス導入部に導入された酸化防
止用ガスをヒートブロックの周囲から大気中へ均一かつ
確実に流出させることが可能になる。これにより、ダイ
パッドを安定してヒートブロックに固着することができ
る効果がある。さらに、ガス導入部を、その外周とヒー
トブロックの外周との間の距離が、ダイパッドが接触す
るヒートブロック表面の領域の全周にわたってほぼ等し
くなるように形成することにより、酸化防止用ガスの流
れがヒートブロックの全面にわたって均一になるから、
ダイパッド下の酸素濃度が全面にわたって等しくなり、
ダイパッド下面の酸化をより効果的に防止する効果があ
る。

【００７７】請求項８記載の発明によれば、ガス導入部
とガス排気部とを相互に分離する隔壁を、その高さがダ
イパッドが接触する部分で最も高くなるように構成した
ので、ダイパッドがヒートブロックに良好に密着すると
ともに、ダイパッドの周辺部とヒートブロックとの間に
隙間ができるから、ガス導入口からガス導入部に導入さ
れた酸化防止用ガスは、その大半が大気中に流出する。
これにより、ダイパッド下面に大気が流入するのを防ぐ
ことができるから、ダイパッド下面の酸化を確実に防ぐ
効果がある。

【００７８】請求項９記載の発明によれば、ヒートブロ
ック表面のダイパッドと接触する部分に弾性体を取り付
けるように構成したので、ダイパッドのひずみや平坦度
のばらつきが吸収され、圧力差のあるガス導入部とガス
排気部との間を確実に気密に保つことができる。これに
より、ガス導入部からガス排気部へのガスの流入をなく
すことができるから、ガス導入部内のガス圧を高めるこ
とができる。このため、ガス導入部内への大気の流入を
防ぐことができるから、ダイパッド下面がさらされる雰
囲気中の酸素濃度が低くなり、ダイパッド下面の酸化を
確実に防ぐ効果がある。

【００７９】請求項１０記載の発明によれば、リードフ
レームを構成するインナーリードおよびタイバーをヒー
トブロックに加圧固定するリード拘束治具と、タイバー
と、ヒートブロックとで形成される空間に開口するガス
導入口を設け、インナーリード先端の下部にガス吸引口
を設けるように構成したので、前記空間内が酸化防止用
ガスで満たされ、酸素濃度が低くなるから、前記空間内
のインナーリードの酸化を防止する効果がある。

【００８０】請求項１１記載の発明によれば、リード拘
束治具の、タイバーと接触する部分に弾性体を取り付け
るように構成したので、タイバー、ヒートブロック、お
よびリード拘束治具が確実に密着されるから、インナー
リード、リード拘束治具、タイバー、およびヒートブロ
ックとで形成される空間の外周方向への気密性が向上す
る。従って、インナーリードの酸化をより確実に防止す
る効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施の形態１による半導体製造装
置を示す側面断面図である。

【図２】 この発明の実施の形態２による半導体製造装
置を示す部分平面図である。

【図３】 図２のＡ−Ａ断面図である。

【図４】 この発明の実施の形態３による半導体製造装
置を示す部分平面図である。

【図５】 図４のＡ−Ａ断面図である。

【図６】 この発明の実施の形態４による半導体製造装
置を示す部分平面図である。

【図７】 図６のＡ−Ａ断面図である。

【図８】 この発明の実施の形態５による半導体製造装
置を示す部分平面図である。

【図９】 図８のＡ−Ａ断面図である。

【図１０】 この発明の実施の形態６による半導体製造
装置を示す部分断面図である。

【図１１】 この発明の実施の形態７による半導体製造
装置を示す側面部分断面図である。

【図１２】 この発明の実施の形態８による半導体製造
装置を示す側面部分断面図である。

【図１３】 従来の半導体製造装置を示す側面断面図で
ある。

【図１４】 従来の半導体製造装置を示す側面断面図で
ある。

【図１５】 従来の半導体製造装置を示す側面断面図で
ある。

【図１６】 従来の半導体製造装置を示す側面断面図で
ある。

【符号の説明】

１ 半導体チップ、２ インナーリード、３ ボンディ
ングワイヤ、５ ダイパッド、６ ヒートブロック、７
リード拘束治具、８ タイバー、１０ ダイパッド部
ガス導入口（ガス導入口、ガス流路形成手段）、１１
ダイパッド部ガス吸引口（ガス吸引口、ガス流路形成手
段）、１２ リード部ガス導入口（ガス導入口、ガス流
路形成手段）、１３ リード部ガス吸引口（ガス吸引
口、ガス流路形成手段）、１４ 酸化防止用ガス、３１
ダイパッド部（ガスの流路）、３２ リード部（ガス
の流路）。

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ダイパッド上に固着された半導体チップ
   とインナーリードとをボンディングワイヤで接続するワ
   イヤボンディングを行う半導体製造装置であって、 表面に上記半導体チップが固着された上記ダイパッドと
   上記インナーリードとを備えたリードフレームが載置さ
   れるとともに、載置されたリードフレームに熱エネルギ
   ーを与えるヒートブロックと、 このヒートブロックの表面に、上記ダイパッドおよび上
   記インナーリードが酸化するのを防止するガスの流路を
   形成するガス流路形成手段とを備えた半導体製造装置。
2. 【請求項２】 ガス流路形成手段を、ヒートブロックを
   貫通して設けたガス導入口とガス吸引口とから構成した
   ことを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置。
3. 【請求項３】 ガス導入口とガス吸引口とを、ヒートブ
   ロックのダイパッドが載置される表面に開口するように
   設けたことを特徴とする請求項２記載の半導体製造装
   置。
4. 【請求項４】 ヒートブロックの表面に、ダイパッドと
   重なる部分が低くなるように段差を設けたことを特徴と
   する請求項３記載の半導体製造装置。
5. 【請求項５】 ダイパッドが載置されるヒートブロック
   の上部に、底部にガス導入口が設けられ、断面が凹状の
   ガス導入部と、底部にガス吸引口が設けられ、断面が凹
   状のガス排気部とを設けたことを特徴とする請求項２記
   載の半導体製造装置。
6. 【請求項６】 ガス導入部とガス排気部とを相互に分離
   する隔壁を設け、ガス導入口から上記ガス導入部へ酸化
   防止用ガスを導入し、このガスを上記ガス排気部の底部
   に設けられたガス吸引口から排気し、上記ガス排気部の
   ガス圧が大気圧より低くなるようにしたことを特徴とす
   る請求項５記載の半導体製造装置。
7. 【請求項７】 ヒートブロックの周辺内側を一周する形
   状に形成され、かつ底部にガス導入口が設けられ、断面
   が凹状のガス導入部と、このガス導入部の内側に隔壁に
   よって分離して形成され、底部にガス吸引口が設けられ
   た断面が凹状のガス排気部とを備えたことを特徴とする
   請求項５記載の半導体製造装置。
8. 【請求項８】 ガス導入部とガス排気部とを相互に分離
   する隔壁を、その高さがダイパッドが接触する部分で最
   も高くなるように形成したことを特徴とする請求項７記
   載の半導体製造装置。
9. 【請求項９】 ヒートブロック表面のダイパッドと接触
   する部分に弾性体を取り付けたことを特徴とする請求項
   ７または請求項８記載の半導体製造装置。
10. 【請求項１０】 リードフレームを構成するインナーリ
    ードおよびタイバーをヒートブロックに加圧固定するリ
    ード拘束治具と、上記タイバーと、上記ヒートブロック
    とで形成される空間に開口するガス導入口を設け、上記
    インナーリード先端の下部にガス吸引口を設けたことを
    特徴とする請求項２記載の半導体製造装置。
11. 【請求項１１】 リード拘束治具の、タイバーと接触す
    る部分に弾性体を取り付けたことを特徴とする請求項１
    ０記載の半導体製造装置。