JPH0925105A - 金属硫化物の製造法 - Google Patents
金属硫化物の製造法Info
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- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 44
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims abstract description 20
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 18
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 6
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 6
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 3
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011630 iodine Substances 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 23
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 abstract description 6
- 230000026030 halogenation Effects 0.000 abstract description 5
- 238000005658 halogenation reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 24
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000047 product Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 5
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- HYHCSLBZRBJJCH-UHFFFAOYSA-M sodium hydrosulfide Chemical compound [Na+].[SH-] HYHCSLBZRBJJCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000002140 halogenating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- Silicon Compounds (AREA)
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属原料と硫黄あるいは硫化水素とを反応さ
せて金属硫化物を製造するとき、反応温度の低下や反応
時間の短縮を可能にする。 【解決手段】 金属硫化物を製造するとき、ハロゲンを
硫黄源と共に金属原料へ供給し、金属原料表面上に生成
するクラスト、即ち硫化物層をハロゲンの添加により破
壊して硫黄源の金属原料中への輸送を容易にし、同時に
添加したハロゲンにより金属原料をハロゲン化すること
で反応性を改善し、金属原料と硫黄あるいは硫化水素と
の反応を促進する。
せて金属硫化物を製造するとき、反応温度の低下や反応
時間の短縮を可能にする。 【解決手段】 金属硫化物を製造するとき、ハロゲンを
硫黄源と共に金属原料へ供給し、金属原料表面上に生成
するクラスト、即ち硫化物層をハロゲンの添加により破
壊して硫黄源の金属原料中への輸送を容易にし、同時に
添加したハロゲンにより金属原料をハロゲン化すること
で反応性を改善し、金属原料と硫黄あるいは硫化水素と
の反応を促進する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電池用の固体電解
質、エレクトロルミネッセンス用の蛍光体、潤滑剤、顔
料、その他の化学薬品用の中間原料として有用な金属硫
化物の製造法に関する。
質、エレクトロルミネッセンス用の蛍光体、潤滑剤、顔
料、その他の化学薬品用の中間原料として有用な金属硫
化物の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】鉄、銅、鉛、亜鉛などの硫化物は、それ
らの金属精錬用に大量に消費されている。しかし、上記
金属硫化物でも高純度のもの、あるいはシリコン、リチ
ウム、カルシウム、ストロンチウムなどの硫化物は、天
然鉱産物としてはほとんど産出されない。従って、高純
度のものや鉱物として入手できない金属硫化物が必要に
なったときには、合成品を使用せざるを得ない。
らの金属精錬用に大量に消費されている。しかし、上記
金属硫化物でも高純度のもの、あるいはシリコン、リチ
ウム、カルシウム、ストロンチウムなどの硫化物は、天
然鉱産物としてはほとんど産出されない。従って、高純
度のものや鉱物として入手できない金属硫化物が必要に
なったときには、合成品を使用せざるを得ない。
【０００３】このような金属硫化物の製造法としては、
従来、金属と硫化水素や単体硫黄とを常圧や加圧下で高
温反応させるもの、金属化合物の水溶液と硫化水素や水
硫化ソーダとを反応させるもの、金属化合物と硫化水素
や単体硫黄とを常圧や加圧下で高温反応させるものなど
がある。なお、硫化水素は４００°Ｃから分解が始ま
り、１７００°Ｃで完全に分解する。従って、乾式で高
温反応の場合には、硫化水素のほとんどが単体硫黄とし
て反応していると推測される。
従来、金属と硫化水素や単体硫黄とを常圧や加圧下で高
温反応させるもの、金属化合物の水溶液と硫化水素や水
硫化ソーダとを反応させるもの、金属化合物と硫化水素
や単体硫黄とを常圧や加圧下で高温反応させるものなど
がある。なお、硫化水素は４００°Ｃから分解が始ま
り、１７００°Ｃで完全に分解する。従って、乾式で高
温反応の場合には、硫化水素のほとんどが単体硫黄とし
て反応していると推測される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】金属と硫化水素や単体
硫黄とを常圧や加圧下で高温反応させるものでは、反応
速度が極めて遅く、反応速度を速めるためには異常に高
い温度や圧力が必要になるという欠点がある。金属化合
物の水溶液と硫化水素や水硫化ソーダとを反応させるも
のでは、反応が速く、且つ低濃度でも反応するが、製法
上高純度の金属硫化物の製造が難しく、且つ金属硫化物
の中に微量の水分が残留しているので、水分が忌避され
る用途には使用できない。
硫黄とを常圧や加圧下で高温反応させるものでは、反応
速度が極めて遅く、反応速度を速めるためには異常に高
い温度や圧力が必要になるという欠点がある。金属化合
物の水溶液と硫化水素や水硫化ソーダとを反応させるも
のでは、反応が速く、且つ低濃度でも反応するが、製法
上高純度の金属硫化物の製造が難しく、且つ金属硫化物
の中に微量の水分が残留しているので、水分が忌避され
る用途には使用できない。
【０００５】金属化合物と硫化水素や単体硫黄とを常圧
や加圧下で高温反応させるものでは、反応が非常に速
く、且つ発熱反応であるので反応の制御が困難であるば
かりか、生成物中にハロゲンが予想以上に含まれていて
使用上問題となることが多い。また、反応速度が速いた
めに製品の嵩が高かったり、結晶の発達が不十分であっ
たり、結晶の転移が不足しているといった欠陥がある。
や加圧下で高温反応させるものでは、反応が非常に速
く、且つ発熱反応であるので反応の制御が困難であるば
かりか、生成物中にハロゲンが予想以上に含まれていて
使用上問題となることが多い。また、反応速度が速いた
めに製品の嵩が高かったり、結晶の発達が不十分であっ
たり、結晶の転移が不足しているといった欠陥がある。
【０００６】本発明は、金属硫化物の製造におけるかか
る問題を解決するものであって、反応性を改善して金属
原料と硫黄あるいは硫化水素との反応を促進させ、反応
温度の低下や反応時間の短縮を可能とし、生産性を向上
させることのできる金属硫化物の製造法を提供すること
を目的とする。
る問題を解決するものであって、反応性を改善して金属
原料と硫黄あるいは硫化水素との反応を促進させ、反応
温度の低下や反応時間の短縮を可能とし、生産性を向上
させることのできる金属硫化物の製造法を提供すること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明では、上記課題を
解決するため、金属と硫黄あるいは硫化水素とを反応さ
せて金属硫化物を製造する金属硫化物の製造法におい
て、金属と硫黄あるいは硫化水素とを反応させるとき、
ハロゲンを介在させる。金属として、シリコン、リチウ
ム、カルシウム、ストロンチウム、アルミニウム、カド
ミウム、亜鉛、あるいはガリウムを用いることにより、
入手困難な金属硫化物が得られる。
解決するため、金属と硫黄あるいは硫化水素とを反応さ
せて金属硫化物を製造する金属硫化物の製造法におい
て、金属と硫黄あるいは硫化水素とを反応させるとき、
ハロゲンを介在させる。金属として、シリコン、リチウ
ム、カルシウム、ストロンチウム、アルミニウム、カド
ミウム、亜鉛、あるいはガリウムを用いることにより、
入手困難な金属硫化物が得られる。
【０００８】反応性を改善するためのハロゲンとして、
塩素、ヨウ素、あるいは臭素を用いることができる。ハ
ロゲンの添加量は、金属原料に対して、１ｍｏｌ％以
上、５ｍｏｌ％以下とすることが好ましい。
塩素、ヨウ素、あるいは臭素を用いることができる。ハ
ロゲンの添加量は、金属原料に対して、１ｍｏｌ％以
上、５ｍｏｌ％以下とすることが好ましい。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の金属硫化物の製造法で
は、金属と硫黄あるいは硫化水素とを反応させるとき、
硫黄あるいは硫黄の蒸気または硫化水素にハロゲンを供
給しつつ加熱した金属と接触させて、ハロゲンにより金
属原料を孔食、腐食しつつハロゲン化させる。ハロゲン
化により生成した金属ハロゲン化物と硫黄あるいは硫化
水素とを反応させて硫化物を合成することにより、高純
度で実質的に水分を含有せず、結晶の発達した金属硫化
物を製造することができる。
は、金属と硫黄あるいは硫化水素とを反応させるとき、
硫黄あるいは硫黄の蒸気または硫化水素にハロゲンを供
給しつつ加熱した金属と接触させて、ハロゲンにより金
属原料を孔食、腐食しつつハロゲン化させる。ハロゲン
化により生成した金属ハロゲン化物と硫黄あるいは硫化
水素とを反応させて硫化物を合成することにより、高純
度で実質的に水分を含有せず、結晶の発達した金属硫化
物を製造することができる。
【００１０】金属と硫化水素や単体硫黄が反応するとき
には、金属表面にクラスト、即ち硫化物層が生成し硫化
水素や単体硫黄の金属原料への浸透、拡散能が低下する
が、少量添加したハロゲンで金属原料を孔食、腐食しつ
つハロゲン化させることにより、金属表面に生成するク
ラスト、即ち硫化物層によって惹起される、硫化水素や
単体硫黄の金属原料への浸透、拡散能の低下を防止する
ことができる。
には、金属表面にクラスト、即ち硫化物層が生成し硫化
水素や単体硫黄の金属原料への浸透、拡散能が低下する
が、少量添加したハロゲンで金属原料を孔食、腐食しつ
つハロゲン化させることにより、金属表面に生成するク
ラスト、即ち硫化物層によって惹起される、硫化水素や
単体硫黄の金属原料への浸透、拡散能の低下を防止する
ことができる。
【００１１】金属原料の孔食、腐食により硫化水素や単
体硫黄が金属原料の深部に到達するのを容易にし、ハロ
ゲン化により生成した金属ハロゲン化物が、硫化水素や
単体硫黄と金属原料との反応により合成されたクラス
ト、即ち硫化物層に微細な亀裂や細孔を多数形成し、そ
の結果ハロゲンの拡散が促進され、金属ハロゲン化物と
硫化水素や単体硫黄との接触も改善される。
体硫黄が金属原料の深部に到達するのを容易にし、ハロ
ゲン化により生成した金属ハロゲン化物が、硫化水素や
単体硫黄と金属原料との反応により合成されたクラス
ト、即ち硫化物層に微細な亀裂や細孔を多数形成し、そ
の結果ハロゲンの拡散が促進され、金属ハロゲン化物と
硫化水素や単体硫黄との接触も改善される。
【００１２】硫黄あるいは硫黄の蒸気または硫化水素に
供給するハロゲンの量を調節することにより、金属のハ
ロゲン化によって生成する金属ハロゲン化物と硫化水素
や単体硫黄との反応を加速しつつ、その速度を制御する
ことが可能になる。これにより、結晶の成長速度もコン
トロールできるので、嵩比重を大きく、結晶の転移を完
全にさせることが可能になる。結晶が成長すると、結晶
粒面や表面に吸蔵、吸着されるハロゲン量も必然的に低
下する。
供給するハロゲンの量を調節することにより、金属のハ
ロゲン化によって生成する金属ハロゲン化物と硫化水素
や単体硫黄との反応を加速しつつ、その速度を制御する
ことが可能になる。これにより、結晶の成長速度もコン
トロールできるので、嵩比重を大きく、結晶の転移を完
全にさせることが可能になる。結晶が成長すると、結晶
粒面や表面に吸蔵、吸着されるハロゲン量も必然的に低
下する。
【００１３】さらに、ハロゲンが金属原料の表面には必
ず存在する微量の酸化物あるいは水酸化物層を除去する
効果も期待できる。これらの酸化物あるいは水酸化物層
は、金属のハロゲン化により生成する金属ハロゲン化物
と硫黄あるいは硫黄の蒸気または硫化水素との接触を妨
害するものである。添加するハロゲン源としては、塩
素、ヨウ素、あるいは臭素があるが、反応性及びコスト
面から塩素が最も好ましい。
ず存在する微量の酸化物あるいは水酸化物層を除去する
効果も期待できる。これらの酸化物あるいは水酸化物層
は、金属のハロゲン化により生成する金属ハロゲン化物
と硫黄あるいは硫黄の蒸気または硫化水素との接触を妨
害するものである。添加するハロゲン源としては、塩
素、ヨウ素、あるいは臭素があるが、反応性及びコスト
面から塩素が最も好ましい。
【００１４】一方、ハロゲンの添加量は、金属原料の原
子価に依存し、原子価にほぼ比例する。反応により金属
原料上に生成する硫化物層の緻密度も考慮する必要があ
る。また、生成物の結晶成長の機構、速度や目的とする
結晶の大きさも考慮すべき要因である。さらには、目的
とする反応速度にも左右される。以上の因子を総合して
ハロゲンの添加量は決定されるが、ハロゲンが金属原料
に対して１ｍｏｌ％未満だと反応率が悪く、５ｍｏｌ％
を越えると製品中の不純物含有量が増加して品質が低下
し、また、排ガスの処理も難しくなるので、その範囲は
金属原料に対して、１ｍｏｌ％以上、５ｍｏｌ％以下で
あることが好ましく、より望ましくは２ｍｏｌ％以上、
４ｍｏｌ％以下である。
子価に依存し、原子価にほぼ比例する。反応により金属
原料上に生成する硫化物層の緻密度も考慮する必要があ
る。また、生成物の結晶成長の機構、速度や目的とする
結晶の大きさも考慮すべき要因である。さらには、目的
とする反応速度にも左右される。以上の因子を総合して
ハロゲンの添加量は決定されるが、ハロゲンが金属原料
に対して１ｍｏｌ％未満だと反応率が悪く、５ｍｏｌ％
を越えると製品中の不純物含有量が増加して品質が低下
し、また、排ガスの処理も難しくなるので、その範囲は
金属原料に対して、１ｍｏｌ％以上、５ｍｏｌ％以下で
あることが好ましく、より望ましくは２ｍｏｌ％以上、
４ｍｏｌ％以下である。
【００１５】
〔実施例１〕ケイ化モリブデン発熱体を使用した電気加
熱の横型管状炉に炉心管として内径５０ｍｍの石英管を
入れ、１５０μｍ以下に粉砕された純度９９．９％の多
結晶シリコン１０ｇを石英ボートに装填して電気炉の均
熱ゾーンに入れた後、炉心管の両端をガス導入と排出用
のガラス管を差し込んだゴム栓で封じ、炉心管内をアル
ゴンガスで十分に置換してからアルゴンガスを流しつつ
昇温を開始し、温度が１０００°Ｃに達したらガスを硫
化水素に切換え、温度を１０００°Ｃに維持して硫化水
素ガスを２００ｍｌ／分で３時間流し続けた。
熱の横型管状炉に炉心管として内径５０ｍｍの石英管を
入れ、１５０μｍ以下に粉砕された純度９９．９％の多
結晶シリコン１０ｇを石英ボートに装填して電気炉の均
熱ゾーンに入れた後、炉心管の両端をガス導入と排出用
のガラス管を差し込んだゴム栓で封じ、炉心管内をアル
ゴンガスで十分に置換してからアルゴンガスを流しつつ
昇温を開始し、温度が１０００°Ｃに達したらガスを硫
化水素に切換え、温度を１０００°Ｃに維持して硫化水
素ガスを２００ｍｌ／分で３時間流し続けた。
【００１６】硫化水素ガスには常時塩素ガスを１．５ｍ
ｌ／分で混合した。このときの塩素の対シリコン添加量
は、３．４ｍｏｌ％である。結果を表１に示す。 〔比較例１〕実施例１と同様に、ケイ化モリブデン発熱
体を使用した電気加熱の横型管状炉に炉心管として内径
５０ｍｍの石英管を入れ、１５０μｍ以下に粉砕された
純度９９．９％の多結晶シリコン１０ｇを石英ボートに
装填して電気炉の均熱ゾーンに入れた後、炉心管の両端
をガス導入と排出用のガラス管を差し込んだゴム栓で封
じ、炉心管内をアルゴンガスで十分に置換してからアル
ゴンガスを流しつつ昇温を開始し、温度が１０００°Ｃ
に達したらガスを硫化水素に切換え、温度を１０００°
Ｃに維持して硫化水素ガスを２００ｍｌ／分で３時間流
し続けた。
ｌ／分で混合した。このときの塩素の対シリコン添加量
は、３．４ｍｏｌ％である。結果を表１に示す。 〔比較例１〕実施例１と同様に、ケイ化モリブデン発熱
体を使用した電気加熱の横型管状炉に炉心管として内径
５０ｍｍの石英管を入れ、１５０μｍ以下に粉砕された
純度９９．９％の多結晶シリコン１０ｇを石英ボートに
装填して電気炉の均熱ゾーンに入れた後、炉心管の両端
をガス導入と排出用のガラス管を差し込んだゴム栓で封
じ、炉心管内をアルゴンガスで十分に置換してからアル
ゴンガスを流しつつ昇温を開始し、温度が１０００°Ｃ
に達したらガスを硫化水素に切換え、温度を１０００°
Ｃに維持して硫化水素ガスを２００ｍｌ／分で３時間流
し続けた。
【００１７】但し、硫化水素ガスには塩素ガスを添加し
なかった。結果を表１に示す。 〔実施例２〕ケイ化モリブデン発熱体を使用した電気加
熱の横型管状炉に炉心管として内径５０ｍｍの石英管を
入れ、１ｍｍ位にショットされた純度９９．５％の金属
カルシウム７ｇを石英ボートに装填して電気炉の均熱ゾ
ーンに入れた後、炉心管の両端をガス導入と排出用のガ
ラス管を差し込んだゴム栓で封じ、炉心管内をアルゴン
ガスで十分に置換してからアルゴンガスを流しつつ昇温
を開始し、温度が８００°Ｃに達したらガスを硫化水素
に切換え、温度を８００°Ｃに維持して硫化水素ガスを
１００ｍｌ／分で３時間流し続けた。
なかった。結果を表１に示す。 〔実施例２〕ケイ化モリブデン発熱体を使用した電気加
熱の横型管状炉に炉心管として内径５０ｍｍの石英管を
入れ、１ｍｍ位にショットされた純度９９．５％の金属
カルシウム７ｇを石英ボートに装填して電気炉の均熱ゾ
ーンに入れた後、炉心管の両端をガス導入と排出用のガ
ラス管を差し込んだゴム栓で封じ、炉心管内をアルゴン
ガスで十分に置換してからアルゴンガスを流しつつ昇温
を開始し、温度が８００°Ｃに達したらガスを硫化水素
に切換え、温度を８００°Ｃに維持して硫化水素ガスを
１００ｍｌ／分で３時間流し続けた。
【００１８】硫化水素ガスには常時塩素ガスを０．５ｍ
ｌ／分で混合した。このときの塩素の対シリコン添加量
は、２．３ｍｏｌ％である。結果を表１に示す。 〔比較例２〕実施例２と同様に、ケイ化モリブデン発熱
体を使用した電気加熱の横型管状炉に炉心管として内径
５０ｍｍの石英管を入れ、１ｍｍ位にショットされた純
度９９．５％の金属カルシウム７ｇを石英ボートに装填
して電気炉の均熱ゾーンに入れた後、炉心管の両端をガ
ス導入と排出用のガラス管を差し込んだゴム栓で封じ、
炉心管内をアルゴンガスで十分に置換してからアルゴン
ガスを流しつつ昇温を開始し、温度が８００°Ｃに達し
たらガスを硫化水素に切換え、温度を８００°Ｃに維持
して硫化水素ガスを１００ｍｌ／分で３時間流し続け
た。
ｌ／分で混合した。このときの塩素の対シリコン添加量
は、２．３ｍｏｌ％である。結果を表１に示す。 〔比較例２〕実施例２と同様に、ケイ化モリブデン発熱
体を使用した電気加熱の横型管状炉に炉心管として内径
５０ｍｍの石英管を入れ、１ｍｍ位にショットされた純
度９９．５％の金属カルシウム７ｇを石英ボートに装填
して電気炉の均熱ゾーンに入れた後、炉心管の両端をガ
ス導入と排出用のガラス管を差し込んだゴム栓で封じ、
炉心管内をアルゴンガスで十分に置換してからアルゴン
ガスを流しつつ昇温を開始し、温度が８００°Ｃに達し
たらガスを硫化水素に切換え、温度を８００°Ｃに維持
して硫化水素ガスを１００ｍｌ／分で３時間流し続け
た。
【００１９】但し、硫化水素ガスには塩素ガスを添加し
なかった。結果を表１に示す。表１の結果から、実施例
１及び実施例２では、金属原料の内部まで反応が完了し
ているのに対し、比較例１では、金属原料の内部には未
反応の部分が多く、比較例２でも金属原料の内部の反応
が十分に進んでいないことがわかる。
なかった。結果を表１に示す。表１の結果から、実施例
１及び実施例２では、金属原料の内部まで反応が完了し
ているのに対し、比較例１では、金属原料の内部には未
反応の部分が多く、比較例２でも金属原料の内部の反応
が十分に進んでいないことがわかる。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の金属硫化
物の製造法では、金属と硫黄あるいは硫化水素とを反応
させて金属硫化物を製造するにあたり、ハロゲンを硫黄
源と共に金属原料へ供給して、反応によって生成する硫
化物層よにる反応阻害を軽減し、同時に金属原料をハロ
ゲン化することで反応性を改善し、反応温度の低下や反
応時間の短縮を可能とする。このように反応性が改善さ
れ反応が促進されるので生産性が向上する。また、反応
温度の低下により使用する装置の材質の選択幅が大きく
なり、エネルギーコストも低減することができる。
物の製造法では、金属と硫黄あるいは硫化水素とを反応
させて金属硫化物を製造するにあたり、ハロゲンを硫黄
源と共に金属原料へ供給して、反応によって生成する硫
化物層よにる反応阻害を軽減し、同時に金属原料をハロ
ゲン化することで反応性を改善し、反応温度の低下や反
応時間の短縮を可能とする。このように反応性が改善さ
れ反応が促進されるので生産性が向上する。また、反応
温度の低下により使用する装置の材質の選択幅が大きく
なり、エネルギーコストも低減することができる。
Claims (4)
- 【請求項１】 金属と硫黄あるいは硫化水素とを反応さ
せて金属硫化物を製造する金属硫化物の製造法であっ
て、金属と硫黄あるいは硫化水素とを反応させるとき、
ハロゲンを介在させることを特徴とする金属硫化物の製
造法。 - 【請求項２】 金属が、シリコン、リチウム、カルシウ
ム、ストロンチウム、アルミニウム、カドミウム、亜
鉛、又はガリウムであることを特徴とする請求項１記載
の金属硫化物の製造法。 - 【請求項３】 ハロゲンが、塩素、ヨウ素、又は臭素で
あることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の金属
硫化物の製造法。 - 【請求項４】 ハロゲンの添加量が、金属原料に対し
て、１ｍｏｌ％以上、５ｍｏｌ％以下であることを特徴
とする請求項１又は請求項２記載の金属硫化物の製造
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17740495A JPH0925105A (ja) | 1995-07-13 | 1995-07-13 | 金属硫化物の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17740495A JPH0925105A (ja) | 1995-07-13 | 1995-07-13 | 金属硫化物の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0925105A true JPH0925105A (ja) | 1997-01-28 |
Family
ID=16030347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17740495A Pending JPH0925105A (ja) | 1995-07-13 | 1995-07-13 | 金属硫化物の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0925105A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009007200A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Kuraray Luminas Co Ltd | 硫化イリジウムの製造方法 |
-
1995
- 1995-07-13 JP JP17740495A patent/JPH0925105A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009007200A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Kuraray Luminas Co Ltd | 硫化イリジウムの製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20050125 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20050802 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20051129 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |