JPH04142042A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JPH04142042A
JPH04142042A JP2264199A JP26419990A JPH04142042A JP H04142042 A JPH04142042 A JP H04142042A JP 2264199 A JP2264199 A JP 2264199A JP 26419990 A JP26419990 A JP 26419990A JP H04142042 A JPH04142042 A JP H04142042A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
alloy solder
semiconductor
bonding region
semiconductor chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2264199A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsutomu Takahashi
努 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Yamagata Ltd
Original Assignee
NEC Yamagata Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Yamagata Ltd filed Critical NEC Yamagata Ltd
Priority to JP2264199A priority Critical patent/JPH04142042A/ja
Publication of JPH04142042A publication Critical patent/JPH04142042A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30—Die-attach connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/013—Manufacture or treatment of die-attach connectors
    • H10W72/01308—Manufacture or treatment of die-attach connectors using permanent auxiliary members, e.g. using alignment marks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H10W72/07311—Treating the bonding area before connecting, e.g. by applying flux or cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30—Die-attach connectors
    • H10W72/381—Auxiliary members
    • H10W72/387—Flow barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/734—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造方法に関し、合金ソルダー
の流出防止の方法に関する。
〔従来の技術〕
特に 従来、この種の合金ツルターを用いてダイボンディング
を行う半導体装置において、連続する同一導体上にワイ
ヤーボンディングの接合領域と合金ソルダーを用いた他
の接合領域が近接して存在する場合には、第３図に示す
ように両接合領域間の半導体用回路基材１に凹部を設け
、この凹部に合金ソルダー２で半導体チップ３をボンデ
ィングしたり、第４図に示すように両接合領域間の半導
体用回路基材１上にガラス７をコーティングする等の方
法により合金ツルグーのワイヤーボンディング接合領域
への流れ広がりを留め、ワイヤーボンディング領域の確
保あるいはボンディング済ワイヤーの合金ツルターから
の侵食を防止していた。
〔発明が解決しようとする課題〕
前述した従来の方法のうち、回路基材に凹凸を設ける方
法は、加工による歪が素材に残留し接合する半導体チッ
プやボンディングワイヤーに対し不正応力を発したり、
回路器材の凹凸に対する半導体製造設備側の調整が難し
いといった問題点を有していた。又、近年の半導体装置
の薄手化の傾向を考慮しても不利な面があった。
一方、回路基材にガラスをコーティングする方法も、加
工に高い熱処理を要するなめ、熱歪の残留が懸念される
とともに加工費用も高くなるといった問題点があった。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体装置の製造方法は、連続する同−導体上
に近接するワイヤーボンディングの接合領域と合金ソル
ダーを用いた他の接合領域との間に予めポリイミド系の
樹脂シートを耐熱性の接着剤を用いて貼付し、連続する
同一導体を表面上分離した形にするものである。
ポリイミド系の樹脂シートは、比較的低い温度で素材で
ある導体部への貼付が可能であり、その加工も容易であ
る。貼付されたポリイミド系の樹脂シートは、耐熱性に
富むため合金ソルダーによるダイボンディングや封止の
熱に耐えることが可能であり、また合金ソルダーと接着
しにくい性質を有するため合金ソルダーのワイヤーボン
ディング領域への流出を留める作用を発揮する。
〔実施例〕 次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を示す断面図である。半
導体用回路基材１上の中央部に合金ソルダー２を介して
半導体チップ３がダイボンディングされている。半導体
チップ３のダイボンディング領域の両側には、予めポリ
イミド系樹脂シート４が耐熱性接着剤５により貼付され
ている。このためダイボンディング用の合金ソルダー２
は、その広がりをポリイミド系樹脂シート４により留め
られており同−基材上のワイヤーボンディング領域への
流れ込みがなく、ボンディングワイヤー６は半導体チッ
プ３上から半導体用回路基材１上のワイヤーボンディン
グ領域へ確実に接合される。
第２図は、本発明の第２の実施例の断面図である。半導
体チップ１１はセラミック基板１２上の導体部（Ａ＞１
３に導電性接着剤１４により接合され、かつ封止部と連
続している導体部（Ｂ）１５との間にボンディングワイ
ヤー１６により接合されている。封止部と連続している
導体部＜Ｂ）１らのワイヤーホンディング接合領域の外
側には、ポリイミド系樹脂シー）１７が耐熱性接着剤１
８により貼付されており、封止用キャップ１９と導体部
（Ｂ）１５を接合している合金ソルダー２０は、ポリイ
ミド系樹脂シート１７により内部への流れ込みが抑えら
れ、ボンディングワイヤー６の接合領域は合金ソルダー
１ｏによる侵食から保護されている。
（発明の効果〕 以上説明したように本発明は、半導体用回路基材の合金
ソルダー接合領域と連続する同−導体上にあるワイヤー
ボンディングの接合領域を、ポリイミド系樹脂シートの
貼付により容易にしがも素子部への歪や応力といった悪
影響を与えることなく合金ソルダーの侵食から保護する
ことが可能となり、工程中の歩留２品質が向上する。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の第１の実施例の断面図、第２図は本発
明の第２の実施例の断面図、第３図は従来の凹凸を用い
た製造方法の断面図、第４図は従来のガラスによるコー
ティングを用いた製造方法の断面図である。 １・・・半導体用回路基材、２，２０・・・合金ソルダ
３．１１・・・半導体チップ、４，１７・・・ポリイミ
ド系樹脂シート、５．１８・・・耐熱性接着剤、６．１
６・・・ボンディングワイヤー、１２・・・セラミック
基板、１３・・・導体部（Ａ＞、１４・・・導電性接着
剤、１５・・・導体部（Ｂ）、１９・・・封止用キャッ
プ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　半導体用回路基材の導体上のワイヤーボンディング接
    合領域と、この接合領域と連続する導体上で、かつ前記
    接合領域と近接する合金ソルダーを用いた半導体チップ
    の接合領域との間にポリイミド系の樹脂シートを前記合
    金ソルダーによる接合工程以前に、前記両接合領域が表
    面上不連続となるように耐熱性の接着剤を用いて貼付す
    ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP2264199A 1990-10-02 1990-10-02 半導体装置の製造方法 Pending JPH04142042A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2264199A JPH04142042A (ja) 1990-10-02 1990-10-02 半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2264199A JPH04142042A (ja) 1990-10-02 1990-10-02 半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04142042A true JPH04142042A (ja) 1992-05-15

Family

ID=17399863

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2264199A Pending JPH04142042A (ja) 1990-10-02 1990-10-02 半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04142042A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014186244A (ja) * 2013-03-25 2014-10-02 Stanley Electric Co Ltd Ｍｅｍｓデバイス
CN105990300A (zh) * 2015-03-16 2016-10-05 株式会社东芝 半导体装置
NL2020928A (en) * 2017-05-19 2018-11-23 Shindengen Electric Mfg Electronic module, method of manufacturing connector, and method of manufacturing electronic module

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014186244A (ja) * 2013-03-25 2014-10-02 Stanley Electric Co Ltd Ｍｅｍｓデバイス
CN105990300A (zh) * 2015-03-16 2016-10-05 株式会社东芝 半导体装置
NL2020928A (en) * 2017-05-19 2018-11-23 Shindengen Electric Mfg Electronic module, method of manufacturing connector, and method of manufacturing electronic module
US11437340B2 (en) 2017-05-19 2022-09-06 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. Electronic module, method of manufacturing connector, and method of manufacturing electronic module

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3376203B2 (ja) 半導体装置とその製造方法及びこの半導体装置を用いた実装構造体とその製造方法
KR100552353B1 (ko) 리이드프레임및그것을사용한반도체집적회로장치와그제조방법
US5888847A (en) Technique for mounting a semiconductor die
US5118370A (en) LSI chip and method of producing same
US20060273433A1 (en) Semiconductor device
JPH0394459A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH10270626A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH0745641A (ja) 半導体装置の実装方法
US9653424B2 (en) Semiconductor package with adhesive material pre-printed on the lead frame and chip, and its manufacturing method
US8455303B2 (en) Semiconductor package with adhesive material pre-printed on the lead frame and chip, and its manufacturing method
JPH0244751A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH03278451A (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JPH04273464A (ja) 半導体チップのマウント方法
JP3191684B2 (ja) 電気めっきリードを有する半導体素子の製造方法
JPH0236556A (ja) ピングリッドアレイおよび半導体素子塔載方法
JP3548671B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP3060100U (ja) 懸吊式チップパッケージ
JP2002164497A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH02277251A (ja) ワイヤボンディング方法および装置
JPH0342681Y2 (ja)
JPH06338543A (ja) ボンディング装置
JPS60178636A (ja) 半導体装置
JPS6018938A (ja) 半導体装置用ケ−ス
JPS63318744A (ja) 半導体装置
JPH07263487A (ja) 半導体装置の製造方法