JPH09248682A - レーザ装置 - Google Patents
レーザ装置Info
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- JPH09248682A JPH09248682A JP8057783A JP5778396A JPH09248682A JP H09248682 A JPH09248682 A JP H09248682A JP 8057783 A JP8057783 A JP 8057783A JP 5778396 A JP5778396 A JP 5778396A JP H09248682 A JPH09248682 A JP H09248682A
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Abstract
ネルギーを常に均一にして、光加工の精度をよりいっそ
う向上させる。 【解決手段】最初の所定個数の各パルスに関しては、過
去のパルス発振のデータのうち、発振停止時間、および
1バーストサイクル内でのパルスの順番が同じで、かつ
今回のパルス発振の目標パルスエネルギーに近い出力パ
ルスエネルギーのモニタ値とそのときのパルスの励起強
度を少なくとも1組読み出し、この読み出した値に基づ
いて今回のパルス発振の際の励起強度を演算し、該演算
した励起強度値に基づいてパルス発振を行うとともに、
前記最初の所定個数のパルス以降に発生される各パルス
に関しては、今回のバースト周期内で既に出力されたパ
ルスのパルスエネルギーモニタ値およびそのときの励起
強度値を読み出し、これらの値に基づいて今回のパルス
発振の際の励起強度値を演算し、この励起強度に基づい
てパルス発振を行う。
Description
て半導体、高分子材料、または無機材料などに対し所定
の加工を加える加工装置に対してレーザ光を出力するレ
ーザ装置に関し、特にレーザ光を所定回数連続してパル
ス発振させる連続発振動作と、このパルス発振を所定時
間休止する停止動作を交互に繰り返すバーストモード運
転を実行する際に常に均一なパルスエネルギー値を得る
ための改良およびステップ&スキャン方式による加工を
行う際の移動積算露光量を均一にする為の改良に関す
る。
露光装置などの紫外線光を用いた微細加工の分野におい
ては、回路パターンの解像度を一定レベル以上に維持す
るために厳密な露光量制御が必要とされる。ところが、
半導体露光装置の光源として使用されるエキシマレーザ
は、いわゆるパルス放電励起ガスレーザのために1パル
ス毎のパルスエネルギーにバラツキがあり、露光量制御
の精度向上のためにはこのバラツキを小さくする必要が
ある。
エネルギー量を低くし、複数の連続するパルスを同一の
被加工場所に照射することによって、被照射エネルギー
積算値のバラツキを小さくするようにした方法が考えら
れている。
いことは好ましくない。また、半導体露光の分野では、
近年、ウエハに塗布する感光剤の感度が向上しており、
少ない光パルス数での露光が可能となってきている。こ
のため、パルス数を多くして照射光の総エネルギー量の
バラツキを減らす方法は避ければならない状況になって
いる。
ージ移動とを交互に繰り返す。このため、光源となるエ
キシマレーザの運転状態は、図16に示すように、必然
的に、レーザ光を所定回数連続してパルス発振させる連
続パルス発振運転と、所定時間パルス発振を休止させる
運転を繰り返すバーストモードとなる。つまり、バース
トモードとは、連続パルス発振期間と発振休止期間とを
交互に繰り返すものである。すなわち、半導体ウェハ上
に形成された一つのICチップは、図16において、1
つの連続パルス発振期間を構成するひとかたまりのパル
ス群により加工される。なお、図16においては、励起
強度(充電電圧)を一定値に固定した場合の各パルスの
エネルギー強度を示している。
パルス放電励起ガスレーザであるため、常に一定の大き
さのパルスエネルギーで発振を続けることが困難であ
る。この原因としては、放電されることによって放電空
間内にレーザガスの密度擾乱が発生し、次回の放電を不
均一、不安定にする、この不均一放電等のため放電電極
の表面において局所的な温度上昇が発生し、次回の放電
を劣化させ放電を不均一で不安定なものにすることなど
がある。
いてその傾向が顕著であり、図16および図17に示す
ように、発振休止期間経過後の最初の数パルスが含まれ
るスパイク領域では、最初比較的高いパルスエネルギー
が得られ、その後は徐々にパルスエネルギーが低下する
という、謂ゆるスパイキング現象が現れる。このスパイ
ク領域が終了すると、パルスエネルギーは比較的高レベ
ルの安定な値が続くプラトー領域を経た後、安定領域に
入る。
レーザ装置では、前述した1パルス毎のエネルギーのバ
ラツキが露光量制御の精度を低下させるとともに、スパ
イキング現象がさらにバラツキを著しく大きくし、露光
量制御の精度を大きく低下させるという問題がある。
塗布する感光剤の感度が向上しており、少ない連続パル
ス数での露光が可能となっており、パルス数減少の傾向
にある。
応じてパルスエネルギーのバラツキが大きくなってしま
い、前述した複数パルス露光制御のみによっては露光量
制御の精度の維持が困難になる。
圧)が大きなるにつれて発振されるパルスのエネルギー
が大きくなるという性質を利用して、バーストモードに
おける連続パルス発振の最初のパルスの放電電圧(充電
電圧)を小さくし、以後パルスの放電電圧(充電電圧)
を徐々に大きくしていくという具合に、放電電圧(充電
電圧)を各パルスごとに変化させてスパイキング現象に
よる初期のエネルギー上昇を防止する、謂ゆるスパイキ
ング発生防止制御に関する発明を種々特許出願している
(特願平4−191056号、特開平7−106678
号公報(特願平5−249483号)など)。
休止時間t(図16参照)、パワーロック電圧(レーザ
ガスの劣化に応じて決定される電源電圧)などの各種パ
ラメータを考慮して連続パルス発振の各パルスのエネル
ギーを所望の目標値にする電源電圧データを、連続パル
ス発振の各パルス毎に予め記憶するとともに、前回まで
に既に行われた連続パルス発振時のパルスエネルギーを
検出し、この検出値とパルスエネルギー目標値とを比較
し、この比較結果に基づいて前記予記憶された各パルス
に対応する電源電圧データを補正するようにしている。
この補正をスパイクキラー制御という。
図17に示すスパイク領域に加えてプラトー領域及び安
定領域においてもスパイクキラー制御を行っているの
で、スパイク領域以外の領域でパルスエネルギーのばら
つきの抑制効果が十分ではない。また、他に、スパイク
領域とプラトー領域でのみスパイクキラー制御を行った
場合でも、パルスエネルギーの抑制効果は十分ではな
い。
レーザ発振休止の影響(レーザが安定化する)が強く残
って、同じ電源電圧を印加してもその出力パワーは他の
領域に比べ大きくなるが、これ以降のプラトー領域や安
定領域ではレーザ発振休止の影響が少なくなり、その反
面直前までのパルス発振の影響(電極温度の上昇、レー
ザガスの乱れなど)をより強く受けることによると考え
られる。
の全てのパルスに関して、スパイクキラー制御を実行す
るために、そのための記憶データ量が多くなり、多大な
メモリ容量を必要とするとともに、メモリからのデータ
読み出しに時間がかかる等の問題もある。
と、半導体の露光装置の露光方式は、ステージを停止さ
せて露光を行うステッパ方式からステージを移動させな
がら露光を行うステップ&スキャン方式に移行する。こ
のステップ&スキャン方式の利点は、大面積を露光でき
る点にある。例えば、フィールドサイズ36mmφのレ
ンズを使用した場合、ステッパ方式では、その露光面積
は25mm角になるのに対し、ステップ&スキャン方式
では、30×40mmといった大面積の露光が可能にな
る。今後、集積度が増すに従ってチップサイズは大きく
なる傾向にあり、ステップ&スキャン方式での高精度の
露光が望まれている。
は、加工物上の全ての点にそれぞれ予め設定された所定
個数N0のパルスレーザが入射されるよう1個のパルス
レーザが入射される度に加工物上でのパルスレーザ光の
照射領域を所定のピッチずつずらせながら加工を行うの
であるが、このステップ&スキャン方式ではパルスレー
ザ光は常にスキャンされるので、加工物上の各点におけ
る露光量を全て同じにするための制御が困難であり、そ
のための有効な制御方法が望まれていた。
たもので、連続パルス発振の全パルスにおいてパルスエ
ネルギーを常に均一にして、光加工の精度をよりいっそ
う向上させるようにしたレーザ装置を提供することを目
的とする。
式による加工を行う場合、加工物各点の露光量を均一に
できるレーザ装置を提供することを目的とする。
ーザ光を所定回数連続してパルス発振させる連続発振動
作と、このパルス発振を所定時間休止する停止動作を交
互に実行する運転を1バーストサイクルとするバースト
モード運転を繰り返し行ない、前記パルス発振の各出力
エネルギーが所定の大きさとなるようにレーザの励起強
度を制御するレーザ装置において、前記連続発振動作を
行ったときの最初の所定個数の各パルスに関して、各パ
ルス発振の際の電源電圧を、発振停止時間、1バースト
サイクル内でのパルスの順番、出力されたパルスエネル
ギーのモニタ値に対応づけて記憶するとともに、前記最
初の所定個数のパルス以降に発生される各パルスに関し
ては、各パルス発振の際の励起強度を出力されたパルス
エネルギーのモニタ値に対応づけて記憶する記憶手段
と、前記連続パルス発振を行う際、前記最初の所定個数
の各パルスに関しては、前記記憶手段に記憶した過去の
パルス発振のデータのうち、発振停止時間、および1バ
ーストサイクル内でのパルスの順番が同じで、かつ今回
のパルス発振の目標パルスエネルギーに近い出力パルス
エネルギーのモニタ値とそのときのパルスの励起強度を
少なくとも1組読み出し、この読み出した値に基づいて
今回のパルス発振の際の励起強度を演算し、該演算した
励起強度値に基づいてパルス発振を行う第1の電源電圧
制御手段と、前記連続パルス発振を行う際、前記最初の
所定個数のパルス以降に発生される各パルスに関して
は、前記記憶手段から今回のバースト周期内で既に出力
されたパルスのパルスエネルギーモニタ値およびそのと
きの励起強度値を読み出し、これらの値に基づいて今回
のパルス発振の際の励起強度値を演算し、この励起強度
に基づいてパルス発振を行う第2の電源電圧制御手段と
を備えたことを特徴とする。
ルスが含まれるスパイク領域では、記憶した過去のパル
ス発振のデータのうち、発振停止時間、および1バース
トサイクル内でのパルスの順番が同じで、かつ今回のパ
ルス発振の目標パルスエネルギーに近い出力パルスエネ
ルギーのモニタ値とそのときのパルスの励起強度を少な
くとも1組読み出し、この読み出した値に基づいて今回
のパルス発振の際の励起強度を演算し、該演算した励起
強度値に基づいてパルス発振を行う、一種のスパイクキ
ラー制御を実行し、前記スパイク領域以降の領域では、
今回のバースト周期内で既に出力されたパルスのパルス
エネルギーモニタ値およびそのときの励起強度値を読み
出し、これらの値に基づいて今回のパルス発振の際の励
起強度値を演算し、この励起強度に基づいてパルス発振
を行うという電源電圧制御を行うようにしている。
休止の影響が強く残っているので、スパイクキラー制御
を実行し、それ以降の領域では直前までのパルスの影響
を強く受けるので、直前のパルス発振状況(印加電源電
圧に対応する出力パワー)に応じた電源電圧制御(バー
スト内パルスエネルギー制御)を実行する。
それぞれ予め設定された所定個数N0のパルスレーザが
入射されるよう1個のパルスレーザが入射される度に加
工物上でのパルスレーザ光の照射領域を所定のピッチず
つずらせながら加工を行う加工装置に対しパルスレーザ
光を前記加工物の加工に要する所定個数Nt(N0<N
t)だけ連続的に出力するレーザ装置において、前記各
パルスレーザ光の発振の度に、出力されたパルスレーザ
光のエネルギーPk(k=1,2,…,Nt)を検出するパルス
エネルギー検出手段と、設定された各パルスレーザの目
標値をPdとし、前記連続的に出力されるパルスレーザ
光の順番をiとした場合、前記各パルスレーザ光の発振
の度に、下式i=1の場合 Pt=Pd i≦N0の場合、 i>N0の場合、 に従って前記各パルスレーザ光を発振する際の目標エネ
ルギーPtを演算し、該演算した目標エネルギーPtを前
記設定された目標値Pdに変えて出力する目標パルスエ
ネルギー補正手段とを備えるようにしている。
式において、加工物各点における、各時点における露光
量の理想値から、直前までのパルスレーザ光による実際
の露光量を減算し、この減算結果を今回レーザパルス発
振の際のパルスエネルギーの目標値とするようにしてい
る。
領域を固定した状態で加工物上に予め設定した所定個数
N0のパルスレーザを照射することによって所要の加工
を行う加工装置に対しパルスレーザ光を連続的に出力す
るレーザ装置において、前記各パルスレーザ光の発振の
度に、出力されたパルスレーザ光のエネルギーPk(k=
1,2,…,No)を検出するパルスエネルギー検出手段と、
設定された各パルスレーザの目標値をPdとし、前記連
続的に出力されるパルスレーザ光の順番をiとした場
合、前記各パルスレーザ光の発振の度に、下式に従って
前記各パルスレーザ光を発振する際の目標エネルギーP
tを演算し、該演算した目標エネルギーPtを前記設定さ
れた目標値Pdに変えて出力する目標パルスエネルギー
補正手段と、i=1の場合 Pt=Pd i>1の場合、 を備えるようにしたことを特徴とする。
て、各時点における露光量の理想値から、直前までのパ
ルスレーザ光による実際の露光量を減算し、この減算結
果を今回レーザパルス発振の際のパルスエネルギーの目
標値とするようにしている。
に従って詳細に説明する。
導体の回路パターンの縮小投影露光処理を行うステッパ
の光源として適用した場合の構成を示している。すなわ
ち、1がレーザ装置として狭帯域化エキシマレーザであ
り、20が縮小投影露光装置としてのステッパである。
図示しない放電電極等を有し、レーザチャンバ2内に充
填されたKr、F2,Ne等からなるレーザガスを放電電
極間の放電によって励起させてレーザ発振を行う。発光
した光は再びレーザチャンバ2に戻って増幅され、狭帯
域化ユニット3によって狭帯域化されて、フロントミラ
ー4を介して発振レーザ光Lとして出力される。そし
て、一部の光は再びレーザチャンバ2に戻りレーザ発振
が起こる。なお、レーザ光Lは、先の図16に示したよ
うに、所定の周期で所定回数連続してパルス発振させる
連続発振運転と、連続発振運転後に前記連続パルス発振
を所定時間停止させる停止運転とを交互に繰り返すバー
ストモード運転により、断続的に出力される。
6から加えられた電圧データに応じて前記放電電極間に
電位差Vを与えて放電を行う。なお、レーザ電源回路5
においては、図示しない充電回路により電荷を一旦充電
した後、たとえばサイラトロン等のスイッチ素子の動作
により放電を行う。
び狭帯域化ユニット3で構成される共振器から発振され
たレーザ光Lは、ビームスプリッタ7によってその一部
がサンプリングされ、レンズ7aを介して光モニタモジ
ュール8に入射される。またその残りのレーザ光Lはス
リット9を介して露光装置20へ出射される。
行われる度に、出力レーザ光Lの1パルス当たりのエネ
ルギーPi(i=1,2,3,…)を検出する。この検出パルスエ
ネルギー値Piはレーザコントローラ6に送られ、第j
番目のパルス群の i番目のパルスエネルギーPj,i とし
てテーブルに記憶される。なお、光モニタモジュール8
では、レーザ光Lのスペクトル線幅、波長等を検出し、
これらのデータもレーザコントローラ6に入力する。
ら以下の信号が入力されており、 ・バースト信号BS(図3参照) ・レーザ発振同期信号(外部トリガ)TR(図3参照) ・目標パルスエネルギー値Pd レーザ発振同期信号TRは、レーザ装置1での連続パル
ス発振の際の各パルスのトリガ信号として機能する。バ
ースト信号BSは、その立上がりでレーザ装置1での
連続発振運転を開始させ(バーストオン)、その立下が
りでレーザ装置1での連続発振運転を停止させる(バー
ストオフ)よう機能させるものであり、そのバーストオ
ン時点から所定時間t1後に1発目のレーザ発振同期信
号TRが発生され、かつ最後のレーザ発振同期信号TR
が発生されてから所定時間t2後にバーストオフされる
ように設定されている。
号に基づいて、連続パルス発振の際、最初の所定個数の
パルスが含まれるスパイク領域では、スパイク制御を実
行し、それ以降のプラトー領域および安定領域ではバー
スト内パルスエネルギー制御を実行する。その詳細は、
後述する。
入射されたレーザ光Lの一部をサンプリングするビーム
スプリッタ11が設けられ、そのサンプリング光はレン
ズ11aを介して光モニタモジュール12へ入射され
る。光モニタモジュール12では、入射されたレーザ光
Lの1パルス当たりのエネルギーPi´を検出し、この
検出エネルギー値Pi´は露光装置コントローラ13に
入力する。なお、ビームスプリッタ11を通過したレー
ザ光は、縮小露光処理に用いられる。
処理およびウエハが載置されたステージの移動制御の他
に、レーザ発振同期信号TR、バースト信号BSおよび
目標パルスエネルギー値Pdをレーザ装置1へ送信する
などの動作を実行する。
ストモード運転時におけるレーザコントローラ6の動作
を説明する。
制御を行うべき初期スパイク領域のパルス数isを設定
する(ステップ100)。すなわち、例えば、連続パル
ス発振パルスエネルギー特性は図17に示したような特
性を示すため、図17のスパイク領域中に含まれるパル
ス数をisとして設定する。
連続パルス発振の際の上記設定した最初のis個のパル
ス発振の際に与えるべき、(励起強度パターン)充電電
圧パターン(初期スパイク制御パターン)を設定する
(ステップ110)。
コントローラ13から与えられた目標パルスエネルギー
Pdを読み込み(ステップ120)、次に、発振停止時
間(トリガ信号TRの受信間隔)tの計時を開始する
(ステップ130)。
コントローラ13から外部トリガTRが入力されると、
この入力された外部トリガTRが第1発目の外部トリガ
であるか否かを判定する(ステップ140)。すなわ
ち、レーザコントローラ6では、内部の図示せぬタイマ
手段がトリガ信号TRの受信間隔Ttrを計時しているの
で、この経時時間Ttrを所定の設定値tsと比較するこ
とにより、現時点が連続発振の途中か、連続発振と次の
連続発振の間の休止時間であるかを判定することができ
る。
時間) というように判断する。
ラ13からバースト信号BSが入力されるので、バース
ト信号BSのオンを検出することにより、連続パルス発
振の開始を判定するようにしてもよい。
トリガ信号TRが第1発目のパルスであると判定する
と、i=1にした後(ステップ150)、このiを先に
設定した初期スパイク領域のパルス数isと比較するこ
とにより、現時点がスパイク領域か否かを判定する。ス
パイク領域の場合、レーザコントローラ6は、ステップ
180のスパイク制御サブルーチンを実行する。
順を示すもので、まずデータ読み込みサブルーチンを実
行する(ステップ300)。このデータ読み込みサブル
ーチン300では、発振停止時間t、バーストパルスの
順番i、目標パルスエネルギーPtを読み込み、これら
t,i、Ptをパラメータとして過去の(以前のバース
ト周期の)パルスエネルギーPと充電電圧(励起強度)
Vに関するデータを読みだす。
に、発振停止時間t、バーストパルスの順番i、目標パ
ルスエネルギーPtを読み込み(ステップ400)、過
去のデータの中からバーストパルスの順番iが同じで、
発振停止時間tが同じまたは最も近いデータを抽出し、
これら抽出したデータの中から目標エネルギーPtに最
も近いパルスエネルギーPを持つ2つのパルスエネルギ
ーデータおよび充電電圧データ(P1,V1)および(P
2,V2)を読みだす(ステップ410)。
いて、充電電圧演算サブルーチンを実行する(ステップ
310)。この充電電圧演算サブルーチンにおいては、
上記読み出した2つの過去のパルスエネルギーデータお
よび充電電圧データ(P1,V1)および(P2,V2)を
用いて、パルスエネルギーを目標値Ptにするための充
電電圧値Vを演算する。
に、前記2つの過去のデータ(P1,V1)および(P
2,V2)を用いて下式に示すような直線補間演算を用い
て目標値Ptを実現するための充電電圧Vを演算する
(ステップ420)。
1)/(V−V1) V=V1+(V2−V1)(Pt−P1)/(P2−P1) 次に、図4において、レーザコントローラ6は、上記計
算した励起強度値(充電電圧値)Vを電源装置5に出力
して(ステップ320)、この励起強度値(充電電圧
値)Vによるレーザ発振を実行する(ステップ33
0)。
終了すると、レーザコントローラ6は、光モニタモジュ
ール8から今回のパルスエネルギー値Piを取り込み、
このパルスエネルギー値Piを今回の発振停止時間t、
バーストパルスの順番i、実際に印加された充電電圧値
Vと共に、所定のメモリテーブルに記憶する(図1ステ
ップ200)。以下同様に、ステップ120からステッ
プ200までの手順をi=isになるまで、即ちスパイ
ク領域が終了するまで繰り返し実行する。
込みサブルーチンの他の例を示すもので、また、図6
(b)は図4に示した充電電圧演算サブルーチンの他の例
を示すものである。
ーストパルスの順番i、目標パルスエネルギーPtを読
み込みんだ後(ステップ500)、過去のデータの中か
らバーストパルスの順番iが同じで、発振停止時間tが
同じまたは最も近いデータの抽出し、これら抽出したデ
ータの中から目標エネルギーPtに最も近いパルスエネ
ルギーPを持つ1つのパルスエネルギーデータおよび充
電電圧データ(P1,V1)を読みだすようにしている
(ステップ510)。
を実行した場合は、充電電圧演算サブルーチンにおいて
は、図6(b)に示すように、前記読み出した過去の1つ
のデータ(P1,V1)のパルスエネルギー値P1を目標
エネルギー値Ptと比較し(ステップ520)、P1=P
tである場合は、充電電圧値V=V1とし(ステップ53
0)、Pt>P1である場合は、V=V1+ΔV(ΔV:
所定の設定値)とし、Pt<P1である場合は、V=V1
−ΔVとする。
と、レーザコントローラ6は、図1に示すように、i>
isであるプラトー領域および安定領域において、各パ
ルスの直前のパルス発振の励起強度(充電電圧)とその
パルスエネルギー値との関係から次のパルスエネルギー
値を所望の値とする為に必要な励起強度(充電電圧)を
求め、該求めた励起強度によるパルス発振を行わせる、
バースト内パルスエネルギー制御サブルーチンを実行す
る(ステップ190)。
ルーチンにおいては、図7に示すように、まずデータ読
みだしサブルーチンを実行する(ステップ600)。す
なわちデータ読みだしサブルーチンにおいては、今回の
バースト周期内の既に出力されたパルスのパルスエネル
ギー値Piとそのときの励起強度(充電電圧)Vを読み
出すよう動作する。
内の直前のパルスのパルスエネルギー値Piと、そのと
きの充電電圧Vを読み出すようにしている(ステップ6
40)。
内のN(例えばN=2、N=3など)個前のパルスのパ
ルスエネルギー値Piと、そのときの充電電圧Vを読み
出すようにしている(ステップ650)。
内のn個のパルスのパルスエネルギーP1〜Pnとそれら
に対応する充電電圧V1〜Vnを読み出し、それらの平均
値を参照するパルスエネルギー値Pおよび充電電圧Vに
している(ステップ660,670)。
て、当該パルスの直前のパルスから逆上ったn個のパル
スを使用するようにしても良い。
が終了すると、レーザコントローラ6は、図7に示すよ
うに、充電電圧演算サブルーチンを実行する(ステップ
610)。
み出したパルスエネルギー値Pと充電電圧Vを用いてパ
ルスエネルギーを目標値Ptとするための充電電圧値V
を演算するためのもので、その具体例を図9に示す。
み出したデータ(P1,V1)のパルスエネルギー値P1
を目標エネルギー値Ptと比較し(ステップ700)、
P1=Ptである場合は、充電電圧値V=V1とし(ステ
ップ710)、Pt>P1である場合は、V=V1+ΔV
(ΔV:所定の設定値)とし、Pt<P1である場合は、
V=V1−ΔVとするようにしている。
制御サブルーチンが終了すると、レーザコントローラ6
は今回印加した充電電圧Viと、そのレーザ出力のモニ
タ値Piを所定のメモリテーブルに記憶する(図1ステ
ップ210)。レーザコントローラ6においては、この
ような処理を今回のバースト周期の連続パルス発振が終
了するまで、繰り返し実行する。
ッパ用エキシマレーザ装置に適用されるものであり、最
初の数パルスに対応するスパイク領域でのみスパイク制
御を実行し、それ以降のプラトー領域及び安定領域では
直前のパルス発振状況(印加電源電圧に対応する出力パ
ワー)に応じた電源電圧制御(バースト内パルスエネル
ギー制御サブルーチン)を行うようにしている。
パルスエネルギーPdをP1,P2,P3(P1<P2<P
3)の3つの異なる値に変化させ、発振停止時間tをt
a,tb(ta<tb)の2つの異なる値に変化させた場合
の、計6つの異なる条件下における実験結果を示すもの
で、図10(a)には各パルスエネルギーのモニタ値を発
振順番i毎に示し、図10(b)には各発振順番i毎の各
充電電圧値Viを示している。
圧を与えるようにすれば、図10(a)に示すように、ス
パイキング現象が吸収されて各パルスエネルギーを目標
値(P1,P2,P3)にほぼ一致させることができるこ
とが判る。また、この際、図10(b)から判るように、
7発目のパルスまではスパイキング現象を消すために充
電電圧値Viが大きく増加しているが、7発目のパルス
以降は充電電圧値がほぼ一定値となっている。また、発
振休止時間tが長くなると、スパイキング現象が顕著に
現れるので、発振休止時間tが長くなると連続パルスの
初期パルスに対応する充電電圧をより低くしなくてはな
らないことも判る。さらに、目標パルスエネルギーPd
が大きくなればなるほで、充電電圧を大きくしなければ
ならないことも判る。
は、最初の数発のパルスに対応するスパイク領域での
み、目標パルスエネルギーPd、発振休止時間t、発振
順番iをパラメータとした励起強度制御(充電電圧制
御)を行い、それ以降のプラトー領域及び安定領域で
は、今回のバースト周期内の既に発振されたパルスのエ
ネルギー値を参照した励起強度制御(充電電圧制御)を
行うようにしている。すなわち、連続パルス発振の初期
のパルスでは、レーザ発振休止の影響が強く残っている
ので、スパイクキラー制御を実行するが、それ以降のパ
ルスにおいては、レーザ発振休止よりも直前までのパル
ス発振の影響をより強く受けるために、直前のパルス発
振状況(印加電源電圧に対応する出力パワー)に応じた
電源電圧制御を行うようにしているのである。
圧制御の実験結果を示すもので、図11(b)のような充
電電圧を与えることにより、全てのパルスエネルギー値
を図11(a)に示すようにほぼ均一にすることが可能に
なった。
&スキャン方式を用いて半導体露光処理を行う際の励起
強度制御(充電電圧制御)について説明する。
ェハ30上には、複数のICチップ31が並設されてい
るが、ステップ&スキャン方式では、レーザ光またはウ
ェハ30を移動させながら露光処理を行う。このため、
ステップ&スキャン方式では、1つのICチップに対し
ては、レーザ光を固定して露光処理を行うステッパに比
べて、その露光範囲を大きくとることができ、大面積の
ICチップの露光処理を可能にする。
は、図14に示すように、各パルスレーザ光の照射面積
(P1、P2、P3、…で示されたエリア)はICチップ
31の面積よりも小さく、これらのパルスレーザ光が順
次所定のピッチΔPでスキャンされることでICチップ
31の全面の露光が行われる。
は、加工物上の全ての点にそれぞれ予め設定された所定
個数N0のパルスレーザが入射されるように、その走査
ピッチΔPやパルスレーザ光の照射面積が設定されてお
り、これにより各パルスのパルスエネルギーが全て目標
値Pdと同じであるならば、加工物上の各点は、N0回の
パルスレーザ光の照射によって、所望の露光量(Pd×
N0)を得ることができる。
はばらついているので、その現象に対処する必要があ
り、この実施例では、図12及び図13に示すフローチ
ャートに示す制御手順によってその問題を解決してい
る。
り、A点は、4つのパルスレーザ光P1、P2、P3およ
びP4の積算エネルギーによって露光され、またB点は
4つのパルスレーザ光P2、P3、P4およびP5の積算エ
ネルギーによって露光されるようになっている。以下
の、C点、…も同様に4つのパルスレーザ光の積算エネ
ルギーによって露光される。
いては、各点の移動積算露光量(例えばA点の移動積算
露光量はP1+P2+P3+P4)が等しくなるように、各パ
ルスエネルギー値を制御する必要があり、そのための制
御が図12のフローチャートのステップ870の目標パ
ルスエネルギー補正サブルーチンに示されている。
説明する。
御を行うべき初期スパイク領域のパルス数isを設定す
る(ステップ800)。
連続パルス発振の際の上記設定した最初のis個のパル
ス発振の際に与えるべき、充電電圧パターン(初期スパ
イク制御パターン)を設定する(ステップ810)。
コントローラ13から与えられた目標パルスエネルギー
Pdと移動積算パルス数の目標値N0を読み込み(ステッ
プ820)、次に、発振停止時間(トリガ信号TRの受
信間隔)tの計時を開始する(ステップ830)。
トリガTRが入力されると、レーザコントローラ6はこ
の入力された外部トリガTRが第1発目の外部トリガで
あるか否かを判定する(ステップ840)。
力されたトリガ信号TRが第1発目のパルスであると判
定すると、i=1にした後(ステップ850)、目標パ
ルスエネルギーの補正サブルーチン(ステップ870)
を実行する。
ンにおいては、図13に示すような手順が実行される。
続パルス発振におけるパルス発振開始後のトータル発振
数をカウントする値)を移動積算パルス数の目標値N0
と比較し(ステップ940)、i=1である場合は、補
正後の目標パルスエネルギーPtを先に設定された目標
パルスエネルギーPdとして出力し(ステップ95
0)、i≦N0である場合は、補正後の目標パルスエネ
ルギーPtを下式(1)に従って演算し(ステップ96
0)、 …(1) また、i>N0である場合は、補正後の目標パルスエネ
ルギーPtを下式(2) …(2) に従って演算する(ステップ970)。
振の際に実際にモニタされたパルスエネルギー値であ
る。
までのレーザ発振を行ったときの露光量の目標値(理想
値)Pd×iから、(i−1)発目までのレーザ発振に
よる実際の露光量P1+P2+…Pi-1を減算し、この減
算結果をi発目のレーザ発振を行う際の目標値Ptとし
て演算するようにしており、このような補正演算がi≦
N0である間実行される。この(1)式は、図14のA
点用の補正演算式である。
った場合における目標エネルギーの補正演算式であり、
図14においては、B点以降(B点及びB点より右側の
領域の点)用の補正演算式となる。
ブルーチンが終了すると、iを先に設定した初期スパイ
ク領域のパルス数isと比較することにより、現時点が
スパイク領域か否かを判定する(ステップ880)。ス
パイク領域と判定された場合は、レーザコントローラ6
は、ステップ890のスパイク制御サブルーチンを実行
する。
図4〜図6に示したものと同様に動作し、例えば過去の
データの中からバーストパルスの順番iが同じで、発振
停止時間tが同じまたは最も近いデータの抽出し、これ
ら抽出したデータの中から目標エネルギーPtに最も近
いパルスエネルギーPを持つパルスエネルギーデータお
よび充電電圧データを読みだし、該読み出したパルスエ
ネルギーデータおよび充電電圧データを用いて、パルス
エネルギーを補正した目標値Ptにするための充電電圧
値Vを演算し、該演算した充電電圧値によるレーザ発振
を実行する。
終了すると、レーザコントローラ6は、光モニタモジュ
ール8から今回のパルスエネルギー値Piを取り込み、
このパルスエネルギー値Piを今回の発振停止時間t、
バーストパルスの順番i、実際に印加された充電電圧値
Vと共に、所定のメモリテーブルに記憶する(ステップ
900)。以下同様に、ステップ820からステップ9
00までの手順をi=isになるまで、即ちスパイク領
域が終了するまで繰り返し実行する。
と、レーザコントローラ6は、i>isであるプラトー
領域および安定領域において、バースト内パルスエネル
ギー制御サブルーチンを実行する(ステップ190)。
このバースト内パルスエネルギー制御サブルーチンにお
いては、先の図7〜図9に示したものと同様に動作し、
今回のバースト周期内の既に出力されたパルスのパルス
エネルギー値Piとそのときの充電電圧Vを読み出し、
該読み出したパルスエネルギー値Pと充電電圧Vを用い
てパルスエネルギーを目標値Ptとするための充電電圧
値Vを演算し、該演算した充電電圧値によるレーザ発振
を実行する。
制御サブルーチンが終了すると、レーザコントローラ6
は今回印加した充電電圧Viと、そのレーザ出力のモニ
タ値Piを所定のメモリテーブルに記憶する(ステップ
920)。
うな処理を今回のバースト周期の連続パルス発振が終了
するまで、繰り返し実行する。
源として用いる場合に、図12および図13の制御手順
は、露光装置がステップ&スキャン方式の場合のみでな
く、ステッパの場合でも適用することができる。
ICチップに照射する光パルスの数をN0とし、各パル
スレーザ光の目標値をPdとし、各パルス発振の際に実
際にモニタされたパルスエネルギー値をPk(1≦k≦N
0)とし、連続的に出力されるパルスレーザ光の順番を
iとした場合、下式に従って前記各パルスレーザ光を発
振する際の目標エネルギーPtを演算し、該演算した目
標エネルギーPtを設定された目標値Pdに変えて出力す
るようにすればよい。
おける露光量の理想値から、直前までのパルスレーザ光
による実際の露光量を減算し、この減算結果を今回レー
ザパルス発振の際のパルスエネルギーの目標値とするよ
うにしているので、各パルス発振の際のパルスエネルギ
ーの目標値が各パルスエネルギーを均一にするためによ
り実質的に理想に近いものに置換され、各パルスエネル
ギーの均一化を図ることができる。勿論、かかる目標パ
ルスエネルギーの補正演算を図1に示した制御手順に加
えることによって、スパイク制御とバースト内パルスエ
ネルギー制御とともに、目標パルスエネルギーの補正演
算を行うようにしてもよい。こうすることによって、ス
テッパ方式において、より各パルスエネルギーの均一化
を図ることができるようになる。
スパイク領域ではスパイクキラー制御を実行し、それ以
降の領域では直前のパルス発振状況に応じた電源電圧制
御を実行するようにしているので、連続パルス発振の全
パルスにおいて充分なパルスエネルギーのばらつき抑制
効果を得ることができ、高精度の光加工を実現すること
ができる。さらに、この発明では、スパイク領域でのみ
スパイクキラー制御を実行するようにしているので、記
憶するデータ数が減り、メモリ容量を削減できると共
に、メモリからのより高速のデータ読み出しが可能にな
る。
それぞれ予め設定された所定個数のパルスレーザが入射
されるよう1個のパルスレーザが入射される度に加工物
上でのパルスレーザ光の照射領域を所定のピッチずつず
らせながら加工を行う加工装置に対しパルスレーザ光を
連続的に出力するレーザ装置において、加工物各点にお
ける、各時点における露光量の理想値から、直前までの
パルスレーザ光による実際の露光量を減算し、この減算
結果を各レーザパルス発振の際のパルスエネルギーの目
標値とするようにしているので、加工物各点における露
光量を均一にすることができ、ステップ&スキャン方式
の光加工装置において高精度の光加工を実現することが
できる。
ート。。
ャート。。
チャート。
み込みサブルーチンおよび充電電圧演算サブルーチンを
示す図。
込みサブルーチンおよび充電電圧演算サブルーチンの他
の例を示す図。
ーチンを示すフローチャート。
ーチン内のデータ読み出しサブルーチンを示すフローチ
ャート。
ーチン内の充電電圧演算サブルーチンを示すフローチャ
ート。。
ルギーをの3つの異なる値に変化させ、発振停止時間を
2つの異なる値に変化させた場合のパルスエネルギー及
び充電電圧に関する実験結果を示す図。
を示す図。
チャート。
ルギー補正サブルーチンを示すフローチャート。
対するパルスレーザ光の照射態様を示す図。
おけるパルスエネルギー波形を示す図。
つの連続パルス発振のパルスエネルギー波形を示す拡大
図。
Claims (5)
- 【請求項1】レーザ光を所定回数連続してパルス発振さ
せる連続発振動作と、このパルス発振を所定時間休止す
る停止動作を交互に実行する運転を1バーストサイクル
とするバーストモード運転を繰り返し行ない、前記パル
ス発振の各出力エネルギーが所定の大きさとなるように
レーザの励起強度を制御するレーザ装置において、 前記連続発振動作を行ったときの最初の所定個数の各パ
ルスに関して、各パルス発振の際の電源電圧を、発振停
止時間、1バーストサイクル内でのパルスの順番、出力
されたパルスエネルギーのモニタ値に対応づけて記憶す
るとともに、前記最初の所定個数のパルス以降に発生さ
れる各パルスに関しては、各パルス発振の際の励起強度
を出力されたパルスエネルギーのモニタ値に対応づけて
記憶する記憶手段と、 前記連続パルス発振を行う際、前記最初の所定個数の各
パルスに関しては、前記記憶手段に記憶した過去のパル
ス発振のデータのうち、発振停止時間、および1バース
トサイクル内でのパルスの順番が同じで、かつ今回のパ
ルス発振の目標パルスエネルギーに近い出力パルスエネ
ルギーのモニタ値とそのときのパルスの励起強度を少な
くとも1組読み出し、この読み出した値に基づいて今回
のパルス発振の際の励起強度を演算し、該演算した励起
強度値に基づいてパルス発振を行う第1の電源電圧制御
手段と、 前記連続パルス発振を行う際、前記最初の所定個数のパ
ルス以降に発生される各パルスに関しては、前記記憶手
段から今回のバースト周期内で既に出力されたパルスの
パルスエネルギーモニタ値およびそのときの励起強度値
を読み出し、これらの値に基づいて今回のパルス発振の
際の励起強度値を演算し、この励起強度に基づいてパル
ス発振を行う第2の電源電圧制御手段と、 を備えたことを特徴とするレーザ装置。 - 【請求項2】前記第1の電源電圧制御手段は、今回のパ
ルス発振の目標パルスエネルギーに最も近い出力パルス
エネルギーのモニタ値とそのときの励起強度を2組読み
出し、これら2組の励起強度値を用いて補間演算により
今回のパルス発振の際の励起強度値を演算することを特
徴とする請求項1記載のレーザ装置。 - 【請求項3】前記第1の電源電圧制御手段は、今回のパ
ルス発振の目標パルスエネルギーに最も近い出力パルス
エネルギーのモニタ値とそのときの励起強度を1組読み
出し、目標パルスエネルギー値と読み出した出力パルス
エネルギーのモニタ値との比較結果に応じて前記読み出
した励起強度を増減することにより今回のパルス発振の
際の励起強度値を演算する請求項1記載のレーザ装置。 - 【請求項4】加工物上の全ての点にそれぞれ予め設定さ
れた所定個数N0のパルスレーザが入射されるよう1個
のパルスレーザが入射される度に加工物上でのパルスレ
ーザ光の照射領域を所定のピッチずつずらせながら加工
を行う加工装置に対しパルスレーザ光を前記加工物の加
工に要する所定個数Nt(N0<Nt)だけ連続的に出力
するレーザ装置において、 前記各パルスレーザ光の発振の度に、出力されたパルス
レーザ光のエネルギーPk(k=1,2,…,Nt)を検出する
パルスエネルギー検出手段と、 設定された各パルスレーザの目標値をPdとし、前記連
続的に出力されるパルスレーザ光の順番をiとした場
合、前記各パルスレーザ光の発振の度に、下式に従って
前記各パルスレーザ光を発振する際の目標エネルギーP
tを演算し、該演算した目標エネルギーPtを前記設定さ
れた目標値Pdに変えて出力する目標パルスエネルギー
補正手段と、 i=1の場合 Pt=Pd i≦N0の場合、 i>N0の場合、 を備えるようにしたことを特徴とするレーザ装置。 - 【請求項5】パルスレーザ光の照射領域を固定した状態
で加工物上に予め設定した所定個数N0のパルスレーザ
を照射することによって所要の加工を行う加工装置に対
しパルスレーザ光を連続的に出力するレーザ装置におい
て、 前記各パルスレーザ光の発振の度に、出力されたパルス
レーザ光のエネルギーPk(k=1,2,…,No)を検出する
パルスエネルギー検出手段と、 設定された各パルスレーザの目標値をPdとし、前記連
続的に出力されるパルスレーザ光の順番をiとした場
合、前記各パルスレーザ光の発振の度に、下式に従って
前記各パルスレーザ光を発振する際の目標エネルギーP
tを演算し、該演算した目標エネルギーPtを前記設定さ
れた目標値Pdに変えて出力する目標パルスエネルギー
補正手段と、 i=1の場合 Pt=Pd i>1の場合、 を備えるようにしたことを特徴とするレーザ装置。
Priority Applications (7)
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|---|---|---|---|
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