JPH09260533A - 半導体装置及びその実装構造 - Google Patents
半導体装置及びその実装構造Info
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- JPH09260533A JPH09260533A JP8062482A JP6248296A JPH09260533A JP H09260533 A JPH09260533 A JP H09260533A JP 8062482 A JP8062482 A JP 8062482A JP 6248296 A JP6248296 A JP 6248296A JP H09260533 A JPH09260533 A JP H09260533A
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- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
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- H10W70/453—Leadframes comprising flexible metallic tapes
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/111—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed
- H10W74/129—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed forming a chip-scale package [CSP]
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、はんだバンプと内部リードの両方の
信頼性が高いＣＳＰ（チップサイズパッケージ）型の半
導体装置を提供することを目的とする。 【解決手段】本発明による半導体装置では、半導体素子
１にエラストマ樹脂部２を接合し、これに素子電極１０
に接続された内部リード４に連続してかつはんだバンプ
７を接合した配線パターン５付の樹脂テープ状物３を接
合し、エラストマ樹脂部２の横弾性係数を５０ＭＰａ以
上７５０ＭＰａ以下にしてある。 【効果】本発明によれば、半導体素子とプリント基板の
線膨張係数の差に基づく変形をバランス良くエラストマ
樹脂とはんだバンプで分担するので、温度変化によるは
んだバンプと内部リードの両方のひずみを低減すること
ができ、信頼性が向上する。
信頼性が高いＣＳＰ（チップサイズパッケージ）型の半
導体装置を提供することを目的とする。 【解決手段】本発明による半導体装置では、半導体素子
１にエラストマ樹脂部２を接合し、これに素子電極１０
に接続された内部リード４に連続してかつはんだバンプ
７を接合した配線パターン５付の樹脂テープ状物３を接
合し、エラストマ樹脂部２の横弾性係数を５０ＭＰａ以
上７５０ＭＰａ以下にしてある。 【効果】本発明によれば、半導体素子とプリント基板の
線膨張係数の差に基づく変形をバランス良くエラストマ
樹脂とはんだバンプで分担するので、温度変化によるは
んだバンプと内部リードの両方のひずみを低減すること
ができ、信頼性が向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は樹脂封止型半導体装
置とその実装構造に係り、特にパッケージの外形寸法が
半導体素子の寸法に極めて近い半導体装置とその実装構
造に関するものである。
置とその実装構造に係り、特にパッケージの外形寸法が
半導体素子の寸法に極めて近い半導体装置とその実装構
造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の高集積化が進む中で、半導
体装置のパッケージの寸法を半導体素子の寸法に近づけ
ようとする技術が展開されている。この方法には２種類
あり、一つはベアチップ実装と呼ばれるものである。こ
れは、半導体素子をプリント基板に直接実装し、樹脂で
封止した構造になっている。
体装置のパッケージの寸法を半導体素子の寸法に近づけ
ようとする技術が展開されている。この方法には２種類
あり、一つはベアチップ実装と呼ばれるものである。こ
れは、半導体素子をプリント基板に直接実装し、樹脂で
封止した構造になっている。
【０００３】もう一つの方法は、従来と同様に樹脂封止
したパッケージを極力素子の寸法まで小さくする方法で
ある。これは一般にＣＳＰ（チップサイズパッケージま
たはチップスケールパッケージの略）と呼ばれている。
したパッケージを極力素子の寸法まで小さくする方法で
ある。これは一般にＣＳＰ（チップサイズパッケージま
たはチップスケールパッケージの略）と呼ばれている。
【０００４】ＣＳＰの構造の従来例としては、特表平６
−５０４４０８号公報において、半導体素子の回路形成
面に柔軟材（エラストマ樹脂）を介して外部端子付きの
テープを設け、外部端子と半導体素子の電極を電気的に
接続した構造のＣＳＰが記載されている。また特開平６
−２２４２５９号公報では、スルーホールを設けたセラ
ミック基板に半導体素子を搭載し、セラミック基板の反
対面に電極を設け、プリント基板に実装する構造が記載
されている。更に特開平６−３０２６０４号公報では、
半導体素子の回路形成面に金属配線パターンを形成し、
これに外部端子を設けた構造のＣＳＰが記載されてい
る。
−５０４４０８号公報において、半導体素子の回路形成
面に柔軟材（エラストマ樹脂）を介して外部端子付きの
テープを設け、外部端子と半導体素子の電極を電気的に
接続した構造のＣＳＰが記載されている。また特開平６
−２２４２５９号公報では、スルーホールを設けたセラ
ミック基板に半導体素子を搭載し、セラミック基板の反
対面に電極を設け、プリント基板に実装する構造が記載
されている。更に特開平６−３０２６０４号公報では、
半導体素子の回路形成面に金属配線パターンを形成し、
これに外部端子を設けた構造のＣＳＰが記載されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＣＳＰの外部端子には
格子状に配列した金属バンプが用いられ、実装基板に接
続される。この材質としては、はんだが最も一般的であ
る。このような構造のＣＳＰで最も問題となるのは、は
んだバンプの接続信頼性である。半導体素子の線膨張係
数と実装基板の線膨張係数が大きく異なり、このため温
度変化に対しはんだバンプにひずみが生じ、これが繰り
返されると熱疲労破壊することがある。
格子状に配列した金属バンプが用いられ、実装基板に接
続される。この材質としては、はんだが最も一般的であ
る。このような構造のＣＳＰで最も問題となるのは、は
んだバンプの接続信頼性である。半導体素子の線膨張係
数と実装基板の線膨張係数が大きく異なり、このため温
度変化に対しはんだバンプにひずみが生じ、これが繰り
返されると熱疲労破壊することがある。
【０００６】上記従来技術のうち、はんだの疲労破壊に
対してもっとも考慮され、信頼性が高いと考えられるの
は、特表平６−５０４４０８号公報に記載の半導体装置
である。この半導体装置は、半導体素子の回路形成面に
柔軟なエラストマ樹脂部を介してテープを設け、このテ
ープには金属箔からなりリードに連続する配線パターン
が接着されている。リードの端部は半導体素子の電極に
接合されており、この部分は封止樹脂により封止されて
いる。配線パターンには金属バンプが接合されており、
金属バンプの反対側は、プリント基板に設けられた配線
パターンに接合され、実装構造が形成されている。この
構造の半導体装置では、半導体素子の回路形成面に柔軟
なエラストマ樹脂を介して金属バンプ付きのテープを設
けているので、半導体素子と実装基板の線膨張係数の差
が柔軟なエラストマ樹脂のせん断変形により吸収され、
その結果金属バンプにはひずみが加わらない。
対してもっとも考慮され、信頼性が高いと考えられるの
は、特表平６−５０４４０８号公報に記載の半導体装置
である。この半導体装置は、半導体素子の回路形成面に
柔軟なエラストマ樹脂部を介してテープを設け、このテ
ープには金属箔からなりリードに連続する配線パターン
が接着されている。リードの端部は半導体素子の電極に
接合されており、この部分は封止樹脂により封止されて
いる。配線パターンには金属バンプが接合されており、
金属バンプの反対側は、プリント基板に設けられた配線
パターンに接合され、実装構造が形成されている。この
構造の半導体装置では、半導体素子の回路形成面に柔軟
なエラストマ樹脂を介して金属バンプ付きのテープを設
けているので、半導体素子と実装基板の線膨張係数の差
が柔軟なエラストマ樹脂のせん断変形により吸収され、
その結果金属バンプにはひずみが加わらない。
【０００７】ところがこの構造の半導体装置では、エラ
ストマ樹脂が柔軟であることに起因する別の問題が生じ
る。半導体素子の電極と金属バンプを電気的に接続する
リードは、エラストマ樹脂を厚さ方向に横断する構造と
なっている。従って、半導体素子と実装基板の線膨張係
数の差がエラストマ樹脂のせん断変形により吸収される
ということは、同様にリードも変形を受けることを意味
する。このため、金属バンプの信頼性が十分であって
も、リードが疲労破壊し、結局は半導体装置の故障に繋
がる恐れが強い。
ストマ樹脂が柔軟であることに起因する別の問題が生じ
る。半導体素子の電極と金属バンプを電気的に接続する
リードは、エラストマ樹脂を厚さ方向に横断する構造と
なっている。従って、半導体素子と実装基板の線膨張係
数の差がエラストマ樹脂のせん断変形により吸収される
ということは、同様にリードも変形を受けることを意味
する。このため、金属バンプの信頼性が十分であって
も、リードが疲労破壊し、結局は半導体装置の故障に繋
がる恐れが強い。
【０００８】また、半導体素子の電極とリードの接合部
分は、エラストマ樹脂と同様に柔軟な樹脂で封止される
が、一般に柔軟、すなわち弾性係数が小さい樹脂は、線
膨張係数が大きく、樹脂とリード自身の線膨張係数の差
が大きくなり、これによりリードが熱疲労破壊すること
も考えられる。
分は、エラストマ樹脂と同様に柔軟な樹脂で封止される
が、一般に柔軟、すなわち弾性係数が小さい樹脂は、線
膨張係数が大きく、樹脂とリード自身の線膨張係数の差
が大きくなり、これによりリードが熱疲労破壊すること
も考えられる。
【０００９】以上述べた様に従来構造のＣＳＰは、はん
だバンプの信頼性か或いは内部リードの信頼性のどちら
かに問題が有り、全体として十分な信頼性が得られてい
なかった。本発明はこのような従来のＣＳＰの欠点を克
服し、はんだバンプと内部リードの両方の信頼性の高い
ＣＳＰ型の半導体装置を提供することを目的とする。
だバンプの信頼性か或いは内部リードの信頼性のどちら
かに問題が有り、全体として十分な信頼性が得られてい
なかった。本発明はこのような従来のＣＳＰの欠点を克
服し、はんだバンプと内部リードの両方の信頼性の高い
ＣＳＰ型の半導体装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的は、半導体素子
と、該半導体素子の少なくとも一部の複数の電極を除い
て前記半導体素子に接合したエラストマ樹脂部と、該エ
ラストマ樹脂部に接続し、表面に配線パターンを設けた
樹脂テープ状物と、該樹脂テープ状物の配線パターンに
接合した複数のはんだバンプとを備え、前記樹脂テープ
状物の配線パターンが前記半導体素子の複数の電極に接
続しており、前記樹脂テープ状物の配線パターンと前記
半導体素子の電極との接続部分を封止樹脂で封止した半
導体装置において、エラストマ樹脂部の弾性係数及びリ
ード封止樹脂の線膨張係数を適正化することにより達成
される。
と、該半導体素子の少なくとも一部の複数の電極を除い
て前記半導体素子に接合したエラストマ樹脂部と、該エ
ラストマ樹脂部に接続し、表面に配線パターンを設けた
樹脂テープ状物と、該樹脂テープ状物の配線パターンに
接合した複数のはんだバンプとを備え、前記樹脂テープ
状物の配線パターンが前記半導体素子の複数の電極に接
続しており、前記樹脂テープ状物の配線パターンと前記
半導体素子の電極との接続部分を封止樹脂で封止した半
導体装置において、エラストマ樹脂部の弾性係数及びリ
ード封止樹脂の線膨張係数を適正化することにより達成
される。
【００１１】即ち、本発明の半導体装置は、（１）前記
エラストマ樹脂部の横弾性係数が５０ＭＰａ以上７５０
ＭＰａ以下となりようにすること、（２）前記エラスト
マ樹脂部の縦弾性係数が１５０ＭＰａ以上２２５０ＭＰ
ａ以下となるようにすること、または（３）前記封止の
線膨張係数が１００×１０~6／℃以下となるようにする
ことを特徴とする。尚、本発明による実装構造は、上記
（１）乃至（３）の半導体装置をガラスエポキシ基板に
実装してなることを特徴とするものである。
エラストマ樹脂部の横弾性係数が５０ＭＰａ以上７５０
ＭＰａ以下となりようにすること、（２）前記エラスト
マ樹脂部の縦弾性係数が１５０ＭＰａ以上２２５０ＭＰ
ａ以下となるようにすること、または（３）前記封止の
線膨張係数が１００×１０~6／℃以下となるようにする
ことを特徴とする。尚、本発明による実装構造は、上記
（１）乃至（３）の半導体装置をガラスエポキシ基板に
実装してなることを特徴とするものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に本発明による半導体装置の
実施例を図面に従って述べる。◆図１に示した第１実施
例の半導体装置は、半導体素子１の回路形成面に柔軟な
エラストマ樹脂２を介してテープ３を設け、このテープ
３には金属箔からなりリード４に連続する配線パターン
５が接着されている。リード４の端部は半導体素子１の
電極１０に接合されており、この部分は封止樹脂６によ
り封止されている。配線パターン５には金属バンプ７が
接合されており、金属バンプ７の反対側は、プリント基
板８に設けられた配線パターン９に接合され、実装構造
が形成されている。
実施例を図面に従って述べる。◆図１に示した第１実施
例の半導体装置は、半導体素子１の回路形成面に柔軟な
エラストマ樹脂２を介してテープ３を設け、このテープ
３には金属箔からなりリード４に連続する配線パターン
５が接着されている。リード４の端部は半導体素子１の
電極１０に接合されており、この部分は封止樹脂６によ
り封止されている。配線パターン５には金属バンプ７が
接合されており、金属バンプ７の反対側は、プリント基
板８に設けられた配線パターン９に接合され、実装構造
が形成されている。
【００１３】この構造の半導体装置では、半導体素子１
の回路形成面に柔軟なエラストマ樹脂２を介して金属バ
ンプ７付きのテープ３を設けているので、半導体素子１
と実装基板８の線膨張係数の差が柔軟なエラストマ樹脂
２のせん断変形により吸収され、その結果金属バンプ７
にはひずみが加わらない。
の回路形成面に柔軟なエラストマ樹脂２を介して金属バ
ンプ７付きのテープ３を設けているので、半導体素子１
と実装基板８の線膨張係数の差が柔軟なエラストマ樹脂
２のせん断変形により吸収され、その結果金属バンプ７
にはひずみが加わらない。
【００１４】図１に示したＣＳＰの熱変形状態を模式的
に図２に示す。図２（ａ）は高温時の断面図であり、構
造の対称性を考慮して右半分のみ示した。エラストマ樹
脂２の厚さをｔｅ、金属バンプ７の高さをｔｓとする。
高温時の状態を基準とすると、これを冷却した場合の形
状は図２（ｂ）のようになる。すなわち、プリント基板
８の線膨張係数は半導体素子１の線膨張係数より大きい
ので、プリント基板８の方がより熱収縮し、エラストマ
樹脂２の上下面に相対変位δｅ、金属バンプ７の上下面
に相対変位δｓが生じ、それぞれの部材はせん断変形す
る。
に図２に示す。図２（ａ）は高温時の断面図であり、構
造の対称性を考慮して右半分のみ示した。エラストマ樹
脂２の厚さをｔｅ、金属バンプ７の高さをｔｓとする。
高温時の状態を基準とすると、これを冷却した場合の形
状は図２（ｂ）のようになる。すなわち、プリント基板
８の線膨張係数は半導体素子１の線膨張係数より大きい
ので、プリント基板８の方がより熱収縮し、エラストマ
樹脂２の上下面に相対変位δｅ、金属バンプ７の上下面
に相対変位δｓが生じ、それぞれの部材はせん断変形す
る。
【００１５】テープ３は薄いので、この変形を無視する
と、プリント基板８の上面と半導体素子１の下面との相
対変位δは、δｅとδｓの和で表される。◆ δ＝δｅ＋δｓ ……………………………………………………（１） エラストマ樹脂２に発生するせん断ひずみをγｅ、金属
バンプ７に発生するせん断ひずみをγｓとすると、これ
らは次式で表わされる。◆ γｅ＝δｅ／ｔｅ …………………………………………………（２） γｓ＝δｓ／ｔｓ …………………………………………………（３） エラストマ樹脂２に発生するせん断応力をτｅ、横弾性
係数をＧｅ、金属バンプ７に発生するせん断応力をτ
ｓ、横弾性係数をＧｓとすると、 γｅ＝τｅ／Ｇｅ …………………………………………………（４） γｓ＝τｓ／Ｇｓ …………………………………………………（５） が成り立つ。
と、プリント基板８の上面と半導体素子１の下面との相
対変位δは、δｅとδｓの和で表される。◆ δ＝δｅ＋δｓ ……………………………………………………（１） エラストマ樹脂２に発生するせん断ひずみをγｅ、金属
バンプ７に発生するせん断ひずみをγｓとすると、これ
らは次式で表わされる。◆ γｅ＝δｅ／ｔｅ …………………………………………………（２） γｓ＝δｓ／ｔｓ …………………………………………………（３） エラストマ樹脂２に発生するせん断応力をτｅ、横弾性
係数をＧｅ、金属バンプ７に発生するせん断応力をτ
ｓ、横弾性係数をＧｓとすると、 γｅ＝τｅ／Ｇｅ …………………………………………………（４） γｓ＝τｓ／Ｇｓ …………………………………………………（５） が成り立つ。
【００１６】エラストマ樹脂２の素子面に平行な面にお
ける面積をＡｓ、金属バンプ７の面積の合計をＡｅとす
ると、エラストマ樹脂２と金属バンプ７に発生するせん
断力の釣合から次式が成り立つ。◆ Ａｅ・τｅ＝Ａｓ・τｓ …………………………………………（６） 以上の（１）〜（６）式より、 Ｇｅ＝（Ａｓ・ｔｅ／Ａｅ）・［１／（δ／τｓ−ｔｓ
／Ｇｓ）］…（７）が得られる。
ける面積をＡｓ、金属バンプ７の面積の合計をＡｅとす
ると、エラストマ樹脂２と金属バンプ７に発生するせん
断力の釣合から次式が成り立つ。◆ Ａｅ・τｅ＝Ａｓ・τｓ …………………………………………（６） 以上の（１）〜（６）式より、 Ｇｅ＝（Ａｓ・ｔｅ／Ａｅ）・［１／（δ／τｓ−ｔｓ
／Ｇｓ）］…（７）が得られる。
【００１７】一方、プリント基板８の上面と半導体素子
１の下面との相対変位δは、プリント基板８の線膨張係
数と半導体素子１の線膨張係数の差をΔα、温度変化を
ΔＴ、半導体装置の変形中心からの距離をＬとして、 δ＝Δα・ΔＴ・Ｌ ………………………………………………（８） で表わされる。
１の下面との相対変位δは、プリント基板８の線膨張係
数と半導体素子１の線膨張係数の差をΔα、温度変化を
ΔＴ、半導体装置の変形中心からの距離をＬとして、 δ＝Δα・ΔＴ・Ｌ ………………………………………………（８） で表わされる。
【００１８】さて、金属バンプ７の材質としては、はん
だが最も一般的であり、その高さｔｓは０．５ｍｍ程度
である。またエラストマ樹脂２の材質としてはシリコン
ゴムが用いられ、その塗布性能から厚さは約０．２ｍｍ
になる。金属バンプ７は格子状に配置され、そのピッチ
は１ｍｍであるから、エラストマ樹脂２と金属バンプ７
の面積比Ａｅ／Ａｓは４になる。
だが最も一般的であり、その高さｔｓは０．５ｍｍ程度
である。またエラストマ樹脂２の材質としてはシリコン
ゴムが用いられ、その塗布性能から厚さは約０．２ｍｍ
になる。金属バンプ７は格子状に配置され、そのピッチ
は１ｍｍであるから、エラストマ樹脂２と金属バンプ７
の面積比Ａｅ／Ａｓは４になる。
【００１９】半導体素子１の材質はシリコン単結晶であ
り、その線膨張係数は３×１０~6／℃である。またプリ
ント基板８はガラスエポキシが用いられ、その線膨張係
数は１５×１０~6／℃である。従って、両者の差Δα＝
１２×１０~6／℃となる。
り、その線膨張係数は３×１０~6／℃である。またプリ
ント基板８はガラスエポキシが用いられ、その線膨張係
数は１５×１０~6／℃である。従って、両者の差Δα＝
１２×１０~6／℃となる。
【００２０】一般に半導体装置では、温度変化に対する
信頼性として、−５０℃〜１５０℃程度の温度サイクル
試験において１０００回の繰返しに耐えることが要求さ
れる。発明者らが行った実験によると、はんだの場合、
１０００回の繰返しに耐えるには発生するせん断ひずみ
を２％以下に抑える必要がある。これは日本機械学会論
文集第５４巻第５０５号Ａ編１７０９ページの論文に記
載されている。このひずみに対応した−５０℃の低温に
おけるせん断応力τｓは３０ＭＰａである（同論文に記
載）。従って、この限界におけるはんだの横弾性係数Ｇ
ｓ＝３０／０．０２＝１５００ＭＰａとなる。
信頼性として、−５０℃〜１５０℃程度の温度サイクル
試験において１０００回の繰返しに耐えることが要求さ
れる。発明者らが行った実験によると、はんだの場合、
１０００回の繰返しに耐えるには発生するせん断ひずみ
を２％以下に抑える必要がある。これは日本機械学会論
文集第５４巻第５０５号Ａ編１７０９ページの論文に記
載されている。このひずみに対応した−５０℃の低温に
おけるせん断応力τｓは３０ＭＰａである（同論文に記
載）。従って、この限界におけるはんだの横弾性係数Ｇ
ｓ＝３０／０．０２＝１５００ＭＰａとなる。
【００２１】金属バンプ７と半導体装置の変形中心の距
離Ｌは最大半導体素子１の寸法の１／２である。ＣＳＰ
に用いる半導体素子は、あまり小さいものはＣＳＰ特有
の効果が発揮できないので、１０ｍｍ以上のものが用い
られる。そこでＬ＝５ｍｍとすると、（８）式よりδ＝
Δα・ΔＴ・Ｌ＝１２×１０~6×２００×５＝０．０１
２ｍｍとなる。以上の値を（７）式に代入すると、 Ｇｅ＝（Ａｓ・ｔｅ／Ａｅ）・［１／（δ／τｓ−ｔｓ／Ｇｓ）］ ＝（０．２／４）×［１／（０．０１２／３０−０．５／１５００）］ ＝７５０［ＭＰａ］ ……………………………………………（９） を得る。
離Ｌは最大半導体素子１の寸法の１／２である。ＣＳＰ
に用いる半導体素子は、あまり小さいものはＣＳＰ特有
の効果が発揮できないので、１０ｍｍ以上のものが用い
られる。そこでＬ＝５ｍｍとすると、（８）式よりδ＝
Δα・ΔＴ・Ｌ＝１２×１０~6×２００×５＝０．０１
２ｍｍとなる。以上の値を（７）式に代入すると、 Ｇｅ＝（Ａｓ・ｔｅ／Ａｅ）・［１／（δ／τｓ−ｔｓ／Ｇｓ）］ ＝（０．２／４）×［１／（０．０１２／３０−０．５／１５００）］ ＝７５０［ＭＰａ］ ……………………………………………（９） を得る。
【００２２】すなわち、エラストマ樹脂２の横弾性係数
Ｇｅが７５０ＭＰａを超えるとはんだのひずみが２％を
超えるので、１０００回の温度サイクル試験に耐えるこ
とができない。
Ｇｅが７５０ＭＰａを超えるとはんだのひずみが２％を
超えるので、１０００回の温度サイクル試験に耐えるこ
とができない。
【００２３】次に、リード４の変形について考察する。
（２）〜（５）式よりδｅとδｓの比は δｅ／δｓ＝（ｔｅ・Ａｓ・Ｇｓ）／（ｔｓ・Ａｅ・Ｇｅ） ……（１０） で表わされる。（１）式と（１０）式より、Ｇｅは次式
で表わされる。◆ Ｇｅ＝（δ／δｅ−１）・（ｔｅ・Ａｓ・Ｇｓ）／（ｔｓ・Ａｅ）…（１１） 一方、図２のリード４を両端が半導体素子１とテープ３
に固定されたはりとみなすと、リードの相対変位、すな
わちエラストマ樹脂２の上下面の相対変位δｅは、次の
式で表される。
（２）〜（５）式よりδｅとδｓの比は δｅ／δｓ＝（ｔｅ・Ａｓ・Ｇｓ）／（ｔｓ・Ａｅ・Ｇｅ） ……（１０） で表わされる。（１）式と（１０）式より、Ｇｅは次式
で表わされる。◆ Ｇｅ＝（δ／δｅ−１）・（ｔｅ・Ａｓ・Ｇｓ）／（ｔｓ・Ａｅ）…（１１） 一方、図２のリード４を両端が半導体素子１とテープ３
に固定されたはりとみなすと、リードの相対変位、すな
わちエラストマ樹脂２の上下面の相対変位δｅは、次の
式で表される。
【００２４】 δｅ＝（２・Ｐ・ｌ3）／（３・Ｅｌ・Ｉ） …………………………（１２） ここで、Ｐは相対変位δｅが生じることによりリード４
の根元に加わる荷重、ｌはリード４の長さの１／２、Ｅ
ｌはリード４の縦弾性係数、Ｉはリード４の断面２次モ
ーメントである。
の根元に加わる荷重、ｌはリード４の長さの１／２、Ｅ
ｌはリード４の縦弾性係数、Ｉはリード４の断面２次モ
ーメントである。
【００２５】また、リード４に生じる応力σｌは、次式
で表される。◆ σｌ＝Ｐ・ｌ／Ｚ＝Ｐ・ｌ・ｈ／（２・Ｉ）……………………………（１３） ここで、Ｚはリード４の断面係数、ｈはリード４の厚さ
である。
で表される。◆ σｌ＝Ｐ・ｌ／Ｚ＝Ｐ・ｌ・ｈ／（２・Ｉ）……………………………（１３） ここで、Ｚはリード４の断面係数、ｈはリード４の厚さ
である。
【００２６】（１２）、（１３）式より、 δｅ＝（４・ｌ2・σｌ）／（３・Ｅｌ・ｈ） ＝（４・ｌ2・εｌ）／（３・ｈ） ………………………………（１４） ここで、εｌはリード４に発生するひずみである。
【００２７】（１４）式を（１１）式に代入して、 Ｇｅ＝（δ／δｅ−１）・（ｔｅ・Ａｓ・Ｇｓ）／（ｔｓ・Ａｅ） ＝｛（３・ｈ・δ）／（４・ｌ2・εｌ）−１｝・（ｔｅ・Ａｓ・Ｇｓ） ／（ｔｓ・Ａｅ） …………………………………………………（１５） を得る。
【００２８】一般に、リードの材質としては銅箔が用い
られ、テープに接着された銅箔の厚さｈは約０．０３ｍ
ｍである。またリード４の長さはエラストマ樹脂２の厚
さｔｅにほぼ等しいので、ｌ＝ｔｅ／２＝０．１ｍｍと
なる。
られ、テープに接着された銅箔の厚さｈは約０．０３ｍ
ｍである。またリード４の長さはエラストマ樹脂２の厚
さｔｅにほぼ等しいので、ｌ＝ｔｅ／２＝０．１ｍｍと
なる。
【００２９】リード４の材料である純銅の疲労は、日本
機械学会講演論文集Ｎｏ．８３０−１０，２４３ペ−ジ
に開示されており、１０００回のひずみの繰返しに耐え
るためには、ひずみを２％以下にする必要があることが
わかる。そこでＥｌ＝０．０２とし、（１５）式におけ
る各変数のその他の値を（１）〜（９）式で用いた値と
同じ値を用いると、Ｇｅは次式で表わされる。
機械学会講演論文集Ｎｏ．８３０−１０，２４３ペ−ジ
に開示されており、１０００回のひずみの繰返しに耐え
るためには、ひずみを２％以下にする必要があることが
わかる。そこでＥｌ＝０．０２とし、（１５）式におけ
る各変数のその他の値を（１）〜（９）式で用いた値と
同じ値を用いると、Ｇｅは次式で表わされる。
【００３０】 Ｇｅ＝｛（３・０．０３・０．０１２）／（４・０．１・０．１・０．０２） −１｝・（０．２・１５００）／（０．５・４） ≒５０［ＭＰａ］ ……………………………………………………（１６） を得る。すなわち、エラストマ樹脂２の横弾性係数Ｇｅ
が５０ＭＰａより小さくなると、リード４のひずみが２
％を超えるので、１０００回の温度サイクル試験に耐え
ることができない。
が５０ＭＰａより小さくなると、リード４のひずみが２
％を超えるので、１０００回の温度サイクル試験に耐え
ることができない。
【００３１】以上の解析結果から、エラストマ樹脂２の
横弾性係数を５０ＭＰａ以上、７５０ＭＰａ以下にする
ことにより、リード４と金属バンプ７の両方に対するＣ
ＳＰの信頼性を確保できることがわかる。
横弾性係数を５０ＭＰａ以上、７５０ＭＰａ以下にする
ことにより、リード４と金属バンプ７の両方に対するＣ
ＳＰの信頼性を確保できることがわかる。
【００３２】尚、エラストマ樹脂のポアソン比はほぼ
０．５である。弾性体の縦弾性係数＝２×（１＋ポアソ
ン比）×横弾性係数の関係があるので、上記の条件は縦
弾性係数が１５０ＭＰａ以上、２２５０ＭＰａ以下であ
るともいえる。
０．５である。弾性体の縦弾性係数＝２×（１＋ポアソ
ン比）×横弾性係数の関係があるので、上記の条件は縦
弾性係数が１５０ＭＰａ以上、２２５０ＭＰａ以下であ
るともいえる。
【００３３】最後に、封止樹脂６の材質について検討す
る。リード４を包むように封止する樹脂６は、上記に規
定した程度の弾性係数を有しある程度硬く、更に線膨張
係数がリードより十分大きい場合には、樹脂の体積がリ
ードの体積より十分大きいので、リードには樹脂の熱膨
張にほぼ等しいひずみが生じる。従って、次式が成り立
つ。
る。リード４を包むように封止する樹脂６は、上記に規
定した程度の弾性係数を有しある程度硬く、更に線膨張
係数がリードより十分大きい場合には、樹脂の体積がリ
ードの体積より十分大きいので、リードには樹脂の熱膨
張にほぼ等しいひずみが生じる。従って、次式が成り立
つ。
【００３４】 εｌ＝αｐ・ΔＴ …………………………………………………………（１７） ここでαｐは封止樹脂の線膨張係数である。
【００３５】前述の様に、温度差２００℃の温度サイク
ル試験においてリードに発生するひずみを２％以下に抑
える必要があるので、 αｐ＝εｌ／ΔＴ＝０．０２／２００ ＝１００×１０~6［１／℃］ ………………………………………（１８） が成り立つ。従って、封止樹脂６の線膨張係数を１００
×１０~6／℃以下にすることにより、所定の温度サイク
ル試験においてリード４の熱疲労破壊を防ぐことができ
る。
ル試験においてリードに発生するひずみを２％以下に抑
える必要があるので、 αｐ＝εｌ／ΔＴ＝０．０２／２００ ＝１００×１０~6［１／℃］ ………………………………………（１８） が成り立つ。従って、封止樹脂６の線膨張係数を１００
×１０~6／℃以下にすることにより、所定の温度サイク
ル試験においてリード４の熱疲労破壊を防ぐことができ
る。
【００３６】図１は、本発明の第１実施例によるＣＳＰ
の断面図である。本実施例では、半導体素子１の回路形
成面にエラストマ樹脂２を介してポリイミド製のテープ
３を設け、テープ３には銅箔からなりリード４に連続す
る配線パターン５が接着されている。リード４の端部は
半導体素子１の電極１０に接合されており、この部分は
封止樹脂６により封止されている。本実施例では半導体
素子１の電極１０が半導体素子１の周囲に配置されてい
る。配線パターン５には金属バンプ７が接合されてい
る。金属バンプ７の材料には、鉛錫共晶はんだが用いら
れている。金属バンプ７の反対側は、ガラスエポキシの
プリント基板８に設けられた配線パターン９に接合さ
れ、実装構造が形成されている。
の断面図である。本実施例では、半導体素子１の回路形
成面にエラストマ樹脂２を介してポリイミド製のテープ
３を設け、テープ３には銅箔からなりリード４に連続す
る配線パターン５が接着されている。リード４の端部は
半導体素子１の電極１０に接合されており、この部分は
封止樹脂６により封止されている。本実施例では半導体
素子１の電極１０が半導体素子１の周囲に配置されてい
る。配線パターン５には金属バンプ７が接合されてい
る。金属バンプ７の材料には、鉛錫共晶はんだが用いら
れている。金属バンプ７の反対側は、ガラスエポキシの
プリント基板８に設けられた配線パターン９に接合さ
れ、実装構造が形成されている。
【００３７】本実施例のエラストマ樹脂２には、横弾性
係数が５０ＭＰａ以上７５０ＭＰａ以下の樹脂が用いら
れている。このような弾性係数を有する樹脂としては、
例えばシリコ−ン樹脂１００重量部に対して溶融シリカ
フィラ１８０重量部を添加した樹脂組成物、エポキシ変
成ポリブタジエン樹脂１００重量部に対して硬化材フェ
ノ−ルノボラック４．４重量部と硬化促進剤トリフェニ
ルホスフェ−ト１重量部からなる樹脂組成物、あるい
は、エポキシ含有接着フィルムを用いた材料などが挙げ
られる。また封止樹脂６は、エラストマ樹脂２と同様の
横弾性係数を有し、しかも線膨張係数が１００×１０~6
／℃以下の樹脂が用いられている。従って、本実施例の
ＣＳＰでは、リードと金属（はんだ）バンプの両方に対
する信頼性が高い。
係数が５０ＭＰａ以上７５０ＭＰａ以下の樹脂が用いら
れている。このような弾性係数を有する樹脂としては、
例えばシリコ−ン樹脂１００重量部に対して溶融シリカ
フィラ１８０重量部を添加した樹脂組成物、エポキシ変
成ポリブタジエン樹脂１００重量部に対して硬化材フェ
ノ−ルノボラック４．４重量部と硬化促進剤トリフェニ
ルホスフェ−ト１重量部からなる樹脂組成物、あるい
は、エポキシ含有接着フィルムを用いた材料などが挙げ
られる。また封止樹脂６は、エラストマ樹脂２と同様の
横弾性係数を有し、しかも線膨張係数が１００×１０~6
／℃以下の樹脂が用いられている。従って、本実施例の
ＣＳＰでは、リードと金属（はんだ）バンプの両方に対
する信頼性が高い。
【００３８】エラストマ樹脂２の横弾性係数は、５０Ｍ
Ｐａ以上７５０ＭＰａ以下であればよいが、この２つの
値の相乗平均である２００ＭＰａ付近であることが望ま
しい。また、封止樹脂６の線膨張係数は銅の線膨張係数
１７×１０~6／℃に近いほうが望ましいのは言うまでも
ない。
Ｐａ以上７５０ＭＰａ以下であればよいが、この２つの
値の相乗平均である２００ＭＰａ付近であることが望ま
しい。また、封止樹脂６の線膨張係数は銅の線膨張係数
１７×１０~6／℃に近いほうが望ましいのは言うまでも
ない。
【００３９】尚、リード４の表面には電極１０及びバン
プ７との接合を容易にするため、ニッケル、金等の金属
メッキを適宜施すことが望ましい。更に、エラストマ樹
脂２と封止樹脂６の物性値はそれぞれの樹脂のクラック
を防ぐため、なるべく近い値のものを用いることが望ま
しい。
プ７との接合を容易にするため、ニッケル、金等の金属
メッキを適宜施すことが望ましい。更に、エラストマ樹
脂２と封止樹脂６の物性値はそれぞれの樹脂のクラック
を防ぐため、なるべく近い値のものを用いることが望ま
しい。
【００４０】図３は、本発明の第２実施例によるＣＳＰ
の断面図である。本実施例の構造は第１実施例と同様で
あるが、本実施例では半導体素子１の電極１０が半導体
素子１の中心部に配置されている。
の断面図である。本実施例の構造は第１実施例と同様で
あるが、本実施例では半導体素子１の電極１０が半導体
素子１の中心部に配置されている。
【００４１】本実施例でもエラストマ樹脂２には、横弾
性係数が５０ＭＰａ以上７５０ＭＰａ以下の樹脂が用い
られ、また封止樹脂６は、エラストマ樹脂２と同様の横
弾性係数を有し、しかも線膨張係数が１００×１０~6／
℃以下の樹脂が用いられているので、リードと金属（は
んだ）バンプの両方に対する信頼性が高い。
性係数が５０ＭＰａ以上７５０ＭＰａ以下の樹脂が用い
られ、また封止樹脂６は、エラストマ樹脂２と同様の横
弾性係数を有し、しかも線膨張係数が１００×１０~6／
℃以下の樹脂が用いられているので、リードと金属（は
んだ）バンプの両方に対する信頼性が高い。
【００４２】図４は、本発明の第３実施例による半導体
装置の断面図である。本実施例では、第１実施例ＣＳＰ
の金属バンプ数を更に増やすため、半導体素子をベース
１１に接合し、さらにベース１１の基板８に対向する面
にエラストマ樹脂２ｂ、テープ３ｂを接続し、電極１０
ｂに接続したリード４ｂに連続する配線パターン５ｂが
設けられている。配線パターン５ｂとプリント基板８の
配線パターン９ｂが金属（はんだ）バンプ７ｂにより接
続されている。
装置の断面図である。本実施例では、第１実施例ＣＳＰ
の金属バンプ数を更に増やすため、半導体素子をベース
１１に接合し、さらにベース１１の基板８に対向する面
にエラストマ樹脂２ｂ、テープ３ｂを接続し、電極１０
ｂに接続したリード４ｂに連続する配線パターン５ｂが
設けられている。配線パターン５ｂとプリント基板８の
配線パターン９ｂが金属（はんだ）バンプ７ｂにより接
続されている。
【００４３】本実施例でもエラストマ樹脂２ａ、２ｂに
は、横弾性係数が５０ＭＰａ以上７５０ＭＰａ以下の樹
脂が用いられ、また封止樹脂６は、エラストマ樹脂２
ａ、２ｂと同様の横弾性係数を有し、しかも線膨張係数
が１００×１０~6／℃以下の樹脂が用いられているの
で、リードと金属（はんだ）バンプの両方に対する信頼
性が高い。
は、横弾性係数が５０ＭＰａ以上７５０ＭＰａ以下の樹
脂が用いられ、また封止樹脂６は、エラストマ樹脂２
ａ、２ｂと同様の横弾性係数を有し、しかも線膨張係数
が１００×１０~6／℃以下の樹脂が用いられているの
で、リードと金属（はんだ）バンプの両方に対する信頼
性が高い。
【００４４】尚、本実施例では金属バンプが半導体素子
の平面内（７ａ）と、平面外（７ｂ）の両方に設けられ
ているが、どちらかを用いなくてもよい。また図では理
解を助けるために電極４ａ、４ｂをずらしてあるが、紙
面垂直方向に１列に並んでいても差し支えない。
の平面内（７ａ）と、平面外（７ｂ）の両方に設けられ
ているが、どちらかを用いなくてもよい。また図では理
解を助けるために電極４ａ、４ｂをずらしてあるが、紙
面垂直方向に１列に並んでいても差し支えない。
【００４５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、半
導体素子とプリント基板の線膨張係数の差に基づく変形
をバランス良くエラストマ樹脂とはんだバンプで分担す
るので、温度変化によるはんだバンプと内部リードの両
方のひずみを低減することができ、よってＣＳＰ型半導
体装置の信頼性を大幅に向上させることができる。
導体素子とプリント基板の線膨張係数の差に基づく変形
をバランス良くエラストマ樹脂とはんだバンプで分担す
るので、温度変化によるはんだバンプと内部リードの両
方のひずみを低減することができ、よってＣＳＰ型半導
体装置の信頼性を大幅に向上させることができる。
【図１】本発明の第１実施例の断面図である。
【図２】従来のＣＳＰ型半導体装置における熱変形を示
す断面図である。
す断面図である。
【図３】本発明の第２実施例の断面図である。
【図４】本発明の第３実施例の断面図である。
１…半導体素子、２、２ａ、２ｂ…エラストマ樹脂部、
３、３ａ、３ｂ…テープ状物、４、４ａ、４ｂ…リー
ド、５、５ａ、５ｂ…配線パターン、６…封止樹脂部、
７、７ａ、７ｂ…金属バンプ、８…プリント基板、９、
９ａ、９ｂ…プリント基板の配線パターン、１０、１０
ａ、１０ｂ…半導体素子の電極、１１…ベース。
３、３ａ、３ｂ…テープ状物、４、４ａ、４ｂ…リー
ド、５、５ａ、５ｂ…配線パターン、６…封止樹脂部、
７、７ａ、７ｂ…金属バンプ、８…プリント基板、９、
９ａ、９ｂ…プリント基板の配線パターン、１０、１０
ａ、１０ｂ…半導体素子の電極、１１…ベース。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 矢口 昭弘 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内 (72)発明者 熊沢 鉄雄 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内 (72)発明者 安生 一郎 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 田中 英樹 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 西村 朝雄 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 江口 州志 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 永井 晃 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 御田 護 茨城県日立市助川町三丁目１番１号 日立 電線株式会社電線工場内
Claims (4)
- 【請求項１】半導体素子と、該半導体素子の少なくとも
一部の複数の電極を除いて前記半導体素子に接合したエ
ラストマ樹脂部と、該エラストマ樹脂部に接続し、表面
に配線パターンを設けた樹脂テープ状物と、該樹脂テー
プ状物の配線パターンに接合した複数のはんだバンプと
を備え、前記樹脂テープ状物の配線パターンが前記半導
体素子の複数の電極に接続しており、前記樹脂テープ状
物の配線パターンと前記半導体素子の電極との接続部分
を封止樹脂で封止した半導体装置において、前記エラス
トマ樹脂部の横弾性係数が５０ＭＰａ以上７５０ＭＰａ
以下であることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】半導体素子と、該半導体素子の少なくとも
一部の複数の電極を除いて前記半導体素子に接合したエ
ラストマ樹脂部と、該エラストマ樹脂部に接続し、表面
に配線パターンを設けた樹脂テープ状物と、該樹脂テー
プ状物の配線パターンに接合した複数のはんだバンプと
を備え、前記樹脂テープ状物の配線パターンが前記半導
体素子の複数の電極に接続しており、前記樹脂テープ状
物の配線パターンと前記半導体素子の電極との接続部分
を封止樹脂で封止した半導体装置において、前記エラス
トマ樹脂部の縦弾性係数が１５０ＭＰａ以上２２５０Ｍ
Ｐａ以下であることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】半導体素子と、該半導体素子の少なくとも
一部の複数の電極を除いて前記半導体素子に接合したエ
ラストマ樹脂部と、該エラストマ樹脂部に接続し、表面
に配線パターンを設けた樹脂テープ状物と、該樹脂テー
プ状物の配線パターンに接合した複数のはんだバンプと
を備え、前記樹脂テープ状物の配線パターンが前記半導
体素子の複数の電極に接続しており、前記樹脂テープ状
物の配線パターンと前記半導体素子の電極との接続部分
を封止樹脂で封止した半導体装置において、前記封止の
線膨張係数が１００×１０~6／℃以下であることを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項４】請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体
装置をガラスエポキシ基板に実装してなることを特徴と
する半導体装置の実装構造。
Priority Applications (12)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8062482A JPH09260533A (ja) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | 半導体装置及びその実装構造 |
| MYPI97000332A MY125460A (en) | 1996-03-19 | 1997-01-29 | Semiconductor device |
| SG1997000231A SG63690A1 (en) | 1996-03-19 | 1997-02-01 | Semiconductor device |
| KR1019970003400A KR100264022B1 (ko) | 1996-03-19 | 1997-02-04 | 반도체장치 |
| CN97102173A CN1091301C (zh) | 1996-03-19 | 1997-02-05 | 半导体器件 |
| CNA2004100789663A CN1591810A (zh) | 1996-03-19 | 1997-02-05 | 半导体器件的制造方法 |
| TW086103237A TW370694B (en) | 1996-03-19 | 1997-03-15 | Semiconductor device |
| US08/820,631 US6049128A (en) | 1996-03-19 | 1997-03-19 | Semiconductor device |
| US09/166,857 US6130112A (en) | 1996-03-19 | 1998-10-06 | Semiconductor device |
| KR1020000008738A KR100318160B1 (ko) | 1996-03-19 | 2000-02-23 | 반도체장치 |
| US09/547,937 US6297073B1 (en) | 1996-03-19 | 2000-04-11 | Semiconductor device |
| CNB001353721A CN1172368C (zh) | 1996-03-19 | 2000-12-18 | 半导体器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8062482A JPH09260533A (ja) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | 半導体装置及びその実装構造 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003035925A Division JP2003218274A (ja) | 2003-02-14 | 2003-02-14 | 半導体装置及びその実装構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09260533A true JPH09260533A (ja) | 1997-10-03 |
Family
ID=13201453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8062482A Withdrawn JPH09260533A (ja) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | 半導体装置及びその実装構造 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US6049128A (ja) |
| JP (1) | JPH09260533A (ja) |
| KR (2) | KR100264022B1 (ja) |
| CN (3) | CN1091301C (ja) |
| MY (1) | MY125460A (ja) |
| SG (1) | SG63690A1 (ja) |
| TW (1) | TW370694B (ja) |
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| WO1998059369A1 (en) * | 1997-06-23 | 1998-12-30 | Citizen Watch Co., Ltd. | Semiconductor package and method for manufacturing the same |
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| US6072700A (en) * | 1997-06-30 | 2000-06-06 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Ball grid array package |
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| KR100352865B1 (ko) * | 1998-04-07 | 2002-09-16 | 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조방법 |
| US6465082B1 (en) | 1997-11-19 | 2002-10-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Stress relaxation electronic part, stress relaxation wiring board, and stress relaxation electronic part mounted body |
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| KR100475341B1 (ko) * | 1997-10-10 | 2005-06-29 | 삼성전자주식회사 | 와이어본딩을이용한칩스케일패키지제조방법및그구조 |
| KR100532863B1 (ko) * | 1998-06-25 | 2006-05-17 | 삼성전자주식회사 | 탄성 중합체를 사용하는 반도체 패키지 |
| KR100567677B1 (ko) * | 1997-06-06 | 2006-08-11 | 히다치 덴센 가부시키 가이샤 | 반도체장치및반도체장치용배선테이프 |
| JP2015513090A (ja) * | 2012-03-09 | 2015-04-30 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトＥｐｃｏｓ Ａｇ | 微小機械測定素子および微小機械測定素子の製造方法 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2843315B1 (ja) * | 1997-07-11 | 1999-01-06 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置およびその製造方法 |
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