JPH09256168A - グラファイトへのコーティング法 - Google Patents
グラファイトへのコーティング法Info
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- JPH09256168A JPH09256168A JP6565196A JP6565196A JPH09256168A JP H09256168 A JPH09256168 A JP H09256168A JP 6565196 A JP6565196 A JP 6565196A JP 6565196 A JP6565196 A JP 6565196A JP H09256168 A JPH09256168 A JP H09256168A
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- silicon carbide
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5053—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials non-oxide ceramics
- C04B41/5057—Carbides
- C04B41/5059—Silicon carbide
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 グラファイトへのコーティング法において、
安価で耐熱に優れた硬質の炭化ケイ素被膜を形成する。 【構成】 グラファイトの表面に金属ケイ素及び酸化ア
ルミニウムの混合物、または、金属ケイ素及び酸化ケイ
素の混合物を塗布し、あるいは、混合物の塗布面の近傍
に金属ケイ素または金属ケイ素と酸化物との混合物を設
置し、真空あるいは不活性雰囲気中にて１３００℃〜１
６００℃の温度で熱処理することで、グラファイトの表
面に炭化ケイ素被膜を形成する。
安価で耐熱に優れた硬質の炭化ケイ素被膜を形成する。 【構成】 グラファイトの表面に金属ケイ素及び酸化ア
ルミニウムの混合物、または、金属ケイ素及び酸化ケイ
素の混合物を塗布し、あるいは、混合物の塗布面の近傍
に金属ケイ素または金属ケイ素と酸化物との混合物を設
置し、真空あるいは不活性雰囲気中にて１３００℃〜１
６００℃の温度で熱処理することで、グラファイトの表
面に炭化ケイ素被膜を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、溶融金属とグラフ
ァイトとが反応性を有する場合やグラファイトが高温の
酸化雰囲気で使用される場合などに、グラファイトの反
応性を低下させるためにセラミックスをコーティングす
るグラファイトへのコーティング法に関する。
ァイトとが反応性を有する場合やグラファイトが高温の
酸化雰囲気で使用される場合などに、グラファイトの反
応性を低下させるためにセラミックスをコーティングす
るグラファイトへのコーティング法に関する。
【０００２】
【従来の技術】グラファイトへのコーティング法は、各
種の溶解，鋳造等のプロセス、真空蒸着など金属の溶解
処理を前提とする成膜プロセス、大気中で使用される耐
熱部材として使用されるものである。
種の溶解，鋳造等のプロセス、真空蒸着など金属の溶解
処理を前提とする成膜プロセス、大気中で使用される耐
熱部材として使用されるものである。
【０００３】グラファイトを溶融金属などに対する耐蝕
性を高めるために、その表面に炭化ケイ素（ＳｉＣ）な
どのセラミックスをコーティングする方法としては、溶
射法、無機または有機バインダとセラミックス粉末とを
混合したものをグラファイトの表面に塗布するものがあ
る。
性を高めるために、その表面に炭化ケイ素（ＳｉＣ）な
どのセラミックスをコーティングする方法としては、溶
射法、無機または有機バインダとセラミックス粉末とを
混合したものをグラファイトの表面に塗布するものがあ
る。
【０００４】図１に溶射法によってグラファイトの表面
にセラミックス被膜が形成された状態を示す。同図に示
すように、多数の気孔１１を有するグラファイト１２の
表面に炭化ケイ素（ＳｉＣ）などのセラミックスを溶射
することで、このグラファイト１２の表面にセラミック
ス被膜１３が形成されている。
にセラミックス被膜が形成された状態を示す。同図に示
すように、多数の気孔１１を有するグラファイト１２の
表面に炭化ケイ素（ＳｉＣ）などのセラミックスを溶射
することで、このグラファイト１２の表面にセラミック
ス被膜１３が形成されている。
【０００５】また、上述した方法の他に、ＣＶＤ（Cemi
cal Vapor Deposition）法、またはＣＶＲ（Cemical Va
por Reaction）法によりコーティングするものがある。
cal Vapor Deposition）法、またはＣＶＲ（Cemical Va
por Reaction）法によりコーティングするものがある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、グラファイ
トは、一般に、離型性を有する材料であり、且つ、グラ
ファイト気孔間にセラミックスが浸透しにくい性質があ
る。そのため、前述した溶射によるコーティング法にあ
っては、グラファイト１２の気孔１１の内にセラミック
スが充分に浸透しておらず、また、グラファイト１２の
表面とセラミックス被膜１３との界面１４での密着力は
非常に弱い。従って、溶射によって表面にセラミックス
被膜１３が形成されたグラファイト１２を使用する場
合、昇温に伴ってグラファイト１２とセラミックス被膜
１３の熱膨張、あるいは冷却による剥離が発生すること
がある。
トは、一般に、離型性を有する材料であり、且つ、グラ
ファイト気孔間にセラミックスが浸透しにくい性質があ
る。そのため、前述した溶射によるコーティング法にあ
っては、グラファイト１２の気孔１１の内にセラミック
スが充分に浸透しておらず、また、グラファイト１２の
表面とセラミックス被膜１３との界面１４での密着力は
非常に弱い。従って、溶射によって表面にセラミックス
被膜１３が形成されたグラファイト１２を使用する場
合、昇温に伴ってグラファイト１２とセラミックス被膜
１３の熱膨張、あるいは冷却による剥離が発生すること
がある。
【０００７】また、このことは定期的に行われる、所
謂、テープテストによっても明らかである。即ち、この
テープテストは、グラファイト１２に形成されたセラミ
ックス被膜１３の表面にテープを貼り付け、剥がす操作
でセラミックス被膜１３がテープと共にグラファイト１
２から剥離するかどうかを確認するものであり、前述し
た溶射によってセラミックス被膜１３が形成されたグラ
ファイト１２では、このテープテストによって容易にセ
ラミックス被膜１３が剥がれてしまっている。
謂、テープテストによっても明らかである。即ち、この
テープテストは、グラファイト１２に形成されたセラミ
ックス被膜１３の表面にテープを貼り付け、剥がす操作
でセラミックス被膜１３がテープと共にグラファイト１
２から剥離するかどうかを確認するものであり、前述し
た溶射によってセラミックス被膜１３が形成されたグラ
ファイト１２では、このテープテストによって容易にセ
ラミックス被膜１３が剥がれてしまっている。
【０００８】一方、ＣＶＤ法等を用いたコーティング法
は、直接、グラファイトの表面の改質を行い、炭化ケイ
素などのセラミックス被膜を形成するものであるが、こ
のＣＶＤ法では、被膜成長速度が遅く、且つ、コスト的
にも高価となってしまうという問題がある。
は、直接、グラファイトの表面の改質を行い、炭化ケイ
素などのセラミックス被膜を形成するものであるが、こ
のＣＶＤ法では、被膜成長速度が遅く、且つ、コスト的
にも高価となってしまうという問題がある。
【０００９】このようにセラミックス材料をグラファイ
ト部品の表面に強固に接着することは容易でなく、且
つ、その方法も確立されていないのが現状である。
ト部品の表面に強固に接着することは容易でなく、且
つ、その方法も確立されていないのが現状である。
【００１０】本発明はこのような問題点を解決するもの
であって、安価で耐熱に優れた硬質の炭化ケイ素被膜を
形成することのできるグラファイトへのコーティング法
を提供することを目的とする。
であって、安価で耐熱に優れた硬質の炭化ケイ素被膜を
形成することのできるグラファイトへのコーティング法
を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めの本発明のグラファイトへのコーティング法は、グラ
ファイトの表面に炭化ケイ素被膜を形成するグラファイ
トへのコーティング法において、前記グラファイトの表
面に金属ケイ素及び酸化アルミニウムの混合物を塗布
し、その後、真空あるいは不活性雰囲気中にて１３００
℃〜１６００℃の温度で熱処理することを特徴とするも
のである。
めの本発明のグラファイトへのコーティング法は、グラ
ファイトの表面に炭化ケイ素被膜を形成するグラファイ
トへのコーティング法において、前記グラファイトの表
面に金属ケイ素及び酸化アルミニウムの混合物を塗布
し、その後、真空あるいは不活性雰囲気中にて１３００
℃〜１６００℃の温度で熱処理することを特徴とするも
のである。
【００１２】従って、グラファイトの表面に炭化ケイ素
被膜を形成する場合に、金属ケイ素の粉体と酸化アルミ
ニウムの粉体との混合粉物をスプレー法などの手法によ
り、このグラファイトの表面に塗布した後、真空あるい
はアルゴンなどの不活性雰囲気中にて、１３００℃〜１
６００℃の温度で熱処理すると、グラファイトの表面に
塗布した金属ケイ素の塗布層が直接炭化ケイ素被膜にな
ってその界面層も炭化ケイ素化され、化学的結合によっ
て強い密着力を有する被膜が形成されると同時に、塗布
層全体が炭化ケイ素化され、短時間で厚膜の炭化ケイ素
被膜が形成される。
被膜を形成する場合に、金属ケイ素の粉体と酸化アルミ
ニウムの粉体との混合粉物をスプレー法などの手法によ
り、このグラファイトの表面に塗布した後、真空あるい
はアルゴンなどの不活性雰囲気中にて、１３００℃〜１
６００℃の温度で熱処理すると、グラファイトの表面に
塗布した金属ケイ素の塗布層が直接炭化ケイ素被膜にな
ってその界面層も炭化ケイ素化され、化学的結合によっ
て強い密着力を有する被膜が形成されると同時に、塗布
層全体が炭化ケイ素化され、短時間で厚膜の炭化ケイ素
被膜が形成される。
【００１３】また、本発明のグラファイトへのコーティ
ング法は、グラファイトの表面に炭化ケイ素被膜を形成
するグラファイトへのコーティング法において、前記グ
ラファイトの表面に金属ケイ素及び酸化ケイ素の混合物
を塗布し、その後、真空あるいは不活性雰囲気中にて１
３００℃〜１６００℃の温度で熱処理することを特徴と
するものである。
ング法は、グラファイトの表面に炭化ケイ素被膜を形成
するグラファイトへのコーティング法において、前記グ
ラファイトの表面に金属ケイ素及び酸化ケイ素の混合物
を塗布し、その後、真空あるいは不活性雰囲気中にて１
３００℃〜１６００℃の温度で熱処理することを特徴と
するものである。
【００１４】従って、グラファイトの表面に炭化ケイ素
被膜を形成する場合に、金属ケイ素の粉体と酸化ケイ素
の粉体との混合粉物をグラファイトの表面に塗布した
後、真空あるいはアルゴンなどの不活性雰囲気中にて、
１３００℃〜１６００℃の温度で熱処理するとことで
も、グラファイトの表面に塗布した金属ケイ素の塗布層
が炭化ケイ素被膜になってその界面層も炭化ケイ素化さ
れ、化学的結合によって強い密着力を有する被膜が形成
される。
被膜を形成する場合に、金属ケイ素の粉体と酸化ケイ素
の粉体との混合粉物をグラファイトの表面に塗布した
後、真空あるいはアルゴンなどの不活性雰囲気中にて、
１３００℃〜１６００℃の温度で熱処理するとことで
も、グラファイトの表面に塗布した金属ケイ素の塗布層
が炭化ケイ素被膜になってその界面層も炭化ケイ素化さ
れ、化学的結合によって強い密着力を有する被膜が形成
される。
【００１５】また、本発明のグラファイトへのコーティ
ング法は、グラファイトの表面に炭化ケイ素被膜を形成
するグラファイトへのコーティング法において、前記グ
ラファイトの表面に金属ケイ素及び酸化アルミニウムま
たは酸化ケイ素の混合物を塗布し、その近傍に金属ケイ
素または金属ケイ素と前記酸化物の混合物を設置し、そ
の後、真空あるいは不活性雰囲気中にて１３００℃〜１
６００℃の温度で熱処理することを特徴とするものであ
る。
ング法は、グラファイトの表面に炭化ケイ素被膜を形成
するグラファイトへのコーティング法において、前記グ
ラファイトの表面に金属ケイ素及び酸化アルミニウムま
たは酸化ケイ素の混合物を塗布し、その近傍に金属ケイ
素または金属ケイ素と前記酸化物の混合物を設置し、そ
の後、真空あるいは不活性雰囲気中にて１３００℃〜１
６００℃の温度で熱処理することを特徴とするものであ
る。
【００１６】従って、金属ケイ素及び酸化アルミニウム
または酸化ケイ素の混合物を塗布したその近傍に金属ケ
イ素または金属ケイ素と前記酸化物の混合物を設置した
場合は、混合物の塗布面以外から金属ケイ素の蒸気等に
よってケイ素がグラファイトに供給され、緻密で化学的
な結合によって強い密着力を有する被膜が形成される。
または酸化ケイ素の混合物を塗布したその近傍に金属ケ
イ素または金属ケイ素と前記酸化物の混合物を設置した
場合は、混合物の塗布面以外から金属ケイ素の蒸気等に
よってケイ素がグラファイトに供給され、緻密で化学的
な結合によって強い密着力を有する被膜が形成される。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を実施
例を挙げて詳細に説明する。
例を挙げて詳細に説明する。
【００１８】本実施例にあっては、グラファイトの表面
に炭化ケイ素被膜を形成するために、４つの試験片を用
いて試験を行った。
に炭化ケイ素被膜を形成するために、４つの試験片を用
いて試験を行った。
【００１９】試験片１ 粒径が０．５〜２．０μｍの微粉砕した金属シリコン
（金属ケイ素：Ｓｉ）をスラリー状にし、このシリコン
の粉末をスプレー法によりグラファイト基盤の表面に塗
布し、約１００μｍの厚さの被膜を形成する。試験片２ 粒径が０．５〜２．０μｍの微粉砕した金属シリコン
（金属ケイ素：Ｓｉ）とこのシリコン５重量部に対して
１重量部の平均粒径が１．０μｍの微粉砕したアルミナ
（酸化アルミニウム：Ａｌ2Ｏ2）とを混合してをスラリ
ー状にし、この混合粉末をスプレー法によりグラファイ
ト基盤の表面に塗布し、約１００μｍの厚さの被膜を形
成する。試験片３ 粒径が０．５〜２．０μｍの微粉砕した金属シリコン
（金属ケイ素：Ｓｉ）とこのシリコン５重量部に対して
１重量部の平均粒径が０．５μｍの微粉砕したシリカ
（酸化ケイ素：ＳｉＯ2 ）とを混合してをスラリー状に
し、この混合粉末をスプレー法によりグラファイト基盤
の表面に塗布し、約１００μｍの厚さの被膜を形成す
る。試験片４ 試験片２と試験片の下部に金属シリコン（金属ケイ素：
Ｓｉ）及び酸化物の混合粉末を約１ｃｍ敷設する。
（金属ケイ素：Ｓｉ）をスラリー状にし、このシリコン
の粉末をスプレー法によりグラファイト基盤の表面に塗
布し、約１００μｍの厚さの被膜を形成する。試験片２ 粒径が０．５〜２．０μｍの微粉砕した金属シリコン
（金属ケイ素：Ｓｉ）とこのシリコン５重量部に対して
１重量部の平均粒径が１．０μｍの微粉砕したアルミナ
（酸化アルミニウム：Ａｌ2Ｏ2）とを混合してをスラリ
ー状にし、この混合粉末をスプレー法によりグラファイ
ト基盤の表面に塗布し、約１００μｍの厚さの被膜を形
成する。試験片３ 粒径が０．５〜２．０μｍの微粉砕した金属シリコン
（金属ケイ素：Ｓｉ）とこのシリコン５重量部に対して
１重量部の平均粒径が０．５μｍの微粉砕したシリカ
（酸化ケイ素：ＳｉＯ2 ）とを混合してをスラリー状に
し、この混合粉末をスプレー法によりグラファイト基盤
の表面に塗布し、約１００μｍの厚さの被膜を形成す
る。試験片４ 試験片２と試験片の下部に金属シリコン（金属ケイ素：
Ｓｉ）及び酸化物の混合粉末を約１ｃｍ敷設する。
【００２０】このように形成された３つの試験片１，
２，３，４を熱処理炉内に入れ、アルゴン雰囲気１atm
中で昇温温度１０℃／min 、最高温度での保持時間１〜
３時間、その後、炉冷というパターンで熱処理を行っ
た。そして、最高熱処理温度を１０００℃〜１８００℃
の間とし、１００℃ごとの温度での複数の処理を行っ
た。
２，３，４を熱処理炉内に入れ、アルゴン雰囲気１atm
中で昇温温度１０℃／min 、最高温度での保持時間１〜
３時間、その後、炉冷というパターンで熱処理を行っ
た。そして、最高熱処理温度を１０００℃〜１８００℃
の間とし、１００℃ごとの温度での複数の処理を行っ
た。
【００２１】熱処理終了後、グラファイト基盤の表面に
形成された被膜について解析してみると、すべての試験
片１，２，３，４において、１３００℃より低い温度で
は、柔らかい粉末が残留しているだけで、炭化ケイ素被
膜は形成されていなかった。そして、１３００℃以上で
は、比較的硬質の炭化ケイ素被膜は形成されていた。し
かし、１６００℃より高い温度では、炭化ケイ素被膜が
形成されているものの、クラックが発生していた。その
結果、好ましい熱処理温度は、１３００℃〜１６００℃
であることがわかった。
形成された被膜について解析してみると、すべての試験
片１，２，３，４において、１３００℃より低い温度で
は、柔らかい粉末が残留しているだけで、炭化ケイ素被
膜は形成されていなかった。そして、１３００℃以上で
は、比較的硬質の炭化ケイ素被膜は形成されていた。し
かし、１６００℃より高い温度では、炭化ケイ素被膜が
形成されているものの、クラックが発生していた。その
結果、好ましい熱処理温度は、１３００℃〜１６００℃
であることがわかった。
【００２２】一方、試験片１，２，３，４にそれぞれ形
成された炭化ケイ素被膜の硬度は、高い方から順に試験
片４、試験片２、試験片３、試験片１である。その結
果、金属シリコン（金属ケイ素）に酸化物粉体を混合す
ることが、炭化ケイ素被膜の硬質化に有効であることが
わかった。また、近傍に混合粉末を設けることにより、
この混合粉末からもケイ素がグラファイトに供給され、
最も硬質の被膜を得ることが可能となった。
成された炭化ケイ素被膜の硬度は、高い方から順に試験
片４、試験片２、試験片３、試験片１である。その結
果、金属シリコン（金属ケイ素）に酸化物粉体を混合す
ることが、炭化ケイ素被膜の硬質化に有効であることが
わかった。また、近傍に混合粉末を設けることにより、
この混合粉末からもケイ素がグラファイトに供給され、
最も硬質の被膜を得ることが可能となった。
【００２３】そして、このように処理されたこれらの試
験片２，３，４に対してテープテストを行っても、炭化
ケイ素被膜がグラファイト基盤から剥がれることはな
く、グラファイト基盤の表面と炭化ケイ素被膜との間に
は高い密着力があることが確認された。
験片２，３，４に対してテープテストを行っても、炭化
ケイ素被膜がグラファイト基盤から剥がれることはな
く、グラファイト基盤の表面と炭化ケイ素被膜との間に
は高い密着力があることが確認された。
【００２４】
【発明の効果】以上、実施例を挙げて説明したように本
発明のグラファイトへのコーティング法によれば、グラ
ファイトの表面に金属ケイ素及び酸化アルミニウムの混
合物を塗布し、その後、真空あるいは不活性雰囲気中に
て１３００℃〜１６００℃の温度で熱処理することこと
で、グラファイトの表面に炭化ケイ素被膜を形成するよ
うにしたので、グラファイトの表面に塗布した金属ケイ
素の塗布層が直接炭化ケイ素被膜になってその界面層も
炭化ケイ素化され、化学的結合によって強い密着力を有
する被膜を形成することができると共に、塗布層全体が
炭化ケイ素化され、短時間で厚膜の炭化ケイ素被膜を形
成することができる。
発明のグラファイトへのコーティング法によれば、グラ
ファイトの表面に金属ケイ素及び酸化アルミニウムの混
合物を塗布し、その後、真空あるいは不活性雰囲気中に
て１３００℃〜１６００℃の温度で熱処理することこと
で、グラファイトの表面に炭化ケイ素被膜を形成するよ
うにしたので、グラファイトの表面に塗布した金属ケイ
素の塗布層が直接炭化ケイ素被膜になってその界面層も
炭化ケイ素化され、化学的結合によって強い密着力を有
する被膜を形成することができると共に、塗布層全体が
炭化ケイ素化され、短時間で厚膜の炭化ケイ素被膜を形
成することができる。
【００２５】また、本発明のグラファイトへのコーティ
ング法によれば、グラファイトの表面に金属ケイ素及び
酸化ケイ素の混合物を塗布し、その後、真空あるいは不
活性雰囲気中にて１３００℃〜１６００℃の温度で熱処
理することで、グラファイトの表面に炭化ケイ素被膜を
形成するようにしたので、グラファイトの表面に塗布し
た金属ケイ素の塗布層が炭化ケイ素被膜になってその界
面層も炭化ケイ素化され、化学的結合によって強い密着
力を有する被膜を形成することができる。
ング法によれば、グラファイトの表面に金属ケイ素及び
酸化ケイ素の混合物を塗布し、その後、真空あるいは不
活性雰囲気中にて１３００℃〜１６００℃の温度で熱処
理することで、グラファイトの表面に炭化ケイ素被膜を
形成するようにしたので、グラファイトの表面に塗布し
た金属ケイ素の塗布層が炭化ケイ素被膜になってその界
面層も炭化ケイ素化され、化学的結合によって強い密着
力を有する被膜を形成することができる。
【００２６】また、本発明のグラファイトへのコーティ
ング法によれば、グラファイトの表面に金属ケイ素及び
酸化アルミニウムまたは酸化ケイ素の混合物を塗布し、
その近傍に金属ケイ素または金属ケイ素と前記酸化物の
混合物を設置し、その後、真空あるいは不活性雰囲気中
にて１３００℃〜１６００℃の温度で熱処理することグ
ラファイトの表面に炭化ケイ素被膜を形成するようにし
たので、混合物の塗布面以外からもケイ素がグラファイ
トに供給されることとなり、緻密で化学的な結合によっ
てより強い密着力を有する被膜を形成することができ
る。
ング法によれば、グラファイトの表面に金属ケイ素及び
酸化アルミニウムまたは酸化ケイ素の混合物を塗布し、
その近傍に金属ケイ素または金属ケイ素と前記酸化物の
混合物を設置し、その後、真空あるいは不活性雰囲気中
にて１３００℃〜１６００℃の温度で熱処理することグ
ラファイトの表面に炭化ケイ素被膜を形成するようにし
たので、混合物の塗布面以外からもケイ素がグラファイ
トに供給されることとなり、緻密で化学的な結合によっ
てより強い密着力を有する被膜を形成することができ
る。
【図１】溶射法によってグラファイトの表面にセラミッ
クス被膜が形成された状態図である。
クス被膜が形成された状態図である。
１１ 気孔 １２ グラファイト １３ セラミックス被膜
Claims (3)
- 【請求項１】 グラファイトの表面に炭化ケイ素被膜を
形成するグラファイトへのコーティング法において、前
記グラファイトの表面に金属ケイ素及び酸化アルミニウ
ムの混合物を塗布し、その後、真空あるいは不活性雰囲
気中にて１３００℃〜１６００℃の温度で熱処理するこ
とを特徴とするグラファイトへのコーティング法。 - 【請求項２】 グラファイトの表面に炭化ケイ素被膜を
形成するグラファイトへのコーティング法において、前
記グラファイトの表面に金属ケイ素及び酸化ケイ素の混
合物を塗布し、その後、真空あるいは不活性雰囲気中に
て１３００℃〜１６００℃の温度で熱処理することを特
徴とするグラファイトへのコーティング法。 - 【請求項３】 グラファイトの表面に炭化ケイ素被膜を
形成するグラファイトへのコーティング法において、前
記グラファイトの表面に金属ケイ素及び酸化アルミニウ
ムまたは酸化ケイ素の混合物を塗布し、その近傍に金属
ケイ素または金属ケイ素と前記酸化物の混合物を設置
し、その後、真空あるいは不活性雰囲気中にて１３００
℃〜１６００℃の温度で熱処理することを特徴とするグ
ラファイトへのコーティング法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6565196A JPH09256168A (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | グラファイトへのコーティング法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6565196A JPH09256168A (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | グラファイトへのコーティング法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09256168A true JPH09256168A (ja) | 1997-09-30 |
Family
ID=13293133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6565196A Withdrawn JPH09256168A (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | グラファイトへのコーティング法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09256168A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100810443B1 (ko) * | 2006-05-25 | 2008-03-07 | (주)글로벌코센테크 | 화학적 기상 반응 방법을 이용한 흑연에 내산화성을 갖게하는 방법 및 그 제조물 |
| CN105523778A (zh) * | 2016-01-22 | 2016-04-27 | 青岛华杰硅碳科技有限公司 | 一种硅化石墨及其制备方法 |
| CN114436677A (zh) * | 2022-02-25 | 2022-05-06 | 中钢新型材料股份有限公司 | 一种石墨基材上低膨胀瓷釉涂层及其制备方法 |
| CN117735816A (zh) * | 2023-11-29 | 2024-03-22 | 河南曲显光电科技有限公司 | 曲面玻璃免抛光热弯工艺 |
-
1996
- 1996-03-22 JP JP6565196A patent/JPH09256168A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100810443B1 (ko) * | 2006-05-25 | 2008-03-07 | (주)글로벌코센테크 | 화학적 기상 반응 방법을 이용한 흑연에 내산화성을 갖게하는 방법 및 그 제조물 |
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