JPH09260335A - 半導体製造用の高温薬液槽の加熱装置及びその方法 - Google Patents
半導体製造用の高温薬液槽の加熱装置及びその方法Info
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- JPH09260335A JPH09260335A JP8194930A JP19493096A JPH09260335A JP H09260335 A JPH09260335 A JP H09260335A JP 8194930 A JP8194930 A JP 8194930A JP 19493096 A JP19493096 A JP 19493096A JP H09260335 A JPH09260335 A JP H09260335A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薬液処理槽に供給された薬液を工程処理条件
に適する温度に迅速に加熱させて工程待機時間を減らす
ことである。 【解決手段】 所定の工程に投入できる薬液を供給する
薬液供給部１０と、供給される薬液が所定の工程処理温
度を維持することができるように満たされる薬液処理槽
２０と、これに満たされた薬液の温度変化を感知する温
度感知部５０と、薬液供給部１０から薬液処理槽２０へ
移送する途中の薬液を加熱するように電力供給により発
熱する第１の発熱体３０と、薬液処理槽２０内に充たさ
れた薬液を再び加熱するように電力供給により発熱する
第２の発熱体４０と、第１，第２の発熱体３０，４０に
それぞれ供給される電力量を温度感知部５０の測定温度
により多段階で制御する第１，第２の電力制御手段６
０，７０とを備え、薬液を段階的に迅速に加熱すること
によって工程投入の直前までの待機時間を最大限に短縮
し、生産性を向上させる。
に適する温度に迅速に加熱させて工程待機時間を減らす
ことである。 【解決手段】 所定の工程に投入できる薬液を供給する
薬液供給部１０と、供給される薬液が所定の工程処理温
度を維持することができるように満たされる薬液処理槽
２０と、これに満たされた薬液の温度変化を感知する温
度感知部５０と、薬液供給部１０から薬液処理槽２０へ
移送する途中の薬液を加熱するように電力供給により発
熱する第１の発熱体３０と、薬液処理槽２０内に充たさ
れた薬液を再び加熱するように電力供給により発熱する
第２の発熱体４０と、第１，第２の発熱体３０，４０に
それぞれ供給される電力量を温度感知部５０の測定温度
により多段階で制御する第１，第２の電力制御手段６
０，７０とを備え、薬液を段階的に迅速に加熱すること
によって工程投入の直前までの待機時間を最大限に短縮
し、生産性を向上させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造用の高温
薬液槽の加熱装置及びその方法に関し、より詳細には、
半導体製造工程に投入される前の薬液槽に供給される薬
液を所定の工程処理温度に短時間に加熱させることがで
きる半導体製造用の高温薬液槽の加熱装置及びその方法
に関する。
薬液槽の加熱装置及びその方法に関し、より詳細には、
半導体製造工程に投入される前の薬液槽に供給される薬
液を所定の工程処理温度に短時間に加熱させることがで
きる半導体製造用の高温薬液槽の加熱装置及びその方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、例えば、半導体素子及びＬＣＤ
などを製造するときに、主に湿式工程に投入される薬液
は略４５℃〜２００℃程度の工程処理温度に適合するよ
うに高温に加熱されなければならない。図１は従来の高
温薬液槽加熱装置の構成を示した概略図である。図１に
おいて、従来の装置は、薬液を供給する薬液供給部１
と、該薬液供給部１から供給される薬液が満たされる薬
液処理槽２と、前記薬液処理槽２と前記薬液供給部１と
を連通する供給管１ａに設けられて電源の供給により加
熱されるＩＲランプ３と、前記薬液処理槽２に内蔵され
て電源の供給により発熱するヒータ部４と、前記薬液処
理槽２内に設置されて薬液の温度を測定する温度感知部
５とからなっている。
などを製造するときに、主に湿式工程に投入される薬液
は略４５℃〜２００℃程度の工程処理温度に適合するよ
うに高温に加熱されなければならない。図１は従来の高
温薬液槽加熱装置の構成を示した概略図である。図１に
おいて、従来の装置は、薬液を供給する薬液供給部１
と、該薬液供給部１から供給される薬液が満たされる薬
液処理槽２と、前記薬液処理槽２と前記薬液供給部１と
を連通する供給管１ａに設けられて電源の供給により加
熱されるＩＲランプ３と、前記薬液処理槽２に内蔵され
て電源の供給により発熱するヒータ部４と、前記薬液処
理槽２内に設置されて薬液の温度を測定する温度感知部
５とからなっている。
【０００３】上記のように具備された従来の薬液槽の加
熱装置は、前記薬液供給部１から供給される各種の薬液
が前記薬液処理槽２に満たされると、所定の工程処理温
度に至るようにＩＲランプ３もしくはヒータ部４に電源
を供給する。以降、工程処理温度を中心として可用許容
値内において電源のオン／オフを繰り返して作動させる
と薬液の温度が上昇することになる。
熱装置は、前記薬液供給部１から供給される各種の薬液
が前記薬液処理槽２に満たされると、所定の工程処理温
度に至るようにＩＲランプ３もしくはヒータ部４に電源
を供給する。以降、工程処理温度を中心として可用許容
値内において電源のオン／オフを繰り返して作動させる
と薬液の温度が上昇することになる。
【０００４】しかし、前記薬液処理槽２に供給された薬
液が工程処理条件に必要な温度に上昇する時、図２のグ
ラフに示されたように、前記ヒータ部４やＩＲランプ３
への電力供給が単純な電源のオン／オフ操作により画一
的に行われる。このために、薬液の温度が工程処理温度
に近接する最初の到達時間ｔが比較的長くかかる。な
お、前記条件に好適な温度に到達した後にも温度変化の
幅ｌが極めて大きくなるので、生産性を低下させる要因
としてはたらいた。
液が工程処理条件に必要な温度に上昇する時、図２のグ
ラフに示されたように、前記ヒータ部４やＩＲランプ３
への電力供給が単純な電源のオン／オフ操作により画一
的に行われる。このために、薬液の温度が工程処理温度
に近接する最初の到達時間ｔが比較的長くかかる。な
お、前記条件に好適な温度に到達した後にも温度変化の
幅ｌが極めて大きくなるので、生産性を低下させる要因
としてはたらいた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は上述
した問題点を解消するために提案されたもので、この発
明の目的は薬液処理槽に供給された薬液を工程処理条件
に適する温度に迅速に加熱して工程待機時間を減少させ
ることができる半導体製造用の高温薬液槽の加熱装置及
びその方法を提供することにある。
した問題点を解消するために提案されたもので、この発
明の目的は薬液処理槽に供給された薬液を工程処理条件
に適する温度に迅速に加熱して工程待機時間を減少させ
ることができる半導体製造用の高温薬液槽の加熱装置及
びその方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るための本発明による半導体製造用の高温薬液槽の加熱
装置は、所定の工程に投入できる薬液を供給する薬液供
給部と、該薬液供給部から供給される薬液が所定の工程
処理温度を維持することができるように満たされる薬液
処理槽と、該薬液処理槽に満たされる薬液の温度変化を
感知する温度感知部と、前記薬液供給部から薬液処理槽
へ移送する途中の薬液を加熱することができるように電
力の供給により発熱する第１の発熱体と、前記薬液処理
槽内に満たされた薬液を再び加熱することができるよう
に電力の供給により発熱する第２の発熱体と、前記第
１，第２の発熱体にそれぞれ供給される電力量を前記温
度感知部の測定温度に応じて多段階で制御する第１，第
２の電力制御手段とを備えることを特徴とする。
るための本発明による半導体製造用の高温薬液槽の加熱
装置は、所定の工程に投入できる薬液を供給する薬液供
給部と、該薬液供給部から供給される薬液が所定の工程
処理温度を維持することができるように満たされる薬液
処理槽と、該薬液処理槽に満たされる薬液の温度変化を
感知する温度感知部と、前記薬液供給部から薬液処理槽
へ移送する途中の薬液を加熱することができるように電
力の供給により発熱する第１の発熱体と、前記薬液処理
槽内に満たされた薬液を再び加熱することができるよう
に電力の供給により発熱する第２の発熱体と、前記第
１，第２の発熱体にそれぞれ供給される電力量を前記温
度感知部の測定温度に応じて多段階で制御する第１，第
２の電力制御手段とを備えることを特徴とする。
【０００７】一方、本発明による半導体製造用の高温薬
液槽の加熱方法は、工程処理に必要な温度条件を予め算
出して指定する段階と、前記段階を経て指定された工程
処理温度と前記薬液処理槽内の薬液温度との間の差を指
数関数的に比較するための段階と、前記比較段階を経た
結果、前記工程処理温度と前記薬液の温度差が大きけれ
ば段階別に供給される電力量の中から高電力を選択供給
して薬液の温度を急上昇することができるように薬液を
加熱する段階と、前記加熱段階を経た後、工程処理温度
を中心として±許容値内で最初の供給電力より低電力を
供給して温度変化を減らすことができるようにする温度
変化制御段階とからなることを特徴とする。
液槽の加熱方法は、工程処理に必要な温度条件を予め算
出して指定する段階と、前記段階を経て指定された工程
処理温度と前記薬液処理槽内の薬液温度との間の差を指
数関数的に比較するための段階と、前記比較段階を経た
結果、前記工程処理温度と前記薬液の温度差が大きけれ
ば段階別に供給される電力量の中から高電力を選択供給
して薬液の温度を急上昇することができるように薬液を
加熱する段階と、前記加熱段階を経た後、工程処理温度
を中心として±許容値内で最初の供給電力より低電力を
供給して温度変化を減らすことができるようにする温度
変化制御段階とからなることを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施例を
添付の図面に基づきさらに詳しく説明する。図３は本発
明による高温薬液槽加熱装置の構成を示した概略図であ
る。図３に示されているように、本発明の装置は、中央
集中式や個別方式で工程に投入される薬液を供給する薬
液供給部１０と、前記薬液供給部１０から薬液移送管１
２を介して移送される薬液を供給されて満たされる薬液
処理槽２０とを備えている。
添付の図面に基づきさらに詳しく説明する。図３は本発
明による高温薬液槽加熱装置の構成を示した概略図であ
る。図３に示されているように、本発明の装置は、中央
集中式や個別方式で工程に投入される薬液を供給する薬
液供給部１０と、前記薬液供給部１０から薬液移送管１
２を介して移送される薬液を供給されて満たされる薬液
処理槽２０とを備えている。
【０００９】前記薬液移送管１２には移送途中の薬液を
予熱することができるように、例えば、ＩＲランプ（Ｉ
Ｒ Ｌａｍｐ）などからなる第１の発熱体３０が装着さ
れる。そして、前記薬液処理槽２０内には薬液の温度変
化がチェックできるように温度感知センサ５０が設置さ
れ、また、充たされた薬液をさらに加熱することができ
るように、例えば、クロムＣｒからなるコイルヒータな
どのような第２の発熱体４０が内蔵される。
予熱することができるように、例えば、ＩＲランプ（Ｉ
Ｒ Ｌａｍｐ）などからなる第１の発熱体３０が装着さ
れる。そして、前記薬液処理槽２０内には薬液の温度変
化がチェックできるように温度感知センサ５０が設置さ
れ、また、充たされた薬液をさらに加熱することができ
るように、例えば、クロムＣｒからなるコイルヒータな
どのような第２の発熱体４０が内蔵される。
【００１０】一方、前記第１，第２の発熱体３０，４０
には、それぞれ多数の加熱端子３２，４２が含まれ、前
記加熱端子３２，４２を通して供給される電力の量に差
等を設けて、例えば、高、中、低段階式の多段で電力供
給を選択的に制御することができる第１，第２の電力制
御手段６０，７０が具備される。
には、それぞれ多数の加熱端子３２，４２が含まれ、前
記加熱端子３２，４２を通して供給される電力の量に差
等を設けて、例えば、高、中、低段階式の多段で電力供
給を選択的に制御することができる第１，第２の電力制
御手段６０，７０が具備される。
【００１１】このように構成された本発明による薬液槽
加熱装置の作動過程を詳細に述べると次のとおりであ
る。まず、前記薬液供給部１０から前記薬液移送管１２
を通して所定の工程に投入される薬液が前記薬液処理槽
２０に満たされる時、前記前記移送管１２に設けられた
前記第１の発熱体３０に電力を供給して移送中の薬液を
予熱する。
加熱装置の作動過程を詳細に述べると次のとおりであ
る。まず、前記薬液供給部１０から前記薬液移送管１２
を通して所定の工程に投入される薬液が前記薬液処理槽
２０に満たされる時、前記前記移送管１２に設けられた
前記第１の発熱体３０に電力を供給して移送中の薬液を
予熱する。
【００１２】以後、前記薬液処理槽２０に充たされた薬
液をさらに工程処理条件に適する温度、即ち約４５℃〜
２００℃程度の温度に前記第２の発熱体４０によって再
び加熱する。この際、第２の電力制御手段７０は温度感
知センサ５０により感知された薬液の温度と設定された
工程処理温度と比較して、その温度差があまり大きい場
合には、前記加熱端子４２を通して高電力で前記第２の
発熱体４０をヒーティングするようになる。これに反し
て薬液の感知温度が工程処理温度に近くなる程、第２の
発熱体４０へ中電力や低電力に下げて選択的あるいは段
階的に供給する。
液をさらに工程処理条件に適する温度、即ち約４５℃〜
２００℃程度の温度に前記第２の発熱体４０によって再
び加熱する。この際、第２の電力制御手段７０は温度感
知センサ５０により感知された薬液の温度と設定された
工程処理温度と比較して、その温度差があまり大きい場
合には、前記加熱端子４２を通して高電力で前記第２の
発熱体４０をヒーティングするようになる。これに反し
て薬液の感知温度が工程処理温度に近くなる程、第２の
発熱体４０へ中電力や低電力に下げて選択的あるいは段
階的に供給する。
【００１３】もちろん、前記第１の電力制御手段６０に
より移送中の薬液加熱温度を制御するときでも、温度の
高・低により複数個の前記加熱端子３２を通して前記第
１の発熱体３０に電力を選択的、あるいは、段階的に供
給する。このように温度の差により電力が多段階で供給
される時、先ず薬液の温度が工程処理温度に近接するよ
うに適当な電力量を選択して急上昇させたうえ、前記工
程処理温度を中心として±許容値内において低電力や中
電力を供給すれば温度の変化が少ない範囲内で加熱温度
が制御される。
より移送中の薬液加熱温度を制御するときでも、温度の
高・低により複数個の前記加熱端子３２を通して前記第
１の発熱体３０に電力を選択的、あるいは、段階的に供
給する。このように温度の差により電力が多段階で供給
される時、先ず薬液の温度が工程処理温度に近接するよ
うに適当な電力量を選択して急上昇させたうえ、前記工
程処理温度を中心として±許容値内において低電力や中
電力を供給すれば温度の変化が少ない範囲内で加熱温度
が制御される。
【００１４】つまり、薬液の加熱時発熱体に供給される
電力量を感知温度により差等を設けて制御するようにな
れば、図４に示されているように、工程処理温度に最初
に到達する時間Ｔが従来のものに比べて短くなり、ま
た、温度の変動の幅Ｌも小さいことが分る。
電力量を感知温度により差等を設けて制御するようにな
れば、図４に示されているように、工程処理温度に最初
に到達する時間Ｔが従来のものに比べて短くなり、ま
た、温度の変動の幅Ｌも小さいことが分る。
【００１５】
【発明の効果】よって、前述の本発明によると、薬液の
感知温度と工程処理温度とを比較したうえ、その温度差
により薬液を段階的に迅速に加熱することによって、工
程投入前までの待機時間が最大限に短縮されて生産性を
向上させることができる。
感知温度と工程処理温度とを比較したうえ、その温度差
により薬液を段階的に迅速に加熱することによって、工
程投入前までの待機時間が最大限に短縮されて生産性を
向上させることができる。
【図１】 従来の高温薬液槽の加熱装置の構成を示した
概略図である。
概略図である。
【図２】 図１に示された装置による薬液の処理温度と
時間との関係を示した図である。
時間との関係を示した図である。
【図３】 本発明による高温薬液槽の加熱装置の構成を
示した概略図である。
示した概略図である。
【図４】 本発明による薬液の処理温度と時間との関係
を示した図である。
を示した図である。
１０ 薬液供給部 ２０ 薬液処理槽 ３０ 第１の発熱体 ３２ 加熱端子 ４０ 第２の発熱体 ４２ 加熱端子 ５０ 温度感知部 ６０ 第１の電力制御手段 ７０ 第２の電力制御手段
Claims (3)
- 【請求項１】 所定の工程に投入できる薬液を供給する
薬液供給部と、 前記薬液供給部から供給される薬液が所定の工程処理温
度を維持することができるように満たされる薬液処理槽
と、 前記薬液処理槽に満たされる薬液の温度変化を感知する
温度感知部と、 前記薬液供給部から薬液処理槽へ移送する途中の薬液を
加熱することができるように電力の供給により発熱する
第１の発熱体と、 前記薬液処理槽内に満たされている薬液を再び加熱する
ことができるように電力の供給により発熱する第２の発
熱体と、 前記１，第２の発熱体にそれぞれ供給される電力量を前
記温度感知部の測定温度に応じて多段階で制御する第
１，第２の電力制御手段とを備えてなることを特徴とす
る半導体製造用の高温薬液槽の加熱装置。 - 【請求項２】 前記１，第２の発熱体は電力の強さがお
互いに異なるように供給される多数の加熱端子を含むこ
とを特徴とする請求項１に記載の半導体製造用の高温薬
液槽の加熱装置。 - 【請求項３】 工程処理に必要な温度条件を予め算出し
て指定する段階と、 前記段階を経て指定された工程処理温度と薬液処理槽内
の薬液温度との間の差を指数関数的に比較するための段
階と、 前記比較段階を経た結果、前記工程処理温度と前記薬液
の温度との差が大きければ段階別に供給される電力量の
中から高い電力を選択供給して薬液の温度を急上昇させ
ることができるように薬液を加熱する段階と、 前記加熱段階を経た後、前記工程処理温度を中心として
±許容値内で最初の供給電力より低い電力を供給して温
度変化を減らすことができるようにする温度変化制御段
階とからなることを特徴とする半導体製造用の高温薬液
槽の加熱方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960007191A KR100206118B1 (ko) | 1996-03-18 | 1996-03-18 | 반도체 제조용 고온 약액조의 가열 방법 및 장치 |
| KR19967191 | 1996-03-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09260335A true JPH09260335A (ja) | 1997-10-03 |
| JP3644767B2 JP3644767B2 (ja) | 2005-05-11 |
Family
ID=19453295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19493096A Expired - Fee Related JP3644767B2 (ja) | 1996-03-18 | 1996-07-24 | 半導体製造用の高温薬液槽の加熱装置及びその方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5828039A (ja) |
| JP (1) | JP3644767B2 (ja) |
| KR (1) | KR100206118B1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW449895B (en) * | 2000-08-31 | 2001-08-11 | United Microelectronics Corp | Temperature control protection system for heater of wet etching tool |
| KR20030086660A (ko) * | 2002-05-06 | 2003-11-12 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조설비의 케미컬온도 제어장치 및 그 제어방법 |
| US6958513B2 (en) * | 2003-06-06 | 2005-10-25 | Chih-Hsin Wang | Floating-gate memory cell having trench structure with ballistic-charge injector, and the array of memory cells |
| DE102015115449A1 (de) * | 2015-09-14 | 2017-03-16 | Fogtec Brandschutz Gmbh & Co. Kg | Brandbekämpfungssystem mit zweistufiger Heizung |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4380431A (en) * | 1981-06-29 | 1983-04-19 | Western Electric Company, Inc. | Technique for elevating the temperature of a fluid |
| US4459468A (en) * | 1982-04-14 | 1984-07-10 | Bailey David F | Temperature control fluid circulating system |
| US4959526A (en) * | 1986-07-03 | 1990-09-25 | Chubu Electric Power Company, Inc. | Storage type electric water heater having a closed circulation loop with a bubble pump |
| IT1247067B (it) * | 1991-01-14 | 1994-12-12 | Cartigliano Off Spa | Metodo ed apparato per il condizionamento di prodotti biologici |
| US5214740A (en) * | 1992-01-31 | 1993-05-25 | Carroll Carl W | Portable electric heating apparatus for supplying heated dry non-flammable gas to an applicator gun |
| US5389335A (en) * | 1993-06-18 | 1995-02-14 | Charm Sciences, Inc. | High temperature, short time microwave heating system and method of heating heat-sensitive material |
-
1996
- 1996-03-18 KR KR1019960007191A patent/KR100206118B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1996-07-24 JP JP19493096A patent/JP3644767B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-30 US US08/774,606 patent/US5828039A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100206118B1 (ko) | 1999-07-01 |
| US5828039A (en) | 1998-10-27 |
| JP3644767B2 (ja) | 2005-05-11 |
| KR970067669A (ko) | 1997-10-13 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040517 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040720 |
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| A521 | Request for written amendment filed |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080210 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090210 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100210 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110210 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130210 Year of fee payment: 8 |
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