JPH10325951A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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Publication number
JPH10325951A
JPH10325951A JP9134669A JP13466997A JPH10325951A JP H10325951 A JPH10325951 A JP H10325951A JP 9134669 A JP9134669 A JP 9134669A JP 13466997 A JP13466997 A JP 13466997A JP H10325951 A JPH10325951 A JP H10325951A
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JP
Japan
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liquid crystal
substrate
black matrix
crystal display
sealing material
Prior art date
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Pending
Application number
JP9134669A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Ishii
彰 石井
Toshio Sato
敏男 佐藤
Junichi Owada
淳一 大和田
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Hitachi Ltd
Japan Display Inc
Original Assignee
Hitachi Device Engineering Co Ltd
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】バックライトからの光が、シール材の外側のカ
ラーフィルタ基板の端部のガラス面で乱反射して、表示
窓の周辺で見えるのを防止する。 【解決手段】シール材SLの外側のカラーフィルタ基板
SUB2の端部に、ブラックマトリクスBMを配置す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、それぞれ薄膜を設
けた面が互いに対向するように、2枚の絶縁基板を所定
の間隙を隔てて重ね合わせ、両基板間の周縁部に枠状に
設けたシール材により両基板を接着すると共に、該シー
ル材の内側の両基板間に液晶を封止してなる液晶表示素
子を有し、一方の基板にブラックマトリクス(遮光膜)
を設けた液晶表示装置(すなわち、液晶表示モジュー
ル)に係り、特に、表示領域外側における周辺額縁部の
光漏れを低減する技術に関する。
【0002】
【従来の技術】アクティブ・マトリクス方式の液晶表示
装置は、マトリクス状に配列された複数の画素電極のそ
れぞれに対応して非線形素子(スイッチング素子)を設
けたものである。各画素における液晶は理論的には常時
駆動(デューティ比 1.0)されているので、時分割駆動
方式を採用している、いわゆる単純マトリクス方式と比
べてアクティブ方式はコントラストが良く、特にカラー
液晶表示装置では欠かせない技術となりつつある。スイ
ッチング素子として代表的なものとしては薄膜トランジ
スタ(TFT)がある。
【0003】なお、薄膜トランジスタを使用したアクテ
ィブ・マトリクス方式の液晶表示装置は、例えば特開平
5−257142号公報で知られている。また、画素電
極の周囲を樹脂からなる遮光膜で覆う構成は、特開平4
−342229号および特開平5−72540号公報で
知られている。
【0004】液晶表示装置は、例えば、表示用透明画素
電極と配向膜等をそれぞれ積層した面が対向するように
所定の間隙を隔てて2枚のガラス等からなる透明絶縁基
板を重ね合わせ、該両基板間の周縁部に枠状に設けたシ
ール材により、両基板を貼り合わせると共に、シール材
の一部に設けた液晶封入口から両基板間のシール材の内
側に液晶を封入、封止し、さらに両基板の外側に偏光板
を設けてなる液晶表示素子(すなわち、液晶表示パネ
ル、液晶表示部、LCD:リキッド クリスタルディス
プレイ)と、液晶表示素子の下に配置され、液晶表示素
子に光を供給するバックライトと、液晶表示素子の外周
部の外側に配置した液晶表示素子の駆動用回路基板と、
これらの各部材を保持するモールド成形品である枠状体
と、これらの各部材を収納し、液晶表示窓があけられた
金属製シールドケース(フレーム)等から構成されてい
る。
【0005】従来の液晶表示素子では、カラーフィルタ
を設ける方の基板(以下、カラーフィルタ基板と称す)
の対向基板(薄膜トランジスタを設ける方の基板。以
下、TFT基板と称す)側の面に、ブラックマトリクス
を形成している。ブラックマトリクスは、上下の両基板
に設けた透明画素電極で構成される各画素の周囲に格子
状に形成され、この格子により1画素の有効表示領域が
仕切られており、これにより、各画素の輪郭をはっきり
させ、コントラストを向上することができる。
【0006】従来は、ブラックマトリクスの材料として
は、クロム(Cr)等の金属膜が用いられていた。な
お、広い面積にわたって形成されるブラックマトリクス
を設けた基板側が表示画面側(観察側)となる場合は、
該ブラックマトリクスがCrのように反射性の金属材料
から形成されていると、表示画面側の外部の光(以下、
外光と称す)がブラックマトリクスで外側(観察側)に
反射し、画面が見にくくなり(鏡のようになり)、コン
トラストが低下し、表示品質が低下する問題があった。
この問題を解消するため、ブラックマトリクスを、黒色
等に着色した低反射の有機系樹脂で形成することが提案
されている。この場合、有機系樹脂と基板との接着強度
が低いので、液晶表示素子の製造工程における基板の切
断工程等により、シール材を設けた部分(以下、シール
部と称す)にストレスがかかり、シール部におけるブラ
ックマトリクスと基板との界面で剥離が発生しやすい。
したがって、この黒色有機系樹脂膜とシール材との重な
り幅は最小限にすることが望ましい。
【0007】なお、シール部にブラックマトリクスを配
置しないと、シール部で光漏れが生じ、表示品質が低下
する問題がある。この問題を解消するため、シール材と
して黒色の顔料を添加した樹脂を使用し、シール材に遮
光性を持たせることが提案されている(本出願人による
特願平7−267129号参照)。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】さらに、従来の液晶表
示装置においては、バックライトからの光が、シール材
の外側のカラーフィルタ基板の端部のガラス面で乱反射
して、表示領域の周辺額縁部、すなわち、表示窓の周辺
で見えたり、あるいは、シールドケースと液晶表示素子
とのすき間が広い場合、斜めから見ると光漏れが見え、
表示品質が低下する問題がある。
【0009】本発明の目的は、この問題を解決し、表示
窓の周辺における光漏れとシール部における基板の剥が
れを防止し、表示品質と信頼性に優れた液晶表示装置を
提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は、絶縁基板上に複数の画素電極をマトリク
ス状に配置して表示領域を形成した第1基板と、絶縁基
板からなり、上記第1基板に液晶層を介して重ね合わさ
れた第2基板と、上記第1および第2基板の周縁部に設
けられ、上記表示領域の外側で上記液晶層の存在する領
域を取り囲み、上記第1および第2基板の間に設けら
れ、それらを固定するシール材と、上記第1および第2
基板の周囲を覆い、上記表示領域を露出させる開口部を
有し、遮光性の枠体からなるシールドケースと、上記第
1または第2基板の対向基板と反対側の面に光を照射す
る照明光手段とを具備してなり、上記第2基板の上記第
1基板側の面に上記画素電極の周囲を覆う遮光膜からな
るブラックマトリクスを設け、上記ブラックマトリクス
は上記シール材の内側と一部重なり、上記表示領域と上
記シール材の間の領域を覆い、かつ、上記ブラックマト
リクスは上記シール材の外側と一部重なり、上記シール
材と上記第2基板の端部の間の領域を覆うことを特徴と
する。
【0011】また、絶縁基板上に金属層からなる複数の
走査信号線と複数の映像信号線を絶縁層を介して交差さ
せてマトリクス状に配置し、上記複数の走査信号線と複
数の映像信号線の各交差部に対応して画素電極および薄
膜トランジスタで構成される画素を設け、表示領域を形
成した第1基板と、絶縁基板からなり、上記第1基板に
液晶層を介して重ね合わされた第2基板と、上記第1お
よび第2基板の周縁部に設けられ、上記表示領域の外側
で上記液晶層の存在する領域を取り囲み、上記第1およ
び第2基板の間に設けられ、それらを固定するシール材
と、上記第1および第2基板の周囲を覆い、上記表示領
域を露出させる開口部を有し、遮光性の枠体からなるシ
ールドケースとを具備してなり、上記複数の走査信号線
と複数の映像信号線は上記シール材が取り囲む領域の外
側に延在して外部回路に接続され、上記第2基板上に上
記薄膜トランジスタを覆う遮光膜からなるブラックマト
リクスを設け、上記ブラックマトリクスは上記シール材
の内側と一部重なり、上記表示領域と上記シール材の間
の領域を覆い、かつ、上記ブラックマトリクスは上記シ
ール材の外側と一部重なり、上記シール材と上記第2基
板の端部の間の領域を覆うことを特徴とする。
【0012】また、上記シール材は黒色の顔料を添加し
た樹脂からなることを特徴とする。
【0013】また、上記ブラックマトリクスは黒色の顔
料を添加した樹脂からなることを特徴とする。
【0014】さらに、上記シール材の一部に設けられ、
該シール材の内側の上記両基板間に液晶を注入する液晶
封入口部にも、上記ブラックマトリクスを配置したこと
を特徴とする。
【0015】本発明では、ブラックマトリクスを、シー
ル材の外側の第2基板の端部に配置したことにより、バ
ックライトからの光が該基板端部に設けたブラックマト
リクスで吸収され、表示窓の周辺で光が見える問題を解
決することができ、表示品質の優れた液晶表示装置を提
供することができる。
【0016】また、基板面と垂直方向から見た場合、シ
ール材のほぼ全周にわたって、基板やシール材に対して
接着強度の低い有機系樹脂からなるブラックマトリクス
をシール部において一部設けず、該ブラックマトリクス
とシール材とが重なる部分と重ならない部分を設けたの
で、該重ならない部分においては、例えば基板/保護膜
/シール材の接着強度の高い組み合わせとなり、シール
部の接着強度を向上することができる。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
の形態について詳細に説明する。
【0018】《アクティブ・マトリクス液晶表示装置》
以下、縦電界方式・アクティブ・マトリクス方式のカラ
ー液晶表示装置にこの発明を適用した実施の形態を説明
する。なお、以下で説明する図面で、同一機能を有する
ものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略す
る。
【0019】《液晶表示モジュールMDLの全体構成》
図5は、液晶表示モジュールMDLの分解斜視図であ
る。
【0020】SHDは金属板からなるシールドケース
(メタルフレームとも称す)、WDは表示窓、SPC1
〜4は絶縁スペーサ、FPC1、2は多層フレキシブル
回路基板(FPC1はゲート側回路基板、FPC2はド
レイン側回路基板)、HSはドレイン側回路基板FPC
2のグランドとシールドケースSHDとの電気的接続を
取るために設けられる金属箔からなるフレームグラン
ド、PCBはインターフェイス回路基板、ASBはアッ
センブルされた駆動回路基板付き液晶表示素子、PNL
は重ね合わせた2枚の透明絶縁基板の一方の基板上に駆
動ICを搭載した液晶表示素子(液晶表示パネルとも称
す)、GC1およびGC2はゴムクッション、PRSは
プリズムシート(本例では2枚の光学シートで構成され
ている。)、SPSは拡散シート、GLBは導光板、R
FSは反射シート、SLVは拡散シートSPSおよびプ
リズムシートPRSを固定するスリーブ、MCAは一体
成型により形成された下側ケース(モールドケース)、
LPは蛍光管、LSは蛍光管LPの光を導光板GLB側
に反射する反射器、LPC1、2はランプケーブル、L
CTはインバータ用の接続コネクタ、GBは蛍光管LP
を支持するゴムブッシュである。
【0021】BLは蛍光管LP、反射器LS、導光板G
LB、反射シートRFS、拡散シートSPSプリズムシ
ートPRSで構成されるバックライトで、液晶表示パネ
ルPNLの裏面に均一な光を供給し、液晶表示パネルP
NLの表面から見る観測者が、液晶の光透過率の変化を
画像表示として認識するために設けられている。
【0022】図5に示すように下側ケースMCA、バッ
クライトBL、駆動回路基板付き液晶表示素子ASB、
シールドケースSHD等が積み重ねられて液晶表示モジ
ュールMDLが組み立てられる。
【0023】《マトリクス部の概要》図7は、液晶表示
素子の画素部の平面図である。
【0024】図8は、画素部を中央にして(B)、両側
(A)、(C)にそれぞれ液晶表示素子角付近と映像信
号端子部付近を示す断面図である。図8(B)は図7の
8−8で切った断面に相当する。
【0025】各画素は隣接する2本の走査信号線(ゲー
ト信号線または水平信号線)GLと、隣接する2本の映
像信号線(ドレイン信号線または垂直信号線)DLとの
交差領域内(4本の信号線で囲まれた領域内)に配置さ
れている。各画素は薄膜トランジスタTFT、透明画素
電極ITO1および保持容量素子Caddを含む。走査信
号線GLは左右方向に延在し、上下方向に複数本配置さ
れている。映像信号線DLは上下方向に延在し、左右方
向に複数本配置されている。
【0026】図8に示すように、液晶層LCを基準にし
て下部透明ガラス基板SUB1側には薄膜トランジスタ
TFTおよび透明画素電極ITO1が形成され、上部透
明ガラス基板SUB2側にはカラーフィルタFIL、遮
光用ブラックマトリクスパターンBMが形成されてい
る。透明ガラス基板SUB1、SUB2の両面にはディ
ップ処理等によって形成された酸化シリコン膜SIOが
設けられている。
【0027】上部透明ガラス基板SUB2の内側(液晶
LC側)の表面には、ブラックマトリクスBM、カラー
フィルタFIL、保護膜PSV2、共通透明画素電極I
TO2(COM)および上部配向膜ORI2が順次積層
して設けられている。
【0028】《マトリクス周辺の概要》図4は上下のガ
ラス基板SUB1、SUB2を含む液晶表示素子(液晶
表示パネル)PNLのマトリクス(AR)周辺部を誇張
した平面を、図3は図4のパネル左上角部に対応するシ
ール部SL付近の拡大平面を示す図である。また、図8
は前述のように画素部における断面を中央にして、左側
に図3の8a−8a切断線における断面を、右側に映像
信号駆動回路が接続されるべき外部接続端子DTM付近
の断面を示す図である。
【0029】このパネルの製造では、小さいサイズであ
ればスループット向上のため、1枚のガラス基板で複数
個分のデバイスを同時に加工してから分割し、大きいサ
イズであれば製造設備の共用のためどの品種でも標準化
された大きさのガラス基板を加工してから各品種に合っ
たサイズに小さくし、いずれの場合も一通りの工程を経
てからガラスを切断する。図3、図4は後者の例を示す
もので、図4は上下基板SUB1、SUB2の切断後
を、図3は切断前を表しており、LNは両基板の切断前
の縁を、CT1とCT2はそれぞれ基板SUB1、SU
B2の切断すべき位置を示す。いずれの場合も、完成状
態では外部接続端子群Tg、Td(添字略)が存在する
(図で上下辺と左辺の)部分はそれらを露出するように
上側基板SUB2の大きさが下側基板SUB1よりも内
側に制限されている。端子群Tg、Tdはそれぞれ後述
する走査回路接続用端子GTM、映像信号回路接続用端
子DTMとそれらの引出配線部を集積回路チップCHI
が搭載されたテープキャリアパッケージTCPの単位に
複数本まとめて名付けたものである。各群のマトリクス
部から外部接続端子部に至るまでの引出配線は、両端に
近づくにつれ傾斜している。これは、パッケージTCP
の配列ピッチおよび各パッケージTCPにおける接続端
子ピッチに表示パネルPNLの端子DTM、GTMを合
わせるためである。
【0030】なお、図3に示すように、ガラスを切断し
基板SUB1を分離する前は、薄膜トランジスタの静電
破壊防止のため、端子群Tg、Td内の端子はそれぞれ
ショート線SHg、SHdにより短絡されており、ショ
ート線SHg、SHd同士も接続部PRTで電気的に結
合している。
【0031】透明ガラス基板SUB1、SUB2の間に
はその縁に沿って、液晶封入口INJを除き、液晶LC
を封止するようにシールパターンSLが形成される。シ
ール材は例えばエポキシ樹脂からなる。上部透明ガラス
基板SUB2側の共通透明画素電極ITO2は、少なく
とも一箇所において、本例ではパネルの4角で銀ペース
ト材AGPによって下部透明ガラス基板SUB1側に形
成されたその引出配線INTに接続されている。この引
出配線INTは後述するゲート端子GTM、ドレイン端
子DTMと同一製造工程で形成される。
【0032】配向膜ORI1、ORI2、透明画素電極
ITO1、共通透明画素電極ITO2、それぞれの層
は、シールパターンSLの内側に形成される。偏光板P
OL1、POL2はそれぞれ下部透明ガラス基板SUB
1、上部透明ガラス基板SUB2の外側の表面に形成さ
れている。液晶LCは液晶分子の向きを設定する下部配
向膜ORI1と上部配向膜ORI2との間でシールパタ
ーンSLで仕切られた領域に封入されている。下部配向
膜ORI1は下部透明ガラス基板SUB1側の保護膜P
SV1の上部に形成される。
【0033】この液晶表示装置は、下部透明ガラス基板
SUB1側、上部透明ガラス基板SUB2側で別個に種
々の層を積み重ね、シールパターンSLを基板SUB2
側に形成し、下部透明ガラス基板SUB1と上部透明ガ
ラス基板SUB2とを重ね合せ、シール材SLの開口部
INJから液晶LCを注入し、注入口INJをエポキシ
樹脂などで封止し、上下基板を切断することによって組
み立てられる。
【0034】《薄膜トランジスタTFT》つぎに、図8
に戻り、TFT基板SUB1側の構成を詳しく説明す
る。
【0035】薄膜トランジスタTFTは、ゲート電極G
Tに正のバイアスを印加すると、ソース−ドレイン間の
チャネル抵抗が小さくなり、バイアスを零にすると、チ
ャネル抵抗は大きくなるように動作する。
【0036】各画素には複数(2つ)の薄膜トランジス
タTFT1、TFT2が冗長して設けられる。薄膜トラ
ンジスタTFT1、TFT2のそれぞれは、実質的に同
一サイズ(チャネル長、チャネル幅が同じ)で構成さ
れ、ゲート電極GT、ゲート絶縁膜GI、i型(真性、
intrinsic、導電型決定不純物がドープされていない)
非晶質シリコン(Si)からなるi型半導体層AS、一
対のソース電極SD1、ドレイン電極SD2を有す。な
お、ソース、ドレインは本来その間のバイアス極性によ
って決まるもので、この液晶表示装置の回路ではその極
性は動作中反転するので、ソース、ドレインは動作中入
れ替わると理解されたい。しかし、以下の説明では、便
宜上一方をソース、他方をドレインと固定して表現す
る。
【0037】《ゲート電極GT》ゲート電極GTは走査
信号線GLから垂直方向に突出する形状で構成されてい
る(T字形状に分岐されている)。ゲート電極GTは薄
膜トランジスタTFT1、TFT2のそれぞれの能動領
域を越えるよう突出している。薄膜トランジスタTFT
1、TFT2のそれぞれのゲート電極GTは、一体に
(共通のゲート電極として)構成されており、走査信号
線GLに連続して形成されている。本例では、ゲート電
極GTは、単層の第2導電膜g2で形成されている。第
2導電膜g2としては例えばスパッタで形成されたアル
ミニウム(Al)膜が用いられ、その上にはAlの陽極
酸化膜AOFが設けられている。
【0038】このゲート電極GTはi型半導体層ASを
完全に覆うよう(下方からみて)それより大き目に形成
され、i型半導体層ASに外光やバックライト光が当た
らないよう工夫されている。
【0039】《走査信号線GL》走査信号線GLは第2
導電膜g2で構成されている。この走査信号線GLの第
2導電膜g2はゲート電極GTの第2導電膜g2と同一
製造工程で形成され、かつ一体に構成されている。ま
た、走査信号線GL上にもAlの陽極酸化膜AOFが設
けられている。
【0040】《絶縁膜GI》絶縁膜GIは、薄膜トラン
ジスタTFT1、TFT2において、ゲート電極GTと
共に半導体層ASに電界を与えるためのゲート絶縁膜と
して使用される。絶縁膜GIはゲート電極GTおよび走
査信号線GLの上層に形成されている。絶縁膜GIとし
ては例えばプラズマCVDで形成された窒化シリコン膜
が選ばれ、1200〜2700Åの厚さに(本例では、
2000Å程度)形成される。ゲート絶縁膜GIは図3
に示すように、マトリクス部ARの全体を囲むように形
成され、周辺部は外部接続端子DTM、GTMを露出す
るよう除去されている。絶縁膜GIは走査信号線GLと
映像信号線DLの電気的絶縁にも寄与している。
【0041】《i型半導体層AS》i型半導体層AS
は、本例では薄膜トランジスタTFT1、TFT2のそ
れぞれに独立した島となるよう形成され、非晶質シリコ
ンで、200〜2200Åの厚さに(本例では、200
0Å程度の膜厚)で形成される。層d0はオーミックコ
ンタクト用のリン(P)をドープしたN+型非晶質シリ
コン半導体層であり、下側にi型半導体層ASが存在
し、上側に導電層d2(d3)が存在するところのみに
残されている。
【0042】i型半導体層ASは走査信号線GLと映像
信号線DLとの交差部(クロスオーバ部)の両者間にも
設けられている。この交差部のi型半導体層ASは交差
部における走査信号線GLと映像信号線DLとの短絡を
低減する。
【0043】《透明画素電極ITO1》透明画素電極I
TO1は液晶表示部の画素電極の一方を構成する。
【0044】透明画素電極ITO1は薄膜トランジスタ
TFT1のソース電極SD1および薄膜トランジスタT
FT2のソース電極SD1の両方に接続されている。こ
のため、薄膜トランジスタTFT1、TFT2のうちの
1つに欠陥が発生しても、その欠陥が副作用をもたらす
場合はレーザ光等によって適切な箇所を切断し、そうで
ない場合は他方の薄膜トランジスタが正常に動作してい
るので放置すれば良い。透明画素電極ITO1は第1導
電膜d1によって構成されており、この第1導電膜d1
はスパッタリングで形成された透明導電膜(Indium-Tin
-Oxide ITO:ネサ膜)からなり、1000〜200
0Åの厚さに(本例では、1400Å程度の膜厚)形成
される。
【0045】《ソース電極SD1、ドレイン電極SD
2》ソース電極SD1、ドレイン電極SD2のそれぞれ
は、N+型半導体層d0に接触する第2導電膜d2とそ
の上に形成された第3導電膜d3とから構成されてい
る。
【0046】第2導電膜d2はスパッタで形成したクロ
ム(Cr)膜を用い、500〜1000Åの厚さに(本
例では、600Å程度)で形成される。Cr膜は膜厚を
厚く形成するとストレスが大きくなるので、2000Å
程度の膜厚を越えない範囲で形成する。Cr膜はN+
半導体層d0との接着性を良好にし、第3導電膜d3の
AlがN+型半導体層d0に拡散することを防止する
(いわゆるバリア層の)目的で使用される。第2導電膜
d2として、Cr膜の他に高融点金属(Mo、Ti、T
a、W)膜、高融点金属シリサイド(MoSi2、Ti
Si2、TaSi2、WSi2)膜を用いてもよい。
【0047】第3導電膜d3はAlのスパッタリングで
3000〜5000Åの厚さに(本例では、4000Å
程度)形成される。Al膜はCr膜に比べてストレスが
小さく、厚い膜厚に形成することが可能で、ソース電極
SD1、ドレイン電極SD2および映像信号線DLの抵
抗値を低減したり、ゲート電極GTやi型半導体層AS
に起因する段差乗り越えを確実にする(ステップカバー
レッジを良くする)働きがある。
【0048】第2導電膜d2、第3導電膜d3を同じマ
スクパターンでパターニングした後、同じマスクを用い
て、あるいは第2導電膜d2、第3導電膜d3をマスク
として、N+型半導体層d0が除去される。つまり、i
型半導体層AS上に残っていたN+型半導体層d0は第
2導電膜d2、第3導電膜d3以外の部分がセルフアラ
インで除去される。このとき、N+型半導体層d0はそ
の厚さ分は全て除去されるようエッチングされるので、
i型半導体層ASも若干その表面部分がエッチングされ
るが、その程度はエッチング時間で制御すればよい。
【0049】《映像信号線DL》映像信号線DLはソー
ス電極SD1、ドレイン電極SD2と同層の第2導電膜
d2、第3導電膜d3で構成されている。
【0050】《保護膜PSV1》薄膜トランジスタTF
Tおよび透明画素電極ITO1上には保護膜PSV1が
設けられている。保護膜PSV1は主に薄膜トランジス
タTFTを湿気等から保護するために形成されており、
透明性が高くしかも耐湿性の良いものを使用する。保護
膜PSV1は例えばプラズマCVD装置で形成した酸化
シリコン膜や窒化シリコン膜で形成されており、1μm
程度の膜厚で形成する。
【0051】保護膜PSV1は図3に示すように、マト
リクス部ARの全体を囲むように形成され、周辺部は外
部接続端子DTM、GTMを露出するよう除去され、ま
た上基板側SUB2の共通電極COMを下側基板SUB
1の外部接続端子接続用引出配線INTに銀ペーストA
GPで接続する部分も除去されている。保護膜PSV1
とゲート絶縁膜GIの厚さ関係に関しては、前者は保護
効果を考え厚くされ、後者はトランジスタの相互コンダ
クタンスgmを薄くされる。したがって、図3に示すよ
うに、保護効果の高い保護膜PSV1は周辺部もできる
だけ広い範囲に亘って保護するようゲート絶縁膜GIよ
りも大きく形成されている。
【0052】《ブラックマトリクスBM》上部透明ガラ
ス基板SUB2側には、外部光またはバックライト光が
i型半導体層ASに入射しないよう遮光膜としてブラッ
クマトリクスBMが設けられている。ブラックマトリク
スBMの閉じた多角形の輪郭線は、その内側がブラック
マトリクスBMが形成されない開口を示している。ブラ
ックマトリクスBMはカーボンブラック、黒色の有機顔
料等を添加した例えばアクリル、エポキシ、ポリイミド
樹脂等の有機系樹脂からなり、0.5〜2.5μm(本
例では1.6μm程度)の厚さに形成される。
【0053】したがって、薄膜トランジスタTFT1、
TFT2のi型半導体層ASは上下にあるブラックマト
リクスBMおよび大き目のゲート電極GTによってサン
ドイッチにされ、外部の自然光やバックライト光が当た
らなくなる。ブラックマトリクスBMは各画素の周囲に
格子状に形成され、この格子で1画素の有効表示領域が
仕切られている。したがって、各画素の輪郭がブラック
マトリクスBMによってはっきりとし、コントラストが
向上する。つまり、ブラックマトリクスBMはi型半導
体層ASに対する遮光とブラックマトリクスとの2つの
機能をもつ。
【0054】透明画素電極ITO1のラビング方向の根
本側のエッジ部分もブラックマトリクスBMによって遮
光されているので、上記部分にドメインが発生したとし
ても、ドメインが見えないので、表示特性が劣化するこ
とはない。
【0055】ブラックマトリクスBMは図4で斜線を付
して示したように、表示領域ARの周辺部にも額縁状に
形成され、そのパターンはドット状に複数の開口を設け
たマトリクス部のパターンと連続して形成されている。
また、該領域のブラックマトリクスBMは、シール材S
Lの内側、すなわち、液晶側の一部と重なっている。さ
らに、後で詳述するように、ブラックマトリクスBM
は、シール材SLの外側の一部と重なり、透明ガラス基
板SUB2の端部領域にも形成されている。なお、周辺
部のシール部では、シール材SLは遮光性であり、これ
らのブラックマトリクスBMとともに、パソコン等の実
装機に起因する反射光等の漏れ光がマトリクス部に入り
込むのを防いでいる。
【0056】《カラーフィルタFIL》カラーフィルタ
FILは画素に対向する位置に赤、緑、青の繰り返しで
ストライプ状に形成される。カラーフィルタFILは透
明画素電極ITO1の全てを覆うように大き目に形成さ
れ、ブラックマトリクスBMはカラーフィルタFILお
よび透明画素電極ITO1のエッジ部分と重なるよう透
明画素電極ITO1の周縁部より内側に形成されてい
る。
【0057】カラーフィルタFILはつぎのように形成
することができる。まず、上部透明ガラス基板SUB2
の表面にアクリル系樹脂等の染色基材を形成し、フォト
リソグラフィ技術で赤色フィルタ形成領域以外の染色基
材を除去する。この後、染色基材を赤色染料で染め、固
着処理を施し、赤色フィルタRを形成する。つぎに、同
様な工程を施すことによって、緑色フィルタG、青色フ
ィルタBを順次形成する。
【0058】《保護膜PSV2》保護膜PSV2はカラ
ーフィルタFILの着色材が液晶LCに漏れることを防
止するために設けられている。保護膜PSV2は例えば
アクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂材料で形成さ
れている。
【0059】《共通透明画素電極ITO2》共通透明画
素電極ITO2は、下部透明ガラス基板SUB1側に画
素ごとに設けられた透明画素電極ITO1に対向し、液
晶LCの光学的な状態は各画素電極ITO1と共通透明
画素電極ITO2との間の電位差(電界)に応答して変
化する。この共通透明画素電極ITO2にはコモン電圧
Vcomが印加されるように構成されている。本例では、
コモン電圧Vcomは映像信号線DLに印加される最小レ
ベルの駆動電圧Vdminと最大レベルの駆動電圧Vdmax
との中間直流電位に設定されるが、映像信号駆動回路で
使用される集積回路の電源電圧を約半分に低減したい場
合は、交流電圧を印加すれば良い。なお、共通透明画素
電極ITO2の平面形状は図3、図4を参照されたい。
【0060】《ブラックマトリクスBMとシール材S
L》図1(a)は、本発明の一実施の形態の液晶表示素
子PNLのカラーフィルタ基板SUB2の液晶封入口I
NJ近傍の要部概略平面図、図1(b)は(a)のA−
A切断線に対応する部分の液晶表示素子PNLの概略断
面図である。
【0061】SUB2は上部透明ガラス基板(カラーフ
ィルタ基板)、BMは黒色等に着色された有機系樹脂か
らなるブラックマトリクス(遮光膜)、FIL(R)、
(G)、(B)はそれぞれ赤色、緑色、青色のカラーフ
ィルタ、SLは遮光性を持たせたシール材、INJは液
晶封入口、CPは液晶封入口INJの封止材、(b)に
おいて、SUB1は下部透明ガラス基板(TFT基
板)、LCは液晶層である。なお、図1では、カラーフ
ィルタFILの保護膜、薄膜トランジスタ、両基板の間
隙(ギャップ)を規定するスペーサ、両基板に設ける透
明画素電極、配向膜、偏光板等は図示省略してあるが、
液晶表示素子PNLの断面構造の詳細は、図8に示され
る。また、ブラックマトリクスBMは、図1(a)にお
いて右上がりの斜線(図3では右下がり)を付してあ
り、シール材SLは、右下がりの斜線を付してある。
【0062】図6はシールドケースSHD側から見た平
面図および側面図である。
【0063】図2は液晶表示モジュールMDLの端部、
すなわち、液晶表示素子PNLを構成する1対の上下透
明ガラス基板SUB1、SUB2を接着し、かつ、該両
基板間に液晶を封止しているシール部近傍の端部の概略
断面図である。図2は図6に示す平面図の2−2で切っ
た断面に相当する。
【0064】PSV2は保護膜、GTM、DTMは配線
(外部接続用端子)、POL1、POL2は偏光板、A
Rは表示領域(マトリクス部)、SHDは金属製シール
ドケース、WDはシールドケースSHDの開口で構成さ
れる表示窓、BLLはバックライト光である。
【0065】本実施の形態では、ブラックマトリクスB
Mは、カーボンブラック、黒色の有機顔料等を添加した
例えばアクリル、エポキシ、ポリイミド樹脂等の有機系
樹脂膜からなる。また、遮光性のシール材SLは、三核
体以上のフェノール樹脂を硬化剤とし、黒色の着色剤を
加えた熱硬化型エポキシ樹脂膜からなる。なお、ブラッ
クマトリクスBMとシール材SLとの光学特性、つま
り、遮光性、色調等は同等としてある。すなわち、ブラ
ックマトリクスBMと遮光性シール材SLの可視光域に
おける吸光度(OD値)は1.5〜3.5の範囲であ
り、C光源で換算した色調はx、yが共に0.2〜0.
5の範囲であった。
【0066】本実施の形態では、ブラックマトリクスB
Mがシール材SLの内側と一部重なり、表示領域ARと
シール材SLの間の領域を覆い、かつ、シール材SLの
外側と一部重なり、該シール材SLと上部透明ガラス基
板SUB2の端部の間の領域を覆っている。このよう
に、ブラックマトリクスBMをシール材SLの外側のカ
ラーフィルタ基板SUB2の端部に配置したことによ
り、バックライトBLからの光が該基板SUB2端部に
設けたブラックマトリクスBMで吸収され、表示窓WD
の周辺で光が見える問題を解決することができ、表示品
質の優れた液晶表示装置を提供することができる。
【0067】また、シール材SLのほぼ全周にわたっ
て、ガラス基板やシール材に対して接着強度の低い有機
系樹脂からなるブラックマトリクスBMを一部設けず、
該ブラックマトリクスBMとシール材SLとが重なる部
分と重ならない部分を設けたので、該重ならない部分に
おいては、例えばガラス基板SUB2/保護膜PSV2
/シール材SLの接着強度の高い組み合せとなり、シー
ル部の接着強度を向上することができる。
【0068】また、シール材SLの全周において、シー
ル材SLとブラックマトリクスBMとのオーバーラップ
の有無があると、液晶表示素子の両基板SUB1、SU
B2のギャップむらが発生し、表示むらが生じる。これ
らのことから、ブラックマトリクスBMとシール材SL
とは液晶封入口(図4のINJ)以外のほぼ全周におい
てオーバーラップ部を形成している。
【0069】さらに、液晶表示素子の外周部を被覆する
シールドケースSHDによるシール部のマスキングが不
要となるので、表示領域の広い、小型、大画面の液晶表
示素子が得られる。
【0070】本実施の形態では、透明ガラス基板SUB
2上に、カーボンブラック、黒色の有機顔料等を添加し
た例えばアクリル、エポキシ、ポリイミド樹脂等の有機
系樹脂からなるブラックマトリクスBMを所定のパター
ンに形成し、その上に、カラーフィルタFIL(R)、
(G)、(B)をそれぞれ所定のパターンに形成した。
すなわち、表示領域ARのブラックマトリクスBMは、
図1に示すごとく、格子状に1画素ずつに仕切られてお
り、各画素毎にカラーフィルタFIL(R)、(G)、
(B)が形成されている。また、表示領域ARの周辺部
は、当該液晶表示素子PNLをモジュールMDLに組み
込んだとき、バックライトBLからの光漏れを防止する
ため、適度な幅で額縁状に、かつ、液晶封入口INJ部
を遮光するパターンに形成されている。また、シール材
SLの外側の基板SUB2領域にも、ブラックマトリク
スBMのパターンが形成されているのは既述の通りであ
る。さらに、図1(a)に示されるように、ブラックマ
トリクスBMのパターンは、液晶封入口INJの部分に
も前記額縁状パターンと一体に形成され、液晶封入口I
NJ部における光漏れも防止している。
【0071】なお、カラーフィルタFILとしては、各
々の色調に合わせた有機顔料を添加した光硬化型ネガレ
ジストを用い、フォトリソグラフィ技術により、順次形
成した。その後、着色樹脂からの不純物の溶出防止、お
よび表面平坦性を確保するために、アクリル、エポキシ
樹脂等をスピンコート、ロールコート、転写印刷法等に
より塗布を行い、熱処理を施し、硬化させ、ブラックマ
トリクスBMとカラーフィルタFILの上に保護膜PS
V1を形成した。
【0072】つぎに、この上に、酸化インジウムを主成
分とする透明導電膜をスパッタリング法により成膜し
て、透明画素電極ITO2を形成した。
【0073】つぎに、この基板の透明画素電極ITO2
上に、配向膜ORI2を転写印刷法により転写形成した
後、180〜220℃で熱処理を行った。
【0074】また、対向基板である薄膜トランジスタT
FTを形成した基板にも配向膜ORI1を形成した後、
同様の熱処理を行った。
【0075】ついで、両基板に配向処理を施した後、い
ずれか一方の基板に、三核体以上のフェノール樹脂を硬
化剤とした熱硬化型エポキシ樹脂を主成分とし、遮光材
として、カーボンブラック、有色例えば黒色の有機顔
料、あるいは無機顔料を内添した遮光性シール材SLを
スクリーン印刷法、ディスペンサ塗布法等により形成し
た。なお、シール材SLは、透明画素電極の端子部と接
触するので(図8参照)、絶縁性が要求され、ここでは
硬化後における電気抵抗が108Ω・cm以上となるよ
うにし、かつ、光学特性が所定の値となるよう、調整し
たものを用いた。
【0076】その後、溶媒乾燥を行い、上下基板のギャ
ップを制御する多数個のスペーサSPを一方の基板の全
面に分散した後、対向基板と組み合わせ、0.5〜1.
0kg/cm2の加重を加え、150〜180℃、1〜
4時間の熱硬化処理を行った。なお、硬化が完了した基
板のシール材SLの可視光域における吸光度(OD値)
は1.5〜3.5の範囲であり、C光源で換算した色調
はx、yが共に0.2〜0.5の範囲であり、ブラック
マトリクスBMと同等であった。
【0077】つぎに、貼り合わせた両基板を所定の寸法
に切断し、基板間の隙間に液晶封入口INJから液晶L
Cを注入し、該液晶封入口INJを光硬化型樹脂等から
なる封止材CPで封止する。
【0078】その後、両基板の外側に偏光板POL1、
POL2を貼り付け、液晶表示素子を完成させた。
【0079】この液晶表示素子を点灯させた結果、表示
領域外の部分では、バックライトから照射される光が、
シール材SLの部分でブラックマトリクスBMと同等に
遮光されており、さらに、液晶封入口INJ部において
もブラックマトリクスBMで遮光されており、液晶表示
素子の周辺額縁部からの光漏れを最小限にすることがで
き、表示品質の良好なカラー液晶表示素子を得ることが
できた。
【0080】なお、図2において、例えば、シール材S
Lの幅は1.0mm、ブラックマトリクスBMとシール
材SLとの両側のオーバーラップ幅は0.3mm、した
がってブラックマトリクスBMとシール材SLとのオー
バーラップしない幅は0.4mm、基板SUB2の端部
とシール材SLの端部との間隔は0.3mm、したがっ
て基板SUB2の端部に設けたブラックマトリクスBM
の幅は0.6mmである。
【0081】以上本発明を実施の形態に基づいて具体的
に説明したが、本発明は、前記実施の形態に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々
変更可能であることは勿論である。例えば、本発明は、
縦電界方式や横電界方式のアクティブマトリクス方式の
液晶表示装置にも、COG(チップオンガラス)方式の
液晶表示装置にも、あるいは単純マトリクス方式の液晶
表示装置にも適用可能なことは言うまでもない。
【0082】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ブラックマトリクスをシール材の外側のカラーフィルタ
基板の端部に配置したことにより、バックライトからの
光が該基板端部に設けたブラックマトリクスで吸収さ
れ、表示窓の周辺で光が見える問題を解決することがで
き、表示品質の優れた液晶表示装置を提供することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明の一実施の形態のアクティブ・
マトリクス方式カラー液晶表示素子のカラーフィルタ基
板の液晶封入口近傍の要部概略平面図、(b)は(a)
のA−A切断線に対応する部分の液晶表示素子の概略断
面図である。
【図2】本発明の一実施の形態の液晶表示素子のシール
部近傍の端部の概略断面図である。
【図3】液晶表示素子の上下透明ガラス基板の電気的接
続部を含む表示パネルの角部の拡大平面図である。
【図4】液晶表示素子のマトリクス周辺部の構成を説明
するための周辺部をやや誇張し、さらに具体的に説明す
るためのパネル平面図である。
【図5】液晶表示モジュールの分解斜視図である。
【図6】液晶表示装置のシールドケース側から見た平面
図および側面図である。
【図7】液晶表示素子の画素部の平面図である。
【図8】(A)は液晶表示素子のパネル角付近の断面
図、(B)は液晶表示素子の画素部の断面図、(C)は
液晶表示素子の映像信号端子部付近の断面図である。
【符号の説明】
SUB1…下部透明ガラス基板、SUB2…上部透明ガ
ラス基板、BM…ブラックマトリクス、PSV2…保護
膜、SL…シール材、LC…液晶層、AR…表示領域
(マトリクス部)、SHD…金属製シールドケース、W
D…表示窓、BLL…バックライト光。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 29/786 H01L 29/78 612D 21/336 (72)発明者 大和田 淳一 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】絶縁基板上に複数の画素電極をマトリクス
    状に配置して表示領域を形成した第1基板と、 絶縁基板からなり、上記第1基板に液晶層を介して重ね
    合わされた第2基板と、 上記第1および第2基板の周縁部に設けられ、上記表示
    領域の外側で上記液晶層の存在する領域を取り囲み、上
    記第1および第2基板の間に設けられ、それらを固定す
    るシール材と、 上記第1および第2基板の周囲を覆い、上記表示領域を
    露出させる開口部を有し、遮光性の枠体からなるシール
    ドケースと、 上記第1または第2基板の対向基板と反対側の面に光を
    照射する照明光手段とを具備してなり、 上記第2基板の上記第1基板側の面に上記画素電極の周
    囲を覆う遮光膜からなるブラックマトリクスを設け、 上記ブラックマトリクスは上記シール材の内側と一部重
    なり、上記表示領域と上記シール材の間の領域を覆い、 かつ、上記ブラックマトリクスは上記シール材の外側と
    一部重なり、上記シール材と上記第2基板の端部の間の
    領域を覆うことを特徴とする液晶表示装置。
  2. 【請求項2】絶縁基板上に金属層からなる複数の走査信
    号線と複数の映像信号線を絶縁層を介して交差させてマ
    トリクス状に配置し、上記複数の走査信号線と複数の映
    像信号線の各交差部に対応して画素電極および薄膜トラ
    ンジスタで構成される画素を設け、表示領域を形成した
    第1基板と、 絶縁基板からなり、上記第1基板に液晶層を介して重ね
    合わされた第2基板と、 上記第1および第2基板の周縁部に設けられ、上記表示
    領域の外側で上記液晶層の存在する領域を取り囲み、上
    記第1および第2基板の間に設けられ、それらを固定す
    るシール材と、 上記第1および第2基板の周囲を覆い、上記表示領域を
    露出させる開口部を有し、遮光性の枠体からなるシール
    ドケースとを具備してなり、 上記複数の走査信号線と複数の映像信号線は上記シール
    材が取り囲む領域の外側に延在して外部回路に接続さ
    れ、 上記第2基板上に上記薄膜トランジスタを覆う遮光膜か
    らなるブラックマトリクスを設け、 上記ブラックマトリクスは上記シール材の内側と一部重
    なり、上記表示領域と上記シール材の間の領域を覆い、 かつ、上記ブラックマトリクスは上記シール材の外側と
    一部重なり、上記シール材と上記第2基板の端部の間の
    領域を覆うことを特徴とする液晶表示装置。
  3. 【請求項3】上記シール材は黒色の顔料を添加した樹脂
    からなることを特徴とする請求項11または2記載の液
    晶表示装置。
  4. 【請求項4】上記ブラックマトリクスは黒色の顔料を添
    加した樹脂からなることを特徴とする請求項1または2
    記載の液晶表示装置。
  5. 【請求項5】上記シール材の一部に設けられ、該シール
    材の内側の上記両基板間に液晶を注入する液晶封入口部
    にも、上記ブラックマトリクスを配置したことを特徴と
    する請求項1または2記載の液晶表示装置。
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