JPH09256168A - Coating method on graphite - Google Patents
Coating method on graphiteInfo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 グラファイトへのコーティング法において、
安価で耐熱に優れた硬質の炭化ケイ素被膜を形成する。
【構成】 グラファイトの表面に金属ケイ素及び酸化ア
ルミニウムの混合物、または、金属ケイ素及び酸化ケイ
素の混合物を塗布し、あるいは、混合物の塗布面の近傍
に金属ケイ素または金属ケイ素と酸化物との混合物を設
置し、真空あるいは不活性雰囲気中にて１３００℃〜１
６００℃の温度で熱処理することで、グラファイトの表
面に炭化ケイ素被膜を形成する。(57) [Summary] [Purpose] In the coating method on graphite,
A hard silicon carbide coating that is inexpensive and has excellent heat resistance is formed. [Composition] A mixture of metallic silicon and aluminum oxide, or a mixture of metallic silicon and silicon oxide is applied to the surface of graphite, or metallic silicon or a mixture of metallic silicon and oxide is placed near the coated surface of the mixture. 1300 ° C to 1 in a vacuum or inert atmosphere
By heat treatment at a temperature of 600 ° C., a silicon carbide film is formed on the surface of graphite.
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、溶融金属とグラフ
ァイトとが反応性を有する場合やグラファイトが高温の
酸化雰囲気で使用される場合などに、グラファイトの反
応性を低下させるためにセラミックスをコーティングす
るグラファイトへのコーティング法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention coats ceramics to reduce the reactivity of graphite when the molten metal and graphite are reactive or when graphite is used in a high temperature oxidizing atmosphere. The present invention relates to a method for coating graphite.
【０００２】[0002]
【従来の技術】グラファイトへのコーティング法は、各
種の溶解，鋳造等のプロセス、真空蒸着など金属の溶解
処理を前提とする成膜プロセス、大気中で使用される耐
熱部材として使用されるものである。2. Description of the Related Art A coating method for graphite is used for various melting and casting processes, a film forming process that requires a metal melting process such as vacuum deposition, and a heat-resistant member used in the atmosphere. is there.
【０００３】グラファイトを溶融金属などに対する耐蝕
性を高めるために、その表面に炭化ケイ素（ＳｉＣ）な
どのセラミックスをコーティングする方法としては、溶
射法、無機または有機バインダとセラミックス粉末とを
混合したものをグラファイトの表面に塗布するものがあ
る。As a method for coating the surface of graphite with ceramics such as silicon carbide (SiC) in order to improve the corrosion resistance to molten metal, a thermal spraying method or a mixture of an inorganic or organic binder and ceramics powder is used. Some are applied on the surface of graphite.
【０００４】図１に溶射法によってグラファイトの表面
にセラミックス被膜が形成された状態を示す。同図に示
すように、多数の気孔１１を有するグラファイト１２の
表面に炭化ケイ素（ＳｉＣ）などのセラミックスを溶射
することで、このグラファイト１２の表面にセラミック
ス被膜１３が形成されている。FIG. 1 shows a state in which a ceramic coating is formed on the surface of graphite by the thermal spraying method. As shown in the figure, a ceramic coating 13 is formed on the surface of graphite 12 by spraying ceramics such as silicon carbide (SiC) onto the surface of graphite 12 having a large number of pores 11.
【０００５】また、上述した方法の他に、ＣＶＤ（Cemi
cal Vapor Deposition）法、またはＣＶＲ（Cemical Va
por Reaction）法によりコーティングするものがある。In addition to the above method, CVD (Cemi
cal vapor deposition method or CVR (Cemical Vapor)
Some are coated by the por reaction method.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところで、グラファイ
トは、一般に、離型性を有する材料であり、且つ、グラ
ファイト気孔間にセラミックスが浸透しにくい性質があ
る。そのため、前述した溶射によるコーティング法にあ
っては、グラファイト１２の気孔１１の内にセラミック
スが充分に浸透しておらず、また、グラファイト１２の
表面とセラミックス被膜１３との界面１４での密着力は
非常に弱い。従って、溶射によって表面にセラミックス
被膜１３が形成されたグラファイト１２を使用する場
合、昇温に伴ってグラファイト１２とセラミックス被膜
１３の熱膨張、あるいは冷却による剥離が発生すること
がある。By the way, graphite is generally a material having releasability, and has a property that ceramics hardly permeate between graphite pores. Therefore, in the above-mentioned coating method by thermal spraying, the ceramics do not sufficiently penetrate into the pores 11 of the graphite 12, and the adhesive force at the interface 14 between the surface of the graphite 12 and the ceramic coating 13 is Very weak. Therefore, when the graphite 12 having the ceramic coating 13 formed on the surface thereof by thermal spraying is used, the graphite 12 and the ceramic coating 13 may be thermally expanded or separated by cooling as the temperature rises.
【０００７】また、このことは定期的に行われる、所
謂、テープテストによっても明らかである。即ち、この
テープテストは、グラファイト１２に形成されたセラミ
ックス被膜１３の表面にテープを貼り付け、剥がす操作
でセラミックス被膜１３がテープと共にグラファイト１
２から剥離するかどうかを確認するものであり、前述し
た溶射によってセラミックス被膜１３が形成されたグラ
ファイト１２では、このテープテストによって容易にセ
ラミックス被膜１３が剥がれてしまっている。This is also apparent from what is called a tape test, which is regularly performed. That is, in this tape test, the ceramic coating 13 is attached to the surface of the ceramic coating 13 formed on the graphite 12 and is peeled off so that the ceramic coating 13 and the tape 1
It is confirmed whether or not the ceramic coating 13 is peeled off from No. 2, and the graphite coating 12 on which the ceramic coating 13 is formed by thermal spraying is easily peeled off by the tape test.
【０００８】一方、ＣＶＤ法等を用いたコーティング法
は、直接、グラファイトの表面の改質を行い、炭化ケイ
素などのセラミックス被膜を形成するものであるが、こ
のＣＶＤ法では、被膜成長速度が遅く、且つ、コスト的
にも高価となってしまうという問題がある。On the other hand, the coating method using the CVD method or the like directly modifies the surface of graphite to form a ceramic coating such as silicon carbide. In this CVD method, the coating growth rate is slow. In addition, there is a problem that the cost becomes expensive.
【０００９】このようにセラミックス材料をグラファイ
ト部品の表面に強固に接着することは容易でなく、且
つ、その方法も確立されていないのが現状である。As described above, it is not easy to firmly bond the ceramic material to the surface of the graphite component, and the method is not established yet.
【００１０】本発明はこのような問題点を解決するもの
であって、安価で耐熱に優れた硬質の炭化ケイ素被膜を
形成することのできるグラファイトへのコーティング法
を提供することを目的とする。The present invention is intended to solve such problems, and an object thereof is to provide a method for coating graphite which is inexpensive and can form a hard silicon carbide coating film excellent in heat resistance.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めの本発明のグラファイトへのコーティング法は、グラ
ファイトの表面に炭化ケイ素被膜を形成するグラファイ
トへのコーティング法において、前記グラファイトの表
面に金属ケイ素及び酸化アルミニウムの混合物を塗布
し、その後、真空あるいは不活性雰囲気中にて１３００
℃〜１６００℃の温度で熱処理することを特徴とするも
のである。The method for coating graphite of the present invention for achieving the above object is a method for coating graphite in which a silicon carbide film is formed on the surface of graphite. Apply a mixture of silicon and aluminum oxide, then 1300 in vacuum or in an inert atmosphere.
It is characterized in that the heat treatment is performed at a temperature of ℃ to 1600 ℃.
【００１２】従って、グラファイトの表面に炭化ケイ素
被膜を形成する場合に、金属ケイ素の粉体と酸化アルミ
ニウムの粉体との混合粉物をスプレー法などの手法によ
り、このグラファイトの表面に塗布した後、真空あるい
はアルゴンなどの不活性雰囲気中にて、１３００℃〜１
６００℃の温度で熱処理すると、グラファイトの表面に
塗布した金属ケイ素の塗布層が直接炭化ケイ素被膜にな
ってその界面層も炭化ケイ素化され、化学的結合によっ
て強い密着力を有する被膜が形成されると同時に、塗布
層全体が炭化ケイ素化され、短時間で厚膜の炭化ケイ素
被膜が形成される。Therefore, when a silicon carbide coating is formed on the surface of graphite, a mixed powder of metallic silicon powder and aluminum oxide powder is applied to the surface of graphite by a method such as a spray method. , 1300 ℃ to 1 in an inert atmosphere such as vacuum or argon
When heat-treated at a temperature of 600 ° C., the coating layer of metallic silicon coated on the surface of graphite directly becomes a silicon carbide coating film, and the interface layer thereof is also converted to silicon carbide, and a coating film having a strong adhesive force is formed by chemical bonding. At the same time, the entire coating layer is converted to silicon carbide, and a thick silicon carbide film is formed in a short time.
【００１３】また、本発明のグラファイトへのコーティ
ング法は、グラファイトの表面に炭化ケイ素被膜を形成
するグラファイトへのコーティング法において、前記グ
ラファイトの表面に金属ケイ素及び酸化ケイ素の混合物
を塗布し、その後、真空あるいは不活性雰囲気中にて１
３００℃〜１６００℃の温度で熱処理することを特徴と
するものである。The method for coating graphite of the present invention is the same as the method for coating graphite in which a silicon carbide film is formed on the surface of graphite, and a mixture of metallic silicon and silicon oxide is applied to the surface of the graphite, and thereafter, 1 in vacuum or inert atmosphere
The heat treatment is performed at a temperature of 300 ° C to 1600 ° C.
【００１４】従って、グラファイトの表面に炭化ケイ素
被膜を形成する場合に、金属ケイ素の粉体と酸化ケイ素
の粉体との混合粉物をグラファイトの表面に塗布した
後、真空あるいはアルゴンなどの不活性雰囲気中にて、
１３００℃〜１６００℃の温度で熱処理するとことで
も、グラファイトの表面に塗布した金属ケイ素の塗布層
が炭化ケイ素被膜になってその界面層も炭化ケイ素化さ
れ、化学的結合によって強い密着力を有する被膜が形成
される。Therefore, when forming a silicon carbide coating on the surface of graphite, a mixed powder of metallic silicon powder and silicon oxide powder is applied to the surface of graphite, and then vacuum or inert gas such as argon is applied. In the atmosphere,
By heat-treating at a temperature of 1300 ° C. to 1600 ° C., the coating layer of metallic silicon coated on the surface of graphite becomes a silicon carbide coating, the interface layer thereof is also converted to silicon carbide, and a coating having a strong adhesion by a chemical bond. Is formed.
【００１５】また、本発明のグラファイトへのコーティ
ング法は、グラファイトの表面に炭化ケイ素被膜を形成
するグラファイトへのコーティング法において、前記グ
ラファイトの表面に金属ケイ素及び酸化アルミニウムま
たは酸化ケイ素の混合物を塗布し、その近傍に金属ケイ
素または金属ケイ素と前記酸化物の混合物を設置し、そ
の後、真空あるいは不活性雰囲気中にて１３００℃〜１
６００℃の温度で熱処理することを特徴とするものであ
る。The method for coating graphite of the present invention is the same as the method for coating graphite in which a silicon carbide film is formed on the surface of graphite, and the surface of the graphite is coated with a mixture of metallic silicon and aluminum oxide or silicon oxide. , A metal silicon or a mixture of the metal silicon and the oxide is installed in the vicinity thereof, and then 1300 ° C. to 1 in a vacuum or an inert atmosphere.
It is characterized in that it is heat-treated at a temperature of 600 ° C.
【００１６】従って、金属ケイ素及び酸化アルミニウム
または酸化ケイ素の混合物を塗布したその近傍に金属ケ
イ素または金属ケイ素と前記酸化物の混合物を設置した
場合は、混合物の塗布面以外から金属ケイ素の蒸気等に
よってケイ素がグラファイトに供給され、緻密で化学的
な結合によって強い密着力を有する被膜が形成される。Therefore, when the metal silicon or the mixture of the metal silicon and the oxide is placed in the vicinity of the mixture of the metal silicon and the aluminum oxide or the silicon oxide, the vapor of the metal silicon or the like is applied from the surface other than the coated surface of the mixture. Silicon is supplied to graphite to form a coating having a strong adhesive force through a dense chemical bond.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を実施
例を挙げて詳細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to examples.
【００１８】本実施例にあっては、グラファイトの表面
に炭化ケイ素被膜を形成するために、４つの試験片を用
いて試験を行った。In this example, four test pieces were used to form a silicon carbide coating on the surface of graphite.
【００１９】試験片１ 粒径が０．５〜２．０μｍの微粉砕した金属シリコン
（金属ケイ素：Ｓｉ）をスラリー状にし、このシリコン
の粉末をスプレー法によりグラファイト基盤の表面に塗
布し、約１００μｍの厚さの被膜を形成する。試験片２ 粒径が０．５〜２．０μｍの微粉砕した金属シリコン
（金属ケイ素：Ｓｉ）とこのシリコン５重量部に対して
１重量部の平均粒径が１．０μｍの微粉砕したアルミナ
（酸化アルミニウム：Ａｌ2Ｏ2）とを混合してをスラリ
ー状にし、この混合粉末をスプレー法によりグラファイ
ト基盤の表面に塗布し、約１００μｍの厚さの被膜を形
成する。試験片３ 粒径が０．５〜２．０μｍの微粉砕した金属シリコン
（金属ケイ素：Ｓｉ）とこのシリコン５重量部に対して
１重量部の平均粒径が０．５μｍの微粉砕したシリカ
（酸化ケイ素：ＳｉＯ2 ）とを混合してをスラリー状に
し、この混合粉末をスプレー法によりグラファイト基盤
の表面に塗布し、約１００μｍの厚さの被膜を形成す
る。試験片４ 試験片２と試験片の下部に金属シリコン（金属ケイ素：
Ｓｉ）及び酸化物の混合粉末を約１ｃｍ敷設する。 Specimen 1 Finely pulverized metal silicon (metal silicon: Si) having a particle size of 0.5 to 2.0 μm is made into a slurry, and the powder of this silicon is applied to the surface of a graphite substrate by a spray method, A film having a thickness of 100 μm is formed. Test piece 2 Finely pulverized metallic silicon having a particle size of 0.5 to 2.0 μm (metallic silicon: Si) and 1 part by weight of finely pulverized alumina having an average particle size of 1.0 μm with respect to 5 parts by weight of this silicon. (Aluminum oxide: Al 2 O 2 ) is mixed to form a slurry, and this mixed powder is applied to the surface of the graphite base by a spray method to form a film having a thickness of about 100 μm. Test piece 3 Finely pulverized metal silicon having a particle size of 0.5 to 2.0 μm (metal silicon: Si) and 1 part by weight of finely pulverized silica having an average particle size of 0.5 μm with respect to 5 parts by weight of this silicon. (Silicon oxide: SiO 2 ) is mixed to form a slurry, and this mixed powder is applied to the surface of the graphite substrate by a spray method to form a film having a thickness of about 100 μm. Test piece 4 Test piece 2 and metal silicon (metal silicon:
Lay mixed powder of Si) and oxide about 1 cm.
【００２０】このように形成された３つの試験片１，
２，３，４を熱処理炉内に入れ、アルゴン雰囲気１atm
中で昇温温度１０℃／min 、最高温度での保持時間１〜
３時間、その後、炉冷というパターンで熱処理を行っ
た。そして、最高熱処理温度を１０００℃〜１８００℃
の間とし、１００℃ごとの温度での複数の処理を行っ
た。The three test pieces 1, formed in this way,
Put 2, 3 and 4 in the heat treatment furnace, argon atmosphere 1atm
Temperature rising temperature of 10 ℃ / min, holding time at maximum temperature 1 ~
Heat treatment was performed for 3 hours and then in a pattern of furnace cooling. Then, the maximum heat treatment temperature is 1000 ° C to 1800 ° C.
In between, a plurality of treatments at temperatures of 100 ° C. were performed.
【００２１】熱処理終了後、グラファイト基盤の表面に
形成された被膜について解析してみると、すべての試験
片１，２，３，４において、１３００℃より低い温度で
は、柔らかい粉末が残留しているだけで、炭化ケイ素被
膜は形成されていなかった。そして、１３００℃以上で
は、比較的硬質の炭化ケイ素被膜は形成されていた。し
かし、１６００℃より高い温度では、炭化ケイ素被膜が
形成されているものの、クラックが発生していた。その
結果、好ましい熱処理温度は、１３００℃〜１６００℃
であることがわかった。When the coating formed on the surface of the graphite substrate after the heat treatment was analyzed, soft powder remained in all the test pieces 1, 2, 3 and 4 at a temperature lower than 1300 ° C. However, no silicon carbide coating was formed. Then, at 1300 ° C. or higher, a relatively hard silicon carbide coating film was formed. However, at a temperature higher than 1600 ° C., cracks were generated although the silicon carbide coating was formed. As a result, the preferable heat treatment temperature is 1300 ° C to 1600 ° C.
It turned out to be.
【００２２】一方、試験片１，２，３，４にそれぞれ形
成された炭化ケイ素被膜の硬度は、高い方から順に試験
片４、試験片２、試験片３、試験片１である。その結
果、金属シリコン（金属ケイ素）に酸化物粉体を混合す
ることが、炭化ケイ素被膜の硬質化に有効であることが
わかった。また、近傍に混合粉末を設けることにより、
この混合粉末からもケイ素がグラファイトに供給され、
最も硬質の被膜を得ることが可能となった。On the other hand, the hardness of the silicon carbide coating formed on each of the test pieces 1, 2, 3, 4 is the test piece 4, the test piece 2, the test piece 3, and the test piece 1 in order from the highest hardness. As a result, it was found that mixing oxide powder with metal silicon (metal silicon) is effective for hardening the silicon carbide coating. Also, by providing a mixed powder in the vicinity,
Silicon is also supplied to graphite from this mixed powder,
It became possible to obtain the hardest coating.
【００２３】そして、このように処理されたこれらの試
験片２，３，４に対してテープテストを行っても、炭化
ケイ素被膜がグラファイト基盤から剥がれることはな
く、グラファイト基盤の表面と炭化ケイ素被膜との間に
は高い密着力があることが確認された。Even when a tape test was performed on the test pieces 2, 3 and 4 thus treated, the silicon carbide coating was not peeled off from the graphite base, and the surface of the graphite base and the silicon carbide coating were not peeled off. It was confirmed that there was a high degree of adhesion between and.
【００２４】[0024]
【発明の効果】以上、実施例を挙げて説明したように本
発明のグラファイトへのコーティング法によれば、グラ
ファイトの表面に金属ケイ素及び酸化アルミニウムの混
合物を塗布し、その後、真空あるいは不活性雰囲気中に
て１３００℃〜１６００℃の温度で熱処理することこと
で、グラファイトの表面に炭化ケイ素被膜を形成するよ
うにしたので、グラファイトの表面に塗布した金属ケイ
素の塗布層が直接炭化ケイ素被膜になってその界面層も
炭化ケイ素化され、化学的結合によって強い密着力を有
する被膜を形成することができると共に、塗布層全体が
炭化ケイ素化され、短時間で厚膜の炭化ケイ素被膜を形
成することができる。As described above with reference to the examples, according to the method for coating graphite of the present invention, a mixture of metallic silicon and aluminum oxide is applied to the surface of graphite, and then a vacuum or an inert atmosphere is applied. Since a silicon carbide coating is formed on the surface of graphite by heat-treating at a temperature of 1300 ° C. to 1600 ° C. in the interior, the coating layer of metal silicon coated on the surface of graphite directly becomes a silicon carbide coating. The interface layer is also siliconized to form a film having strong adhesion by chemical bonding, and the entire coating layer is siliconized to form a thick silicon carbide film in a short time. You can
【００２５】また、本発明のグラファイトへのコーティ
ング法によれば、グラファイトの表面に金属ケイ素及び
酸化ケイ素の混合物を塗布し、その後、真空あるいは不
活性雰囲気中にて１３００℃〜１６００℃の温度で熱処
理することで、グラファイトの表面に炭化ケイ素被膜を
形成するようにしたので、グラファイトの表面に塗布し
た金属ケイ素の塗布層が炭化ケイ素被膜になってその界
面層も炭化ケイ素化され、化学的結合によって強い密着
力を有する被膜を形成することができる。According to the method for coating graphite of the present invention, a mixture of metallic silicon and silicon oxide is applied to the surface of graphite, and then, at a temperature of 1300 ° C. to 1600 ° C. in a vacuum or an inert atmosphere. By heat treatment, a silicon carbide coating was formed on the surface of the graphite, so the coating layer of metallic silicon coated on the surface of the graphite became a silicon carbide coating, and the interface layer was also converted to silicon carbide, resulting in a chemical bond. Thus, a coating having a strong adhesion can be formed.
【００２６】また、本発明のグラファイトへのコーティ
ング法によれば、グラファイトの表面に金属ケイ素及び
酸化アルミニウムまたは酸化ケイ素の混合物を塗布し、
その近傍に金属ケイ素または金属ケイ素と前記酸化物の
混合物を設置し、その後、真空あるいは不活性雰囲気中
にて１３００℃〜１６００℃の温度で熱処理することグ
ラファイトの表面に炭化ケイ素被膜を形成するようにし
たので、混合物の塗布面以外からもケイ素がグラファイ
トに供給されることとなり、緻密で化学的な結合によっ
てより強い密着力を有する被膜を形成することができ
る。According to the method for coating graphite of the present invention, a mixture of metallic silicon and aluminum oxide or silicon oxide is applied to the surface of graphite,
Metallic silicon or a mixture of metallic silicon and the above oxide is placed in the vicinity thereof and then heat-treated at a temperature of 1300 ° C to 1600 ° C in a vacuum or an inert atmosphere so that a silicon carbide film is formed on the surface of graphite. Therefore, silicon is supplied to the graphite from a surface other than the coated surface of the mixture, and a dense and chemical bond can form a coating film having stronger adhesion.
【図１】溶射法によってグラファイトの表面にセラミッ
クス被膜が形成された状態図である。FIG. 1 is a state diagram in which a ceramic coating is formed on the surface of graphite by a thermal spraying method.
１１ 気孔 １２ グラファイト １３ セラミックス被膜 11 Porosity 12 Graphite 13 Ceramics coating
Claims (3)
形成するグラファイトへのコーティング法において、前
記グラファイトの表面に金属ケイ素及び酸化アルミニウ
ムの混合物を塗布し、その後、真空あるいは不活性雰囲
気中にて１３００℃〜１６００℃の温度で熱処理するこ
とを特徴とするグラファイトへのコーティング法。1. A method for coating graphite, which comprises forming a silicon carbide coating on the surface of graphite, by coating the surface of said graphite with a mixture of metallic silicon and aluminum oxide, and then at 1300 ° C. in a vacuum or an inert atmosphere. A method for coating graphite, which comprises heat treatment at a temperature of ˜1600 ° C.
形成するグラファイトへのコーティング法において、前
記グラファイトの表面に金属ケイ素及び酸化ケイ素の混
合物を塗布し、その後、真空あるいは不活性雰囲気中に
て１３００℃〜１６００℃の温度で熱処理することを特
徴とするグラファイトへのコーティング法。2. A method for coating graphite, which comprises forming a silicon carbide coating on the surface of graphite, by coating the surface of said graphite with a mixture of metallic silicon and silicon oxide, and then at 1300 ° C. in a vacuum or an inert atmosphere. A method for coating graphite, which comprises heat treatment at a temperature of ˜1600 ° C.
形成するグラファイトへのコーティング法において、前
記グラファイトの表面に金属ケイ素及び酸化アルミニウ
ムまたは酸化ケイ素の混合物を塗布し、その近傍に金属
ケイ素または金属ケイ素と前記酸化物の混合物を設置
し、その後、真空あるいは不活性雰囲気中にて１３００
℃〜１６００℃の温度で熱処理することを特徴とするグ
ラファイトへのコーティング法。3. A method for coating graphite, which comprises forming a silicon carbide coating on the surface of graphite, by coating the surface of said graphite with a mixture of metal silicon and aluminum oxide or silicon oxide, and adding silicon metal or silicon metal to the vicinity thereof. Install a mixture of the above oxides, then 1300 in a vacuum or inert atmosphere.
A method for coating graphite, which comprises heat treatment at a temperature of ℃ to 1600 ℃.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6565196A JPH09256168A (en) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | Coating method on graphite |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP6565196A JPH09256168A (en) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | Coating method on graphite |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09256168A true JPH09256168A (en) | 1997-09-30 |
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| JP6565196A Withdrawn JPH09256168A (en) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | Coating method on graphite |
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|---|---|
| JP (1) | JPH09256168A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100810443B1 (en) * | 2006-05-25 | 2008-03-07 | (주)글로벌코센테크 | Method for making graphite resistant to oxidation using chemical vapor reaction method and its preparation |
| CN105523778A (en) * | 2016-01-22 | 2016-04-27 | 青岛华杰硅碳科技有限公司 | Siliconized graphite and preparation method of siliconized graphite |
| CN114436677A (en) * | 2022-02-25 | 2022-05-06 | 中钢新型材料股份有限公司 | Low-expansion enamel coating on graphite substrate and preparation method thereof |
| CN117735816A (en) * | 2023-11-29 | 2024-03-22 | 河南曲显光电科技有限公司 | Polishing-free hot bending process for curved glass |
-
1996
- 1996-03-22 JP JP6565196A patent/JPH09256168A/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
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|---|---|---|---|---|
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