JPH09256155A - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置Info
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- JPH09256155A JPH09256155A JP9016896A JP9016896A JPH09256155A JP H09256155 A JPH09256155 A JP H09256155A JP 9016896 A JP9016896 A JP 9016896A JP 9016896 A JP9016896 A JP 9016896A JP H09256155 A JPH09256155 A JP H09256155A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 無線方式の送信機と該送信機の信号を受
信する受信機により膜厚モニターの情報を伝送する。 【解決手段】 蒸着室と蒸着室の下部に設置される蒸着
源と、蒸着源上部に設置され膜が形成される基板を整列
固定する基板ホルダーと、該基板ホルダーをガイド固定
し該基板ホルダーを蒸着源の上部で回転させる蒸着治具
と、基板に形成される膜厚を監視する膜厚モニターと、
該膜厚モニターの情報により蒸着源をコントロールする
制御装置より構成され、膜厚モニターと基板ホルダーが
同じ動きができる位置であり、かつ基板の近傍に膜厚モ
ニターが配置されている成膜装置において、蒸着室内部
に膜厚モニターの情報を送信する無線方式の送信機を設
置し、該送信機の信号を受信する受信機を蒸着室内部ま
たは蒸着室外部に設置する。
信する受信機により膜厚モニターの情報を伝送する。 【解決手段】 蒸着室と蒸着室の下部に設置される蒸着
源と、蒸着源上部に設置され膜が形成される基板を整列
固定する基板ホルダーと、該基板ホルダーをガイド固定
し該基板ホルダーを蒸着源の上部で回転させる蒸着治具
と、基板に形成される膜厚を監視する膜厚モニターと、
該膜厚モニターの情報により蒸着源をコントロールする
制御装置より構成され、膜厚モニターと基板ホルダーが
同じ動きができる位置であり、かつ基板の近傍に膜厚モ
ニターが配置されている成膜装置において、蒸着室内部
に膜厚モニターの情報を送信する無線方式の送信機を設
置し、該送信機の信号を受信する受信機を蒸着室内部ま
たは蒸着室外部に設置する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、成膜装置に関する
ものである。
ものである。
【０００２】
【従来の技術】基板の表面に金属膜を形成して電極や回
路パターンとして使用することや圧電基板に薄膜の励振
電極を設け、電極に交流をかけて共振させ基準周波数源
とすることは古くから行われている。圧電セラミックス
やピエゾ効果を有する単結晶に薄膜の励振電極を設けて
振動子として使用している例が多いが、金属薄膜の成膜
は真空槽内に振動片を適当な治具で配置し、蒸着やスパ
ッタリング等の手法で行われている。基板に何を使用す
るか、成膜材料に何を使用するかは薄膜を形成するにお
いては単なる選択事項なので、以下では例示としてＡＴ
カット水晶振動子の電極成膜を真空蒸着法で行う場合を
想定して説明するが例示に限定されるものではない。
路パターンとして使用することや圧電基板に薄膜の励振
電極を設け、電極に交流をかけて共振させ基準周波数源
とすることは古くから行われている。圧電セラミックス
やピエゾ効果を有する単結晶に薄膜の励振電極を設けて
振動子として使用している例が多いが、金属薄膜の成膜
は真空槽内に振動片を適当な治具で配置し、蒸着やスパ
ッタリング等の手法で行われている。基板に何を使用す
るか、成膜材料に何を使用するかは薄膜を形成するにお
いては単なる選択事項なので、以下では例示としてＡＴ
カット水晶振動子の電極成膜を真空蒸着法で行う場合を
想定して説明するが例示に限定されるものではない。
【０００３】図１はシリンダ型容器に収納された矩形状
ＡＴカット水晶振動子の斜視図である。図５は矩形状Ａ
Ｔカット水晶振動片４０単体の斜視図である。ＡＴカッ
ト水晶振動子は一般に次ぎのように製造される。水晶原
石を所望するＡＴカット水晶振動片２に加工する工程、
ＡＴカット水晶振動片２に電極３を成膜する工程、気密
端子４のリード端子５にＡＴカット水晶振動片２を固定
するマウント工程、所望する周波数に合わせ込む調整工
程、金属カバー１でＡＴカット水晶振動片２を気密封止
する工程から成る。
ＡＴカット水晶振動子の斜視図である。図５は矩形状Ａ
Ｔカット水晶振動片４０単体の斜視図である。ＡＴカッ
ト水晶振動子は一般に次ぎのように製造される。水晶原
石を所望するＡＴカット水晶振動片２に加工する工程、
ＡＴカット水晶振動片２に電極３を成膜する工程、気密
端子４のリード端子５にＡＴカット水晶振動片２を固定
するマウント工程、所望する周波数に合わせ込む調整工
程、金属カバー１でＡＴカット水晶振動片２を気密封止
する工程から成る。
【０００４】水晶振動片に電極を成膜する工程は、電気
信号を取り出すための励振電極を形成することを主たる
目的にしているが、同時にその振動周波数の粗調整をす
ることも目的としている。水晶振動片の表面上に質量が
一様に付加すると、その振動周波数が減少する特性があ
ることが知られている。前記電極を成膜する工程でも電
極膜という質量が水晶振動片に付加されることでその振
動周波数が減少する。この減少する量を電極降下量ある
いはプレートバック量という。プレートバック量は電極
の面積、密度、膜厚及び水晶振動片の大きさ、周波数等
によって異なる。電極膜の材料としては、銀、金、ニッ
ケル、アルミニウム、パラジウム等が使用され、用途に
よってはクロムやチタンを下地にし、その上に前記電極
材を積層することもある。
信号を取り出すための励振電極を形成することを主たる
目的にしているが、同時にその振動周波数の粗調整をす
ることも目的としている。水晶振動片の表面上に質量が
一様に付加すると、その振動周波数が減少する特性があ
ることが知られている。前記電極を成膜する工程でも電
極膜という質量が水晶振動片に付加されることでその振
動周波数が減少する。この減少する量を電極降下量ある
いはプレートバック量という。プレートバック量は電極
の面積、密度、膜厚及び水晶振動片の大きさ、周波数等
によって異なる。電極膜の材料としては、銀、金、ニッ
ケル、アルミニウム、パラジウム等が使用され、用途に
よってはクロムやチタンを下地にし、その上に前記電極
材を積層することもある。
【０００５】図２は従来技術を説明するための成膜装置
の模式図であり正面断面図である。蒸着室２９には矩形
状ＡＴカット水晶振動片（以下、ワーク振動子という）
４０に電極を蒸着するための蒸着源２６を有している。
蒸着源２６の上部にワーク振動子４０を多数整列収納し
た基板ホルダー２４とプレートバック量を制御するため
の膜厚モニター２２と膜厚モニター２２内のＡＴカット
水晶振動片（以下モニター振動子という）３０の振動周
波数を発振させる発振回路２３が配置されている。基板
ホルダー２４は蒸着治具２１によりガイド固定されてい
る。蒸着治具２１は反転部回転接続装置５５に固定さ
れ、反転（１８０度回転）又は常に自転可能になってい
る。反転部回転接続装置５５は公転部回転接続装置５６
に接続され、蒸着室２９の中心に対して公転可能になっ
ている。
の模式図であり正面断面図である。蒸着室２９には矩形
状ＡＴカット水晶振動片（以下、ワーク振動子という）
４０に電極を蒸着するための蒸着源２６を有している。
蒸着源２６の上部にワーク振動子４０を多数整列収納し
た基板ホルダー２４とプレートバック量を制御するため
の膜厚モニター２２と膜厚モニター２２内のＡＴカット
水晶振動片（以下モニター振動子という）３０の振動周
波数を発振させる発振回路２３が配置されている。基板
ホルダー２４は蒸着治具２１によりガイド固定されてい
る。蒸着治具２１は反転部回転接続装置５５に固定さ
れ、反転（１８０度回転）又は常に自転可能になってい
る。反転部回転接続装置５５は公転部回転接続装置５６
に接続され、蒸着室２９の中心に対して公転可能になっ
ている。
【０００６】図３は成膜装置内部の模式を示す底面図で
ある。図４は丸形ＡＴカット水晶振動片の斜視図であ
る。蒸着治具２１は１０基配置されており、全体が矢印
の方向に回転する。膜厚モニター２２はワーク振動子４
０を整列固定する基板ホルダー２４をガイド固定する蒸
着治具２１の一つに設置されている。１０基の蒸着治具
２１は、全体が１回転すると個々の蒸着治具自体が反転
（１８０度回転）するようになっており、反転のつど蒸
着される面が変わる。必要であれば蒸着治具２１を自公
転するようにしても良い。蒸着材料２５は適宣前述の材
料から選ばれる。膜厚モニター２２には図４に示すよう
な丸形のモニター振動子３０を使用するが、モニター振
動子３０の形状は特に丸形に限定するものではない。
ある。図４は丸形ＡＴカット水晶振動片の斜視図であ
る。蒸着治具２１は１０基配置されており、全体が矢印
の方向に回転する。膜厚モニター２２はワーク振動子４
０を整列固定する基板ホルダー２４をガイド固定する蒸
着治具２１の一つに設置されている。１０基の蒸着治具
２１は、全体が１回転すると個々の蒸着治具自体が反転
（１８０度回転）するようになっており、反転のつど蒸
着される面が変わる。必要であれば蒸着治具２１を自公
転するようにしても良い。蒸着材料２５は適宣前述の材
料から選ばれる。膜厚モニター２２には図４に示すよう
な丸形のモニター振動子３０を使用するが、モニター振
動子３０の形状は特に丸形に限定するものではない。
【０００７】蒸着のレートと蒸着膜厚の制御は、モニタ
ー振動子３０の振動周波数の変化を蒸着膜厚に換算する
ことで行われている。これを言い替えれば、ワーク振動
子４０のプレートバック量を制御していることになる。
ー振動子３０の振動周波数の変化を蒸着膜厚に換算する
ことで行われている。これを言い替えれば、ワーク振動
子４０のプレートバック量を制御していることになる。
【０００８】モニター振動子３０は予め電極３１を形成
しておき、発振回路２３に接続することで蒸着開始時か
ら常時その振動周波数を取り出せるようになっており、
取り出した振動周波数は制御装置５３で読み取られる。
制御装置５３はモニター振動子３０の振動周波数の変化
により蒸着源２６のパワーを制御し、モニター振動子３
０の振動周波数が設定値と一致したら蒸着材料２５の上
面に位置するオーバーラン防止のシャッター（図示せ
ず）を閉じ蒸着を終了させる。
しておき、発振回路２３に接続することで蒸着開始時か
ら常時その振動周波数を取り出せるようになっており、
取り出した振動周波数は制御装置５３で読み取られる。
制御装置５３はモニター振動子３０の振動周波数の変化
により蒸着源２６のパワーを制御し、モニター振動子３
０の振動周波数が設定値と一致したら蒸着材料２５の上
面に位置するオーバーラン防止のシャッター（図示せ
ず）を閉じ蒸着を終了させる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】水晶振動片に電極を成
膜する工程は、電気信号を取り出すための励振電極を形
成することを主たる目的としているが、同時にその振動
周波数を粗調整し、一定の狙い値にいれることも目的と
している。成膜後のワーク振動子４０の振動周波数のバ
ラツキは、その電極膜厚のバラツキによって大きく影響
を受けるから、蒸着室２９内のワーク振動子４０の電極
膜厚はできるだけ均一にする必要がある。電極膜厚のバ
ラツキは蒸着源２６からワーク振動子４０までの距離に
依存するのでワーク振動子４０は蒸着源２６からできる
だけ等しい距離になるように配置され、かつ蒸着中は蒸
着室２９の中心に対して公転しているので蒸着源２６か
らの距離は常に一定となる。またワーク振動子４０の表
面、裏面の電極膜厚を等しくするために、基板ホルダー
２４に整列固定されたワーク振動子４０は、基板ホルダ
ー２４に対して定期的に反転（又は常に自転）しながら
成膜される。
膜する工程は、電気信号を取り出すための励振電極を形
成することを主たる目的としているが、同時にその振動
周波数を粗調整し、一定の狙い値にいれることも目的と
している。成膜後のワーク振動子４０の振動周波数のバ
ラツキは、その電極膜厚のバラツキによって大きく影響
を受けるから、蒸着室２９内のワーク振動子４０の電極
膜厚はできるだけ均一にする必要がある。電極膜厚のバ
ラツキは蒸着源２６からワーク振動子４０までの距離に
依存するのでワーク振動子４０は蒸着源２６からできる
だけ等しい距離になるように配置され、かつ蒸着中は蒸
着室２９の中心に対して公転しているので蒸着源２６か
らの距離は常に一定となる。またワーク振動子４０の表
面、裏面の電極膜厚を等しくするために、基板ホルダー
２４に整列固定されたワーク振動子４０は、基板ホルダ
ー２４に対して定期的に反転（又は常に自転）しながら
成膜される。
【００１０】蒸着源２６の制御は制御装置５３を経由し
てモニター振動子３０の振動周波数の変化によって行わ
れる。言いかえるとワーク振動子４０の成膜はモニター
振動子３０の振動周波数変化によって制御される。この
ためモニター振動子３０はワーク振動子４０と同じ動き
ができる位置であり、かつワーク振動子４０のできるだ
け近傍に設置されている。図２に示した従来技術でもモ
ニター振動子３０はワーク振動子４０と同じ動きができ
かつワーク振動子４０のできるだけ近傍になるように蒸
着治具２１に設置されていて蒸着中はワーク振動子４０
と一緒に公転及び定期的に反転（又は常に自転）してい
る。
てモニター振動子３０の振動周波数の変化によって行わ
れる。言いかえるとワーク振動子４０の成膜はモニター
振動子３０の振動周波数変化によって制御される。この
ためモニター振動子３０はワーク振動子４０と同じ動き
ができる位置であり、かつワーク振動子４０のできるだ
け近傍に設置されている。図２に示した従来技術でもモ
ニター振動子３０はワーク振動子４０と同じ動きができ
かつワーク振動子４０のできるだけ近傍になるように蒸
着治具２１に設置されていて蒸着中はワーク振動子４０
と一緒に公転及び定期的に反転（又は常に自転）してい
る。
【００１１】モニター振動子３０の振動周波数は蒸着源
２６を制御するために発振回路２３を経由して蒸着室２
９の外部に設置してある制御装置５３に伝送されなけれ
ばならない。ところが前述したごとく成膜中、モニター
振動子３０は蒸着室２９内にて蒸着室２９の中心に対し
て公転し、定期的に反転（又は常に自転）しているの
で、モニター振動子３０の振動周波数を発振回路２３で
発振させ、蒸着室２９の外部に設置してある制御装置５
３に入力する時、伝送方法に問題がある。モニター振動
子３０は公転かつ定期的に反転（又は常に自転）してお
り、有線で制御装置５３に振動周波数を伝送するのは困
難である。要約すると蒸着中公転かつ定期的に反転（又
は常に自転）している。モニター振動子３０の振動周波
数を有線で蒸着室２９の外部にある制御装置５３に伝送
すると伝送線が公転部回転接続装置５６及び反転部回転
接続装置５５にからまって、公転及び定期的に反転（又
は常に自転）できなくなり、成膜装置が停止してしまう
という課題を有している。
２６を制御するために発振回路２３を経由して蒸着室２
９の外部に設置してある制御装置５３に伝送されなけれ
ばならない。ところが前述したごとく成膜中、モニター
振動子３０は蒸着室２９内にて蒸着室２９の中心に対し
て公転し、定期的に反転（又は常に自転）しているの
で、モニター振動子３０の振動周波数を発振回路２３で
発振させ、蒸着室２９の外部に設置してある制御装置５
３に入力する時、伝送方法に問題がある。モニター振動
子３０は公転かつ定期的に反転（又は常に自転）してお
り、有線で制御装置５３に振動周波数を伝送するのは困
難である。要約すると蒸着中公転かつ定期的に反転（又
は常に自転）している。モニター振動子３０の振動周波
数を有線で蒸着室２９の外部にある制御装置５３に伝送
すると伝送線が公転部回転接続装置５６及び反転部回転
接続装置５５にからまって、公転及び定期的に反転（又
は常に自転）できなくなり、成膜装置が停止してしまう
という課題を有している。
【００１２】本発明は前記課題を解決するために、膜厚
モニターと基板ホルダーが同じ動きができる位置であ
り、かつ基板の近傍に膜厚モニターが配置されている成
膜装置において、蒸着室内部に膜厚モニターの情報を送
信する無線方式の送信機を設置し、該送信機の信号を受
信する受信機を蒸着室内部または蒸着室外部に設置する
ことを目的とする。
モニターと基板ホルダーが同じ動きができる位置であ
り、かつ基板の近傍に膜厚モニターが配置されている成
膜装置において、蒸着室内部に膜厚モニターの情報を送
信する無線方式の送信機を設置し、該送信機の信号を受
信する受信機を蒸着室内部または蒸着室外部に設置する
ことを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】蒸着室と蒸着室の下部に
設置される蒸着源と、蒸着源上部に設置され膜が形成さ
れる基板を整列固定する基板ホルダーと、該基板ホルダ
ーをガイド固定し該基板ホルダーを蒸着源の上部で回転
させる蒸着治具と、基板に形成される膜厚を監視する膜
厚モニターと、該膜厚モニターの情報により蒸着源をコ
ントロールする制御装置より構成され、膜厚モニターと
基板ホルダーが同じ動きができる位置であり、かつ基板
の近傍に膜厚モニターが配置されている成膜装置におい
て、蒸着室内部に膜厚モニターの情報を送信する無線方
式の送信機を設置し、該送信機の信号を受信する受信機
を蒸着室内部または蒸着室外部に設置する。
設置される蒸着源と、蒸着源上部に設置され膜が形成さ
れる基板を整列固定する基板ホルダーと、該基板ホルダ
ーをガイド固定し該基板ホルダーを蒸着源の上部で回転
させる蒸着治具と、基板に形成される膜厚を監視する膜
厚モニターと、該膜厚モニターの情報により蒸着源をコ
ントロールする制御装置より構成され、膜厚モニターと
基板ホルダーが同じ動きができる位置であり、かつ基板
の近傍に膜厚モニターが配置されている成膜装置におい
て、蒸着室内部に膜厚モニターの情報を送信する無線方
式の送信機を設置し、該送信機の信号を受信する受信機
を蒸着室内部または蒸着室外部に設置する。
【００１４】膜厚モニター及び膜厚モニターの情報を送
信する無線方式の送信機を蒸着治具に設置する。
信する無線方式の送信機を蒸着治具に設置する。
【００１５】膜厚モニター及び膜厚モニターの情報を送
信する無線方式の送信機を基板ホルダーに設置する。
信する無線方式の送信機を基板ホルダーに設置する。
【００１６】
【発明の実施の形態】図６、図７及び図８は本発明を説
明するための成膜装置内部の模式を示す正面断面図であ
り、図９、図１０は本発明を説明するための成膜装置内
部の模式を示す底面図である。
明するための成膜装置内部の模式を示す正面断面図であ
り、図９、図１０は本発明を説明するための成膜装置内
部の模式を示す底面図である。
【００１７】図６において、従来技術と異なるのは蒸着
治具２１に膜厚モニター２２と該膜厚モニター２２の情
報を送信する無線方式の送信機６０を設置し、蒸着室２
９の内部に膜厚モニター２２の情報を受信する無線方式
の受信機６１を設置し、受信機６１と制御装置５３を電
気的に接続したことである。成膜中、基板ホルダー２４
に多数整列収納されたワーク振動子４０と蒸着治具２１
に設置された膜厚モニター２２は反転（１８０度回転）
又は常に自転し、かつ蒸着室２９の中心に対して公転し
ている。蒸着のレートと蒸着膜厚の制御は、膜厚モニタ
ー２２内のモニター振動子３０の振動周波数の変化を蒸
着膜厚に換算することで行われる。成膜中、モニター振
動子３０の振動周波数は発振回路２３で発振し蒸着治具
２１に設置された送信機６０に伝送される。送信機６０
はモニター振動子３０の振動周波数を無線方式にて送信
し、送信された信号を蒸着室２９の内部に設置された受
信機６１で受信し、モニター振動子３０の振動周波数は
制御装置５３に入力される。制御装置５３は蒸着源２６
を制御し、目的の成膜を行う。
治具２１に膜厚モニター２２と該膜厚モニター２２の情
報を送信する無線方式の送信機６０を設置し、蒸着室２
９の内部に膜厚モニター２２の情報を受信する無線方式
の受信機６１を設置し、受信機６１と制御装置５３を電
気的に接続したことである。成膜中、基板ホルダー２４
に多数整列収納されたワーク振動子４０と蒸着治具２１
に設置された膜厚モニター２２は反転（１８０度回転）
又は常に自転し、かつ蒸着室２９の中心に対して公転し
ている。蒸着のレートと蒸着膜厚の制御は、膜厚モニタ
ー２２内のモニター振動子３０の振動周波数の変化を蒸
着膜厚に換算することで行われる。成膜中、モニター振
動子３０の振動周波数は発振回路２３で発振し蒸着治具
２１に設置された送信機６０に伝送される。送信機６０
はモニター振動子３０の振動周波数を無線方式にて送信
し、送信された信号を蒸着室２９の内部に設置された受
信機６１で受信し、モニター振動子３０の振動周波数は
制御装置５３に入力される。制御装置５３は蒸着源２６
を制御し、目的の成膜を行う。
【００１８】図７は、基板ホルダー２４に膜厚モニター
２２と該膜厚モニター２２の情報を送信する無線方式の
送信機６０を設置し蒸着室２９の内部に膜厚モニター２
２の情報を受信する無線方式の受信機６１を設置し、受
信機６１と制御装置５３と電気的に接続した構成であ
る。成膜中、基板ホルダー２４に多数整列収納されたワ
ーク振動子４０と基板ホルダー２４に設置された膜厚モ
ニター２２は反転（１８０度回転）又は常に自転し、か
つ蒸着室２９の中心に対して公転している。蒸着のレー
トと蒸着膜厚の制御は膜厚モニター２２内のモニター振
動子３０の振動周波数の変化を蒸着膜厚に換算すること
で行われる。成膜中、モニター振動子３０の振動周波数
は、発振回路２３で発振し、基板ホルダー２４に設置さ
れた送信機６０に伝送される。送信機６０はモニター振
動子３０の振動周波数を無線方式にて送信し、送信され
た信号を蒸着室２９の内部に設置された受信機６１で受
信し、モニター振動子３０の振動周波数は制御装置５３
に入力される。制御装置５３は蒸着源２６を制御し、目
的の成膜を行う。
２２と該膜厚モニター２２の情報を送信する無線方式の
送信機６０を設置し蒸着室２９の内部に膜厚モニター２
２の情報を受信する無線方式の受信機６１を設置し、受
信機６１と制御装置５３と電気的に接続した構成であ
る。成膜中、基板ホルダー２４に多数整列収納されたワ
ーク振動子４０と基板ホルダー２４に設置された膜厚モ
ニター２２は反転（１８０度回転）又は常に自転し、か
つ蒸着室２９の中心に対して公転している。蒸着のレー
トと蒸着膜厚の制御は膜厚モニター２２内のモニター振
動子３０の振動周波数の変化を蒸着膜厚に換算すること
で行われる。成膜中、モニター振動子３０の振動周波数
は、発振回路２３で発振し、基板ホルダー２４に設置さ
れた送信機６０に伝送される。送信機６０はモニター振
動子３０の振動周波数を無線方式にて送信し、送信され
た信号を蒸着室２９の内部に設置された受信機６１で受
信し、モニター振動子３０の振動周波数は制御装置５３
に入力される。制御装置５３は蒸着源２６を制御し、目
的の成膜を行う。
【００１９】図８は、蒸着治具２１に膜厚モニター２２
と該膜厚モニター２２の情報を送信する無線方式の送信
機６０を設置し、蒸着室２９の外部に膜厚モニター２２
の情報を受信する無線方式の受信機６１を設置し、受信
機６１と制御装置５３と電気的に接続した構成である。
成膜中、基板ホルダー２４に多数整列収納されたワーク
振動子４０と蒸着治具２１に設置された膜厚モニター２
２は反転（１８０度回転）又は常に自転し、かつ蒸着室
２９の中心に対して公転している。蒸着のレートと蒸着
膜厚の制御は膜厚モニター２２内のモニター振動子３０
の振動周波数の変化を蒸着膜厚に換算することで行われ
る。成膜中、モニター振動子３０の振動周波数は、発振
回路２３で発振し、蒸着治具２１に設置された送信機６
０に伝送される。送信機６０はモニター振動子３０の振
動周波数を無線方式にて送信し、送信された信号を蒸着
室２９の外部に設置された受信機６１で受信し、モニタ
ー振動子３０の振動周波数は制御装置５３に入力され
る。制御装置５３は蒸着源２６を制御し、目的の成膜を
行う。
と該膜厚モニター２２の情報を送信する無線方式の送信
機６０を設置し、蒸着室２９の外部に膜厚モニター２２
の情報を受信する無線方式の受信機６１を設置し、受信
機６１と制御装置５３と電気的に接続した構成である。
成膜中、基板ホルダー２４に多数整列収納されたワーク
振動子４０と蒸着治具２１に設置された膜厚モニター２
２は反転（１８０度回転）又は常に自転し、かつ蒸着室
２９の中心に対して公転している。蒸着のレートと蒸着
膜厚の制御は膜厚モニター２２内のモニター振動子３０
の振動周波数の変化を蒸着膜厚に換算することで行われ
る。成膜中、モニター振動子３０の振動周波数は、発振
回路２３で発振し、蒸着治具２１に設置された送信機６
０に伝送される。送信機６０はモニター振動子３０の振
動周波数を無線方式にて送信し、送信された信号を蒸着
室２９の外部に設置された受信機６１で受信し、モニタ
ー振動子３０の振動周波数は制御装置５３に入力され
る。制御装置５３は蒸着源２６を制御し、目的の成膜を
行う。
【００２０】図９は、図６で示した膜厚モニター２２と
無線方式の送信機６０の設置場所を詳細に説明するため
の成膜装置内部の模式を示す底面図である。蒸着治具２
１は全体が矢印の方向に回転（蒸着室２９の中心に対し
て公転）し、全体が１回転すると個々の蒸着治具２１が
反転（１８０度回転）するようになっており、反転のつ
ど蒸着される面が変わる。必要であれば蒸着治具２１を
自公転するようにしても良い。膜厚モニター２２と無線
方式の送信機６０は蒸着治具２１に設置してあり、膜厚
モニター２２の信号は無線方式の送信機６０より送信さ
れる。
無線方式の送信機６０の設置場所を詳細に説明するため
の成膜装置内部の模式を示す底面図である。蒸着治具２
１は全体が矢印の方向に回転（蒸着室２９の中心に対し
て公転）し、全体が１回転すると個々の蒸着治具２１が
反転（１８０度回転）するようになっており、反転のつ
ど蒸着される面が変わる。必要であれば蒸着治具２１を
自公転するようにしても良い。膜厚モニター２２と無線
方式の送信機６０は蒸着治具２１に設置してあり、膜厚
モニター２２の信号は無線方式の送信機６０より送信さ
れる。
【００２１】図１０は、図７で示した膜厚モニター２２
と無線方式の送信機６０の設置場所を詳細に説明するた
めの成膜装置内部の模式を示す底面図である。蒸着治具
２１にガイド固定された基板ホルダー２４は全体が矢印
の方向に回転（蒸着室２９の中心に対して公転）し、全
体が１回転すると個々の基板ホルダー２４が反転（１８
０度回転するようになっており、反転のつど蒸着の面が
変わる。必要であれば基板ホルダー２４を自公転するよ
うにしても良い。膜厚モニター２２と無線方式の送信機
６０は基板ホルダー２４に設置してあり、膜厚モニター
２２の信号は無線方式の送信機６０より送信される。
と無線方式の送信機６０の設置場所を詳細に説明するた
めの成膜装置内部の模式を示す底面図である。蒸着治具
２１にガイド固定された基板ホルダー２４は全体が矢印
の方向に回転（蒸着室２９の中心に対して公転）し、全
体が１回転すると個々の基板ホルダー２４が反転（１８
０度回転するようになっており、反転のつど蒸着の面が
変わる。必要であれば基板ホルダー２４を自公転するよ
うにしても良い。膜厚モニター２２と無線方式の送信機
６０は基板ホルダー２４に設置してあり、膜厚モニター
２２の信号は無線方式の送信機６０より送信される。
【００２２】以上要約すると、成膜中、蒸着治具２１又
は基板ホルダー２４に設置された膜厚モニター２２内に
あるモニター振動子３０の振動周波数は発振回路２３で
発振し蒸着治具２１又は基板ホルダー２４に設置された
送信機６０に伝送される。送信機６０はモニター振動子
３０の振動周波数を無線方式にて送信し、蒸着室２９の
内部又は外部に設置された受信機６１で受信し、モニタ
ー振動子３０の振動周波数は制御装置５３に入力され
る。制御装置５３は蒸着源２６を制御し目的の成膜を行
う。
は基板ホルダー２４に設置された膜厚モニター２２内に
あるモニター振動子３０の振動周波数は発振回路２３で
発振し蒸着治具２１又は基板ホルダー２４に設置された
送信機６０に伝送される。送信機６０はモニター振動子
３０の振動周波数を無線方式にて送信し、蒸着室２９の
内部又は外部に設置された受信機６１で受信し、モニタ
ー振動子３０の振動周波数は制御装置５３に入力され
る。制御装置５３は蒸着源２６を制御し目的の成膜を行
う。
【００２３】
【発明の効果】膜厚モニターと基板ホルダーが同じ動き
ができる位置であり、かつ基板の近傍に設置されている
成膜装置において、蒸着室内部に膜厚モニターの情報を
送信する無線方式の送信機を設置し送信機の信号を受信
する受信機を蒸着室の内部又は外部に設置したことによ
り、成膜中、膜厚モニターが反転（又は常に自転）かつ
公転しても膜厚モニターの振動周波数は制御装置に入力
でき、制御装置は蒸着源を制御し目的の成膜を行うこと
ができる。
ができる位置であり、かつ基板の近傍に設置されている
成膜装置において、蒸着室内部に膜厚モニターの情報を
送信する無線方式の送信機を設置し送信機の信号を受信
する受信機を蒸着室の内部又は外部に設置したことによ
り、成膜中、膜厚モニターが反転（又は常に自転）かつ
公転しても膜厚モニターの振動周波数は制御装置に入力
でき、制御装置は蒸着源を制御し目的の成膜を行うこと
ができる。
【００２４】膜厚モニター及び膜厚モニターの情報を送
信する無線方式の送信機を蒸着治具又は基板ホルダーに
設置したことにより、成膜中、膜厚モニターが反転（又
は常に自転）かつ公転しても膜厚モニターの振動周波数
は制御装置に入力でき、制御装置は蒸着源を制御し目的
の成膜を行うことができる。
信する無線方式の送信機を蒸着治具又は基板ホルダーに
設置したことにより、成膜中、膜厚モニターが反転（又
は常に自転）かつ公転しても膜厚モニターの振動周波数
は制御装置に入力でき、制御装置は蒸着源を制御し目的
の成膜を行うことができる。
【図１】矩形状ＡＴカット水晶振動子の斜視図。
【図２】従来技術による成膜装置内部の模式を示す正面
断面図。
断面図。
【図３】従来技術による成膜装置内部の模式を示す底面
図。
図。
【図４】モニター振動子に使用する丸形のＡＴカット水
晶振動片。
晶振動片。
【図５】矩形状ＡＴカット水晶振動片の斜視図。
【図６】本発明による成膜装置内部の模式を示す正面断
面図。
面図。
【図７】本発明による成膜装置内部の模式を示す正面断
面図。
面図。
【図８】本発明による成膜装置内部の模式を示す正面断
面図。
面図。
【図９】本発明による成膜装置内部の模式を示す底面
図。
図。
【図１０】本発明による成膜装置内部の模式を示す底面
図。
図。
１ 金属カバー ２ ＡＴカット水晶振動片 ３ 電極 ４ 気密端子 ５ リード端子 ２１ 蒸着治具 ２２ 膜厚モニター ２３ 発振回路 ２４ 基板ホルダー ２５ 蒸着材料 ２６ 蒸着源 ２９ 蒸着室 ３０ モニター振動子 ３１ 電極 ４０ 矩形状ＡＴカット水晶振動片 ５３ 制御装置 ５５ 反転部回転接続装置 ５６ 公転部回転接続装置 ６０ 送信機 ６１ 受信機
Claims (3)
- 【請求項１】 蒸着室と蒸着室の下部に設置される蒸着
源と、蒸着源上部に設置され膜が形成される基板を整列
固定する基板ホルダーと、該基板ホルダーをガイド固定
し該基板ホルダーを蒸着源の上部で回転させる蒸着治具
と、基板に形成される膜厚を監視する膜厚モニターと、
該膜厚モニターの情報により蒸着源をコントロールする
制御装置より構成され、膜厚モニターと基板ホルダーが
同じ動きができる位置であり、かつ基板の近傍に膜厚モ
ニターが配置されている成膜装置において、蒸着室内部
に膜厚モニターの情報を送信する無線方式の送信機を設
置し、該送信機の信号を受信する受信機を蒸着室内部ま
たは蒸着室外部に設置したことを特徴とする成膜装置。 - 【請求項２】 膜厚モニター及び膜厚モニターの情報を
送信する無線方式の送信機が蒸着治具に設置されている
ことを特徴とする請求項１記載の成膜装置。 - 【請求項３】 膜厚モニター及び膜厚モニターの情報を
送信する無線方式の送信機が基板ホルダーに設置されて
いることを特徴とする請求項１記載の成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9016896A JPH09256155A (ja) | 1996-03-18 | 1996-03-18 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9016896A JPH09256155A (ja) | 1996-03-18 | 1996-03-18 | 成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09256155A true JPH09256155A (ja) | 1997-09-30 |
Family
ID=13990964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9016896A Pending JPH09256155A (ja) | 1996-03-18 | 1996-03-18 | 成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09256155A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006206969A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Showa Shinku:Kk | 成膜装置に於ける成膜速度測定装置および方法 |
| WO2008065075A1 (de) * | 2006-11-29 | 2008-06-05 | Leica Microsystems Cms Gmbh | Beschichtungsanlage mit einer funkvorrichtung und einem messgerät |
| WO2008065073A1 (de) | 2006-11-29 | 2008-06-05 | Leica Microsystems Cms Gmbh | Beschichtungsanlage mit einer funkvorrichtung sowie verfahren zur steuerung eines aktors bzw. einer heizung |
| JP2008240105A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Showa Shinku:Kk | 基板ホルダ、成膜装置及び成膜方法 |
| US7828929B2 (en) | 2004-12-30 | 2010-11-09 | Research Electro-Optics, Inc. | Methods and devices for monitoring and controlling thin film processing |
| DE102014108348A1 (de) * | 2014-06-13 | 2015-12-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Beschichtung sowie optoelektronisches Halbleiterbauteil mit einer Beschichtung |
| WO2021021351A1 (en) * | 2019-07-26 | 2021-02-04 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing monitoring |
-
1996
- 1996-03-18 JP JP9016896A patent/JPH09256155A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8182861B2 (en) | 2004-12-30 | 2012-05-22 | Research Electro-Optics, Inc. | Methods and devices for monitoring and controlling thin film processing |
| US7828929B2 (en) | 2004-12-30 | 2010-11-09 | Research Electro-Optics, Inc. | Methods and devices for monitoring and controlling thin film processing |
| GB2421738B (en) * | 2004-12-30 | 2011-11-09 | Res Electro Optics Inc | Methods and devices for monitoring and controlling thin film processing |
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| US20100055296A1 (en) * | 2006-11-29 | 2010-03-04 | Leica Microsystems Cms Gmbh | Coating installation comprising a radio device and method for controlling an actuator or a heater |
| JP2008240105A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Showa Shinku:Kk | 基板ホルダ、成膜装置及び成膜方法 |
| DE102014108348A1 (de) * | 2014-06-13 | 2015-12-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Beschichtung sowie optoelektronisches Halbleiterbauteil mit einer Beschichtung |
| CN106661721A (zh) * | 2014-06-13 | 2017-05-10 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 用于制造涂层的方法以及具有涂层的光电子半导体部件 |
| US9863033B2 (en) | 2014-06-13 | 2018-01-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing a coating and optoelectronic semiconductor component having a coating |
| US10612126B2 (en) | 2014-06-13 | 2020-04-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing a coating and optoelectronic semiconductor component having a coating |
| WO2021021351A1 (en) * | 2019-07-26 | 2021-02-04 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing monitoring |
| US12165934B2 (en) | 2019-07-26 | 2024-12-10 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing monitoring |
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