JPH09258256A

JPH09258256A - 表示装置

Info

Publication number: JPH09258256A
Application number: JP8068526A
Authority: JP
Inventors: Kazuyuki Haruhara; 一之春原; Atsushi Sugawara; 淳菅原
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1996-03-25
Filing date: 1996-03-25
Publication date: 1997-10-03

Abstract

(57)【要約】【課題】この発明は、製造が容易で、組み立てコストの
低いカラー液晶表示装置を提供することにある。【解決手段】液晶表示装置１０は、第１の絶縁基板１０
ａと、第１の絶縁基板の一方の面の側に配置され、所定
の区分領域を提供するフィルム１６ａおよび１６ｂと、
フィルムを介在させた状態で第１の絶縁基板に対向され
る第２の絶縁基板１０ｂと、第１および第２の絶縁基板
間に配置され、フィルムと絶縁基板またはフィルム相互
間の少なくとも２層を電気的に接続する導電性部材とを
有する。これにより、画素電極に所定の駆動電圧を印加
するために必要な電圧ステップ数が低減される。なお、
第１の絶縁基板とフィルム、フィルム相互間、第２の絶
縁基板とフィルムのそれぞれの間には、所定の色を表示
可能な液晶材料１８Ｙ，１８Ｃおよび１８Ｍが積層され
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、複数の液晶層が
積層された液晶素子を用いた多色表示装置およびこの多
色表示装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】任意の色を表示可能な表示装置として、
ＣＲＴ (カソード・レイ・チューブ、すなわち、受像
管) が広く用いられている。しかし、ＣＲＴは、一つの
電子銃で加速した電子を表示パネル (発光面) 上のすべ
ての領域に偏向させることから、ディスプレイとしての
の奥行きが大きくなる問題がある。また、消費電力およ
び重量から、携帯には適さない。

【０００３】ＣＲＴに代わる表示装置としてプラズマデ
ィスプレイおよびＥＬ (エレクトロルミネセンス) パネ
ル等も提案されているが、現在のところ携帯用として実
用化されていない。

【０００４】液晶素子を含む液晶表示装置は、装置の厚
さならびに重量のそれぞれが携帯を可能とする数値に設
定可能であるとともに消費電力も僅かで済むことから、
電子卓上計算機あるいは腕時計等に広く使用されてい
る。なお、ＴＮ (ツイステッドネマティック) 型液晶素
子を、アクティブスイッチ素子として利用されるＴＦＴ
(薄膜トランジスタ) と一体に形成することによりＣＲ
Ｔと同等の表示特性が与えられた表示装置の開発によ
り、携帯カラーテレビならびにワードプロセッサおよび
パーソナルコンピュータ等におけるカラー表示も実用化
されている。また、二色性染料を用いたＧＨ (ゲスト−
ホスト) 型液晶素子または選択反射液晶素子等の偏光板
を使用しない液晶素子も提案されている。しかし、この
種の液晶素子を用いてフルカラー表示を行う場合、サブ
ピクセルのそれぞれに異なる色の液晶材料を並列配置す
るか、液晶セルを３層以上積層する必要がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述したＴＮ型液晶素
子では、偏光板を用いることによる光利用効率の低下に
伴なう明るさの不足を補うために、バックライトが必要
となる。このことから、液晶表示装置としての全体の消
費電力が多くなる問題がある。

【０００６】一方、偏光板を使用しない液晶素子すなわ
ちＧＨ (ゲスト−ホスト) 型液晶素子または選択反射液
晶素子等が利用された場合であっても、数種類の液晶を
並列に配置することは実質的に困難であり、また、表示
可能な色が制限される問題がある。

【０００７】これとは別に、液晶セルを３層以上積層す
る方法では、セルの組立、液晶材料の注入ならびにドラ
イバー回路の実装等の製造上の多くの問題がある。特
に、３層よりも多く積層されたそれぞれの液晶層を独立
に駆動するための電気的導通の確保あるいはスイッチン
グ素子を併用する場合の駆動回路 (ドライバーＬＳＩ)
の個数の増大により液晶表示装置が大型化される問題が
ある。なお、単層の液晶表示装置を３枚重ねる方法も原
理的には可能であるが、液晶表示装置の明るさが確保で
きない問題がある。

【０００８】この発明は、上述した問題点に基づいてな
されたもので、製造が容易でしかも組み立てコストの低
いカラー液晶表示装置を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】この発明の第１の視点に
よれば、表示装置は、複数の液晶層を積層し、それぞれ
の液晶層を駆動するための３種類以上の画素電極を有
し、画素電極のそれぞれに電圧を印加駆動するマトリッ
クス型液晶表示素子において、異なる層に配置された２
種類の画素電極が相互に接続された共通電極構造を有す
ることを特徴とする。

【００１０】この発明の第２の視点によれば、表示装置
は、複数の液晶層を積層し、それぞれの液晶層を駆動す
るための３種類以上の画素電極を有し、画素電極のそれ
ぞれに電圧を印加駆動するマトリックス型液晶表示素子
において、内側に配置した画素電極の少なくとも１種類
が、隣接した画素電極と電気的に導通していることを特
徴とする。

【００１１】この発明の第３の視点によれば、表示装置
は、複数の液晶層を積層し、それぞれの液晶層を駆動す
るための３種類以上の画素電極を有し、画素電極のそれ
ぞれに電圧を印加駆動するマトリックス型液晶表示素子
において、外側に配置した２種類の画素電極が、それぞ
れ、隣接した画素電極と電気的に導通していることを特
徴とする。

【００１２】この発明の第４の視点によれば、表示装置
は、複数の液晶層を積層し、それぞれの液晶層を駆動す
るための３種類以上の画素電極を有し、画素電極のそれ
ぞれに電圧を印加駆動するマトリックス型液晶表示素子
において、外側に配置した２種類の画素電極同士が電気
的に導通していることを特徴とする。

【００１３】この発明の第５の視点によれば、表示装置
は、複数の液晶層を積層し、それぞれの液晶層を駆動す
るための３種類以上の画素電極を有し、画素電極のそれ
ぞれに電圧を印加駆動するマトリックス型液晶表示素子
において、外側に配置した２種類の画素電極同士が隣接
した画素の他方の画素電極と電気的に導通していること
を特徴とする。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、この
発明の実施の形態について説明する。

【００１５】図１は、この発明の実施の形態が適用され
る３層の液晶層を含むカラー液晶表示装置 (以下、単に
液晶表示装置と示す) を示す概略図である。

【００１６】

【実施例１】図１に示されるように、３層の液晶層を含
むカラー液晶表示装置 (以下、単に液晶表示装置と示
す) １０は、ガラス等の透明な絶縁材料により形成され
た基板１０ａ、この基板１０ａに対して平行かつ所定の
間隔で対向配置された対向基板１０ｂを有している。な
お、対向基板１０ｂは、実質的に、絶縁基板１０ａと同
等の材質により形成された絶縁基板である。また、それ
ぞれの基板１０ａおよび１０ｂとしては、厚さ１．１ミ
リメートル (以下、ｍｍと示す) のガラスが利用され
る。

【００１７】以下、対向基板１０ｂと対向される側の絶
縁基板１０ａの面に、１画素当り２系統の薄膜トランジ
スタ (以下、ＴＦＴと示す) １２ａ，１２ｂおよびそれ
ぞれのＴＦＴに対応される図示しないゲート電極および
信号線を形成し、ＰＩ (インジウム−リン) を２マイク
ロメートル (以下、μｍと示す) 積層する。

【００１８】次に、型押しにより表面をディンプル加工
し、ＴＦＴを除いてアルミニウムを１００μｍを蒸着し
て画素電極 (アルミニウム反射電極) をパターニングす
る。このアルミニウム反射電極は、１系統のＴＦＴのソ
ース電極と接続される。

【００１９】続いて、残りの１系統のＴＦＴに、銅メッ
キにより高さ１０μｍの電極柱１４ａを形成する。

【００２０】次に、両面に、ＩＴＯが厚さ２０ナノメー
トル (以下、ｎｍと示す) がスパッタされ、画素電極が
パターニングされた厚さ１００μｍのフィルム１６ａ
を、画素パターンに合わせて形成された厚さ１０μｍの
図示しないスペーサとともに基板１０ａと貼り合わせ
る。なお、フィルム１６ａは、両面に形成された画素電
極相互を画素単位で導通可能とするため、画素に対応す
る領域の一部に導電性粒子が含有されたものが利用され
る。続いて、厚さ２０ｎｍのＩＴＯにより、両面に、フ
ィルム１６ａと同様に画素電極が形成されたフィルム１
６ｂを、画素パターンと対応された厚さ１０μｍのスペ
ーサとともに、先に基板１０ａに貼り付けられたフィル
ム１６ａに、重ねて貼り合わせる。なお、フィルム１６
ａに形成された画素パターンとフィルム１６ｂに形成さ
れた画素パターンとは、絶縁基板１０ａの面方向と直交
する方向から見た状態で少なくとも一部が重なるよう配
置される。この場合、それぞれの画素パターンとが重な
る領域にのみ、導電性を有するスペーサ１４ｂが利用さ
れる。

【００２１】次に、画素パターンと対応された厚さ１０
μｍの図示しないスペーサを用い、厚さ２０ｎｍのＩＴ
Ｏがスパッタされた対向基板１０ｂを、ＩＴＯがスパッ
タされた面とフィルム１６ｂとが対向するよう重ね合わ
せる。

【００２２】以下、基板１０ａとフィルム１６ａとの
間、フィルム１６ａとフィルム１６ｂとの間、ならび
に、フィルム１６ｂと基板１０ｂとの間のそれぞれに、
イエローＧＨ (２色性色素を含むゲスト−ホスト) 型液
晶材料１８Ｙ、シアンＧＨ型液晶材料１８Ｃおよびマゼ
ンタＧＨ型液晶材料１８Ｍが注入される。なお、このよ
うにして形成されたそれぞれの液晶層の液晶材料の配向
の方向は、垂直配向処理により、各液晶層とも、垂直配
向に制御される。

【００２３】なお、各液晶材料１８Ｙ，１８Ｃおよび１
８Ｍには、それぞれ、図１１により後述する電圧透過率
特性が与えられている。すなわち、各液晶材料は、しい
き値電圧が２．５ボルト (以下、Ｖと示す) に、飽和電
圧が５Ｖに設定されている。以下、ＴＣＰ (テープキャ
リアパッケージ) 手法を用いて、ドライバーＩＣを実装
し、電極間に、図１２を用いて後述するよう、２．５
Ｖ，−２．５Ｖ，５Ｖおよび−５Ｖの駆動電圧を印加す
ることで、所定の色を表示できる。なお、駆動電圧は、
フレーム周期毎に極性を反転させることが望ましいが、
図１２に示した駆動電圧の組み合わせを利用する場合に
は、単に、極性を入れ替える (絶対値は変化させない)
のみで、効率よく駆動できる。

【００２４】この実施例１では、コントラストが概ね
２：１の所定の色が表示ができた。

【００２５】

【実施例２】図２には、図１に示した液晶表示装置とは
別の構造が与えられた液晶表示装置が示されている。

【００２６】図１に示したカラー液晶表示装置に用いた
と同様の絶縁基板１０ａに、１画素当り２系統のＴＦＴ
１２ａ，１２ｂならびにそれぞれのＴＦＴに対応される
図示しないゲート電極および信号線を形成し、酸化チタ
ンを１００μｍ積層する。

【００２７】次に、ＩＴＯを１００μｍスパッタし、厚
さ２μｍのレジストを用いてＩＴＯの画素電極をパター
ニングする。この画素電極は、１系統のＴＦＴのソース
電極と接続される。

【００２８】続いて、図１７を用いて後述するような階
段状に形成され、かつ、両面にＩＴＯ画素電極に対応さ
れた電極パターンが形成されたフィルム２２の接続部と
残りの１系統のＴＦＴのソース電極と圧着される。この
場合、絶縁基板１０ａ上に形成されたＩＴＯ画素電極と
フィルム２２に形成された電極パターンとの位置関係が
所定の誤差範囲内に収まるよう、正確に位置合わせされ
る。なお、フィルム２２は、両面が導通されているもの
を利用している。

【００２９】次に、ＩＴＯ画素電極に対応して形成され
た厚さ１０μｍのスペーサにより、フィルム２２を、絶
縁基板１０ａに対して概ね１０μｍの間隔で貼り合わせ
る。次に、概ね１０μｍの間隔が与えられたフィルム２
２と絶縁基板１０ａとの間に、イエローの２色性色素を
含む液晶材料２４Ｙとシアンの２色性色素を含む液晶材
料２４Ｃを順番に連続して注入し、シアン液晶層とイエ
ロー液晶層の重なりの順番が、シアン−イエロー、イエ
ロー−シアンと１つおきに異なりながら重なった液晶層
を形成する。

【００３０】続いて、厚さ２０ｎｍのＩＴＯがスパッタ
された対向基板１０ｂのＩＴＯの側に、マゼンタの２色
性色素を含む液晶材料が所定量分散されたＰＶＡ樹脂層
２４Ｍを、印刷により１０μｍを形成したのち、シアン
層２４Ｃとイエロー２４Ｙが形成されたフィルム２２
に、マゼンタ液晶層２４Ｍが対向するよう、対向基板１
０ｂを重ね合わせる。

【００３１】なお、各液晶層２４Ｙ，２４Ｃおよび２４
Ｍには、それぞれ、図１１に示した電圧透過率特性が与
えられている。従って、図１２に示した駆動電圧によ
り、図１に示した実施例と同様に駆動できる。

【００３２】以下、ＣＯＧ (チップオングラス) 手法に
よりドライバーＩＣを実装し、図１に示した実施例と同
様に、図１２を用いて後述する２．５Ｖ，−２．５Ｖ，
５Ｖおよび−５Ｖの駆動電圧を印加することで、コント
ラストが概ね３：１の所定の色が表示ができた。

【００３３】

【実施例３】図３には、図１および図２に示した液晶表
示装置とは異なる構造が与えられた液晶表示装置が示さ
れている。

【００３４】図１に示したカラー液晶表示装置に用いた
と同様の絶縁基板１０ａに、１画素当り２系統のＴＦＴ
１２ａ，１２ｂならびにそれぞれのＴＦＴに対応される
図示しないゲート電極および信号線を形成し、ＰＩを２
μｍ積層する。

【００３５】次に、型押しにより表面をディンプル加工
し、アルミニウムを１００μｍを蒸着してアルミニウム
反射電極をパターニングする。アルミニウム反射電極
は、１系統のＴＦＴのソース電極と接続される。

【００３６】続いて、残りの１系統のＴＦＴに、銅メッ
キにより高さ２０μｍの電極柱３２を形成する。

【００３７】次に、イエローＧＨ型マイクロカプセル液
晶が所定量を分散されたＰＶＡ樹脂層３４Ｙを、１０μ
ｍ形成する。

【００３８】こののち、ＩＴＯを厚さ２０ｎｍスパッタ
して、図１８を用いて後述するような電極パターンにパ
ターニングし、第１のＩＴＯ膜３６を形成する。

【００３９】次に、図１８に示すＩＴＯ膜３６の突出パ
ターン部３６ａと電極柱３２との間で導通をとり、第１
のＩＴＯ膜３６上に、マゼンタＧＨ型マイクロカプセル
液晶が所定量を分散されたＰＶＡ樹脂層３４Ｍを、１０
μｍを形成する。

【００４０】再び、ＩＴＯを厚さ２０ｎｍスパッタした
のち、パターニングにより、第２のＩＴＯ膜３８を形成
し、電極柱３２と第２のＩＴＯ膜３８で導通をとる。

【００４１】続いて、シアンＧＨ型マイクロカプセル液
晶が所定量を分散されたＰＶＡ樹脂層３４Ｃを、１０μ
ｍを形成する。

【００４２】この上に、ＩＴＯが２０ｎｍ厚にスパッタ
された対向基板１０ｂを、ＩＴＯとＰＶＡ樹脂層とが接
するよう対向させて重ね合わせる。従って、画素電極の
配置は、実質的に、図１の液晶表示装置に類似した構造
となる。なお、各液晶層３４Ｙ，３４Ｃおよび３４Ｍに
は、それぞれ、図１１に示した電圧透過率特性が与えら
れている。従って、図１２に示した駆動電圧により、図
１に示した実施例と同様に駆動できる。

【００４３】以下、ＴＣＰ手法を用いてドライバーＩＣ
を実装し、各電極間に、図１２に示した組み合わせの駆
動電圧を印加することで、コントラストが概ね３：１の
所定の色を表示できた。

【００４４】

【実施例４】図４には、上述した液晶表示装置とは異な
る構造が与えられた液晶表示装置が示されている。

【００４５】図１に示したカラー液晶表示装置に用いた
と同様の絶縁基板１０ａに、１画素当り２系統のＴＦＴ
１２ａ，１２ｂならびにそれぞれのＴＦＴに対応される
図示しないゲート電極および信号線を形成し、厚さ２μ
ｍのＰＩ層を形成する。

【００４６】次に、型押しにより表面をディンプル加工
し、アルミニウムを１００μｍを蒸着してアルミニウム
反射電極 (画素電極) をパターニングし、１系統のＴＦ
Ｔのソース電極と接続する。

【００４７】続いて、残りの１系統のＴＦＴに、銅メッ
キにより高さ１０μｍの電極柱４２を形成する。

【００４８】次に、両面に、ＩＴＯが厚さ５０μｍスパ
ッタされ、電極柱４２のパターンに合わせてパンチング
により穴あけされるとともに画素電極がパターニングさ
れた厚さ１００μｍのフィルム４４ａを、厚さ１０μｍ
のスペーサを介して基板１０ａと貼り合わせる。なお、
フィルム４４ａは、両面に形成された画素電極相互を画
素単位で導通可能とするために、画素に対応する領域の
一部に導電性粒子が含有されたものが利用される。

【００４９】ここで、穴部分に導電性部材で形成された
図示しない電極柱を埋込み、周囲に絶縁物を注入する。

【００５０】次に、両面に、ＩＴＯが厚さ２０ｎｍスパ
ッタされ、画素電極がパターニングされた厚さ１００μ
ｍのフィルム４４ｂを、厚さ１０μｍのスペーサを介し
て、既に基板１０ａと貼り合わせられているフィルム４
４ａに重ね合わせる。なお、フィルム４４ｂのそれぞれ
の面に形成 (パターニング) された画素電極は、相互
に、たとえば、スルーホール等により、導通が確保され
る。また、画素電極は、フィルム４４ｂの面方向に直交
する方向から見た状態で電極柱４２と重なるようなパタ
ーンに形成され、導電性が与えられたスペーサにより、
電極柱４２との間の導通が確保される。

【００５１】次に、厚さ５０μｍのＩＴＯがスパッタさ
れた対向基板１０ｂを、ＩＴＯ膜とフィルム４４ｂとが
対向するよう重ね合わせる。

【００５２】以下、基板１０ａとフィルム４４ａとの
間、フィルム４４ａとフィルム４４ｂとの間およびフィ
ルム４４ｂと基板１０ｂとの間に、それぞれ、イエロー
の２色性色素を含む液晶材料４６Ｙ、シアンの２色性色
素を含む液晶材料４６Ｃおよびマゼンタの２色性色素を
含む液晶材料４６Ｍが注入される。なお、このようにし
て形成されたそれぞれの液晶層の液晶材料の配向の方向
は、各液晶層とも、垂直配向処理により垂直配向に制御
される。

【００５３】なお、各液晶層４６Ｙ，４６Ｃおよび４６
Ｍには、それぞれ、図１１に示した電圧透過率特性が与
えられている。また、この図４に示した実施例では、各
電極および層構造は、図１ないし図３に示したよりも簡
素化されている。このことから、図１３を用いて後述す
るような駆動電圧を印加することで、所定の色を表示で
きる。

【００５４】以下、ＴＣＰ手法を用いてドライバーＩＣ
を実装し、各電極間に、図１３に示した組み合わせの駆
動電圧を印加することで、コントラストが概ね２：１の
所定の色が表示ができた。

【００５５】

【実施例５】図５には、上述した液晶表示装置とはさら
に異なる構造が与えられた液晶表示装置が示されてい
る。

【００５６】絶縁基板１０ａに、第１のＴＦＴ１２ａ、
図示しないゲート電極および信号線を形成し、酸化チタ
ンを１００μｍ積層する。

【００５７】次に、ＩＴＯを１００μｍスパッタし、厚
さ２μｍのレジストを用いて電極柱向けの電極柱ホール
をパターニングする。この電極柱ホールに、厚さ１０μ
ｍの電極柱５２を形成し、第１のＴＦＴ１２ａのソース
電極と接続する。

【００５８】次に、ＩＴＯが厚さ２０ｎｍスパッタさ
れ、両面に、画素電極がパターニングされた厚さ５０μ
ｍのフィルム５４ａを、画素電極と電極柱５２とが導通
するよう、厚さ１０μｍのスペーサを挟んで重ね合わせ
る。なお、フィルム５４ａの両面の画素電極は、相互に
導通が取られているものを利用する。

【００５９】次に、対向電極１０ｂに、第２のＴＦＴ１
２ｂ、図示しないゲート電極および信号線を形成し、所
定の厚さのＩＴＯをスパッタして、画素電極をパターニ
ングする。

【００６０】こののち、両面に、ＩＴＯが厚さ５０μｍ
スパッタされたフィルム５４ｂを、厚さ１０μｍのスペ
ーサを挟んで、対向電極１０ｂに、貼り合わせる。

【００６１】次に、絶縁基板１０ａおよび対向基板１０
ｂを、厚さ１０μｍの接着スペーサにより、それぞれ、
フィルム側が相互に向きあうよう、貼り合わせる。

【００６２】このようにして形成された基板１０ａとフ
ィルム５４ａとの間、フィルム５４ａとフィルム５４ｂ
との間およびフィルム５４ｂと基板１０ｂとの間のそれ
ぞれに、イエローの２色性色素を含む液晶材料５６Ｙ、
シアンの２色性色素を含む液晶材料５６Ｃおよびマゼン
タの２色性色素を含む液晶材料５６Ｍが注入される。な
お、このようにして形成されたそれぞれの液晶層の液晶
材料の配向の方向は、垂直配向処理により、各液晶層と
も、垂直配向に制御される。また、各液晶層５６Ｙ，５
６Ｃおよび５６Ｍには、それぞれ、図１１に示した電圧
透過率特性が与えられている。

【００６３】以下、ＣＯＧ手法を用いてドライバーＩＣ
を実装し、フィルム５４ｂの両面の電位を同電位とし、
３層の対向する電極間に、図１３に示す所定の駆動電圧
を印加することで、コントラストが概ね３：１の所定の
色が表示ができた。

【００６４】

【実施例６】図６には、上述した液晶表示装置とはさら
に異なる構造が与えられた液晶表示装置が示されてい
る。

【００６５】絶縁基板１０ａ上に、１画素当り２系統の
ＴＦＴ１２ａ，１２ｂ、それぞれのＴＦＴに対応される
図示しないゲート電極および信号線を形成し、ＰＩを２
μｍ積層する。

【００６６】次に、型押しにより表面をディンプル加工
し、ＴＦＴを除いてアルミニウムを１００μｍを蒸着し
て画素電極 (アルミニウム反射電極) をパターニングす
る。このアルミニウム反射電極は、１系統のＴＦＴのソ
ース電極と接続される。

【００６７】続いて、残りの１系統のＴＦＴに、銅メッ
キにより高さ２０μｍの電極柱６２を形成する。

【００６８】次に、イエローＧＨ型マイクロカプセル液
晶が所定量を分散されたＰＶＡ樹脂層６４Ｙを、１０μ
ｍ形成する。

【００６９】こののち、ＩＴＯを厚さ２０ｎｍスパッタ
して、電極柱６２とＩＴＯとが接触しないようＩＴＯを
パターニングし、第１のＩＴＯ膜６６を形成する。

【００７０】次に、シアンＧＨ型マイクロカプセル液晶
が所定量を分散されたＰＶＡ樹脂層６４Ｃを、１０μｍ
を形成する。

【００７１】再び、ＩＴＯを厚さ２０ｎｍスパッタした
のち、電極柱６２とＩＴＯとが接触しないようＩＴＯを
パターニングして、第２のＩＴＯ膜６８を形成する。な
お、この第２のＩＴＯ膜１８と電極柱６２とは、図示し
ない配線材により導通が確保される。

【００７２】次に、マゼンタＧＨ型マイクロカプセル液
晶が所定量を分散されたＰＶＡ樹脂層６４Ｍを、１０μ
ｍを形成する。

【００７３】この上に、ＩＴＯが２０ｎｍ厚にスパッタ
された対向基板１０ｂを、ＩＴＯとＰＶＡ樹脂層とが接
するよう対向させて重ね合わせる。なお、各液晶層６４
Ｙ，６４Ｃおよび６４Ｍには、それぞれ、図１１に示し
た電圧透過率特性が与えられている。

【００７４】以下、ＴＣＰ手法を用いて、ドライバーＩ
Ｃを実装し、各電極間に、図１３に示す所定の駆動電圧
を印加することで、コントラストが概ね２：１の所定の
色が表示ができた。

【００７５】

【実施例７】図７には、上述した液晶表示装置とはさら
に異なる構造が与えられた液晶表示装置が示されてい
る。

【００７６】絶縁基板１０ａ上に、１画素当り２系統の
ＴＦＴ１２ａ，１２ｂ、それぞれのＴＦＴに対応される
図示しないゲート電極および信号線を形成し、ＰＩを２
μｍ積層する。

【００７７】次に、型押しにより表面をディンプル加工
し、ＴＦＴを除いてアルミニウムを１００μｍを蒸着し
て画素電極 (アルミニウム反射電極) をパターニングす
る。続いて、それぞれのＴＦＴに、銅メッキにより高さ
１０μｍの電極柱７２ａ，７２ｂを形成する。

【００７８】次に、両面に、ＩＴＯが厚さ５０μｍスパ
ッタされ、一方のＴＦＴ (ここでは１２ａとする) から
の電極柱７２ａのパターンに対応されるとともにパンチ
ングにより穴あけされて、さらに、画素電極がパターニ
ングされた厚さ１００μｍのフィルム７４ａを、厚さ１
０μｍのスペーサにより基板１０ａと貼り合わせる。な
お、穴部分には、導電性部材で形成された電極柱を埋込
み、周囲に、絶縁物を注入する。また、フィルム７４ａ
に形成された画素電極と残りの電極柱７２ｂとが電気的
に接続される。ここで、フィルム７４ａは、両面に形成
された画素電極相互を画素単位で導通可能とするため
に、画素に対応する領域の一部に導電性粒子が含有され
たものが利用される。

【００７９】次に、両面に、ＩＴＯが厚さ２０ｎｍスパ
ッタされ、画素電極がパターニングされた厚さ１００μ
ｍのフィルム７４ｂを、厚さ１０μｍのスペーサを介し
て、既に基板１０ａと貼り合わせられているフィルム７
４ａに重ね合わせる。なお、画素電極は、フィルム７４
ｂの面方向に直交する方向から見た状態で電極柱７２ａ
と重なるようなパターンに形成され、導電性が与えられ
たスペーサにより、電極柱７２との間の導通が確保され
る。

【００８０】この上に、厚さ５０μｍのＩＴＯがスパッ
タされた対向基板１０ｂを、ＩＴＯ膜とフィルム７４ｂ
とが対向するよう重ね合わせる。

【００８１】以下、基板１０ａとフィルム７４ａとの
間、フィルム７４ａとフィルム７４ｂとの間およびフィ
ルム７４ｂと基板１０ｂとの間に、それぞれ、イエロー
の２色性色素を含む液晶材料７６Ｙ、シアンの２色性色
素を含む液晶材料７６Ｃおよびマゼンタの２色性色素を
含む液晶材料７６Ｍが注入される。なお、このようにし
て形成されたそれぞれの液晶層の液晶材料の配向の方向
は、各液晶層とも、垂直配向処理により垂直配向に制御
される。また、各液晶層７６Ｙ，７６Ｃおよび７６Ｍに
は、それぞれ、図１１に示した電圧透過率特性が与えら
れている。この場合、電極および層構造の特徴から、図
１４を用いて後述するような駆動電圧を印加すること
で、所定の色を表示できる。

【００８２】以下、ＴＣＰ手法を用いてドライバーＩＣ
を実装し、各電極間に、図１４に示した組み合わせの駆
動電圧を印加することで、コントラストが概ね３：１の
所定の色が表示ができた。

【００８３】

【実施例８】図８には、上述した液晶表示装置とはさら
に異なる構造が与えられた液晶表示装置が示されてい
る。

【００８４】絶縁基板１０ａ上に、１画素当り２系統の
ＴＦＴ１２ａ，１２ｂ、それぞれのＴＦＴに対応される
図示しないゲート電極および信号線を形成し、ＰＩを２
μｍ積層する。

【００８５】次に、型押しにより表面をディンプル加工
し、ＴＦＴを除いてアルミニウムを１００μｍを蒸着し
て共通反射電極をパターニングする。

【００８６】続いて、残りの１系統のＴＦＴに、銅メッ
キにより高さ１０μｍの電極柱８２を形成する。

【００８７】次に、両面に、ＩＴＯが厚さ５０μｍスパ
ッタされ、画素電極がパターニングされた厚さ１００μ
ｍのフィルム８４ａを、厚さ１０μｍのスペーサにより
基板１０ａと貼り合わせる。なお、画素電極は、フィル
ム８４ａの面方向に直交する方向から見た状態で電極柱
８２と重なり合うよう形成され、導電性が与えられたス
ペーサにより、電極柱８２との間の導通が確保される。
また、フィルム８４ａは、両面に形成された画素電極相
互を画素単位で導通可能とするために、画素に対応する
領域の一部に導電性粒子が含有されたものが利用され
る。

【００８８】次に、両面に、ＩＴＯが厚さ２０ｎｍスパ
ッタされ、画素電極がパターニングされた厚さ１００μ
ｍのフィルム８４ｂを、厚さ１０μｍのスペーサを介し
て、既に基板１０ａと貼り合わせられているフィルム８
４ａに重ね合わせる。なお、画素電極は、フィルム８４
ｂの面方向に直交する方向から見た状態で下層の画素電
極の隣接した画素電極と重なり合うパターンに形成さ
れ、導電性が与えられたスペーサを介して、画素電極相
互間の導通が確保される。

【００８９】この上に、厚さ５０μｍのＩＴＯがスパッ
タされた対向基板１０ｂを、ＩＴＯ膜とフィルム８４ｂ
とが対向するよう重ね合わせる。

【００９０】以下、基板１０ａとフィルム８４ａとの
間、フィルム８４ａとフィルム８４ｂとの間およびフィ
ルム８４ｂと基板１０ｂとの間に、それぞれ、イエロー
の２色性色素とカイラル剤とを含む液晶材料８６Ｙ、シ
アンの２色性色素とカイラル剤とを含む液晶材料８６Ｃ
およびマゼンタの２色性色素とカイラル剤とを含む液晶
材料８６Ｍが注入される。なお、このようにして形成さ
れたそれぞれの液晶層の液晶材料の配向の方向は、垂直
配向処理により、各液晶層とも、垂直配向に制御され
る。また、各液晶層８６Ｙ，８６Ｃおよび８６Ｍには、
それぞれ、図１１に示した電圧透過率特性が与えられて
いる。

【００９１】以下、ＴＣＰ手法を用いてドライバーＩＣ
を実装し、各電極間に、図１４に示した組み合わせの駆
動電圧を印加することで、コントラストが概ね２：１の
所定の色が表示ができた。

【００９２】

【実施例９】図９には、上述した液晶表示装置とはさら
に異なる構造が与えられた液晶表示装置が示されてい
る。

【００９３】絶縁基板１０ａ上に、３層の液晶層のそれ
ぞれの画素に対し、１画素当り２系統のＴＦＴ９２ａお
よび９２ｂ，それぞれのＴＦＴに対応される図示しない
ゲート電極および信号線を形成し、酸化チタンを１００
μｍの厚さに蒸着する。

【００９４】次に、ＩＴＯを５０μｍスパッタして、２
画素共通電極をパターニングする。ここで、２画素共通
電極と１系統のＴＦＴのソース電極とを接続する。続い
て、残りの１系統のＴＦＴに、銅メッキにより高さ１０
μｍの電極柱９４ａを形成する。

【００９５】次に、両面にＩＴＯが５０μｍスパッタさ
れ、２画素共通電極がパターニングされた厚さ１００μ
ｍのフィルム９６ａを、厚さ１０μｍのスペーサを用い
て、基板１０ａに貼り合わせる。ここで、フィルム９６
ａは、両面に形成された画素電極相互を画素単位で導通
可能とするために、画素に対応する領域の一部に導電性
粒子が含有されたものが利用される。

【００９６】次に、対向電極１０ｂに、１画素当り２系
統のＴＦＴ９２ｃおよび９２ｄと、それぞれのＴＦＴに
対応されるゲート電極および信号線を形成し、ＩＴＯを
５０μｍスパッタして、２画素共通電極をパターニング
する。次に、２画素共通電極と１系統のＴＦＴのソース
電極とを接続する。次に、残りの１系統のＴＦＴに、銅
メッキにより高さ１０μｍの電極柱９４ｂを形成する。

【００９７】次に、両面にＩＴＯが５０μｍスパッタさ
れ、２画素共通電極がパターニングされた厚さ１００μ
ｍのフィルム９６ｂを、画素パターンに対応された厚さ
１０μｍのスペーサを用いて、基板１０ｂに貼り合わせ
る。なお、フィルム９６ｂのそれぞれの面に形成された
画素電極は、相互に、導通が確保される。また、画素電
極は、フィルム９６ｂの面方向に直交する方向から見た
状態で電極柱９４ｂと重なるようなパターンに形成さ
れ、導電性が与えられたスペーサにより、電極柱９４ｂ
との間の導通が確保される。

【００９８】次に、絶縁基板１０ａおよび対向基板１０
ｂを、厚さ１０μｍの接着スペーサにより、それぞれ、
フィルム側が相互に向きあうよう、貼り合わせる。

【００９９】このようにして形成された基板１０ａとフ
ィルム９６ａとの間、フィルム９６ａとフィルム９６ｂ
との間およびフィルム９６ｂと基板１０ｂとの間のそれ
ぞれに、イエローの２色性色素を含む液晶材料９８Ｙ、
シアンの２色性色素を含む液晶材料９８Ｃおよびマゼン
タの２色性色素を含む液晶材料９８Ｍを注入する。な
お、このようにして形成されたそれぞれの液晶層の液晶
材料の配向の方向は、垂直配向処理により、各液晶層と
も、垂直配向に制御される。

【０１００】ここで、各液晶層９６Ｙ，９６Ｃおよび９
６Ｍには、それぞれ、図１５により後述するよう、しい
き値電圧が４Ｖならびに飽和電圧が６Ｖの電圧透過率特
性を与え、さらに、図１６を用いて後述する２Ｖ，６
Ｖ，８Ｖ，１０Ｖ，１２Ｖ，１４Ｖ，１８Ｖおよび２０
Ｖの駆動電圧を所定の組み合わせで印加することで、３
層の画素×２系統分の合計６画素に、所定の色を表示で
きる。

【０１０１】以下、ＴＣＰ手法を用いてドライバーＩＣ
を実装し、各電極間に、図１６に示す駆動電圧を印加す
ることで、コントラストが概ね２：１の所定の色を表示
ができた。

【０１０２】

【実施例１０】図１０には、上述したさまざまな液晶表
示装置とはさらにまた異なる層構造が与えられた液晶表
示装置が示されている。

【０１０３】絶縁基板１０ａ上に、１画素当たり２系統
のＴＦＴ１２ａおよび１２ｂ，それぞれのＴＦＴに対応
される図示しないゲート電極および信号線を形成し、Ｐ
Ｉを２μｍ積層する。

【０１０４】次に、型押しにより表面をディンプル加工
し、ＴＦＴを除いてアルミニウムを１００μｍを蒸着し
て画素電極 (アルミニウム反射電極) をパターニングす
る。このアルミニウム反射電極と１系統のＴＦＴ１２ａ
のソース電極とを接続し、さらに、銅メッキにより３０
μｍの電極柱１０２を形成する。また、残りのＴＦＴ１
２ｂに、銅メッキにより高さ２０μｍの電極柱１０４を
形成する。

【０１０５】次に、イエロー２色性色素を含む液晶材料
が所定量を分散されたＰＶＡ樹脂層１０６Ｙを１０μｍ
形成し、スパッタにより、電極柱の領域を除いて、厚さ
２０ｎｍの第１のＩＴＯ１０８を形成する。

【０１０６】続いて、シアンの２色性色素を含む液晶材
料が所定量分散されたＰＶＡ樹脂層１０６Ｃを１０μｍ
を形成し、スパッタにより。厚さ２０ｎｍのＩＴＯ１１
０を形成する。ここで、高さ２０μｍの電極柱１０４と
ＩＴＯ１１０とを接続する。次に、マゼンタの２色性色
素を含む液晶材料が所定量分散されたＰＶＡ樹脂層１０
６Ｍを１０μｍを形成し、ＩＴＯが２０ｎｍ厚にスパッ
タされ、画素電極がパターニングされた対向基板１０ｂ
を重ね合わせて、３０μｍの電極柱１０２とＩＴＯとの
導通を確保する。なお、各液晶層１０６Ｙ，１０６Ｃお
よび１０６Ｍには、図１５に示した電圧透過率特性が与
えられている。

【０１０７】以下、ＴＣＰ手法を用いてドライバーＩＣ
を実装し、各電極間に、図１６に示す駆動電圧を印加す
ることで、２系統×３層で合計６画素に、コントラスト
が概ね３：１の所定の色を表示ができた。

【０１０８】図１９ないし図３５には、図１ないし図１
０に示した画素電極の配列と同様に機能するさまざまな
変形例が示されている。

【０１０９】以下、電極あるいは電極層間の接続につい
て簡単に説明する。なお、それぞれの図では、簡略化し
て、２枚の絶縁基板を１０ａおよび１０ｂとし、それぞ
れの基板に接する電極層 (外側電極) を第１層および第
４層、第１層と第４層の間に配置される電極層 (内側電
極) であって、第１層よりに位置される層を第２層、同
第４層よりに位置される層を第３層と示す。なお、第１
ないし第４層が同一層内で区分されている場合には、そ
れぞれに、ａ，ｂ，ｃ‥‥‥の添字を付加するものとす
る。また、電極層中に形成される電極柱向けの穴の位置
をＨで示す。なお、ＴＦＴの位置をＳにより示すととも
に、同一のタイミングで動作されるグループに同一の添
字１，２，３‥‥‥を付加する。さらに、高さ１０μｍ
の電極柱をＩ、高さ２０μｍの電極柱をＪおよび高さ３
０μｍの電極柱をＫとする。

【０１１０】図１９に示される例では、第１層の電極１
ａ，１ｂ，１ｃは、それぞれ、ＴＦＴＳ１により動作さ
れる。第２層の電極２ａ，２ｂは、相互に接続されてい
るので、１つのＴＦＴＳ２により動作される。なお、電
極２ｃは、独立したＴＦＴＳ２により駆動される。第３
層の電極３ａ，３ｂ，３ｃは、それぞれ、ＴＦＴＳ３に
より動作される。なお、電極３ａは、第２層の電極柱Ｊ
のための穴Ｈを通り抜けた電極柱Ｊにより駆動される。

【０１１１】図２０に示される例では、第１層の電極１
ａは、独立したＴＦＴＳ１により駆動される。電極１ｂ
および１ｃは、相互に接続されているので、１つのＴＦ
ＴＳ１により動作される。第２層の電極２ａおよび２ｂ
は、同様に、１つのＴＦＴＳ２により動作される。第３
層の電極３ａ，３ｂ，３ｃは、それぞれ、ＴＦＴＳ３に
より動作される。この場合、電極３ａは、第２層の電極
柱Ｊのための穴Ｈを通り抜けた電極柱Ｊにより、電極３
ｂは、第１層の電極柱Ｊのための穴Ｈを通り抜けた電極
柱Ｊにより、それぞれ独立のＴＦＴＳ３により駆動され
る。

【０１１２】図２１に示される例では、第１層の電極１
ａ，１ｂ，１ｃは、それぞれ、ＴＦＴＳ１により動作さ
れる。第２層の電極２ａ＋２ｂおよび電極２ｃは、それ
ぞれ独立した合計２個のＴＦＴＳ２により駆動される。
なお、第３層の電極３ａは、第２層の電極柱Ｊのための
穴Ｈを通り抜けた電極柱Ｊを介してＴＦＴＳ３により駆
動される。これに対して、第３層の電極３ｂ，３ｃは、
それぞれ、独立の２つのＴＦＴＳ３により駆動される。

【０１１３】図２２に示される例では、第１層の電極１
ａ，１ｂ，１ｃは、それぞれ、ＴＦＴＳ１により動作さ
れる。第２層の電極２ａ＋２ｂおよび電極２ｃは、それ
ぞれ独立した合計２個のＴＦＴＳ２により駆動される。
第３層の電極３ａ，３ｂ，３ｃは、それぞれ、ＴＦＴＳ
３により、また、第４層の電極４ａ，４ｂ，４ｃは、そ
れぞれ、ＴＦＴＳ４により、動作される。なお、図２２
は、それぞれの電極の配列およびＴＦＴの位置は、図２
１に示されている例と実質的に同一である。

【０１１４】図２３に示される例では、第１層の電極１
ａ，１ｂ，１ｃは、それぞれ、ＴＦＴＳ１により動作さ
れる。第２層の電極２ａ＋２ｂおよび電極２ｃは、それ
ぞれ独立した合計２個のＴＦＴＳ２により駆動される。
第３層の電極３ａ，３ｂ，３ｃは、それぞれ、ＴＦＴＳ
３により、また、第４層の電極４ａ，４ｂ，４ｃは、そ
れぞれ、ＴＦＴＳ４により、動作される。第３層の電極
３ａおよび第４層の電極４ａは、それぞれ、第２層の穴
Ｈを通り抜けた電極柱Ｊ，Ｋを介して、対応するＴＦＴ
と接続される。なお、図２２は、それぞれの電極の配列
およびＴＦＴの位置は、図２１に示されている例と実質
的に同一である。

【０１１５】以下、図２４ないし図３５のそれぞれに関
し、図１９ないし図２２を用いて説明したように、３層
の画素を規定する画素電極の少なくとも一部が電気的に
導通されることで、それぞれの画素に所定の駆動電圧を
印加するために必要な電圧数(電圧のステップ数) が低
減される。なお、図２４および図２５において、共通に
駆動される電極は、それぞれ、２ａ，２ｂならびに３
ｂ，３ｃである。また、図２６では、２ａ，２ｂならび
に４ｂ，４ｃである。なお、図３１においては、３ａと
２ｂ、３ｂと２ｃ、３ｃと２ｄ‥‥‥、図３２および図
３３においては、それぞれ、４ａと１ｂ、４ｂと１ｃ、
４ｃと１ｄ‥‥‥である。

【０１１６】以上説明したように、３層構造のカラー液
晶表示装置において、３層の画素を規定する画素電極の
一部を共通化し、各層間に、しいき値電圧と飽和電圧と
が、１対２すなわち飽和電圧がしいき値電圧の２倍に設
定された液晶材料を配置することにより、従来に比較し
て少ない種類 (数＝ステップ) の駆動電圧で、所定の画
素に、任意の色を表示させることができる。なお、画素
電圧は、好ましくは、フレーム周期毎に極性を反転させ
ることが望ましく、上述したさまざまな例においては、
極性が反転された駆動電圧が効率良く利用される。すな
わち、駆動電圧のステップ数 (種類) が低減される。

【０１１７】なお、上述した駆動方法ならびに画素電極
の構成は、液晶材料および色素の種類に支配されるもの
ではない。また、反射型および透過型のいづれの液晶装
置にも利用可能である。なお、反射型の場合には、液晶
表示素子裏面または反射電極上に、散乱面か指向性反射
面を設けることが必要である。また、前面の基板上に
は、反射防止膜を設けることがことが望ましい。但し、
好ましくは、偏光板を必要としない構造の液晶表示素子
が利用される。

【０１１８】また、液晶材料としては、メモリー性を持
たない液晶材料を利用することで、高速でコントラスト
の高い表示が可能となる。なお、好ましくは、液晶中の
色素の配向秩序度が、０．８以上に設定された液晶材料
および層構造が選択される。また、色素材料の分光特性
は、重ね合わせにより、ブラック (黒) あるいはダーク
グレーもしくは深青色に設定される。

【０１１９】

【発明の効果】以上説明したように、この発明の液晶表
示装置によれば、画素電極は、内側に配置した画素電極
の少なくとも１種類が隣接した画素電極と電気的に導通
している構造、外側に配置した２種類の画素電極がそれ
ぞれ隣接した画素電極と電気的に導通している構造、外
側に配置した２種類の画素電極同士が電気的に導通して
いる構造、または、外側に配置した２種類の画素電極同
士が隣接した画素の他方の画素電極と電気的に導通して
いる構造のいづれかあるいはそれらの組み合わせにより
定義され、製造工程の簡素化 (ステップ数の低減) およ
び駆動電圧の種類(ステップ) の低減を可能とする。

【０１２０】これにより、画素電極を駆動する駆動電圧
のステップ数を低減できる。また、液晶表示装置の構造
を簡素化できる。

【０１２１】従って、カラー液晶表示装置を製造する際
の歩留まりが向上され、製造コストが低減される。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施の形態が適用される液晶表示装
置の構造を示す概略図。

【図２】図１に示した液晶表示装置の変形例を示す概略
図。

【図３】図１に示した液晶表示装置の変形例を示す概略
図。

【図４】図１に示した液晶表示装置とは別の液晶表示装
置の構造を示す概略図。

【図５】図１に示した液晶表示装置さらに別の液晶表示
装置の構造を示す概略図。

【図６】図４に示した液晶表示装置の変形例を示す概略
図。

【図７】図１に示した液晶表示装置とは異なる液晶表示
装置の構造を示す概略図。

【図８】図７に示した液晶表示装置の変形例を示す概略
図。

【図９】図７に示した液晶表示装置の変形例を示す概略
図。

【図１０】図７に示した液晶表示装置の変形例を示す概
略図。

【図１１】図１ないし図８に示した液晶表示装置に利用
される液晶材料の電圧と透過率との関係を示すグラフ。

【図１２】図１ないし図３に示した構造を有する液晶表
示装置の各画素電極に印加される駆動電圧の例を示す概
略図。

【図１３】図４ないし図６に示した構造を有する液晶表
示装置の各画素電極に印加される駆動電圧の例を示す概
略図。

【図１４】図７および図８に示した構造を有する液晶表
示装置の各画素電極に印加される駆動電圧の例を示す概
略図。

【図１５】図１ないし図８に示した液晶表示装置に利用
される液晶材料の電圧と透過率との関係を示すグラフ。

【図１６】図９および図１０に示した構造を有する液晶
表示装置の各画素電極に印加される駆動電圧の例を示す
概略図。

【図１７】図２に示した液晶表示装置の液晶層を提供す
るために利用される画素電極フィルムの形状を示す概略
図。

【図１８】図３に示した液晶表示装置の中間液晶層の画
素電極のパターンの例を示す概略図。

【図１９】図１ないし図１０に示した液晶表示装置の層
構造の他の例を示す概略図。

【図２０】図１ないし図１０に示した液晶表示装置の層
構造の他の例を示す概略図。

【図２１】図１ないし図１０に示した液晶表示装置の層
構造の他の例を示す概略図。

【図２２】図１ないし図１０に示した液晶表示装置の層
構造の他の例を示す概略図。

【図２３】図１ないし図１０に示した液晶表示装置の層
構造の他の例を示す概略図。

【図２４】図１ないし図１０に示した液晶表示装置の層
構造の他の例を示す概略図。

【図２５】図１ないし図１０に示した液晶表示装置の層
構造の他の例を示す概略図。

【図２６】図１ないし図１０に示した液晶表示装置の層
構造の他の例を示す概略図。

【図２７】図１ないし図１０に示した液晶表示装置の層
構造の他の例を示す概略図。

【図２８】図１ないし図１０に示した液晶表示装置の層
構造の他の例を示す概略図。

【図２９】図１ないし図１０に示した液晶表示装置の層
構造の他の例を示す概略図。

【図３０】図１ないし図１０に示した液晶表示装置の層
構造の他の例を示す概略図。

【図３１】図１ないし図１０に示した液晶表示装置の層
構造の他の例を示す概略図。

【図３２】図１ないし図１０に示した液晶表示装置の層
構造の他の例を示す概略図。

【図３３】図１ないし図１０に示した液晶表示装置の層
構造の他の例を示す概略図。

【図３４】図１ないし図１０に示した液晶表示装置の層
構造の他の例を示す概略図。

【図３５】図１ないし図１０に示した液晶表示装置の層
構造の他の例を示す概略図。

【符号の説明】

１０ …カラー液晶表示装置、１０ａ…絶縁基板、１０ｂ…絶縁基板、Ｙ …イエロー液晶層、Ｃ …シアン液晶層、Ｈ …電極柱向けの穴、Ｉ …電極柱 (１０μｍ) 、Ｊ …電極柱 (２０μｍ) 、Ｋ …電極柱 (３０μｍ) 、Ｔ …ＴＦＴ (薄膜トランジスタ) 。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の液晶層を積層し、それぞれの液晶層
を駆動するための３種類以上の画素電極を有し、画素電
極のそれぞれに電圧を印加駆動するマトリックス型液晶
表示素子において、異なる層に配置された２種類の画素電極が相互に接続さ
れた共通電極構造を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】複数の液晶層を積層し、それぞれの液晶層
を駆動するための３種類以上の画素電極を有し、画素電
極のそれぞれに電圧を印加駆動するマトリックス型液晶
表示素子において、内側に配置した画素電極の少なくとも１種類が、隣接し
た画素電極と電気的に導通していることを特徴とする表
示装置。
【請求項３】複数の液晶層を積層し、それぞれの液晶層
を駆動するための３種類以上の画素電極を有し、画素電
極のそれぞれに電圧を印加駆動するマトリックス型液晶
表示素子において、外側に配置した２種類の画素電極が、それぞれ、隣接し
た画素電極と電気的に導通していることを特徴とする表
示装置。
【請求項４】複数の液晶層を積層し、それぞれの液晶層
を駆動するための３種類以上の画素電極を有し、画素電
極のそれぞれに電圧を印加駆動するマトリックス型液晶
表示素子において、外側に配置した２種類の画素電極同士が電気的に導通し
ていることを特徴とする表示装置。
【請求項５】複数の液晶層を積層し、それぞれの液晶層
を駆動するための３種類以上の画素電極を有し、画素電
極のそれぞれに電圧を印加駆動するマトリックス型液晶
表示素子において、外側に配置した２種類の画素電極同士が隣接した画素の
他方の画素電極と電気的に導通していることを特徴とす
る表示装置。
【請求項６】前記液晶表示素子は、３層の液晶層と４種
類の電極により構成されることを特徴とする請求項１な
いし５のいづれかの表示装置。
【請求項７】前記液晶表示素子は、信号線に沿って、１
ラインごとに共通化された画素電極を有することを特徴
とする請求項１ないし５のいづれかの表示装置。
【請求項８】前記液晶表示素子は、走査線に沿って、１
ラインごとに共通化された画素電極を有することを特徴
とする請求項１ないし５のいづれかの表示装置。
【請求項９】前記液晶表示素子は、少なくとも１層の液
晶層を貫通する導電性部材により接続された画素電極を
有することを特徴とする請求項１ないし５のいづれかの
表示装置。
【請求項１０】前記液晶表示素子は、内側に配置した画
素電極が基板上のスイッチ素子と電気的に導通している
ことを特徴とする請求項１ないし５のいづれかの表示装
置。
【請求項１１】前記液晶表示素子は、しいき値電圧が飽
和電圧の概ね１／２に設定された電気光学特性値が与え
られた液晶材料を含むことを特徴とする請求項１ないし
５のいづれかの表示装置。
【請求項１２】前記液晶表示素子は、標準電位に対し、
しいき値電圧および飽和電圧の差分を有する電位から、
画素電極電位が選択されることを特徴とする請求項１な
いし５のいづれかの表示装置。
【請求項１３】前記液晶表示素子は、接続された２種類
の画素電極が、互いに隣接した画素の電極であることを
特徴とする請求項１の表示装置。
【請求項１４】第１の絶縁基板と、この第１の絶縁基板の一方の面の側に配置され、３層の
区分領域を提供する電極層と、この電極層を介在させた状態で前記第１の絶縁基板に対
向される第２の絶縁基板と、前記第１および第２の絶縁基板間に配置され、前記電極
層の少なくとも２つの電極層を電気的に接続する導電性
部材と、を有する表示装置。
【請求項１５】前記導電性部材は、同一平面の電極層内
の少なくとも２つの画素電極を接続することを特徴とす
る請求項１４の表示装置。
【請求項１６】前記導電性部材は、異なる平面の電極層
内の少なくとも２つの画素電極を接続することを特徴と
する請求項１４の表示装置。
【請求項１７】前記導電性部材は、互いに隣接した少な
くとも２つの画素電極を接続することを特徴とする請求
項１４表示装置。