JPH09251996A5 - - Google Patents

Description

【発明の名称】半導体装置及びその製造方法

Claims (19)

1. 金属導電層又は半導体層を形成し、
   前記金属導電層又は前記半導体層を覆うように絶縁膜をＣＶＤ法により形成し、
   前記絶縁膜をエッチングしてコンタクトホールを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法において、
   前記絶縁膜のエッチングレートが上層に行くに従って段階的に又は連続的に増加するように前記絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 請求項１において、前記絶縁膜は、酸化珪素からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 請求項１または２において、ｒｆ出力を段階的に又は連続的に減少させることによって前記絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 金属導電層又は半導体層を形成し、
   前記金属導電層又は前記半導体層を覆うように第１の絶縁膜をＣＶＤ法により形成し、
   前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜をＣＶＤ法により形成し、
   前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜をエッチングしてコンタクトホールを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法において、
   前記第２の絶縁膜のエッチングレートが上層に行くに従って段階的又は連続的に増加するように前記第２の絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 請求項４において、前記第１の絶縁膜は、窒化珪素または酸化窒化珪素からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 請求項４または５において、前記第２の絶縁膜は、酸化珪素からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 請求項４乃至６のいずれか一において、ｒｆ出力を段階的に又は連続的に減少させることによって前記第２の絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 請求項１乃至７のいずれか一において、前記ＣＶＤ法はプラズマＣＶＤ法であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
9. 基板と、基板上に形成された絶縁膜と、を有する半導体装置において、
   前記絶縁膜は、配線を形成するためのコンタクトホールが形成されており、
   前記絶縁膜のエッチングレートは、上層に行くに従って段階的に又は連続的に増加していることを特徴とする半導体装置。
10. 請求項９において、前記絶縁膜は、酸化珪素からなることを特徴とする半導体装置。
11. 基板と、基板上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成された第２の絶縁膜と、を有する半導体装置において、
    前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜は、配線を形成するためのコンタクトホールが形成されており、
    前記第２の絶縁膜のエッチングレートは、上層に行くに従って段階的に又は連続的に増加していることを特徴とする半導体装置。
12. 請求項１１において、前記第１の絶縁膜は、窒化珪素または酸化窒化珪素からなることを特徴とする半導体装置。
13. 請求項１１または１２において、前記第２の絶縁膜は、酸化珪素からなること を特徴とする半導体装置。
14. 基板と、基板上に形成された下地膜と、前記下地膜上に形成された半導体膜と、前記半導体膜上に形成されたゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜上に形成されたゲイト電極と、前記半導体膜及び前記ゲイト電極を覆うように形成された層間絶縁膜と、を有する半導体装置において、
    前記層間絶縁膜は、前記半導体膜または前記ゲイト電極に接続される配線を形成するためのコンタクトホールが形成されており、
    前記層間絶縁膜のエッチングレートは、上層に行くに従って段階的に又は連続的に増加していることを特徴とする半導体装置。
15. 請求項１４において、前記層間絶縁膜は、酸化珪素からなることを特徴とする半導体装置。
16. 基板と、基板上に形成された下地膜と、前記下地膜上に形成された半導体膜と、前記半導体膜上に形成されたゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜上に形成されたゲイト電極と、前記半導体膜及び前記ゲイト電極を覆うように形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜上に形成された第２の層間絶縁膜と、を有する半導体装置において、
    前記第１の層間絶縁膜および前記第２の層間絶縁膜は、前記半導体膜または前記ゲイト電極に接続される配線を形成するためのコンタクトホールが形成されており、
    前記第２の層間絶縁膜のエッチングレートは、上層に行くに従って段階的に又は連続的に増加していることを特徴とする半導体装置。
17. 請求項１６において、前記第１の層間絶縁膜は、窒化珪素または酸化窒化珪素からなることを特徴とする半導体装置。
18. 請求項１６または１７において、前記第２の層間絶縁膜は、酸化珪素からなる ことを特徴とする半導体装置。
19. 請求項９乃至１８のいずれか一において、前記コンタクトホールは、テーパー状であることを特徴とする半導体装置。