JPH09250981A - 表面プラズモン共鳴センサ - Google Patents

表面プラズモン共鳴センサ

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JPH09250981A
JPH09250981A JP10071896A JP10071896A JPH09250981A JP H09250981 A JPH09250981 A JP H09250981A JP 10071896 A JP10071896 A JP 10071896A JP 10071896 A JP10071896 A JP 10071896A JP H09250981 A JPH09250981 A JP H09250981A
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JP
Japan
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light
thin film
surface plasmon
plasmon resonance
metal thin
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Application number
JP10071896A
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English (en)
Inventor
Kenichi Uchiyama
兼一 内山
Taiji Osada
泰二 長田
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Toto Ltd
Original Assignee
Toto Ltd
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Publication date
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Publication of JPH09250981A publication Critical patent/JPH09250981A/ja
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/55Specular reflectivity
    • G01N21/552Attenuated total reflection
    • G01N21/553Attenuated total reflection and using surface plasmons

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】従来エバネッセント波に影響を与えることが困
難とされてきた測定対象基質の分子に対しても有効に機
能し、基質の濃度を算出できる表面プラズモン共鳴セン
サを提供すること。 【解決手段】本発明の表面プラズモン共鳴センサ(1)
は、エバネッセント波が生じる金属薄膜(3)上に半導
体薄膜(4)を配置することを特徴とする。金属薄膜
(3)は透光性の光透過媒体(2)上に設けられ光反射
面(2a)において幾何学的な全反射条件で光を反射す
るようになっている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学系を用いて被
測定溶液中の測定対象基質を測定する光のエバネッセン
ト波を利用する表面プラズモン共鳴センサに関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、バイオセンサでは、血液中の特
定蛋白や抗原等の血液中成分、或いは尿中のグルコー
ス,アスコルビン酸等の尿中成分である測定対象基質
を、これら基質に対する識別機能を有し当該基質と生物
化学的反応を起こす生体物質が用いられている。そし
て、この生物化学的反応の進行に伴う種々の物理化学的
な変位量を物理化学デバイスにより検出し、測定対象基
質の特定やその濃度等が検出される。例えば、生物化学
的反応により消費或いは生成する電極活性物質の電極反
応を介して基質濃度を検出するものや、生物化学的反応
の進行に伴って起きるエンタルピー変化をサーミスタで
検出して基質濃度を検出するものなどがあり、これらの
バイオセンサは早くから実用化されている。
【0003】その一方で、近年では、生物化学的反応の
進行に伴う誘電率の変化に着目し、光学的なデバイスを
用いて被測定溶液中の測定対象基質を測定するバイオセ
ンサが提案されている(特開平1−138443)。こ
のバイオセンサでは、光学系として、金属薄膜が設けら
れた光反射面において幾何学的な全反射条件で光を反射
する透光性の光透過媒体を有し、この光透過媒体と金属
薄膜でエバネッセント波結合を形成する光学系が用いら
れている。その測定原理は、次の通りである。
【0004】エバネッセント波結合を形成する光学系の
光透過媒体にp偏光された光を全反射条件を満たした種
々の入射角で光反射面に照射すると、入射角がある値の
ときに特典な現象が起きる。即ち、p偏光された光が光
反射面に照射されると、金属薄膜の光透過媒体側膜面に
は入射角θを変数とする波数のエバネッセント波が生じ
る。そして、金属は固体プラズマと見なすことができる
ので、金属薄膜の反光透過媒体側膜面には、量子論的な
電荷密度の波としての表面プラズモン波が光のトンネル
効果により生じる。この表面プラズモン波は、金属薄膜
と反光透過媒体側膜面を境界面として接触する媒質との
間の波動として生じる。
【0005】そして、入射角θがある値のときには、こ
のエバネッセント波と表面プラズモン波とがその波数が
一致して共鳴する表面プラズモン共鳴現象が起き、光の
エネルギが表面プラズモン波の励起エネルギに使われ
る。この際、エネルギ的には、光反射面に入射した光の
エネルギは表面プラズモン波の励起に使われたエネルギ
と反射面からの反射光のエネルギの和に等しいという開
係がある。このため、反射角とエネルギ(光量)の変化
の様子を測定することで、表面プラズモン共鳴現象の有
無、延いては当該現象が起きた時の入射角を求めること
ができる。その一方、表面プラズモン共鳴現象が起きる
際の入射角と媒質の屈折率とは相関開係にあり、この屈
折率は、マクスウェルの方程式から媒質の誘電率で規定
でき、生体物質による生物化学的反応の進行と誘電率と
は相関関係にある。よって、反射光の光量が急激に減少
したときの反射角からその時の入射角が決まり、上記の
各相関関係から生体物質による生物化学的反応の進行の
程度、即ち基質濃度が算出される。
【0006】ところで、このようなバイオセンサにあっ
ては、金属薄膜の反光透過媒体側膜面のごく近傍、詳し
くはトンネル効果を起こすエバネッセント領域(約10
0nm)において基質と生体物質との生物化学的反応が
起こる必要がある。このため、特許出願公表平4−50
1605に提案されているように、生体物質を固定した
雇いわゆるリガンド層を金属薄膜の上記膜面に固定化す
ることが一般に行なわれている。
【0007】このように、エバネッセント波結合を形成
する光学系を用いて被測定溶液中の測定対象基質を測定
するバイオセンサは、被測定溶液の着色程度や不透明さ
などの影響を受けない、或いは金属薄膜の反光透過媒体
側膜面に基質と生物化学的反応を起こす生体物質を固着
しておくだけでよい等の利点を有するので、急速に普及
しつつある。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、被測定
溶液中の測定対象基質の分子の濃度が低い場合や、分子
量が小さい分子の場合には分子が直接エバネッセント波
に影響を与えることは困難であり、前述の各相関関係か
ら生体物質による生物化学的反応の進行の程度、即ち基
質濃度を算出できなかった。
【0009】従って、本発明の目的は、従来エバネッセ
ント波に影響を与えることが困難とされてきた測定対象
基質の分子に対しても有効に機能し、基質の濃度を算出
できる表面プラズモン共鳴センサを提供することにあ
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の表面プラズモン
共鳴センサは、エバネッセント波が生じる金属薄膜上に
半導体薄膜を配置することを特徴とする。金属薄膜は透
光性の光透過媒体上に設けられ光反射面において幾何学
的な全反射条件で光を反射するようになっている。半導
体薄膜は検出したい分子と相互作用をして半導体中のバ
ンド構造やキャリア濃度に変化を生じる。このように半
導体と分子は直接または間接に相互作用をして半導体中
のキャリア(電荷)に変化をもたらす。光透過媒体と金
属薄膜とで形成されるエバネッセント波は半導体中のキ
ャリアの変化の影響を受ける。エバネッセント波の変化
は従来技術の手段で電気信号に変換されセンサの出力信
号となる。
【0011】半導体薄膜の屈折率は光透過媒体の屈折率
よりも小さなっているので、十分に表面プラズモン波の
励起条件を満たすことができる。
【0012】半導体薄膜の材質はフッ素化合物、好まし
くはポリテトラフルオロエチレンをスパッタリング法で
形成した物がよい。
【0013】本発明の上記特徴や効果、ならびに、他の
特徴や利点は、以下の実施例の記載に従い明らかにす
る。
【0014】
【発明の実施の形態】本発明の実施例を表面プラズモン
共鳴センサに適用した構成を第1図に示す。1は本発明
の表面プラズモン共鳴センサであり、光透過媒体2に金
属薄膜3を設け、更に金属薄膜3の少なくとも一部を覆
うように半導体薄膜4を設けている。
【0015】光透過媒体2は屈折率1.52のガラス製
であり光の入射面2a、光反射面2b及び光の出射面2
cを備えている。金属薄膜3は金を材質とする膜厚50
mmのものを光透過媒体2の光反射面2bに真空蒸着法
を利用して固定されている。
【0016】本発明の特徴である半導体薄膜4は表面プ
ラズモン波を励起させる金属薄膜3上に設けられてお
り、具体的にはPTFE(ポリテトラフルオロエチレ
ン)をターゲットにしてスパッタリング法により形成し
ている。膜厚は約300nmである。この膜の炭素とフ
ッ素の組成比は約1:1となっている。ちなみに単なる
PTFEの組成比は1:2である。膜は緻密でありAF
M(原子間力顕微鏡)で測定してもポーラスな部分は見
つからなかった。この膜の電気的特性を測定するとN型
半導体の特性を示した。
【0017】本発明の表面プラズモン共鳴センサ1を用
いた測定を行う際には、半導体薄膜4を被測定溶液中の
測定対象基質に接触させ、検出したい分子と相互作用を
して半導体中のバンド構造やキャリア濃度に変化を生じ
させる。このように半導体と分子は直接または間接に相
互作用をして半導体中のキャリア(電荷)に変化をもた
らす。
【0018】続いて、発光ダイオードや半導体レーザか
らなる単一波長の光を発生する光源ユニット5から光透
過媒体2の入射面2aに向けて光を照射し、不図示のレ
ンズ等を利用して光反射面2bに焦点を結ぶように集光
させる。こうして光透過媒体2と金属薄膜3とで形成さ
れるエバネッセント波は半導体中のキャリアの変化の影
響を受ける。エバネッセント波の変化は光の出射面2c
側に設けられたCCD撮像素子等からなる受光ユニット
6で検出され、不図示の制御手段により電気信号に変換
されセンサの出力信号となる。
【0019】続いて、本発明の表面プラズモン共鳴セン
サ1を用いて湿度を測定した例を第2図を基に説明す
る。ここでは20℃の標準空気と20℃湿度50%RH
の空気を交互切り替えて流した時の共振角の経時的変化
を測定している。図中で2つの山になっている部分が2
0℃湿度50%RHの空気を流したところである。
【0020】以上には本発明の特定の実施例を記載した
が、本発明はこれらに限定されるものではなく、例え
ば、半導体と目的とする分子が直接相互作用をしない組
み合わせの場合は分子に選択的に作用する触媒を半導体
表面に固定するなどの手段を講じても良い。また、本発
明は表面プラズモン共鳴センサのみならず光ファイバー
を利用したセンサなどエバネッセント波を利用するセン
サに応用できる。
【0021】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明は、金属薄
膜が設けられた光反射面において幾何学的な全反射条件
で光を反射する透光性の光透過媒体の前記金属薄膜の少
なくとも一部に半導体薄膜を設けたので、従来測定が困
難であった被測定溶液中の測定対象基質の分子の濃度が
低い場合や、分子量が小さい分子の場合であっても濃度
の測定が可能となった。
【0022】本発明の好ましい実施態様においては、半
導体薄膜としてPTFE(ポリテトラフルオロエチレ
ン)をターゲットにしてスパッタリング法により形成し
たものを採用しているので、大気中の湿度の測定が可能
となった。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明の表面プラズモン共鳴センサを
示す概念図である。
【図2】図2は、本発明の表面プラズモン共鳴センサを
利用して測定を行った結果を示すグラフである。
【符号の説明】
1:表面プラズモン共鳴センサ 2:光透過媒体 3:金属薄膜 4:半導体薄膜 5:光源ユニット 6:受光ユニット

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 金属薄膜上に設けられた半導体薄膜と、
    前記金属薄膜が設けられた光反射面において幾何学的な
    全反射条件で光を反射する透光性の光透過媒体を有し、
    該光透過媒体と前記金属薄膜でエバネッセント波結合を
    形成する光学系を用いて、前記半導体薄膜に接触した被
    測定溶液中の測定対象基質を測定する表面プラズモン共
    鳴センサ。
  2. 【請求項2】 前記半導体薄膜の屈折率が前記光透過媒
    体の屈折率よりも小さいことを特徴とする請求項1記載
    の表面プラズモン共鳴センサ。
  3. 【請求項3】 前記半導体薄膜がフッ素化合物からなる
    ことを特徴とする請求項1から2記載の表面プラズモン
    共鳴センサ。
  4. 【請求項4】 前記半導体薄膜がポリテトラフルオロエ
    チレンをスパッタリング法で形成したことを特徴とする
    請求項1から3記載の表面プラズモン共鳴センサ。
  5. 【請求項5】 前記光学系が、光源からの光を前記光反
    射面に集光して照射する入射側光学系と、前記光反射面
    で反射し前記光透過媒体から外部に出射する反射光を受
    光し、該反射光の光量を反射光ごとに検出する出射側光
    学系とを備えることを特徴とする請求項1から4記載の
    表面プラズモン共鳴センサ。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008053016A1 (fr) * 2006-11-03 2008-05-08 Commissariat A L'energie Atomique Structure amelioree de detection optique pour capteur par resonance plasmon.
CN100412528C (zh) * 2005-10-20 2008-08-20 汪胜前 气体和液体浓度检测传感器及检测系统
JP2009025199A (ja) * 2007-07-20 2009-02-05 Univ Soka 光ファイバ型表面プラズモン湿度センサ、表面プラズモン湿度センサ、光ファイバ型湿度センサ及び湿度測定装置
WO2010084523A1 (ja) * 2009-01-20 2010-07-29 学校法人創価大学 湿度センサ及び湿度測定装置
CN101865841A (zh) * 2010-06-28 2010-10-20 北京航空航天大学 一种高灵敏度表面等离子体共振传感器
EP2757363A4 (en) * 2011-09-15 2015-06-24 Nitto Denko Corp PLASMON SURFACE RESONANCE SENSOR CELL (SPR) AND SPR SENSOR
WO2023189139A1 (ja) * 2022-03-30 2023-10-05 京セラ株式会社 光学デバイス及びバイオセンサ

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100412528C (zh) * 2005-10-20 2008-08-20 汪胜前 气体和液体浓度检测传感器及检测系统
WO2008053016A1 (fr) * 2006-11-03 2008-05-08 Commissariat A L'energie Atomique Structure amelioree de detection optique pour capteur par resonance plasmon.
FR2908186A1 (fr) * 2006-11-03 2008-05-09 Commissariat Energie Atomique Structure amelioree de detection optique pour capteur par resonance plasmon
JP2010508527A (ja) * 2006-11-03 2010-03-18 コミサリア、ア、レネルジ、アトミク−セーエーアー プラズモン共鳴センサのための改良型光学的検出機構
US8031341B2 (en) 2006-11-03 2011-10-04 Commissariat A L'energie Atomique Optical detection structure for a plasmon resonance sensor
JP2009025199A (ja) * 2007-07-20 2009-02-05 Univ Soka 光ファイバ型表面プラズモン湿度センサ、表面プラズモン湿度センサ、光ファイバ型湿度センサ及び湿度測定装置
WO2010084523A1 (ja) * 2009-01-20 2010-07-29 学校法人創価大学 湿度センサ及び湿度測定装置
CN101865841A (zh) * 2010-06-28 2010-10-20 北京航空航天大学 一种高灵敏度表面等离子体共振传感器
EP2757363A4 (en) * 2011-09-15 2015-06-24 Nitto Denko Corp PLASMON SURFACE RESONANCE SENSOR CELL (SPR) AND SPR SENSOR
WO2023189139A1 (ja) * 2022-03-30 2023-10-05 京セラ株式会社 光学デバイス及びバイオセンサ

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