JPH09252004A - バンプ電極形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ワイヤ５先端に放電によりボール５ａを形成
して、このボール５ａをキャピラリ４の下端で基板２の
電極形成予定部に超音波接続してバンプ電極９を形成す
る装置では、ボール５ａに酸化膜が形成されないよう
に、非酸化性ガスを放電領域に供給しているが、このガ
スの消費量が多いという問題があった。 【解決手段】 本発明装置は放電領域に非酸化性のガス
を供給するパイプ１７の先端に接続されるガス吐出口１
８ａをキャピラリ４に可及的に近接させたから、放電領
域を少量のガスで外気から遮断でき、良好な電極を形成
できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエーハの
電極形成予定部や絶縁基板上に形成した導電パターン上
の所定部分にバンプ電極（突起電極）を形成する装置に
関連した技術分野に属する。

【０００２】

【従来の技術】ＴＡＢ式半導体装置は一般的に、透孔を
穿設した絶縁テープに導電箔を積層しこの導電箔をエッ
チングして透孔内に延在するインナリードを含む導電パ
ターンを形成したＴＡＢテープを用い、このＴＡＢテー
プの透孔内にバンプ電極を有する半導体ペレットを配置
して、その電極とインナリード遊端部とを重合させ、熱
圧着法により重合部分を電気的に接続して製造される。
この半導体装置に用いられる半導体ペレットは、一枚の
半導体ウエーハ内に同一パターンの半導体回路素子を多
数整列して形成し、内部の回路素子と接続された端子を
半導体回路素子形成領域の周縁に沿って配置し、この端
子部分にバンプ電極を形成し、素子形成領域の隣接部分
から半導体ウエーハを切断して製造される。このバンプ
電極は一般的には、めっきや蒸着により一括形成される
が、キャピラリに挿通したワイヤの先端に金属ボールを
形成し、この金属ボールを超音波振動が付与されたキャ
ピラリの下端で電極形成予定部に押圧し接続が完了した
後、ワイヤを切断することによりバンプ電極を一つずつ
形成する方法も知られている。（例えば特開昭６２−１
１５７４８号公報、特開平３−２２９４２２号公報、特
開平６−２３２１３２号公報、特開平７−３７９３０号
公報（先行技術１）特開平７−３７８８９号公報（先行
技術２）などを参照） このワイヤを用いたバンプ電極形成装置の一例を図７及
び図８から説明する。図において、１は上面にバンプ電
極形成予定部（図示せず）を有する半導体ウエーハ２を
位置決めして支持する支持テーブルで、ＸＹテーブル
（図示せず）により水平面内で所定ピッチ移動してバン
プ電極形成予定部を所定の位置に位置決めする。この支
持テーブル１の内部には、図示しないが加熱手段が埋設
され半導体ウエーハ２は所定の温度に加熱される。３は
超音波振動が付与されるホーンで、図示省略するが中間
部が回動自在に支持されこの回動軸周りに揺動する。４
は人工ルビーなどの人工宝石やセラミックなどの硬質材
料からなるキャピラリで、軸を上下方向に配置してホー
ン３の一端に固定され、ホーン３の揺動によりキャピラ
リ４は上下動する。５はバンプ電極材料例えば、金、銅
などの金属や鉛−錫、銀−錫などの合金からなるワイヤ
で、スプール（図示せず）から繰り出され、キャピラリ
４に挿通されて先端をキャピラリ４の下端から突出させ
ている。ホーン３はその軸方向に移動可能で、キャピラ
リ４側に水平動して前進し、後退位置でキャピラリ４を
上下動させるように揺動し、下方位置に半導体ウエーハ
２の電極形成予定部が位置するように支持テーブル１の
位置が制御される。６は還元性を有する水素ガスや不活
性のアルゴンガス、窒素ガスあるいはこれらを混合した
非酸化性のガスが供給されるガス供給パイプで、先端部
が水平に延びガス吐出口６ａが前進位置にあるキャピラ
リ４の下端部側方に対向するように配置されている。７
はガス供給パイプ６の開口端６ａの外周下面より水平に
突出させた放電電極を示す。ガス供給パイプ６の先端部
と放電電極７とは支持テーブル１及びホーン３から独立
して固定配置された絶縁ブロック８に固定されている。
この装置の動作を以下に説明する。先ず、ホーン３を前
進させて、キャピラリ４に挿通されその下端から突出し
たワイヤ５を放電電極７上に位置させ、ワイヤ５と放電
電極７との間に高電圧を印加して放電させ、ワイヤ先端
に金属または合金の溶融ボール５ａを形成する。次に、
ホーン３を後退させてキャピラリ４を降下させ、予めＸ
Ｙテーブルにより位置決めされた半導体ウエーハ２の電
極形成予定部上にボール５ａを配置しキャピラリ４の下
端でボール５ａを超音波振動を付与しつつ押圧して接続
しバンプ電極９を形成する。このとき半導体ウエーハ２
は加熱されているため、電極９となるボール５ａは電極
形成予定部に強固に接着される。この後、ワイヤ５をキ
ャピラリ４に対して固定しホーン３を上昇させることに
より、ワイヤ５をバンプ電極（図示せず）近傍で切断
し、その先端部をキャピラリ４の先端からわずかに突出
させた状態で上昇させ、ＸＹテーブルにより半導体ウエ
ーハ２を所定ピッチ移動させて次のバンプ電極形成予定
部をキャピラリ４の下方位置に位置決めし図７の状態に
戻す。この後、上記動作を繰り返して順次、電極形成予
定部にバンプ電極９を形成することができる。この装置
は、ワイヤ５の径によりバンプ電極の径が決定されるた
め、十分な高さを確保して所定の径の電極９を形成する
ことができる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】図７装置では、バンプ
電極９の径から溶融ボール５ａの径が設定され、さらに
溶融ボール５ａの径からワイヤ５の径とキャピラリ４か
ら突出させるワイヤ５の長さが設定されるが、ワイヤ５
を空気と触れた状態で放電させると、金以外のワイヤで
はボール５ａの表面が酸化するだけでなく形状不良とな
り、電極形成予定部とボール５ａとの間に酸化膜が介在
したり、キャピラリ４による押圧力の分布状態不均一と
なり、バンプ電極９の接続強度が低下するという問題が
あった。このような問題を解決するには表面に酸化膜の
ない真球に近いボールを形成することが重要であるが、
良好なボールを形成するにはキャピラリ４から突出した
ワイヤ５を完全に含む領域を非酸化性ガスで満たす必要
があった。一方、パイプ６から吐出された非酸化性ガス
は乱流を生じると空気を巻き込むため、乱流を生じない
ようにガスを供給制御しなければならないが、乱流を生
じるかどうかはパイプ６の径、ガスの供給量、ガス吐出
口から放電領域までの距離などによって異なり、最適条
件の設定が困難で、その範囲がきわめて狭い。そのため
乱流による空気の巻き込みを考慮して、乱流領域が放電
領域から外れるようにガス供給パイプ６の開口径はワイ
ヤの突出長さより十分大きく設定されるが、この径を大
きくするとガス流量を大きくせざるを得ず、ガス消費量
が増大し、用力費が高くつくという問題があった。ま
た、ガス供給量を低減し乱流による空気の巻き込みのな
いガスを放電領域に供給し良好なボールを形成するた
め、ガス供給パイプ６の開口端６ａを放電領域に近接さ
せることも考えられるが、ガス供給パイプ６が金属製で
あると、キャピラリ４が静止状態乃至低速動作状態では
支障がなくても、高速動作させると、数回に一度は放電
電極７とパイプ６との間で異常放電を生じるようにな
り、このような異常放電を生じるとワイヤ５に溶融ボー
ル５ａを形成することができず、ボールを形成できたと
しても形状不良となることがあった。形状不良のボール
でバンプ電極を形成すると、その半導体ペレットが不良
になることがあるため、ガス供給パイプ６とキャピラリ
４の間隔を近接させることができず、ガス消費量の低減
もできなかった。また、非酸化性のガスが水素ガスを含
む場合、その消費量が大きいと、引火や空気と混合して
爆発する虞があるため局所排気設備を設置する必要があ
り、設備が大型化するという問題があった。このような
問題を解決するものとして先行技術１には不活性ガスと
水素ガスの供給パイプを別設し、水素ガスを放電時のみ
供給するようにしたバンプ電極形成装置が開示されてい
るが、依然としてガス供給パイプの開口径をワイヤの突
出長さより十分大きくする必要がありガス消費量を低減
することはできなかった。また、非酸化性ガスを供給す
るガス供給パイプ６の開口部から延長されて固定配置さ
れた放電電極７上にキャピラリ４の下端を位置させ、放
電により溶融ボール５ａを形成した後、キャピラリ４を
放電電極７と接触しない位置まで逃がして上下動させる
必要があるため、ボール５ａを形成後直ちにボンディン
グ作業ができず、高速動作できないという問題があっ
た。特に液晶表示装置の駆動回路装置のように数１００
個の電極を必要とする半導体装置では電極形成に要する
時間の短縮は重要で、このような素子が数１０乃至数百
形成された半導体ウエーハ一枚当たりの作業時間を大幅
に短縮するために改善が望まれていた。また、キャピラ
リ３は動作中に、放電と加熱されたウエーハ２への接触
により温度上昇するが、電極材料であるワイヤ５が、特
に半田などの低融点の合金の場合には、ボンディング前
に高温雰囲気に曝されると軟化して、超音波振動が有効
に伝達せず、電極形成予定部との接続強度が不十分とな
るという問題があった。このような問題を解決するもの
として、先行技術２には溶融ボールを形成する際のボー
ルの酸化防止を目的としたガス供給パイプの他に、キャ
ピラリを冷却するためのパイプを設けるようにした半導
体製造装置が開示されているが、ガスの消費量が多く、
用力費が高くつくという問題は依然として残されてい
た。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題の解決
を目的として提案されたもので、超音波振動が付与され
て上下動するキャピラリに電極材料からなるワイヤを挿
通してその先端をキャピラリ下端から突出させ、このワ
イヤの突出部分と放電電極との間で放電させてワイヤ先
端に溶融ボールを形成し、このボールをキャピラリ下端
で、支持テーブルに支持された基板上の電極形成予定部
に押圧しバンプ電極を形成する装置の、キャピラリ下端
から突出したワイヤと放電電極間の放電領域にガス供給
パイプに接続されたガスガイドのガス吐出部を可及的に
近接させて非酸化性のガスを供給するようにしたことを
特徴とするバンプ電極形成装置を提供する。ガス吐出部
をキャピラリ下端部に可及的に近接させるために、ガス
供給パイプに、電気的絶縁性を有しかつキャピラリと接
触してもその超音波振動への影響を可及的に抑制し得る
材料からなるガスガイドを接続する。このガスガイドは
電気的絶縁性を有しかつ柔軟性を有するテープ部材をガ
ス供給パイプの端部外周に巻回して構成することができ
るし、電気的絶縁性を有しかつ柔軟性を有する筒状部材
をガス供給パイプの端部に嵌着して構成することができ
る。このようなガスガイドを用いることによりキャピラ
リ下端部外周とガスガイドのガス吐出部との距離を２．
５ｍｍ以内に設定することができる。このガスガイドは
その軸方向中間からガス吐出部に向かってその内径を溶
融ボールの径に応じて縮径させることにより、ガス消費
量を最低限に抑えることができる。

【０００５】

【発明の実施の形態】本発明によるバンプ電極形成装置
は、電極形成予定部を有する基板を支持してＸＹ方向に
移動制御される支持テーブルと、電極材料からなるワイ
ヤを挿通し超音波振動が付与されて上下動するキャピラ
リと、キャピラリの下方位置を含む水平面内で往復動可
能に配置され、キャピラリ下端から突出させたワイヤに
対し相対的に高電位に設定されワイヤ先端との間で放電
させ、ワイヤ先端に溶融ボールを形成する放電電極と、
非酸化性のガスが供給されるガス供給パイプと、一端が
ガス供給パイプに連通し他端のガス吐出部がキャピラリ
下端部に可及的に近接されてキャピラリの軸に対して固
定配置されたガスガイドとを備え、ガスガイドにより形
成された非酸化性雰囲気内での放電により、キャピラリ
下端より突出させたワイヤ先端に形成したボールをキャ
ピラリ下端で超音波振動を付与しつつ基板の電極形成予
定部に押圧してバンプ電極を形成する。キャピラリ下端
部外周とガスガイドのガス吐出部との距離を２．５ｍｍ
以内に設定することにより、放電領域へのガス供給がボ
ールの品質に影響を与えることなく広い範囲にわたって
調整可能となる。ガス供給パイプに接続するガスガイド
は、電気的絶縁性を有しかつ柔軟性を持つ材料で構成す
ることにより、キャピラリと接触してもその超音波振動
への影響を可及的に抑制することができる。より具体的
には、電気的絶縁性を有しかつ柔軟性を有するテープ部
材をガス供給パイプの端部外周に巻回してガスガイドを
構成する。柔軟性を有する薄いテープ部材は数層に巻回
しても柔軟性を保持し、キャピラリと接触してもその超
音波振動に影響を与えない。また電気的絶縁性を有しか
つ柔軟性を有する筒状部材をガス供給パイプの端部に嵌
着してガスガイドを構成することもできる。ガスガイド
の軸方向中間からガス吐出部に向かって内径を縮径させ
ることにより、ガス吐出口の開口径を任意に設定するこ
とができ、供給するガスの量を最適に設定することがで
きる。

【０００６】

【実施例】以下に本発明の実施例を図１及び図２から説
明する。図において、図７と同一符号は同一物を示し、
重複する説明を省略する。本発明による装置ではホーン
３はその軸方向に往復動可能で、キャピラリ４側に突出
して、その位置でキャピラリ４を上下動させる。図中、
１０は放電電極で、揺動機構１１によりホーン３が前進
位置にあるキャピラリ４の下方位置を横切る水平面内で
往復動する。揺動機構１１は、図示例ではホーン３を揺
動自在に軸支するベース（図示せず）に接続された支持
部材（図示せず）に固定された固定ブロック１２と、放
電電極１０を固定し、固定ブロック１２に回転軸１３に
より回転自在に軸支された可動ブロック１４と、固定ブ
ロック１２と可動ブロック１４の対向する壁面間に挿入
されて、可動ブロック１４を外方に押し出すように弾性
力が付勢されたスプリング１５と、スプリング１５とは
逆方向に固定ブロック１２に対して可動ブロック１４を
吸引する磁性片１６ａと電磁石１６ｂとで構成された磁
気吸引手段１６とからなる。１７は還元性を有する水素
ガスと不活性のアルゴンガスを混合した非酸化性のガス
が供給されるガス供給パイプで、一端側１７ａがガス流
量制御部を介してガス供給源に接続され、中間部がホー
ン３を揺動自在に軸支するベース（図示せず）に接続さ
れた支持部材（図示せず）や半導体ウエーハ２を支持す
る支持テーブル１から独立して固定され、他端部１７ｂ
が上昇位置にあるキャピラリ４の下端部側方にガス吐出
口１８ａを開口している。このガス供給パイプ１７は、
金属製でも樹脂製でもよいが本発明の特徴は、このパイ
プの他端部１７ｂに柔軟性を有する筒状のガスガイド１
８を接続しその開口端であるガス吐出口１８ａを、キャ
ピラリ４の側壁に接触することも含めて可及的に近接さ
せキャピラリ４の軸に対して固定配置したことにある。
このガスガイド１８はキャピラリ４と接触してもその動
作に影響を与えない材料が選定される。具体的には電気
的絶縁性、耐熱性、柔軟性を合わせ持つ樹脂、例えばシ
リコーン樹脂が用いられ、その液を図３に示すようにパ
イプ１７の開口端及びこの開口端と隣接する内外周面に
薄く塗布して弾性を有する膜１９を形成しガス吐出口１
８ａを形成する。さらには、ガス吐出口１８ａの肉薄の
筒状先端部を細い繊維状にして柔軟性を向上させること
もできる。これにより、ガス吐出口１８ａがキャピラリ
４下端部分に近接配置されるからこのガス吐出口１８ａ
に近接した放電領域は完全に非酸化性ガス流内に位置し
この領域での外気の巻き込みがない。本発明者は、銀−
錫合金からなる直径４０μｍのワイヤ５を、キャピラリ
４下端より１ｍｍ突出させた状態で、この先端と放電電
極１０との間隔を０．５ｍｍに設定し、この間隙に２５
００Ｖの電位差を与え、この放電領域にガス吐出口１８
ａの内径が２ｍｍと４ｍｍの２通りのガスガイドで、水
素ガス１０％、残アルゴンガスの非酸化性ガスを供給
し、キャピラリ４とガスガイド１８の間隔を変化させ、
この距離ｄとボール５ａの状態を良好にできるガス流量
Ｑとの間に図４に示す関係があることを見い出した。即
ち、ガスガイド１８がない状態で金属製のガス供給パイ
プ１７をキャピラリ４に近接させた場合、距離ｄが２．
５ｍｍ以下となると、静止状態乃至低速動作では支障が
なくても、高速動作させると、数回に一度は放電電極１
０とパイプとの間で異常放電を生じるようになり、ワイ
ヤ５に溶融ボール５ａを形成することができず、ボール
を形成できたとしても形状不良となることがあって、距
離ｄを２．５ｍｍ以下に設定できなかった。また、ガス
流量が毎分１０リットルを越えると、水素濃度２５０ｐ
ｐｍに設定された防爆検知器が作動し、ガス爆発の危険
性が高まるため、強制排気装置を設置する必要性が出て
くる。これに対して、本発明装置では、ガス供給パイプ
にガスガイド１８を接続したことにより、２ｍｍ径のパ
イプでは図示黒丸で示す曲線、４ｍｍ径のパイプでは図
示白丸点線で示す曲線よりそれぞれ上のガス流量領域で
爆発や不所望な放電がなく、表面が酸化せず良好な形状
のボールを形成することができ、高速で連続して形状が
安定し接続強度が良好なバンプ電極を形成することがで
きた。距離ｄが２ｍｍを越えると、ガスガイドの開口径
差によるボールの品質の差はなく、間隔ｄが２ｍｍ以下
ではわずかではあるが差を生じ、距離ｄが０ｍｍ、即ち
ガスガイドのガス吐出口がキャピラリ４に接触している
状態では、径２ｍｍのパイプはガス流量Ｑが毎分０．３
リットル以上で、径４ｍｍのパイプは流量Ｑが毎分０．
５リットル以上で良好なボールが得られた。従来装置で
は距離ｄが２．５ｍｍ〜３．１ｍｍ、流量Ｑが毎分３．
０リットル〜１０リットルの範囲の図示斜線領域内、好
ましくは距離ｄが２．５ｍｍ〜２．８ｍｍ、流量Ｑが毎
分３リットル〜５．５リットルの図示格子領域内が最適
な設定領域であったのに対して、本発明装置では、放電
限界の制約が無く、室内防爆検知作動領域と曲線とで囲
まれる広い領域内で設定でき、特にガス流量Ｑを毎分
０．３リットルに絞っても良好なボールを形成できる。
このように、ガスガイド１８を可及的にキャピラリ４に
近接できるから、ガス流量Ｑを大幅に削減しても放電領
域を良好な非酸化性雰囲気に保つことができ、良好なボ
ールを形成できる。その結果、高速で連続して安定なバ
ンプ電極を形成でき、ガスの使用量を大幅に削減でき、
用力費を低く抑えることができる。この装置ではボール
を形成する上で最適なガス使用量を設定すると、自然換
気の状態で空気中に拡散し防爆限界を超えないため引火
や爆発の虞がなく、局所排気設備などの大がかりな設備
が不要で、装置全体の小型化が図れる。さらには、放電
位置とボンディング位置とが同一ポジションであるた
め、ボール形成後直ちにボンディング作業に移れ高速動
作をさせることができる。また、ガスガイド１８から吐
出されるガスは常にキャピラリの表面に吹きつけられる
から、キャピラリ１７の冷却ができ、低融点の合金ワイ
ヤを電極材料として用いる場合でも、ワイヤの温度上昇
による軟化が防止でき、超音波接続を良好にできる。ガ
スガイド１８は図３に示す構造だけでなく図５に示す変
形も可能である。具体的には四弗化エチレンなどの電気
的絶縁性、耐熱性、柔軟性を有するテープ、より具体的
には配管の接続部のシールに用いられるシールテープ
（例えば商品名バルカーテープシール）を巻回して柔軟
性を有する筒２０を形成している。この変形例では、パ
イプ１７の先端部からテープをパイプの軸方向にずらせ
て巻回しているため、筒部２０の先端部は肉薄となり柔
軟性が良好となるため、超音波振動が付与されたキャピ
ラリ４に触れても超音波振動のエネルギー吸収が少なく
ボンディングに影響を与えないため、ガス吐出口１８ａ
をキャピラリ４に接触する位置まで近接させることがで
きる。この変形例ではテープを多層に巻いたが、幅広の
テープを１層巻き回しあるいは、樋状に半回転巻き回し
てもよい。また図６はガスガイド１８の変形例を示し、
シリコーン樹脂などの耐熱性、電気的絶縁性、柔軟性を
有する樹脂によって成形された筒状部材２１で、一端が
ガス供給パイプ１７に嵌合され、他端が径小かつ肉薄に
形成されている。このガスガイド１８は成形体であるた
め、ガス供給パイプ１７への装着や交換が容易にでき
る。また、図示例ではガスガイド１８のガス吐出口１８
ａ部分の小径部を単純な筒状に形成したが、この小径部
分の軸方向中間にくびれ部や蛇腹部分を形成して小径部
の可撓性を向上させ、柔軟性を有する樹脂を筒状に成形
することにより低下した柔軟性を可撓性を付与すること
により改善でき、ガスガイド１８がキャピラリ４に接触
しても超音波振動に対する影響を減ずることができる。
尚、本発明は上記実施例にのみ限定されるものではな
く、例えば、この装置は、半導体ウエーハだけでなく、
絶縁基板に導電パターンを形成し混成集積回路装置用あ
るいは電子回路装置一般用として用いられる印刷配線基
板に適用することができる。また、ガスガイド１８の開
口端部の上下部分に切欠きまたは貫通孔を設け、この切
欠き部分にキャピラリ４を挿通させてもよい。

【０００７】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ガス吐
出口をキャピラリに可及的に近接させたから、ガスの供
給量を絞ってガス吐出口から吐出されるガス圧を下げて
も十分、放電領域を非酸化雰囲気に保つことができ、用
力費を削減でき、強制換気装置が不要で設備全体の小型
化を図ることができる。またボール形成後、キャピラリ
を降下させて直ちに基板に接続することができるため、
電極形成作業を高速化でき、処理時間を短縮できる。ま
た、キャピラリは動作中に、常にガス吐出口から吐出さ
れるガスにより冷却されるため、電極材料であるワイヤ
が加熱されると容易に軟化するような材料であっても、
動作中に温度上昇が抑えられ軟化が防止されるから、キ
ャピラリからの超音波振動をボールと電極形成予定部の
接合界面に減衰させることなく伝達でき良好なボンディ
ングができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施例を示すバンプ電極形成装置の
要部断面斜視図

【図２】 図１装置の正断面図

【図３】 ガス吐出口の一例を示す拡大側断面図

【図４】 キャピラリとガスガイドの距離に対するガス
流量の関係を示す図面

【図５】 ガス吐出口の他の例を示す拡大側断面図

【図６】 ガス吐出口の他の例を示す拡大側断面図

【図７】 従来のバンプ電極形成装置を示す要部断面斜
視図

【図８】 図７装置の正断面図

【符号の説明】

１ 支持テーブル ２ 基板（半導体ウエーハ） ３ ホーン ４ キャピラリ ５ ワイヤ ５ａ ボール ９ バンプ電極 １０ 放電電極 １７ ガス供給パイプ １８ ガスガイド １８ａ ガス吐出口

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】電極形成予定部を有する基板を支持してＸ
   Ｙ方向に移動制御される支持テーブルと、電極材料から
   なるワイヤを挿通し上下動して超音波振動が付与される
   キャピラリと、キャピラリの下方位置を含む水平面内で
   往復動可能に配置され、キャピラリ下端から突出させた
   ワイヤに対し相対的に高電位に設定される放電電極と、
   非酸化性のガスが供給されるガス供給パイプと、放電電
   極の移動平面より上方に配置され、一端がガス供給パイ
   プに連通し他端のガス吐出部がキャピラリ下端部に可及
   的に近接配置されたガスガイドとを備え、 ガスガイドから吐出された非酸化性ガスによって形成さ
   れる雰囲気内でキャピラリ下端より突出させたワイヤと
   放電電極間で放電させてワイヤ下端に溶融ボールを形成
   し、このボールをキャピラリ下端で基板の電極形成予定
   部に押圧しつつ超音波振動を付与して基板の電極形成予
   定部に接続しバンプ電極を形成することを特徴とするバ
   ンプ電極形成装置。
2. 【請求項２】電気的絶縁性を有しかつキャピラリと接触
   してもその超音波振動への影響を可及的に抑制し得る材
   料からなるガスガイドをガス供給パイプに接続したこと
   を特徴とする請求項１に記載のバンプ電極形成装置。
3. 【請求項３】電気的絶縁性を有しかつ柔軟性を有するテ
   ープ部材をガス供給パイプの端部外周に巻回してガスガ
   イドを構成したことを特徴とする請求項２に記載のバン
   プ電極形成装置。
4. 【請求項４】電気的絶縁性を有しかつ柔軟性を有する筒
   状部材をガス供給パイプの端部に嵌着してガスガイドを
   構成したことを特徴とする請求項２に記載のバンプ電極
   形成装置。
5. 【請求項５】キャピラリ下端部外周とガスガイドのガス
   吐出部との距離を２．５ｍｍ以内に設定したことを特徴
   とする請求項２に記載のバンプ電極形成装置。