JPH09246601A - Ｌｅｄアレイチップ - Google Patents
ＬｅｄアレイチップInfo
- Publication number
- JPH09246601A JPH09246601A JP4724396A JP4724396A JPH09246601A JP H09246601 A JPH09246601 A JP H09246601A JP 4724396 A JP4724396 A JP 4724396A JP 4724396 A JP4724396 A JP 4724396A JP H09246601 A JPH09246601 A JP H09246601A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- array chip
- led array
- light
- dots
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Led Devices (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 隣接発光部間の距離を確保しながら、発光部
自体の大きさを大きくすることができ、適正な発光（印
字）を行わせることができるＬＥＤアレイチップを提供
する。 【解決手段】 半導体基板１０にＮ層１１が形成され、
Ｎ層１１にＰ層１２が形成され、Ｎ層１１とＰ層１２間
のＰ−Ｎ接合を発光領域としている。また、Ｖ形状の溝
１３が形成され、長手方向に入ったＶ字状の溝１３の上
側に奇数の発光ドット１４ＡになるためのＰ層１２、ま
た、下側に偶数の発光ドット１４ＢになるためのＰ層１
２が形成されている。
自体の大きさを大きくすることができ、適正な発光（印
字）を行わせることができるＬＥＤアレイチップを提供
する。 【解決手段】 半導体基板１０にＮ層１１が形成され、
Ｎ層１１にＰ層１２が形成され、Ｎ層１１とＰ層１２間
のＰ−Ｎ接合を発光領域としている。また、Ｖ形状の溝
１３が形成され、長手方向に入ったＶ字状の溝１３の上
側に奇数の発光ドット１４ＡになるためのＰ層１２、ま
た、下側に偶数の発光ドット１４ＢになるためのＰ層１
２が形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＥＤプリントヘ
ッドに用いられるＬＥＤアレイチップの構造に関するも
のである。
ッドに用いられるＬＥＤアレイチップの構造に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、以下に示すようなものがあった。図４はかかる
従来のＬＥＤアレイチップの平面図、図５は図４のＡ−
Ｂ線断面図である。
例えば、以下に示すようなものがあった。図４はかかる
従来のＬＥＤアレイチップの平面図、図５は図４のＡ−
Ｂ線断面図である。
【０００３】これらの図において、ウエハのＮ層１にＰ
層２を形成し、このＮ層１とＰ層２間のＰ−Ｎ接合を発
光領域とし、発光した光を発光部６から取り出す構造を
とっていた。また、発光部６はチップの長手方向に向か
って一列に並んだ構造をとっていた。なお、３はコンタ
クト部、４は保護膜、５は電極配線である。
層２を形成し、このＮ層１とＰ層２間のＰ−Ｎ接合を発
光領域とし、発光した光を発光部６から取り出す構造を
とっていた。また、発光部６はチップの長手方向に向か
って一列に並んだ構造をとっていた。なお、３はコンタ
クト部、４は保護膜、５は電極配線である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来のＬＥＤアレイチップの構造においては、ＬＥＤ
アレイチップ内の発光部６の集積密度が高い、例えば１
２００ＤＰＩ以上の場合、隣接する発光部６間の間隔Ｄ
が狭くなるため、隣接する発光部６間の絶縁が十分に保
てないという問題が発生する。
た従来のＬＥＤアレイチップの構造においては、ＬＥＤ
アレイチップ内の発光部６の集積密度が高い、例えば１
２００ＤＰＩ以上の場合、隣接する発光部６間の間隔Ｄ
が狭くなるため、隣接する発光部６間の絶縁が十分に保
てないという問題が発生する。
【０００５】また、この問題を解決するために、隣接発
光部６間の間隔Ｄを十分に広くしようとすると、発光部
自体の大きさを小さくする必要があり、この場合は、発
光部６間の隙間が大きいため、適正な印字ができないと
いう問題が発生する。本発明は、上記問題点を除去し、
隣接発光部間の距離を確保しながら、発光部自体の大き
さを大きくすることができ、適正な発光（印字）を行わ
せることができるＬＥＤアレイチップを提供することを
目的とする。
光部６間の間隔Ｄを十分に広くしようとすると、発光部
自体の大きさを小さくする必要があり、この場合は、発
光部６間の隙間が大きいため、適正な印字ができないと
いう問題が発生する。本発明は、上記問題点を除去し、
隣接発光部間の距離を確保しながら、発光部自体の大き
さを大きくすることができ、適正な発光（印字）を行わ
せることができるＬＥＤアレイチップを提供することを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 （１）ＬＥＤアレイチップにおいて、チップ長手方向に
形成されるＶ字状の溝と、このＶ字状の溝の両側に振り
分けて奇数発光ドットと偶数発光ドットとなる発光部を
備え、前記発光部より直接取り出された光と、前記Ｖ字
状の溝部により反射して取り出された光とを発光ドット
として構成するようにしたものである。
成するために、 （１）ＬＥＤアレイチップにおいて、チップ長手方向に
形成されるＶ字状の溝と、このＶ字状の溝の両側に振り
分けて奇数発光ドットと偶数発光ドットとなる発光部を
備え、前記発光部より直接取り出された光と、前記Ｖ字
状の溝部により反射して取り出された光とを発光ドット
として構成するようにしたものである。
【０００７】したがって、Ｖ字状の溝から取り出される
直接光と反射光により、発光ドットが形成され、その発
光ドットはＶ字状の溝に一列に形成することができる。
また、隣接発光部間の距離を確保しながら、発光部自体
の大きさを大きくすることができ、適正な発光（印字）
を行わせることができる。 （２）ＬＥＤアレイチップにおいて、前記奇数発光ドッ
トと偶数発光ドットは前記Ｖ字状の溝を挟んでジグザグ
に配置するようにしたものである。
直接光と反射光により、発光ドットが形成され、その発
光ドットはＶ字状の溝に一列に形成することができる。
また、隣接発光部間の距離を確保しながら、発光部自体
の大きさを大きくすることができ、適正な発光（印字）
を行わせることができる。 （２）ＬＥＤアレイチップにおいて、前記奇数発光ドッ
トと偶数発光ドットは前記Ｖ字状の溝を挟んでジグザグ
に配置するようにしたものである。
【０００８】このように、隣接する発光ドットにおいて
は、Ｐ層がＶ字状の溝を挟んで両側にジグザグに形成さ
れているため、十分に絶縁を確保することができる。ま
た、偶数−偶数ドット間及び奇数−奇数ドット間の距離
は、従来のＬＥＤアレイチップに比べて１発光部分の幅
以上に大きく取れるため、十分に絶縁されており、その
ため、発光部の幅も十分大きくすることができる。
は、Ｐ層がＶ字状の溝を挟んで両側にジグザグに形成さ
れているため、十分に絶縁を確保することができる。ま
た、偶数−偶数ドット間及び奇数−奇数ドット間の距離
は、従来のＬＥＤアレイチップに比べて１発光部分の幅
以上に大きく取れるため、十分に絶縁されており、その
ため、発光部の幅も十分大きくすることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。図１は本発明のＬＥＤ
アレイチップの斜視図、図２は本発明のＬＥＤアレイチ
ップの上面図、図３は図２のＡ−Ｂ線断面図である。こ
れらの図において、１０は半導体基板であり、その半導
体基板１０にＮ層１１が形成され、そのＮ層１１にＰ層
１２が形成され、このＮ層１１とＰ層１２間のＰ−Ｎ接
合を発光領域としている。また、１３はＶ形状の溝、１
４は発光部、１５は反射面、１６は保護膜、１７はコン
タクト部、１８は電極配線である。
て図面を参照しながら説明する。図１は本発明のＬＥＤ
アレイチップの斜視図、図２は本発明のＬＥＤアレイチ
ップの上面図、図３は図２のＡ−Ｂ線断面図である。こ
れらの図において、１０は半導体基板であり、その半導
体基板１０にＮ層１１が形成され、そのＮ層１１にＰ層
１２が形成され、このＮ層１１とＰ層１２間のＰ−Ｎ接
合を発光領域としている。また、１３はＶ形状の溝、１
４は発光部、１５は反射面、１６は保護膜、１７はコン
タクト部、１８は電極配線である。
【００１０】そこで、長手方向に入ったＶ字状の溝１３
の上側（図２におけるＡ側）に奇数の発光ドット１４Ａ
になるためのＰ層１２、また、下側（図２におけるＢ
側）に偶数の発光ドット１４ＢになるためのＰ層１２が
形成されている。ここで、Ｖ字状の溝１３の上下と発光
ドットの偶数、奇数の関係は、逆であっても良い。以
下、本発明のＬＥＤアレイチップの動作を図３を用いて
説明する。
の上側（図２におけるＡ側）に奇数の発光ドット１４Ａ
になるためのＰ層１２、また、下側（図２におけるＢ
側）に偶数の発光ドット１４ＢになるためのＰ層１２が
形成されている。ここで、Ｖ字状の溝１３の上下と発光
ドットの偶数、奇数の関係は、逆であっても良い。以
下、本発明のＬＥＤアレイチップの動作を図３を用いて
説明する。
【００１１】図３に示すように、電極側より、電圧を印
加すると、電流は電極配線１８→コンタクト部１７→Ｐ
層１２→Ｎ層１１の順で流れる。この時、Ｐ層１２とＮ
層１１の間のＰ−Ｎ接合において、発光が行われる。発
光した光は、発光部１４（１４Ａ，１４Ｂ）の面よりＬ
ＥＤアレイチップの外側へ取り出される。また、発光部
１４より反射面１５方向へ出た光は、反射面１５により
反射され、ＬＥＤアレイチップ上面の方向へ取り出され
る。このため、ＬＥＤアレイチップ上面方向へ取り出さ
れる光は、発光部１４より直接取り出された直接光Ｌ1
と、反射面１５により反射されて取り出された反射光Ｌ
2 の２つがある。
加すると、電流は電極配線１８→コンタクト部１７→Ｐ
層１２→Ｎ層１１の順で流れる。この時、Ｐ層１２とＮ
層１１の間のＰ−Ｎ接合において、発光が行われる。発
光した光は、発光部１４（１４Ａ，１４Ｂ）の面よりＬ
ＥＤアレイチップの外側へ取り出される。また、発光部
１４より反射面１５方向へ出た光は、反射面１５により
反射され、ＬＥＤアレイチップ上面の方向へ取り出され
る。このため、ＬＥＤアレイチップ上面方向へ取り出さ
れる光は、発光部１４より直接取り出された直接光Ｌ1
と、反射面１５により反射されて取り出された反射光Ｌ
2 の２つがある。
【００１２】上記したように、ＬＥＤアレイチップで
は、Ｖ字状の溝１３から取り出される直接光と反射光に
より、発光ドットが形成され、その発光ドットはＶ字状
の溝１３に一列に形成することができる。また、隣接す
る発光ドットにおいては、Ｐ層１２がＶ字状の溝１３を
挟んで上下に形成されているため、十分に絶縁されてい
る。また、偶数−偶数ドット間及び奇数−奇数ドット間
の距離Ｄは、従来のＬＥＤアレイチップに比べて１発光
部分の幅以上大きく取れるため、十分に絶縁されてお
り、そのため、発光部１４の幅も十分広くすることが可
能である。
は、Ｖ字状の溝１３から取り出される直接光と反射光に
より、発光ドットが形成され、その発光ドットはＶ字状
の溝１３に一列に形成することができる。また、隣接す
る発光ドットにおいては、Ｐ層１２がＶ字状の溝１３を
挟んで上下に形成されているため、十分に絶縁されてい
る。また、偶数−偶数ドット間及び奇数−奇数ドット間
の距離Ｄは、従来のＬＥＤアレイチップに比べて１発光
部分の幅以上大きく取れるため、十分に絶縁されてお
り、そのため、発光部１４の幅も十分広くすることが可
能である。
【００１３】また、本発明は、ＬＥＤプリントヘッドの
書き込み用光源として用いられるＬＥＤアレイチップの
ような、発光部を高密度に集積する半導体装置に利用す
ることができる。なお、本発明は上記実施例に限定され
るものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が
可能であり、これらを本発明の範囲から排除するもので
はない。
書き込み用光源として用いられるＬＥＤアレイチップの
ような、発光部を高密度に集積する半導体装置に利用す
ることができる。なお、本発明は上記実施例に限定され
るものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が
可能であり、これらを本発明の範囲から排除するもので
はない。
【００１４】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、次のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、Ｖ字状の溝から取
り出される直接光と反射光により、発光ドットが形成さ
れ、その発光ドットはＶ字状の溝に一列に形成すること
ができる。
よれば、次のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、Ｖ字状の溝から取
り出される直接光と反射光により、発光ドットが形成さ
れ、その発光ドットはＶ字状の溝に一列に形成すること
ができる。
【００１５】したがって、隣接発光部間の距離を確保し
ながら、発光部自体の大きさを大きくすることができ、
適正な発光（印字）を行わせることができる。 （２）請求項２記載の発明によれば、隣接する発光ドッ
トにおいては、Ｐ層がＶ字状の溝を挟んで両側にジグザ
グに形成するようにしたので、十分に絶縁を確保するこ
とができる。
ながら、発光部自体の大きさを大きくすることができ、
適正な発光（印字）を行わせることができる。 （２）請求項２記載の発明によれば、隣接する発光ドッ
トにおいては、Ｐ層がＶ字状の溝を挟んで両側にジグザ
グに形成するようにしたので、十分に絶縁を確保するこ
とができる。
【００１６】また、偶数−偶数ドット間及び奇数−奇数
ドット間の距離は、従来のＬＥＤアレイチップに比べて
１発光部分の幅以上に大きく取れるため、十分に絶縁さ
れており、そのため、発光部の幅も十分大きくすること
ができる。
ドット間の距離は、従来のＬＥＤアレイチップに比べて
１発光部分の幅以上に大きく取れるため、十分に絶縁さ
れており、そのため、発光部の幅も十分大きくすること
ができる。
【図１】本発明のＬＥＤアレイチップの斜視図である。
【図２】本発明のＬＥＤアレイチップの上面図である。
【図３】図２のＡ−Ｂ線断面図である。
【図４】従来のＬＥＤアレイチップの平面図である。
【図５】図４のＡ−Ｂ線断面図である。
１０ 半導体基板 １１ Ｎ層 １２ Ｐ層 １３ Ｖ形状の溝 １４ 発光部 １４Ａ 奇数の発光ドット １４Ｂ 偶数の発光ドット １５ 反射面 １６ 保護膜 １７ コンタクト部 １８ 電極配線
Claims (2)
- 【請求項１】 ＬＥＤアレイチップにおいて、（ａ）チ
ップ長手方向に形成されるＶ字状の溝と、（ｂ）該Ｖ字
状の溝の両側に振り分けて奇数発光ドットと偶数発光ド
ットとなる発光部を備え、（ｃ）前記発光部より直接取
り出された光と、前記Ｖ字状の溝部により反射して取り
出された光とを発光ドットとして構成することを特徴と
したＬＥＤアレイチップ。 - 【請求項２】 請求項１記載のＬＥＤアレイチップにお
いて、前記奇数発光ドットと偶数発光ドットは前記Ｖ字
状の溝を挟んでジグザグに配置することを特徴とするＬ
ＥＤアレイチップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4724396A JPH09246601A (ja) | 1996-03-05 | 1996-03-05 | Ｌｅｄアレイチップ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4724396A JPH09246601A (ja) | 1996-03-05 | 1996-03-05 | Ｌｅｄアレイチップ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09246601A true JPH09246601A (ja) | 1997-09-19 |
Family
ID=12769799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4724396A Withdrawn JPH09246601A (ja) | 1996-03-05 | 1996-03-05 | Ｌｅｄアレイチップ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09246601A (ja) |
-
1996
- 1996-03-05 JP JP4724396A patent/JPH09246601A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030506 |