JPH09258198A - 液晶パネルおよびその製造方法 - Google Patents

液晶パネルおよびその製造方法

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JPH09258198A
JPH09258198A JP8061330A JP6133096A JPH09258198A JP H09258198 A JPH09258198 A JP H09258198A JP 8061330 A JP8061330 A JP 8061330A JP 6133096 A JP6133096 A JP 6133096A JP H09258198 A JPH09258198 A JP H09258198A
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color filter
filter layer
liquid crystal
transparent electrode
protective film
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JP8061330A
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English (en)
Inventor
Satoyuki Sugitani
智行 杉谷
Akiya Izumi
章也 泉
Takaaki Kuji
卓見 久慈
Yoshitaka Imabayashi
義考 今林
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】カラーフィルタ層を覆って成膜する保護膜の平
坦性を維持して表示品質の劣化を防止する。 【解決手段】透明基板SUB2の面上に形成した吸光性
物質のブラックマトリクスBMで区画された複数色のカ
ラーフィルタ層FIL(R),FIL(G),FIL
(B)と、前記カラーフィルタ層を覆って形成した保護
膜PSV2を介して形成した透明電極ITO2と、前記
透明電極を覆って形成した配向膜ORI2とから構成し
た液晶パネルにおいて、前記カラーフィルタ層の表面凹
凸を埋めて塗布した前記保護膜PSV2を熱硬化前で高
架橋反応させた高感度の光硬化性の熱硬化性有機透明樹
脂で形成した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶パネルに係
り、特に透明基板上に形成したカラーフィルタ層の平坦
性を向上させた液晶パネルとその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、画像表示デバイスとして液晶表示
装置が多くの分野において使用されるようになった。
【0003】この種の液晶表示装置は、表示窓をもつ上
フレームと、駆動回路基板を一体化したガラス基板等の
少なくとも一方が透明な一対の基板からなる液晶パネル
と、光拡散板と導光板等からなる背面照明部材である導
光体組立と、少なくとも一辺に線状のバクライト光源を
搭載する中間フレームと、下フレーム等を有し、これら
を上記の順で積層し、上記上フレームと下フレームとを
連結固定してなるのが一般的である。なお、中間フレー
ムと下フレームとを一体化したものもある。
【0004】そして、上記液晶パネルを構成する一対の
ガラス基板の液晶対向面には走査電極、信号電極、配向
膜、その他の機能膜群を有し、それらの対向ギャップに
シリカあるいはプラスチック等からなる略々球形あるい
は断面円形の微小スペーサを分散させて介在させること
により一対の基板を所定のセル厚(以下、単にギャップ
とも言う)で保持させるようにしている。
【0005】カラー対応の液晶表示装置では、上記一対
のガラス基板の一方のガラス基板(例えば、上ガラス基
板)の内面に複数色のカラーフィルタ層を始め、何れか
のガラス基板には画素選択用の透明電極などの機能膜群
が形成され、上記一方のガラス基板または他方のガラス
基板(下ガラス基板)には信号印加用の透明電極(画素
の点灯/非点灯を制御する制御手段として薄膜トランジ
スタ等のスイッチング素子を用いたTFT型などのアク
ティブ方式の液晶表示装置では、下ガラス基板に画素選
択用の薄膜トランジスタ等のスイッチング素子およびそ
の信号電極)等の上記一方のガラス基板とは異なる構成
の機能膜群が設けられている。
【0006】なお、この種の液晶表示装置の従来技術を
開示したものとしては、特公昭51−13666号公
報、特開昭63−309921号公報を挙げることがで
きる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】液晶表示装置をカラー
化するためには、当該液晶表示装置を構成する液晶パネ
ルの一方のガラス基板に複数色のカラーフィルタを形成
する必要がある。
【0008】このカラーフィルタは上記ガラス基板の面
上に少なくとも3色(赤:R、緑:G、青:B)のカラ
ーフィルタ層を吸光性物質からなるブラックマトリクス
で区画してなり、その上に透明電極膜を成膜し、さらに
液晶層と接する配向膜を形成して、所謂カラーフィルタ
基板としている。
【0009】上記カラーフィルタ層と透明電極層の間に
は、カラーフィルタ層を外部環境から保護し、不純物が
液晶層に流出するのを防止すると共に、カラーフィルタ
層の表面の平坦性を向上させるための透明樹脂からなる
保護膜が形成されている。
【0010】この保護膜は、一般に熱硬化型レジストを
カラーフィルタ層を覆って成膜してベーキング工程で硬
化する方法や、光硬化型レジストを用いたフォトリソグ
ラフィーによる部分成膜方法が知られている。
【0011】しかし、熱硬化型レジストを用いた場合に
は、当該熱硬化型レジストの加熱硬化時の当該熱硬化反
応による当該レジスト膜の膜収縮率が大きく(10〜1
5%程度)、また光硬化型レジストを用いた場合には、
ポストベーク工程における本硬化処理での熱収縮が大き
い。
【0012】カラーフィルタ層の表面はブラックマトリ
クスと複数のカラーフィルタの境界部分において特に段
差が大きく、カラーフィルタ層の表面は多数の段差が形
成されている。
【0013】上記のように、保護膜を形成するためのレ
ジスト膜の膜収縮率が大きいと、レジスト溶液の塗布時
や乾燥時に平坦な表面であっても、本硬化工程での熱処
理において、その下層のカラーフィルタの段差の影響を
受け、平坦性が損なわれてしまい、液晶パネルの表示品
質の劣化を招くという問題があった。
【0014】本発明の目的は、上記従来技術の問題点を
解消し、カラーフィルタ層を覆って成膜する保護膜の平
坦性を維持して表示品質の劣化を防止した液晶パネルと
その製造方法を提供することにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明では、エポキシ樹脂系の熱硬化型レジストに
光硬化性(ラジカル反応性)を付与し、また光硬化性レ
ジストを高感度化して、本硬化工程でのベーキング処理
による熱硬化収縮を低減した。
【0016】また、上記レジストの高感度化の外、光硬
化処理時の露光量の増大し、あるいは架橋剤の添加量の
増大を行うことにより、本硬化工程でのベーキング処理
による熱硬化収縮を低減した。
【0017】すなわち、請求項1に記載の第1の発明
は、透明基板の面上に形成した吸光性物質のブラックマ
トリクスで区画された複数色のカラーフィルタ層と、前
記カラーフィルタ層を覆って形成した保護膜を介して形
成した透明電極と、前記透明電極を覆って形成した配向
膜とから構成した液晶パネルにおいて、前記カラーフィ
ルタ層の表面凹凸を埋めて塗布した前記保護膜が、熱硬
化前で高架橋反応させた高感度の光硬化性の熱硬化性有
機透明樹脂で形成したことを特徴とする。
【0018】また、請求項2に記載の第2の発明は、透
明基板の面上に形成した吸光性物質のブラックマトリク
スで区画された複数色のカラーフィルタ層と、前記カラ
ーフィルタ層を覆って形成した保護膜を介して形成した
透明電極と、前記透明電極を覆って形成した配向膜とか
ら構成した液晶パネルにおいて、前記カラーフィルタ層
の表面凹凸を埋めて塗布した前記保護膜が、熱硬化前で
高架橋反応させた光架橋反応性有機透明樹脂で形成した
ことを特徴とする。
【0019】さらに、請求項3に記載の第3の発明は、
透明基板の面上にブラックマトリクスで区画された複数
色のカラーフィルタ層と、前記カラーフィルタ層を覆っ
て形成した保護膜を介して形成した透明電極と、前記透
明電極を覆って形成した配向膜とから構成した液晶パネ
ルの製造方法において、前記カラーフィルタ層を覆って
高感度の光硬化性の熱硬化性有機透明樹脂を塗布し、露
光を施して架橋反応させる露光工程と、前記露光工程で
硬化させた前記熱硬化性有機透明樹脂を被覆したカラー
フィルタ層を熱処理して硬化するベーキングする工程と
を少なくとも含むことを特徴とする液晶パネルの製造方
法。
【0020】さらに、請求項4に記載の第4の発明は、
透明基板の面上にブラックマトリクスで区画された複数
色のカラーフィルタ層と、前記カラーフィルタ層を覆っ
て形成した保護膜を介して形成した透明電極と、前記透
明電極を覆って形成した配向膜とから構成した液晶パネ
ルの製造方法において、前記カラーフィルタ層を覆って
高感度の光架橋反応性有機透明樹脂を塗布し、適正露光
量を越えた露光を施して架橋反応を促進する過剰露光工
程と、前記過剰露光工程で硬化させた前記光架橋反応性
有機透明樹脂を被覆したカラーフィルタ層を熱処理して
硬化するベーキングする工程とを少なくとも含むことを
特徴とする。
【0021】上記本発明により、保護膜には本硬化であ
るベーキング工程に入る以前に当該保護膜中に架橋によ
る骨格が形成されるため、加熱硬化処理摩る際の熱収縮
が抑制されてカラーフィルタ層を覆って成膜する保護膜
の平坦性が維持されるため、表示品質の劣化を防止した
液晶パネルが得られる。
【0022】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につ
き、図示実施例を参照して詳細に説明する。
【0023】図1は本発明による液晶パネルの一実施例
を説明するためのカラーフィルタ基板の部分断面模式図
であって、SUB2はガラス基板、BMはブラックマト
リクス、FIL(R)は赤フィルタ、FIL(G)は緑
フィルタ、FIL(B)は青フィルタ、PSV2は保護
膜、ITO2は透明電極(共通電極)、ORI2は配向
膜である。
【0024】同図において、液晶パネルを構成するカラ
ーフィルタ基板は、透明なガラス基板SUB2上にブラ
ックマトリクスBMで区画された複数のカラーフィルタ
FIL(R),FIL(G),FIL(B)が形成され
ている。
【0025】このカラーフィルタFIL(R),FIL
(G),FIL(B)を覆って保護膜PSV2が形成さ
れ、その上に透明電極ITO2と配向膜ORI2が形成
されている。
【0026】上記保護膜PSV2としては、カラーフィ
ルタ層の表面凹凸を埋めて光感度性を付与した光硬化性
の熱硬化性有機樹脂としてラジカル反応性を付与したエ
ポキシ樹脂を塗布した後、露光により光架橋反応で骨格
を形成し、その後に熱硬化して形成した。
【0027】本実施例により、本硬化工程のベーキング
処理での熱収縮が低減され、塗布時の平坦性を維持した
保護膜となり、カラーフィルタ層の凹凸を埋めて上層に
形成する透明電極や配向膜の平坦化を図ることができ
る。
【0028】したがって、本実施例の液晶パネルを用い
た液晶表示装置によれば、画質の劣化のない高品質の画
像表示が得られる。
【0029】本発明の第二実施例は、上記保護膜PSV
2として高感度化した光架橋反応性有機透明樹脂を塗布
し、これを露光して架橋反応による骨格を形成し、その
後のベーキング工程での熱収縮を低減した。
【0030】本実施例により、塗布時の平坦性を維持し
た保護膜となり、カラーフィルタ層の凹凸を埋めて上層
に形成する透明電極や配向膜の平坦化を図ることがで
き、画質の劣化のない高品質の画像表示が得られる。
【0031】本発明の第三実施例は、上記保護膜PSV
2として光架橋反応性有機透明樹脂を塗布し、これを通
常よりも多い2倍の露光量で露光して架橋反応による骨
格を形成し、その後のベーキング工程での熱収縮を低減
した。
【0032】本実施例により、塗布時の平坦性を維持し
た保護膜となり、カラーフィルタ層の凹凸を埋めて上層
に形成する透明電極や配向膜の平坦化を図ることがで
き、画質の劣化のない高品質の画像表示が得られる。
【0033】図2は露光量を増大させた時の保護膜の残
膜厚の関係の説明図であって、横軸に露光量の倍数(相
対倍数)を、縦軸に残膜厚(μm)を取って示す。
【0034】同図において、aはレジストを塗布してプ
リベークした後の残膜厚、bは最終のベーキング処理後
の残膜厚を示す。
【0035】また、図3は露光量を増大させた時の保護
膜の残膜率の関係の説明図であって、横軸に露光量の倍
数(相対倍数)を、縦軸に残膜率(%)を取って示す。
【0036】同図において、aはレジストを塗布してプ
リベークした後の残膜率、bは最終のベーキング処理後
の残膜率を示す。
【0037】図2および図3において、例えば、ホトリ
ソグラフィー用光硬化レジストとしてV259PA(新
日鉄化学社製)を使用して従来手法の露光量で成膜した
場合、プリベーク時の膜厚2.57μmが最終ベーキン
グ処理で2.35μmとなった。この場合の残膜率は約
91%である。
【0038】これに対し、上記と同条件でレジストを塗
布し、従来の2倍の露光量で露光後の残膜厚は2.56
μm、最終ベーキング処理後の残膜厚は2.37μmと
なり、残膜率はそれぞれ約99.5%、92.2%とな
る。
【0039】このように、露光量を増大することのみで
約1%以上に収縮率の低減が可能となる。
【0040】なお、上記では露光量を増大させた例で説
明したが、これに代えてレジストの光硬化性を上げ、あ
るいは架橋剤の添加量を増やすことでも同様の効果が得
られる。
【0041】図4および図5は本発明による液晶パネル
の製造方法の第一実施例を説明する概略工程図である。
【0042】図4、図5において、先ず、ガラス基板S
UB2の表面に吸光性物質を添加した感光性レジストか
らなるブラックマトリクス材料のレジスト膜BM’を塗
布し乾燥する(a)。
【0043】これをブラックマトリクスのパターン開孔
を有するマスクMSK1を介して露光光EXを照射して
露光し、露光部分の上記レジスト膜BM’を硬化させる
(b)。
【0044】レジスト膜BM’の未露光部分を現像除去
してブラックマトリクスBMを形成する(c)。
【0045】次に、上記ブラックマトリクスBMを覆っ
て、第1のカラーフィルタ材料を含んだ感光性レジスト
膜FIL(R)’を塗布し乾燥する(d)。
【0046】これを第1のカラーフィルタパターンを有
するマスクMSK2を介して露光光EXを照射して露光
し、露光部分の上記レジスト膜FIL(R)’を硬化さ
せる(e)。
【0047】レジスト膜FIL(R)’を現像除去して
第1のカラーフィルタFIL(R)を形成する(f)。
【0048】以下、同様にして第2のカラーフィルタF
IL(G)、第3のカラーフィルタFIL(B)からな
るカラーフィルタ層を形成する(g)。
【0049】形成したカラーフィルタ層を覆って保護膜
となる光硬化性の熱硬化性有機透明樹脂のレジスト膜P
SV2’を塗布し乾燥する(h)。
【0050】このレジスト膜PSV2’に対して露光光
EXを照射し、光硬化させる。このとき、上記レジスト
膜PSV2’には光反応による架橋が成されて当該膜内
に分子の骨格が形成される(i)。
【0051】この骨格の形成によって、後段の最終ベー
キング処理で保護膜PSV2の収縮が低減される。
【0052】カラーフィルタ層の形成後、その上に透明
電極ITO2が成膜され(j)、さらにその上に配向膜
ORI2が形成される(k)。
【0053】このようにしてカラーフィルタ基板が製造
され、別途製作した他方の基板を液晶層を介して貼り合
わせることにより、液晶パネルが得られる。
【0054】なお、上記ではカラーフィルタ基板につい
てのみ説明したが、他方の基板(個別電極側基板、ある
いはTFT基板側)に形成する保護膜にも同様に適用で
きる。
【0055】次に、本発明による液晶パネルを使用した
液晶表示装置の具体例について説明する。
【0056】図6は本発明を適用した液晶表示装置の一
例としてのTFT型液晶表示装置の要部構造を詳細に説
明する断面図であって、SUB1は下側基板、SUB2
は上側基板、ITO1,0TO2は電極、TFT1は薄
膜トランジスタ、FIL(FIL(R),FIL
(G),FIL(B))はカラーフィルタ、BMはブラ
ックマトリクス(遮光膜)、PSV1,PSV2は保護
膜、ORI1,ORI2は配向膜、LCは液晶層、PO
L1,POL2は偏光板、PULは複屈折媒体である。
【0057】なお、SIOは酸化シリコン膜、SD1
(d3,d2,d0),SD2(d3,d2),AO
F,GT,g2,AS,GI等がTFTを構成する各種
電極および絶縁膜、その他の機能性薄膜である。
【0058】同図において、液晶層LCを基準にして下
側基板SUB1側には薄膜トランジスタTFTおよび透
明画素電極ITO1が形成され、保護膜PSV1を介し
て下側配向膜ORI1が形成されている。
【0059】また、上側基板SUB2側にはカラーフィ
ルタFIL、遮光用ブラックマトリクスパターンBMが
形成されている。
【0060】上下の基板SUB1、SUB2の両面には
ディップ処理等によって形成された酸化シリコン膜SI
Oが設けられている。
【0061】上側基板SUB2の内側(液晶層LC側)
の表面には、遮光膜BM、カラーフィルタFIL、保護
膜PSV2、共通透明画素電極ITO2(COM)およ
び上側配向膜ORI2が順次積層して設けられている。
【0062】下側基板SUB1の内側の表面には薄膜ト
ランジスタTFT1、画素電極ITO1,保護膜PSV
1,下側配向膜ORI1が形成されている。
【0063】そして、上側基板SUB2と上側偏光板P
OL1との間には複屈折媒体PULとしてトリアセチル
セルロースのフィルムが間挿されている。
【0064】図7は本発明による液晶表示装置を用いて
組み立てたTFT型液晶表示モジュールの構造例を説明
する展開斜視図である。
【0065】同図において、MDLは液晶表示モジュー
ル、SHDは上フレームである金属製のシールドケー
ス、WDは液晶表示モジュールの有効画面を画定する表
示窓、PNLは液晶表示素子からなる液晶パネル、PC
B1はドレイン側回路基板、PCB2はゲート側回路基
板、PCB3はインターフェース回路基板、PRSはプ
リズムシート、SPSは拡散シート、GLBは導光体、
RFSは反射シート、BLはバックライト、LPはバッ
クライトBLのランプを構成する冷陰極蛍光灯、LSは
反射シート、GCはゴムブッシュ、LPCはランプケー
ブル、MCAは導光体GLBを設置する開口MOを有す
る下側ケース、JN1,2,3は回路基板間を接続する
ジョイナ、TCP1,2はテープキャリアパッケージ、
INS1,2,3は絶縁シート、GCはゴムクッショ
ン、BATは両面粘着テープ、ILSは遮光スペーサで
ある。
【0066】上記の各構成材は、金属製のシールドケー
スSHDと下側ケースMCAの間に積層されて挟持固定
されて液晶表示モジュールMDLを構成する。
【0067】液晶パネルPNLには、図13に示したよ
うに本発明による複屈折媒体が積層され、その周辺に各
種の回路基板を取り付けて画像表示のための駆動がなさ
れる。
【0068】また、液晶パネルPNLの裏面には導光体
GLBに各種の光学シートを積層してなるバックライト
BLが設置され、液晶表示パネルPNLに形成された画
像を照明して表示窓WDに表示する。
【0069】図8は薄膜トランジスタをスイッチング素
子として用いたアクティブ・マトリクス方式TFT液晶
表示モジュールのTFT液晶表示パネルとその外周部に
配置された回路を示すブロック図である。
【0070】同図では、液晶表示パネルの片側のみにそ
れぞれ配置されたドレインドライバIC1 〜ICM およ
びゲートドライバIC1 〜ICN は、液晶表示素子の一
方の透明絶縁基板SUB1上に形成されたドレイン側引
き出し線およびゲート側引き出し線と異方性導電膜ある
いは紫外線硬化樹脂SIL等でチップ・オン・ガラス実
装(COG実装)されている。
【0071】この液晶表示素子はXGA仕様である80
0×3×600の有効ドットを有する液晶表示装置に適
用している。このため、液晶表示素子の透明絶縁基板上
には、液晶パネルの長辺に240出力のドレインドライ
バIC1 〜ICM を10個(M=10)と、短辺に10
1出力のゲートドライバIC1 〜ICN を6個(N=
6)とをCOG実装している。
【0072】画素数からは、ゲートドライバIC1 〜I
N の出力は、合計600出力あれば足りるが、有効画
素部の上下に追加ゲート線を形成するため、最上部10
1出力、中央部100出力×4、および最下部101出
力の構成をとっている。
【0073】なお、同一のゲートドライバICにて、1
00、101出力の使い分けができる。
【0074】このように、液晶表示パネルの上側にはド
レインドライバ部103が配置され、また、側面部には
ゲートドライバ部104が、さらに他方の側面部にはコ
ントローラ部101、電源部102が配置されている。
【0075】コントローラ部101および電源部10
2、ドレインドライバ部103、ゲートドライバ部10
4は、それぞれ電気的接続手段(ジョイナー)JN1、
JN3により相互接続されている。
【0076】この構成令では、XGAパネルとして80
0×3×600ドットの10.4インチ画面サイズのT
FT液晶表示モジュールを設計した。このため、赤
(R)、緑(G)、青(B)の各ドットの大きさは、2
64μm(ゲート線ピッチ)×88μm(ドレイン線ピ
ッチ)となっており、1画素は、赤色(R)、緑色
(G)、青色(B)の3ドットの組合わせで、264μ
m角となっている。このため、ドレイン線引き出し配線
DTMを800×3本とすると、引き出し線ピッチは1
00μm以下となってしまい、現在使用可能なテープキ
ャリアパッケージ(TCP)実装の接続ピッチ限界以下
となる。COG実装では、使用する異方性導電膜等の材
料にも依存するが、おおよそ駆動用ICチップのバンプ
BUMPのピッチで約70μmおよび下地配線との交叉
面積で約40μm角が現在使用可能な最小値といえる。
このため、本例では、液晶パネルの1個の長辺側にドレ
インドライバICを一列に並べ、ドレイン線を該長辺側
に引き出して、ドレイン線引き出し配線DTMのピッチ
を88μmとした。
【0077】したがって、駆動用ICチップのバンプピ
ッチを約70μmおよび下地配線との交叉面積を約40
μm角に設計でき、下地配線とより高い信頼性で接続す
るのが可能となった。
【0078】また、ゲート線ピッチは264μmと十分
大きいため、片側の短辺側にてゲート線引き出しを引き
出しているが、さらに高精細になると、ドレイン線と同
様に対向する2個の短辺側にゲート線引き出し線を交互
に引き出すことも可能である。
【0079】図9は図8に示したTFT液晶表示モジュ
ールにおけるゲートドライバ104、ドレインドライバ
103に対する表示用データとクロック信号の流れの説
明図である。
【0080】表示制御装置101は、本体コンピュータ
(ホスト)からの制御信号(クロック、表示タイミング
信号、同期信号)を受けて、ドレインドライバ103へ
の制御信号として、クロックD1(CL1)、シフトク
ロックD2(CL2)および表示データを生成し、同時
に、ゲートドライバ104への制御信号として、フレー
ム開始指示信号、クロックおよび表示データを生成す
る。
【0081】また、ドレインドライバ103の前段のキ
ャリー出力は、そのまま次段のドレインドライバ103
のキャリー入力に入力される。
【0082】図10は上側基板の電極(コモン電極)に
印加されるコモン電圧、ドレインに印加されるドレイン
電圧、ゲート電極に印加されるゲート電圧のレベル、お
よび、その波形の説明図である。
【0083】なお、ドレイン波形は黒を表示していると
きのドレイン波形を示す。
【0084】同図において、ゲートオンレベル波形(直
流)とゲートオフレベル波形は、−9〜−14ボルトの
間でレベル変化し、10ボルトでゲートオンする。ドレ
イン波形(黒表示時)とコモン電圧Vcom波形は、0
〜3ボルトの間でレベル変化する。
【0085】例えば、黒レベルのドレイン波形を1水平
期間(1H)毎に変化させるため、論理処理回路で1ビ
ットずつ論理反転を行ない、ドレインドライバに入力し
ている。
【0086】ゲートのオフレベル波形は、コモン電圧V
com波形と略同振幅、同位相で動作する。
【0087】図11は本発明による液晶表示装置を実装
した電子機器の一例としてのノートブック型のパソコン
あるいはワープロの斜視図である。
【0088】同図において、駆動ICの液晶パネルPN
L上へのCOG実装と外周部のドレインおよびゲートド
ライバ用周辺回路としての多層フレキシブル基板に折り
曲げ実装を採用することで、従来に比べ大幅に外形サイ
ズ縮小ができる。
【0089】本例では、片側実装されたドレインドライ
バ用周辺回路を情報機器のヒンジ上方の表示部の上側に
配置できるため、コンパクトな実装が可能となった。
【0090】情報機器からの信号は、まず、同図の左側
のインターフェイス基板PCBのほぼ中央に位置するコ
ネクタから表示制御集積回路素子(TCON)へ行き、
ここでデータ変換された表示データが、ドレインドライ
バ用周辺回路へ流れる。
【0091】このように、フリップチップ方式と多層フ
レキシブル基板とを使用することで、情報機器の横幅の
外形の制約が解消でき、小型で低消費電力の情報機器を
提供できた。
【0092】以上本発明を実施例に基づいて具体的に説
明したが、本発明は、上記実施例に限定されるものでは
なく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能
であることは勿論である。
【0093】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
カラーフィルタ基板に形成する保護膜を形成するレジス
トを高架橋度化することによって当該保護膜に骨格を形
成した後、加熱処理することで熱収縮を抑制して表面の
平坦性を確保でき、高品質の画像表示が可能な液晶パネ
ルを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による液晶パネルの一実施例を説明する
ためのカラーフィルタ基板の部分断面模式図である。
【図2】露光量を増大させた時の保護膜の残膜厚の関係
の説明図である。
【図3】露光量を増大させた時の保護膜の残膜率の関係
の説明図である。
【図4】本発明による液晶パネルの製造方法の第一実施
例を説明する概略工程図である。
【図5】本発明による液晶パネルの製造方法の第一実施
例を説明する図4に続く概略工程図である。
【図6】本発明を適用した液晶表示装置の一例としての
TFT型液晶表示装置の要部構造を詳細に説明する断面
図である。
【図7】本発明による液晶表示装置を用いて組み立てた
TFT型液晶表示モジュールの構造例を説明する展開斜
視図である。
【図8】薄膜トランジスタをスイッチング素子として用
いたアクティブ・マトリクス方式TFT液晶表示モジュ
ールのTFT液晶表示パネルとその外周部に配置された
回路を示すブロック図である。
【図9】図8に示したTFT液晶表示モジュールにおけ
るゲートドライバ104、ドレインドライバ103に対
する表示用データとクロック信号の流れの説明図であ
る。
【図10】上側基板の電極(コモン電極)に印加される
コモン電圧、ドレインに印加されるドレイン電圧、ゲー
ト電極に印加されるゲート電圧のレベル、および、その
波形の説明図である。
【図11】本発明による液晶表示装置を実装した電子機
器の一例としてのノートブック型のパソコンあるいはワ
ープロの斜視図である。
【符号の説明】
SUB2 ガラス基板 BM ブラックマトリクス FIL(R) 赤フィルタ FIL(G) 緑フィルタ FIL(B) 青フィルタ PSV2 保護膜 ITO2 透明電極(共通電極) ORI2 配向膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 今林 義考 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】透明基板の面上に形成した吸光性物質のブ
    ラックマトリクスで区画された複数色のカラーフィルタ
    層と、前記カラーフィルタ層を覆って形成した保護膜を
    介して形成した透明電極と、前記透明電極を覆って形成
    した配向膜とから構成した液晶パネルにおいて、 前記カラーフィルタ層の表面凹凸を埋めて塗布した前記
    保護膜が、熱硬化前で高架橋反応させた光硬化性の熱硬
    化性有機透明樹脂で形成したことを特徴とする液晶パネ
    ル。
  2. 【請求項2】透明基板の面上に形成した吸光性物質のブ
    ラックマトリクスで区画された複数色のカラーフィルタ
    層と、前記カラーフィルタ層を覆って形成した保護膜を
    介して形成した透明電極と、前記透明電極を覆って形成
    した配向膜とから構成した液晶パネルにおいて、 前記カラーフィルタ層の表面凹凸を埋めて塗布した前記
    保護膜が、熱硬化前で高架橋反応させた光架橋反応性有
    機透明樹脂で形成したことを特徴とする液晶パネル。
  3. 【請求項3】透明基板の面上にブラックマトリクスで区
    画された複数色のカラーフィルタ層と、前記カラーフィ
    ルタ層を覆って形成した保護膜を介して形成した透明電
    極と、前記透明電極を覆って形成した配向膜とから構成
    した液晶パネルの製造方法において、 前記カラーフィルタ層を覆って高感度の光硬化性の熱硬
    化性有機透明樹脂を塗布し、露光を施して架橋反応させ
    る露光工程と、 前記露光工程で硬化させた前記熱硬化性有機透明樹脂を
    被覆したカラーフィルタ層を熱処理して硬化するベーキ
    ングする工程とを少なくとも含むことを特徴とする液晶
    パネルの製造方法。
  4. 【請求項4】透明基板の面上にブラックマトリクスで区
    画された複数色のカラーフィルタ層と、前記カラーフィ
    ルタ層を覆って形成した保護膜を介して形成した透明電
    極と、前記透明電極を覆って形成した配向膜とから構成
    した液晶パネルの製造方法において、 前記カラーフィルタ層を覆って高感度の光架橋反応性有
    機透明樹脂を塗布し、適正露光量を越えた露光を施して
    架橋反応を促進する過剰露光工程と、 前記過剰露光工程で硬化させた前記光架橋反応性有機透
    明樹脂を被覆したカラーフィルタ層を熱処理して硬化す
    るベーキングする工程とを少なくとも含むことを特徴と
    する液晶パネルの製造方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001053283A (ja) * 1999-08-12 2001-02-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
JP2007027773A (ja) * 2006-08-28 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
JP2009008713A (ja) * 2007-06-26 2009-01-15 Toppan Printing Co Ltd カラーフィルタ
JP2010113360A (ja) * 2009-11-27 2010-05-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法、半導体装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001053283A (ja) * 1999-08-12 2001-02-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
US8003989B2 (en) 1999-08-12 2011-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film semiconductor device having a terminal portion
US9041875B2 (en) 1999-08-12 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device
US9640630B2 (en) 1999-08-12 2017-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device
JP2007027773A (ja) * 2006-08-28 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
JP2009008713A (ja) * 2007-06-26 2009-01-15 Toppan Printing Co Ltd カラーフィルタ
JP2010113360A (ja) * 2009-11-27 2010-05-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法、半導体装置

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