JPH09251636A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH09251636A JPH09251636A JP5987996A JP5987996A JPH09251636A JP H09251636 A JPH09251636 A JP H09251636A JP 5987996 A JP5987996 A JP 5987996A JP 5987996 A JP5987996 A JP 5987996A JP H09251636 A JPH09251636 A JP H09251636A
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- JP
- Japan
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- film
- magnetic
- protective film
- peak
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 適度な靭性を持ち、耐久性が向上した磁気テ
ープを提供することを課題とする。 【解決手段】 支持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気
記録媒体において、前記保護膜は、Ｃ成分とＨ成分とを
有するものであり、かつ、ラマン分光スペクトルにおい
て、１５５０±５０ｃｍ-1の領域に強度がＩG のピーク
を有すると共に、２９００±２００ｃｍ-1の領域に強度
がＩCHのピークを有してなり、前記ＩCH／ＩG が０．１
〜１．４の範囲内の値である磁気記録媒体。
ープを提供することを課題とする。 【解決手段】 支持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気
記録媒体において、前記保護膜は、Ｃ成分とＨ成分とを
有するものであり、かつ、ラマン分光スペクトルにおい
て、１５５０±５０ｃｍ-1の領域に強度がＩG のピーク
を有すると共に、２９００±２００ｃｍ-1の領域に強度
がＩCHのピークを有してなり、前記ＩCH／ＩG が０．１
〜１．４の範囲内の値である磁気記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体に関
する。
する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】磁気テープにおいて
は、高密度記録化の要請から、支持体上に設けられる磁
性層として、バインダ樹脂を用いた塗布型のものではな
く、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが提案さ
れている。すなわち、無電解メッキ等の湿式メッキ手
段、真空蒸着やスパッタリングあるいはイオンプレーテ
ィング等の乾式メッキ手段により磁性層を形成した磁気
テープが提案されている。そして、この種の磁気テープ
は磁性体の充填密度が高く、高密度記録に適したもので
ある。
は、高密度記録化の要請から、支持体上に設けられる磁
性層として、バインダ樹脂を用いた塗布型のものではな
く、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが提案さ
れている。すなわち、無電解メッキ等の湿式メッキ手
段、真空蒸着やスパッタリングあるいはイオンプレーテ
ィング等の乾式メッキ手段により磁性層を形成した磁気
テープが提案されている。そして、この種の磁気テープ
は磁性体の充填密度が高く、高密度記録に適したもので
ある。
【０００３】この磁気テープの金属磁性膜を保護する為
に、各種の保護膜を表面に設けることが提案されてい
る。例えば、ダイヤモンドライクカーボン膜もこれらの
提案の一つである。尚、ダイヤモンドライクカーボン膜
は、例えば熱フィラメントＣＶＤ装置、光ＣＶＤ装置、
ＲＦプラズマＣＶＤ装置、マイクロ波プラズマＣＶＤ装
置、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置などのＣＶＤ
（ケミカルベーパーデポジション）装置によって設けら
れている。
に、各種の保護膜を表面に設けることが提案されてい
る。例えば、ダイヤモンドライクカーボン膜もこれらの
提案の一つである。尚、ダイヤモンドライクカーボン膜
は、例えば熱フィラメントＣＶＤ装置、光ＣＶＤ装置、
ＲＦプラズマＣＶＤ装置、マイクロ波プラズマＣＶＤ装
置、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置などのＣＶＤ
（ケミカルベーパーデポジション）装置によって設けら
れている。
【０００４】しかし、これまでのダイヤモンドライクカ
ーボン膜では、充分に満足できるものでないことが判っ
て来た。特に、支持体としてハードな円板が用いられた
磁気ディスクではなく、フレキシブルなプラスチック材
料が用いられた磁気テープ、特にヘリカルスキャン方式
の記録・再生装置に用いられる磁気テープの場合には、
磁気ヘッドに対する撓み性が良くなく、耐久性に劣るこ
とが判って来た。
ーボン膜では、充分に満足できるものでないことが判っ
て来た。特に、支持体としてハードな円板が用いられた
磁気ディスクではなく、フレキシブルなプラスチック材
料が用いられた磁気テープ、特にヘリカルスキャン方式
の記録・再生装置に用いられる磁気テープの場合には、
磁気ヘッドに対する撓み性が良くなく、耐久性に劣るこ
とが判って来た。
【０００５】従って、本発明は、適度な靭性を持ち、耐
久性が向上した磁気テープを提供することを課題とす
る。
久性が向上した磁気テープを提供することを課題とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記本発明の課題は、支
持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気記録媒体におい
て、前記保護膜は、Ｃ成分とＨ成分とを有するものであ
り、かつ、ラマン分光スペクトルにおいて、１５５０±
５０ｃｍ-1の領域に強度がＩG のピークを有すると共
に、２９００±２００ｃｍ-1の領域に強度がＩCHのピー
クを有してなり、前記ＩCH／ＩG が０．１〜１．４の範
囲内の値であることを特徴とする磁気記録媒体によって
解決される。
持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気記録媒体におい
て、前記保護膜は、Ｃ成分とＨ成分とを有するものであ
り、かつ、ラマン分光スペクトルにおいて、１５５０±
５０ｃｍ-1の領域に強度がＩG のピークを有すると共
に、２９００±２００ｃｍ-1の領域に強度がＩCHのピー
クを有してなり、前記ＩCH／ＩG が０．１〜１．４の範
囲内の値であることを特徴とする磁気記録媒体によって
解決される。
【０００７】特に、支持体と磁性膜と保護膜とを有する
磁気記録媒体において、前記保護膜は、炭化水素が存在
する炭素系膜であり、かつ、ラマン分光スペクトルにお
いて、１５５０±５０ｃｍ-1の領域に強度がＩG のピー
クを有すると共に、２９００±２００ｃｍ-1の領域に強
度がＩCHのピークを有してなり、前記ＩCH／ＩG が０．
１〜１．４の範囲内の値であることを特徴とする磁気記
録媒体によって解決される。
磁気記録媒体において、前記保護膜は、炭化水素が存在
する炭素系膜であり、かつ、ラマン分光スペクトルにお
いて、１５５０±５０ｃｍ-1の領域に強度がＩG のピー
クを有すると共に、２９００±２００ｃｍ-1の領域に強
度がＩCHのピークを有してなり、前記ＩCH／ＩG が０．
１〜１．４の範囲内の値であることを特徴とする磁気記
録媒体によって解決される。
【０００８】更には、支持体と磁性膜と保護膜とを有す
る磁気記録媒体において、前記保護膜は、炭化水素が存
在するダイヤモンドライクカーボン系膜であり、かつ、
ラマン分光スペクトルにおいて、１５５０±５０ｃｍ-1
の領域にダイヤモンドライクカーボンに起因する強度が
ＩG のピークを有すると共に、２９００±２００ｃｍ-1
の領域に前記ダイヤモンドライクカーボンの膜中に含ま
れる炭化水素のＣ−Ｈ結合に起因する強度がＩCHのピー
クを有してなり、前記ＩCH／ＩG が０．１〜１．４の範
囲内の値であることを特徴とする磁気記録媒体によって
解決される。
る磁気記録媒体において、前記保護膜は、炭化水素が存
在するダイヤモンドライクカーボン系膜であり、かつ、
ラマン分光スペクトルにおいて、１５５０±５０ｃｍ-1
の領域にダイヤモンドライクカーボンに起因する強度が
ＩG のピークを有すると共に、２９００±２００ｃｍ-1
の領域に前記ダイヤモンドライクカーボンの膜中に含ま
れる炭化水素のＣ−Ｈ結合に起因する強度がＩCHのピー
クを有してなり、前記ＩCH／ＩG が０．１〜１．４の範
囲内の値であることを特徴とする磁気記録媒体によって
解決される。
【０００９】尚、この磁気記録媒体において、０．４≦
ＩCH／ＩG ≦１．３であるものが好ましい。すなわち、
上記のように構成させた保護膜を有する磁気記録媒体
は、保護膜に炭化水素（Ｃ−Ｈ結合）が適度に存在し、
この為保護膜自体が適度な靭性を持つようになり、その
結果耐久性が向上する。
ＩCH／ＩG ≦１．３であるものが好ましい。すなわち、
上記のように構成させた保護膜を有する磁気記録媒体
は、保護膜に炭化水素（Ｃ−Ｈ結合）が適度に存在し、
この為保護膜自体が適度な靭性を持つようになり、その
結果耐久性が向上する。
【００１０】尚、本発明は、フレキシブルな支持体の上
に磁性膜が、磁性膜の上に保護膜が、保護膜の上に潤滑
剤が設けられた磁気テープにおいて、その特長が一層発
揮される。
に磁性膜が、磁性膜の上に保護膜が、保護膜の上に潤滑
剤が設けられた磁気テープにおいて、その特長が一層発
揮される。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明は、支持体と磁性膜と保護
膜とを有する磁気記録媒体において、前記保護膜は、Ｃ
成分とＨ成分とを有するものであり、かつ、ラマン分光
スペクトルにおいて、１５５０±５０ｃｍ-1の領域に強
度がＩG のピークを有すると共に、２９００±２００ｃ
ｍ-1の領域に強度がＩCHのピークを有してなり、前記Ｉ
CH／Ｉ G が０．１〜１．４の範囲内の値である。特に、
支持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気記録媒体におい
て、前記保護膜は、炭化水素が存在する炭素系膜であ
り、かつ、ラマン分光スペクトルにおいて、１５５０±
５０ｃｍ-1の領域に強度がＩG のピークを有すると共
に、２９００±２００ｃｍ-1の領域に強度がＩCHのピー
クを有してなり、前記ＩCH／ＩG が０．１〜１．４の範
囲内の値である。そして、特に、前記保護膜は、炭化水
素が存在するダイヤモンドライクカーボン系膜であり、
かつ、ラマン分光スペクトルにおいて、１５５０±５０
ｃｍ-1の領域にダイヤモンドライクカーボンに起因する
強度がＩG のピークを有すると共に、２９００±２００
ｃｍ-1の領域に前記ダイヤモンドライクカーボンの膜中
に含まれる炭化水素のＣ−Ｈ結合に起因する強度がＩCH
のピークを有してなり、前記ＩCH／ＩG が０．１〜１．
４の範囲内の値である。特に、０．４≦ＩCH／ＩG ≦
１．３である。
膜とを有する磁気記録媒体において、前記保護膜は、Ｃ
成分とＨ成分とを有するものであり、かつ、ラマン分光
スペクトルにおいて、１５５０±５０ｃｍ-1の領域に強
度がＩG のピークを有すると共に、２９００±２００ｃ
ｍ-1の領域に強度がＩCHのピークを有してなり、前記Ｉ
CH／Ｉ G が０．１〜１．４の範囲内の値である。特に、
支持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気記録媒体におい
て、前記保護膜は、炭化水素が存在する炭素系膜であ
り、かつ、ラマン分光スペクトルにおいて、１５５０±
５０ｃｍ-1の領域に強度がＩG のピークを有すると共
に、２９００±２００ｃｍ-1の領域に強度がＩCHのピー
クを有してなり、前記ＩCH／ＩG が０．１〜１．４の範
囲内の値である。そして、特に、前記保護膜は、炭化水
素が存在するダイヤモンドライクカーボン系膜であり、
かつ、ラマン分光スペクトルにおいて、１５５０±５０
ｃｍ-1の領域にダイヤモンドライクカーボンに起因する
強度がＩG のピークを有すると共に、２９００±２００
ｃｍ-1の領域に前記ダイヤモンドライクカーボンの膜中
に含まれる炭化水素のＣ−Ｈ結合に起因する強度がＩCH
のピークを有してなり、前記ＩCH／ＩG が０．１〜１．
４の範囲内の値である。特に、０．４≦ＩCH／ＩG ≦
１．３である。
【００１２】本発明におけるピーク強度ＩG ，ＩCHの求
め方について簡単に説明する。測定装置としては、スペ
ックス社のトリプルスペクトロメータを用いた。光源
は、３００ｍＷ出力の波長が４８８ｎｍのＡｒレーザで
ある。そして、サンプルＳに４８８ｎｍのＡｒレーザを
θが５°の角度で低角照射し、サンプルＳからの散乱光
のうち照射光線と９０°方向の散乱光を測定器（トリプ
ルスペクトロメータ）で分光測定する。測定時間（積算
時間）は１０分とし、少なくとも三点以上測定し、平均
値を求める。ＩG ，ＩCHを求める為には、先ず、ブラン
クレベルを調べる。すなわち、トリプルスペクトロメー
タにサンプルＳをセットせず、１０分間トリプルスペク
トロメータを作動させ、トリプルスペクトロメータのブ
ランクレベルを調べる。この後、トリプルスペクトロメ
ータにサンプルＳをセットし、１０分間トリプルスペク
トロメータを作動させ、ラマン分光スペクトルを得、前
記ブランクレベルを基準として各領域におけるピーク点
の強度ＩG ，ＩCH（ピーク点におけるブランクレベルか
らピーク値までの高さ）を求める。これについて三点以
上測定し、平均値を求める。詳細は特願平７−３００９
１９号明細書に記載されているから、これを参考にすれ
ば良い。
め方について簡単に説明する。測定装置としては、スペ
ックス社のトリプルスペクトロメータを用いた。光源
は、３００ｍＷ出力の波長が４８８ｎｍのＡｒレーザで
ある。そして、サンプルＳに４８８ｎｍのＡｒレーザを
θが５°の角度で低角照射し、サンプルＳからの散乱光
のうち照射光線と９０°方向の散乱光を測定器（トリプ
ルスペクトロメータ）で分光測定する。測定時間（積算
時間）は１０分とし、少なくとも三点以上測定し、平均
値を求める。ＩG ，ＩCHを求める為には、先ず、ブラン
クレベルを調べる。すなわち、トリプルスペクトロメー
タにサンプルＳをセットせず、１０分間トリプルスペク
トロメータを作動させ、トリプルスペクトロメータのブ
ランクレベルを調べる。この後、トリプルスペクトロメ
ータにサンプルＳをセットし、１０分間トリプルスペク
トロメータを作動させ、ラマン分光スペクトルを得、前
記ブランクレベルを基準として各領域におけるピーク点
の強度ＩG ，ＩCH（ピーク点におけるブランクレベルか
らピーク値までの高さ）を求める。これについて三点以
上測定し、平均値を求める。詳細は特願平７−３００９
１９号明細書に記載されているから、これを参考にすれ
ば良い。
【００１３】尚、保護膜上に潤滑剤が設けられたものに
ついてトリプルスペクトロメータでラマン分光スペクト
ルを調べると、潤滑剤のＣ−ＣやＣ−Ｈ結合に起因する
ピークが認められることも有る。このような場合には、
この潤滑剤のＣ−ＣやＣ−Ｈ結合に起因するピークを除
去した状態におけるＩG ，ＩCHを求め、ＩCH／ＩG を求
めるようにする。あるいは、潤滑剤を予め除去し、これ
についてトリプルスペクトロメータでラマン分光スペク
トルを調べ、ＩCH／ＩG を求める。
ついてトリプルスペクトロメータでラマン分光スペクト
ルを調べると、潤滑剤のＣ−ＣやＣ−Ｈ結合に起因する
ピークが認められることも有る。このような場合には、
この潤滑剤のＣ−ＣやＣ−Ｈ結合に起因するピークを除
去した状態におけるＩG ，ＩCHを求め、ＩCH／ＩG を求
めるようにする。あるいは、潤滑剤を予め除去し、これ
についてトリプルスペクトロメータでラマン分光スペク
トルを調べ、ＩCH／ＩG を求める。
【００１４】本発明の磁気記録媒体における支持体は、
磁性を有するものでも、非磁性のものでも良い。一般的
には非磁性のものである。例えば、ＰＥＴ等のポリエス
テル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリ
カーボネート、ポリプロピレン等のオレフィン系の樹
脂、セルロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といった
フレキシブルな高分子材料が用いられる。
磁性を有するものでも、非磁性のものでも良い。一般的
には非磁性のものである。例えば、ＰＥＴ等のポリエス
テル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリ
カーボネート、ポリプロピレン等のオレフィン系の樹
脂、セルロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といった
フレキシブルな高分子材料が用いられる。
【００１５】このフレキシブルな支持体上に、蒸着やス
パッタ等の乾式メッキ手段によって金属薄膜型の磁性膜
が５００〜５０００Å厚さ設けられる。金属薄膜型の磁
性膜を形成する磁性粒子の材料としては、例えばＦｅ，
Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐ
ｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ
−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合
金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、ある
いはこれらに異種の金属を含有させた合金が用いられ
る。尚、金属薄膜型の磁性膜としては、前記材料の窒化
物（例えば、Ｆｅ−Ｎ，Ｆｅ−Ｎ−Ｏ）や炭化物（例え
ば、Ｆｅ−Ｃ，Ｆｅ−Ｃ−Ｏ）等も挙げられる。
パッタ等の乾式メッキ手段によって金属薄膜型の磁性膜
が５００〜５０００Å厚さ設けられる。金属薄膜型の磁
性膜を形成する磁性粒子の材料としては、例えばＦｅ，
Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐ
ｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ
−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合
金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、ある
いはこれらに異種の金属を含有させた合金が用いられ
る。尚、金属薄膜型の磁性膜としては、前記材料の窒化
物（例えば、Ｆｅ−Ｎ，Ｆｅ−Ｎ−Ｏ）や炭化物（例え
ば、Ｆｅ−Ｃ，Ｆｅ−Ｃ−Ｏ）等も挙げられる。
【００１６】この金属磁性膜上に１０〜５００Å、特に
３０〜２００Å程度の保護膜が設けられる。この保護膜
は上記特徴を有するものである。このような保護膜は、
例えばグラファイトをターゲットにしたスパッタ手段で
成膜できる。但し、この成膜に際して、成膜条件を次の
ようにすることが大事である。 スパッタガス；不活性ガス（例えばＡｒ）と水素ガスと
の混合ガス 不活性ガスと水素ガスとの混合比；１００：２．０〜５
０ 真空度；２．０×１０-1〜２．０×１０-5Ｔｏｒｒ スパッタ電圧；１００〜８００ｖ テープ速度；０．０１〜０．４ｍ／ｍｉｎ すなわち、上記のような条件下で成膜することにより、
上記特徴を有するカーボン系の保護膜が得られる。特
に、炭化水素が存在する炭素系膜（炭素膜、Ｓｉ含有炭
素膜、Ｆ含有炭素膜）が得られ、この保護膜は適度な靭
性を持ち、その結果耐久性が向上する。
３０〜２００Å程度の保護膜が設けられる。この保護膜
は上記特徴を有するものである。このような保護膜は、
例えばグラファイトをターゲットにしたスパッタ手段で
成膜できる。但し、この成膜に際して、成膜条件を次の
ようにすることが大事である。 スパッタガス；不活性ガス（例えばＡｒ）と水素ガスと
の混合ガス 不活性ガスと水素ガスとの混合比；１００：２．０〜５
０ 真空度；２．０×１０-1〜２．０×１０-5Ｔｏｒｒ スパッタ電圧；１００〜８００ｖ テープ速度；０．０１〜０．４ｍ／ｍｉｎ すなわち、上記のような条件下で成膜することにより、
上記特徴を有するカーボン系の保護膜が得られる。特
に、炭化水素が存在する炭素系膜（炭素膜、Ｓｉ含有炭
素膜、Ｆ含有炭素膜）が得られ、この保護膜は適度な靭
性を持ち、その結果耐久性が向上する。
【００１７】上記のようにして金属磁性膜や保護膜が成
膜された後、フッ素系潤滑剤の膜が浸漬あるいは超音波
噴霧などの手段により２０〜７０Å程度の厚さ設けられ
る。潤滑剤としては、例えばHOOC-CF2(O-C2F4)p (OCF2)
q -OCF2-COOH ，F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF2COOH と言っ
たカルボキシル基変性パーフロオロポリエーテル、HOCH
2-CF2(O-C2F4) p (OCF2) q -OCF2-CH2OHと言ったアルコ
ール変性パーフロオロポリエーテル、又、分子の一方
に、又は、一部にアルキル基などの飽和炭化水素基、あ
るいは不飽和炭化水素基、若しくは芳香族炭化水素基、
その他の官能基が付いたもの等が挙げられる。具体的に
は、モンテカチーニ社のＦＯＭＢＬＩＮＺ ＤＩＡＣや
ＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ ＤＯＬ、ダイキン工業社のデムナ
ムＳＡ等がある。
膜された後、フッ素系潤滑剤の膜が浸漬あるいは超音波
噴霧などの手段により２０〜７０Å程度の厚さ設けられ
る。潤滑剤としては、例えばHOOC-CF2(O-C2F4)p (OCF2)
q -OCF2-COOH ，F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF2COOH と言っ
たカルボキシル基変性パーフロオロポリエーテル、HOCH
2-CF2(O-C2F4) p (OCF2) q -OCF2-CH2OHと言ったアルコ
ール変性パーフロオロポリエーテル、又、分子の一方
に、又は、一部にアルキル基などの飽和炭化水素基、あ
るいは不飽和炭化水素基、若しくは芳香族炭化水素基、
その他の官能基が付いたもの等が挙げられる。具体的に
は、モンテカチーニ社のＦＯＭＢＬＩＮＺ ＤＩＡＣや
ＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ ＤＯＬ、ダイキン工業社のデムナ
ムＳＡ等がある。
【００１８】
【実施例１】図１は、本発明になる８ｍｍＶＴＲ用磁気
テープの第１実施例の概略図である。図１中、１は約６
μｍ厚のＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）製支持
体である。
テープの第１実施例の概略図である。図１中、１は約６
μｍ厚のＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）製支持
体である。
【００１９】２は、支持体１表面に斜め蒸着法により設
けられた２０００Å厚のＣｏ金属磁性膜である。３は、
支持体１裏面上に蒸着法により設けられた２０００Å厚
のＡｌ−Ｃｕ合金膜（バックコート層）である。４は１
００Å厚の保護膜である。この保護膜４は炭化水素を含
有する炭素系膜であり、下記の条件下においてスパッタ
によってＣｏ金属磁性膜２上に設けられたものである。
けられた２０００Å厚のＣｏ金属磁性膜である。３は、
支持体１裏面上に蒸着法により設けられた２０００Å厚
のＡｌ−Ｃｕ合金膜（バックコート層）である。４は１
００Å厚の保護膜である。この保護膜４は炭化水素を含
有する炭素系膜であり、下記の条件下においてスパッタ
によってＣｏ金属磁性膜２上に設けられたものである。
【００２０】ターゲット材料；グラファイト スパッタガス；Ａｒ＋Ｈ2 混合ガス（７．５：２．５） 混合ガス流量；９×１０-6Ｔｏｒｒの真空度が４．０×
１０-3Ｔｏｒｒに スパッタ電圧；４８０ｖ テープ速度；０．５ｍ／ｍｉｎ この炭素系膜４について、スペックス社製のトリプル
スペクトロメータを用い、出力３００ｍＷのＡｒレーザ
（波長４８８ｎｍ）を照射して得られたラマン分光スペ
クトルが図２（フッ素系潤滑剤５ａ，５ｂが設けられる
前の段階において測定）に示される。これによれば、１
５４０ｃｍ-1の領域にダイヤモンドライクカーボンに起
因する強度ＩG が２１０ｃｐｓのピークと、３０００ｃ
ｍ-1の領域に前記ダイヤモンドライクカーボンの膜中に
含まれる炭化水素分子のＣ−Ｈ結合に起因する強度ＩCH
が２７３ｃｐｓのピークとが認められる。
１０-3Ｔｏｒｒに スパッタ電圧；４８０ｖ テープ速度；０．５ｍ／ｍｉｎ この炭素系膜４について、スペックス社製のトリプル
スペクトロメータを用い、出力３００ｍＷのＡｒレーザ
（波長４８８ｎｍ）を照射して得られたラマン分光スペ
クトルが図２（フッ素系潤滑剤５ａ，５ｂが設けられる
前の段階において測定）に示される。これによれば、１
５４０ｃｍ-1の領域にダイヤモンドライクカーボンに起
因する強度ＩG が２１０ｃｐｓのピークと、３０００ｃ
ｍ-1の領域に前記ダイヤモンドライクカーボンの膜中に
含まれる炭化水素分子のＣ−Ｈ結合に起因する強度ＩCH
が２７３ｃｐｓのピークとが認められる。
【００２１】５ａ，５ｂは、表面に設けられた２０Å厚
さのフッ素系潤滑剤（ＦＯＭＢＬＩＮＺ ＤＩＡＣ）で
ある。
さのフッ素系潤滑剤（ＦＯＭＢＬＩＮＺ ＤＩＡＣ）で
ある。
【００２２】
【実施例２】保護膜４形成のスパッタ条件を下記の通り
にした以外は、実施例１に準じて行った。 ターゲット材料；グラファイト スパッタガス；Ａｒ＋Ｈ2 混合ガス（８：２） 混合ガス流量；９×１０-6Ｔｏｒｒの真空度が４．０×
１０-3Ｔｏｒｒに スパッタ電圧；４５０ｖ テープ速度；０．５ｍ／ｍｉｎ この炭素系膜４について、スペックス社製のトリプル
スペクトロメータを用い、出力３００ｍＷのＡｒレーザ
（波長４８８ｎｍ）を照射して得られたラマン分光スペ
クトルが図３（フッ素系潤滑剤５ａ，５ｂが設けられる
前の段階において測定）に示される。これによれば、１
５４０ｃｍ-1の領域にダイヤモンドライクカーボンに起
因する強度ＩG が２００ｃｐｓのピークと、３０００ｃ
ｍ-1の領域に前記ダイヤモンドライクカーボンの膜中に
含まれる炭化水素分子のＣ−Ｈ結合に起因する強度ＩCH
が１８０ｃｐｓのピークとが認められる。
にした以外は、実施例１に準じて行った。 ターゲット材料；グラファイト スパッタガス；Ａｒ＋Ｈ2 混合ガス（８：２） 混合ガス流量；９×１０-6Ｔｏｒｒの真空度が４．０×
１０-3Ｔｏｒｒに スパッタ電圧；４５０ｖ テープ速度；０．５ｍ／ｍｉｎ この炭素系膜４について、スペックス社製のトリプル
スペクトロメータを用い、出力３００ｍＷのＡｒレーザ
（波長４８８ｎｍ）を照射して得られたラマン分光スペ
クトルが図３（フッ素系潤滑剤５ａ，５ｂが設けられる
前の段階において測定）に示される。これによれば、１
５４０ｃｍ-1の領域にダイヤモンドライクカーボンに起
因する強度ＩG が２００ｃｐｓのピークと、３０００ｃ
ｍ-1の領域に前記ダイヤモンドライクカーボンの膜中に
含まれる炭化水素分子のＣ−Ｈ結合に起因する強度ＩCH
が１８０ｃｐｓのピークとが認められる。
【００２３】
【実施例３】保護膜４形成のスパッタ条件を下記の通り
にした以外は、実施例１に準じて行った。 ターゲット材料；グラファイト スパッタガス；Ａｒ＋Ｈ2 混合ガス（９：１） 混合ガス流量；９×１０-6Ｔｏｒｒの真空度が４．０×
１０-3Ｔｏｒｒに スパッタ電圧；４２０ｖ テープ速度；０．５ｍ／ｍｉｎ この炭素系膜４について、スペックス社製のトリプル
スペクトロメータを用い、出力３００ｍＷのＡｒレーザ
（波長４８８ｎｍ）を照射して得られたラマン分光スペ
クトルが図４（フッ素系潤滑剤５ａ，５ｂが設けられる
前の段階において測定）に示される。これによれば、１
５４０ｃｍ-1の領域にダイヤモンドライクカーボンに起
因する強度ＩG が２０４ｃｐｓのピークと、３０００ｃ
ｍ-1の領域に前記ダイヤモンドライクカーボンの膜中に
含まれる炭化水素分子のＣ−Ｈ結合に起因する強度ＩCH
が１２２ｃｐｓのピークとが認められる。
にした以外は、実施例１に準じて行った。 ターゲット材料；グラファイト スパッタガス；Ａｒ＋Ｈ2 混合ガス（９：１） 混合ガス流量；９×１０-6Ｔｏｒｒの真空度が４．０×
１０-3Ｔｏｒｒに スパッタ電圧；４２０ｖ テープ速度；０．５ｍ／ｍｉｎ この炭素系膜４について、スペックス社製のトリプル
スペクトロメータを用い、出力３００ｍＷのＡｒレーザ
（波長４８８ｎｍ）を照射して得られたラマン分光スペ
クトルが図４（フッ素系潤滑剤５ａ，５ｂが設けられる
前の段階において測定）に示される。これによれば、１
５４０ｃｍ-1の領域にダイヤモンドライクカーボンに起
因する強度ＩG が２０４ｃｐｓのピークと、３０００ｃ
ｍ-1の領域に前記ダイヤモンドライクカーボンの膜中に
含まれる炭化水素分子のＣ−Ｈ結合に起因する強度ＩCH
が１２２ｃｐｓのピークとが認められる。
【００２４】
【比較例１】保護膜４形成のスパッタ条件を下記の通り
にした以外は、実施例１に準じて行った。 ターゲット材料；グラファイト スパッタガス；Ａｒ＋Ｈ2 混合ガス（６．５：３．５） 混合ガス流量；９×１０-6Ｔｏｒｒの真空度が３．２×
１０-3Ｔｏｒｒに スパッタ電圧；５００ｖ テープ速度；０．３ｍ／ｍｉｎ この炭素系膜４について、スペックス社製のトリプル
スペクトロメータを用い、出力３００ｍＷのＡｒレーザ
（波長４８８ｎｍ）を照射して得られたラマン分光スペ
クトルが図５（フッ素系潤滑剤５ａ，５ｂが設けられる
前の段階において測定）に示される。これによれば、１
５４０ｃｍ-1の領域にダイヤモンドライクカーボンに起
因する強度ＩG が２００ｃｐｓのピークと、３０００ｃ
ｍ-1の領域に前記ダイヤモンドライクカーボンの膜中に
含まれる炭化水素分子のＣ−Ｈ結合に起因する強度ＩCH
が３００ｃｐｓのピークとが認められる。
にした以外は、実施例１に準じて行った。 ターゲット材料；グラファイト スパッタガス；Ａｒ＋Ｈ2 混合ガス（６．５：３．５） 混合ガス流量；９×１０-6Ｔｏｒｒの真空度が３．２×
１０-3Ｔｏｒｒに スパッタ電圧；５００ｖ テープ速度；０．３ｍ／ｍｉｎ この炭素系膜４について、スペックス社製のトリプル
スペクトロメータを用い、出力３００ｍＷのＡｒレーザ
（波長４８８ｎｍ）を照射して得られたラマン分光スペ
クトルが図５（フッ素系潤滑剤５ａ，５ｂが設けられる
前の段階において測定）に示される。これによれば、１
５４０ｃｍ-1の領域にダイヤモンドライクカーボンに起
因する強度ＩG が２００ｃｐｓのピークと、３０００ｃ
ｍ-1の領域に前記ダイヤモンドライクカーボンの膜中に
含まれる炭化水素分子のＣ−Ｈ結合に起因する強度ＩCH
が３００ｃｐｓのピークとが認められる。
【００２５】
【比較例２】保護膜４形成のスパッタ条件を下記の通り
にした以外は、実施例１に準じて行った。 ターゲット材料；グラファイト スパッタガス；Ａｒガス 混合ガス流量；９×１０-6Ｔｏｒｒの真空度が３．２×
１０-3Ｔｏｒｒに スパッタ電圧；５２０ｖ テープ速度；０．５ｍ／ｍｉｎ この炭素系膜４について、スペックス社製のトリプル
スペクトロメータを用い、出力３００ｍＷのＡｒレーザ
（波長４８８ｎｍ）を照射して得られたラマン分光スペ
クトルが図６（フッ素系潤滑剤５ａ，５ｂが設けられる
前の段階において測定）に示される。これによれば、１
５４０ｃｍ-1の領域にダイヤモンドライクカーボンに起
因するピークが認められたものの、２９００±２００ｃ
ｍ-1の領域にＣ−Ｈ結合に起因するピークは認めらな
い。
にした以外は、実施例１に準じて行った。 ターゲット材料；グラファイト スパッタガス；Ａｒガス 混合ガス流量；９×１０-6Ｔｏｒｒの真空度が３．２×
１０-3Ｔｏｒｒに スパッタ電圧；５２０ｖ テープ速度；０．５ｍ／ｍｉｎ この炭素系膜４について、スペックス社製のトリプル
スペクトロメータを用い、出力３００ｍＷのＡｒレーザ
（波長４８８ｎｍ）を照射して得られたラマン分光スペ
クトルが図６（フッ素系潤滑剤５ａ，５ｂが設けられる
前の段階において測定）に示される。これによれば、１
５４０ｃｍ-1の領域にダイヤモンドライクカーボンに起
因するピークが認められたものの、２９００±２００ｃ
ｍ-1の領域にＣ−Ｈ結合に起因するピークは認めらな
い。
【００２６】
【特性】上記各例で得た８ｍｍＶＴＲ用磁気テープにつ
いて、スチル耐久性を調べたので、その結果を表−１に
示す。 表−１ ＩCH／ＩG スチル耐久性（ｈｒ） 実施例１ １．３０ ４．８ 実施例２ ０．９０ ５．４ 実施例３ ０．６０ ５．２ 比較例１ １．５０ １．２ 比較例２ ０ １．２ ＊スチル耐久性は、２０℃、５０％ＲＨの雰囲気下でスチル再生を行い、出 力が３ｄＢ低下するに要した時間 この結果から、磁気テープの金属磁性膜上に設けられる
保護膜が本発明になるものの場合、耐久性に優れている
ことが判る。
いて、スチル耐久性を調べたので、その結果を表−１に
示す。 表−１ ＩCH／ＩG スチル耐久性（ｈｒ） 実施例１ １．３０ ４．８ 実施例２ ０．９０ ５．４ 実施例３ ０．６０ ５．２ 比較例１ １．５０ １．２ 比較例２ ０ １．２ ＊スチル耐久性は、２０℃、５０％ＲＨの雰囲気下でスチル再生を行い、出 力が３ｄＢ低下するに要した時間 この結果から、磁気テープの金属磁性膜上に設けられる
保護膜が本発明になるものの場合、耐久性に優れている
ことが判る。
【００２７】
【発明の効果】耐久性に優れたものが得られる。
【図１】本発明になる磁気テープの概略図
【図２】実施例１の磁気テープの保護膜のラマン分光ス
ペクトル
ペクトル
【図３】実施例２の磁気テープの保護膜のラマン分光ス
ペクトル
ペクトル
【図４】実施例３の磁気テープの保護膜のラマン分光ス
ペクトル
ペクトル
【図５】比較例１の磁気テープの保護膜のラマン分光ス
ペクトル
ペクトル
【図６】比較例２の磁気テープの保護膜のラマン分光ス
ペクトル
ペクトル
１ 支持体 ２ Ｃｏ金属磁性膜 ３ Ａｌ−Ｃｕ合金膜 ４ ダイヤモンドライクカーボン系膜（保護膜）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 志賀 章 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】 支持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気
記録媒体において、前記保護膜は、 Ｃ成分とＨ成分とを有するものであり、 かつ、ラマン分光スペクトルにおいて、１５５０±５０
ｃｍ-1の領域に強度がＩG のピークを有すると共に、２
９００±２００ｃｍ-1の領域に強度がＩCHのピークを有
してなり、 前記ＩCH／ＩG が０．１〜１．４の範囲内の値であるこ
とを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 支持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気
記録媒体において、前記保護膜は、 炭化水素が存在する炭素系膜であり、 かつ、ラマン分光スペクトルにおいて、１５５０±５０
ｃｍ-1の領域に強度がＩG のピークを有すると共に、２
９００±２００ｃｍ-1の領域に強度がＩCHのピークを有
してなり、 前記ＩCH／ＩG が０．１〜１．４の範囲内の値であるこ
とを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項３】 支持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気
記録媒体において、 前記保護膜は、 炭化水素が存在するダイヤモンドライクカーボン系膜で
あり、 かつ、ラマン分光スペクトルにおいて、１５５０±５０
ｃｍ-1の領域にダイヤモンドライクカーボンに起因する
強度がＩG のピークを有すると共に、２９００±２００
ｃｍ-1の領域に前記ダイヤモンドライクカーボンの膜中
に含まれる炭化水素のＣ−Ｈ結合に起因する強度がＩCH
のピークを有してなり、 前記ＩCH／ＩG が０．１〜１．４の範囲内の値であるこ
とを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項４】 保護膜におけるＩCH／ＩG が０．４〜
１．３の範囲内の値であることを特徴とする請求項１〜
請求項３いずれかの磁気記録媒体。 - 【請求項５】 フレキシブルな支持体の上に磁性膜が、
磁性膜の上に保護膜が、保護膜の上に潤滑剤が設けられ
た磁気テープである請求項１〜請求項４いずれかの磁気
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5987996A JPH09251636A (ja) | 1996-03-18 | 1996-03-18 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5987996A JPH09251636A (ja) | 1996-03-18 | 1996-03-18 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09251636A true JPH09251636A (ja) | 1997-09-22 |
Family
ID=13125885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5987996A Pending JPH09251636A (ja) | 1996-03-18 | 1996-03-18 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09251636A (ja) |
-
1996
- 1996-03-18 JP JP5987996A patent/JPH09251636A/ja active Pending
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