JPH09270119A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH09270119A JPH09270119A JP8078863A JP7886396A JPH09270119A JP H09270119 A JPH09270119 A JP H09270119A JP 8078863 A JP8078863 A JP 8078863A JP 7886396 A JP7886396 A JP 7886396A JP H09270119 A JPH09270119 A JP H09270119A
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- JP
- Japan
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- film
- magnetic
- protective film
- peak
- carbon
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ヘッドタッチに優れた磁気テープを提供する
ことを課題とする。 【解決手段】 支持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気
記録媒体において、前記保護膜は、Ｃ成分とＨ成分とを
有するものであり、かつ、ラマン分光スペクトルにおい
て、１５５０±５０ｃｍ-1の領域に強度がＩG のピーク
を有すると共に、２９００±２００ｃｍ-1の領域に強度
がＩCHのピークを有してなり、前記ＩCH／ＩG が１．７
より大きいものである磁気記録媒体。
ことを課題とする。 【解決手段】 支持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気
記録媒体において、前記保護膜は、Ｃ成分とＨ成分とを
有するものであり、かつ、ラマン分光スペクトルにおい
て、１５５０±５０ｃｍ-1の領域に強度がＩG のピーク
を有すると共に、２９００±２００ｃｍ-1の領域に強度
がＩCHのピークを有してなり、前記ＩCH／ＩG が１．７
より大きいものである磁気記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体に関
する。
する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】磁気テープにおいて
は、高密度記録化の要請から、支持体上に設けられる磁
性層として、バインダ樹脂を用いた塗布型のものではな
く、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが提案さ
れている。すなわち、無電解メッキ等の湿式メッキ手
段、真空蒸着やスパッタリングあるいはイオンプレーテ
ィング等の乾式メッキ手段により磁性層を形成した磁気
テープが提案されている。そして、この種の磁気テープ
は磁性体の充填密度が高く、高密度記録に適したもので
ある。
は、高密度記録化の要請から、支持体上に設けられる磁
性層として、バインダ樹脂を用いた塗布型のものではな
く、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが提案さ
れている。すなわち、無電解メッキ等の湿式メッキ手
段、真空蒸着やスパッタリングあるいはイオンプレーテ
ィング等の乾式メッキ手段により磁性層を形成した磁気
テープが提案されている。そして、この種の磁気テープ
は磁性体の充填密度が高く、高密度記録に適したもので
ある。
【０００３】この磁気テープの金属磁性膜を保護する為
に、各種の保護膜を表面に設けることが提案されてい
る。例えば、ダイヤモンドライクカーボン膜もこれらの
提案の一つである。尚、ダイヤモンドライクカーボン膜
は、例えば熱フィラメントＣＶＤ装置、光ＣＶＤ装置、
ＲＦプラズマＣＶＤ装置、マイクロ波プラズマＣＶＤ装
置、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置などのＣＶＤ
（ケミカルベーパーデポジション）装置によって設けら
れている。
に、各種の保護膜を表面に設けることが提案されてい
る。例えば、ダイヤモンドライクカーボン膜もこれらの
提案の一つである。尚、ダイヤモンドライクカーボン膜
は、例えば熱フィラメントＣＶＤ装置、光ＣＶＤ装置、
ＲＦプラズマＣＶＤ装置、マイクロ波プラズマＣＶＤ装
置、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置などのＣＶＤ
（ケミカルベーパーデポジション）装置によって設けら
れている。
【０００４】しかし、これまでのダイヤモンドライクカ
ーボン膜では、充分に満足できるものでないことが判っ
て来た。特に、支持体としてハードな円板が用いられた
磁気ディスクではなく、フレキシブルなプラスチック材
料が用いられた磁気テープ、特にヘリカルスキャン方式
の記録・再生装置に用いられる磁気テープの場合には、
ヘッドタッチに満足できないことが判って来た。
ーボン膜では、充分に満足できるものでないことが判っ
て来た。特に、支持体としてハードな円板が用いられた
磁気ディスクではなく、フレキシブルなプラスチック材
料が用いられた磁気テープ、特にヘリカルスキャン方式
の記録・再生装置に用いられる磁気テープの場合には、
ヘッドタッチに満足できないことが判って来た。
【０００５】従って、本発明は、ヘッドタッチに優れた
磁気テープを提供することを課題とする。
磁気テープを提供することを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記本発明の課題は、支
持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気記録媒体におい
て、前記保護膜は、Ｃ成分とＨ成分とを有するものであ
り、かつ、ラマン分光スペクトルにおいて、１５５０±
５０ｃｍ-1の領域に強度がＩG のピークを有すると共
に、２９００±２００ｃｍ-1の領域に強度がＩCHのピー
クを有してなり、前記ＩCH／ＩG が１．７より大きいも
のであることを特徴とする磁気記録媒体によって解決さ
れる。
持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気記録媒体におい
て、前記保護膜は、Ｃ成分とＨ成分とを有するものであ
り、かつ、ラマン分光スペクトルにおいて、１５５０±
５０ｃｍ-1の領域に強度がＩG のピークを有すると共
に、２９００±２００ｃｍ-1の領域に強度がＩCHのピー
クを有してなり、前記ＩCH／ＩG が１．７より大きいも
のであることを特徴とする磁気記録媒体によって解決さ
れる。
【０００７】特に、支持体と磁性膜と保護膜とを有する
磁気記録媒体において、前記保護膜は、炭化水素が存在
する炭素系膜であり、かつ、ラマン分光スペクトルにお
いて、１５５０±５０ｃｍ-1の領域に強度がＩG のピー
クを有すると共に、２９００±２００ｃｍ-1の領域に強
度がＩCHのピークを有してなり、前記ＩCH／ＩG が１．
７より大きいものであることを特徴とする磁気記録媒体
によって解決される。
磁気記録媒体において、前記保護膜は、炭化水素が存在
する炭素系膜であり、かつ、ラマン分光スペクトルにお
いて、１５５０±５０ｃｍ-1の領域に強度がＩG のピー
クを有すると共に、２９００±２００ｃｍ-1の領域に強
度がＩCHのピークを有してなり、前記ＩCH／ＩG が１．
７より大きいものであることを特徴とする磁気記録媒体
によって解決される。
【０００８】更には、支持体と磁性膜と保護膜とを有す
る磁気記録媒体において、前記保護膜は、炭化水素が存
在するダイヤモンドライクカーボン系膜であり、かつ、
ラマン分光スペクトルにおいて、１５５０±５０ｃｍ-1
の領域にダイヤモンドライクカーボンに起因する強度が
ＩG のピークを有すると共に、２９００±２００ｃｍ-1
の領域に前記ダイヤモンドライクカーボンの膜中に含ま
れる炭化水素のＣ−Ｈ結合に起因する強度がＩCHのピー
クを有してなり、前記ＩCH／ＩG が１．７より大きいも
のであることを特徴とする磁気記録媒体によって解決さ
れる。
る磁気記録媒体において、前記保護膜は、炭化水素が存
在するダイヤモンドライクカーボン系膜であり、かつ、
ラマン分光スペクトルにおいて、１５５０±５０ｃｍ-1
の領域にダイヤモンドライクカーボンに起因する強度が
ＩG のピークを有すると共に、２９００±２００ｃｍ-1
の領域に前記ダイヤモンドライクカーボンの膜中に含ま
れる炭化水素のＣ−Ｈ結合に起因する強度がＩCHのピー
クを有してなり、前記ＩCH／ＩG が１．７より大きいも
のであることを特徴とする磁気記録媒体によって解決さ
れる。
【０００９】尚、この磁気記録媒体において、ＩCH／Ｉ
G が１７より小さいものが好ましい。特に、１．８≦Ｉ
CH／ＩG ≦１０であるものが好ましい。すなわち、上記
のように構成させた保護膜を有する磁気記録媒体は、保
護膜に炭化水素（Ｃ−Ｈ結合）が適度に存在し、この為
保護膜自体が適度な柔らかさを持つようになり、ヘッド
タッチに優れ、エンベロープ波形に歪み（例えば、前欠
け）がなく、再生特性に優れたものとなる。しかも、保
護膜としての機能も十分に発揮され、耐久性にも富むも
のである。
G が１７より小さいものが好ましい。特に、１．８≦Ｉ
CH／ＩG ≦１０であるものが好ましい。すなわち、上記
のように構成させた保護膜を有する磁気記録媒体は、保
護膜に炭化水素（Ｃ−Ｈ結合）が適度に存在し、この為
保護膜自体が適度な柔らかさを持つようになり、ヘッド
タッチに優れ、エンベロープ波形に歪み（例えば、前欠
け）がなく、再生特性に優れたものとなる。しかも、保
護膜としての機能も十分に発揮され、耐久性にも富むも
のである。
【００１０】尚、本発明は、フレキシブルな支持体の上
に磁性膜が、磁性膜の上に保護膜が、保護膜の上に潤滑
剤が設けられた磁気テープにおいて、その特長が一層発
揮される。
に磁性膜が、磁性膜の上に保護膜が、保護膜の上に潤滑
剤が設けられた磁気テープにおいて、その特長が一層発
揮される。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明は、支持体と磁性膜と保護
膜とを有する磁気記録媒体において、前記保護膜は、Ｃ
成分とＨ成分とを有するものであり、かつ、ラマン分光
スペクトルにおいて、１５５０±５０ｃｍ-1の領域に強
度がＩG のピークを有すると共に、２９００±２００ｃ
ｍ-1の領域に強度がＩCHのピークを有してなり、前記Ｉ
CH／Ｉ G が１．７より大きいものである。特に、支持体
と磁性膜と保護膜とを有する磁気記録媒体において、前
記保護膜は、炭化水素が存在する炭素系膜であり、か
つ、ラマン分光スペクトルにおいて、１５５０±５０ｃ
ｍ-1の領域に強度がＩG のピークを有すると共に、２９
００±２００ｃｍ-1の領域に強度がＩCHのピークを有し
てなり、前記ＩCH／ＩG が１．７より大きいものであ
る。そして、特に、前記保護膜は、炭化水素が存在する
ダイヤモンドライクカーボン系膜であり、かつ、ラマン
分光スペクトルにおいて、１５５０±５０ｃｍ-1の領域
にダイヤモンドライクカーボンに起因する強度がＩG の
ピークを有すると共に、２９００±２００ｃｍ-1の領域
に前記ダイヤモンドライクカーボンの膜中に含まれる炭
化水素のＣ−Ｈ結合に起因する強度がＩCHのピークを有
してなり、前記ＩCH／ＩG が１．７より大きいものであ
る。尚、ＩCH／ＩG が１７より小さい。特に、１．８≦
Ｉ CH／ＩG ≦１０である。
膜とを有する磁気記録媒体において、前記保護膜は、Ｃ
成分とＨ成分とを有するものであり、かつ、ラマン分光
スペクトルにおいて、１５５０±５０ｃｍ-1の領域に強
度がＩG のピークを有すると共に、２９００±２００ｃ
ｍ-1の領域に強度がＩCHのピークを有してなり、前記Ｉ
CH／Ｉ G が１．７より大きいものである。特に、支持体
と磁性膜と保護膜とを有する磁気記録媒体において、前
記保護膜は、炭化水素が存在する炭素系膜であり、か
つ、ラマン分光スペクトルにおいて、１５５０±５０ｃ
ｍ-1の領域に強度がＩG のピークを有すると共に、２９
００±２００ｃｍ-1の領域に強度がＩCHのピークを有し
てなり、前記ＩCH／ＩG が１．７より大きいものであ
る。そして、特に、前記保護膜は、炭化水素が存在する
ダイヤモンドライクカーボン系膜であり、かつ、ラマン
分光スペクトルにおいて、１５５０±５０ｃｍ-1の領域
にダイヤモンドライクカーボンに起因する強度がＩG の
ピークを有すると共に、２９００±２００ｃｍ-1の領域
に前記ダイヤモンドライクカーボンの膜中に含まれる炭
化水素のＣ−Ｈ結合に起因する強度がＩCHのピークを有
してなり、前記ＩCH／ＩG が１．７より大きいものであ
る。尚、ＩCH／ＩG が１７より小さい。特に、１．８≦
Ｉ CH／ＩG ≦１０である。
【００１２】本発明におけるピーク強度ＩG ，ＩCHの求
め方について簡単に説明する。測定装置としては、スペ
ックス社のトリプルスペクトロメータを用いた。光源
は、３００ｍＷ出力の波長が４８８ｎｍのＡｒレーザで
ある。そして、サンプルＳに４８８ｎｍのＡｒレーザを
θが５°の角度で低角照射し、サンプルＳからの散乱光
のうち照射光線と９０°方向の散乱光を測定器（トリプ
ルスペクトロメータ）で分光測定する。測定時間（積算
時間）は１０分とし、少なくとも三点以上測定し、平均
値を求める。ＩG ，ＩCHを求める為には、先ず、ブラン
クレベルを調べる。すなわち、トリプルスペクトロメー
タにサンプルＳをセットせず、１０分間トリプルスペク
トロメータを作動させ、トリプルスペクトロメータのブ
ランクレベルを調べる。この後、トリプルスペクトロメ
ータにサンプルＳをセットし、１０分間トリプルスペク
トロメータを作動させ、ラマン分光スペクトルを得、前
記ブランクレベルを基準として各領域におけるピーク点
の強度ＩG ，ＩCH（ピーク点におけるブランクレベルか
らピーク値までの高さ）を求める。これについて三点以
上測定し、平均値を求める。詳細は特願平７−３００９
１９号明細書に記載されているから、これを参考にすれ
ば良い。
め方について簡単に説明する。測定装置としては、スペ
ックス社のトリプルスペクトロメータを用いた。光源
は、３００ｍＷ出力の波長が４８８ｎｍのＡｒレーザで
ある。そして、サンプルＳに４８８ｎｍのＡｒレーザを
θが５°の角度で低角照射し、サンプルＳからの散乱光
のうち照射光線と９０°方向の散乱光を測定器（トリプ
ルスペクトロメータ）で分光測定する。測定時間（積算
時間）は１０分とし、少なくとも三点以上測定し、平均
値を求める。ＩG ，ＩCHを求める為には、先ず、ブラン
クレベルを調べる。すなわち、トリプルスペクトロメー
タにサンプルＳをセットせず、１０分間トリプルスペク
トロメータを作動させ、トリプルスペクトロメータのブ
ランクレベルを調べる。この後、トリプルスペクトロメ
ータにサンプルＳをセットし、１０分間トリプルスペク
トロメータを作動させ、ラマン分光スペクトルを得、前
記ブランクレベルを基準として各領域におけるピーク点
の強度ＩG ，ＩCH（ピーク点におけるブランクレベルか
らピーク値までの高さ）を求める。これについて三点以
上測定し、平均値を求める。詳細は特願平７−３００９
１９号明細書に記載されているから、これを参考にすれ
ば良い。
【００１３】尚、保護膜上に潤滑剤が設けられたものに
ついてトリプルスペクトロメータでラマン分光スペクト
ルを調べると、潤滑剤のＣ−ＣやＣ−Ｈ結合に起因する
ピークが認められることも有る。このような場合には、
この潤滑剤のＣ−ＣやＣ−Ｈ結合に起因するピークを除
去した状態におけるＩG ，ＩCHを求め、ＩCH／ＩG を求
めるようにする。あるいは、潤滑剤を予め除去し、これ
についてトリプルスペクトロメータでラマン分光スペク
トルを調べ、ＩCH／ＩG を求める。
ついてトリプルスペクトロメータでラマン分光スペクト
ルを調べると、潤滑剤のＣ−ＣやＣ−Ｈ結合に起因する
ピークが認められることも有る。このような場合には、
この潤滑剤のＣ−ＣやＣ−Ｈ結合に起因するピークを除
去した状態におけるＩG ，ＩCHを求め、ＩCH／ＩG を求
めるようにする。あるいは、潤滑剤を予め除去し、これ
についてトリプルスペクトロメータでラマン分光スペク
トルを調べ、ＩCH／ＩG を求める。
【００１４】本発明の磁気記録媒体における支持体は、
磁性を有するものでも、非磁性のものでも良い。一般的
には非磁性のものである。例えば、ＰＥＴ等のポリエス
テル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリ
カーボネート、ポリプロピレン等のオレフィン系の樹
脂、セルロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といった
フレキシブルな高分子材料が用いられる。
磁性を有するものでも、非磁性のものでも良い。一般的
には非磁性のものである。例えば、ＰＥＴ等のポリエス
テル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリ
カーボネート、ポリプロピレン等のオレフィン系の樹
脂、セルロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といった
フレキシブルな高分子材料が用いられる。
【００１５】このフレキシブルな支持体上に、蒸着やス
パッタ等の乾式メッキ手段によって金属薄膜型の磁性膜
が５００〜５０００Å厚さ設けられる。金属薄膜型の磁
性膜を形成する磁性粒子の材料としては、例えばＦｅ，
Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐ
ｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ
−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合
金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、ある
いはこれらに異種の金属を含有させた合金が用いられ
る。尚、金属薄膜型の磁性膜としては、前記材料の窒化
物（例えば、Ｆｅ−Ｎ，Ｆｅ−Ｎ−Ｏ）や炭化物（例え
ば、Ｆｅ−Ｃ，Ｆｅ−Ｃ−Ｏ）等も挙げられる。
パッタ等の乾式メッキ手段によって金属薄膜型の磁性膜
が５００〜５０００Å厚さ設けられる。金属薄膜型の磁
性膜を形成する磁性粒子の材料としては、例えばＦｅ，
Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐ
ｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ
−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合
金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、ある
いはこれらに異種の金属を含有させた合金が用いられ
る。尚、金属薄膜型の磁性膜としては、前記材料の窒化
物（例えば、Ｆｅ−Ｎ，Ｆｅ−Ｎ−Ｏ）や炭化物（例え
ば、Ｆｅ−Ｃ，Ｆｅ−Ｃ−Ｏ）等も挙げられる。
【００１６】この金属磁性膜上に１０〜５００Å、特に
３０〜２００Å程度の保護膜が設けられる。この保護膜
は上記特徴を有するものである。このような保護膜は、
例えばグラファイトをターゲットにしたスパッタ手段で
成膜できる。但し、この成膜に際して、成膜条件を次の
ようにすることが大事である。 スパッタガス；不活性ガス（例えばＡｒ）と水素ガスと
の混合ガス 不活性ガスと水素ガスとの混合比；１００：５５〜１０
０ 真空度；２．０×１０-1〜２．０×１０-5Ｔｏｒｒ スパッタ電圧；１００〜８００ｖ テープ速度；０．０１〜０．４ｍ／ｍｉｎ すなわち、上記のような条件下で成膜することにより、
上記特徴を有するカーボン系の保護膜が得られる。特
に、炭化水素が存在する炭素系膜（炭素膜、Ｓｉ含有炭
素膜、Ｆ含有炭素膜）が得られ、このものは適度な柔ら
かさを持ち、ヘッドタッチに優れ、エンベロープ波形に
歪み（例えば、前欠け）がなく、再生特性に優れたもの
となり、しかも保護膜としての機能も十分に発揮され、
耐久性にも富むものである。
３０〜２００Å程度の保護膜が設けられる。この保護膜
は上記特徴を有するものである。このような保護膜は、
例えばグラファイトをターゲットにしたスパッタ手段で
成膜できる。但し、この成膜に際して、成膜条件を次の
ようにすることが大事である。 スパッタガス；不活性ガス（例えばＡｒ）と水素ガスと
の混合ガス 不活性ガスと水素ガスとの混合比；１００：５５〜１０
０ 真空度；２．０×１０-1〜２．０×１０-5Ｔｏｒｒ スパッタ電圧；１００〜８００ｖ テープ速度；０．０１〜０．４ｍ／ｍｉｎ すなわち、上記のような条件下で成膜することにより、
上記特徴を有するカーボン系の保護膜が得られる。特
に、炭化水素が存在する炭素系膜（炭素膜、Ｓｉ含有炭
素膜、Ｆ含有炭素膜）が得られ、このものは適度な柔ら
かさを持ち、ヘッドタッチに優れ、エンベロープ波形に
歪み（例えば、前欠け）がなく、再生特性に優れたもの
となり、しかも保護膜としての機能も十分に発揮され、
耐久性にも富むものである。
【００１７】上記のようにして金属磁性膜や保護膜が成
膜された後、フッ素系潤滑剤の膜が浸漬あるいは超音波
噴霧などの手段により２０〜７０Å程度の厚さ設けられ
る。潤滑剤としては、例えばHOOC-CF2(O-C2F4)p (OCF2)
q -OCF2-COOH ，F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF2COOH と言っ
たカルボキシル基変性パーフロオロポリエーテル、HOCH
2-CF2(O-C2F4) p (OCF2) q -OCF2-CH2OHと言ったアルコ
ール変性パーフロオロポリエーテル、又、分子の一方
に、又は、一部にアルキル基などの飽和炭化水素基、あ
るいは不飽和炭化水素基、若しくは芳香族炭化水素基、
その他の官能基が付いたもの等が挙げられる。具体的に
は、モンテカチーニ社のＦＯＭＢＬＩＮＺ ＤＩＡＣや
ＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ ＤＯＬ、ダイキン工業社のデムナ
ムＳＡ等がある。
膜された後、フッ素系潤滑剤の膜が浸漬あるいは超音波
噴霧などの手段により２０〜７０Å程度の厚さ設けられ
る。潤滑剤としては、例えばHOOC-CF2(O-C2F4)p (OCF2)
q -OCF2-COOH ，F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF2COOH と言っ
たカルボキシル基変性パーフロオロポリエーテル、HOCH
2-CF2(O-C2F4) p (OCF2) q -OCF2-CH2OHと言ったアルコ
ール変性パーフロオロポリエーテル、又、分子の一方
に、又は、一部にアルキル基などの飽和炭化水素基、あ
るいは不飽和炭化水素基、若しくは芳香族炭化水素基、
その他の官能基が付いたもの等が挙げられる。具体的に
は、モンテカチーニ社のＦＯＭＢＬＩＮＺ ＤＩＡＣや
ＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ ＤＯＬ、ダイキン工業社のデムナ
ムＳＡ等がある。
【００１８】
【実施例１】図１は、本発明になる８ｍｍＶＴＲ用磁気
テープの第１実施例の概略図である。図１中、１は約６
μｍ厚のＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）製支持
体である。
テープの第１実施例の概略図である。図１中、１は約６
μｍ厚のＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）製支持
体である。
【００１９】２は、支持体１表面に斜め蒸着法により設
けられた２０００Å厚のＣｏ金属磁性膜である。３は、
支持体１裏面上に蒸着法により設けられた２０００Å厚
のＡｌ−Ｃｕ合金膜（バックコート層）である。４は１
００Å厚の保護膜である。この保護膜４は炭化水素を含
有する炭素系膜であり、下記の条件下においてスパッタ
によってＣｏ金属磁性膜２上に設けられたものである。
けられた２０００Å厚のＣｏ金属磁性膜である。３は、
支持体１裏面上に蒸着法により設けられた２０００Å厚
のＡｌ−Ｃｕ合金膜（バックコート層）である。４は１
００Å厚の保護膜である。この保護膜４は炭化水素を含
有する炭素系膜であり、下記の条件下においてスパッタ
によってＣｏ金属磁性膜２上に設けられたものである。
【００２０】 ターゲット材料；グラファイト スパッタガス；Ａｒ＋Ｈ2 混合ガス（６：４） 混合ガス流量；９×１０-6Ｔｏｒｒの真空度が８．２×
１０-4Ｔｏｒｒに スパッタ電圧；５３０ｖ テープ速度；０．３ｍ／ｍｉｎ この炭素系膜４について、スペックス社製のトリプル
スペクトロメータを用い、出力３００ｍＷのＡｒレーザ
（波長４８８ｎｍ）を照射して得られたラマン分光スペ
クトルが図２（フッ素系潤滑剤５ａ，５ｂが設けられる
前の段階において測定）に示される。これによれば、１
５４０ｃｍ-1の領域にダイヤモンドライクカーボンに起
因する強度ＩG が２００ｃｐｓのピークと、２９５０ｃ
ｍ-1の領域に前記ダイヤモンドライクカーボンの膜中に
含まれる炭化水素分子のＣ−Ｈ結合に起因する強度ＩCH
が３６０ｃｐｓのピークとが認められる。
１０-4Ｔｏｒｒに スパッタ電圧；５３０ｖ テープ速度；０．３ｍ／ｍｉｎ この炭素系膜４について、スペックス社製のトリプル
スペクトロメータを用い、出力３００ｍＷのＡｒレーザ
（波長４８８ｎｍ）を照射して得られたラマン分光スペ
クトルが図２（フッ素系潤滑剤５ａ，５ｂが設けられる
前の段階において測定）に示される。これによれば、１
５４０ｃｍ-1の領域にダイヤモンドライクカーボンに起
因する強度ＩG が２００ｃｐｓのピークと、２９５０ｃ
ｍ-1の領域に前記ダイヤモンドライクカーボンの膜中に
含まれる炭化水素分子のＣ−Ｈ結合に起因する強度ＩCH
が３６０ｃｐｓのピークとが認められる。
【００２１】５ａ，５ｂは、表面に設けられた２０Å厚
さのフッ素系潤滑剤（ＦＯＭＢＬＩＮＺ ＤＩＡＣ）で
ある。
さのフッ素系潤滑剤（ＦＯＭＢＬＩＮＺ ＤＩＡＣ）で
ある。
【００２２】
【実施例２】保護膜４形成のスパッタ条件を下記の通り
にした以外は、実施例１に準じて行った。 ターゲット材料；グラファイト スパッタガス；Ａｒ＋Ｈ2 混合ガス（５．５：４．５） 混合ガス流量；９×１０-6Ｔｏｒｒの真空度が６．４×
１０-4Ｔｏｒｒに スパッタ電圧；５８０ｖ テープ速度；０．２４ｍ／ｍｉｎ この炭素系膜４について、スペックス社製のトリプル
スペクトロメータを用い、出力３００ｍＷのＡｒレーザ
（波長４８８ｎｍ）を照射して得られたラマン分光スペ
クトルが図３（フッ素系潤滑剤５ａ，５ｂが設けられる
前の段階において測定）に示される。これによれば、１
５４０ｃｍ-1の領域にダイヤモンドライクカーボンに起
因する強度ＩG が１９０ｃｐｓのピークと、２９５０ｃ
ｍ-1の領域に前記ダイヤモンドライクカーボンの膜中に
含まれる炭化水素分子のＣ−Ｈ結合に起因する強度ＩCH
が３９９ｃｐｓのピークとが認められる。
にした以外は、実施例１に準じて行った。 ターゲット材料；グラファイト スパッタガス；Ａｒ＋Ｈ2 混合ガス（５．５：４．５） 混合ガス流量；９×１０-6Ｔｏｒｒの真空度が６．４×
１０-4Ｔｏｒｒに スパッタ電圧；５８０ｖ テープ速度；０．２４ｍ／ｍｉｎ この炭素系膜４について、スペックス社製のトリプル
スペクトロメータを用い、出力３００ｍＷのＡｒレーザ
（波長４８８ｎｍ）を照射して得られたラマン分光スペ
クトルが図３（フッ素系潤滑剤５ａ，５ｂが設けられる
前の段階において測定）に示される。これによれば、１
５４０ｃｍ-1の領域にダイヤモンドライクカーボンに起
因する強度ＩG が１９０ｃｐｓのピークと、２９５０ｃ
ｍ-1の領域に前記ダイヤモンドライクカーボンの膜中に
含まれる炭化水素分子のＣ−Ｈ結合に起因する強度ＩCH
が３９９ｃｐｓのピークとが認められる。
【００２３】
【実施例３】保護膜４形成のスパッタ条件を下記の通り
にした以外は、実施例１に準じて行った。 ターゲット材料；グラファイト スパッタガス；Ａｒ＋Ｈ2 混合ガス（５：５） 混合ガス流量；９×１０-6Ｔｏｒｒの真空度が４．２×
１０-4Ｔｏｒｒに スパッタ電圧；６００ｖ テープ速度；０．２０ｍ／ｍｉｎ この炭素系膜４について、スペックス社製のトリプル
スペクトロメータを用い、出力３００ｍＷのＡｒレーザ
（波長４８８ｎｍ）を照射して得られたラマン分光スペ
クトルが図４（フッ素系潤滑剤５ａ，５ｂが設けられる
前の段階において測定）に示される。これによれば、１
５４０ｃｍ-1の領域にダイヤモンドライクカーボンに起
因する強度ＩG が２１０ｃｐｓのピークと、２９５０ｃ
ｍ-1の領域に前記ダイヤモンドライクカーボンの膜中に
含まれる炭化水素分子のＣ−Ｈ結合に起因する強度ＩCH
が５２５ｃｐｓのピークとが認められる。
にした以外は、実施例１に準じて行った。 ターゲット材料；グラファイト スパッタガス；Ａｒ＋Ｈ2 混合ガス（５：５） 混合ガス流量；９×１０-6Ｔｏｒｒの真空度が４．２×
１０-4Ｔｏｒｒに スパッタ電圧；６００ｖ テープ速度；０．２０ｍ／ｍｉｎ この炭素系膜４について、スペックス社製のトリプル
スペクトロメータを用い、出力３００ｍＷのＡｒレーザ
（波長４８８ｎｍ）を照射して得られたラマン分光スペ
クトルが図４（フッ素系潤滑剤５ａ，５ｂが設けられる
前の段階において測定）に示される。これによれば、１
５４０ｃｍ-1の領域にダイヤモンドライクカーボンに起
因する強度ＩG が２１０ｃｐｓのピークと、２９５０ｃ
ｍ-1の領域に前記ダイヤモンドライクカーボンの膜中に
含まれる炭化水素分子のＣ−Ｈ結合に起因する強度ＩCH
が５２５ｃｐｓのピークとが認められる。
【００２４】
【比較例１】保護膜４形成のスパッタ条件を下記の通り
にした以外は、実施例１に準じて行った。 ターゲット材料；グラファイト スパッタガス；Ａｒ＋Ｈ2 混合ガス（６．５：３．５） 混合ガス流量；９×１０-6Ｔｏｒｒの真空度が２．８×
１０-3Ｔｏｒｒに スパッタ電圧；５３０ｖ テープ速度；０．３６ｍ／ｍｉｎ この炭素系膜４について、スペックス社製のトリプル
スペクトロメータを用い、出力３００ｍＷのＡｒレーザ
（波長４８８ｎｍ）を照射して得られたラマン分光スペ
クトルが図５（フッ素系潤滑剤５ａ，５ｂが設けられる
前の段階において測定）に示される。これによれば、１
５４０ｃｍ-1の領域にダイヤモンドライクカーボンに起
因する強度ＩG が２００ｃｐｓのピークと、２９５０ｃ
ｍ-1の領域に前記ダイヤモンドライクカーボンの膜中に
含まれる炭化水素分子のＣ−Ｈ結合に起因する強度ＩCH
が３２０ｃｐｓのピークとが認められる。
にした以外は、実施例１に準じて行った。 ターゲット材料；グラファイト スパッタガス；Ａｒ＋Ｈ2 混合ガス（６．５：３．５） 混合ガス流量；９×１０-6Ｔｏｒｒの真空度が２．８×
１０-3Ｔｏｒｒに スパッタ電圧；５３０ｖ テープ速度；０．３６ｍ／ｍｉｎ この炭素系膜４について、スペックス社製のトリプル
スペクトロメータを用い、出力３００ｍＷのＡｒレーザ
（波長４８８ｎｍ）を照射して得られたラマン分光スペ
クトルが図５（フッ素系潤滑剤５ａ，５ｂが設けられる
前の段階において測定）に示される。これによれば、１
５４０ｃｍ-1の領域にダイヤモンドライクカーボンに起
因する強度ＩG が２００ｃｐｓのピークと、２９５０ｃ
ｍ-1の領域に前記ダイヤモンドライクカーボンの膜中に
含まれる炭化水素分子のＣ−Ｈ結合に起因する強度ＩCH
が３２０ｃｐｓのピークとが認められる。
【００２５】
【比較例２】保護膜４形成のスパッタ条件を下記の通り
にした以外は、実施例１に準じて行った。 ターゲット材料；グラファイト スパッタガス；Ａｒ＋Ｈ2 混合ガス（７：３） 混合ガス流量；９×１０-6Ｔｏｒｒの真空度が３．６×
１０-3Ｔｏｒｒに スパッタ電圧；５３０ｖ テープ速度；０．４０ｍ／ｍｉｎ この炭素系膜４について、スペックス社製のトリプル
スペクトロメータを用い、出力３００ｍＷのＡｒレーザ
（波長４８８ｎｍ）を照射して得られたラマン分光スペ
クトルが図６（フッ素系潤滑剤５ａ，５ｂが設けられる
前の段階において測定）に示される。これによれば、１
５４０ｃｍ-1の領域にダイヤモンドライクカーボンに起
因する強度ＩG が２００ｃｐｓのピークと、２９５０ｃ
ｍ-1の領域に前記ダイヤモンドライクカーボンの膜中に
含まれる炭化水素分子のＣ−Ｈ結合に起因する強度ＩCH
が２４０ｃｐｓのピークとが認められる。
にした以外は、実施例１に準じて行った。 ターゲット材料；グラファイト スパッタガス；Ａｒ＋Ｈ2 混合ガス（７：３） 混合ガス流量；９×１０-6Ｔｏｒｒの真空度が３．６×
１０-3Ｔｏｒｒに スパッタ電圧；５３０ｖ テープ速度；０．４０ｍ／ｍｉｎ この炭素系膜４について、スペックス社製のトリプル
スペクトロメータを用い、出力３００ｍＷのＡｒレーザ
（波長４８８ｎｍ）を照射して得られたラマン分光スペ
クトルが図６（フッ素系潤滑剤５ａ，５ｂが設けられる
前の段階において測定）に示される。これによれば、１
５４０ｃｍ-1の領域にダイヤモンドライクカーボンに起
因する強度ＩG が２００ｃｐｓのピークと、２９５０ｃ
ｍ-1の領域に前記ダイヤモンドライクカーボンの膜中に
含まれる炭化水素分子のＣ−Ｈ結合に起因する強度ＩCH
が２４０ｃｐｓのピークとが認められる。
【００２６】
【特性】上記各例で得た８ｍｍＶＴＲ用磁気テープにつ
いて、アドバンテスト社のＴＲ４１７１型スペクトルア
ナライザを用い、ＲＢＷ(Resolution Band Width) ＝１
０ｋＨｚ，ＶＢＷ(Video Band Width)＝３０ｋＨｚ，周
波数スパン＝０ＭＨｚ，スイープタイム＝４０ｍｓ，平
均回数＝１６回の条件でエンベロープの測定を行い、前
欠け（出力変動）の程度を求め、これによりヘッドタッ
チを調べたので、その結果を表−１に示す。
いて、アドバンテスト社のＴＲ４１７１型スペクトルア
ナライザを用い、ＲＢＷ(Resolution Band Width) ＝１
０ｋＨｚ，ＶＢＷ(Video Band Width)＝３０ｋＨｚ，周
波数スパン＝０ＭＨｚ，スイープタイム＝４０ｍｓ，平
均回数＝１６回の条件でエンベロープの測定を行い、前
欠け（出力変動）の程度を求め、これによりヘッドタッ
チを調べたので、その結果を表−１に示す。
【００２７】又、スチル耐久性（２０℃、５０％ＲＨの
雰囲気下でスチル再生を行い、出力が３ｄＢ低下するに
要した時間）についても調べたので、その結果を併せて
表−１に示す。 表−１ ＩCH／ＩG ヘッドタッチ（出力変動ｄＢ） スチル耐久性（ｈｒ） 実施例１ １．８０ ０．２ ３．８ 実施例２ ２．１０ ０．２ ４．２ 実施例３ ２．５０ ０．３ ３．９ 比較例１ １．６０ １．０ ３．２ 比較例２ １．２０ １．２ ３．０ この結果から、磁気テープの金属磁性膜上に設けられる
保護膜が本発明になるものの場合、耐久性に優れるのみ
でなく、ヘッドタッチに優れており、再生特性が良い。
雰囲気下でスチル再生を行い、出力が３ｄＢ低下するに
要した時間）についても調べたので、その結果を併せて
表−１に示す。 表−１ ＩCH／ＩG ヘッドタッチ（出力変動ｄＢ） スチル耐久性（ｈｒ） 実施例１ １．８０ ０．２ ３．８ 実施例２ ２．１０ ０．２ ４．２ 実施例３ ２．５０ ０．３ ３．９ 比較例１ １．６０ １．０ ３．２ 比較例２ １．２０ １．２ ３．０ この結果から、磁気テープの金属磁性膜上に設けられる
保護膜が本発明になるものの場合、耐久性に優れるのみ
でなく、ヘッドタッチに優れており、再生特性が良い。
【００２８】
【発明の効果】耐久性や再生特性に優れたものが得られ
る。
る。
【図１】本発明になる磁気テープの概略図
【図２】実施例１の磁気テープの保護膜のラマン分光ス
ペクトル
ペクトル
【図３】実施例２の磁気テープの保護膜のラマン分光ス
ペクトル
ペクトル
【図４】実施例３の磁気テープの保護膜のラマン分光ス
ペクトル
ペクトル
【図５】比較例１の磁気テープの保護膜のラマン分光ス
ペクトル
ペクトル
【図６】比較例２の磁気テープの保護膜のラマン分光ス
ペクトル
ペクトル
１ 支持体 ２ Ｃｏ金属磁性膜 ３ Ａｌ−Ｃｕ合金膜 ４ ダイヤモンドライクカーボン系膜（保護膜）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 志賀 章 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】 支持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気
記録媒体において、 前記保護膜は、 Ｃ成分とＨ成分とを有するものであり、 かつ、ラマン分光スペクトルにおいて、１５５０±５０
ｃｍ-1の領域に強度がＩG のピークを有すると共に、２
９００±２００ｃｍ-1の領域に強度がＩCHのピークを有
してなり、 前記ＩCH／ＩG が１．７より大きいものであることを特
徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 支持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気
記録媒体において、 前記保護膜は、 炭化水素が存在する炭素系膜であり、 かつ、ラマン分光スペクトルにおいて、１５５０±５０
ｃｍ-1の領域に強度がＩG のピークを有すると共に、２
９００±２００ｃｍ-1の領域に強度がＩCHのピークを有
してなり、 前記ＩCH／ＩG が１．７より大きいものであることを特
徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項３】 支持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気
記録媒体において、 前記保護膜は、 炭化水素が存在するダイヤモンドライクカーボン系膜で
あり、 かつ、ラマン分光スペクトルにおいて、１５５０±５０
ｃｍ-1の領域にダイヤモンドライクカーボンに起因する
強度がＩG のピークを有すると共に、２９００±２００
ｃｍ-1の領域に前記ダイヤモンドライクカーボンの膜中
に含まれる炭化水素のＣ−Ｈ結合に起因する強度がＩCH
のピークを有してなり、 前記ＩCH／ＩG が１．７より大きいものであることを特
徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項４】 保護膜におけるＩCH／ＩG が１７より小
さいものであることを特徴とする請求項１〜請求項３い
ずれかの磁気記録媒体。 - 【請求項５】 フレキシブルな支持体の上に磁性膜が、
磁性膜の上に保護膜が、保護膜の上に潤滑剤が設けられ
た磁気テープである請求項１〜請求項４いずれかの磁気
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8078863A JPH09270119A (ja) | 1996-04-01 | 1996-04-01 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8078863A JPH09270119A (ja) | 1996-04-01 | 1996-04-01 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09270119A true JPH09270119A (ja) | 1997-10-14 |
Family
ID=13673674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8078863A Pending JPH09270119A (ja) | 1996-04-01 | 1996-04-01 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09270119A (ja) |
-
1996
- 1996-04-01 JP JP8078863A patent/JPH09270119A/ja active Pending
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