JPH09258256A - Display device - Google Patents

Display device

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Publication number
JPH09258256A
JPH09258256A JP8068526A JP6852696A JPH09258256A JP H09258256 A JPH09258256 A JP H09258256A JP 8068526 A JP8068526 A JP 8068526A JP 6852696 A JP6852696 A JP 6852696A JP H09258256 A JPH09258256 A JP H09258256A
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JP
Japan
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liquid crystal
display device
electrode
pixel
crystal display
Prior art date
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Pending
Application number
JP8068526A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuyuki Haruhara
一之 春原
Atsushi Sugawara
淳 菅原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Priority to KR1019970009152A priority patent/KR100228460B1/en
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Abstract

(57)【要約】 【課題】この発明は、製造が容易で、組み立てコストの
低いカラー液晶表示装置を提供することにある。 【解決手段】液晶表示装置10は、第1の絶縁基板10
aと、第1の絶縁基板の一方の面の側に配置され、所定
の区分領域を提供するフィルム16aおよび16bと、
フィルムを介在させた状態で第1の絶縁基板に対向され
る第2の絶縁基板10bと、第1および第2の絶縁基板
間に配置され、フィルムと絶縁基板またはフィルム相互
間の少なくとも2層を電気的に接続する導電性部材とを
有する。これにより、画素電極に所定の駆動電圧を印加
するために必要な電圧ステップ数が低減される。なお、
第1の絶縁基板とフィルム、フィルム相互間、第2の絶
縁基板とフィルムのそれぞれの間には、所定の色を表示
可能な液晶材料18Y,18Cおよび18Mが積層され
る。
(57) An object of the present invention is to provide a color liquid crystal display device which is easy to manufacture and has a low assembly cost. A liquid crystal display device includes a first insulating substrate.
a, and films 16a and 16b arranged on one side of the first insulating substrate to provide predetermined segmented regions,
A second insulating substrate 10b facing the first insulating substrate with a film interposed, and a second insulating substrate 10b disposed between the first and second insulating substrates, and at least two layers between the film and the insulating substrate or between the films. And a conductive member electrically connected. As a result, the number of voltage steps required to apply a predetermined drive voltage to the pixel electrode is reduced. In addition,
Liquid crystal materials 18Y, 18C and 18M capable of displaying a predetermined color are laminated between the first insulating substrate and the film, between the films, and between the second insulating substrate and the film.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、複数の液晶層が
積層された液晶素子を用いた多色表示装置およびこの多
色表示装置の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multicolor display device using a liquid crystal element in which a plurality of liquid crystal layers are laminated and a method for manufacturing the multicolor display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】任意の色を表示可能な表示装置として、
CRT (カソード・レイ・チューブ、すなわち、受像
管) が広く用いられている。しかし、CRTは、一つの
電子銃で加速した電子を表示パネル (発光面) 上のすべ
ての領域に偏向させることから、ディスプレイとしての
の奥行きが大きくなる問題がある。また、消費電力およ
び重量から、携帯には適さない。
2. Description of the Related Art As a display device capable of displaying an arbitrary color,
CRTs (cathode ray tubes or picture tubes) are widely used. However, the CRT deflects the electrons accelerated by one electron gun to all the areas on the display panel (light emitting surface), which causes a problem that the depth as a display becomes large. Moreover, it is not suitable for carrying because of its power consumption and weight.

【0003】CRTに代わる表示装置としてプラズマデ
ィスプレイおよびEL (エレクトロルミネセンス) パネ
ル等も提案されているが、現在のところ携帯用として実
用化されていない。
[0003] A plasma display, an EL (electroluminescence) panel, and the like have been proposed as display devices replacing the CRT, but have not been put to practical use at present.

【0004】液晶素子を含む液晶表示装置は、装置の厚
さならびに重量のそれぞれが携帯を可能とする数値に設
定可能であるとともに消費電力も僅かで済むことから、
電子卓上計算機あるいは腕時計等に広く使用されてい
る。なお、TN (ツイステッドネマティック) 型液晶素
子を、アクティブスイッチ素子として利用されるTFT
(薄膜トランジスタ) と一体に形成することによりCR
Tと同等の表示特性が与えられた表示装置の開発によ
り、携帯カラーテレビならびにワードプロセッサおよび
パーソナルコンピュータ等におけるカラー表示も実用化
されている。また、二色性染料を用いたGH (ゲスト−
ホスト) 型液晶素子または選択反射液晶素子等の偏光板
を使用しない液晶素子も提案されている。しかし、この
種の液晶素子を用いてフルカラー表示を行う場合、サブ
ピクセルのそれぞれに異なる色の液晶材料を並列配置す
るか、液晶セルを3層以上積層する必要がある。
In a liquid crystal display device including a liquid crystal element, the thickness and weight of the device can be set to values that allow portability, and the power consumption is small.
Widely used for electronic desk calculators, wristwatches, etc. A TN (Twisted Nematic) type liquid crystal element is used as an active switching element
By forming it integrally with (thin film transistor), CR
With the development of a display device having a display characteristic equivalent to that of T, color display in a portable color television, a word processor, a personal computer, etc. has been put into practical use. In addition, GH (guest-
A liquid crystal element such as a host type liquid crystal element or a selective reflection liquid crystal element that does not use a polarizing plate has also been proposed. However, when performing full-color display using this type of liquid crystal element, it is necessary to arrange liquid crystal materials of different colors in parallel in each of the sub-pixels, or to stack three or more liquid crystal cells.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上述したTN型液晶素
子では、偏光板を用いることによる光利用効率の低下に
伴なう明るさの不足を補うために、バックライトが必要
となる。このことから、液晶表示装置としての全体の消
費電力が多くなる問題がある。
In the above-mentioned TN type liquid crystal device, a backlight is required to compensate for the lack of brightness due to the decrease in light use efficiency due to the use of a polarizing plate. For this reason, there is a problem that the overall power consumption of the liquid crystal display device increases.

【0006】一方、偏光板を使用しない液晶素子すなわ
ちGH (ゲスト−ホスト) 型液晶素子または選択反射液
晶素子等が利用された場合であっても、数種類の液晶を
並列に配置することは実質的に困難であり、また、表示
可能な色が制限される問題がある。
On the other hand, even when a liquid crystal element that does not use a polarizing plate, that is, a GH (guest-host) type liquid crystal element or a selective reflection liquid crystal element is used, it is practical to arrange several kinds of liquid crystals in parallel. However, there is a problem in that the colors that can be displayed are limited.

【0007】これとは別に、液晶セルを3層以上積層す
る方法では、セルの組立、液晶材料の注入ならびにドラ
イバー回路の実装等の製造上の多くの問題がある。特
に、3層よりも多く積層されたそれぞれの液晶層を独立
に駆動するための電気的導通の確保あるいはスイッチン
グ素子を併用する場合の駆動回路 (ドライバーLSI)
の個数の増大により液晶表示装置が大型化される問題が
ある。なお、単層の液晶表示装置を3枚重ねる方法も原
理的には可能であるが、液晶表示装置の明るさが確保で
きない問題がある。
Apart from this, the method of stacking three or more layers of liquid crystal cells has many manufacturing problems such as cell assembly, liquid crystal material injection, and driver circuit mounting. In particular, a drive circuit (driver LSI) for securing electric conduction or independently using a switching element for independently driving each liquid crystal layer stacked more than three layers (driver LSI)
There is a problem that the liquid crystal display device is enlarged due to the increase in the number of the liquid crystal display devices. Although a method of stacking three single-layer liquid crystal display devices is possible in principle, there is a problem that the brightness of the liquid crystal display device cannot be secured.

【0008】この発明は、上述した問題点に基づいてな
されたもので、製造が容易でしかも組み立てコストの低
いカラー液晶表示装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and an object thereof is to provide a color liquid crystal display device which is easy to manufacture and has a low assembly cost.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】この発明の第1の視点に
よれば、表示装置は、複数の液晶層を積層し、それぞれ
の液晶層を駆動するための3種類以上の画素電極を有
し、画素電極のそれぞれに電圧を印加駆動するマトリッ
クス型液晶表示素子において、異なる層に配置された2
種類の画素電極が相互に接続された共通電極構造を有す
ることを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, a display device has a plurality of liquid crystal layers laminated and has three or more kinds of pixel electrodes for driving the respective liquid crystal layers. , A matrix type liquid crystal display device in which a voltage is applied to each of the pixel electrodes to drive the pixel electrodes.
It is characterized in that it has a common electrode structure in which pixel electrodes of different types are connected to each other.

【0010】この発明の第2の視点によれば、表示装置
は、複数の液晶層を積層し、それぞれの液晶層を駆動す
るための3種類以上の画素電極を有し、画素電極のそれ
ぞれに電圧を印加駆動するマトリックス型液晶表示素子
において、内側に配置した画素電極の少なくとも1種類
が、隣接した画素電極と電気的に導通していることを特
徴とする。
According to a second aspect of the present invention, a display device has a plurality of liquid crystal layers laminated and has three or more kinds of pixel electrodes for driving the respective liquid crystal layers, and each of the pixel electrodes has a pixel electrode. In a matrix type liquid crystal display element that applies and drives a voltage, at least one kind of pixel electrodes arranged inside is electrically connected to an adjacent pixel electrode.

【0011】この発明の第3の視点によれば、表示装置
は、複数の液晶層を積層し、それぞれの液晶層を駆動す
るための3種類以上の画素電極を有し、画素電極のそれ
ぞれに電圧を印加駆動するマトリックス型液晶表示素子
において、外側に配置した2種類の画素電極が、それぞ
れ、隣接した画素電極と電気的に導通していることを特
徴とする。
According to a third aspect of the present invention, a display device has a plurality of liquid crystal layers laminated and has three or more kinds of pixel electrodes for driving the respective liquid crystal layers, and each of the pixel electrodes has a pixel electrode. In a matrix type liquid crystal display element that is driven by applying a voltage, two types of pixel electrodes arranged outside are electrically connected to adjacent pixel electrodes, respectively.

【0012】この発明の第4の視点によれば、表示装置
は、複数の液晶層を積層し、それぞれの液晶層を駆動す
るための3種類以上の画素電極を有し、画素電極のそれ
ぞれに電圧を印加駆動するマトリックス型液晶表示素子
において、外側に配置した2種類の画素電極同士が電気
的に導通していることを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, a display device has a plurality of liquid crystal layers laminated and has three or more kinds of pixel electrodes for driving the respective liquid crystal layers, and each of the pixel electrodes has a pixel electrode. In a matrix type liquid crystal display element which is driven by applying a voltage, two types of pixel electrodes arranged outside are electrically connected to each other.

【0013】この発明の第5の視点によれば、表示装置
は、複数の液晶層を積層し、それぞれの液晶層を駆動す
るための3種類以上の画素電極を有し、画素電極のそれ
ぞれに電圧を印加駆動するマトリックス型液晶表示素子
において、外側に配置した2種類の画素電極同士が隣接
した画素の他方の画素電極と電気的に導通していること
を特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, a display device has a plurality of liquid crystal layers laminated and has three or more kinds of pixel electrodes for driving the respective liquid crystal layers, and each of the pixel electrodes has a pixel electrode. In a matrix type liquid crystal display element that applies and drives a voltage, two types of pixel electrodes arranged outside are electrically connected to the other pixel electrode of an adjacent pixel.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、この
発明の実施の形態について説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0015】図1は、この発明の実施の形態が適用され
る3層の液晶層を含むカラー液晶表示装置 (以下、単に
液晶表示装置と示す) を示す概略図である。
FIG. 1 is a schematic view showing a color liquid crystal display device (hereinafter, simply referred to as a liquid crystal display device) including three liquid crystal layers to which the embodiment of the present invention is applied.

【0016】[0016]

【実施例1】図1に示されるように、3層の液晶層を含
むカラー液晶表示装置 (以下、単に液晶表示装置と示
す) 10は、ガラス等の透明な絶縁材料により形成され
た基板10a、この基板10aに対して平行かつ所定の
間隔で対向配置された対向基板10bを有している。な
お、対向基板10bは、実質的に、絶縁基板10aと同
等の材質により形成された絶縁基板である。また、それ
ぞれの基板10aおよび10bとしては、厚さ1.1ミ
リメートル (以下、mmと示す) のガラスが利用され
る。
First Embodiment As shown in FIG. 1, a color liquid crystal display device (hereinafter, simply referred to as a liquid crystal display device) 10 including three liquid crystal layers is a substrate 10a formed of a transparent insulating material such as glass. The substrate 10a has a counter substrate 10b arranged in parallel to and facing the substrate 10a at a predetermined interval. The counter substrate 10b is an insulating substrate that is substantially made of the same material as the insulating substrate 10a. Further, as each of the substrates 10a and 10b, glass having a thickness of 1.1 mm (hereinafter referred to as mm) is used.

【0017】以下、対向基板10bと対向される側の絶
縁基板10aの面に、1画素当り2系統の薄膜トランジ
スタ (以下、TFTと示す) 12a,12bおよびそれ
ぞれのTFTに対応される図示しないゲート電極および
信号線を形成し、PI (インジウム−リン) を2マイク
ロメートル (以下、μmと示す) 積層する。
Hereinafter, two lines of thin film transistors (hereinafter referred to as TFTs) 12a and 12b per pixel and a gate electrode (not shown) corresponding to each TFT are formed on the surface of the insulating substrate 10a facing the counter substrate 10b. Then, a signal line is formed, and PI (indium-phosphorus) is laminated in a thickness of 2 micrometers (hereinafter referred to as μm).

【0018】次に、型押しにより表面をディンプル加工
し、TFTを除いてアルミニウムを100μmを蒸着し
て画素電極 (アルミニウム反射電極) をパターニングす
る。このアルミニウム反射電極は、1系統のTFTのソ
ース電極と接続される。
Next, the surface is dimple-processed by embossing, 100 μm of aluminum is vapor-deposited except for the TFT, and the pixel electrode (aluminum reflective electrode) is patterned. This aluminum reflective electrode is connected to the source electrode of the TFT of one system.

【0019】続いて、残りの1系統のTFTに、銅メッ
キにより高さ10μmの電極柱14aを形成する。
Subsequently, an electrode column 14a having a height of 10 μm is formed on the remaining TFT of one system by copper plating.

【0020】次に、両面に、ITOが厚さ20ナノメー
トル (以下、nmと示す) がスパッタされ、画素電極が
パターニングされた厚さ100μmのフィルム16a
を、画素パターンに合わせて形成された厚さ10μmの
図示しないスペーサとともに基板10aと貼り合わせ
る。なお、フィルム16aは、両面に形成された画素電
極相互を画素単位で導通可能とするため、画素に対応す
る領域の一部に導電性粒子が含有されたものが利用され
る。続いて、厚さ20nmのITOにより、両面に、フ
ィルム16aと同様に画素電極が形成されたフィルム1
6bを、画素パターンと対応された厚さ10μmのスペ
ーサとともに、先に基板10aに貼り付けられたフィル
ム16aに、重ねて貼り合わせる。なお、フィルム16
aに形成された画素パターンとフィルム16bに形成さ
れた画素パターンとは、絶縁基板10aの面方向と直交
する方向から見た状態で少なくとも一部が重なるよう配
置される。この場合、それぞれの画素パターンとが重な
る領域にのみ、導電性を有するスペーサ14bが利用さ
れる。
Next, ITO having a thickness of 20 nanometers (hereinafter referred to as nm) is sputtered on both surfaces, and a pixel electrode is patterned to form a film 16a having a thickness of 100 μm.
Is bonded to the substrate 10a together with a spacer (not shown) having a thickness of 10 μm formed in accordance with the pixel pattern. The film 16a contains conductive particles in a part of the region corresponding to the pixel in order to allow the pixel electrodes formed on both surfaces to be electrically connected to each other on a pixel-by-pixel basis. Subsequently, a film 1 in which pixel electrodes were formed on both surfaces by ITO having a thickness of 20 nm in the same manner as the film 16a
6b, together with a spacer having a thickness of 10 μm corresponding to the pixel pattern, are laminated and adhered to the film 16a previously adhered to the substrate 10a. The film 16
The pixel pattern formed on a and the pixel pattern formed on the film 16b are arranged so as to at least partially overlap each other when viewed in a direction orthogonal to the surface direction of the insulating substrate 10a. In this case, the spacer 14b having conductivity is used only in the region where each pixel pattern overlaps.

【0021】次に、画素パターンと対応された厚さ10
μmの図示しないスペーサを用い、厚さ20nmのIT
Oがスパッタされた対向基板10bを、ITOがスパッ
タされた面とフィルム16bとが対向するよう重ね合わ
せる。
Next, the thickness 10 corresponding to the pixel pattern
IT with a thickness of 20 nm using a spacer (not shown) of μm
The counter substrate 10b on which O is sputtered is placed so that the surface on which ITO is sputtered and the film 16b face each other.

【0022】以下、基板10aとフィルム16aとの
間、フィルム16aとフィルム16bとの間、ならび
に、フィルム16bと基板10bとの間のそれぞれに、
イエローGH (2色性色素を含むゲスト−ホスト) 型液
晶材料18Y、シアンGH型液晶材料18Cおよびマゼ
ンタGH型液晶材料18Mが注入される。なお、このよ
うにして形成されたそれぞれの液晶層の液晶材料の配向
の方向は、垂直配向処理により、各液晶層とも、垂直配
向に制御される。
Hereinafter, between the substrate 10a and the film 16a, between the film 16a and the film 16b, and between the film 16b and the substrate 10b, respectively,
A yellow GH (guest-host containing dichroic dye) type liquid crystal material 18Y, a cyan GH type liquid crystal material 18C and a magenta GH type liquid crystal material 18M are injected. Note that the orientation direction of the liquid crystal material of each liquid crystal layer formed in this way is controlled to be vertical alignment for each liquid crystal layer by the vertical alignment process.

【0023】なお、各液晶材料18Y,18Cおよび1
8Mには、それぞれ、図11により後述する電圧透過率
特性が与えられている。すなわち、各液晶材料は、しい
き値電圧が2.5ボルト (以下、Vと示す) に、飽和電
圧が5Vに設定されている。以下、TCP (テープキャ
リアパッケージ) 手法を用いて、ドライバーICを実装
し、電極間に、図12を用いて後述するよう、2.5
V,−2.5V,5Vおよび−5Vの駆動電圧を印加す
ることで、所定の色を表示できる。なお、駆動電圧は、
フレーム周期毎に極性を反転させることが望ましいが、
図12に示した駆動電圧の組み合わせを利用する場合に
は、単に、極性を入れ替える (絶対値は変化させない)
のみで、効率よく駆動できる。
The liquid crystal materials 18Y, 18C and 1
The voltage transmittance characteristics, which will be described later with reference to FIG. 11, are given to each of 8M. That is, the threshold voltage of each liquid crystal material is set to 2.5 volts (hereinafter referred to as V) and the saturation voltage is set to 5V. Hereinafter, a driver IC is mounted using the TCP (tape carrier package) method, and the gap between the electrodes is 2.5 as described later with reference to FIG.
A predetermined color can be displayed by applying drive voltages of V, -2.5V, 5V and -5V. The drive voltage is
It is desirable to invert the polarity every frame period,
When using the combination of drive voltages shown in FIG. 12, simply switch the polarities (without changing the absolute value).
It can be driven efficiently only by itself.

【0024】この実施例1では、コントラストが概ね
2:1の所定の色が表示ができた。
In Example 1, a predetermined color having a contrast of about 2: 1 could be displayed.

【0025】[0025]

【実施例2】図2には、図1に示した液晶表示装置とは
別の構造が与えられた液晶表示装置が示されている。
Embodiment 2 FIG. 2 shows a liquid crystal display device having a structure different from that of the liquid crystal display device shown in FIG.

【0026】図1に示したカラー液晶表示装置に用いた
と同様の絶縁基板10aに、1画素当り2系統のTFT
12a,12bならびにそれぞれのTFTに対応される
図示しないゲート電極および信号線を形成し、酸化チタ
ンを100μm積層する。
The same insulating substrate 10a as that used in the color liquid crystal display device shown in FIG.
Gate electrodes and signal lines (not shown) corresponding to the TFTs 12a and 12b and the respective TFTs are formed, and titanium oxide is laminated to a thickness of 100 μm.

【0027】次に、ITOを100μmスパッタし、厚
さ2μmのレジストを用いてITOの画素電極をパター
ニングする。この画素電極は、1系統のTFTのソース
電極と接続される。
Next, ITO is sputtered to 100 μm, and the pixel electrode of ITO is patterned using a resist having a thickness of 2 μm. This pixel electrode is connected to the source electrode of one system TFT.

【0028】続いて、図17を用いて後述するような階
段状に形成され、かつ、両面にITO画素電極に対応さ
れた電極パターンが形成されたフィルム22の接続部と
残りの1系統のTFTのソース電極と圧着される。この
場合、絶縁基板10a上に形成されたITO画素電極と
フィルム22に形成された電極パターンとの位置関係が
所定の誤差範囲内に収まるよう、正確に位置合わせされ
る。なお、フィルム22は、両面が導通されているもの
を利用している。
Subsequently, a connecting portion of the film 22 formed in a stepwise manner as described later with reference to FIG. 17 and having electrode patterns corresponding to the ITO pixel electrodes formed on both surfaces, and the remaining one system of TFTs. It is crimped with the source electrode of. In this case, the ITO pixel electrodes formed on the insulating substrate 10a and the electrode patterns formed on the film 22 are accurately aligned so that the positional relationship is within a predetermined error range. In addition, the film 22 uses what has both surfaces conducted.

【0029】次に、ITO画素電極に対応して形成され
た厚さ10μmのスペーサにより、フィルム22を、絶
縁基板10aに対して概ね10μmの間隔で貼り合わせ
る。次に、概ね10μmの間隔が与えられたフィルム2
2と絶縁基板10aとの間に、イエローの2色性色素を
含む液晶材料24Yとシアンの2色性色素を含む液晶材
料24Cを順番に連続して注入し、シアン液晶層とイエ
ロー液晶層の重なりの順番が、シアン−イエロー、イエ
ロー−シアンと1つおきに異なりながら重なった液晶層
を形成する。
Next, the film 22 is attached to the insulating substrate 10a at intervals of about 10 μm by the spacer of 10 μm thickness formed corresponding to the ITO pixel electrodes. Next, the film 2 provided with a space of approximately 10 μm.
A liquid crystal material 24Y containing a dichroic dye of yellow and a liquid crystal material 24C containing a dichroic dye of cyan are sequentially and continuously injected between the insulating film 10 and the insulating substrate 10a to form a cyan liquid crystal layer and a yellow liquid crystal layer. The overlapping liquid crystal layers are formed while the overlapping order is different every other order, that is, cyan-yellow and yellow-cyan.

【0030】続いて、厚さ20nmのITOがスパッタ
された対向基板10bのITOの側に、マゼンタの2色
性色素を含む液晶材料が所定量分散されたPVA樹脂層
24Mを、印刷により10μmを形成したのち、シアン
層24Cとイエロー24Yが形成されたフィルム22
に、マゼンタ液晶層24Mが対向するよう、対向基板1
0bを重ね合わせる。
Then, a PVA resin layer 24M in which a predetermined amount of a liquid crystal material containing a magenta dichroic dye is dispersed is printed on the ITO side of the counter substrate 10b on which ITO having a thickness of 20 nm is sputtered to a thickness of 10 μm by printing. After being formed, the film 22 on which the cyan layer 24C and the yellow 24Y are formed
And the counter substrate 1 so that the magenta liquid crystal layer 24M faces each other.
Stack 0b.

【0031】なお、各液晶層24Y,24Cおよび24
Mには、それぞれ、図11に示した電圧透過率特性が与
えられている。従って、図12に示した駆動電圧によ
り、図1に示した実施例と同様に駆動できる。
The liquid crystal layers 24Y, 24C and 24
Each of the Ms is given the voltage transmittance characteristic shown in FIG. Therefore, the drive voltage shown in FIG. 12 can be used for driving in the same manner as in the embodiment shown in FIG.

【0032】以下、COG (チップオングラス) 手法に
よりドライバーICを実装し、図1に示した実施例と同
様に、図12を用いて後述する2.5V,−2.5V,
5Vおよび−5Vの駆動電圧を印加することで、コント
ラストが概ね3:1の所定の色が表示ができた。
Thereafter, a driver IC is mounted by the COG (chip on glass) method, and 2.5V, -2.5V, which will be described later with reference to FIG. 12, as in the embodiment shown in FIG.
By applying a driving voltage of 5V and -5V, a predetermined color with a contrast of approximately 3: 1 was able to be displayed.

【0033】[0033]

【実施例3】図3には、図1および図2に示した液晶表
示装置とは異なる構造が与えられた液晶表示装置が示さ
れている。
Third Embodiment FIG. 3 shows a liquid crystal display device having a structure different from that of the liquid crystal display device shown in FIGS. 1 and 2.

【0034】図1に示したカラー液晶表示装置に用いた
と同様の絶縁基板10aに、1画素当り2系統のTFT
12a,12bならびにそれぞれのTFTに対応される
図示しないゲート電極および信号線を形成し、PIを2
μm積層する。
The same insulating substrate 10a as that used in the color liquid crystal display device shown in FIG.
Gate electrodes and signal lines (not shown) corresponding to the TFTs 12a and 12b and the respective TFTs are formed.
μm is laminated.

【0035】次に、型押しにより表面をディンプル加工
し、アルミニウムを100μmを蒸着してアルミニウム
反射電極をパターニングする。アルミニウム反射電極
は、1系統のTFTのソース電極と接続される。
Next, the surface is dimple-processed by embossing, 100 μm of aluminum is vapor-deposited, and the aluminum reflection electrode is patterned. The aluminum reflective electrode is connected to the source electrode of the TFT of one system.

【0036】続いて、残りの1系統のTFTに、銅メッ
キにより高さ20μmの電極柱32を形成する。
Subsequently, an electrode column 32 having a height of 20 μm is formed on the remaining TFT of one system by copper plating.

【0037】次に、イエローGH型マイクロカプセル液
晶が所定量を分散されたPVA樹脂層34Yを、10μ
m形成する。
Next, 10 μ of the PVA resin layer 34Y in which a predetermined amount of yellow GH type microcapsule liquid crystal is dispersed is formed.
m.

【0038】こののち、ITOを厚さ20nmスパッタ
して、図18を用いて後述するような電極パターンにパ
ターニングし、第1のITO膜36を形成する。
After that, ITO is sputtered to a thickness of 20 nm and patterned into an electrode pattern as described later with reference to FIG. 18 to form a first ITO film 36.

【0039】次に、図18に示すITO膜36の突出パ
ターン部36aと電極柱32との間で導通をとり、第1
のITO膜36上に、マゼンタGH型マイクロカプセル
液晶が所定量を分散されたPVA樹脂層34Mを、10
μmを形成する。
Next, electrical connection is established between the protruding pattern portion 36a of the ITO film 36 shown in FIG.
The PVA resin layer 34M in which a predetermined amount of magenta GH type microcapsule liquid crystal is dispersed is formed on the ITO film 36 of
to form μm.

【0040】再び、ITOを厚さ20nmスパッタした
のち、パターニングにより、第2のITO膜38を形成
し、電極柱32と第2のITO膜38で導通をとる。
Again, ITO is sputtered to a thickness of 20 nm, and then a second ITO film 38 is formed by patterning, and electrical continuity is established between the electrode pillar 32 and the second ITO film 38.

【0041】続いて、シアンGH型マイクロカプセル液
晶が所定量を分散されたPVA樹脂層34Cを、10μ
mを形成する。
Subsequently, a PVA resin layer 34C in which a predetermined amount of cyan GH type microcapsule liquid crystal is dispersed is formed with 10 μm.
to form m.

【0042】この上に、ITOが20nm厚にスパッタ
された対向基板10bを、ITOとPVA樹脂層とが接
するよう対向させて重ね合わせる。従って、画素電極の
配置は、実質的に、図1の液晶表示装置に類似した構造
となる。なお、各液晶層34Y,34Cおよび34Mに
は、それぞれ、図11に示した電圧透過率特性が与えら
れている。従って、図12に示した駆動電圧により、図
1に示した実施例と同様に駆動できる。
On this, the counter substrate 10b on which ITO is sputtered to a thickness of 20 nm is placed so as to face each other so that the ITO and the PVA resin layer are in contact with each other. Therefore, the arrangement of the pixel electrodes has a structure substantially similar to that of the liquid crystal display device of FIG. The liquid crystal layers 34Y, 34C, and 34M have the voltage transmittance characteristics shown in FIG. 11, respectively. Therefore, the drive voltage shown in FIG. 12 can be used for driving in the same manner as in the embodiment shown in FIG.

【0043】以下、TCP手法を用いてドライバーIC
を実装し、各電極間に、図12に示した組み合わせの駆
動電圧を印加することで、コントラストが概ね3:1の
所定の色を表示できた。
Hereinafter, the driver IC is manufactured using the TCP method.
Was mounted and the driving voltage of the combination shown in FIG. 12 was applied between the electrodes, a predetermined color with a contrast of approximately 3: 1 could be displayed.

【0044】[0044]

【実施例4】図4には、上述した液晶表示装置とは異な
る構造が与えられた液晶表示装置が示されている。
Fourth Embodiment FIG. 4 shows a liquid crystal display device having a structure different from that of the above-mentioned liquid crystal display device.

【0045】図1に示したカラー液晶表示装置に用いた
と同様の絶縁基板10aに、1画素当り2系統のTFT
12a,12bならびにそれぞれのTFTに対応される
図示しないゲート電極および信号線を形成し、厚さ2μ
mのPI層を形成する。
The same insulating substrate 10a as that used in the color liquid crystal display device shown in FIG.
Gate electrodes and signal lines (not shown) corresponding to the TFTs 12a and 12b and the respective TFTs are formed to have a thickness of 2 μm.
m m PI layer is formed.

【0046】次に、型押しにより表面をディンプル加工
し、アルミニウムを100μmを蒸着してアルミニウム
反射電極 (画素電極) をパターニングし、1系統のTF
Tのソース電極と接続する。
Next, the surface is dimple-processed by embossing, 100 μm of aluminum is vapor-deposited to pattern the aluminum reflective electrode (pixel electrode), and one system of TF is used.
Connect to the source electrode of T.

【0047】続いて、残りの1系統のTFTに、銅メッ
キにより高さ10μmの電極柱42を形成する。
Subsequently, an electrode column 42 having a height of 10 μm is formed on the remaining TFT of one system by copper plating.

【0048】次に、両面に、ITOが厚さ50μmスパ
ッタされ、電極柱42のパターンに合わせてパンチング
により穴あけされるとともに画素電極がパターニングさ
れた厚さ100μmのフィルム44aを、厚さ10μm
のスペーサを介して基板10aと貼り合わせる。なお、
フィルム44aは、両面に形成された画素電極相互を画
素単位で導通可能とするために、画素に対応する領域の
一部に導電性粒子が含有されたものが利用される。
Next, ITO is sputtered on both sides with a thickness of 50 μm, punched in accordance with the pattern of the electrode columns 42, and a pixel electrode is patterned, and a 100 μm-thick film 44 a with a thickness of 10 μm is formed.
It is bonded to the substrate 10a via the spacers. In addition,
As the film 44a, a film in which conductive particles are contained in a part of a region corresponding to a pixel is used so that the pixel electrodes formed on both surfaces can be electrically connected to each other in a pixel unit.

【0049】ここで、穴部分に導電性部材で形成された
図示しない電極柱を埋込み、周囲に絶縁物を注入する。
Here, an electrode pillar (not shown) formed of a conductive material is embedded in the hole portion, and an insulator is injected into the periphery.

【0050】次に、両面に、ITOが厚さ20nmスパ
ッタされ、画素電極がパターニングされた厚さ100μ
mのフィルム44bを、厚さ10μmのスペーサを介し
て、既に基板10aと貼り合わせられているフィルム4
4aに重ね合わせる。なお、フィルム44bのそれぞれ
の面に形成 (パターニング) された画素電極は、相互
に、たとえば、スルーホール等により、導通が確保され
る。また、画素電極は、フィルム44bの面方向に直交
する方向から見た状態で電極柱42と重なるようなパタ
ーンに形成され、導電性が与えられたスペーサにより、
電極柱42との間の導通が確保される。
Next, ITO is sputtered on both sides to a thickness of 20 nm and the pixel electrodes are patterned to a thickness of 100 μm.
The film 4b having a thickness of 44 μm and a film 4b already attached to the substrate 10a via a spacer having a thickness of 10 μm.
Stack on 4a. The pixel electrodes formed (patterned) on the respective surfaces of the film 44b are electrically connected to each other by, for example, through holes. In addition, the pixel electrode is formed in a pattern that overlaps with the electrode column 42 when viewed from a direction orthogonal to the surface direction of the film 44b, and the spacer provided with conductivity provides:
Electrical connection with the electrode column 42 is secured.

【0051】次に、厚さ50μmのITOがスパッタさ
れた対向基板10bを、ITO膜とフィルム44bとが
対向するよう重ね合わせる。
Next, the counter substrate 10b on which ITO having a thickness of 50 μm is sputtered is laminated so that the ITO film and the film 44b face each other.

【0052】以下、基板10aとフィルム44aとの
間、フィルム44aとフィルム44bとの間およびフィ
ルム44bと基板10bとの間に、それぞれ、イエロー
の2色性色素を含む液晶材料46Y、シアンの2色性色
素を含む液晶材料46Cおよびマゼンタの2色性色素を
含む液晶材料46Mが注入される。なお、このようにし
て形成されたそれぞれの液晶層の液晶材料の配向の方向
は、各液晶層とも、垂直配向処理により垂直配向に制御
される。
In the following, a liquid crystal material 46Y containing a dichroic dye of yellow and 2 of cyan are provided between the substrate 10a and the film 44a, between the film 44a and the film 44b, and between the film 44b and the substrate 10b, respectively. A liquid crystal material 46C containing a chromatic dye and a liquid crystal material 46M containing a dichromatic dye of magenta are injected. The alignment direction of the liquid crystal material of each liquid crystal layer thus formed is controlled to be vertical alignment by the vertical alignment process.

【0053】なお、各液晶層46Y,46Cおよび46
Mには、それぞれ、図11に示した電圧透過率特性が与
えられている。また、この図4に示した実施例では、各
電極および層構造は、図1ないし図3に示したよりも簡
素化されている。このことから、図13を用いて後述す
るような駆動電圧を印加することで、所定の色を表示で
きる。
The liquid crystal layers 46Y, 46C and 46
Each of the Ms is given the voltage transmittance characteristic shown in FIG. Further, in the embodiment shown in FIG. 4, each electrode and layer structure is simpler than that shown in FIGS. From this, a predetermined color can be displayed by applying a drive voltage as described later with reference to FIG.

【0054】以下、TCP手法を用いてドライバーIC
を実装し、各電極間に、図13に示した組み合わせの駆
動電圧を印加することで、コントラストが概ね2:1の
所定の色が表示ができた。
Hereinafter, the driver IC is manufactured using the TCP method.
Was mounted and the driving voltage of the combination shown in FIG. 13 was applied between the electrodes, a predetermined color with a contrast of approximately 2: 1 was able to be displayed.

【0055】[0055]

【実施例5】図5には、上述した液晶表示装置とはさら
に異なる構造が与えられた液晶表示装置が示されてい
る。
Fifth Embodiment FIG. 5 shows a liquid crystal display device having a structure different from that of the above-mentioned liquid crystal display device.

【0056】絶縁基板10aに、第1のTFT12a、
図示しないゲート電極および信号線を形成し、酸化チタ
ンを100μm積層する。
On the insulating substrate 10a, the first TFT 12a,
A gate electrode and a signal line (not shown) are formed, and titanium oxide is laminated to a thickness of 100 μm.

【0057】次に、ITOを100μmスパッタし、厚
さ2μmのレジストを用いて電極柱向けの電極柱ホール
をパターニングする。この電極柱ホールに、厚さ10μ
mの電極柱52を形成し、第1のTFT12aのソース
電極と接続する。
Next, ITO is sputtered to 100 μm, and an electrode pillar hole for the electrode pillar is patterned using a resist having a thickness of 2 μm. This electrode pillar hole has a thickness of 10μ
An m-shaped electrode column 52 is formed and connected to the source electrode of the first TFT 12a.

【0058】次に、ITOが厚さ20nmスパッタさ
れ、両面に、画素電極がパターニングされた厚さ50μ
mのフィルム54aを、画素電極と電極柱52とが導通
するよう、厚さ10μmのスペーサを挟んで重ね合わせ
る。なお、フィルム54aの両面の画素電極は、相互に
導通が取られているものを利用する。
Next, ITO was sputtered to a thickness of 20 nm, and pixel electrodes were patterned on both sides to a thickness of 50 μm.
The m film 54a is superposed with a 10 μm-thick spacer interposed therebetween so that the pixel electrode and the electrode column 52 are electrically connected to each other. The pixel electrodes on both sides of the film 54a are those which are electrically connected to each other.

【0059】次に、対向電極10bに、第2のTFT1
2b、図示しないゲート電極および信号線を形成し、所
定の厚さのITOをスパッタして、画素電極をパターニ
ングする。
Next, the second TFT 1 is formed on the counter electrode 10b.
2b, a gate electrode and a signal line (not shown) are formed, and ITO having a predetermined thickness is sputtered to pattern the pixel electrode.

【0060】こののち、両面に、ITOが厚さ50μm
スパッタされたフィルム54bを、厚さ10μmのスペ
ーサを挟んで、対向電極10bに、貼り合わせる。
After this, ITO is applied on both sides to a thickness of 50 μm.
The sputtered film 54b is bonded to the counter electrode 10b with a spacer having a thickness of 10 μm interposed therebetween.

【0061】次に、絶縁基板10aおよび対向基板10
bを、厚さ10μmの接着スペーサにより、それぞれ、
フィルム側が相互に向きあうよう、貼り合わせる。
Next, the insulating substrate 10a and the counter substrate 10
b with an adhesive spacer having a thickness of 10 μm,
Laminate them so that the film sides face each other.

【0062】このようにして形成された基板10aとフ
ィルム54aとの間、フィルム54aとフィルム54b
との間およびフィルム54bと基板10bとの間のそれ
ぞれに、イエローの2色性色素を含む液晶材料56Y、
シアンの2色性色素を含む液晶材料56Cおよびマゼン
タの2色性色素を含む液晶材料56Mが注入される。な
お、このようにして形成されたそれぞれの液晶層の液晶
材料の配向の方向は、垂直配向処理により、各液晶層と
も、垂直配向に制御される。また、各液晶層56Y,5
6Cおよび56Mには、それぞれ、図11に示した電圧
透過率特性が与えられている。
Between the substrate 10a and the film 54a thus formed, between the film 54a and the film 54b.
Liquid crystal material 56Y containing a yellow dichroic dye, and between the film 54b and the substrate 10b.
A liquid crystal material 56C containing a cyan dichroic dye and a liquid crystal material 56M containing a magenta dichroic dye are injected. Note that the orientation direction of the liquid crystal material of each liquid crystal layer formed in this way is controlled to be vertical alignment for each liquid crystal layer by the vertical alignment process. In addition, each of the liquid crystal layers 56Y, 5
6C and 56M are provided with the voltage transmittance characteristics shown in FIG. 11, respectively.

【0063】以下、COG手法を用いてドライバーIC
を実装し、フィルム54bの両面の電位を同電位とし、
3層の対向する電極間に、図13に示す所定の駆動電圧
を印加することで、コントラストが概ね3:1の所定の
色が表示ができた。
In the following, the driver IC will be manufactured using the COG method.
Is mounted, and the electric potentials on both surfaces of the film 54b are set to the same electric potential,
By applying the predetermined driving voltage shown in FIG. 13 between the electrodes facing each other in the three layers, a predetermined color having a contrast of about 3: 1 could be displayed.

【0064】[0064]

【実施例6】図6には、上述した液晶表示装置とはさら
に異なる構造が与えられた液晶表示装置が示されてい
る。
Sixth Embodiment FIG. 6 shows a liquid crystal display device having a structure different from that of the above-mentioned liquid crystal display device.

【0065】絶縁基板10a上に、1画素当り2系統の
TFT12a,12b、それぞれのTFTに対応される
図示しないゲート電極および信号線を形成し、PIを2
μm積層する。
Two lines of TFTs 12a and 12b per pixel, gate electrodes and signal lines (not shown) corresponding to the respective TFTs are formed on the insulating substrate 10a, and PI is set to 2
μm is laminated.

【0066】次に、型押しにより表面をディンプル加工
し、TFTを除いてアルミニウムを100μmを蒸着し
て画素電極 (アルミニウム反射電極) をパターニングす
る。このアルミニウム反射電極は、1系統のTFTのソ
ース電極と接続される。
Next, the surface is dimple-processed by embossing, 100 μm of aluminum is vapor-deposited except the TFT, and the pixel electrode (aluminum reflective electrode) is patterned. This aluminum reflective electrode is connected to the source electrode of the TFT of one system.

【0067】続いて、残りの1系統のTFTに、銅メッ
キにより高さ20μmの電極柱62を形成する。
Subsequently, an electrode column 62 having a height of 20 μm is formed on the remaining TFT of one system by copper plating.

【0068】次に、イエローGH型マイクロカプセル液
晶が所定量を分散されたPVA樹脂層64Yを、10μ
m形成する。
Next, the PVA resin layer 64Y in which a predetermined amount of yellow GH type microcapsule liquid crystal is dispersed is formed with 10 μm.
m.

【0069】こののち、ITOを厚さ20nmスパッタ
して、電極柱62とITOとが接触しないようITOを
パターニングし、第1のITO膜66を形成する。
After that, ITO is sputtered to a thickness of 20 nm, and the ITO is patterned so that the electrode pillars 62 and the ITO do not come into contact with each other to form the first ITO film 66.

【0070】次に、シアンGH型マイクロカプセル液晶
が所定量を分散されたPVA樹脂層64Cを、10μm
を形成する。
Next, a PVA resin layer 64C in which a predetermined amount of cyan GH type microcapsule liquid crystal is dispersed is formed to a thickness of 10 μm.
To form

【0071】再び、ITOを厚さ20nmスパッタした
のち、電極柱62とITOとが接触しないようITOを
パターニングして、第2のITO膜68を形成する。な
お、この第2のITO膜18と電極柱62とは、図示し
ない配線材により導通が確保される。
After the ITO is sputtered again to a thickness of 20 nm, the ITO is patterned so that the electrode column 62 and the ITO do not come into contact with each other to form the second ITO film 68. The second ITO film 18 and the electrode column 62 are electrically connected by a wiring member (not shown).

【0072】次に、マゼンタGH型マイクロカプセル液
晶が所定量を分散されたPVA樹脂層64Mを、10μ
mを形成する。
Next, a PVA resin layer 64M in which a predetermined amount of magenta GH type microcapsule liquid crystal is dispersed is formed in a thickness of 10 μm.
to form m.

【0073】この上に、ITOが20nm厚にスパッタ
された対向基板10bを、ITOとPVA樹脂層とが接
するよう対向させて重ね合わせる。なお、各液晶層64
Y,64Cおよび64Mには、それぞれ、図11に示し
た電圧透過率特性が与えられている。
On this, the counter substrate 10b on which ITO is sputtered to a thickness of 20 nm is placed so as to face each other so that the ITO and the PVA resin layer are in contact with each other. In addition, each liquid crystal layer 64
The voltage transmittance characteristics shown in FIG. 11 are given to Y, 64C, and 64M, respectively.

【0074】以下、TCP手法を用いて、ドライバーI
Cを実装し、各電極間に、図13に示す所定の駆動電圧
を印加することで、コントラストが概ね2:1の所定の
色が表示ができた。
Hereinafter, using the TCP method, the driver I
By mounting C and applying the predetermined drive voltage shown in FIG. 13 between the electrodes, a predetermined color with a contrast of approximately 2: 1 could be displayed.

【0075】[0075]

【実施例7】図7には、上述した液晶表示装置とはさら
に異なる構造が与えられた液晶表示装置が示されてい
る。
Embodiment 7 FIG. 7 shows a liquid crystal display device having a structure different from that of the above-mentioned liquid crystal display device.

【0076】絶縁基板10a上に、1画素当り2系統の
TFT12a,12b、それぞれのTFTに対応される
図示しないゲート電極および信号線を形成し、PIを2
μm積層する。
Two lines of TFTs 12a and 12b per pixel, gate electrodes and signal lines (not shown) corresponding to the respective TFTs are formed on the insulating substrate 10a, and PI is set to 2
μm is laminated.

【0077】次に、型押しにより表面をディンプル加工
し、TFTを除いてアルミニウムを100μmを蒸着し
て画素電極 (アルミニウム反射電極) をパターニングす
る。続いて、それぞれのTFTに、銅メッキにより高さ
10μmの電極柱72a,72bを形成する。
Next, the surface is dimple-processed by embossing, 100 μm of aluminum is vapor-deposited except the TFT, and the pixel electrode (aluminum reflective electrode) is patterned. Then, electrode columns 72a and 72b having a height of 10 μm are formed on each TFT by copper plating.

【0078】次に、両面に、ITOが厚さ50μmスパ
ッタされ、一方のTFT (ここでは12aとする) から
の電極柱72aのパターンに対応されるとともにパンチ
ングにより穴あけされて、さらに、画素電極がパターニ
ングされた厚さ100μmのフィルム74aを、厚さ1
0μmのスペーサにより基板10aと貼り合わせる。な
お、穴部分には、導電性部材で形成された電極柱を埋込
み、周囲に、絶縁物を注入する。また、フィルム74a
に形成された画素電極と残りの電極柱72bとが電気的
に接続される。ここで、フィルム74aは、両面に形成
された画素電極相互を画素単位で導通可能とするため
に、画素に対応する領域の一部に導電性粒子が含有され
たものが利用される。
Next, ITO is sputtered on both sides with a thickness of 50 μm, and the holes are punched by corresponding to the pattern of the electrode columns 72a from one TFT (here, 12a), and the pixel electrodes are further formed. A patterned film 74a having a thickness of 100 μm is formed with a thickness of 1
It is bonded to the substrate 10a by a 0 μm spacer. Note that the hole is filled with an electrode pillar formed of a conductive member, and an insulator is injected into the periphery. Also, the film 74a
The pixel electrode formed on the above and the remaining electrode column 72b are electrically connected. Here, as the film 74a, in order to make the pixel electrodes formed on both sides conductive with each other on a pixel-by-pixel basis, a film containing conductive particles in a part of a region corresponding to a pixel is used.

【0079】次に、両面に、ITOが厚さ20nmスパ
ッタされ、画素電極がパターニングされた厚さ100μ
mのフィルム74bを、厚さ10μmのスペーサを介し
て、既に基板10aと貼り合わせられているフィルム7
4aに重ね合わせる。なお、画素電極は、フィルム74
bの面方向に直交する方向から見た状態で電極柱72a
と重なるようなパターンに形成され、導電性が与えられ
たスペーサにより、電極柱72との間の導通が確保され
る。
Next, ITO was sputtered on both sides to a thickness of 20 nm, and the pixel electrodes were patterned to a thickness of 100 μm.
m film 74b is already bonded to the substrate 10a via a spacer having a thickness of 10 μm.
Stack on 4a. The pixel electrode is the film 74.
The electrode column 72a is viewed from a direction orthogonal to the plane direction of b.
Conductivity is secured between the electrode columns 72 by the spacers that are formed in a pattern that overlaps with and are given conductivity.

【0080】この上に、厚さ50μmのITOがスパッ
タされた対向基板10bを、ITO膜とフィルム74b
とが対向するよう重ね合わせる。
The counter substrate 10b, on which ITO having a thickness of 50 μm is sputtered, is then formed on the ITO film and the film 74b.
Stack so that and face each other.

【0081】以下、基板10aとフィルム74aとの
間、フィルム74aとフィルム74bとの間およびフィ
ルム74bと基板10bとの間に、それぞれ、イエロー
の2色性色素を含む液晶材料76Y、シアンの2色性色
素を含む液晶材料76Cおよびマゼンタの2色性色素を
含む液晶材料76Mが注入される。なお、このようにし
て形成されたそれぞれの液晶層の液晶材料の配向の方向
は、各液晶層とも、垂直配向処理により垂直配向に制御
される。また、各液晶層76Y,76Cおよび76Mに
は、それぞれ、図11に示した電圧透過率特性が与えら
れている。この場合、電極および層構造の特徴から、図
14を用いて後述するような駆動電圧を印加すること
で、所定の色を表示できる。
Hereinafter, between the substrate 10a and the film 74a, between the film 74a and the film 74b, and between the film 74b and the substrate 10b, the liquid crystal material 76Y containing the yellow dichroic dye and the cyan 2 A liquid crystal material 76C containing a chromatic dye and a liquid crystal material 76M containing a dichromatic dye of magenta are injected. The alignment direction of the liquid crystal material of each liquid crystal layer thus formed is controlled to be vertical alignment by the vertical alignment process. The liquid crystal layers 76Y, 76C, and 76M have the voltage transmittance characteristics shown in FIG. 11, respectively. In this case, due to the characteristics of the electrodes and the layer structure, a predetermined color can be displayed by applying a drive voltage as described later with reference to FIG.

【0082】以下、TCP手法を用いてドライバーIC
を実装し、各電極間に、図14に示した組み合わせの駆
動電圧を印加することで、コントラストが概ね3:1の
所定の色が表示ができた。
Hereinafter, the driver IC will be described using the TCP method.
By mounting and driving voltages of the combination shown in FIG. 14 were applied between the electrodes, a predetermined color with a contrast of approximately 3: 1 was able to be displayed.

【0083】[0083]

【実施例8】図8には、上述した液晶表示装置とはさら
に異なる構造が与えられた液晶表示装置が示されてい
る。
Embodiment 8 FIG. 8 shows a liquid crystal display device having a structure different from that of the above-mentioned liquid crystal display device.

【0084】絶縁基板10a上に、1画素当り2系統の
TFT12a,12b、それぞれのTFTに対応される
図示しないゲート電極および信号線を形成し、PIを2
μm積層する。
On the insulating substrate 10a, two systems of TFTs 12a and 12b per pixel, gate electrodes and signal lines (not shown) corresponding to the respective TFTs are formed, and PI is set to 2
μm is laminated.

【0085】次に、型押しにより表面をディンプル加工
し、TFTを除いてアルミニウムを100μmを蒸着し
て共通反射電極をパターニングする。
Next, the surface is dimple-processed by embossing, 100 μm of aluminum is vapor-deposited except for the TFT, and the common reflection electrode is patterned.

【0086】続いて、残りの1系統のTFTに、銅メッ
キにより高さ10μmの電極柱82を形成する。
Subsequently, an electrode column 82 having a height of 10 μm is formed on the remaining TFT of one system by copper plating.

【0087】次に、両面に、ITOが厚さ50μmスパ
ッタされ、画素電極がパターニングされた厚さ100μ
mのフィルム84aを、厚さ10μmのスペーサにより
基板10aと貼り合わせる。なお、画素電極は、フィル
ム84aの面方向に直交する方向から見た状態で電極柱
82と重なり合うよう形成され、導電性が与えられたス
ペーサにより、電極柱82との間の導通が確保される。
また、フィルム84aは、両面に形成された画素電極相
互を画素単位で導通可能とするために、画素に対応する
領域の一部に導電性粒子が含有されたものが利用され
る。
Next, ITO was sputtered on both sides to a thickness of 50 μm and the pixel electrodes were patterned to a thickness of 100 μm.
The m film 84a is attached to the substrate 10a with a spacer having a thickness of 10 μm. Note that the pixel electrode is formed so as to overlap with the electrode column 82 when viewed from the direction orthogonal to the surface direction of the film 84a, and the spacer provided with conductivity ensures the conduction with the electrode column 82. .
Further, as the film 84a, in order to make the pixel electrodes formed on both sides conductive with each other on a pixel-by-pixel basis, a film containing conductive particles in a part of a region corresponding to a pixel is used.

【0088】次に、両面に、ITOが厚さ20nmスパ
ッタされ、画素電極がパターニングされた厚さ100μ
mのフィルム84bを、厚さ10μmのスペーサを介し
て、既に基板10aと貼り合わせられているフィルム8
4aに重ね合わせる。なお、画素電極は、フィルム84
bの面方向に直交する方向から見た状態で下層の画素電
極の隣接した画素電極と重なり合うパターンに形成さ
れ、導電性が与えられたスペーサを介して、画素電極相
互間の導通が確保される。
Next, ITO was sputtered on both sides to a thickness of 20 nm, and the pixel electrodes were patterned to a thickness of 100 μm.
film 84b having a thickness of 10 μm and a film 8b already bonded to the substrate 10a via a spacer having a thickness of 10 μm.
Stack on 4a. The pixel electrode is the film 84.
The pixel electrodes in the lower layer are formed in a pattern overlapping with the adjacent pixel electrodes as viewed in a direction orthogonal to the plane direction of b, and electrical continuity is secured between the pixel electrodes via the spacers to which conductivity is given. .

【0089】この上に、厚さ50μmのITOがスパッ
タされた対向基板10bを、ITO膜とフィルム84b
とが対向するよう重ね合わせる。
The counter substrate 10b, on which ITO having a thickness of 50 μm is sputtered, is formed on the ITO film and the film 84b.
Stack so that and face each other.

【0090】以下、基板10aとフィルム84aとの
間、フィルム84aとフィルム84bとの間およびフィ
ルム84bと基板10bとの間に、それぞれ、イエロー
の2色性色素とカイラル剤とを含む液晶材料86Y、シ
アンの2色性色素とカイラル剤とを含む液晶材料86C
およびマゼンタの2色性色素とカイラル剤とを含む液晶
材料86Mが注入される。なお、このようにして形成さ
れたそれぞれの液晶層の液晶材料の配向の方向は、垂直
配向処理により、各液晶層とも、垂直配向に制御され
る。また、各液晶層86Y,86Cおよび86Mには、
それぞれ、図11に示した電圧透過率特性が与えられて
いる。
Hereinafter, a liquid crystal material 86Y containing a yellow dichroic dye and a chiral agent is provided between the substrate 10a and the film 84a, between the film 84a and the film 84b, and between the film 84b and the substrate 10b, respectively. Liquid crystal material 86C containing cyan, dichroic dye and chiral agent
Then, a liquid crystal material 86M containing a magenta dichroic dye and a chiral agent is injected. Note that the orientation direction of the liquid crystal material of each liquid crystal layer formed in this way is controlled to be vertical alignment for each liquid crystal layer by the vertical alignment process. Further, in each of the liquid crystal layers 86Y, 86C and 86M,
The voltage transmittance characteristics shown in FIG. 11 are given respectively.

【0091】以下、TCP手法を用いてドライバーIC
を実装し、各電極間に、図14に示した組み合わせの駆
動電圧を印加することで、コントラストが概ね2:1の
所定の色が表示ができた。
In the following, the driver IC will be manufactured using the TCP method.
By mounting and driving voltages of the combination shown in FIG. 14 were applied between the electrodes, a predetermined color with a contrast of approximately 2: 1 could be displayed.

【0092】[0092]

【実施例9】図9には、上述した液晶表示装置とはさら
に異なる構造が与えられた液晶表示装置が示されてい
る。
[Embodiment 9] FIG. 9 shows a liquid crystal display device having a structure different from that of the above-mentioned liquid crystal display device.

【0093】絶縁基板10a上に、3層の液晶層のそれ
ぞれの画素に対し、1画素当り2系統のTFT92aお
よび92b,それぞれのTFTに対応される図示しない
ゲート電極および信号線を形成し、酸化チタンを100
μmの厚さに蒸着する。
On the insulating substrate 10a, for each pixel of the three liquid crystal layers, two lines of TFTs 92a and 92b per pixel, a gate electrode and a signal line (not shown) corresponding to each TFT are formed and oxidized. 100 titanium
Evaporate to a thickness of μm.

【0094】次に、ITOを50μmスパッタして、2
画素共通電極をパターニングする。ここで、2画素共通
電極と1系統のTFTのソース電極とを接続する。続い
て、残りの1系統のTFTに、銅メッキにより高さ10
μmの電極柱94aを形成する。
Next, ITO is sputtered to a thickness of 50 μm and 2
The pixel common electrode is patterned. Here, the two-pixel common electrode and the source electrode of the TFT of one system are connected. Then, the remaining 1 line of TFTs is copper-plated to a height of 10
The electrode pillar 94a of μm is formed.

【0095】次に、両面にITOが50μmスパッタさ
れ、2画素共通電極がパターニングされた厚さ100μ
mのフィルム96aを、厚さ10μmのスペーサを用い
て、基板10aに貼り合わせる。ここで、フィルム96
aは、両面に形成された画素電極相互を画素単位で導通
可能とするために、画素に対応する領域の一部に導電性
粒子が含有されたものが利用される。
Next, ITO was sputtered on both surfaces to a thickness of 50 μm and a common electrode for two pixels was patterned to a thickness of 100 μm.
The film 96a of m is attached to the substrate 10a by using a spacer having a thickness of 10 μm. Where the film 96
In order to allow the pixel electrodes formed on both surfaces to be electrically connected to each other on a pixel-by-pixel basis, a is used in which conductive particles are contained in a part of the region corresponding to the pixel.

【0096】次に、対向電極10bに、1画素当り2系
統のTFT92cおよび92dと、それぞれのTFTに
対応されるゲート電極および信号線を形成し、ITOを
50μmスパッタして、2画素共通電極をパターニング
する。次に、2画素共通電極と1系統のTFTのソース
電極とを接続する。次に、残りの1系統のTFTに、銅
メッキにより高さ10μmの電極柱94bを形成する。
Next, two lines of TFTs 92c and 92d per pixel, a gate electrode and a signal line corresponding to each TFT are formed on the counter electrode 10b, and ITO is sputtered by 50 μm to form a common electrode for two pixels. Pattern. Next, the two-pixel common electrode and the source electrode of the TFT of one system are connected. Next, an electrode column 94b having a height of 10 μm is formed on the remaining TFT of one system by copper plating.

【0097】次に、両面にITOが50μmスパッタさ
れ、2画素共通電極がパターニングされた厚さ100μ
mのフィルム96bを、画素パターンに対応された厚さ
10μmのスペーサを用いて、基板10bに貼り合わせ
る。なお、フィルム96bのそれぞれの面に形成された
画素電極は、相互に、導通が確保される。また、画素電
極は、フィルム96bの面方向に直交する方向から見た
状態で電極柱94bと重なるようなパターンに形成さ
れ、導電性が与えられたスペーサにより、電極柱94b
との間の導通が確保される。
Next, ITO was sputtered on both surfaces to a thickness of 50 μm, and a common electrode for two pixels was patterned to a thickness of 100 μm.
The m film 96b is attached to the substrate 10b by using a spacer having a thickness of 10 μm corresponding to the pixel pattern. The pixel electrodes formed on the respective surfaces of the film 96b are electrically connected to each other. In addition, the pixel electrode is formed in a pattern that overlaps with the electrode column 94b when viewed from a direction orthogonal to the surface direction of the film 96b, and the electrode column 94b is formed by a spacer having conductivity.
The continuity between and is secured.

【0098】次に、絶縁基板10aおよび対向基板10
bを、厚さ10μmの接着スペーサにより、それぞれ、
フィルム側が相互に向きあうよう、貼り合わせる。
Next, the insulating substrate 10a and the counter substrate 10
b with an adhesive spacer having a thickness of 10 μm,
Laminate them so that the film sides face each other.

【0099】このようにして形成された基板10aとフ
ィルム96aとの間、フィルム96aとフィルム96b
との間およびフィルム96bと基板10bとの間のそれ
ぞれに、イエローの2色性色素を含む液晶材料98Y、
シアンの2色性色素を含む液晶材料98Cおよびマゼン
タの2色性色素を含む液晶材料98Mを注入する。な
お、このようにして形成されたそれぞれの液晶層の液晶
材料の配向の方向は、垂直配向処理により、各液晶層と
も、垂直配向に制御される。
Between the substrate 10a and the film 96a thus formed, the film 96a and the film 96b are formed.
Liquid crystal material 98Y containing a yellow dichroic dye, and between the film 96b and the substrate 10b.
A liquid crystal material 98C containing a cyan dichroic dye and a liquid crystal material 98M containing a magenta dichroic dye are injected. Note that the orientation direction of the liquid crystal material of each liquid crystal layer formed in this way is controlled to be vertical alignment for each liquid crystal layer by the vertical alignment process.

【0100】ここで、各液晶層96Y,96Cおよび9
6Mには、それぞれ、図15により後述するよう、しい
き値電圧が4Vならびに飽和電圧が6Vの電圧透過率特
性を与え、さらに、図16を用いて後述する2V,6
V,8V,10V,12V,14V,18Vおよび20
Vの駆動電圧を所定の組み合わせで印加することで、3
層の画素×2系統分の合計6画素に、所定の色を表示で
きる。
Here, each of the liquid crystal layers 96Y, 96C and 9
As will be described later with reference to FIG. 15, 6M is provided with voltage transmittance characteristics having a threshold voltage of 4V and a saturation voltage of 6V, respectively, and further, 2M and 6V described later with reference to FIG.
V, 8V, 10V, 12V, 14V, 18V and 20
By applying the driving voltage of V in a predetermined combination, 3
A predetermined color can be displayed on a total of 6 pixels of a layer pixel × 2 systems.

【0101】以下、TCP手法を用いてドライバーIC
を実装し、各電極間に、図16に示す駆動電圧を印加す
ることで、コントラストが概ね2:1の所定の色を表示
ができた。
Hereinafter, a driver IC will be described using the TCP method.
16 was applied and the drive voltage shown in FIG. 16 was applied between the electrodes, whereby a predetermined color with a contrast of approximately 2: 1 could be displayed.

【0102】[0102]

【実施例10】図10には、上述したさまざまな液晶表
示装置とはさらにまた異なる層構造が与えられた液晶表
示装置が示されている。
[Embodiment 10] FIG. 10 shows a liquid crystal display device provided with a layer structure different from those of the various liquid crystal display devices described above.

【0103】絶縁基板10a上に、1画素当たり2系統
のTFT12aおよび12b,それぞれのTFTに対応
される図示しないゲート電極および信号線を形成し、P
Iを2μm積層する。
Two lines of TFTs 12a and 12b per pixel, not shown gate electrodes and signal lines corresponding to the respective TFTs are formed on the insulating substrate 10a, and P
I is laminated in a thickness of 2 μm.

【0104】次に、型押しにより表面をディンプル加工
し、TFTを除いてアルミニウムを100μmを蒸着し
て画素電極 (アルミニウム反射電極) をパターニングす
る。このアルミニウム反射電極と1系統のTFT12a
のソース電極とを接続し、さらに、銅メッキにより30
μmの電極柱102を形成する。また、残りのTFT1
2bに、銅メッキにより高さ20μmの電極柱104を
形成する。
Next, the surface is dimple-processed by embossing, 100 μm of aluminum is vapor-deposited except the TFT, and the pixel electrode (aluminum reflective electrode) is patterned. This aluminum reflective electrode and one system of TFT 12a
Connected to the source electrode of, and further 30 by copper plating
An electrode column 102 of μm is formed. Also, the remaining TFT1
An electrode column 104 having a height of 20 μm is formed on 2b by copper plating.

【0105】次に、イエロー2色性色素を含む液晶材料
が所定量を分散されたPVA樹脂層106Yを10μm
形成し、スパッタにより、電極柱の領域を除いて、厚さ
20nmの第1のITO108を形成する。
Next, a PVA resin layer 106Y in which a predetermined amount of a liquid crystal material containing a yellow dichroic dye is dispersed is formed to a thickness of 10 μm.
Then, the first ITO 108 having a thickness of 20 nm is formed by sputtering except the region of the electrode pillar.

【0106】続いて、シアンの2色性色素を含む液晶材
料が所定量分散されたPVA樹脂層106Cを10μm
を形成し、スパッタにより。厚さ20nmのITO11
0を形成する。ここで、高さ20μmの電極柱104と
ITO110とを接続する。次に、マゼンタの2色性色
素を含む液晶材料が所定量分散されたPVA樹脂層10
6Mを10μmを形成し、ITOが20nm厚にスパッ
タされ、画素電極がパターニングされた対向基板10b
を重ね合わせて、30μmの電極柱102とITOとの
導通を確保する。なお、各液晶層106Y,106Cお
よび106Mには、図15に示した電圧透過率特性が与
えられている。
Subsequently, a PVA resin layer 106C in which a predetermined amount of a liquid crystal material containing a cyan dichroic dye is dispersed is formed to a thickness of 10 μm.
Formed by sputtering. 20 nm thick ITO11
Form 0. Here, the electrode pillar 104 having a height of 20 μm and the ITO 110 are connected. Next, a PVA resin layer 10 in which a liquid crystal material containing a magenta dichroic dye is dispersed in a predetermined amount.
A counter substrate 10b in which 6 μm of 10 μm is formed, ITO is sputtered to a thickness of 20 nm, and pixel electrodes are patterned.
Are overlapped with each other to ensure electrical continuity between the 30 μm electrode column 102 and the ITO. The liquid crystal layers 106Y, 106C, and 106M have the voltage transmittance characteristics shown in FIG.

【0107】以下、TCP手法を用いてドライバーIC
を実装し、各電極間に、図16に示す駆動電圧を印加す
ることで、2系統×3層で合計6画素に、コントラスト
が概ね3:1の所定の色を表示ができた。
In the following, a driver IC will be created using the TCP method.
16 was applied and the drive voltage shown in FIG. 16 was applied between the respective electrodes, a predetermined color with a contrast of approximately 3: 1 could be displayed on a total of 6 pixels in 2 lines × 3 layers.

【0108】図19ないし図35には、図1ないし図1
0に示した画素電極の配列と同様に機能するさまざまな
変形例が示されている。
19 to 35 are shown in FIGS.
Various variations are shown that function similarly to the pixel electrode array shown in FIG.

【0109】以下、電極あるいは電極層間の接続につい
て簡単に説明する。なお、それぞれの図では、簡略化し
て、2枚の絶縁基板を10aおよび10bとし、それぞ
れの基板に接する電極層 (外側電極) を第1層および第
4層、第1層と第4層の間に配置される電極層 (内側電
極) であって、第1層よりに位置される層を第2層、同
第4層よりに位置される層を第3層と示す。なお、第1
ないし第4層が同一層内で区分されている場合には、そ
れぞれに、a,b,c‥‥‥の添字を付加するものとす
る。また、電極層中に形成される電極柱向けの穴の位置
をHで示す。なお、TFTの位置をSにより示すととも
に、同一のタイミングで動作されるグループに同一の添
字1,2,3‥‥‥を付加する。さらに、高さ10μm
の電極柱をI、高さ20μmの電極柱をJおよび高さ3
0μmの電極柱をKとする。
The connection between electrodes or electrode layers will be briefly described below. In each drawing, the two insulating substrates are shown as 10a and 10b for simplification, and the electrode layers (outer electrodes) in contact with the respective substrates are the first layer and the fourth layer, and the first layer and the fourth layer. Of the electrode layers (inner electrodes) disposed between the layers, the layer located above the first layer is referred to as the second layer, and the layer located above the fourth layer is referred to as the third layer. The first
If the fourth layer is divided in the same layer, the subscripts a, b, c ... Are added to the respective layers. The position of the hole for the electrode column formed in the electrode layer is indicated by H. The position of the TFT is indicated by S, and the same subscripts 1, 2, 3, ... Are added to the groups operated at the same timing. Furthermore, the height is 10 μm
Of the electrode column of I, the electrode column of 20 μm in height is J and the height of 3 is 3
Let K be the electrode column of 0 μm.

【0110】図19に示される例では、第1層の電極1
a,1b,1cは、それぞれ、TFTS1により動作さ
れる。第2層の電極2a,2bは、相互に接続されてい
るので、1つのTFTS2により動作される。なお、電
極2cは、独立したTFTS2により駆動される。第3
層の電極3a,3b,3cは、それぞれ、TFTS3に
より動作される。なお、電極3aは、第2層の電極柱J
のための穴Hを通り抜けた電極柱Jにより駆動される。
In the example shown in FIG. 19, the electrode 1 of the first layer is
Each of a, 1b, and 1c is operated by the TFT S1. Since the electrodes 2a and 2b of the second layer are connected to each other, they are operated by one TFT S2. The electrode 2c is driven by the independent TFT S2. Third
The layer electrodes 3a, 3b, 3c are each operated by a TFT S3. The electrodes 3a are the electrode columns J of the second layer.
It is driven by the electrode column J that passes through the hole H for.

【0111】図20に示される例では、第1層の電極1
aは、独立したTFTS1により駆動される。電極1b
および1cは、相互に接続されているので、1つのTF
TS1により動作される。第2層の電極2aおよび2b
は、同様に、1つのTFTS2により動作される。第3
層の電極3a,3b,3cは、それぞれ、TFTS3に
より動作される。この場合、電極3aは、第2層の電極
柱Jのための穴Hを通り抜けた電極柱Jにより、電極3
bは、第1層の電極柱Jのための穴Hを通り抜けた電極
柱Jにより、それぞれ独立のTFTS3により駆動され
る。
In the example shown in FIG. 20, the electrode 1 of the first layer is
a is driven by an independent TFT S1. Electrode 1b
And 1c are connected to each other so that one TF
It is operated by TS1. Second layer electrodes 2a and 2b
Are likewise operated by one TFT S2. Third
The layer electrodes 3a, 3b, 3c are each operated by a TFT S3. In this case, the electrode 3a is formed by the electrode pillar J passing through the hole H for the electrode pillar J of the second layer.
b is driven by the TFTs S3 independent of each other by the electrode columns J passing through the holes H for the electrode columns J of the first layer.

【0112】図21に示される例では、第1層の電極1
a,1b,1cは、それぞれ、TFTS1により動作さ
れる。第2層の電極2a+2bおよび電極2cは、それ
ぞれ独立した合計2個のTFTS2により駆動される。
なお、第3層の電極3aは、第2層の電極柱Jのための
穴Hを通り抜けた電極柱Jを介してTFTS3により駆
動される。これに対して、第3層の電極3b,3cは、
それぞれ、独立の2つのTFTS3により駆動される。
In the example shown in FIG. 21, the first layer electrode 1 is used.
Each of a, 1b, and 1c is operated by the TFT S1. The electrodes 2a + 2b and the electrode 2c of the second layer are driven by a total of two TFTS2 which are independent of each other.
The electrode 3a of the third layer is driven by the TFT S3 via the electrode pillar J that passes through the hole H for the electrode pillar J of the second layer. On the other hand, the third-layer electrodes 3b and 3c are
Each is driven by two independent TFTS3.

【0113】図22に示される例では、第1層の電極1
a,1b,1cは、それぞれ、TFTS1により動作さ
れる。第2層の電極2a+2bおよび電極2cは、それ
ぞれ独立した合計2個のTFTS2により駆動される。
第3層の電極3a,3b,3cは、それぞれ、TFTS
3により、また、第4層の電極4a,4b,4cは、そ
れぞれ、TFTS4により、動作される。なお、図22
は、それぞれの電極の配列およびTFTの位置は、図2
1に示されている例と実質的に同一である。
In the example shown in FIG. 22, the first layer electrode 1 is used.
Each of a, 1b, and 1c is operated by the TFT S1. The electrodes 2a + 2b and the electrode 2c of the second layer are driven by a total of two TFTS2 which are independent of each other.
The electrodes 3a, 3b, 3c of the third layer are respectively formed by the TFTS.
3 and the electrodes 4a, 4b, 4c of the fourth layer are operated by the TFT S4, respectively. Note that FIG.
The arrangement of each electrode and the position of the TFT are shown in FIG.
1 is substantially the same as the example shown in FIG.

【0114】図23に示される例では、第1層の電極1
a,1b,1cは、それぞれ、TFTS1により動作さ
れる。第2層の電極2a+2bおよび電極2cは、それ
ぞれ独立した合計2個のTFTS2により駆動される。
第3層の電極3a,3b,3cは、それぞれ、TFTS
3により、また、第4層の電極4a,4b,4cは、そ
れぞれ、TFTS4により、動作される。第3層の電極
3aおよび第4層の電極4aは、それぞれ、第2層の穴
Hを通り抜けた電極柱J,Kを介して、対応するTFT
と接続される。なお、図22は、それぞれの電極の配列
およびTFTの位置は、図21に示されている例と実質
的に同一である。
In the example shown in FIG. 23, the first layer electrode 1
Each of a, 1b, and 1c is operated by the TFT S1. The electrodes 2a + 2b and the electrode 2c of the second layer are driven by a total of two TFTS2 which are independent of each other.
The electrodes 3a, 3b, 3c of the third layer are respectively formed by the TFTS.
3 and the electrodes 4a, 4b, 4c of the fourth layer are operated by the TFT S4, respectively. The third layer electrode 3a and the fourth layer electrode 4a respectively correspond to the corresponding TFTs through the electrode columns J and K passing through the holes H of the second layer.
Connected to Note that the arrangement of the electrodes and the positions of the TFTs in FIG. 22 are substantially the same as those in the example shown in FIG.

【0115】以下、図24ないし図35のそれぞれに関
し、図19ないし図22を用いて説明したように、3層
の画素を規定する画素電極の少なくとも一部が電気的に
導通されることで、それぞれの画素に所定の駆動電圧を
印加するために必要な電圧数(電圧のステップ数) が低
減される。なお、図24および図25において、共通に
駆動される電極は、それぞれ、2a,2bならびに3
b,3cである。また、図26では、2a,2bならび
に4b,4cである。なお、図31においては、3aと
2b、3bと2c、3cと2d‥‥‥、図32および図
33においては、それぞれ、4aと1b、4bと1c、
4cと1d‥‥‥である。
24 to 35, as described with reference to FIGS. 19 to 22, at least a part of the pixel electrodes defining the pixels of the three layers is electrically conducted, The number of voltages (the number of voltage steps) required to apply a predetermined drive voltage to each pixel is reduced. 24 and 25, the commonly driven electrodes are 2a, 2b and 3 respectively.
b and 3c. Further, in FIG. 26, they are 2a, 2b and 4b, 4c. In FIG. 31, 3a and 2b, 3b and 2c, 3c and 2d ..., In FIGS. 32 and 33, 4a and 1b, 4b and 1c, respectively.
4c and 1d ...

【0116】以上説明したように、3層構造のカラー液
晶表示装置において、3層の画素を規定する画素電極の
一部を共通化し、各層間に、しいき値電圧と飽和電圧と
が、1対2すなわち飽和電圧がしいき値電圧の2倍に設
定された液晶材料を配置することにより、従来に比較し
て少ない種類 (数=ステップ) の駆動電圧で、所定の画
素に、任意の色を表示させることができる。なお、画素
電圧は、好ましくは、フレーム周期毎に極性を反転させ
ることが望ましく、上述したさまざまな例においては、
極性が反転された駆動電圧が効率良く利用される。すな
わち、駆動電圧のステップ数 (種類) が低減される。
As described above, in the three-layer color liquid crystal display device, a part of the pixel electrodes defining the pixels of the three layers is made common, and the threshold voltage and the saturation voltage are set to 1 between the layers. By arranging liquid crystal material in which the saturation voltage is set to twice the threshold voltage, it is possible to drive a given pixel to an arbitrary color with a smaller number (number = steps) of driving voltage than in the past. Can be displayed. Note that it is preferable that the pixel voltage has its polarity inverted every frame period. In the various examples described above,
The drive voltage whose polarity is inverted can be efficiently used. That is, the number of steps (types) of driving voltage is reduced.

【0117】なお、上述した駆動方法ならびに画素電極
の構成は、液晶材料および色素の種類に支配されるもの
ではない。また、反射型および透過型のいづれの液晶装
置にも利用可能である。なお、反射型の場合には、液晶
表示素子裏面または反射電極上に、散乱面か指向性反射
面を設けることが必要である。また、前面の基板上に
は、反射防止膜を設けることがことが望ましい。但し、
好ましくは、偏光板を必要としない構造の液晶表示素子
が利用される。
The driving method and the structure of the pixel electrode described above are not governed by the types of liquid crystal material and dye. Further, the present invention can be used for both reflective and transmissive liquid crystal devices. In the case of the reflection type, it is necessary to provide a scattering surface or a directional reflection surface on the back surface of the liquid crystal display element or the reflection electrode. Further, it is desirable to provide an antireflection film on the front substrate. However,
Preferably, a liquid crystal display device having a structure that does not require a polarizing plate is used.

【0118】また、液晶材料としては、メモリー性を持
たない液晶材料を利用することで、高速でコントラスト
の高い表示が可能となる。なお、好ましくは、液晶中の
色素の配向秩序度が、0.8以上に設定された液晶材料
および層構造が選択される。また、色素材料の分光特性
は、重ね合わせにより、ブラック (黒) あるいはダーク
グレーもしくは深青色に設定される。
By using a liquid crystal material having no memory property as the liquid crystal material, high-speed and high-contrast display is possible. In addition, it is preferable to select a liquid crystal material and a layer structure in which the alignment order of the dye in the liquid crystal is set to 0.8 or more. The spectral characteristics of the dye material are set to black, dark gray, or deep blue by superposition.

【0119】[0119]

【発明の効果】以上説明したように、この発明の液晶表
示装置によれば、画素電極は、内側に配置した画素電極
の少なくとも1種類が隣接した画素電極と電気的に導通
している構造、外側に配置した2種類の画素電極がそれ
ぞれ隣接した画素電極と電気的に導通している構造、外
側に配置した2種類の画素電極同士が電気的に導通して
いる構造、または、外側に配置した2種類の画素電極同
士が隣接した画素の他方の画素電極と電気的に導通して
いる構造のいづれかあるいはそれらの組み合わせにより
定義され、製造工程の簡素化 (ステップ数の低減) およ
び駆動電圧の種類(ステップ) の低減を可能とする。
As described above, according to the liquid crystal display device of the present invention, the pixel electrode has a structure in which at least one of the pixel electrodes arranged inside is electrically connected to the adjacent pixel electrode, A structure in which two kinds of pixel electrodes arranged outside are electrically connected to adjacent pixel electrodes, a structure in which two kinds of pixel electrodes arranged outside are electrically connected to each other, or arranged outside The two types of pixel electrodes are electrically connected to the other pixel electrode of the adjacent pixel and are defined by a combination of them, which simplifies the manufacturing process (reduces the number of steps) and reduces the driving voltage. Enables reduction of types (steps).

【0120】これにより、画素電極を駆動する駆動電圧
のステップ数を低減できる。また、液晶表示装置の構造
を簡素化できる。
As a result, the number of steps of the drive voltage for driving the pixel electrode can be reduced. Moreover, the structure of the liquid crystal display device can be simplified.

【0121】従って、カラー液晶表示装置を製造する際
の歩留まりが向上され、製造コストが低減される。
Therefore, the yield in manufacturing the color liquid crystal display device is improved and the manufacturing cost is reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の実施の形態が適用される液晶表示装
置の構造を示す概略図。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a structure of a liquid crystal display device to which an embodiment of the present invention is applied.

【図2】図1に示した液晶表示装置の変形例を示す概略
図。
FIG. 2 is a schematic diagram showing a modified example of the liquid crystal display device shown in FIG.

【図3】図1に示した液晶表示装置の変形例を示す概略
図。
FIG. 3 is a schematic diagram showing a modified example of the liquid crystal display device shown in FIG.

【図4】図1に示した液晶表示装置とは別の液晶表示装
置の構造を示す概略図。
FIG. 4 is a schematic diagram showing a structure of a liquid crystal display device different from the liquid crystal display device shown in FIG.

【図5】図1に示した液晶表示装置さらに別の液晶表示
装置の構造を示す概略図。
5 is a schematic diagram showing the structure of a liquid crystal display device shown in FIG.

【図6】図4に示した液晶表示装置の変形例を示す概略
図。
6 is a schematic diagram showing a modification of the liquid crystal display device shown in FIG.

【図7】図1に示した液晶表示装置とは異なる液晶表示
装置の構造を示す概略図。
7 is a schematic diagram showing a structure of a liquid crystal display device different from the liquid crystal display device shown in FIG.

【図8】図7に示した液晶表示装置の変形例を示す概略
図。
8 is a schematic diagram showing a modification of the liquid crystal display device shown in FIG.

【図9】図7に示した液晶表示装置の変形例を示す概略
図。
9 is a schematic diagram showing a modification of the liquid crystal display device shown in FIG.

【図10】図7に示した液晶表示装置の変形例を示す概
略図。
10 is a schematic diagram showing a modification of the liquid crystal display device shown in FIG.

【図11】図1ないし図8に示した液晶表示装置に利用
される液晶材料の電圧と透過率との関係を示すグラフ。
11 is a graph showing the relationship between the voltage and the transmittance of the liquid crystal material used in the liquid crystal display device shown in FIGS.

【図12】図1ないし図3に示した構造を有する液晶表
示装置の各画素電極に印加される駆動電圧の例を示す概
略図。
FIG. 12 is a schematic diagram showing an example of a driving voltage applied to each pixel electrode of the liquid crystal display device having the structure shown in FIGS.

【図13】図4ないし図6に示した構造を有する液晶表
示装置の各画素電極に印加される駆動電圧の例を示す概
略図。
FIG. 13 is a schematic diagram showing an example of a drive voltage applied to each pixel electrode of the liquid crystal display device having the structure shown in FIGS.

【図14】図7および図8に示した構造を有する液晶表
示装置の各画素電極に印加される駆動電圧の例を示す概
略図。
14 is a schematic diagram showing an example of a drive voltage applied to each pixel electrode of the liquid crystal display device having the structure shown in FIGS. 7 and 8. FIG.

【図15】図1ないし図8に示した液晶表示装置に利用
される液晶材料の電圧と透過率との関係を示すグラフ。
15 is a graph showing the relationship between the voltage and the transmittance of the liquid crystal material used in the liquid crystal display device shown in FIGS.

【図16】図9および図10に示した構造を有する液晶
表示装置の各画素電極に印加される駆動電圧の例を示す
概略図。
16 is a schematic diagram showing an example of a drive voltage applied to each pixel electrode of the liquid crystal display device having the structure shown in FIGS. 9 and 10. FIG.

【図17】図2に示した液晶表示装置の液晶層を提供す
るために利用される画素電極フィルムの形状を示す概略
図。
17 is a schematic view showing a shape of a pixel electrode film used to provide a liquid crystal layer of the liquid crystal display device shown in FIG.

【図18】図3に示した液晶表示装置の中間液晶層の画
素電極のパターンの例を示す概略図。
18 is a schematic diagram showing an example of a pattern of pixel electrodes of an intermediate liquid crystal layer of the liquid crystal display device shown in FIG.

【図19】図1ないし図10に示した液晶表示装置の層
構造の他の例を示す概略図。
FIG. 19 is a schematic diagram showing another example of the layer structure of the liquid crystal display device shown in FIGS. 1 to 10.

【図20】図1ないし図10に示した液晶表示装置の層
構造の他の例を示す概略図。
20 is a schematic view showing another example of the layer structure of the liquid crystal display device shown in FIGS. 1 to 10. FIG.

【図21】図1ないし図10に示した液晶表示装置の層
構造の他の例を示す概略図。
21 is a schematic diagram showing another example of the layer structure of the liquid crystal display device shown in FIGS.

【図22】図1ないし図10に示した液晶表示装置の層
構造の他の例を示す概略図。
22 is a schematic diagram showing another example of the layer structure of the liquid crystal display device shown in FIGS.

【図23】図1ないし図10に示した液晶表示装置の層
構造の他の例を示す概略図。
23 is a schematic view showing another example of the layer structure of the liquid crystal display device shown in FIGS. 1 to 10. FIG.

【図24】図1ないし図10に示した液晶表示装置の層
構造の他の例を示す概略図。
FIG. 24 is a schematic view showing another example of the layer structure of the liquid crystal display device shown in FIGS. 1 to 10.

【図25】図1ないし図10に示した液晶表示装置の層
構造の他の例を示す概略図。
25 is a schematic diagram showing another example of the layer structure of the liquid crystal display device shown in FIGS. 1 to 10. FIG.

【図26】図1ないし図10に示した液晶表示装置の層
構造の他の例を示す概略図。
FIG. 26 is a schematic view showing another example of the layer structure of the liquid crystal display device shown in FIGS. 1 to 10.

【図27】図1ないし図10に示した液晶表示装置の層
構造の他の例を示す概略図。
27 is a schematic view showing another example of the layer structure of the liquid crystal display device shown in FIGS. 1 to 10. FIG.

【図28】図1ないし図10に示した液晶表示装置の層
構造の他の例を示す概略図。
28 is a schematic diagram showing another example of the layer structure of the liquid crystal display device shown in FIGS. 1 to 10. FIG.

【図29】図1ないし図10に示した液晶表示装置の層
構造の他の例を示す概略図。
29 is a schematic view showing another example of the layer structure of the liquid crystal display device shown in FIGS. 1 to 10. FIG.

【図30】図1ないし図10に示した液晶表示装置の層
構造の他の例を示す概略図。
FIG. 30 is a schematic view showing another example of the layer structure of the liquid crystal display device shown in FIGS. 1 to 10.

【図31】図1ないし図10に示した液晶表示装置の層
構造の他の例を示す概略図。
FIG. 31 is a schematic view showing another example of the layer structure of the liquid crystal display device shown in FIGS. 1 to 10.

【図32】図1ないし図10に示した液晶表示装置の層
構造の他の例を示す概略図。
32 is a schematic diagram showing another example of the layer structure of the liquid crystal display device shown in FIGS. 1 to 10. FIG.

【図33】図1ないし図10に示した液晶表示装置の層
構造の他の例を示す概略図。
FIG. 33 is a schematic diagram showing another example of the layer structure of the liquid crystal display device shown in FIGS. 1 to 10.

【図34】図1ないし図10に示した液晶表示装置の層
構造の他の例を示す概略図。
34 is a schematic diagram showing another example of the layer structure of the liquid crystal display device shown in FIGS. 1 to 10. FIG.

【図35】図1ないし図10に示した液晶表示装置の層
構造の他の例を示す概略図。
FIG. 35 is a schematic view showing another example of the layer structure of the liquid crystal display device shown in FIGS. 1 to 10.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 …カラー液晶表示装置、 10a…絶縁基板、 10b…絶縁基板、 Y …イエロー液晶層、 C …シアン液晶層、 H …電極柱向けの穴、 I …電極柱 (10μm) 、 J …電極柱 (20μm) 、 K …電極柱 (30μm) 、 T …TFT (薄膜トランジスタ) 。 10 ... Color liquid crystal display device, 10a ... Insulating substrate, 10b ... Insulating substrate, Y ... Yellow liquid crystal layer, C ... Cyan liquid crystal layer, H ... Hole for electrode column, I ... Electrode column (10 μm), J ... Electrode column ( 20 μm), K ... Electrode column (30 μm), T ... TFT (thin film transistor).

Claims (17)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】複数の液晶層を積層し、それぞれの液晶層
を駆動するための3種類以上の画素電極を有し、画素電
極のそれぞれに電圧を印加駆動するマトリックス型液晶
表示素子において、 異なる層に配置された2種類の画素電極が相互に接続さ
れた共通電極構造を有することを特徴とする表示装置。
1. A matrix-type liquid crystal display device comprising a plurality of liquid crystal layers laminated, three or more kinds of pixel electrodes for driving the respective liquid crystal layers, and applying a voltage to each pixel electrode to drive the liquid crystal layers. A display device having a common electrode structure in which two types of pixel electrodes arranged in layers are connected to each other.
【請求項2】複数の液晶層を積層し、それぞれの液晶層
を駆動するための3種類以上の画素電極を有し、画素電
極のそれぞれに電圧を印加駆動するマトリックス型液晶
表示素子において、 内側に配置した画素電極の少なくとも1種類が、隣接し
た画素電極と電気的に導通していることを特徴とする表
示装置。
2. A matrix-type liquid crystal display device comprising a plurality of liquid crystal layers laminated, having three or more kinds of pixel electrodes for driving the respective liquid crystal layers, wherein a voltage is applied to each of the pixel electrodes to drive. A display device, wherein at least one kind of the pixel electrodes arranged in the above is electrically connected to an adjacent pixel electrode.
【請求項3】複数の液晶層を積層し、それぞれの液晶層
を駆動するための3種類以上の画素電極を有し、画素電
極のそれぞれに電圧を印加駆動するマトリックス型液晶
表示素子において、 外側に配置した2種類の画素電極が、それぞれ、隣接し
た画素電極と電気的に導通していることを特徴とする表
示装置。
3. A matrix-type liquid crystal display device comprising a plurality of liquid crystal layers laminated, having three or more kinds of pixel electrodes for driving the respective liquid crystal layers, and applying a voltage to each pixel electrode to drive the liquid crystal layer. 2. The display device, wherein the two types of pixel electrodes arranged in the above are electrically connected to the adjacent pixel electrodes, respectively.
【請求項4】複数の液晶層を積層し、それぞれの液晶層
を駆動するための3種類以上の画素電極を有し、画素電
極のそれぞれに電圧を印加駆動するマトリックス型液晶
表示素子において、 外側に配置した2種類の画素電極同士が電気的に導通し
ていることを特徴とする表示装置。
4. A matrix type liquid crystal display device comprising a plurality of liquid crystal layers laminated, having three or more kinds of pixel electrodes for driving each of the liquid crystal layers, wherein a voltage is applied to each pixel electrode to drive the matrix type liquid crystal display device. 2. A display device characterized in that the two kinds of pixel electrodes arranged in the above are electrically connected to each other.
【請求項5】複数の液晶層を積層し、それぞれの液晶層
を駆動するための3種類以上の画素電極を有し、画素電
極のそれぞれに電圧を印加駆動するマトリックス型液晶
表示素子において、 外側に配置した2種類の画素電極同士が隣接した画素の
他方の画素電極と電気的に導通していることを特徴とす
る表示装置。
5. A matrix type liquid crystal display device comprising a plurality of liquid crystal layers laminated, having three or more kinds of pixel electrodes for driving each liquid crystal layer, wherein a voltage is applied to each pixel electrode to drive the liquid crystal layer. 2. The display device, wherein the two types of pixel electrodes arranged in the above are electrically connected to the other pixel electrode of the adjacent pixel.
【請求項6】前記液晶表示素子は、3層の液晶層と4種
類の電極により構成されることを特徴とする請求項1な
いし5のいづれかの表示装置。
6. The display device according to claim 1, wherein the liquid crystal display element comprises three liquid crystal layers and four kinds of electrodes.
【請求項7】前記液晶表示素子は、信号線に沿って、1
ラインごとに共通化された画素電極を有することを特徴
とする請求項1ないし5のいづれかの表示装置。
7. The liquid crystal display device comprises:
6. The display device according to claim 1, wherein the display device has a common pixel electrode for each line.
【請求項8】前記液晶表示素子は、走査線に沿って、1
ラインごとに共通化された画素電極を有することを特徴
とする請求項1ないし5のいづれかの表示装置。
8. The liquid crystal display device comprises:
6. The display device according to claim 1, wherein the display device has a common pixel electrode for each line.
【請求項9】前記液晶表示素子は、少なくとも1層の液
晶層を貫通する導電性部材により接続された画素電極を
有することを特徴とする請求項1ないし5のいづれかの
表示装置。
9. The display device according to claim 1, wherein the liquid crystal display element has a pixel electrode connected by a conductive member penetrating at least one liquid crystal layer.
【請求項10】前記液晶表示素子は、内側に配置した画
素電極が基板上のスイッチ素子と電気的に導通している
ことを特徴とする請求項1ないし5のいづれかの表示装
置。
10. The display device according to claim 1, wherein the liquid crystal display element has a pixel electrode disposed inside thereof electrically connected to a switch element on a substrate.
【請求項11】前記液晶表示素子は、しいき値電圧が飽
和電圧の概ね1/2に設定された電気光学特性値が与え
られた液晶材料を含むことを特徴とする請求項1ないし
5のいづれかの表示装置。
11. The liquid crystal display device according to claim 1, further comprising a liquid crystal material provided with an electro-optical characteristic value in which a threshold voltage is set to approximately ½ of a saturation voltage. Either display device.
【請求項12】前記液晶表示素子は、標準電位に対し、
しいき値電圧および飽和電圧の差分を有する電位から、
画素電極電位が選択されることを特徴とする請求項1な
いし5のいづれかの表示装置。
12. The liquid crystal display device, with respect to a standard potential,
From the potential having the difference between the threshold voltage and the saturation voltage,
6. The display device according to claim 1, wherein the pixel electrode potential is selected.
【請求項13】前記液晶表示素子は、接続された2種類
の画素電極が、互いに隣接した画素の電極であることを
特徴とする請求項1の表示装置。
13. The display device according to claim 1, wherein in the liquid crystal display element, two types of connected pixel electrodes are electrodes of adjacent pixels.
【請求項14】第1の絶縁基板と、 この第1の絶縁基板の一方の面の側に配置され、3層の
区分領域を提供する電極層と、 この電極層を介在させた状態で前記第1の絶縁基板に対
向される第2の絶縁基板と、 前記第1および第2の絶縁基板間に配置され、前記電極
層の少なくとも2つの電極層を電気的に接続する導電性
部材と、を有する表示装置。
14. A first insulating substrate, an electrode layer provided on one surface side of the first insulating substrate to provide three-layered divided regions, and the electrode layer with the electrode layer interposed therebetween. A second insulating substrate facing the first insulating substrate; and a conductive member arranged between the first and second insulating substrates and electrically connecting at least two electrode layers of the electrode layers, Display device having.
【請求項15】前記導電性部材は、同一平面の電極層内
の少なくとも2つの画素電極を接続することを特徴とす
る請求項14の表示装置。
15. The display device according to claim 14, wherein the conductive member connects at least two pixel electrodes in an electrode layer on the same plane.
【請求項16】前記導電性部材は、異なる平面の電極層
内の少なくとも2つの画素電極を接続することを特徴と
する請求項14の表示装置。
16. The display device according to claim 14, wherein the conductive member connects at least two pixel electrodes in electrode layers on different planes.
【請求項17】前記導電性部材は、互いに隣接した少な
くとも2つの画素電極を接続することを特徴とする請求
項14表示装置。
17. The display device according to claim 14, wherein the conductive member connects at least two pixel electrodes adjacent to each other.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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