JPH09260237A - 電子銃、電子ビーム装置及び電子ビーム照射方法 - Google Patents
電子銃、電子ビーム装置及び電子ビーム照射方法Info
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- JPH09260237A JPH09260237A JP8063512A JP6351296A JPH09260237A JP H09260237 A JPH09260237 A JP H09260237A JP 8063512 A JP8063512 A JP 8063512A JP 6351296 A JP6351296 A JP 6351296A JP H09260237 A JPH09260237 A JP H09260237A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】放射電子ビームの電流密度分布をより均一化
し、寿命を長くし、調整を容易にする。 【解決手段】先端部が略円錐台のカソード４０と対向し
て、光軸部にアパーチャが形成された制御電極４９、引
出電極４８、レンズ電極４２及びアノード４１がこの順
に配置されている。制御電極４９は、そのアパーチャＡ
２の光軸方向位置がカソードの先端面位置に略等しい。
引出電極４８のアパーチャＡ３は、カソード先端面より
小さい。アノード電位Ｖ０より低くカソード電位Ｖ１よ
り高い電位Ｖ３を引出電極に印加して電子ビームをカソ
ード４０から引き出させ、アパーチャＡ３を出た電子ビ
ームをアノードとカソードの電位差で加速させ、カソー
ド電位Ｖ１よりも低い電位Ｖ２及びＶ４をそれぞれ制御
電極４９及びレンズ電極４２に印加してカソード電流及
びクロスオーバ位置を独立に調整する。カソードを流れ
る電流Ｉ１と引出電極を流れる電流Ｉ２との差が一定に
なるように制御電位Ｖ２を調整する。
し、寿命を長くし、調整を容易にする。 【解決手段】先端部が略円錐台のカソード４０と対向し
て、光軸部にアパーチャが形成された制御電極４９、引
出電極４８、レンズ電極４２及びアノード４１がこの順
に配置されている。制御電極４９は、そのアパーチャＡ
２の光軸方向位置がカソードの先端面位置に略等しい。
引出電極４８のアパーチャＡ３は、カソード先端面より
小さい。アノード電位Ｖ０より低くカソード電位Ｖ１よ
り高い電位Ｖ３を引出電極に印加して電子ビームをカソ
ード４０から引き出させ、アパーチャＡ３を出た電子ビ
ームをアノードとカソードの電位差で加速させ、カソー
ド電位Ｖ１よりも低い電位Ｖ２及びＶ４をそれぞれ制御
電極４９及びレンズ電極４２に印加してカソード電流及
びクロスオーバ位置を独立に調整する。カソードを流れ
る電流Ｉ１と引出電極を流れる電流Ｉ２との差が一定に
なるように制御電位Ｖ２を調整する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子銃、電子ビー
ム露光装置等の電子ビーム装置及び電子ビーム露光方法
等の電子ビーム照射方法に関する。
ム露光装置等の電子ビーム装置及び電子ビーム露光方法
等の電子ビーム照射方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来の電子ビーム露光装置の概
略構成を示す。電子銃１０Ａから放射された電子ビーム
は、その横断面が、ステンシルマスク１２上の選択され
たブロックの透過孔パターンにより成形され、半導体ウ
ェーハ１１上に縮小照射される。これにより、電子ビー
ムの１ショットで、半導体ウェーハ１１上のレジスト膜
に微細パターンが露光される。
略構成を示す。電子銃１０Ａから放射された電子ビーム
は、その横断面が、ステンシルマスク１２上の選択され
たブロックの透過孔パターンにより成形され、半導体ウ
ェーハ１１上に縮小照射される。これにより、電子ビー
ムの１ショットで、半導体ウェーハ１１上のレジスト膜
に微細パターンが露光される。
【０００３】図３中、ＡＸは光軸であり、１３は電子ビ
ームの軌跡を折線近似で表したものであり、１３Ａは電
子ビームの電磁レンズによる屈折が分かるように軌跡１
３を光軸ＡＸに垂直な方向へ拡大したものである。２１
Ａ、２１Ｂ、２２Ａ、２２Ｂ及び２３〜２５は電磁レン
ズであり、３０及び３１は絞りである。電磁レンズ２３
は、絞り３１の開口位置に電子ビームのクロスオーバを
形成するためのもの、かつ、縮小用であり、電磁レンズ
２４は縮小用であり、電磁レンズ２５は半導体ウェーハ
１１上に結像させるための対物レンズである。絞り３１
は、電子ビームの角度制限用であり、その開口は円形で
ある。３２及び３３はそれぞれ、電子ビームを半導体ウ
ェーハ１１上で走査するための主偏向器及び副偏向器で
あり、３４は、露光しない期間に絞り３１との組で電子
ビームを遮るためのブランキング用偏向器である。図３
では簡単化のために、ステンシルマスク１２上のブロッ
ク選択用偏向器及びブロックを通過した電子ビームを光
軸上に戻すための偏向器等を図示省略している。
ームの軌跡を折線近似で表したものであり、１３Ａは電
子ビームの電磁レンズによる屈折が分かるように軌跡１
３を光軸ＡＸに垂直な方向へ拡大したものである。２１
Ａ、２１Ｂ、２２Ａ、２２Ｂ及び２３〜２５は電磁レン
ズであり、３０及び３１は絞りである。電磁レンズ２３
は、絞り３１の開口位置に電子ビームのクロスオーバを
形成するためのもの、かつ、縮小用であり、電磁レンズ
２４は縮小用であり、電磁レンズ２５は半導体ウェーハ
１１上に結像させるための対物レンズである。絞り３１
は、電子ビームの角度制限用であり、その開口は円形で
ある。３２及び３３はそれぞれ、電子ビームを半導体ウ
ェーハ１１上で走査するための主偏向器及び副偏向器で
あり、３４は、露光しない期間に絞り３１との組で電子
ビームを遮るためのブランキング用偏向器である。図３
では簡単化のために、ステンシルマスク１２上のブロッ
ク選択用偏向器及びブロックを通過した電子ビームを光
軸上に戻すための偏向器等を図示省略している。
【０００４】ステンシルマスク１２上の１ショット範囲
は、複数の透過孔パターンを含む矩形ブロックであり、
これに対応して絞り３０の開口も矩形である。電子銃１
０Ａの概略構成を図４に示す。電子銃１０Ａは、カソー
ド４０Ａと、アノード４１と、ウェーネルト４２Ａと、
ヒータ４３及び４４と、リード４５及び４６と、絶縁体
４７１とを備えている。カソード４０Ａの先端は、高電
界形成のために尖っており、その曲率半径は１００μｍ
程度である。ウェーネルト４２Ａに形成されたアパーチ
ャＡ０の直径Ｌ４は１．５ｍｍ程度であり、アノード４
１とウェーネルト４２Ａとの間隔Ｌ５’は１５ｍｍ程度
である。
は、複数の透過孔パターンを含む矩形ブロックであり、
これに対応して絞り３０の開口も矩形である。電子銃１
０Ａの概略構成を図４に示す。電子銃１０Ａは、カソー
ド４０Ａと、アノード４１と、ウェーネルト４２Ａと、
ヒータ４３及び４４と、リード４５及び４６と、絶縁体
４７１とを備えている。カソード４０Ａの先端は、高電
界形成のために尖っており、その曲率半径は１００μｍ
程度である。ウェーネルト４２Ａに形成されたアパーチ
ャＡ０の直径Ｌ４は１．５ｍｍ程度であり、アノード４
１とウェーネルト４２Ａとの間隔Ｌ５’は１５ｍｍ程度
である。
【０００５】カソード４０Ａからの熱電子放出のため
に、リード４５とリード４６との間に直流電源５０が接
続されて加熱される。カソード４０Ａから放出された電
子ビームＥＢ０を加速して所定エネルギーにするため
に、直流電源５１の正極端子がアノード４１に接続され
且つ接地され、直流電源５１の負極端子が電流計５２、
バイアス抵抗５３を介し、さらに、一方ではバイアス抵
抗５４を介してリード４５に接続され、他方ではバイア
ス抵抗５５を介してリード４６に接続されている。ウェ
ーネルト４２Ａの電位は、電流計５２で検出されたカソ
ード電流Ｉ１が設定値になるように、制御回路５６で制
御される。ウェーネルト４２Ａの電位はカソード４０Ａ
のそれよりも低く、ウェーネルト４２Ａの電位に応じ
て、カソード４０Ａの出力電流が制限され、且つ、ウェ
ーネルト４２Ａによるレンズ効果により電子ビームＥＢ
０にクロスオーバＣＯが形成される。
に、リード４５とリード４６との間に直流電源５０が接
続されて加熱される。カソード４０Ａから放出された電
子ビームＥＢ０を加速して所定エネルギーにするため
に、直流電源５１の正極端子がアノード４１に接続され
且つ接地され、直流電源５１の負極端子が電流計５２、
バイアス抵抗５３を介し、さらに、一方ではバイアス抵
抗５４を介してリード４５に接続され、他方ではバイア
ス抵抗５５を介してリード４６に接続されている。ウェ
ーネルト４２Ａの電位は、電流計５２で検出されたカソ
ード電流Ｉ１が設定値になるように、制御回路５６で制
御される。ウェーネルト４２Ａの電位はカソード４０Ａ
のそれよりも低く、ウェーネルト４２Ａの電位に応じ
て、カソード４０Ａの出力電流が制限され、且つ、ウェ
ーネルト４２Ａによるレンズ効果により電子ビームＥＢ
０にクロスオーバＣＯが形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のような電子銃１
０Ａには、以下のような問題点がある。 １）．電流密度不均一 電子銃１０Ａから放射された電子ビームの横断面の電流
密度は、図３中に示すように略ガウス分布であり、不均
一であるので、絞り３０によりガウス分布の裾部がカッ
トされる。この不均一により、以下のような問題（１）
〜（４）が生ずる。
０Ａには、以下のような問題点がある。 １）．電流密度不均一 電子銃１０Ａから放射された電子ビームの横断面の電流
密度は、図３中に示すように略ガウス分布であり、不均
一であるので、絞り３０によりガウス分布の裾部がカッ
トされる。この不均一により、以下のような問題（１）
〜（４）が生ずる。
【０００７】（１）レジストパターンの精度低下 半導体ウェーハ１１上において、例えば、１ショットの
ブロックが５μｍ×５μｍでブロック内に形成すべきパ
ターンの幅が０．１μｍのとき、電流密度不均一に起因
してブロックの内中央部と周部とのパターン幅の誤差が
０．０３μｍ程度になり、パターンの微細化が制限され
る。この誤差を低減するために、絞り３０の開口及びス
テンシルマスク１２上のブロックの一辺の長さを例えば
１／１．４にすると、ショット数が約２倍になり、露光
のスループットが大幅に低下する。
ブロックが５μｍ×５μｍでブロック内に形成すべきパ
ターンの幅が０．１μｍのとき、電流密度不均一に起因
してブロックの内中央部と周部とのパターン幅の誤差が
０．０３μｍ程度になり、パターンの微細化が制限され
る。この誤差を低減するために、絞り３０の開口及びス
テンシルマスク１２上のブロックの一辺の長さを例えば
１／１．４にすると、ショット数が約２倍になり、露光
のスループットが大幅に低下する。
【０００８】（２）絞り３０での問題 上記ガウス分布により、電子銃１０Ａから放射された電
子ビームＥＢ０の大部分は絞り３０に衝突し、無駄にな
る。例えば、絞り３０への入力電流７００μＡに対し絞
り３０を通過する電流は２０μＡである。電子ビームＥ
Ｂ０は、カソード４０Ａとアノード４１との間の高電
圧、例えば５０ＫＶで加速されているので、絞り３０の
発熱量が大きく、衝突により原子が蒸発し、コンタミネ
ーションが絞り３０のアパーチャＡ５の縁部に付着し
て、露光パターンの形状が変化する。
子ビームＥＢ０の大部分は絞り３０に衝突し、無駄にな
る。例えば、絞り３０への入力電流７００μＡに対し絞
り３０を通過する電流は２０μＡである。電子ビームＥ
Ｂ０は、カソード４０Ａとアノード４１との間の高電
圧、例えば５０ＫＶで加速されているので、絞り３０の
発熱量が大きく、衝突により原子が蒸発し、コンタミネ
ーションが絞り３０のアパーチャＡ５の縁部に付着し
て、露光パターンの形状が変化する。
【０００９】例えば、アパーチャＡ５が１５０μｍ×１
５０μｍ、ステンシルマスク１２上のブロックが３００
μｍ×３００μｍで、このブロックのパターンが上記の
ように半導体ウェーハ１１上で５μｍ×５μｍに縮小投
影される場合を考える。アパーチャＡ５の縁に厚さ１μ
ｍのコンタミネーションが付着すると、１×（５／１５
０）＝０．０３μｍの誤差がパターンに生じ、幅０．１
μｍのパターンにとっては誤差が３０％にもなる。この
ため、絞り３０の寿命が短くなる。
５０μｍ、ステンシルマスク１２上のブロックが３００
μｍ×３００μｍで、このブロックのパターンが上記の
ように半導体ウェーハ１１上で５μｍ×５μｍに縮小投
影される場合を考える。アパーチャＡ５の縁に厚さ１μ
ｍのコンタミネーションが付着すると、１×（５／１５
０）＝０．０３μｍの誤差がパターンに生じ、幅０．１
μｍのパターンにとっては誤差が３０％にもなる。この
ため、絞り３０の寿命が短くなる。
【００１０】（３）ステンシルマスク１２での問題 ステンシルマスク１２は、微細パターン形成のために、
パターン形成領域の厚さが２０μｍ程度に薄くされ、放
熱条件が悪い。他方、絞り３０を通過した高エネルギー
の電子ビームがステンシルマスク１２に照射される。こ
の電子ビームの電流密度分布が不均一であるので、電流
密度分布の低い縁部の電流密度を基準にして電子ビーム
の電流が定められ、ステンシルマスク１２上の電子ビー
ム照射量が必要以上に多くなる原因となる。また、電子
ビームエネルギーを上昇させると、電子ビーム衝突によ
りステンシルマスク１２がさらに加熱されて熔融するの
で、電流密度分布が不均一であるほど電子ビーム照射量
の上限が低くなる。
パターン形成領域の厚さが２０μｍ程度に薄くされ、放
熱条件が悪い。他方、絞り３０を通過した高エネルギー
の電子ビームがステンシルマスク１２に照射される。こ
の電子ビームの電流密度分布が不均一であるので、電流
密度分布の低い縁部の電流密度を基準にして電子ビーム
の電流が定められ、ステンシルマスク１２上の電子ビー
ム照射量が必要以上に多くなる原因となる。また、電子
ビームエネルギーを上昇させると、電子ビーム衝突によ
りステンシルマスク１２がさらに加熱されて熔融するの
で、電流密度分布が不均一であるほど電子ビーム照射量
の上限が低くなる。
【００１１】（４）絞り３１での問題 電子ビーム内での電子相互間のクーロン反発力により電
子ビームが広がる。電子ビームの中心部の電流密度分布
が必要以上に大きいので、この広がりが大きくなる。こ
のため、絞り３１を通過できる電流の割合が小さくな
る。例えば、絞り３０の通過電流が２０μＡの場合、絞
り３１を通過できるのは１０μＡ程度である。絞り３１
を通過できなかった無駄な電流は、鏡筒内の部材へのコ
ンタミネーション付着及びチャージアップへの原因とな
り、チャージアップにより電子ビーム光路中の電界が乱
される。
子ビームが広がる。電子ビームの中心部の電流密度分布
が必要以上に大きいので、この広がりが大きくなる。こ
のため、絞り３１を通過できる電流の割合が小さくな
る。例えば、絞り３０の通過電流が２０μＡの場合、絞
り３１を通過できるのは１０μＡ程度である。絞り３１
を通過できなかった無駄な電流は、鏡筒内の部材へのコ
ンタミネーション付着及びチャージアップへの原因とな
り、チャージアップにより電子ビーム光路中の電界が乱
される。
【００１２】また、露光待機中にブランキング偏向器３
４で電子ビームを振ってこれを絞り３１で遮る場合、電
子ビームの上記広がりに応じてビーム偏向量を大きくし
なければならず、高速なブランキングが妨げられ、スル
ープット低下の原因となる。 ２）．電子銃１０Ａの寿命短縮 電子ビーム衝突により絞り３０又はアノード４１で生じ
た正イオンは、その一部がアノード４１とカソード４０
Ａとの間の高電界によってカソード４０Ａの先端部に衝
突し、先端部形状が変化する。これにより、カソード４
０Ａの先端部からの電子ビーム放射特性が劣化し、電子
銃１０Ａが短寿命となる。
４で電子ビームを振ってこれを絞り３１で遮る場合、電
子ビームの上記広がりに応じてビーム偏向量を大きくし
なければならず、高速なブランキングが妨げられ、スル
ープット低下の原因となる。 ２）．電子銃１０Ａの寿命短縮 電子ビーム衝突により絞り３０又はアノード４１で生じ
た正イオンは、その一部がアノード４１とカソード４０
Ａとの間の高電界によってカソード４０Ａの先端部に衝
突し、先端部形状が変化する。これにより、カソード４
０Ａの先端部からの電子ビーム放射特性が劣化し、電子
銃１０Ａが短寿命となる。
【００１３】３）．電子銃１０Ａの調整が困難 制御回路５６により電流Ｉ１が一定に制御されるので、
カソード４０Ａの温度や先端部形状変化に応じてウェー
ネルト４２Ａの電位が変化する。これにより、クロスオ
ーバＣＯの位置及びカソード４０Ａの先端部の電子ビー
ム放射境界線Ｂが変化するので、ステンシルマスク１２
上での電流密度分布及び絞り３１を通過する電子ビーム
の電流量が変化する。この変化に応じてより適正な露光
を行うためには、直流電源５１の電圧や電流Ｉ１の設定
を変える必要があるが、制御量が互いに関係して複雑で
あるので、調整が困難である。
カソード４０Ａの温度や先端部形状変化に応じてウェー
ネルト４２Ａの電位が変化する。これにより、クロスオ
ーバＣＯの位置及びカソード４０Ａの先端部の電子ビー
ム放射境界線Ｂが変化するので、ステンシルマスク１２
上での電流密度分布及び絞り３１を通過する電子ビーム
の電流量が変化する。この変化に応じてより適正な露光
を行うためには、直流電源５１の電圧や電流Ｉ１の設定
を変える必要があるが、制御量が互いに関係して複雑で
あるので、調整が困難である。
【００１４】以上の問題点は、ステンシルマスク１２の
替わりに矩形マスク又はブランキングアパーチャアレイ
を用いた露光装置においても生ずる。本発明の目的は、
上記問題点に鑑み、放射電子ビームの電流密度分布をよ
り均一化することができ、寿命を長くすることができ、
しかも調整が容易な電子銃並びにこの電子銃を用いた電
子ビーム装置及び電子ビーム照射方法を提供することに
ある。
替わりに矩形マスク又はブランキングアパーチャアレイ
を用いた露光装置においても生ずる。本発明の目的は、
上記問題点に鑑み、放射電子ビームの電流密度分布をよ
り均一化することができ、寿命を長くすることができ、
しかも調整が容易な電子銃並びにこの電子銃を用いた電
子ビーム装置及び電子ビーム照射方法を提供することに
ある。
【００１５】
【課題を解決するための手段及びその作用効果】第１発
明の電子銃では、先端部が略錐状で先端面を有するカソ
ードと、該カソードと対向して配置され、光軸部に第１
アパーチャが形成されたアノードと、該カソードの先端
面より大きい第２アパーチャが光軸部に形成され、該第
２アパーチャの光軸方向位置が該カソードの先端面の位
置に略等しくなるように配置され、該カソードを流れる
電流を制御するために該カソード電位よりも低い電位が
印加される制御電極と、 該カソードと該アノードとの
間に該カソードと対向して配置され、アノード電位より
低くカソード電位より高い電位が印加され、該カソード
の該先端面より小さい第３アパーチャが光軸部に形成さ
れた引出電極と、該引出電極と該アノードとの間に配置
され、電子ビームのクロスオーバを形成するために該カ
ソード電位よりも低い電位が印加され、該第３アパーチ
ャより大きい第４アパーチャが光軸部に形成されたレン
ズ電極と、を有する。
明の電子銃では、先端部が略錐状で先端面を有するカソ
ードと、該カソードと対向して配置され、光軸部に第１
アパーチャが形成されたアノードと、該カソードの先端
面より大きい第２アパーチャが光軸部に形成され、該第
２アパーチャの光軸方向位置が該カソードの先端面の位
置に略等しくなるように配置され、該カソードを流れる
電流を制御するために該カソード電位よりも低い電位が
印加される制御電極と、 該カソードと該アノードとの
間に該カソードと対向して配置され、アノード電位より
低くカソード電位より高い電位が印加され、該カソード
の該先端面より小さい第３アパーチャが光軸部に形成さ
れた引出電極と、該引出電極と該アノードとの間に配置
され、電子ビームのクロスオーバを形成するために該カ
ソード電位よりも低い電位が印加され、該第３アパーチ
ャより大きい第４アパーチャが光軸部に形成されたレン
ズ電極と、を有する。
【００１６】この第１発明によれば、カソード先端部が
略錐状で先端面を有し、引出電極がカソードと対向して
配置され、引出電極の光軸部に形成された第３アパーチ
ャがカソード先端面より小さいので、第３アパーチャを
通過した電子ビームの電流密度分布を従来よりも均一化
することができるという効果を奏する。引出電極はカソ
ードからの電子引き出しのために用いられ、加速がアノ
ードによるそれより充分小さいので引出電極での発熱は
比較的少ない。
略錐状で先端面を有し、引出電極がカソードと対向して
配置され、引出電極の光軸部に形成された第３アパーチ
ャがカソード先端面より小さいので、第３アパーチャを
通過した電子ビームの電流密度分布を従来よりも均一化
することができるという効果を奏する。引出電極はカソ
ードからの電子引き出しのために用いられ、加速がアノ
ードによるそれより充分小さいので引出電極での発熱は
比較的少ない。
【００１７】また、電子ビーム放射特性を悪化させない
ためのカソードの位置の許容範囲が比較的大きいので、
電子銃の組立が容易であり、さらに、正イオンがカソー
ドの先端面に衝突してその表面形状が変化しても、電子
ビーム放射特性には殆ど影響を与えないので、メンテナ
ンスが容易であり、かつ、電子銃が長寿命となる。さら
に、制御電極の電位を変化させて電子ビーム放射電流を
変化させても、クロスオーバの位置並びに第３アパーチ
ャを通過した電子ビームの外形及び電流密度分布は殆ど
変化せず、クロスオーバの位置はレンズ電極の電位によ
り定まるので、電子銃の調整が容易である。
ためのカソードの位置の許容範囲が比較的大きいので、
電子銃の組立が容易であり、さらに、正イオンがカソー
ドの先端面に衝突してその表面形状が変化しても、電子
ビーム放射特性には殆ど影響を与えないので、メンテナ
ンスが容易であり、かつ、電子銃が長寿命となる。さら
に、制御電極の電位を変化させて電子ビーム放射電流を
変化させても、クロスオーバの位置並びに第３アパーチ
ャを通過した電子ビームの外形及び電流密度分布は殆ど
変化せず、クロスオーバの位置はレンズ電極の電位によ
り定まるので、電子銃の調整が容易である。
【００１８】第１発明の第１態様では、上記カソードの
先端面の少なくとも上記第３アパーチャに対応する部分
が略平面である。この第１態様によれば、第３アパーチ
ャを通過した電子ビームの電流密度分布をより均一化す
ることができるという効果を奏する。第１発明の第２態
様では、電子銃から放射された電子ビームを電子レンズ
で対象物上に収束させて照射させる電子ビーム装置、例
えば電子ビーム露光装置において、該電子銃は上記いず
れかの電子銃である。
先端面の少なくとも上記第３アパーチャに対応する部分
が略平面である。この第１態様によれば、第３アパーチ
ャを通過した電子ビームの電流密度分布をより均一化す
ることができるという効果を奏する。第１発明の第２態
様では、電子銃から放射された電子ビームを電子レンズ
で対象物上に収束させて照射させる電子ビーム装置、例
えば電子ビーム露光装置において、該電子銃は上記いず
れかの電子銃である。
【００１９】第２発明では、上記第１発明の電子銃から
放射された電子ビームを電子レンズで対象物上に収束さ
せて照射させる電子ビーム照射方法であって、アノード
電位Ｖ０より低くカソード電位Ｖ１より高い電位Ｖ３を
上記引出電極に印加して電子ビームを上記カソードから
引き出させ、該アノード電位Ｖ０に対し負の該カソード
電位Ｖ１を該カソードに印加して、該カソードの上記第
３アパーチャに対応した部分から放出された該電子ビー
ムを加速させ、該カソード電位Ｖ１よりも低い電位Ｖ２
を上記制御電極に印加して該カソードを流れる電流を制
御し、該カソード電位Ｖ１よりも低い電位Ｖ４を上記レ
ンズ電極に印加して、該第３アパーチャを通過した該電
子ビームのクロスオーバを形成する。
放射された電子ビームを電子レンズで対象物上に収束さ
せて照射させる電子ビーム照射方法であって、アノード
電位Ｖ０より低くカソード電位Ｖ１より高い電位Ｖ３を
上記引出電極に印加して電子ビームを上記カソードから
引き出させ、該アノード電位Ｖ０に対し負の該カソード
電位Ｖ１を該カソードに印加して、該カソードの上記第
３アパーチャに対応した部分から放出された該電子ビー
ムを加速させ、該カソード電位Ｖ１よりも低い電位Ｖ２
を上記制御電極に印加して該カソードを流れる電流を制
御し、該カソード電位Ｖ１よりも低い電位Ｖ４を上記レ
ンズ電極に印加して、該第３アパーチャを通過した該電
子ビームのクロスオーバを形成する。
【００２０】第２発明の第１態様では、上記カソードを
流れる電流と上記引出電極を流れる電流との差を検出
し、該差が一定になるように上記制御電位Ｖ２を調整す
る。この第１態様によれば、クロスオーバの位置、電子
ビームの外形及び電流密度分布が殆ど変化することな
く、電子銃の放射電流が一定に制御される。
流れる電流と上記引出電極を流れる電流との差を検出
し、該差が一定になるように上記制御電位Ｖ２を調整す
る。この第１態様によれば、クロスオーバの位置、電子
ビームの外形及び電流密度分布が殆ど変化することな
く、電子銃の放射電流が一定に制御される。
【００２１】第２発明の第２態様では、上記カソードを
流れる電流をカソード電流として検出し、該カソード電
流が一定になるように上記制御電極の電位Ｖ２を調整す
る。カソードを流れる電流と引出電極を流れる電流とは
ほぼ比例するので、カソード電流を一定に制御すればカ
ソードを流れる電流と引出電極を流れる電流との差もほ
ぼ一定になり、電子銃の放射電流がほぼ一定に制御され
る。この場合も、クロスオーバの位置、電子ビームの外
形及び電流密度分布は殆ど変化しない。
流れる電流をカソード電流として検出し、該カソード電
流が一定になるように上記制御電極の電位Ｖ２を調整す
る。カソードを流れる電流と引出電極を流れる電流とは
ほぼ比例するので、カソード電流を一定に制御すればカ
ソードを流れる電流と引出電極を流れる電流との差もほ
ぼ一定になり、電子銃の放射電流がほぼ一定に制御され
る。この場合も、クロスオーバの位置、電子ビームの外
形及び電流密度分布は殆ど変化しない。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の一
実施形態を説明する。図１は、電子銃１０の概略構成
の、光軸を通る縦断面を示す。図中の構成要素のスケー
ルは正確でない。カソード４０は、例えばＬａＢ6 （ラ
ンタンヘキサホライド）で形成され、上部が角柱で下部
が略円錐台となっている。カソード４０の先端面に対向
して、引出電極４８が配置されている。引出電極４８
は、光軸に関し回転対称で、その光軸部にアパーチャＡ
３が形成されている。例えば、カソード４０の先端面の
直径Ｌ２＝３００μｍに対しアパーチャＡ３の直径Ｌ３
＝３０μｍである。
実施形態を説明する。図１は、電子銃１０の概略構成
の、光軸を通る縦断面を示す。図中の構成要素のスケー
ルは正確でない。カソード４０は、例えばＬａＢ6 （ラ
ンタンヘキサホライド）で形成され、上部が角柱で下部
が略円錐台となっている。カソード４０の先端面に対向
して、引出電極４８が配置されている。引出電極４８
は、光軸に関し回転対称で、その光軸部にアパーチャＡ
３が形成されている。例えば、カソード４０の先端面の
直径Ｌ２＝３００μｍに対しアパーチャＡ３の直径Ｌ３
＝３０μｍである。
【００２３】カソード４０の先端面が平面で、これに、
平坦な引出電極４８が平行に配置され、かつ、アパーチ
ャＡ３の直径よりもカソード４０の先端面直径の方が大
きいので、図２に示す如く、引出電極４８の電位Ｖ３を
カソード４０の電位Ｖ１より高くしてカソード４０から
電子ビームＥＢ１を引き出すと、電子ビームＥＢ１の軌
跡は、引出電極４８上でその面にほぼ垂直になる。ま
た、引出電極４８上の、アパーチャＡ３の中心を通る直
線上での電流密度分布は、図２（Ｂ）に示す如く、カソ
ード４０の直径Ｌ２に対応した範囲でほぼ一定になる。
したがって、アパーチャＡ３を通過した電子ビームＥＢ
２の電流密度分布は略均一になる。
平坦な引出電極４８が平行に配置され、かつ、アパーチ
ャＡ３の直径よりもカソード４０の先端面直径の方が大
きいので、図２に示す如く、引出電極４８の電位Ｖ３を
カソード４０の電位Ｖ１より高くしてカソード４０から
電子ビームＥＢ１を引き出すと、電子ビームＥＢ１の軌
跡は、引出電極４８上でその面にほぼ垂直になる。ま
た、引出電極４８上の、アパーチャＡ３の中心を通る直
線上での電流密度分布は、図２（Ｂ）に示す如く、カソ
ード４０の直径Ｌ２に対応した範囲でほぼ一定になる。
したがって、アパーチャＡ３を通過した電子ビームＥＢ
２の電流密度分布は略均一になる。
【００２４】これにより、従来技術で述べた問題点が解
決される。すなわち、（１）露光により得られるレジス
トパターンの精度が高くなって、より微細なパターンを
露光することが可能となり、（２）絞り３０への衝突電
流が大幅に低減され、絞り３０の加熱によるコンタミネ
ーション付着やチャージアップの問題が低減され、絞り
３０の寿命が長くなり、（３）ステンシルマスク１２に
衝突する無駄な電子ビームが低減されて、ステンシルマ
スク１２が溶融しないための電子ビームエネルギーの上
限がより高くなり、ステンシルマスク１２の寿命が長く
なり、（４）絞り３１のアパーチャを通過する電流の割
合が増加し、コンタミネーション付着やチャージアップ
の問題が低減され、ブランキング偏向器３４と絞り３１
との組を用いたより高速なブランキングが可能となる。
決される。すなわち、（１）露光により得られるレジス
トパターンの精度が高くなって、より微細なパターンを
露光することが可能となり、（２）絞り３０への衝突電
流が大幅に低減され、絞り３０の加熱によるコンタミネ
ーション付着やチャージアップの問題が低減され、絞り
３０の寿命が長くなり、（３）ステンシルマスク１２に
衝突する無駄な電子ビームが低減されて、ステンシルマ
スク１２が溶融しないための電子ビームエネルギーの上
限がより高くなり、ステンシルマスク１２の寿命が長く
なり、（４）絞り３１のアパーチャを通過する電流の割
合が増加し、コンタミネーション付着やチャージアップ
の問題が低減され、ブランキング偏向器３４と絞り３１
との組を用いたより高速なブランキングが可能となる。
【００２５】図１において、引出電極４８がアノード４
１よりもずっとカソード４０に接近して配置されている
ので、例えば、Ｖ１＝−５０ＫＶに対しＶ３＝−４９Ｋ
Ｖとすればよく、この場合、引出電極４８の位置での電
子ビームＥＢ１のエネルギーはアノード４１の位置での
それの１／５０となり、電子ビームＥＢ１の引出電極４
８への衝突による発熱量は比較的少ない。
１よりもずっとカソード４０に接近して配置されている
ので、例えば、Ｖ１＝−５０ＫＶに対しＶ３＝−４９Ｋ
Ｖとすればよく、この場合、引出電極４８の位置での電
子ビームＥＢ１のエネルギーはアノード４１の位置での
それの１／５０となり、電子ビームＥＢ１の引出電極４
８への衝突による発熱量は比較的少ない。
【００２６】カソード４０の先端面Ｓ１から放射される
電子ビームＥＢ１の量を制御し、カソード４０の側面Ｓ
２から放出される電子を抑制し、かつ、側面Ｓ２から放
出された電子が引出電極４８へ向かうのを阻止するため
に、先端面Ｓ１に略等しい高さ位置に制御電極４９が配
置されている。制御電極４９は、光軸に関し回転対称
で、中央部にアパーチャＡ２が形成されている。アパー
チャＡ２の直径Ｌ１は、Ｌ２よりも大きく、例えば１ｍ
ｍである。制御電極４９には、電位Ｖ１よりも低い電位
Ｖ２、例えば−５１ＫＶが印加される。
電子ビームＥＢ１の量を制御し、カソード４０の側面Ｓ
２から放出される電子を抑制し、かつ、側面Ｓ２から放
出された電子が引出電極４８へ向かうのを阻止するため
に、先端面Ｓ１に略等しい高さ位置に制御電極４９が配
置されている。制御電極４９は、光軸に関し回転対称
で、中央部にアパーチャＡ２が形成されている。アパー
チャＡ２の直径Ｌ１は、Ｌ２よりも大きく、例えば１ｍ
ｍである。制御電極４９には、電位Ｖ１よりも低い電位
Ｖ２、例えば−５１ＫＶが印加される。
【００２７】アパーチャＡ３から出た電子ビームＥＢ２
のクロスオーバＣＯを形成するために、引出電極４８と
アノード４１との間の引出電極４８側に、レンズ電極４
２が配置されている。レンズ電極４２は、光軸に関し回
転対称で、その中央部に電子ビーム通過用のアパーチャ
Ａ４が形成されている。アパーチャＡ４の直径Ｌ４は、
例えば１ｍｍである。
のクロスオーバＣＯを形成するために、引出電極４８と
アノード４１との間の引出電極４８側に、レンズ電極４
２が配置されている。レンズ電極４２は、光軸に関し回
転対称で、その中央部に電子ビーム通過用のアパーチャ
Ａ４が形成されている。アパーチャＡ４の直径Ｌ４は、
例えば１ｍｍである。
【００２８】制御電極４９とレンズ電極４２とで、図４
のウェーネルト４２Ａの役割を果たしている。図１の電
子銃１０では、レンズ電極４２と制御電極４９とで上記
のように役割を分担しているので、電子ビームの調整が
容易であるという利点がある。すなわち、図４の電子銃
１０Ａでは、放射電流を変えるためにウェーネルト４２
Ａの電位を変えると、上述のようにクロスオーバＣＯ、
電子ビーム放射境界線Ｂの位置及び電流密度分布が変化
する。これに対し、図１の電子銃１０では、制御電極４
９の電位Ｖ２を変化させて電子ビームＥＢ２の電流を変
化させても、クロスオーバＣＯの位置は変化せず、アパ
ーチャＡ３から出た電子ビームの外形も変化しない。ク
ロスオーバＣＯの位置は、レンズ電極４２の電位Ｖ４に
より定まる。したがって、電子銃１０の調整が容易であ
る。
のウェーネルト４２Ａの役割を果たしている。図１の電
子銃１０では、レンズ電極４２と制御電極４９とで上記
のように役割を分担しているので、電子ビームの調整が
容易であるという利点がある。すなわち、図４の電子銃
１０Ａでは、放射電流を変えるためにウェーネルト４２
Ａの電位を変えると、上述のようにクロスオーバＣＯ、
電子ビーム放射境界線Ｂの位置及び電流密度分布が変化
する。これに対し、図１の電子銃１０では、制御電極４
９の電位Ｖ２を変化させて電子ビームＥＢ２の電流を変
化させても、クロスオーバＣＯの位置は変化せず、アパ
ーチャＡ３から出た電子ビームの外形も変化しない。ク
ロスオーバＣＯの位置は、レンズ電極４２の電位Ｖ４に
より定まる。したがって、電子銃１０の調整が容易であ
る。
【００２９】また、電子銃１０Ａでは、電子ビーム放射
特性が、カソード４０Ａとウェーネルト４２Ａとの位置
関係及び正イオン衝突によるカソード４０Ａの先端形状
変化に大きく影響するので、電子銃１０Ａの組立及びメ
ンテナンスが容易でない。これに対し、電子銃１０で
は、電子ビーム放射特性を悪化させないためのカソード
４０の位置の許容範囲が比較的大きいので、電子銃１０
の組立が容易であり、また、正イオンがカソード４０の
先端面に衝突してその表面形状が変化しても、電子ビー
ム放射特性には殆ど影響を与えないので、メンテナンス
が容易であり、かつ、電子銃１０Ａが長寿命となる。
特性が、カソード４０Ａとウェーネルト４２Ａとの位置
関係及び正イオン衝突によるカソード４０Ａの先端形状
変化に大きく影響するので、電子銃１０Ａの組立及びメ
ンテナンスが容易でない。これに対し、電子銃１０で
は、電子ビーム放射特性を悪化させないためのカソード
４０の位置の許容範囲が比較的大きいので、電子銃１０
の組立が容易であり、また、正イオンがカソード４０の
先端面に衝突してその表面形状が変化しても、電子ビー
ム放射特性には殆ど影響を与えないので、メンテナンス
が容易であり、かつ、電子銃１０Ａが長寿命となる。
【００３０】ヒータ４３及び４４は直方体ブロックであ
る。棒状のリード４５及び４６は、円板形の絶縁体４７
１に支持されている。制御電極４９と引出電極４８との
間及び引出電極４８とレンズ電極４２との間はそれぞ
れ、絶縁体４７２及び４７３で絶縁されている。直流電
源５０、５１、電流計５２、バイアス抵抗５３、５４、
５５及び制御回路５６は、図４と同一である。
る。棒状のリード４５及び４６は、円板形の絶縁体４７
１に支持されている。制御電極４９と引出電極４８との
間及び引出電極４８とレンズ電極４２との間はそれぞ
れ、絶縁体４７２及び４７３で絶縁されている。直流電
源５０、５１、電流計５２、バイアス抵抗５３、５４、
５５及び制御回路５６は、図４と同一である。
【００３１】ただし、電流計５２で検出される電流は、
カソード４０を流れる電流Ｉ１と引出電極４８を流れる
電流Ｉ２との差（Ｉ１−Ｉ２）である。また、制御回路
５６は、この差（Ｉ１−Ｉ２）が一定になるように、制
御電極４９の電位Ｖ２を制御する。これにより、クロス
オーバＣＯの位置、電子ビームの外形及び電流密度分布
が変化することなく、電子銃１０の放射電流が一定に制
御される。
カソード４０を流れる電流Ｉ１と引出電極４８を流れる
電流Ｉ２との差（Ｉ１−Ｉ２）である。また、制御回路
５６は、この差（Ｉ１−Ｉ２）が一定になるように、制
御電極４９の電位Ｖ２を制御する。これにより、クロス
オーバＣＯの位置、電子ビームの外形及び電流密度分布
が変化することなく、電子銃１０の放射電流が一定に制
御される。
【００３２】制御回路５６の入力端子と引出電極４８と
の間には、直流電源５７が接続され、直流電源５１の負
極端子とレンズ電極４２との間には直流電源５８が接続
されている。直流電源５０、５１、５７及び５８の出力
電圧はいずれも互いに独立に調整可能である。なお、本
発明には外にも種々の変形例が含まれる。
の間には、直流電源５７が接続され、直流電源５１の負
極端子とレンズ電極４２との間には直流電源５８が接続
されている。直流電源５０、５１、５７及び５８の出力
電圧はいずれも互いに独立に調整可能である。なお、本
発明には外にも種々の変形例が含まれる。
【００３３】例えば、上記実施形態では電流差（Ｉ１−
Ｉ２）を一定に制御する場合を説明したが、電流Ｉ１を
検出し、電流Ｉ１が一定になるように制御回路５６で制
御電極４９の電位Ｖ２を調整する構成であってもよい。
また、カソード４０の先端面は、少なくともアパーチャ
Ａ３に対応する部分が略平面であればよく、丸みを帯び
た凸面又は凹面であってもよい。
Ｉ２）を一定に制御する場合を説明したが、電流Ｉ１を
検出し、電流Ｉ１が一定になるように制御回路５６で制
御電極４９の電位Ｖ２を調整する構成であってもよい。
また、カソード４０の先端面は、少なくともアパーチャ
Ａ３に対応する部分が略平面であればよく、丸みを帯び
た凸面又は凹面であってもよい。
【００３４】また、本発明の電子銃は、図１のステンシ
ルマスク１２の替わりに矩形マスク又はブランキングア
パーチャアレイを用いた露光装置に適用しても上記効果
が得られる。
ルマスク１２の替わりに矩形マスク又はブランキングア
パーチャアレイを用いた露光装置に適用しても上記効果
が得られる。
【図１】本発明の１実施形態の電子銃の概略構成を示
す、光軸を通る断面図である。
す、光軸を通る断面図である。
【図２】（Ａ）は図１のカソードの先端部付近の拡大図
であり、（Ｂ）は引出電極上の電流密度分布図である。
であり、（Ｂ）は引出電極上の電流密度分布図である。
【図３】従来の電子ビーム露光装置の概略構成を示す図
である。
である。
【図４】従来の電子銃の概略構成を示す断面図である。
１０ 電子銃 ４０ カソード ４１ アノード ４２ レンズ電極 ４３、４４ ヒータ ４５、４６ リード ４７１〜４７３ 絶縁体 ４８ 引出電極 ４９ 制御電極 ５０、５１、５７、５８ 直流電源 ５２ 電流計 ５３〜５５ バイアス抵抗 ５６ 制御回路 Ａ２〜Ａ５ アパーチャ ＣＯ クロスオーバ
Claims (6)
- 【請求項１】 先端部が略錐状で先端面を有するカソー
ドと、 該カソードと対向して配置され、光軸部に第１アパーチ
ャが形成されたアノードと、 該カソードの先端面より大きい第２アパーチャが光軸部
に形成され、該第２アパーチャの光軸方向位置が該カソ
ードの先端面の位置に略等しくなるように配置され、該
カソードを流れる電流を制御するために該カソード電位
よりも低い電位が印加される制御電極と、 該カソードと該アノードとの間に該カソードと対向して
配置され、アノード電位より低くカソード電位より高い
電位が印加され、該カソードの該先端面より小さい第３
アパーチャが光軸部に形成された引出電極と、 該引出電極と該アノードとの間に配置され、電子ビーム
のクロスオーバを形成するために該カソード電位よりも
低い電位が印加され、該第３アパーチャより大きい第４
アパーチャが光軸部に形成されたレンズ電極と、 を有することを特徴とする電子銃。 - 【請求項２】 上記カソードの先端面の少なくとも上記
第３アパーチャに対応する部分が略平面である、 ことを特徴とする請求項１記載の装置。 - 【請求項３】 電子銃から放射された電子ビームを電子
レンズで対象物上に収束させて照射させる電子ビーム装
置において、 該電子銃は請求項１又は２記載の電子銃である、 ことを特徴とする電子ビーム装置。 - 【請求項４】 電子銃から放射された電子ビームを電子
レンズで対象物上に収束させて照射させる電子ビーム照
射方法であって、該電子銃として、 先端部が略錐状で先端面を有するカソードと、 該カソードと対向して配置され、光軸部に第１アパーチ
ャが形成されたアノードと、 該カソードの先端面より大きい第２アパーチャが光軸部
に形成され、該第２アパーチャの光軸方向位置が該カソ
ードの先端面の位置に略等しくなるように配置された制
御電極と、 該カソードと該アノードとの間に該カソードと対向して
配置され、該カソードの該先端面より小さい第３アパー
チャが光軸部に形成された引出電極と、 該引出電極と該アノードとの間に配置され、該第３アパ
ーチャより大きい第４アパーチャが光軸部に形成された
レンズ電極と、 を有するものを用い、 アノード電位Ｖ０より低くカソード電位Ｖ１より高い電
位Ｖ３を該引出電極に印加して電子ビームを該カソード
から引き出させ、 該アノード電位Ｖ０に対し負の該カソード電位Ｖ１を該
カソードに印加して、該カソードの該第３アパーチャに
対応した部分から放出された該電子ビームを加速させ、 該カソード電位Ｖ１よりも低い電位Ｖ２を該制御電極に
印加して該カソードを流れる電流を制御し、 該カソード電位Ｖ１よりも低い電位Ｖ４を該レンズ電極
に印加して、該第３アパーチャを通過した該電子ビーム
のクロスオーバを形成する、 ことを特徴とする電子ビーム照射方法。 - 【請求項５】 上記カソードを流れる電流と上記引出電
極を流れる電流との差を検出し、 該差が一定になるように上記制御電位Ｖ２を調整する、 ことを特徴とする請求項４記載の方法。 - 【請求項６】 上記カソードを流れる電流をカソード電
流として検出し、 該カソード電流が一定になるように上記制御電極の電位
Ｖ２を調整する、ことを特徴とする請求項４記載の方
法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8063512A JPH09260237A (ja) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | 電子銃、電子ビーム装置及び電子ビーム照射方法 |
| US08/680,960 US5854490A (en) | 1995-10-03 | 1996-07-16 | Charged-particle-beam exposure device and charged-particle-beam exposure method |
| KR1019960028926A KR100241995B1 (ko) | 1995-10-03 | 1996-07-18 | 하전입자빔 노광장치 |
| US08/908,699 US5872366A (en) | 1995-10-03 | 1997-08-08 | Charged-particle-beam exposure device and charged-particle-beam exposure method |
| US09/131,368 US5949078A (en) | 1995-10-03 | 1998-08-07 | Charged-particle-beam exposure device and charged-particle-beam exposure method |
| KR1019990018191A KR100273128B1 (ko) | 1995-10-03 | 1999-05-20 | 하전입자빔 노광장치 및 하전입자빔 노광방법 |
| KR1019990018187A KR100242926B1 (ko) | 1995-10-03 | 1999-05-20 | 하전입자빔 노광장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8063512A JPH09260237A (ja) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | 電子銃、電子ビーム装置及び電子ビーム照射方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09260237A true JPH09260237A (ja) | 1997-10-03 |
Family
ID=13231356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8063512A Pending JPH09260237A (ja) | 1995-10-03 | 1996-03-19 | 電子銃、電子ビーム装置及び電子ビーム照射方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09260237A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000331632A (ja) * | 1999-05-18 | 2000-11-30 | Nikon Corp | 電子銃、電子線露光転写装置及び半導体デバイスの製造方法 |
| GB2338589B (en) * | 1998-06-18 | 2001-02-21 | Advantest Corp | An electron gun for use in an electron beam exposure apparatus |
| JP2005038638A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Toshiba Corp | 電子銃とそれを用いた電子ビーム照射装置 |
| US6992307B2 (en) | 2003-06-26 | 2006-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron beam source and electron beam exposure apparatus employing the electron beam source |
| JP2007053128A (ja) * | 2005-08-15 | 2007-03-01 | Nikon Corp | 電子銃及び電子線露光装置 |
| EP1199739A3 (en) * | 2000-10-20 | 2007-03-28 | eLith LLC | A device and method for suppressing space charge induced abberations in charged-particle projection lithography systems |
| JP2010021462A (ja) * | 2008-07-14 | 2010-01-28 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム描画装置 |
| JP2019050141A (ja) * | 2017-09-11 | 2019-03-28 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子装置、荷電粒子描画装置および荷電粒子ビーム制御方法 |
| CN116297610A (zh) * | 2023-04-10 | 2023-06-23 | 西安交通大学 | 一种测量介质材料二次电子发射系数的方法及系统 |
| JPWO2023189842A1 (ja) * | 2022-03-29 | 2023-10-05 |
-
1996
- 1996-03-19 JP JP8063512A patent/JPH09260237A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2338589B (en) * | 1998-06-18 | 2001-02-21 | Advantest Corp | An electron gun for use in an electron beam exposure apparatus |
| DE19927036C2 (de) * | 1998-06-18 | 2003-05-15 | Advantest Corp | Elektronenkanone für eine Elektronenstrahl-Belichtungsvorrichtung |
| JP2000331632A (ja) * | 1999-05-18 | 2000-11-30 | Nikon Corp | 電子銃、電子線露光転写装置及び半導体デバイスの製造方法 |
| EP1199739A3 (en) * | 2000-10-20 | 2007-03-28 | eLith LLC | A device and method for suppressing space charge induced abberations in charged-particle projection lithography systems |
| US6992307B2 (en) | 2003-06-26 | 2006-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron beam source and electron beam exposure apparatus employing the electron beam source |
| JP2005038638A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Toshiba Corp | 電子銃とそれを用いた電子ビーム照射装置 |
| JP2007053128A (ja) * | 2005-08-15 | 2007-03-01 | Nikon Corp | 電子銃及び電子線露光装置 |
| JP2010021462A (ja) * | 2008-07-14 | 2010-01-28 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム描画装置 |
| JP2019050141A (ja) * | 2017-09-11 | 2019-03-28 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子装置、荷電粒子描画装置および荷電粒子ビーム制御方法 |
| US10998162B2 (en) | 2017-09-11 | 2021-05-04 | Nuflare Technology, Inc. | Charged-particle beam apparatus, charged-particle beam writing apparatus, and charged-particle beam controlling method |
| JPWO2023189842A1 (ja) * | 2022-03-29 | 2023-10-05 | ||
| WO2023189842A1 (ja) * | 2022-03-29 | 2023-10-05 | デンカ株式会社 | エミッター及びこれを備える装置 |
| US12586747B2 (en) | 2022-03-29 | 2026-03-24 | Denka Company Limited | Emitter and device comprising same |
| CN116297610A (zh) * | 2023-04-10 | 2023-06-23 | 西安交通大学 | 一种测量介质材料二次电子发射系数的方法及系统 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040427 |