JPH09259640A - 透明導電膜 - Google Patents
透明導電膜Info
- Publication number
- JPH09259640A JPH09259640A JP9596096A JP9596096A JPH09259640A JP H09259640 A JPH09259640 A JP H09259640A JP 9596096 A JP9596096 A JP 9596096A JP 9596096 A JP9596096 A JP 9596096A JP H09259640 A JPH09259640 A JP H09259640A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- conductive film
- film
- atomic
- atom
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910021474 group 7 element Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 abstract description 2
- 229910005230 Ga2 O3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 58
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 13
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- ZVYYAYJIGYODSD-LNTINUHCSA-K (z)-4-bis[[(z)-4-oxopent-2-en-2-yl]oxy]gallanyloxypent-3-en-2-one Chemical compound [Ga+3].C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O ZVYYAYJIGYODSD-LNTINUHCSA-K 0.000 description 1
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 125000004177 diethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- LFSCNWNADRUBLS-HRSUDHNQSA-N dimethyl-ga Chemical compound C1=C[C@@](C)(CCC=C(C)C)OC2=C1C(OC)=C1C(=O)C3=C[C@@H](C4=O)CC5C(C)(C)O[C@]4(C\C=C(\C)C(=O)OC)[C@@]35OC1=C2CC=C(C)C LFSCNWNADRUBLS-HRSUDHNQSA-N 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910021476 group 6 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- SKWCWFYBFZIXHE-UHFFFAOYSA-K indium acetylacetonate Chemical compound CC(=O)C=C(C)O[In](OC(C)=CC(C)=O)OC(C)=CC(C)=O SKWCWFYBFZIXHE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000013080 microcrystalline material Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】ＧａＩｎＯ3やＩｎ2Ｏ3より一段と高い導電
性、即ち、より低い抵抗率と優れた光学的特性を有する
透明導電膜を提供する。 【解決手段】Ｇａ2Ｏ3−Ｉｎ2Ｏ3なる擬２元系組成にお
いて、Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）で示されるＧａ量を１５〜
４９、好ましくは２０〜４５原子％の範囲にある組成の
混合粉末、もしくは必要に応じて焼成、あるいは必要に
応じて成型・焼結したものをタ−ゲットに用い、例え
ば、スパッタ法により、基体としてガラスのようなセラ
ミック質基板あるいはプラスチックのような有機質基板
上にＧａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）で示されるＧａ量が１５〜４
９原子％、好ましくは２０〜４５原子％含有した酸化物
膜を形成する。
性、即ち、より低い抵抗率と優れた光学的特性を有する
透明導電膜を提供する。 【解決手段】Ｇａ2Ｏ3−Ｉｎ2Ｏ3なる擬２元系組成にお
いて、Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）で示されるＧａ量を１５〜
４９、好ましくは２０〜４５原子％の範囲にある組成の
混合粉末、もしくは必要に応じて焼成、あるいは必要に
応じて成型・焼結したものをタ−ゲットに用い、例え
ば、スパッタ法により、基体としてガラスのようなセラ
ミック質基板あるいはプラスチックのような有機質基板
上にＧａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）で示されるＧａ量が１５〜４
９原子％、好ましくは２０〜４５原子％含有した酸化物
膜を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は透明タッチスイッチを製
造するために使用される透明導電膜及びそれを製造する
ために使用される焼結体に関する。
造するために使用される透明導電膜及びそれを製造する
ために使用される焼結体に関する。
【０００２】
【従来の技術】各種ディスプレイ装置や薄膜太陽電池の
透明電極、あるいは将来莫大な需要が見込まれる紫外線
遮断・赤外線反射特性に優れた省エネルギー建築用窓硝
子コーティング材として、可視光透過率が高く、低抵抗
な特性を有する透明導電膜が欠かせない。現在最も広く
利用されている透明導電膜としては、金属酸化物薄膜が
主であり、高い化学的安定性を有する酸化錫ＳｎＯ2系
（Ｆまたはアンチモン（Ｓｂ）を添加したものが主とし
て利用されている。）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、
優れた電気的・光学的特性を有する錫添加酸化インジウ
ム［Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2−以下ＩＴＯという］、さらに
最近では、申請者らが開発した低コストで資源的にも全
く問題がなく、ＩＴＯに匹敵する優れた電気的・光学的
特性を有する酸化亜鉛（ＺｎＯ）系が知られている。
透明電極、あるいは将来莫大な需要が見込まれる紫外線
遮断・赤外線反射特性に優れた省エネルギー建築用窓硝
子コーティング材として、可視光透過率が高く、低抵抗
な特性を有する透明導電膜が欠かせない。現在最も広く
利用されている透明導電膜としては、金属酸化物薄膜が
主であり、高い化学的安定性を有する酸化錫ＳｎＯ2系
（Ｆまたはアンチモン（Ｓｂ）を添加したものが主とし
て利用されている。）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、
優れた電気的・光学的特性を有する錫添加酸化インジウ
ム［Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2−以下ＩＴＯという］、さらに
最近では、申請者らが開発した低コストで資源的にも全
く問題がなく、ＩＴＯに匹敵する優れた電気的・光学的
特性を有する酸化亜鉛（ＺｎＯ）系が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、従来
の透明導電膜では、最近高まりつつある用途の多様化に
対応しきれなくなっている。例えば、透明タッチスイッ
チの用途では、必ずしも低抵抗率を必要としないが、む
しろ大面積にわたって均一で高い光透過率、さらには任
意の光屈折率を有する透明導電膜が求められている。さ
らに膜の性能を低下させることなく酸・アルカリ等に対
する薬品耐性を自由に制御できる透明導電膜の提供が要
望されているが、従来の透明導電膜ではもはや対応でき
なくなっている。
の透明導電膜では、最近高まりつつある用途の多様化に
対応しきれなくなっている。例えば、透明タッチスイッ
チの用途では、必ずしも低抵抗率を必要としないが、む
しろ大面積にわたって均一で高い光透過率、さらには任
意の光屈折率を有する透明導電膜が求められている。さ
らに膜の性能を低下させることなく酸・アルカリ等に対
する薬品耐性を自由に制御できる透明導電膜の提供が要
望されているが、従来の透明導電膜ではもはや対応でき
なくなっている。
【０００４】
【問題点を解決するための手段】Ｇａ2Ｏ3−Ｉｎ2Ｏ3で
示される擬２元系において、Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）で示
されるＧａ量が１５〜４９原子％、好ましくは２０〜４
５原子％含有する酸化物膜を形成して成ることを特徴と
する透明導電膜を提供する。Ｇａ量が１５％以下では本
発明の特徴が発揮出来ない。また、４９．１％以上の範
囲には従来知られているＧａＩｎＯ3を含んでいる。本
発明になる組成域は従来知られているＧａＩｎＯ3とは
かなり異なる組成範囲を含んでおり、ＧａＩｎＯ3組成
や特性からは予測できない。本発明によって、ＧａＩｎ
Ｏ3やＩｎ2Ｏ3より一段と高い導電性、即ち、より低い
抵抗率と優れた光学的特性を有する透明導電膜を提供で
きる。さらに本発明では、高温酸化性囲気中での安定性
や、適度な耐薬品性を実現できることにより前記問題点
を解決できる新しい透明導電膜、及び該膜を製造するた
めに使用されるタ−ゲット材を提供することを目的とし
ている。
示される擬２元系において、Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）で示
されるＧａ量が１５〜４９原子％、好ましくは２０〜４
５原子％含有する酸化物膜を形成して成ることを特徴と
する透明導電膜を提供する。Ｇａ量が１５％以下では本
発明の特徴が発揮出来ない。また、４９．１％以上の範
囲には従来知られているＧａＩｎＯ3を含んでいる。本
発明になる組成域は従来知られているＧａＩｎＯ3とは
かなり異なる組成範囲を含んでおり、ＧａＩｎＯ3組成
や特性からは予測できない。本発明によって、ＧａＩｎ
Ｏ3やＩｎ2Ｏ3より一段と高い導電性、即ち、より低い
抵抗率と優れた光学的特性を有する透明導電膜を提供で
きる。さらに本発明では、高温酸化性囲気中での安定性
や、適度な耐薬品性を実現できることにより前記問題点
を解決できる新しい透明導電膜、及び該膜を製造するた
めに使用されるタ−ゲット材を提供することを目的とし
ている。
【０００５】具体的には、Ｇａ2Ｏ3−Ｉｎ2Ｏ3なる擬２
元系組成において、Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）で示されるＧ
ａ量を１５〜４９、好ましくは２０〜４５原子％の範囲
にある組成の混合粉末、もしくは必要に応じて焼成、あ
るいは必要に応じて成型・焼結したものをタ−ゲットに
用い、例えば、スパッタ法により、基体としてガラスの
ようなセラミック質基板あるいはプラスチックのような
有機質基板上にＧａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）で示されるＧａ量
が１５〜４９原子％、好ましくは２０〜４５原子％含有
した酸化物膜を形成することによって本発明の目的を達
成することができる。
元系組成において、Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）で示されるＧ
ａ量を１５〜４９、好ましくは２０〜４５原子％の範囲
にある組成の混合粉末、もしくは必要に応じて焼成、あ
るいは必要に応じて成型・焼結したものをタ−ゲットに
用い、例えば、スパッタ法により、基体としてガラスの
ようなセラミック質基板あるいはプラスチックのような
有機質基板上にＧａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）で示されるＧａ量
が１５〜４９原子％、好ましくは２０〜４５原子％含有
した酸化物膜を形成することによって本発明の目的を達
成することができる。
【０００６】本発明になる該透明導電膜の製造法として
は、上記した方法のみならず真空蒸着法、化学気相結晶
成長（ＣＶＤ）法、ゾルーゲル法、分子線エピタキシャ
ル成長法等公知の任意の薄膜作製法が利用できる。
は、上記した方法のみならず真空蒸着法、化学気相結晶
成長（ＣＶＤ）法、ゾルーゲル法、分子線エピタキシャ
ル成長法等公知の任意の薄膜作製法が利用できる。
【０００７】
【作 用】本発明の目的に適う上記組成範囲内の薄膜
を該基体上に前述したような公知の薄膜作製法により形
成する際、酸素空孔や格子間原子等の真性格子欠陥によ
る内因性ドナ−やIII族元素の一部がIV族元素で置換、
及びVI族元素の一部がVII族元素で置換する外因性ドナ
−の導入によるキャリアの生成が可能である。本発明に
なる薄膜は、非晶質、もしくはＧａＩｎＯ3、ＧａＩｎ
Ｏ3とＩｎ2Ｏ3、ＧａＩｎＯ3とＧａ2Ｏ3等の混相から成
る微結晶質であり上述のメカニズムによる高いキャリア
生成を可能とし、その結果、ＧａＩｎＯ3やＩｎ2Ｏ3に
は見られない低い抵抗率を達成できた。加えて該透明導
電膜の光屈折率は組成を変えることにより約１．８から
従来の透明導電膜の２．１まで変えることが出来るとい
う特徴を有する。該膜と、２．０または２．０以上の光
屈折率の薄膜もしくは透明導電膜と組み合わせて使用す
ることにより高い導電性を有する無反射コ−ティング
膜、干渉フィルタあるいは反射器（ブラックリフレク
タ）、窓用装飾コ−ティング膜等に応用することができ
る［特許申請中；特願平７−９４５５５］。該膜は不純
物無添加の膜であるにも拘らず高いキャリア密度が容易
に得られ、しかも光学的特性に優れた該膜を実現できる
という作用効果を生み出す。また、組成を変えることに
より適度な薬品耐性を持たせられるという特徴を有す
る。その結果多様化するニ−ズに十分対応できる。
を該基体上に前述したような公知の薄膜作製法により形
成する際、酸素空孔や格子間原子等の真性格子欠陥によ
る内因性ドナ−やIII族元素の一部がIV族元素で置換、
及びVI族元素の一部がVII族元素で置換する外因性ドナ
−の導入によるキャリアの生成が可能である。本発明に
なる薄膜は、非晶質、もしくはＧａＩｎＯ3、ＧａＩｎ
Ｏ3とＩｎ2Ｏ3、ＧａＩｎＯ3とＧａ2Ｏ3等の混相から成
る微結晶質であり上述のメカニズムによる高いキャリア
生成を可能とし、その結果、ＧａＩｎＯ3やＩｎ2Ｏ3に
は見られない低い抵抗率を達成できた。加えて該透明導
電膜の光屈折率は組成を変えることにより約１．８から
従来の透明導電膜の２．１まで変えることが出来るとい
う特徴を有する。該膜と、２．０または２．０以上の光
屈折率の薄膜もしくは透明導電膜と組み合わせて使用す
ることにより高い導電性を有する無反射コ−ティング
膜、干渉フィルタあるいは反射器（ブラックリフレク
タ）、窓用装飾コ−ティング膜等に応用することができ
る［特許申請中；特願平７−９４５５５］。該膜は不純
物無添加の膜であるにも拘らず高いキャリア密度が容易
に得られ、しかも光学的特性に優れた該膜を実現できる
という作用効果を生み出す。また、組成を変えることに
より適度な薬品耐性を持たせられるという特徴を有す
る。その結果多様化するニ−ズに十分対応できる。
【０００８】
【実施例 １】Ｇａ2Ｏ3、及びＩｎ2Ｏ3の各粉末をそれ
ぞれ３３．０、６７モル％のモル分率で均一に混合した
後アルゴン中１０００℃で５時間焼成した焼成粉を直径
８０ｍｍのステンレス製皿に詰めスパッタリングターゲ
ットとした。スパッタガスには純アルゴンガスを用い
た。スパッタガス圧を０．２Ｐａに設定し、ターゲット
面に対し平行に保持された室温〜３５０℃のガラス基板
上に高周波投入電力４０Ｗで、スパッタ成膜を行なっ
た。図１に、基板温度２００℃で作製した該Ｇａ2Ｏ3−
Ｉｎ2Ｏ3薄膜における典型的な電気的特性のＧａ／（Ｇ
ａ＋Ｉｎ）組成依存性を示す。作製した膜をｘ線回折に
より分析した結果、Ｇａが４５原子％〜４９原子％の範
囲で作製した膜においてＧａＩｎＯ3相が検出できた。
この膜の平均厚さは４２０ｎｍにあり、室温から３５０
℃の基板温度で得られた膜の抵抗率は５．０×１０-4Ω
ｃｍ、移動度は約２０ｃｍ／Ｖ・ｓｅｃ、キャリア濃度
は４〜５×１０20ｃｍ-3の範囲であった。また、作製し
た膜の平均可視光透過率は８０％であった。尚、スパッ
タ時に酸素を導入して成膜した結果、平均可視光透過率
は８５％に上昇した。しかし、酸素を入れ過ぎると膜の
抵抗率はかえって高くなった。さらにＧａ2Ｏ3−Ｉｎ2
Ｏ3のＧａをＹで５原子％置き換えた該膜を作製した結
果、抵抗率は３．９×１０-4Ωｃｍまで低下した。また
基板を垂直に保持して成膜した場合でも、上記とほぼ同
様の結果が得られた。一方、基板温度３５０℃で作製し
た場合では、電気的特性を損なうことなく該透過率は８
７％になった。
ぞれ３３．０、６７モル％のモル分率で均一に混合した
後アルゴン中１０００℃で５時間焼成した焼成粉を直径
８０ｍｍのステンレス製皿に詰めスパッタリングターゲ
ットとした。スパッタガスには純アルゴンガスを用い
た。スパッタガス圧を０．２Ｐａに設定し、ターゲット
面に対し平行に保持された室温〜３５０℃のガラス基板
上に高周波投入電力４０Ｗで、スパッタ成膜を行なっ
た。図１に、基板温度２００℃で作製した該Ｇａ2Ｏ3−
Ｉｎ2Ｏ3薄膜における典型的な電気的特性のＧａ／（Ｇ
ａ＋Ｉｎ）組成依存性を示す。作製した膜をｘ線回折に
より分析した結果、Ｇａが４５原子％〜４９原子％の範
囲で作製した膜においてＧａＩｎＯ3相が検出できた。
この膜の平均厚さは４２０ｎｍにあり、室温から３５０
℃の基板温度で得られた膜の抵抗率は５．０×１０-4Ω
ｃｍ、移動度は約２０ｃｍ／Ｖ・ｓｅｃ、キャリア濃度
は４〜５×１０20ｃｍ-3の範囲であった。また、作製し
た膜の平均可視光透過率は８０％であった。尚、スパッ
タ時に酸素を導入して成膜した結果、平均可視光透過率
は８５％に上昇した。しかし、酸素を入れ過ぎると膜の
抵抗率はかえって高くなった。さらにＧａ2Ｏ3−Ｉｎ2
Ｏ3のＧａをＹで５原子％置き換えた該膜を作製した結
果、抵抗率は３．９×１０-4Ωｃｍまで低下した。また
基板を垂直に保持して成膜した場合でも、上記とほぼ同
様の結果が得られた。一方、基板温度３５０℃で作製し
た場合では、電気的特性を損なうことなく該透過率は８
７％になった。
【０００９】
【実施例 ２】実施例１において使用したタ−ゲットに
IV族元素としてＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｔｉ、Ｚｒを
最大１０原子％添加した膜をそれぞれ作製した結果、い
ずれの膜も添加前に比べ平均可視光透過率が低下するこ
となく抵抗率を２０％以上低くすることができた。ま
た、作製したIV族元素添加該酸化物膜の平均可視光透過
率は８０％以上であった。また、膜作製時に酸素を分圧
で加えたところ該透過率は８５％になったが、抵抗率は
高くなる傾向を示した。尚、基板を垂直に保持して成膜
した場合でも、上記とほぼ同様の結果が得られた。一
方、基板温度３５０℃で作製した場合では、電気的特性
を損なうことなく透過率を８５％まで改善することがで
きた。
IV族元素としてＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｔｉ、Ｚｒを
最大１０原子％添加した膜をそれぞれ作製した結果、い
ずれの膜も添加前に比べ平均可視光透過率が低下するこ
となく抵抗率を２０％以上低くすることができた。ま
た、作製したIV族元素添加該酸化物膜の平均可視光透過
率は８０％以上であった。また、膜作製時に酸素を分圧
で加えたところ該透過率は８５％になったが、抵抗率は
高くなる傾向を示した。尚、基板を垂直に保持して成膜
した場合でも、上記とほぼ同様の結果が得られた。一
方、基板温度３５０℃で作製した場合では、電気的特性
を損なうことなく透過率を８５％まで改善することがで
きた。
【００１０】
【実施例 ３】実施例１と同じ条件に加え、VII族元素
を含むド−パントとしてＣＦ4ガスをスパッタ装置内に
分圧１×１０-2Ｐａまで導入し、成膜を行なった。作製
した膜の平均厚さは３８０ｎｍであり、室温で作製した
膜では抵抗率を１５％以上低くすることができた。ま
た、作製したフッ素添加該酸化物膜の平均可視光透過率
は８０％以上であった。尚、基板を垂直に保持して成膜
した場合でも、上記とほぼ同様の結果が得られた。一
方、基板温度３５０℃で作製した場合では、電気的特性
を損なうことなく透過率を８５％まで改善することがで
きた。
を含むド−パントとしてＣＦ4ガスをスパッタ装置内に
分圧１×１０-2Ｐａまで導入し、成膜を行なった。作製
した膜の平均厚さは３８０ｎｍであり、室温で作製した
膜では抵抗率を１５％以上低くすることができた。ま
た、作製したフッ素添加該酸化物膜の平均可視光透過率
は８０％以上であった。尚、基板を垂直に保持して成膜
した場合でも、上記とほぼ同様の結果が得られた。一
方、基板温度３５０℃で作製した場合では、電気的特性
を損なうことなく透過率を８５％まで改善することがで
きた。
【００１１】
【実施例 ４】実施例１、２あるいは３の膜作製におい
て、Ｇａ2Ｏ3粉末およびＩｎ2Ｏ3粉末あるいはそれらに
加え添加物として導入するド−パント材料粉末を１−１
０原子％の範囲で添加、均一に混合後、直径８０ｍｍに
成型した後焼結した焼結体タ−ゲットを使用した。いず
れの場合においても焼成粉末タ−ゲットを用いて作製し
た透明導電膜の電気的・光学的特性とほぼ同様の結果が
得られた。また、同様の結果は焼結体タ−ゲットを用い
た直流マグネトロンスパッタ法によっても実現できるこ
とを確認した。
て、Ｇａ2Ｏ3粉末およびＩｎ2Ｏ3粉末あるいはそれらに
加え添加物として導入するド−パント材料粉末を１−１
０原子％の範囲で添加、均一に混合後、直径８０ｍｍに
成型した後焼結した焼結体タ−ゲットを使用した。いず
れの場合においても焼成粉末タ−ゲットを用いて作製し
た透明導電膜の電気的・光学的特性とほぼ同様の結果が
得られた。また、同様の結果は焼結体タ−ゲットを用い
た直流マグネトロンスパッタ法によっても実現できるこ
とを確認した。
【００１２】
【実施例 ５】大気圧ＣＶＤ法により、Ｇａ原料として
Ｇａアセチルアセトネテート［Ｇａ（ａｃａｃ）3］、
Ｉｎ原料としてインジウムアセチルアセトネ−ト［Ｉｎ
（ａｃａｃ）3］、酸素原料としてＨ2Ｏを用い、全ての
原料を加熱されたステンレス製容器に充填し、ステンレ
ス配管を通じて原料ガスをキャリアガスとともに、石英
リアクタ内にセットされ３５０℃に加熱されているガラ
ス基板に向けて供給し該酸化物膜から成る該透明導電膜
を該ガラス基板上に作製した。尚、原料温度は、それぞ
れ８５℃、１５０℃、７３℃、並びにキャリアガス流量
は、それぞれ５００CCM、２０CCM、２．６×１０-3ｍｏ
ｌ／ｍｉｎであった。作製した膜は厚さ４００ｎｍ、抵
抗率２．６×１０-3Ωｃｍ、平均可視光透過率は８５％
以上であった。また、該膜をｘ線回折により分析を行な
ったところ、実施例１〜４で得られた膜の場合と同様の
ＧａＩｎＯ3が弱いながらも検出された。
Ｇａアセチルアセトネテート［Ｇａ（ａｃａｃ）3］、
Ｉｎ原料としてインジウムアセチルアセトネ−ト［Ｉｎ
（ａｃａｃ）3］、酸素原料としてＨ2Ｏを用い、全ての
原料を加熱されたステンレス製容器に充填し、ステンレ
ス配管を通じて原料ガスをキャリアガスとともに、石英
リアクタ内にセットされ３５０℃に加熱されているガラ
ス基板に向けて供給し該酸化物膜から成る該透明導電膜
を該ガラス基板上に作製した。尚、原料温度は、それぞ
れ８５℃、１５０℃、７３℃、並びにキャリアガス流量
は、それぞれ５００CCM、２０CCM、２．６×１０-3ｍｏ
ｌ／ｍｉｎであった。作製した膜は厚さ４００ｎｍ、抵
抗率２．６×１０-3Ωｃｍ、平均可視光透過率は８５％
以上であった。また、該膜をｘ線回折により分析を行な
ったところ、実施例１〜４で得られた膜の場合と同様の
ＧａＩｎＯ3が弱いながらも検出された。
【００１３】本発明になる透明導電膜は、前記実施例の
みに限定されるものではなく、種々の原材料、例えば、
前記実施例においては、すべての原料に酸化物を利用し
ていたが、III族を含む酸化物や気化しやすい低級酸化
物、アセテート、あるいはアルコレートのような有機金
属錯体等各種の化合物を適宜組み合わせて利用すること
ができる。即ち、Ｇａ原料として、塩化ガリウム（Ｇａ
Ｃｌ3）のような塩、Ｇａ（ＯＣ2Ｈ5）3のようなアルコ
キシド、あるいはハロゲナイド、さらにＧａ（Ｃ2Ｈ5）
2Ｃｌのような有機金属錯体、またジメチルＧａ［Ｇａ
（ＣＨ3）3］、ジエチルＧａ［Ｇａ（Ｃ2Ｈ5）3］のよ
うなアルキル化合物等多くの錯塩や錯体が利用できる。
また、III族元素であるＩｎについても上記と同様の化
合物群が利用できる事は言うまでもない。
みに限定されるものではなく、種々の原材料、例えば、
前記実施例においては、すべての原料に酸化物を利用し
ていたが、III族を含む酸化物や気化しやすい低級酸化
物、アセテート、あるいはアルコレートのような有機金
属錯体等各種の化合物を適宜組み合わせて利用すること
ができる。即ち、Ｇａ原料として、塩化ガリウム（Ｇａ
Ｃｌ3）のような塩、Ｇａ（ＯＣ2Ｈ5）3のようなアルコ
キシド、あるいはハロゲナイド、さらにＧａ（Ｃ2Ｈ5）
2Ｃｌのような有機金属錯体、またジメチルＧａ［Ｇａ
（ＣＨ3）3］、ジエチルＧａ［Ｇａ（Ｃ2Ｈ5）3］のよ
うなアルキル化合物等多くの錯塩や錯体が利用できる。
また、III族元素であるＩｎについても上記と同様の化
合物群が利用できる事は言うまでもない。
【発明の効果】本発明になる透明導電膜は、バンドギャ
ップが従来型透明導電膜とほぼ同様の３．４ｅＶ、光屈
折率は約１．８であり高いキャリア密度が容易に得られ
ることが大きな特徴である。その結果、高導電性が得ら
れ易く、しかも可視光領域における吸収が非常に少ない
という効果が得られた。その結果、透明導電膜に対する
多様なニ−ズに対応できる効果や、該透明導電膜は適度
な化学薬品耐性を実現できるという効果が得られた。
ップが従来型透明導電膜とほぼ同様の３．４ｅＶ、光屈
折率は約１．８であり高いキャリア密度が容易に得られ
ることが大きな特徴である。その結果、高導電性が得ら
れ易く、しかも可視光領域における吸収が非常に少ない
という効果が得られた。その結果、透明導電膜に対する
多様なニ−ズに対応できる効果や、該透明導電膜は適度
な化学薬品耐性を実現できるという効果が得られた。
【図１】本発明の実施例１で作製した擬２元系Ｇａ2Ｏ3
−Ｉｎ2Ｏ3の電気的特性のＧａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）組成依
存性。
−Ｉｎ2Ｏ3の電気的特性のＧａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）組成依
存性。
１・・・・・抵抗率 ２・・・・・キャリア密度 ３・・・・・移動度
Claims (7)
- 【請求項 １】基体上に、ガリウム（Ｇａ）、インジウ
ム（Ｉｎ）を含む酸化物膜、即ちＧａ2Ｏ3−Ｉｎ2Ｏ3で
示される擬２元系においてＧａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）で示さ
れるＧａ量が１５〜４９原子％、好ましくは２０〜４５
原子％含有する酸化物膜を形成して成ることを特徴とす
る透明導電膜。 - 【請求項 ２】前記請求項１記載の酸化物膜のＧａまた
はＩｎに対しIV族またはVII族元素を０．１から２０原
子％、好ましくは１から１０原子％の範囲で添加したこ
とを特徴とする請求項１記載の透明導電膜。 - 【請求項 ３】前記請求項２記載のIV族元素がシリコン
（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐ
ｂ）、チタニウム（Ｔｉ）あるいはジルコニウム（Ｚ
ｒ）である請求項１または２記載の透明導電膜。 - 【請求項 ４】前記請求項２記載のVII族元素がフッ素
（Ｆ）であり、その添加範囲は酸素（Ｏ）に対し０．１
〜２０％、好ましくは１〜１０％であることを特徴とす
る請求項１または２記載の透明導電膜。 - 【請求項 ５】前記請求項２記載の酸化物膜のＧａまた
はＩｎに対しイットリウム（Ｙ）を０．１から２０原子
％、好ましくは１から１０原子％の範囲で添加したこと
を特徴とする請求項１〜３または４記載の透明導電膜。 - 【請求項 ６】前記請求項１〜４または５記載の透明導
電膜を製造するために使用され、Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）
で示されるＧａ量が１５〜４９原子％、好ましくは２０
〜４５原子％の範囲にあることを特徴とするＧａ2Ｏ3−
Ｉｎ2Ｏ3系焼結体。 - 【請求項 ７】面状低抗体を製造するために使用される
前記請求項１〜４または５記載の透明導電膜、あるいは
６記載の焼結体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9596096A JPH09259640A (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | 透明導電膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9596096A JPH09259640A (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | 透明導電膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09259640A true JPH09259640A (ja) | 1997-10-03 |
Family
ID=14151801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9596096A Pending JPH09259640A (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | 透明導電膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09259640A (ja) |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6042752A (en) * | 1997-02-21 | 2000-03-28 | Asahi Glass Company Ltd. | Transparent conductive film, sputtering target and transparent conductive film-bonded substrate |
| US6897560B2 (en) | 2000-07-10 | 2005-05-24 | Japan Science & Technology Corporation | Ultraviolet-transparent conductive film and process for producing the same |
| JP2005347215A (ja) * | 2004-06-07 | 2005-12-15 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明導電膜、透明導電膜製造用焼結体ターゲット、透明導電性基材及びそれを用いた表示デバイス |
| WO2006030762A1 (ja) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | 透明導電膜及びその製造方法、並びに透明導電性基材、発光デバイス |
| JP2007113026A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明導電膜及びそれを含む透明導電性基材 |
| JP2007210823A (ja) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化物焼結体および、それを用いて得られる酸化物膜、それを含む透明基材 |
| JP2007277039A (ja) * | 2006-04-06 | 2007-10-25 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化物焼結体及びそれを用いた酸化物透明導電膜の製造方法 |
| JP2008226581A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明導電膜、およびこれを用いた透明導電性基板、透明導電性フィルム、並びに近赤外線遮断フィルター |
| US7476343B2 (en) | 2006-02-24 | 2009-01-13 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Sintered body target for transparent conductive film fabrication, transparent conductive film fabricated by using the same, and transparent conductive base material comprising this conductive film formed thereon |
| WO2009008297A1 (ja) | 2007-07-06 | 2009-01-15 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | 酸化物焼結体とその製造方法、ターゲット、及びそれを用いて得られる透明導電膜ならびに透明導電性基材 |
| US7563514B2 (en) * | 2004-02-27 | 2009-07-21 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Transparent conductive film and transparent conductive base material utilizing the same |
| EP2096188A1 (en) | 2006-12-13 | 2009-09-02 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Sputtering target and oxide semiconductor film |
| WO2009110539A1 (ja) * | 2008-03-06 | 2009-09-11 | 住友金属鉱山株式会社 | 半導体発光素子、該半導体発光素子の製造方法および該半導体発光素子を用いたランプ |
| JP2010010347A (ja) * | 2008-06-26 | 2010-01-14 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 薄膜太陽電池 |
| KR20110083601A (ko) | 2008-09-19 | 2011-07-20 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 산화물 소결체 및 스퍼터링 타겟 |
| US20120292617A1 (en) * | 2010-01-15 | 2012-11-22 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | In-Ga-O OXIDE SINTERED BODY, TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR |
| JP5348132B2 (ja) * | 2008-04-16 | 2013-11-20 | 住友金属鉱山株式会社 | 薄膜トランジスタ型基板、薄膜トランジスタ型液晶表示装置および薄膜トランジスタ型基板の製造方法 |
| JP2014096598A (ja) * | 2013-12-25 | 2014-05-22 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 薄膜太陽電池 |
| WO2016017546A1 (ja) * | 2014-08-01 | 2016-02-04 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化インジウム系酸化物焼結体とその製造方法 |
| JP2020122173A (ja) * | 2019-01-29 | 2020-08-13 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット部材、スパッタリングターゲット、スパッタ膜の製造方法、膜体の製造方法、積層構造体、積層構造体の製造方法、有機ｅｌ装置、及び有機ｅｌ装置の製造方法 |
-
1996
- 1996-03-25 JP JP9596096A patent/JPH09259640A/ja active Pending
Cited By (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6042752A (en) * | 1997-02-21 | 2000-03-28 | Asahi Glass Company Ltd. | Transparent conductive film, sputtering target and transparent conductive film-bonded substrate |
| US6897560B2 (en) | 2000-07-10 | 2005-05-24 | Japan Science & Technology Corporation | Ultraviolet-transparent conductive film and process for producing the same |
| KR101081871B1 (ko) * | 2004-02-27 | 2011-11-09 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 투명도전막 및 그것을 이용한 투명 도전성 기재 |
| US7563514B2 (en) * | 2004-02-27 | 2009-07-21 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Transparent conductive film and transparent conductive base material utilizing the same |
| JP2005347215A (ja) * | 2004-06-07 | 2005-12-15 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明導電膜、透明導電膜製造用焼結体ターゲット、透明導電性基材及びそれを用いた表示デバイス |
| WO2005122186A1 (ja) * | 2004-06-07 | 2005-12-22 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | 透明導電膜、透明導電膜製造用焼結体ターゲット、透明導電性基材及びそれを用いた表示デバイス |
| US7960033B2 (en) | 2004-06-07 | 2011-06-14 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Transparent conductive film, sintered body target for transparent conductive film fabrication, and transparent conductive base material and display device using the same |
| US7998603B2 (en) | 2004-06-07 | 2011-08-16 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Transparent conductive film, sintered body target for transparent conductive film fabrication, and transparent conductive base material and display device using the same |
| WO2006030762A1 (ja) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | 透明導電膜及びその製造方法、並びに透明導電性基材、発光デバイス |
| US8728615B2 (en) | 2004-09-13 | 2014-05-20 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Transparent conductive film and method of fabricating the same, transparent conductive base material, and light-emitting device |
| JPWO2006030762A1 (ja) * | 2004-09-13 | 2008-05-15 | 住友金属鉱山株式会社 | 透明導電膜及びその製造方法、並びに透明導電性基材、発光デバイス |
| TWI417905B (zh) * | 2004-09-13 | 2013-12-01 | 住友金屬鑛山股份有限公司 | A transparent conductive film and a method for manufacturing the same, and a transparent conductive substrate and a light-emitting device |
| JP2007113026A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明導電膜及びそれを含む透明導電性基材 |
| TWI447072B (zh) * | 2006-02-08 | 2014-08-01 | Sumitomo Metal Mining Co | An oxide sintered body, and an oxide film obtained by using the same, and a transparent substrate containing the same |
| US8080182B2 (en) | 2006-02-08 | 2011-12-20 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Oxide sintered body and an oxide film obtained by using it, and a transparent base material containing it |
| JP2007210823A (ja) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化物焼結体および、それを用いて得られる酸化物膜、それを含む透明基材 |
| US7476343B2 (en) | 2006-02-24 | 2009-01-13 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Sintered body target for transparent conductive film fabrication, transparent conductive film fabricated by using the same, and transparent conductive base material comprising this conductive film formed thereon |
| US7641818B2 (en) | 2006-02-24 | 2010-01-05 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Ga-In-O amorphous oxide transparent conductive film, and transparent conductive base material comprising this conductive film formed thereon |
| JP2007277039A (ja) * | 2006-04-06 | 2007-10-25 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化物焼結体及びそれを用いた酸化物透明導電膜の製造方法 |
| US8784700B2 (en) | 2006-12-13 | 2014-07-22 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Sputtering target and oxide semiconductor film |
| EP2096188A1 (en) | 2006-12-13 | 2009-09-02 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Sputtering target and oxide semiconductor film |
| JP2008226581A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明導電膜、およびこれを用いた透明導電性基板、透明導電性フィルム、並びに近赤外線遮断フィルター |
| US8440115B2 (en) | 2007-07-06 | 2013-05-14 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Oxide sintered body and production method therefor, target, and transparent conductive film and transparent conductive substrate obtained by using the same |
| EP2942337A1 (en) | 2007-07-06 | 2015-11-11 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Oxide sintered body and production method therefor, target, and transparent conductive film and transparent conductive substrate obtained by using the same |
| JP2015061821A (ja) * | 2007-07-06 | 2015-04-02 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化物焼結体とその製造方法、ターゲット、及びそれを用いて得られる透明導電膜ならびに透明導電性基材 |
| WO2009008297A1 (ja) | 2007-07-06 | 2009-01-15 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | 酸化物焼結体とその製造方法、ターゲット、及びそれを用いて得られる透明導電膜ならびに透明導電性基材 |
| JP2014005198A (ja) * | 2007-07-06 | 2014-01-16 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化物焼結体とその製造方法、ターゲット、及びそれを用いて得られる透明導電膜ならびに透明導電性基材 |
| JP5655306B2 (ja) * | 2007-07-06 | 2015-01-21 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化物焼結体とその製造方法、ターゲット、及びそれを用いて得られる透明導電膜ならびに透明導電性基材 |
| JP2014194084A (ja) * | 2007-07-06 | 2014-10-09 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明導電膜および透明導電性基材 |
| US8801973B2 (en) | 2007-07-06 | 2014-08-12 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Oxide sintered body and production method therefor, target, and transparent conductive film and transparent conductive substrate obtained by using the same |
| KR101481855B1 (ko) * | 2008-03-06 | 2015-01-12 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 반도체 발광소자, 반도체 발광소자의 제조방법 및 이 반도체 발광소자를 사용한 램프 |
| WO2009110539A1 (ja) * | 2008-03-06 | 2009-09-11 | 住友金属鉱山株式会社 | 半導体発光素子、該半導体発光素子の製造方法および該半導体発光素子を用いたランプ |
| US8633046B2 (en) | 2008-03-06 | 2014-01-21 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Manufacturing method for semiconductor light-emitting element |
| JP5348132B2 (ja) * | 2008-04-16 | 2013-11-20 | 住友金属鉱山株式会社 | 薄膜トランジスタ型基板、薄膜トランジスタ型液晶表示装置および薄膜トランジスタ型基板の製造方法 |
| JP2010010347A (ja) * | 2008-06-26 | 2010-01-14 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 薄膜太陽電池 |
| US9209257B2 (en) | 2008-09-19 | 2015-12-08 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Oxide sintered body and sputtering target |
| US8647537B2 (en) | 2008-09-19 | 2014-02-11 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Oxide sintered body and sputtering target |
| KR20110083601A (ko) | 2008-09-19 | 2011-07-20 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 산화물 소결체 및 스퍼터링 타겟 |
| US20120292617A1 (en) * | 2010-01-15 | 2012-11-22 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | In-Ga-O OXIDE SINTERED BODY, TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR |
| JP2014096598A (ja) * | 2013-12-25 | 2014-05-22 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 薄膜太陽電池 |
| WO2016017546A1 (ja) * | 2014-08-01 | 2016-02-04 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化インジウム系酸化物焼結体とその製造方法 |
| JP5983903B2 (ja) * | 2014-08-01 | 2016-09-06 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化インジウム系酸化物焼結体とその製造方法 |
| JP2020122173A (ja) * | 2019-01-29 | 2020-08-13 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット部材、スパッタリングターゲット、スパッタ膜の製造方法、膜体の製造方法、積層構造体、積層構造体の製造方法、有機ｅｌ装置、及び有機ｅｌ装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1306858B1 (en) | Process for producing an ultraviolet-transparent conductive film | |
| Phillips et al. | Transparent conducting thin films of GaInO3 | |
| CA1121666A (en) | Tin oxide coatings | |
| JP3358893B2 (ja) | ガリウム−インジウム酸化物を含む透明導電体 | |
| Jayathilake et al. | Overview on transparent conducting oxides and state of the art of low-cost doped ZnO systems | |
| JP3616128B2 (ja) | 透明導電膜の製造方法 | |
| Subramanyam et al. | Effect of substrate temperature on the physical properties of DC reactive magnetron sputtered ZnO films | |
| JP3163015B2 (ja) | 透明導電膜 | |
| CN107910094A (zh) | 透明导电膜与制备方法、溅射靶与透明导电性基板及太阳能电池 | |
| JPH08264021A (ja) | 透明導電膜 | |
| CN102640254B (zh) | 通过UV-辅助的化学气相沉积在聚合物基底上沉积掺杂的ZnO薄膜 | |
| JPS62154411A (ja) | 透明導電膜 | |
| JPH0372011B2 (ja) | ||
| Naseem et al. | Optoelectrical and structural properties of evaporated indium oxide thin films | |
| JPH08264022A (ja) | 透明導電膜 | |
| CN1598040A (zh) | 相变温度可调的氧化钒薄膜的制备方法 | |
| JPH08264023A (ja) | 透明導電膜 | |
| CN112941476A (zh) | 一种二氧化锡/铜/二氧化锡多层透明导电薄膜及其制备方法与应用 | |
| JPH0784654B2 (ja) | Ｉｔｏ透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| Minami et al. | Highly transparent and conductive ZnO–In 2 O 3 thin films prepared by atmospheric pressure chemical vapor deposition | |
| JPH054768B2 (ja) | ||
| JP2002075062A (ja) | 透明導電膜 | |
| JP3205036B2 (ja) | 透明導電膜 | |
| CN115188524B (zh) | 一种高导电p型非晶态透明导电薄膜材料及其制备方法 | |
| JP2002075061A (ja) | 透明導電膜 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20050301 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20060328 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060420 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20070123 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070209 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20070508 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |