JPH09259468A - 光学的情報記録用媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レーザー光などの照射により、高速かつ高密
度に情報を記録、消去、再生可能な光学的情報記録用媒
体を提供する。 【解決手段】 基板上に、少なくとも相転移型光記録
層、誘電体層を備えた光学的情報記録用媒体において、
誘電体層が、（１）IIａ属元素の硫化物もしくはセレン
化物の中から選ばれた少なくとも一種と、（２）IIａ属
元素の硫化物もしくはセレン化物ではない融点或いは分
解温度が１０００℃以上の耐熱性化合物から選ばれた少
なくとも一種とを含有することを特徴とする光学的情報
記録用媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はレーザー光などの照
射により、高速かつ高密度に情報を記録、消去、再生可
能な光学的情報記録用媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、情報量の拡大、記録・再生の高密
度・高速化の要求に応える記録媒体として、レーザー光
線を利用した光ディスクが開発されている。光ディスク
には、一度だけ記録が可能な追記型と、記録・消去が何
度でも可能な書き換え型がある。

【０００３】書き換え型光ディスクとしては、光磁気効
果を利用した光磁気記録媒体や、可逆的な結晶状態の変
化を利用した相変化媒体があげられる。相変化媒体は、
外部磁界を必要とせず、レーザー光のパワーを変化させ
るだけで、記録・消去が可能である。さらに、消去と再
記録を単一ビームで同時に行う１ビームオーバーライト
が可能であるという利点を有する。

【０００４】１ビームオーバーライト可能な相変化記録
方式では、記録膜を非晶質化させることによって記録ビ
ットを形成し、結晶化させることによって消去を行う場
合が一般的である。このような相変化記録方式に用いら
れる記録層材料としてはカルコゲン系合金薄膜を用いる
ことが多い。

【０００５】例えば、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ
系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系合金薄膜
等があげられる。なお、書き換え型とほとんど同じ材料
・層構成により、追記型の相変化媒体も実現できる。こ
の場合、可逆性が無いという点でより長期にわたって情
報を記録・保存でき、原理的にはほぼ半永久的な保存が
可能である。

【０００６】追記型として相変化媒体を用いた場合、孔
あけ型と異なりビット周辺にリムと呼ばれる盛り上がり
が生じないため信号品質に優れ、また、記録層上部に空
隙が不要なためエアーサンドイッチ構造にする必要がな
いという利点がある。一般に、書き換え型の相変化記録
媒体では、相異なる結晶状態を実現するために、２つの
異なるレーザー光パワーを用いる。

【０００７】この方式を、結晶化された消去・初期状態
に非晶質ビットで記録し、また消去を行う場合を例にと
って説明する。結晶化は記録層の結晶化温度より十分高
く、融点よりは低い温度まで記録層を加熱することによ
ってなされる。この場合、冷却速度は結晶化が十分なさ
れる程度に遅くなるよう、記録層を誘電体層ではさんだ
り、ビームの移動方向に長い楕円形ビームを用いたりす
る。

【０００８】一方、非晶質化は記録層を融点より高い温
度まで加熱し、急冷することによって行う。この場合、
上記誘電体層は十分な冷却速度（過冷却速度）を得るた
めの放熱層としての機能も有する。さらに、上述のよう
な、加熱・冷却過程における記録層の溶融・体積変化に
伴う変形や、プラスチック基板への熱的ダメージを防い
だり、湿気による記録層の劣化を防止するためにも、上
記誘電体層からなる保護層は重要である。

【０００９】保護層材料の材質は、レーザー光に対して
光学的に透明であること、融点・軟化点・分解温度が高
いこと、形成が容易であること、適度な熱伝導性を有す
るなどの観点から選定される。十分な耐熱性及び機械的
強度を有する保護層としては、まず、金属の酸化物や窒
化物等の誘電体薄膜があげられる。

【００１０】これらの誘電体薄膜とプラスチック基板と
は、熱膨張率や弾性的性質が大きく異なるため、記録・
消去を繰り返すうちに、基板から誘電体薄膜がはがれて
ピンホールやクラックを生じる原因となる。また、プラ
スチック基板は、湿度によって反りを生じやすいが、こ
れによっても保護膜（誘電体薄膜）の剥がれが生じるこ
とがある。

【００１１】一方、新規な誘電体保護層として、ＺｎＳ
を主成分とし、ＳｉＯ₂やＹ₂Ｏ₃等を混入させたものが
提案されている。これらの複合化合物保護膜は純粋な酸
化物あるいは窒化物誘電体膜に比べ、記録層としてよく
使われるＧｅＴｅＳｂ等のカルコゲナイド系合金薄膜に
対する密着性に優れている。このため繰り返しオーバー
ライトに対する耐久性に加え、加速試験における膜剥離
が少なく相変化媒体の信頼性をいっそう向上させてい
る。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、複合化
合物は単に混合すれば良い特性を発揮するというわけで
はない。組成範囲、複合膜の物性によっては、個々の純
粋化合物を用いる場合よりもかえって信頼性を低下させ
る場合もある。従来、カルコゲナイド系元素を含む化合
物であるＺｎＳ、ＺｎＳｅ等に酸化物、窒化物、弗化
物、炭化物等を混合させた保護膜については数多くの提
案がされている。

【００１３】しかし、これらの膜は比較的硬度が低く繰
り返しオーバーライトに伴い、塑性変形による微視的な
変形が蓄積し、実質的に光学的膜厚が変化して反射率が
低下するという問題があった。さらに上記複合膜に於い
ては、一部に於いて最適な組成範囲があると云われてい
るが、その組成の混合物を用いても、必ずしも元の純粋
な化合物単体からなる保護層よりすぐれた特性が得られ
るわけではなかった。

【００１４】これは、上記複合化合物の物性がそれを構
成するそれぞれの化合物とは大きく異なるため、製造法
その他による物性変化が予測不可能であったためであ
る。例えば、上記複合化合物からなる保護層を形成する
にあたりスパッタ法が広く用いられているが、複合物タ
ーゲットを用いる場合と、個々の化合物ターゲットを用
いて同時スパッタする場合とでは当然得られる複合化合
物保護膜の物性は異なってくる。

【００１５】また、同一製造法でも、スパッタ時の圧力
等により、物性が変化することは良く知られている。こ
うした、保護膜物性のばらつきの存在するなかで、いか
に相変化媒体に適した複合保護膜を見い出すかが課題で
あった。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、基板上
に、少なくとも相転移型光記録層、誘電体層を備えた光
学的情報記録用媒体において、誘電体層が、（１）IIａ
属元素の硫化物もしくはセレン化物の中から選ばれた少
なくとも一種と、（２）IIａ属元素の硫化物もしくはセ
レン化物ではない融点或いは分解温度が１０００℃以上
の耐熱性化合物から選ばれた少なくとも一種とを含有す
ることを特徴とする光学的情報記録用媒体に存する。

【００１７】

【発明の実施の形態】物質（１）であるIIａ属元素の硫
化物としては、ＭｇＳ、ＣａＳ、ＳｒＳ、ＢａＳの群か
ら選ばれた少なくとも一種であることが好ましい。また
IIａ属元素のセレン化物としては、ＭｇＳｅ、ＣａＳ
ｅ、ＳｒＳｅ、ＢａＳｅの群から選ばれた少なくとも一
種であることが好ましい。

【００１８】上記硫化物又はセレン化物はカルコゲン元
素を含むため相変化型記録層に主として含まれるカルコ
ゲン及びその周辺元素との密着性も良い。単なる酸化物
よりなる誘電体層を用いた場合に比べ大幅な改善が見ら
れる。物質（２）である耐熱性化合物は１０００℃以上
の耐熱性を有し、物質（１）であるIIａ属元素の硫化物
もしくはセレン化物ではないセラミックであるならばほ
とんど適用できる。

【００１９】１０００℃以上の耐熱性とは、融点が１０
００℃以上であり、１０００℃に加熱しても分解を起こ
さないことをいう。耐熱性化合物としてはＡｌ、Ｓｉ、
Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｂａ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｗ、Ｈｆ、Ｓ
ｃ又はランタノイドの酸化物、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔ
ａ、Ｂの窒化物、Ｍｇ、Ｃａ、Ｎｄ、Ｔｂ、Ｌａの弗化
物、Ｓｉ、Ｂの炭化物等が挙げられる。

【００２０】これらのうち、弗化物を用いる場合には、
酸化物も合わせて用いた方が脆性が改善される傾向にあ
るので好ましい。コスト、ターゲット製造の容易さ等の
観点から、二酸化珪素、酸化イットリウム、酸化バリウ
ム、酸化タンタル、ＬａＦ₃、ＮｄＦ₃、ＴｂＦ₃、ＳｉＣ、
Ｓｉ₃Ｎ₄、ＡｌＮを用いるが好ましい。

【００２１】上記物質（１）及び（２）の群から選ばれ
た化合物を含有する保護膜（誘電体層）中の（１）及び
（２）の合計量は含有率にして５０ｍｏｌ％以上が好ま
しく、さらに好ましくは８０ｍｏｌ％以上である。この
含有率が５０ｍｏｌ％を下回ると、基板や記録膜の変形
防止効果が不十分であり、保護層としての役目をなさな
い傾向がある。

【００２２】また上記物質（１）の含有率は保護層全体
の１０ｍｏｌ％以上、９５ｍｏｌ％以下が好ましい。１
０ｍｏｌ％未満では望みの特性が発揮されない。また９
５ｍｏｌ％を超えると光学吸収係数が大きくなり、好ま
しくなく、より好ましくは１５ｍｏｌ％以上９０ｍｏｌ
％以下である。

【００２３】また上記耐熱化合物（２）の含有率は誘電
体層全体の５ｍｏｌ％以上、９０ｍｏｌ％以下が好まし
く、より好ましくは１０ｍｏｌ％以上である。これ以外
の範囲では望みの特性が得られないことがある。耐熱化
合物は１０００℃以上の耐熱性と共に記録再生に用いる
レーザー光に対して光学的に十分透明であることが必要
となる。

【００２４】すなわち、５０ｎｍ程度の厚さで約６００
ｎｍ以上の波長領域で複素屈折率の虚部が０．０５以下
であることが望ましい。この光学的透明性を得るため
に、スパッタ成膜時に、Ａｒと酸素及び／又は窒素との
混合ガスを用いると好ましい。特に、硫化物、及びセレ
ン化物中のＳやＳｅは蒸気圧が高いために、スパッタ中
に一部が分解、蒸発する傾向がある。

【００２５】このように、保護層中にＳやＳｅの欠損が
多いと、光吸収性の欠陥となり、また、化学的にも不安
定であるために好ましくない。上記のように、酸素や窒
素をスパッタガスに添加することは、この欠損を酸素や
窒素で置き換えることを目的としている。このとき
（１）群の金属元素の酸化物や窒化物が膜中に一部形成
されるが、（２）群の耐熱化合物の一部として働くため
に、膜の特性は特に損なわれない。

【００２６】次に、本発明による光学的記録用媒体の構
成について述べる。本発明の光学的記録用媒体は少なく
とも基板、相転移型光記録層、誘電体層を備えるが、通
常、基板／誘電体層／記録層／誘電体層／反射層の構成
を有し、基板には、ポリカーボネート、アクリル、ポリ
オレフィンなどの透明樹脂、あるいはガラスを用いるこ
とができる。

【００２７】基板表面には上記特性を満たす誘電体層が
通常は、１０〜５００ｎｍの厚さに設けられる。誘電体
層の厚みが１０ｎｍ未満であると、基板や記録膜の変形
防止効果が不十分であり、保護層としての役目をなさな
い傾向がある。誘電体層の厚みが５００ｎｍを超えると
誘電体自体の内部応力や基板との弾性特性の差が顕著に
なって、クラックが発生しやすくなる。

【００２８】本発明誘電体層は、前述のように、一般に
高周波放電スパッタで製造されるため、成膜速度が遅い
傾向があり、生産性の面からは２００ｎｍ以上の厚膜を
設けることは好ましくはない。もし、そのような厚膜を
形成する必要がある場合には、全膜厚のうち記録層に接
する側の５〜１００ｎｍを上記（１）群の化合物と
（２）群の耐熱性化合物の混合物からなる誘電体層（保
護膜）とし、記録層から遠い側の残りの膜厚を、上記混
合物に含まれる（２）群の耐熱性化合物と同種または異
種の耐熱性化合物のみからなる保護膜とすれば良い。

【００２９】少なくとも記録層界面側に、本発明で特徴
とする組成の誘電体層を適用すれば、全膜厚を本発明で
特徴とする組成の誘電体層とした場合と同様の効果が得
られる。ただし、記録層界面側の複合誘電体層と、その
上に設ける耐熱化合物保護膜との密着性が良くなけれ
ば、剥離を生じやすいので、両者の組み合わせには注意
を要する。

【００３０】最も問題の少ない組み合わせは、記録層界
面側の複合誘電体層に含まれる（２）群の耐熱性化合物
と同種の材料を上に設ける耐熱化合物保護膜として用い
ることである。上記誘電体層の膜密度は理論密度の８０
％以上であることが好ましい。ここで膜の理論密度は下
記式で示され、各構成化合物のバルク状態での密度にそ
の構成化合物のモル含有率を乗じたものの積算値であ
る。

【００３１】理論密度＝Σ｛（構成化合物バルク状態の
密度）×（構成化合物モル含有率）｝ 混合物誘電体層の密度をこのようにすることで、繰り返
し記録及び経時変化に対する耐久性を著しく向上させる
ことができる。膜密度をコントロールするにはスパッタ
リング時の真空度を調節することにより行いうる、膜密
度を高くするには真空度を低く（アルゴンガス圧を低
く）するのが良く、通常は真空度を１Ｐａ以下、好まし
くは０．３〜０．８Ｐａとするのが良い。

【００３２】このようにして得られた本発明誘電体層
は、ＺｎＳ、ＺｎＳｅを主成分とする複合膜より機械的
強度が大きく、硬度が酸化物に近く、かつ微視的ずり変
化によるクラックの発生が少ないと言う効果がある。さ
らに酸化物そのものに比べ圧縮応力が小さいため剥離が
生じにくい。上記誘電体層は、膜を構成する複数の化合
物の混合物で構成された複合スパッタリングターゲット
を用いて形成することが好ましい。

【００３３】これは上記複合化合物からなる誘電体を形
成するにあたり、通常スパッタ法が広く用いられている
が、複合化合物からなるターゲットを用いる方が、個々
の化合物ターゲットを用いて同時スパッタするのと比べ
て、得られる複合化合物保護膜の構成元素の均一性が勝
っているために保護膜としての特性も優れたものとなる
ため好ましい。

【００３４】本発明の媒体の記録層は相変化型の記録層
であり、その厚みは１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲が好ま
しい。記録層の厚みが１０ｎｍより薄いと十分なコント
ラストが得られ難く、また結晶化速度が遅くなる傾向が
あり、短時間での記録消去が困難となりやすい。一方１
００ｎｍを越すとやはり光学的なコントラストが得にく
くなり、また、クラックが生じやすくなるので好ましく
ない。

【００３５】記録層としては公知の相変化型光記録層が
使用でき、例えばＧｅＳｂＴｅやＩｎＳｂＴｅ、ＡｇＳ
ｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅといった化合物がオーバーラ
イト可能な材料として選ばれる。これらの化合物に０．
１〜１０原子％のＳｎ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｓ
ｉ、Ｂｉ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ等のうちから、一種またはそれ以上の元素を添
加して結晶化速度、光学定数、耐酸化性を改善すること
も有効である。

【００３６】なお、記録層や保護層（誘電体層）の厚み
は、上記機械的強度、信頼性の面からの制限の他に、多
層構成に伴う干渉効果も考慮して、レーザー光の吸収効
率が良く、記録信号の振幅すなわち記録状態と未記録状
態のコントラストが大きくなるように選ばれる。外側の
誘電体層（基板側でない誘電体層）の上に通常は、光学
的反射層を設けるが、光学的反射層は反射率の大きい物
質が好ましく、通常はＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ及びそれ
らの合金等が用いられる。

【００３７】この反射層は、記録層が吸収した熱エネル
ギーの拡散を促進する効果があるため、熱伝導度制御等
のためＴａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｇ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ
等を小量加えた合金とするのが良い。光学的反射層の上
に紫外線硬化樹脂などからなるコート層を設けても良
い。記録層、誘電体層、反射層はスパッタリング法など
によって形成される。

【００３８】記録膜用ターゲット、保護膜用ターゲッ
ト、必要な場合には反射層材料用ターゲットを同一真空
チャンバー内に設置したインライン装置で膜形成を行う
ことが各層間の酸化や汚染を防ぐ点で望ましい。また、
生産性の面からもすぐれている。なお、本発明保護層
は、繰り返し記録・消去可能な、書き換え可能な相変化
ディスクへの適用に特に適しているが、ライトワンス型
の相変化媒体に適用しても、耐蝕性の向上、耐剥離性の
向上をもたらし、媒体の信頼性改善に有効である。

【００３９】

【実施例】以下実施例をもって本発明を詳細に説明する
が、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に限
定されるものではない。

【００４０】

【実施例１】 誘電体層材料の物質（１）としてＭｇＳ
を、物質（２）の耐熱化合物としてＳｉＯ₂を用いた。
両者の粉体をｍｏｌ比で４０対６０（ＭｇＳ：ＳｉＯ₂)
となるよう調整混合し、ホットプレス法にて複合焼結体
ターゲットを得た。ポリカーボネート樹脂基板上に誘電
体層／記録層／誘電体層／反射層を設け、４層構造の記
録媒体を作成した。

【００４１】各層の厚みは、下部（基板側）誘電体層２
００ｎｍ、記録層３０ｎｍ、上部誘電体層３０ｎｍ、反
射層１００ｎｍとした。記録層の組成はＧｅ_(22.2)Ｓｂ
_(22.2)Ｔｅ_(55.6)であり、反射層はＡｌ合金を用いた。
誘電体層はＡｒガスを５０ｓｃｃｍで流し、圧力は０．
７Ｐａのもと、高周波（１３．５６ＭＨｚ）スパッタリ
ングにより成膜した。

【００４２】膜密度は２．４ｇ／ｃｃであり理論密度の
９８％であった。ＪＩＳヌープ硬度は４２０であり、膜
応力は引っ張りで３×１０⁹dｙｎ／ｃｍ ²であった。記
録層及び反射層はＡｒガス圧力０．７Ｐａで直流スパッ
タリングにより成膜した。

【００４３】さらに厚み約５μｍの紫外線硬化樹脂を設
けた。このディスクをさらにＡｒイオンレーザーを用い
て初期化すなわち記録層の結晶化処理を行ったのち、以
下の条件でディスクの動特性を評価した。１０ｍ／ｓの
線速度で回転させながら４ＭＨｚ、デューティー５０％
のパルス光を用い記録パワー１９．５ｍＷ、ベースパワ
ー９．５ｍＷで繰り返しオーバーライトを行い、所定の
回数に達する度にＣ／Ｎ比及び消去比の測定を行った。

【００４４】結果を図１に示した。図１から明らかなよ
うに、繰り返し１０万回でＣ／Ｎ比の低下は１回目と比
較して約８ｄＢであった。消去比は繰り返し１０万回で
１回目と比較して約１２ｄＢ低下した。なおＳｉＯ₂の
融点は約１６００℃である。

【００４５】

【実施例２】 誘電体層の物質（１）としてＣａＳを、
物質（２）としてＳｉＯ ₂を選択し、ｍｏｌ比を４０対
６０としたこと以外は実施例１と同様にしてディスクを
作成し、同様な動特性評価を行った。結果を図２に示
す。繰り返し４万回でＣ／Ｎ比の低下は１回目の時と比
べて約１０ｄＢであった。

【００４６】消去比は繰り返し４万回で１回目の時とほ
とんど変化していなかった。この誘電体薄膜のヌープ硬
度は４５０であり応力は引っ張りで４×１０⁹dｙｎ／ｃ
ｍ²であった。

【００４７】

【比較例１】 誘電体層材料としてＳｉＯ₂を単独で用
いたこと以外は実施例１と同様にしてディスクを作成
し、同様な動特性評価を行った。結果を図３に示す。繰
り返し１万回でＣ／Ｎ比及び消去比の低下は１回目と比
べてそれぞれ約１１ｄＢ及び約１７ｄＢであった。この
誘電体薄膜のヌープ硬度は３００であり圧縮応力は１×
１０⁹dｙｎ／ｃｍ²であった。

【００４８】

【比較例２】 誘電体層材料としてｍｏｌ比が８０対２
０のＺｎＳ及びＴｉＯ₂を用いたこと以外は実施例１と
同様にしてディスクを作成し、同様な動特性評価を行っ
た。結果を図４に示す。繰り返し２千回でＣ／Ｎ比及び
消去比の低下は１回目と比べてそれぞれ約１１ｄＢ及び
約１６ｄＢであった。

【００４９】この誘電体薄膜のヌープ硬度は４００であ
り圧縮応力は２×１０⁹dｙｎ／ｃｍ ²であった。なおＴ
ｉＯ₂は６００℃付近で熱分解が始まり、酸素原子が離
脱し、黒色化することが、知られている。

【００５０】

【比較例３】 誘電体層材料としてｍｏｌ比が８０対２
０のＺｎＳ及びＭｏＳ₂を用いたこと以外は実施例１同
様にしてディスクを作成し、同様な動特性評価を行っ
た。結果を図５に示す。繰り返し１千回でＣ／Ｎ比及び
消去比の低下は１回目と比べてそれぞれ約９ｄＢ及び約
１６ｄＢであった。

【００５１】この誘電体薄膜のヌープ硬度は２３０であ
り圧縮応力は１×１０⁹dｙｎ／ｃｍ ²であった。なおＭ
ｏＳ₂は３５０℃付近で熱的に不安定となり合金を作り
やすいことが、知られている。

【００５２】

【発明の効果】本発明の光学的記録用媒体を用いること
により、データ保存安定性に優れた追記型媒体及び多数
回の繰り返し記録・消去が行える書き換え型媒体の実用
化に多いに有効である。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施例１におけるＣ／Ｎ比および消去比の変
化を示すグラフ

【図２】 実施例２におけるＣ／Ｎ比および消去比の変
化を示すグラフ

【図３】 比較例１におけるＣ／Ｎ比および消去比の変
化を示すグラフ

【図４】 比較例２におけるＣ／Ｎ比および消去比の変
化を示すグラフ

【図５】 比較例３におけるＣ／Ｎ比および消去比の変
化を示すグラフ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に、少なくとも相転移型光記録
   層、誘電体層を備えた光学的情報記録用媒体において、
   誘電体層が、（１）IIａ属元素の硫化物もしくはセレン
   化物の中から選ばれた少なくとも一種と、（２）IIａ属
   元素の硫化物もしくはセレン化物ではない融点或いは分
   解温度が１０００℃以上の耐熱性化合物から選ばれた少
   なくとも一種とを含有することを特徴とする光学的情報
   記録用媒体。
2. 【請求項２】 硫化物又はセレン化物が、ＭｇＳ、Ｃａ
   Ｓ、ＳｒＳ、ＢａＳ、ＲａＳ、ＭｇＳｅ、ＣａＳｅ、Ｓ
   ｒＳｅ、ＢａＳｅ、ＲａＳｅの群から選ばれた少なくと
   も１種である請求項１に記載の光学的情報記録用媒体。
3. 【請求項３】 耐熱化合物がＡｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚ
   ｒ、Ｂａ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｗ、Ｈｆ、Ｓｃ、もしくは
   ランタノイドの酸化物、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔａ、Ｂの
   窒化物、Ｍｇ、Ｃａ、Ｎｄ、Ｔｂ、Ｌａの弗化物、Ｓ
   ｉ、Ｂの炭化物の群から選ばれた少なくとも１種である
   請求項１又は２に記載の光学的情報記録用媒体。
4. 【請求項４】 誘電体層の膜密度が理論密度の８０％以
   上であることを特徴とする請求項１及至３のいずれかに
   記載の光学的情報記録用媒体。
5. 【請求項５】 誘電体層が、誘電体を構成する複数の化
   合物で構成された複合スパッタリングターゲットを用い
   てスパッタ成膜されたことを特徴とする請求項１及至４
   のいずれかに記載の光学的情報記録用媒体。
6. 【請求項６】 誘電体層の固有応力の絶対値が５．０×
   １０⁹dｙｎ／ｃｍ²未満であることを特徴とする請求項
   １及至５のいずれかに記載の光学的情報記録用媒体。
7. 【請求項７】 誘電体層のＪＩＳＺ２２５１法で測定し
   たヌープ硬度が３００以上であることを特徴とする請求
   項１及至６のいずれかに記載の光学的情報記録用媒体。